Eletrnica de Potncia

gustavo.anselmo@anhanguera.com

Prof.

Gustavo A Anselmo

Dispositivos Eletrnicos de Potncia

Agenda:

O diodo aplicado a circuitos de potncia

Tiristores
MOSFET
IGBT

O diodo aplicado a circuitos

de potncia

Dispositivos Eletrnicos de Potncia

Classificao dos Diodos de Potncia

Genricos, de uso geral, so fornecidos em at 3000 V, 3500 A
e tempo de recuperao reversa trr de 10 s;
Alta velocidade ou recuperao rpida, so fornecidos em at
3000 V, 1000 A e valores tpicos de trr de 0,1 e 5,0 s;
Diodos Schottky (very fast) trr da ordem de nano-segundos ;

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Tipos de Encapsulamentos
Tipo ROSCA ou rosquevel (do ingls stud ou studmounted);
Tipo DISCO ou encapsulamento prensvel ou disco de
hquei (do ingls disk ou press pak ou hockey puck)

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Diodo Ideal:
Caractersticas estticas (tenso-corrente):
Polarizado diretamente: entra em conduo para Vf > 0
(curto)
Polarizado inversamente: capaz de bloquear uma
tenso reversa ilimitada (circuito aberto)

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Diodo Real:
Caractersticas estticas (tenso-corrente):
Polarizado diretamente: forma-eletromotriz V(TO) em srie
com rt
Polarizado inversamente: circulao de uma corrente
reversa IR de baixo valor e bloqueio limitado at a tenso
reversa VRRM

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Exemplo:
Diodo de potncia (rosca) SN20/08 (Semikron)
VRRM = 800V
V(TO) = 0,85V
iDmed = 20A (temp. cpsula igual 125 C)
rT = 11 m

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Tiristores

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Agenda

Introduo
SCR (Retificador Controlado de Silcio)
DIAC (Diodo de Corrente Alternada)
TRIAC (Triodo de Corrente Alternada)

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Introduo
Semicondutor de 4 camadas
Dois estados estveis de operao:
Corrente aproximadamente igual a zero
Corrente elevada (limitada apenas pela resistncia externa).

Considerado chave unidirecional (substitui, com vantagens,

contatores e rels de grande capacidade).

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SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Tiristor de uso mais difundido
Possui trs terminais:
nodo
Ctodo
Porta ou gate que, a uma injeo de corrente, faz com que
se estabelea a corrente.

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SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Simbologia, camadas e junes

Smbolo e Camadas de Semicondutores

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SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Funcionamento:
Para entendermos o funcionamento, vamos utilizar o
circuito equivalente de 2 transistores.
Aplicando-se uma tenso
E [(+) no anodo (A) e (-) no
catodo (K)] veremos que o
transistor PNP e o NPN no
conduzem porque no circula a
corrente i2 e a corrente i1.

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SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Funcionamento:

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Funcionamento:
Aplicando pulso no gate (G) (> 0,7V
devido a juno PN formando um diodo)
Comea a circular uma corrente I1 que
far o transistor NPN entrar em
conduo
Com isso I2 tambm comea a circular,
fazendo com que o transistor PNP
conduza.
Pulso no gate no mais necessrio, pois
o transistor PNP mantm o NPN
conduzindo (vice-versa)
Estado permanecer indefinidamente, a
nica maneira de desligar o SCR fazer a
tenso E (entre nodo e ctodo igual a
zero)

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SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Funcionamento:
Aplicando pulso no gate (G) (> 0,7V
devido a juno PN formando um diodo)
Comea a circular uma corrente I1 que
far o transistor NPN entrar em
conduo
Com isso I2 tambm comea a circular,
fazendo com que o transistor PNP
conduza.
Pulso no gate no mais necessrio, pois
o transistor PNP mantm o NPN
conduzindo (vice-versa)
Estado permanecer indefinidamente, a
nica maneira de desligar o SCR fazer a
tenso E (entre nodo e ctodo igual a
zero)

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Caractersticas Bsicas:
So chaves estticas bi-estveis, ou seja, trabalham em
dois estados: no conduo e conduo, com a
possibilidade de controle.
O uso do silcio foi utilizado devido a sua alta capacidade
de potncia e capacidade de suportar altas temperaturas.
Apresentam alta velocidade de comutao e elevada vida
til.

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Exemplos de encapsulamento

Tipos de encapsulamento
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SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Curva caracterstica

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SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Curva caracterstica
IL Latching Current: para entrar em conduo o SCR deve
conduzir uma corrente suficiente. O SCR no entrar em
conduo se a Corrente de Gatilho IGK for suprimida antes que a
Corrente de nodo IA atinja esse valor;
IH - Holding Current: uma vez retirada a corrente de gatilho, a
mnima Corrente de nodo IA para manter o SCR em conduo
chamada Corrente de Manuteno;
VBR Tenso de Breakdown, a tenso reversa mxima que o
SCR suporta;
VBO - Tenso de Breakover, a tenso direta que faz o SCR
conduzir, sem que haja sinal no gate;
IAMAX - Mxima corrente de anodo que no danifica o SCR, pode
ser dada como valor RMS, mdio, de pico ou instantneo;
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SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Aplicaes

Controles de rels e motores;

Fontes de tenso reguladas;
Choppers (variadores de tenso CC);
Inversores CC-CA;
Carregadores de bateria;
Controle de iluminao

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

SCR (Retificador Controlado de Silcio)

Aplicaes

Controles de rels e motores;

Fontes de tenso reguladas;
Choppers (variadores de tenso CC);
Inversores CC-CA;
Carregadores de bateria;
Controle de iluminao

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

DIAC (Diodo de Corrente Alternada)

Trs camadas semicondutoras

Smbolo, Camadas Semicondutoras e Componente Comercial DIAC

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DIAC (Diodo de Corrente Alternada)

Caractersticas Bsicas:
Suporta elevados picos de corrente
Apresenta tenso de avalanche especificada (VB)
Usado nos circuitos de disparo dos TRIAC
DIAC um gatilho bidirecional, seus terminais so marcados
como A1 ou MT1 e A2 ou MT2

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DIAC (Diodo de Corrente Alternada)

Curva Caracterstica:

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DIAC (Diodo de Corrente Alternada)

Funcionamento:
O DIAC conduz quando a tenso em seus terminais excede o
valor de Breakover (VBO) em qualquer sentido;
Aps o incio da conduo a tenso passa de um valor VBO
para um valor inferior VH, que se mantm enquanto o DIAC
conduz;
Aps conduzir a nica forma de lev-lo ao corte por meio
de uma reduo de corrente, reduzindo-a abaixo de um
valor especificado;
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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

TRIAC (Triodo de Corrente Alternada)

Desempenha a funo de 2 SCRs numa operao de
onde completa
Disparo pode ser feito tanto com pulso positivo como
negativo
Maior simplicidade e eficincia no controle de
potncia de onda completa
TRIAC pode ser entendido como um DIAC + terminal
de controle, permitindo o disparo do dispositivo com
diferentes valores de tenso
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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

TRIAC (Triodo de Corrente Alternada)

Simbologia, equivalente e componente

Smbolo

Estrutura

Equivalente com 2 SCRs

Componente
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TRIAC (Triodo de Corrente Alternada)

Curva Caracterstica

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MOSFET
(transistores de efeito de campo metalxido)

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

MOSFET
Utilizao:

Com os avanos na tecnologia de fabricao de semicondutores, MOSFETs com

considervel capacidade de conduo de corrente no estado ligado e bloqueio
de tenso no estado desligado comearam a ser produzidos em larga escala a
partir da dcada de 1980.

Os MOSFETs passaram a ser amplamente utilizados em substituio aos TBJs

principalmente em aplicaes onde requerida alta frequncia de
chaveamento.

So intrinsecamente mais rpidos que os TBJs pois no apresentam excesso de

portadores minoritrios a serem removidos durante os transitrios de ligamento
e desligamento, as nicas cargas a serem removidas so das capacitncias
internas.
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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

MOSFET

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

MOSFET
Simbologia:

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

MOSFET
Curva de operao:

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

MOSFET
Funcionamento (bloqueio):

Duas junes p-n, no h passagem de corrente qualquer que seja a polarizao.

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

MOSFET
Funcionamento:
Efeito de campo.
Um capacitor de
alta qualidade
formado.

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

MOSFET
Funcionamento (Conduo):

A corrente de dreno controlada a partir da tenso aplicada na porta !

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IGBT
(transistores bipolares de porta isolada)

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IGBT
Utilizao:

Chaveamento de potncia em altas e baixas frequencias.

Substituem o MOSFET em aplicaes de alta tenso onde as perdas de conduo

precisam ser mantidas em baixos valores.

acionado por tenso (como o MOSFET) e apresenta baixa resistncia no estado

ligado.

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

IGBT

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Dispositivos Eletrnicos de Potncia

IGBT

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