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Tcnicas de

Caracterizao de
Materiais
Prof. Dr. Eduardo Antonelli

Ps-graduao em Engenharia e Cincias de


Materiais

Tetraedro

Anlise de fase

Microscopia

Anlise Trmica

Espectroscopias

Ensaios Mecnicos

Ementa:
Caracterizao de partculas e sistemas particulados: densidade volumtrica,
densidade aparente, densidade real (picnometria e picnometria de hlio).
Distribuio de tamanhos de partculas (peneiramento, tcnicas de
sedimentao, tcnicas de espalhamento de luz), distribuio de tamanho e
morfologia das partculas (microscopia), distribuio de tamanhos de poros
(porosimetria de mercrio).
Difrao e fluorescncia de raios-X.
Microscopia: microscopia ptica, microscopia eletrnica de varredura,
microscopia eletrnica de transmisso, microscopia de fora atmica.
Anlises trmicas: anlise trmica diferencial, calorimetria diferencial de
varredura, anlise termogravimtrica, anlise termodilatomtrica, anlise
dinmico mecnica, anlise termomecnica.
Espectroscopias: ultravioleta, visvel, infravermelho, RAMAN, energia
dispersiva, de impedncias.

Difrao de Raio-X
Granulometro de difrao a laser
Microscopia Eletrnica de Varredura
Anlise Trmica (DTA/DSC/TG/Dilatometria)
Reometro
Espectroscopia no Infra Vermelho
Espectroscopia Raman
Espectroscopia UV-VIS
Espectroscopia de Impedncia

11/08/2014

Apresentao do curso

13/08/2014

XRD

18/08/2014

XRD

20/08/2014

XRD (Pratica)

25/08/2014

XRD (Pratica)

27/08/2014

Tcnicas de apresentao

01/09/2014

Granulometria

03/09/2014

Granulometria (pratica)

08/09/2014

Granulometria (pratica)

10/09/2014

Microscopia

15/09/2014

Microscopia (Pratica)

17/09/2014

Microscopia (Pratica)

22/09/2014

Seminrios

24/09/2014

Seminrios

Rodrigues, Jos de Anchieta. Raios x: difrao e espectroscopia.


So Carlos, SP: EdUFSCar, 2010. 51 p. (Srie Apontamentos).
ISBN 85-7600-061-X.Palavras-chave:
ESPECTROSCOPIA DE RAIOS X; DIFRACAO POR RAIOS X
CULLITY, B.D; STOCK, S.R. Elements of x-ray
diffraction. 3.ed. Upper Saddle River: Prentice-Hall,
c2001. 678 p. ISBN 978-0-201-61091-8.
MANNHEIMER, Walter A. Microscopia dos materiais: uma
introduo. [s.l.]: [s.n.], 2002. [p.irr.]. ISBN 978-85-87922-540.Palavras-chave:
MICROSCOPIA; ELETRONIA; MATERIAIS.

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Avaliao:
Relatrios: 25%
Seminrios/monografia: 25%
Provas: 50%

8,5 A 10
7,0 B 8,4
5,5 C 6,9
0,0 D < 5,5
(Reprovado)

DRX
Difrao de raios - x
Determinao

de fase cristalina

Estrutura Cristalina
Ondas

Ligaes Atmicas

Slidos inicos ligao muito forte,


material com alto ponto de fuso, em geral
baixa condutividade eltrica e trmica. A
ausncia de eltrons livres resulta em alta
transparncia.
(NaCl, KCl, NaBr, LiF, ZnO etc...)
Ligao Covalente Material com alto ponto
de fuso, mas menor que os slidos Inicos mas
tem maior dureza. Semicondutores silcio
e
Germnio.

Ligao
Metlica

Ponto
de
fuso
relativamente
baixo,
maleabilidade,
ductibilidade, grande condutividade trmica e
eltrica.

Arranjos Atmicos e Inicos

(a) Sem ordem


(b)(c) Ordem de curto
alcance
(d) Ordem de longo
alcance

Vidro amorfo
Cermica - policristalina

Ordem de longo alcance

Monocristalino
Materiais
Cristalinos
Policristalino

Estruturas Cristalinas
Rede conjunto de pontos denominados pontos de rede,
dispostos segundo um padro peridico.
Clula unitria uma subdiviso da rede que ainda mantm
as caractersticas tpicas de toda a rede.

Rede conceito matemtico

Associando tomos aos pontos de rede (definimos a base) que


temos uma rede cristalina.

Redes de
Bravais
14 arranjos
distintos de
pontos de
rede
7 sistemas
cristalinos

Os parmetros de rede: descrevem o tamanho


e o formato da clula unitria.

1 nm 10-9 m 10-7 cm 10

Materiais
Polimrficos

Pontos, direes e planos na clula unitria


Coordenadas de pontos

Pontos, direes e planos na clula unitria


Direes na Clula Unitria

Direo A:

1 - Determine as coordenadas de
dois pontos situados nesta direo:

1, 0, 0 e 0, 0, 0

2 Subtraia as coordenadas do
ponto final do ponto inicial:

1, 0, 0 - 0, 0, 0 = 1, 0, 0
3 Elimine fraes:

No preciso eliminar fraes.


4 Coloque os ndices entre
colchetes [], negativos so
representados com uma barra:

[100]

Pontos, direes e planos na clula unitria


Planos na Clula Unitria

ndices de Miller

Plano A
1 Identifique os pontos em que o plano

intercepta as coordenadas x, y, z. Se o
plano passar pela origem, esta dever ser
alterada:

x=1, y=1, z=1

2 Calcular o inverso das intersees:

1/x = 1, 1/y = 1, 1/z=1


3 Eliminar as fraes:

No h fraes a eliminar.
4 Colocar os ndices entre parnteses, negativos so representados com
uma barra sobre o nmero.

(111)

- Desenhe (a) a direo [121] e (b) o plano (210) em uma


clula unitria cbica.

ondas

Radiao Eletromagntica
Ondas Eletromagnticas

Radiao Eletromagntica - Ondas Eletromagnticas


Ondas eletromagnticas

E=h=hc/

Os raios X so radiaes eletromagnticas que corresponde a uma


faixa do espectro que vai desde 10nm a 0,1nm (ou 1,0 a 100). Acima dessa faixa
temos os Raios Gama, cujos comprimentos de onda so menores que 0,1nm.
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/fismod/mod05/m_s03.html

Difrao

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/fismod/mod05/m_s03.html

A luz se difrata ao passar por cada


uma das fendas. Se colocarmos um
anteparo na frente das duas fendas,
veremos outro tipo de fenmeno: a
interferncia.

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/fismod/mod05/m_s03.html

dsen=m , m= 1, 2, 3, 4, 5 ...

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/fismod/mod05/m_s03.html

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/fismod/mod05/m_s03.html

A observao das franjas de interferncia permite calcular a


separao entre as fendas

A situao continua semelhante, se ao invs de uma fenda


dupla usarmos vrias fendas igualmente espaadas. Este
arranjo conhecido como rede de difrao. Assim, a
observao das franjas de difrao (ou franjas de
interferncia) permite calcular a separao entre as fendas.

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/fismod/mod05/m_s03.html

DRX
Difrao de raios - x
Determinao

de fase cristalina

Radiao Eletromagntica - Ondas Eletromagnticas


Ondas eletromagnticas

E=h=hc/

Os raios X so radiaes eletromagnticas que corresponde a uma


faixa do espectro que vai desde 10nm a 0,1nm (ou 1,0 a 100). Acima dessa faixa
temos os Raios Gama, cujos comprimentos de onda so menores que 0,1nm.
http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/fismod/mod05/m_s03.html

Como produzido o raio X?

Espalhamento

Raio X caracterstico
Quando a diferena de potencial V atinge um valor crtico Vc chamado de potencial de excitao
(que depende do elemento ou material do alvo) os eltrons incidentes possuem energia cintica
suficientes para, ao colidir com eltrons das camadas mais internas do elemento do alvo, expelirem
estes eltrons deixando suas posies vacantes.

Espectro caracterstico
Radiao branca

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/fismod/mod05/m_s03.html

Monocromatizao dos Raios X

Monocromatizao dos Raios X

Material que permita a passagem de comprimentos de onda igual a K


Alvo de cobre - Filtro de nquel

Funcionamento do Aparelho de Raios X

Funcionamento do Aparelho de Raios X

O mtodo do p foi inventado independentemente em 1916 por Debye


e Scherrer na Alemanha e em 1917 por Hull nos Estados Unidos para
se estudar a estrutura de cristais.

Lei de Bragg

Diferena no comprimento da trajetria


1-k-1

2-L-2

n=ML+LN
n=dhklsen + dhklsen

n=2dhklsen

sen =ML/dhkl

Relao entre distncia interplanar e parmetro de rede

Cristal de NaCl
Exemplo: Calculo da distncia entre os planos: Vamos calcular a
distncia entre dois planos (220) hkl=220 do cristal com
simetria cbica e a=5,640

NaCl

Exemplo:

Lei de Bragg Condio necessria, mas no suficiente para a


difrao!

Intensidade!

I(HKL)N.p(hkl).L().P().A.T(T).F(f,x,y,z,h,k,l)2
N Nmero de clulas unitrias iluminadas pelo feixe
p(hkl) multiplicidade (depende da simetria do cristal)
L() fator de Lorentz que depende do ngulo de Bragg e da tcnica de
difrao utilizada
P() Fator de polarizao
A Fator de absoro da amostra
T(T) Funo da temperatura
F Fator de estrutura (relacionado com o numero de eletrons do tomo)
Somente este pode assumir valor 0

Intensidade:
O primeiro a ser considerado o fator de espalhamento atmico (f).
Somente este pode assumir valor 0

Indica o quanto um
tomo pode espalhar a
um dado ngulo e um
certo comprimento de
onda
(geralmente
os
valores
tabelados
so
dados para valores de
sen/)

Aplicaes

APLICAES DA DIFRAO DE RAIOS X


Identificao de fases cristalinas
Base de Dados:
ICDD, International Center for Diffraction Data, com sede nos EUA.
Atualmente so disponveis informaes referentes a mais de
70.000 compostos cristalinos

Quantificao de fases

Mtodo de Rietveld

Mtodo de Rietveld
Curso MTODO DE RIETVELD

GSAS+EXPGUI

Instituto de Qumica UNESP. Araraquara

Full Prof ( Juan Rodrigues Carvajal)

Powder Cell
http://www.ccp14.ac.uk/tutorial/powdcell/

P/aplicaes
simples

Rietveld Refinement Guidelines (165kB): Publicao de L. B.


McCusker, R. B. Von Dreele, D. E. Cox, D. Louer and P. Scardi. J.
Appl. Cryst. (1999). 32, 36-50.

Tamanho de cristalitos
Partculas de dimenses inferiores a 1m podem apresentar intensidades
difratadas em valores de 2 pouco superiores e inferiores ao valor do ngulo
de Bragg devido ao efeito de alargamento de picos
Tal fato deve-se ao menor nmero de planos que difratam os raios X, em
funo das pequenas dimenses dos cristalitos, permitindo a difrao para
valores de comprimento de onda um pouco superiores e inferiores ao valor de

K- fator de forma (uma constante,


usualmente com valor de 0,9)
- o comprimento de onda
B - largura observada da linha difratada
a meia altura do pico (FWHM)
b - a largura do pico a meia altura para
uma amostra padro (dimenses acima
de 1m).

Tenso Residual
Macrotenso (macrostress) - Se a tenso corresponder a um
esforo uniforme, compressivo ou distensivo, as distncias da cela
unitria dos cristais vo, respectivamente, diminuir ou aumentar,
ocasionando um deslocamento na posio dos picos difratados.

Tenso Residual

Microtenso
em
cristalitos
(microstress)
Esforos
no
uniformes esto relacionados a foras
de
distenso
e
compresso
simultneas.
Pode estar relacionado a diferentes
causas:
deslocamentos
(o
mais
freqente),
vacncias,
defeitos,
planos de cisalhamento, expanses e
contraes trmicas, etc.

Orientao de cristalitos - Textura


Determinao da figura de polo referente a uma dada direo
cristalogrfica, ou seja, as medidas de intensidade de uma linha
particular de difrao plotadas em funo da orientao
tridimensional da amostra.

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