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SUMRIO
RESISTORES - Isabela Aguiar Dias .......................................................................431
UTILIZAO DE INDUTORES NO RAMO DA ENGENHARIA ELTRICA - Kauana
Palma Silva .............................................................................................................452
CAPACITORES - Camila da Silva Limons ..............................................................472
CAPACITORES:
DIFERENTES
TIPOS
E
DIFERENTES
MATERIAIS
EMPREGADOS NA FABRICAO - Maurcio Romani ..........................................494
CAPACITOR DE TNTALO - Diego Raphael de Oliveira .......................................519
TIRISTOR SCR: RETIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO - Fernando Winter
Filho ........................................................................................................................535
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RESISTORES
Isabela Aguiar Dias
1. INTRODUO
Os resistores so componentes bsicos usados nos circuitos eltricos e
eletrnicos para controlar a intensidade de corrente que passa pelos diversos
componentes bem com controlar a tenso aplicada em cada parte do circuito.
O funcionamento dos resistores est baseado na resistncia eltrica que
todos os materiais, com exceo dos supercondutores, possuem de dificultarem a
passagem da corrente eltrica. Quando um resistor percorrido por uma corrente
eltrica, ele tende a aquecer por causa do efeito Joule. A potncia dissipada pelo
resistor igual ao produto da intensidade da corrente
pela tenso aplicada no resistor, portanto, resistores de baixa resistncia permitem a
passagem de correntes grandes e portanto so eles quem mais dissipam calor. Para
evitar o aquecimento excessivo dos resistores eles devem ter tamanhos os
apropriados, quanto maior o resistor, mais superfcie exposta ele possui, isso
significa que ele pode irradiar melhor o calor para o meio ambiente. Existem
resistores pirolticos de diferentes tamanhos, 1W, W, W ... conforme a aplicao
que tero. A identificao do valor de resistncia dos resistores feita por um cdigo
de 4 faixas de cores. As duas primeiras faixas informam uma medida de resistncia,
a terceira faixa informa a potncia de dez que multiplica esta medida.
Quanto aos processos de fabricao os resistores podem ser classificados
em resistores de pelcula de carvo, resistores bobinados e resistores de fita
metlica.
Existe um grupo especial de resistores que so muito sensveis a fatores
externos, so os resistores termosensveis NTC (Coeficiente trmico negativo) e
PTC (Coeficiente trmico positivo), os resistores sensveis a tenso, VDR (resistor
dependente de voltagem) e os resistores sensveis a luz, LDR (Resistor dependente
da luz).
2. RESISTORES
Os resistores fazem parte de um circuito eltrico e incorporados dentro de
dispositivos microelectrnicos ou semicondutores. A medio crtica de um resistor
432
e A a rea da seco transversal. Isso pode ser estendido a uma integral para
reas mais complexas, mas essa frmula simples aplicvel a fios cilndricos e
maioria dos condutores comuns.
433
Resistividade (n .m)
Cobre
17,7
Alumnio
28,3
Bismuto
1190
Prata
16,3
Nquel
77,7
Nicromel
995
434
(a)
(b)
(c)
435
436
onde
um coeficiente
k
6
12
24
Nome da
Srie
E6
E12
E24
2
1
0.5
0.25
0.1
48
96
192
192
192
E48
E96
E192
E192
E192
437
438
de porcentagem. A maioria dos resistores obtidos nas lojas apresentam uma faixa de
cor prata, indicando que o valor real da resistncia est dentro da tolerncia dos
10% do valor nominal.
439
440
FIGURA 6 LDR
441
442
ampres (A) e R, em ohms. Esta equao uma definio geral de resistncia. Ela
pode ser utilizada para qualquer tipo de resistor. Uma resistncia dita hmica
quando o seu valor numrico independe da tenso aplicada. Se o valor numrico da
resistncia depender da tenso aplicada, ela dita no-hmica. Quando um resistor
obedece Lei de Ohm, o grfico i x V uma linha reta, sendo, por isso, chamado de
resistor linear. Em determinados tipos de resistores metlicos, a resistncia
constante e independente da tenso aplicada apenas se a temperatura permanecer
constante.
Um exemplo de resistor no-linear o varistor ou VDR (Voltage Dependent
Resistor). Sua resistncia altamente dependente da tenso aplicada, por causa da
resistncia de contato varivel entre os cristais misturados que o compem. Sua
caracterstica eltrica determinada por complicadas redes em srie e em paralelo
de cristais de carbeto de silcio pressionados entre si.
Para o VDR a dependncia de V com a corrente i dada pela equao: V=Ci
onde
log i, com log V representado no eixo das ordenadas e log i no das abcissas.
Aplicando logaritmos decimais aos dois termos da equao V = Ci tem-se:
log V = log C +
log i
443
444
Lei
de
Ohm
para
tenses
razoavelmente
baixas
(at
8V
445
6. PROCESSO DE FABRICAO
6.1 POR DEPOSIO DE FILME DE MATERIAL RESISTIVO
Resistncia de carbono aglomerado;
Resistncia de pelcula de carbono;
Resistncia de pelcula metlica;
6.1.1 RESISTNCIA DE CARBONO AGLOMERADO
Estes resistores so fabricados utilizando uma mistura de p de grafite com
um material neutro (talco, argila, areia ou resina acrlica). A resistncia dada pela
densidade de p de grafite na mistura.
O acabamento deste componente feito com camadas de verniz, esmalte ou
resina.
446
447
448
-234,5
Considerando
duas
resistncias
temperaturas
Assim,
Sendo
que
os
lados
possuem
comprimentos
respectivamente:
na
resistncia, conforme mostra a Figura 12. A variao de resistncia por unidade por
variao
em
na
temperatura,
referida
qualquer
ponto
na
curva
449
; sendo
, o inverso de
, ento
, o
450
Coef. De
temperatura
Alumnio
-236
0,00424
Lato
-489
0,00208
Cobre recosido
-234,5
0,00427
Cobre duro
-242
0,00413
Ouro
-274
0,00365
Chumbo
-224
0,00466
Nquel-cromo
-2270
0,00044
Platina
-310
0,00323
Prata
-243
0,00412
Estanho
-218
0,00458
Tungstnio
-202
0,00495
Zinco
-250
0,004
O valor da resistncia
como:
8. CONCLUSO
Os resistores so de importante utilizao nas engenharias, principalmente na
engenharia eltrica, pois so utilizados com a finalidade de oferecer oposio
passagem de corrente eltrica a algum material.
Aps este trabalho foi possvel conhecer os diversos tipos de resistores,
tantos os de valores fixos, como os de valores variveis, e entender como
funcionam.
9. REFERNCIAS
RESISTOR. Disponvel em: <http://pt.wikipedia.org/wiki/Resistor>
Acesso em: 1 jul. 2008.
RESISTORES. Disponvel em:
<http://discipulosdeeinstein.vilabol.uol.com.br/Resumos/Resistores.html>
Acesso em: 1 jul. 2008.
451
452
1. INTRODUO
Este trabalho tem como objetivo avaliar a utilizao, a fabrio e a grande
utilizao de indutores no ramo da Engenharia Eltrica.
Indutores apresentam uma caracterstica eltrica dominante que simples.
Apresenta uma proporcionalidade entre a variao corrente entre seus terminais e a
diferena de potencial eltrico nos mesmos. Possui, portanto, uma caracterstica
eltrica dominante com natureza de uma indutncia. Um indutor fundamentalmente
um armazenador de energia sob a forma de um campo magntico.
Um indutor um dispositivo eltrico passivo que armazena energia na forma
de campo magntico, normalmente combinando o efeito de vrios loops da corrente
eltrica. O indutor pode ser utilizado em circuitos como um filtro passa baixa,
rejeitando as altas freqncias.
Um indutor geralmente construdo como uma bobina de material condutor,
por exemplo, fio de cobre. Um ncleo de material ferromagntico aumenta a
indutncia concentrando as linhas de fora de campo magntico que fluem pelo
interior das espiras. Indutores podem ser construdos em circuitos integrados
utilizando o mesmo processo que usados em chips de computador. Nesses casos,
normalmente o alumnio utilizado como material condutor. Porm, raro a
construo de indutores em CI's; eles so volumosos em uma pequena escala, e
praticamente restritos, sendo muito mais comum o uso de um circuito chamado
"gyrator", que utiliza um capacitor
Pequenos indutores usados para frequncias muito altas so alguma vezes feitos
com um fio passando atravs de um cilindro de ferrite.
Os indutores ou bobinas apresentam ncleos (espao interno entre as
extremidades das espiras), que podem ser: ar; ferrite; ferro laminado. O indutor tem
como objetivo principal o armazenamento de corrente no esquecendo tambm que
ele usado como filtro para determinadas freqncias de um sinal qualquer.
Geralmente as bobinas trabalham, na sua grande maioria com dois terminais,
isto que dizer que ns podemos Ter bobinas com mais de dois terminais. A espira de
453
FIGURA 1 Indutor
2.1 UM POUCO DE HISTRIA
O fsico dinamarqus Oersted, em 1819, descobriu que correntes eltricas,
quando circulavam em um condutor, produziam um campo magntico. Na realidade,
Oersted colocou uma bssola prxima a um fio, pelo qual circulava uma grande
corrente eltrica, e descobriu que a agulha (ponteiro) da bssola se movia com a
passagem da corrente. Dai a deduo de que a corrente eltrica circulando pelo fio
produzia um campo magntico e este campo magntico podia ser aumentado se o
fio condutor fosse enrolado em frma de uma bobina, com muitas espiras.
454
455
FIGURA 3 (a)circuito com indutor, (b) smbolo de indutor, (c) grfico fluxo
magntico por corrente.
Considerando-se o ncleo de ar, ou outros materiais no-magnticos, a
caracterstica de fluxo por corrente linear. P produto N pelo fluxo denominado
fluxo concatenado (representado por
456
Onde:
B = densidade de fluxo em tesla (T)
= fluxo em weber (Wb)
A = rea da seo reta do ncleo em m2
H = intensidade de campo em ampere-espira por metro
i = corrente em ampere
N = nmero de espiras
l = comprimento mdio do ncleo em m
A relao entre B e H denominada permeabilidade absoluta, representada
por:
Rearranjando:
ou
A permeabilidade absoluta dos materiais magnticos varia com a densidade
de fluxo, conforme mostra a Figura 4.
457
), que vale
H/m.
Assim,
A permeabilidade relativa,
de materiais
458
maior. Assim, para uma dada bobina (com fatores geomtricos e nmero de espiras
fixos) a permeabilidade relativa atua como um amplificador da indutncia.
A Tabela abaixo mostra a permeabilidade relativa para alguns materiais.
TABELA 1 Permeabilidade relativa.
Permeabilidade
Material
relativa
Ar
1
Chapa para geradores (liga de Fe, Si)
5.000 a 8.000
Mumetal (liga de Ni, Fe, Cu, Cr)
45.000
Liga 1040 (liga de Ni, Fe, Mo, Cu)
100.000
3. FABRICAO DE INDUTORES
Indutores so produzidos enrolando um fio condutor, em geral sobre uma
frma de material isolante que lhe d suporte mecnico. Existem indutores
construdos sem qualquer frma, por exemplo quando o prprio fio suficientemente
rgido, ou quando so enrolados diretamente sobre um ncleo magntico.
3.1 PROCESSO PARA FABRICAO DE INDUTORES
Trata-se de um indutor de enrolamento de fio que inclui um ncleo dieltrico,
terminais incluindo grampos de fio que so grampeados em torno do ncleo, e um
enrolamento de fio disposto em torno do permetro do ncleo e ligado aos terminais.
Um revestimento tal como um revestimento adesivo disposto sobre o enrolamento
de fio e entre os terminais.
O processo de fabricao dos indutores um processo contnuo. Tendo incio
com um material bobinado, que pode ser estudado, os indutores so formados
seqencialmente sobre um material de ncleo. Os indutores no so fisicamente
separados at os estgios finais de fabricao, o que contrasta com o processo da
tcnica anterior em que cada indutor construdo individualmente sobre um ncleo
individual que foi fabricado com tolerncias rigorosas e enrolado individualmente.
Em virtude das caractersticas dos componentes do indutor, podem ser
obtidas tolerncias extremamente rigorosas (tipicamente cerca de 0,005" ou 0,0127
mm), resultando em valores de indutncia altamente controlados.
459
4. OS FUNDAMENTOS
Em um esquema eltrico, um indutor mostrado da seguinte maneira:
Para entender como um indutor se comporta em um circuito, a figura til:
460
461
4.3 APLICAES
Suponha que voc pegue uma bobina, com talvez 2 metros de dimetro,
contendo cinco ou seis espiras. Voc faz algumas caneletas na estrada e coloca as
bobinas nelas. Voc fixou um medidor de induo bobina e verificou qual a
induo dela.
Agora, estacione um carro sobre a bobina e confira a indutncia novamente.
Ela ser muito maior, devido ao grande objeto de ao posicionado no campo
magntico da bobina. O carro estacionado sobre a bobina est agindo como o
ncleo do indutor e a sua presena muda a indutncia. A maioria dos sensores de
semforos usa uma bobina como essa. O sensor, constantemente, testa a
indutncia da bobina na rua e quando essa aumenta, ele sabe que existe um carro
esperando.
Normalmente voc usa uma bobina muito menor. Um intenso uso para
indutores junt-los com capacitores para criar osciladores.
4.3.1 INDUTORES COM NUCLEO DE AR
So componentes usados em freqncias altas (rdio- freqncias) ou em
equipamento especial, em que se deseja evitar no-linearidades
temperatura associados com os ncleos magnticos;
ou efeitos de
462
para freqncias
463
464
465
medida que sobe a freqncia, a corrente tende a concentrar-se cada vez mais nas
bordas do fio. ocasionando assim um aumento da resistncia efetiva.
Para reduzir este efeito pode-se fazer o enrolamento com fio "litz", que no
seno um cabo composto com fios extremamente finos. As perdas no ncleo da
bobina decorrem de vrios efeitos: perdas Foucault (ou pr correntes induzidas),
perdas histerticas e perdas dieltricas. As duas primeiras so especialmente
importantes em ncleos ferromagnticos.
Para representar todas estas perdas costumam-se incluir no modelo do
indutor uma resistncia de perdas. A resistncia de perdas pode ser considerada em
srie ou em paralelo com a indutncia. Levando aos dois modelos indicados na
figura 12. Ambas as resistncias so funo da freqncia, sendo que para o
modelo srie, o valor da resistncia varia lentamente com a freqncia, na faixa de
utilizao da bobina. Para o modelo paralelo, a variao com a freqncia mais
significante.
Para comparar o desempenho das bobinas com perdas costuma-se definir um
ndice de mrito Q este ndice depende da freqncia e do modelo; as definies
empregadas so:
6. MAGNETIZAO DE UM MATERIAL
Sabe-se que o campo magntico (H) est relacionado com a circulao de
corrente eltrica por um condutor e que a induo magntica ou densidade de fluxo
magntico (B) est relacionada com a tenso. Desta forma, ao invs de traar a
curva B versus H, pode-se desenhar a curva V versus I e obter uma imagem do que
seria a curva de magnetizao do material.
Os materiais podem ser classificados em diamagnticos, paramagnticos e
ferromagnticos
conforme
sua
permeabilidade
magntica
Materiais
e os paramagnticos
. Os
466
comportamento de paramagntico
467
468
7. A FSICA DO INDUTOR
7.1 CONSTRUO
Um indutor geralmente construdo como uma bobina de material condutor,
por exemplo, fio de cobre. Um ncleo de material ferromagntico aumenta a
indutncia concentrando as linhas de fora de campo magntico que fluem pelo
interior das espiras. Indutores podem ser construdos em circuitos integrados
utilizando o mesmo processo que usados em chips de computador.
Nesses casos, normalmente o alumnio utilizado como material condutor.
Porm, raro a construo de indutores em CI's; eles so volumosos em uma
pequena escala, e praticamente restritos, sendo muito mais comum o uso de um
circuito chamado "gyrator", que utiliza um capacitor comportando-se como se fosse
um indutor. Pequenos indutores usados para freqncias muito altas so algumas
vezes feitos com um fio passando atravs de um cilindro de ferrite.
7.2 INDUTNCIA
Indutncia a grandeza fsica associada aos indutores, simbolizada pela
letra L, medida em Henry (H), e representada graficamente por um fio helicoidal. Em
outras palavras um parmetro dos circuitos lineares que relaciona a tenso
induzida por um campo magntico varivel corrente responsvel pelo campo. A
tenso entre os terminais de um indutor proporcional taxa de variao da
corrente que o atravessa.
Matematicamente temos:
469
Quando uma corrente alternada (CA) senoidal flui por um indutor, uma tenso
alternada senoidal (ou fora eletromotriz, Fem) induzida. A amplitude da Fem est
relacionada com a amplitude da corrente e com a freqncia da senide pela
seguinte equao:
Onde
por:
470
7.4 APLICAES
Os indutores esto relacionados aos eletromagnetos em estrutura, mas so
usados para um propsito diferente: armazenar energia em um campo magntico.
Por sua habilidade de alterar sinais CA, os indutores so usados
extensivamente em circuitos analgicos e processamento de sinais, incluindo
recepes e transmisses de rdio. Como a reatncia indutiva XL muda com a
freqncia, um filtro eletrnico pode usar indutores em conjunto com capacitores e
outros componentes para filtrar partes especficas da freqncia do espectro.
Dois (ou mais) indutores acoplados formam um transformador, que um
componente fundamental de qualquer rede eltrica nacional.
Um indutor normalmente usado como sada de uma fonte chaveada de
alimentao. O indutor carregado para uma frao especfica da freqncia de
troca do regulador e descarregado pelo restante do ciclo. Esta relao de
carrega/descarrega o que reduz (ou impulsiona) a tenso de entrada para seu
novo nvel.
8. APLICAES
Com esse trabalho podemos verificar as grandes diferenas entre os
indutores construdos com ncleo de ar e de ferro, alm de verificarmos tambm
influncia dos indutores.
Um indutor um dispositivo eltrico passivo que armazena energia na forma
de campo magntico, normalmente combinando o efeito de vrios loops da corrente
eltrica. O indutor pode ser utilizado em circuitos como um filtro passa baixa,
rejeitando as altas freqncias.
Os indutores com ncleo de ar (no magntico), usados em freqncias altas
(radiofreqncias) ou em equipamento especial, em que se deseja evitar nolinearidades ou efeitos de temperatura associados com os ncleos magnticos;
Os indutores com ncleo ferromagntico, adequados quando se quer
indutncia elevada, em freqncias no muito altas. Para freqncias de udio ou
menores usam-se normalmente ncleos laminados de ferro-silcio ou anlogos; para
frequncias acima dessa faixa recorre-se a ncleos sintetizados de ferrite.
9. REFERNCIAS
CLOSE, Charles M. Circuitos lineares. 2 edio. Rio de Janeiro: LTC, 1975
471
472
CAPACITORES
Camila da Silva Limons
1. INTRODUO
O capacitor um componente eletrnico que desde a poca das vlvulas j
estava fazendo seu papel de filtrar sinais e embora apresentasse caractersticas
construtivas diferentes das atuais, a funcionalidade era a mesma.
Existem muitos tipos de capacitores e talvez este seja o componente
eletrnico que mais apresentou diversificao at hoje. Capacitores eletrolticos, de
tntalo, cermicos, de polister, uma variedade sem fim. Com tanto tipos, sem
dvida estes componentes apresentam um certo grau de complexidade na hora de
identificar as suas caractersticas e seus valores.
Um capacitor apresenta uma caracterstica eltrica dominante que muito
simples. Apresenta uma proporcionalidade entre corrente entre seus terminais e a
variao da diferena de potencial eltrico nos terminais. Ou seja, possui uma
caracterstica eltrica dominante com a natureza de uma capacitncia. Um capacitor
fundamentalmente um armazenador de energia sob a forma de um campo
eletrosttico.
So utilizados com o fim de eliminar sinais indesejados, oferecendo um
caminho mais fcil pelo qual a energia associada a esses sinais esprios pode ser
escoada, impedindo-a de invadir o circuito protegido. Nestas aplicaes,
normalmente quanto maior a capacitncia melhor o efeito obtido e podem apresentar
grandes tolerncias.
J capacitores empregados em aplicaes que requerem maior preciso, tais
como os capacitores que determinam freqncia de oscilao de um circuito,
possuem tolerncias menores.
Construtivamente, os capacitores so obtidos sempre que dois materiais
condutores (placas ou armaduras) so mantidos separados por um material isolante
(dieltrico).
Considerando a forma de fixao na placa de circuito impresso, dizemos que
existem os capacitores axiais e os radiais. O primeiro possui os terminais em lados
diametralmente opostos, enquanto que os radiais possuem os terminais do mesmo
lado e so utilizados em montagem em p.
473
Os
capacitores
so
componentes
que
freqentemente
apresentam
474
Tntalo
(compacto,
dispositivo
de
baixa
tenso,
de
at
100
aproximadamente)
475
Dieltrico
Armadura
Fixa de Valor
Tenso
1 F - 10 F
150 - 1000 V
1 F - 22 F
200 - 5000 V
4,7 F - 22 F
25 - 630 V
1 F-1 F
100 - 1000 V
10 F - 2,2 F
63 - 1000 V
10 F - 2,2 F
63 - 1000 V
0,5 F - 330 F
63 - 1000 V
15 - 1000 V
Folhas de
Papel
Papel Parafinado
alumnio
Folhas de
Mica
Folhas de Mica
alumnio
Folhas de
Styroflex
Tiras de Polister
alumnio
Folhas de
Folha de polister
Folhas de Polister
alumnio
Alumnio
Polister metalizado
Folhas de Polister
Depositado
Policarbonato
Folhas de
Alumnio
Metalizado
Policarbonato
Depositado
Prata
Cermico Tipo 1
Cermico Tipo 2
Eletroltico de alumnio
Disco Cermico
depositada
Disco de Titanato de
Prata
Brio
depositada
100 F - 470 F
Folhas de
0,47 F -
alumnio
220000 F
4 - 500 V
2,2 F - 220 F
3 - 100 V
xido de Alumnio
Tntalo
eletroltico de Tntalo
xido de Tntalo
metalizado
476
onde
C a capacitncia em farads
477
r.
A constante dieltrica a
478
Dieltrica K
K Usual
Vcuo
Ar
1,0001
gua
78
78
xido de Alumnio
7a8
Cermica
10
Vidro
4 a 10
Vidro Pyrex
4,5
4,5
Mica
6a8
Papel
2a5
3,5
Pertinax
Polister (MKT)
3,0 a 3,2
Polipropileno (MKP)
2,1 a 2,3
Poliestireno (MKS)
2,5
2,5
Porcelana
4a8
6,5
xido de Tntalo
11
11
Teflon
2,0 a 2,1
Baquelite
4,8
4,8
479
480
481
aqueles
que,
com
as
mesmas
dimenses,
atingem
maiores
capacitncias. So formados por uma tira metal recoberta por uma camada de xido
que atua como um dieltrico; sobre a camada de xido colocada uma tira de papel
impregnado com um lquido condutor chamado eletrlito, ao qual se sobrepe uma
segunda lmina de alumnio em contato eltrico com o papel.
Os capacitores eletrolticos so utilizados em circuitos em que ocorrem
tenses contnuas, sobrepostas a tenses alternadas menores.
3.3.1 CAPACITORES ELETROLTICOS DE ALUMNIO
Basicamente, todo capacitor constitudo de duas armaduras com um
dieltrico entre estas. A principal diferena entre os capacitores eletrolticos para os
demais capacitores reside no fato de que um dos eletrodos - o ctodo - constitudo
de um fludo condutor - o eletrlito - e no somente uma armadura metlica. O outro
eletrodo, o nodo, constitudo de uma folha de alumnio em cuja superfcie
formada, por processo eletroqumico, uma camada de xido de alumnio servindo
como dieltrico.
A preferncia por capacitores eletrolticos deve-se sua alta capacitncia
especfica (grandes valores de capacitncia em volume relativamente reduzido)
apresentando capacitncias na ordem de MICROFARADS. Como nos outros
capacitores, sua capacitncia diretamente proporcional rea das placas e
inversamente proporcional a distncia entre ambas. Nos capacitores eletrolticos
esta distncia determinada pela espessura da camada de xido formada sobre a
folha de anodo.
O xido de alumnio (K 10) apresenta, sobre os outros dieltricos, no
somente a vantagem de poder ser obtido em filmes de muito menor espessura, mas
tambm a propriedade de suportar altas tenses eltricas. Mesmo em capacitores
de tenso mais elevada, teremos, no mximo, um afastamento entre armaduras de
0,7 mm, donde se esclarece em parte sua alta capacitncia especfica ( a espessura
mnima de um dieltrico como o papel, por exemplo, de 6 a 8 mm).
482
mtodo
de
construo
dos
capacitores
eletrolticos
difere
483
FIGURA 10 (a) Capacitor eletroltico com terminais axiais (b) Capacitor eletroltico
com terminais radiais
484
485
Grande compacticidade (alta capacitncia em volume relativamente reduzido); Elevada estabilidade dos parmetros eltricos.
Seu emprego aconselhvel sobretudo como capacitor de acoplamento para
estgios de baixas freqncias, graas ao seu baixo nvel de rudo, muito inferior ao
do capacitor de alumnio. Alm do tipo tubular, encontrado tambm em forma de
gota.
486
487
488
transformando-se em xido de alumnio (isolante) desfazendo-se ento o curtocircuito. Este fenmeno conhecido como auto-regenerao.
489
490
491
492
FIGURA 23 Trimmers
4. CONCLUSO
Com este trabalho foi possvel concluir que o capacitor um dispositivo
extremamente til na engenharia, principalmente nas reas eltricas e eletrnicas.
Os diversos tipos de capacitores variam de suas formas de fabricao e
materiais utilizados. Cada material fornece uma caracterstica diferente ao capacitor,
existindo assim diversos modelos de capacitores com funes e caractersticas
diferentes. Conhecer um pouco desses materiais e suas particularidades
extremamente importante para uma maior compreenso dos capacitores e para
analisar qual tipo deve ser utilizado em cada caso especfico.
493
5. REFERNCIAS
MUSSOI, Fernando Luiz Rosa VILLAA, Marco Valrio Miorim. Capacitores. 3. ed.
Florianpolis: CEFET, 2000.
RESPOSTA tcnica. Disponvel em: <http://www.sbrt.ibict.br > Acesso em: 6 jun.
2008.
MEHL, Evaldo L.M. Capacitores Eletrolticos de Alumnio:Alguns cuidados e
consideraes prticas. Disponvel em: http://www.eletrica.ufpr.br/mehl/downloads>.
Acesso em: 8 jun. 2008
CAPACITORES. Disponvel em
<www.lps.usp.br/lps/arquivos/conteudo/grad/dwnld/Capacitores.ppt>.
Acesso em: 7 jun. 2008
494
1. INTRODUO
Capacitor, antigamente chamado condensador, um componente que
armazena energia num campo eltrico, acumulando um desequilbrio interno de
carga eltrica. Desde a poca das vlvulas, os capacitores j faziam seu papel de
filtrar sinais e embora apresentasse caractersticas construtivas diferentes das
atuais, a funcionalidade era a mesma.
Existem muitos tipos de capacitores e talvez este seja o componente
eletrnico que mais apresentou diversificao at hoje. Capacitores eletrolticos, de
tntalo, cermicos, de polister, uma variedade sem fim. Com tanto tipos, sem
dvida estes componentes apresentam um certo grau de complexidade na hora de
identificar as suas caractersticas e seus valores.
Um capacitor apresenta uma caracterstica eltrica dominante que muito
simples. Apresenta uma proporcionalidade entre corrente entre seus terminais e a
variao da diferena de potencial eltrico nos terminais. Ou seja, possui uma
caracterstica eltrica dominante com a natureza de uma capacitncia. Um capacitor
fundamentalmente um armazenador de energia sob a forma de um campo
eletrosttico.
So utilizados com o fim de eliminar sinais indesejados, oferecendo um
caminho mais fcil pelo qual a energia associada a esses sinais esprios pode ser
escoada, impedindo-a de invadir o circuito protegido. Nestas aplicaes,
normalmente quanto maior a capacitncia melhor o efeito obtido e podem apresentar
grandes tolerncias.
J capacitores empregados em aplicaes que requerem maior preciso, tais
como os capacitores que determinam freqncia de oscilao de um circuito,
possuem tolerncias menores.
Construtivamente, os capacitores so obtidos sempre que dois materiais
condutores (placas ou armaduras) so mantidos separados por um material isolante
(dieltrico).
495
capacitores
so
componentes
que
freqentemente
apresentam
496
aproximadamente)
497
Dieltrico
Armadura
Fixa de Valor
Tenso
1 F - 10 F
150 - 1000 V
1 F - 22 F
200 - 5000 V
4,7 F - 22 F
25 - 630 V
1 F-1 F
100 - 1000 V
10 F - 2,2 F
63 - 1000 V
10 F - 2,2 F
63 - 1000 V
0,5 F - 330 F
63 - 1000 V
15 - 1000 V
Folhas de
Papel
Papel Parafinado
alumnio
Folhas de
Mica
Folhas de Mica
alumnio
Folhas de
Styroflex
Tiras de Polister
alumnio
Folhas de
Folha de polister
Folhas de Polister
alumnio
Alumnio
Polister metalizado
Folhas de Polister
Depositado
Policarbonato
Folhas de
Alumnio
Metalizado
Policarbonato
Depositado
Prata
Cermico Tipo 1
Cermico Tipo 2
Eletroltico de alumnio
Disco Cermico
depositada
Disco de Titanato de
Prata
Brio
depositada
100 F - 470 F
Folhas de
0,47 F -
alumnio
220000 F
4 - 500 V
2,2 F - 220 F
3 - 100 V
xido de Alumnio
Tntalo
eletroltico de Tntalo
xido de Tntalo
metalizado
498
onde
utilizado.
C a capacitncia em farads
0
499
r.
A constante dieltrica a
500
Dieltrica K
K Usual
Vcuo
Ar
1,0001
gua
78
78
xido de Alumnio
7a8
Cermica
10
Vidro
4 a 10
Vidro Pyrex
4,5
4,5
Mica
6a8
Papel
2a5
3,5
Pertinax
Polister (MKT)
3,0 a 3,2
Polipropileno (MKP)
2,1 a 2,3
Poliestireno (MKS)
2,5
2,5
Porcelana
4a8
6,5
xido de Tntalo
11
11
Teflon
2,0 a 2,1
Baquelite
4,8
4,8
501
502
503
aqueles
que,
com
as
mesmas
dimenses,
atingem
maiores
capacitncias. So formados por uma tira metal recoberta por uma camada de xido
que atua como um dieltrico; sobre a camada de xido colocada uma tira de papel
impregnado com um lquido condutor chamado eletrlito, ao qual se sobrepe uma
segunda lmina de alumnio em contato eltrico com o papel.
Os capacitores eletrolticos so utilizados em circuitos em que ocorrem
tenses contnuas, sobrepostas a tenses alternadas menores.
3.3.1 CAPACITORES ELETROLTICOS DE ALUMNIO
Basicamente, todo capacitor constitudo de duas armaduras com um
dieltrico entre estas. A principal diferena entre os capacitores eletrolticos para os
demais capacitores reside no fato de que um dos eletrodos - o ctodo - constitudo
de um fludo condutor - o eletrlito - e no somente uma armadura metlica. O outro
eletrodo, o nodo, constitudo de uma folha de alumnio em cuja superfcie
formada, por processo eletroqumico, uma camada de xido de alumnio servindo
como dieltrico.
A preferncia por capacitores eletrolticos deve-se sua alta capacitncia
especfica (grandes valores de capacitncia em volume relativamente reduzido)
apresentando capacitncias na ordem de MICROFARADS. Como nos outros
capacitores, sua capacitncia diretamente proporcional rea das placas e
inversamente proporcional a distncia entre ambas. Nos capacitores eletrolticos
esta distncia determinada pela espessura da camada de xido formada sobre a
folha de anodo.
O xido de alumnio (K 10) apresenta, sobre os outros dieltricos, no
somente a vantagem de poder ser obtido em filmes de muito menor espessura, mas
tambm a propriedade de suportar altas tenses eltricas. Mesmo em capacitores
de tenso mais elevada, teremos, no mximo, um afastamento entre armaduras de
0,7 mm, donde se esclarece em parte sua alta capacitncia especfica ( a espessura
mnima de um dieltrico como o papel, por exemplo, de 6 a 8 mm).
504
mtodo
de
construo
dos
capacitores
eletrolticos
difere
505
506
507
compacticidade
(alta
capacitncia
em
volume
relativamente
reduzido);
- Elevada estabilidade dos parmetros eltricos.
Seu emprego aconselhvel sobretudo como capacitor de acoplamento para
estgios de baixas freqncias, graas ao seu baixo nvel de rudo, muito inferior ao
do capacitor de alumnio. Alm do tipo tubular, encontrado tambm em forma de
gota.
508
509
510
contactao das superfcies laterais dos capacitores com metal vaporizado, obtmse bom contato entre as armaduras e os terminais, assegurando baixa indutncia e
baixas perdas. No caso de aplicao de uma sobretenso que perfure o dieltrico a
camada de alumnio existente ao redor do furo submetida a elevada temperatura,
transformando-se em xido de alumnio (isolante) desfazendo-se ento o curtocircuito. Este fenmeno conhecido como auto-regenerao.
511
512
513
514
FIGURA 23 Trimmers
4. FUTURO DOS CAPACITORES
4.1 NANOCAPACITORES ELETROSTTICOS
Pesquisadores
da
Universidade
de
Maryland,
nos
Estados
Unidos,
515
516
517
Agora
engenheiros
da
Universidade
UC
Davis,
Estados
Unidos,
cientistas
da
Universidade
Georgia
Tech,
Estados
Unidos,
equipe
desenvolveu
nanocompsitos
que
tm
uma
incrvel
518
519
CAPACITOR DE TNTALO
Diego Raphael de Oliveira
1. INTRODUO
Esse trabalho tem por objetivo principal a descrio do capacitor de tntalo e
o material do qual feito. Descrevem-se tambm os capacitores de um modo geral,
para o entendimento de sua funcionalidade e caractersticas principais em um
circuito eltrico.
2. CAPACITORES
Para um bom entendimento do assunto, daremos uma descrio do que um
capacitor e suas caractersticas principais.
Capacitores so elementos eltricos capazes de armazenar carga eltrica e,
consequentemente, energia potencial eltrica.
Podem ser esfricos, cilndricos e planos, constituindo-se de dois condutores
denominados armaduras que, ao serem eletrizados, num processo de induo total,
armazenam cargas eltricas de mesmo valor absolto, porm sinais contrrios.
O capacitor tem inmeras aplicaes na eletrnica, podendo servir para
armazenar energia eltrica, carregando-se e descarregando-se muitas vezes por
segundo. Na eletrnica, para pequenas variaes da diferena de potencial, o
capacitor pode fornecer ou absorver cargas eltricas, pode ainda gerar campos
eltricos de diferentes intensidades ou muito intensos em pequenos volumes.
520
FIGURA 1 - Capacitores
2.1 HISTRIA
A Jarra de Leyden, primeira forma de capacitor, fora inventada na
Universidade de Leiden, na Holanda. Era uma jarra de vidro coberta com metal. A
cobertura interna era conectada a uma vareta que saia da jarra e terminava numa
bola de metal.
2.2 VISO GERAL
Os formatos tpicos consistem em dois eletrodos ou placas que armazenam
cargas opostas. Estas duas placas so condutoras e so separadas por um isolante
ou por um dieltrico. A carga armazenada na superfcie das placas, no limite com o
dieltrico. Devido ao fato de cada carga armazenar cargas iguais, porm opostas, a
carga total no dispositivo sempre zero.
521
Q
U
A
d
522
Onde
-C a capacitncia em farads
- o a permissividade eletrosttica do vcuo ou espao livre
- r a constante dieltrica ou permissividade relativa do isolante utilizado.
2.4 ENERGIA ARMAZENADA
A energia armazenada (J) em um capacitor igual ao trabalho feito para
carreg-lo. Considere um capacitor com capacitncia C, uma carga +q em uma
placa e q na outra (ver figura 3). Movendo um pequeno elemento de carga dq de
uma placa para a outra contra a diferena de potencial V=q/C necessita de um
trabalho dw:
dW =
q
dq
C
Q
0
q
1 Q2 1
dq =
= CV 2 = E armazenada
C
2 C
2
523
524
525
F at milhares de
F. As
526
FIGURA 10 - Trimmers
2.6 CDIGOS DE CAPACITORES
Capacitores cermicos: os capacitores cermicos apresentam impressos no
prprio corpo, um conjunto de 3 algarismos e uma letra. Para se obter o valor do
capacitor, os 2 primeiros algarismos, representam os 2 primeiros dgitos do valor do
capacitor e o terceiro algarismo representa o nmero de zeros direita, a letra
representa a tolerncia do capacitor. usado tambm nos capacitores de tntalo.
527
528
529
4 TNTALO
4.1 Histria
O tntalo (do grego Tntalo, pai de Nobe na mitologia grega) foi descoberto
em 1802 por Anders G. Ekeberg em minerais provenientes da Sucia e da Finlndia
e isolado em 1820 Jons Berzelius. At 1844 muitos qumicos acreditavam que o
nibio e o tntalo eram os mesmos elementos. Os pesquisadores Rowe e Jean
Charles Galissard de Marignac demonstraram que os cidos nibico e o tantlico
eram compostos diferentes. Posteriormente os investigadores puderam isolar
somente o metal impuro, e o primeiro metal dctil relativamente puro foi produzido
por Werner von Bolton em 1903. Em 1922, um engenheiro de uma usina de Chicago
conseguiu obter industrialmente o tntalo com 99,9% de pureza. Os filamentos feitos
com o metal tntalo eram usados em lmpadas incandescentes at serem
substitudos pelo tungstnio.
530
531
FIGURA 21 - Tntalo
encontrado no mineral tantalita. Fisiologicamente inerte, de modo que, entre
suas varias aplicaes, pode ser empregado para a fabricao de instrumentos
cirrgicos e em implantes.
532
Valor
Unidade
Massa especfica do
slido
16650
kg/m3
Ponto de fuso
3017
Calor de fuso
36
kJ/mol
Ponto de ebulio
5458
Calor de vaporizao
735
kJ/mol
Temperatura crtica
s/ dado
Eletronegatividade
1,5
Pauling
Estados de oxidao
+5
Resistividade eltrica
13
108
Condutividade trmica
57,5
W/(mC)
Calor especfico
140
J/(kgC)
trmica
0,63
105 (1/C)
Coeficiente de Poisson
0,34
Mdulo de elasticidade
186
GPa
Velocidade do som
3400
m/s
Estrutura cristalina
Coeficiente de expanso
533
4.3 APLICAES
O principal uso do tntalo como xido, um material dieltrico, para a
produo de componentes eletrnicos, principalmente capacitor, que so muito
pequenos em relao a sua capacidade. Por causa desta vantagem do tamanho e
do peso, os principais usos para os capacitores de tntalo incluem telefones, pagers,
computadores pessoais e eletrnicos automotivos.
Tambm usado para produzir uma srie de ligas que possuem altos pontos
de fuso, alta resistncia e boa ductilidade. O tntalo de carbono, um tipo de carbeto
muito duro, usado para produzir ferramentas de cortes, furadeiras e mquinas
trefiladoras. O tntalo em superligas usado para produzir componentes de motores
de jatos, equipamento para processos qumicos, peas de msseis e reatores
nucleares. Filamentos de tntalo so usados para evaporao de outros metais
como o alumnio.
Por ser no-irritante e totalmente imune ao dos fluidos corporais, usado
extensivamente para produzir equipamentos e implantes cirrgicos em medicina e
odontologia. O xido de tntalo usado para elevar o ndice de refrao de vidros
especiais para lentes de cmera. O metal tambm usado para produzir peas
eletrolticas de fornalhas de vcuo.
4.4 OCORRNCIA
Ocorre principalmente no mineral tantalita ((Fe, Mn)Ta2O6), euxenita e outros
minerais como a samarskita e a fergunosita. A tantalita encontrada na maior parte
misturada a columbita. Na crosta terrestre, o tntalo participa com 8 ppm (parte por
milho) em peso.
Minrios de tntalo so encontrados na Austrlia, Brasil, Canad, Congo,
Moambique, Nigria, Portugal e Tailndia.
O tntalo quase sempre encontrado em minerais associado nibio. Diversas
etapas complicadas esto envolvidas na separao destes dois elementos.
Comercialmente a produo de tntalo pode seguir um dos diversos mtodos:
534
4.5 COMPOSTOS
Um dos compostos importantes o pentxido de tntalo (Ta2O5) que por ser
um material dieltrico usado para a fabricao de capacitores utilizados em
equipamentos eletrnicos e, em vidros especiais para a fabricao de lentes devido
ao alto ndice de refrao.
4.6 PRECAUES
Compostos que contm tntalo raramente so encontrados, e o metal
normalmente no causa problemas quando manuseado em laboratrio, entretanto
deve ser considerado como altamente txico. H alguma evidncia que os
compostos de tntalo podem causar tumores, e a poeira do metal explosiva.
5. CONCLUSO
No desenvolvimento do trabalho puderam-se ver as caractersticas principais
dos capacitores de um modo geral. No capacitor de tntalo observamos a funo do
metal neste, diminuindo seu tamanho, podendo ser usado em aparelhos eletrnicos
de pequenos tamanhos. Foi abordado tambm o elemento tntalo e suas
caractersticas mais importantes que influenciam diretamente no capacitor do
mesmo.
6. REFERNCIAS
Capacitores. Disponvel em: http://www.fisicapotierj.pro.br/poligrafos/capacitores.htm
Capacitor. Disponvel em: http://pt.wikipedia.org/wiki/Capacitor
Tipos de capacitor. Disponvel em:
http://www.dsee.fee.unicamp.br/~sato/ET515/node16.html
Capacitores. Disponvel em:
http://www.eletronica24h.com.br/Curso%20CA/aparte1/aulas/capacitores.html
BOYLESTAD, L. Robert. Introduo anlise de circuitos eltricos. Traduo de
Jos Lucimar do Nascimento. Reviso tcnica de Antnio Pertence Jnior. 10. ed.
So Paulo: Pearson 2006
535
1. INTRODUO
O tiristor um dispositivo multicamada biestvel, composto de quatro ou mais
junes, que permitem o chaveamento do estado de corte para estado de conduo
e vice-versa. Como exemplo, podemos citar o SCR e o TRIAC.
Um tiristor funcionalmente diferente de um diodo porque mesmo quando o
dispositivo est diretamente polarizado ele no ir conduzir enquanto no ocorrer
um pulso na porta. Ao invs de precisar de um sinal continuamente na porta (como
nos TBJs e MOSFETs), os tiristores so ligados por um pulso. Para os SCRs, o sinal
de controle um pulso de corrente, tiristores DB-GTO usam um pulso de tenso e
os LASCRs um pulso de luz. Uma vez ligado, o tiristor continua ligado enquanto o
dispositivo estiver diretamente polarizado.
Os SCRs (Silicon Controlled Rectifier) so dispositivos semicondutores cuja
condio de sentido direto comandvel atravs da aplicao de um determinado
sinal ao eletrodo de controle (Gate). A conduo, uma vez iniciada se mantm,
mesmo na ausencia do sinal de comando, at que a corrente que o atravessa caia
abaixo de um determinado valor, chamado corrente de operao. Em sentido
inverso, o SCR comporta-se como um diodo normal. Os SCR's so empregados em
corrente alternada como retificadores, e quando utilizados em corrente contnua
comportam-se como chaves. O SCR apenas um tipo de tiristor, mas devido ao seu
disseminado uso na indstria, muitas vezes os termos tiristor e SCR so
confundidos. Os TRIACs so dispositivos semicondutores comumente utilizados em
comutao de corrente alternada.
2. TIRISTOR SCR - RETIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO
2.1 CARACTERSTICAS BSICAS
O Tiristor SCR (Silicon Controlled Rectifier) foi desenvolvido por um grupo de
engenheiros do Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957. o mais conhecido e
aplicado dos Tiristores existentes.
536
537
538
FIGURA 4 SCR com encapsulamento tipo rosca e tipo disco para altas potncias
2.2 SCR IDEAL
Um SCR ideal se comportaria com uma chave ideal, ou seja, enquanto no
recebesse um sinal de corrente no gatilho, seria capaz de bloquear tenses de valor
infinito, tanto com polarizao direta como reversa. Bloqueado, o SCR ideal no
conduziria qualquer valor de corrente. Tal caracterstica representada pelas retas 1
e 2 na Figura 5.
Quando disparado, ou seja, quando comandado por uma corrente de gatilho
IGK, o SCR ideal se comportaria como um diodo ideal, como podemos observar nas
retas 1 e 3. Nesta condio, o SCR ideal seria capaz de bloquear tenses reversas
infinitas e conduzir, quando diretamente polarizado, correntes infinitas sem queda de
tenso e perdas de energia por Efeito Joule.
Assim como para os diodos, tais caractersticas seriam ideais e no se obtm
na prtica. Os SCR reais tm, portanto, limitaes de bloqueio de tenso direta e
reversa e apresentam fuga de corrente quando bloqueados. Quando habilitados tm
limitaes de conduo de corrente, pois apresentam uma pequena resistncia
circulao de corrente e queda de tenso na barreira de potencial das junes que
539
540
FIGURA 6 (a) SCR bloqueado em polarizao direta; (b) analogia com diodos; (c)
polarizao nas junes.
2.4 POLARIZAO REVERSA
A figura 7 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde
podemos verificar:
Tenso de Ctodo positiva em relao ao nodo.
J2 diretamente polarizada
J1 e J3 reversamente polarizadas: apresentam maiores barreiras de
potencial.
Flui pequena Corrente de Fuga Reversa de Ctodo para nodo, IR (Reverse
Current).
Bloqueio Reverso DESLIGADO.
541
FIGURA 7 (a) SCR bloqueado em polarizao reversa; (b) analogia com diodos;
(c) efeito da polarizao reversa nas junes.
2.5 MODOS DE DISPARO DE UM SCR
Um SCR disparado (entra em conduo) quando aumenta a Corrente de
nodo IA, atravs de uma das seguintes maneiras.
2.5.1 CORRENTE DE GATILHO IGK
o procedimento normal de disparo do SCR. Quando estiver polarizado
diretamente, a injeo de um sinal de corrente de gatilho para o ctodo (IG ou IGK),
geralmente na forma de um pulso, leva o SCR ao estado de conduo. A medida
que aumenta a corrente de gatilho para ctodo, a tenso de bloqueio direta diminui
at que o SCR passa ao estado de conduo.
A Figura 8 apresenta um circuito para disparo do SCR. Enquanto diretamente
polarizado o SCR s comea a conduzir se receber um comando atravs de um
542
543
544
545
fuga, o que pode levar o SCR ao estado de conduo. o caso do SCR ativado por
luz, chamado foto-SCR ou LASCR (Light-Activated Silicon Controlled Rectifier).
2.9 CARACTERSTICAS ESTTICAS DO SCR
Existem limites de tenso e corrente que um SCR pode suportar. Tais limites
constituem as caractersticas estticas reais como mostra a Figura 8.1. As curvas 1
e 2 apresentam as caractersticas para o SCR no estado de bloqueio, enquanto as
curvas 1 e 3 mostram as caractersticas para o SCR com Corrente de Gatilho IGK,
para ambas as polarizaes. Podemos, ento, verificar na Figura 11, que a curva
caracterstica de um SCR real apresenta trs regies distintas:
Bloqueio em Polarizao Reversa curva 1
Bloqueio em Polarizao Direta curva 2
Conduo em Polarizao Direta curva 3
546
porcentagens to mnimas que nem possam ser detectadas por anlise qumica
convencional, podem apresentar condutividades centenas de vezes diferentes entre
si. Por este motivo, a tecnologia de semicondutores muito crtica no que se refere
medida e ao controle das concentraes de impurezas.
3.1 SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO N
Considere por exemplo, uma amostra de Silcio contendo um tomo de
Fsforo. O Fsforo tem cinco eltrons de valncia enquanto que o Silcio tem quatro.
Na figura 7 (a), o eltron extra est presente independentemente dos pares de
eltrons que servem como ligao entre tomos vizinhos. Este eltron pode
transportar uma carga no sentido do eletrodo positivo (b). Alternativamente na figura
7 (c) o eltron extra o qual no pode residir na banda de valncia anteriormente
preenchida fica localizado proximamente ao topo da descontinuidade de energia.
Desta posio denominada nvel doador Ed o eltron extra pode ser ativado
facilmente afim de alcanar a banda de conduo. Independentemente do modelo
usado, figura 7 (b) ou 7 (c), podemos ver que tomos do Grupo V (N, P, As e Sb) da
classificao peridica, podem fornecer transportadores de carga negativos, ou tipo
n, a semicondutores.
547
somente 4 dos
participar da ligao. O 5 eltron, excludo da ligao, uma vez que a estrutura est
saturada quimicamente, atrado pela regio positivamente carregada do tomo de
impureza, permanecendo numa rbita prpria. (este eltron pode transportar carga
548
no sentido do eletrodo positivo). Este eltron possui energia de ligao muito menor
que a dos eltrons instalados nas rbitas de valncia podendo ser facilmente
excitado por energia trmica para a banda de conduo. Estas impurezas so
chamadas doadoras.
No diagrama de energias da figura acima, pode observa-se que este
eltron fica localizado prximo do topo da descontinuidade de energia (toda vez que
no pode residir na banda de valncia totalmente preenchida), desta posio
denominada nvel doador Ed, o eltron extra pode ser ativado facilmente a fim de
alcanar a banda de conduo. O nvel doador est situado a uma certa distncia
energtica abaixo da banda de conduo. Desta forma, necessria uma
quantidade de energia pequena, Eg Eg, para transferir o eltron do seu nvel
orbital para a banda de conduo. Conseqentemente, semicondutores deste tipo
tm centenas de vezes mais eltrons na banda de conduo provenientes das
impurezas que eltrons do Germnio oriundos da banda de valncia. Neste caso,
sua condutividade se deve mais presena de impurezas que ao processo
intrnseco de ativao trmica.
Como h uma predominncia de eltrons em relao s lacunas, diz-se que
os portadores majoritrios so negativos.
No momento que o material tipo n ativado termicamente, o eltron que no
est efetivamente participando da ligao covalente se liberta, o Sb fica com carga
positiva (ionizado). Com o cristal contendo ons, teremos assim, eltrons livres e
ons.
Quando aplicamos uma tenso num cristal do tipo n, os eltrons livres
presentes no estado vo permitir o fluxo de eltrons corrente eltrica. Os ons no
podem mover-se pois esto presos ao cristal, mas eventualmente pode ocorrer que
um dos eltrons venha ocupar sua posio inicial no tomo de Sb anulando o on
positivo. O efeito que aparece, de os ons estarem se deslocando dentro da
estrutura cristalina no sentido oposto ao do fluxo de eltrons.
Esse deslocamento de ons na realidade imperceptvel. Lembre-se que as
impurezas so adicionadas na proporo 1:10 a 20 milhes de tomos de Ge ou Si.
549
550
551
qualquer eltron que esteja perto, para completar sua ligao. Essas impurezas B
so chamadas receptoras. O eltron de Si ou Ge que no forma ligao covalente
com a impureza, estar preso ao ncleo apenas pela atrao inica, e com uma
pequena quantidade de energia trmica poder se libertar e circular pela estrutura.
Sempre que um eltron se liberta, deixar uma lacuna, na banda de valncia que
poder participar do processo de conduo na presena de um campo. Usamos de
novo o modelo de bandas esquematizado acima.
Materiais com impurezas desse tipo, e que, possuem muito mais lacunas
provenientes das impurezas, que lacunas causadas pela ativao de eltrons que
saltaram a regio de energia proibida, so semicondutores extrnsecos tipo-p. Neste
caso, onde existe uma predominncia de lacunas na banda de valncia sobre os
eltrons de banda de conduo, diz-se que os portadores majoritrios so positivos
e a impureza denominada receptora.
3.3 PROPRIEDADES DE DOIS SEMICONDUTORES DOPADOS
TABELA 1 caractersticas dos semicondutores extrnsecos
Material original
Dopante
Silcio
Silcio
Fsforo Alumnio
Tipo de Dopante
Tipo de Semicondutor
Valncia do Dopante
Lacuna de energia do Dopante
Doador Aceitador
Tipo n
Tipo p
Portadores majoritrios
Portadores minoritrios
Carga do on dopante
45 meV
57 meV
Buracos Eltrons
Eltrons Buracos
-e
+e
552
Tipo
p
p
Ge
0,0104
0,0102
Ga
In
P
As
p
p
n
n
0,0108
0,0112
0,012
0,0127
Sb
0,0096
que
processo
intrnseco
est
sempre
presente
nos
correspondendo
uma
dada
temperatura
uma
populao
4. CONCLUSO
Os primeiros dispositivos base de materiais semicondutores foram
fabricados no sculo XIX. Porm, s a partir da inveno do transstor, em 1947,
553
que a Fsica dos Semicondutores se desenvolveu de tal modo que estes materiais
so atualmente componentes indispensveis em inmeras indstrias e na nossa
vida quotidiana. A sua tecnologia atingiu um nvel de perfeio tal que se consegue
atualmente controlar a presena de um tomo de impureza num conjunto de 1010
tomos nativos num cristal de silcio. Tambm se tornou possvel produzir cristais
semicondutores com dimenses na escala de nanmetros, cujas propriedades
prometem aplicaes revolucionrias como, por exemplo, a computao quntica.
5.REFERNCIAS
[1] VILLAA, M.V.M. e RANGEL, P.R.T.; Eletrnica de Potncia, Volumes 1 e 2,
apostila, CEFET/SC, Florianpolis, 199x.
[2] RASHID, M.H.; Eletrnica de Potncia Circuitos, Dispositivos e Aplicaes,
Makron Books, So Paulo, 1999.
[3] AEGIS SEMICONDUTORES; Pgina oficial do fabricante na Internet:
http://www.aegis.com.br
[4] ALMEIDA, J.L.A.; Dispositivos Semicondutores: Tiristores Controle de Potncia
em CC e CA, Coleo Estude e Use, Srie Eletrnica Analgica, Editora rica, So
Paulo, 1996.
[5] AHMED, A.; Eletrnica de Potncia, Prentice Hall, So Paulo, 2000.
[6] ANDRADE, E.A.; Eletrnica Industrial Anlise de Dispositivos e suas
Aplicaes, 1a edio, Editora CEFET/BA, Salvador, 1996.
[7] DIAZ, NORA, Apostila semicondutores 1 edio.