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Introduo 5
Apndice 32
Questionrio 32
Bibliografia 33
Espao SENAI
Introduo
Como descrito em fascculos anteriores, o transistor convencional um
dispositivo que permite amplificar um sinal, e cujas propriedades eltricas so
essencialmente controladas pela corrente injetada em um de seus terminais.
Transistor bipolar.
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Transistor de efeito de campo
Transistor de efeito
de campo
O transistor de efeito de campo tem capacidade de exercer o controle de
corrente atravs da tenso aplicada em um de seus terminais, sendo utilizado,
principalmente, nos estgios de entrada de instrumentos de medida, tais como
osciloscpios, voltmetros eletrnicos, receptores etc., onde seja necessrio uma
elevada impedncia de entrada.
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Srie de Eletrnica
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Transistor de efeito de campo
FORMAS DE ENCAPSULAMENTO
REPRESENTAO SIMBLICA
POLARIZAO DE JFETs
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Srie de Eletrnica
Fig.6. Como pode ser a observado, a forma de ligao com a fonte externa
funo do tipo de canal do dispositivo.
Fonte
Em condies normais de operao, o terminal fonte do p-JFET ligado
ao plo positivo da fonte de alimentao, como mostrado na Fig.7.
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Transistor de efeito de campo
Dreno
Porta
Para obter a condio normal de operao, uma fonte externa deve ser
utilizada para polarizar inversamente a juno formada entre porta e fonte, como
mostrado na Fig.9.
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Srie de Eletrnica
PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO
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Transistor de efeito de campo
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Srie de Eletrnica
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Transistor de efeito de campo
Porta em aberto
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Srie de Eletrnica
Porta aterrada
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Transistor de efeito de campo
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Srie de Eletrnica
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Transistor de efeito de campo
Fig.21 Larguras efetivas do canal de um p-JFET para os casos VGS = 0 e VGS > 0.
largura
ID
VGS
do canal
largura
VGS
ID
do canal
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Tenso de pinamento
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Transistor de efeito de campo
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Srie de Eletrnica
VDS < VP
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Transistor de efeito de campo
Tenso de ruptura
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Srie de Eletrnica
Regio hmica
VDS < VP
V DS
R DS ,on
I DS
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Transistor de efeito de campo
Regio de amplificao
Regio de ruptura
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Srie de Eletrnica
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Transistor de efeito de campo
Princpio de funcionamento
Como ilustrado na
Fig.31a, quando o terminal porta
fica submetido ao mesmo
potencial do terminal fonte, os
portadores movem-se livremente
no canal, propiciando o
aparecimento de uma corrente
entre fonte e dreno.
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Srie de Eletrnica
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Transistor de efeito de campo
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Srie de Eletrnica
Princpio de funcionamento
Para o caso de um
dispositivo de canal p,
ilustrado na Fig.36, quando
o terminal porta fica
submetido ao mesmo
potencial do terminal fonte,
a juno pn formada entre
dreno e substrato fica
inversamente polarizada,
impedindo o fluxo de Fig.36 MOSFET tipo enriquecimento, canal p com
corrente. Por essa razo porta aterrada.
estes dispositivos so
muitas vezes denominados de bloqueadores, como sugerem as representaes de
circuito com canal interrompido ilustradas na Fig.35.
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Transistor de efeito de campo
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Srie de Eletrnica
Proteo da porta
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Transistor de efeito de campo
Apndice
QUESTIONRIO
1. Existem duas categorias de transistor de efeito de campo. Quais so elas?
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BIBLIOGRAFIA
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