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Apostila de Eletronica Analogica PDF
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SUMRIO
1. Reviso de Eletricidade.............................................................01
1.1.Circuito Eltrico ...............................................................01
1.1.1. Gerador..................................................................01
1.1.2. Condutor................................................................01
1.1.3. Receptor.................................................................01
1.2.Condutores e Isolantes .....................................................02
1.2.1. Condutor................................................................02
1.2.2. Isolante ..................................................................02
1.3.Fontes de Energia Eltrica................................................02
1.3.1. Fontes de Tenso ...................................................03
1.3.2. Fontes de Corrente.................................................04
1.4. Potncia Eltrica..............................................................05
1.5. Resistncia Eltrica .........................................................05
1.6. Associao de Resistores ................................................07
1.6.1. Associao Srie....................................................08
1.6.2. Associao em Paralelo .........................................09
1.6.3. Associao Mista...................................................10
1.7. Leis de Kirchoff ..............................................................10
1.7.1. Lei dos Ns............................................................10
1.7.2. Lei das Malhas.......................................................11
1.8. Mtodos de Anlise de Circuitos ....................................11
ii
8.4.3. RF ..........................................................................80
8.5. Funcionamento................................................................81
8.6. Configuraes Bsicas ....................................................82
8.6.1. Base Comum .........................................................83
8.6.2. Coletor Comum Seguidor de Emissor ................83
8.6.3. Emissor Comum ....................................................84
8. 7. Exerccios.......................................................................85
9. Polarizao de Transistores.......................................................88
9.1. Curva Caracterstica ........................................................88
9.2. Ponto de Operao ..........................................................89
9.3. Reta de Carga ..................................................................90
9.4. Circuitos de Polarizao..................................................91
9.4.1. Polarizao da Base...............................................91
9.4.2. Realimentao do Emissor ....................................92
9.4.3. Realimentao do Coletor .....................................93
9.4.4. Polarizao do Emissor .........................................94
9.4.5. Polarizao por Divisor de Tenso ........................95
9.5. Exerccios........................................................................96
10. Transistores como Chave ........................................................98
10.1. Chave Eletrnica ...........................................................98
10.2. Dimensionamento .........................................................99
10.3. Circuitos com Transistores............................................100
vii
RELAO DE FIGURAS
01 REVISO DE ELETRICIDADE
1.1.1. GERADOR
1.1.2. CONDUTOR
1.1.3. RECEPTOR
GETIN Pg. 1
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1.2.1. CONDUTOR
1.2.2. ISOLANTE
GETIN Pg. 2
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GETIN Pg. 3
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GETIN Pg. 4
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P = UI (1.1)
GETIN Pg. 5
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U = RI (1.2)
onde:
l
R=
S (1.3)
onde:
R resistncia em ;
resistividade do material em -mm2/m;
l comprimento em metros;
S rea da seo reta em mm2.
GETIN Pg. 6
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Rt = RO [1 + (t 2 t1 )] (1.4)
onde:
Rt valor da resistncia na temperatura "t" em ;
Ro valor da resistncia a 0oC em ;
coeficiente de temperatura em oC-1;
t2 e t1 temperaturas final e inicial em oC.
A simbologia eltrica adotada para uma resistncia el-
trica mostrada na Fig. 4.
GETIN Pg. 7
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Req = R1 + R2 + R3 + R4 (1.5)
GETIN Pg. 8
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1 1 1 1 1
= + + +
Req R1 R2 R3 R4 (1.6)
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GETIN Pg. 10
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U malha =0 (1.8)
GETIN Pg. 11
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GETIN Pg. 12
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GETIN Pg. 13
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1.9. EXERCCIOS
GETIN Pg. 14
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GETIN Pg. 15
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GETIN Pg. 16
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02 - MATERIAIS SEMICONDUTORES
1- Metais
2- Semimetais
3- No Metais
4- Gases Nobres
GETIN Pg. 17
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9 K - 2;
9 L - 8;
9 M - 18;
9 N - 32;
9 O - 32;
9 P - 18;
9 Q - 2.
2.3. CARACTERSTICAS
9 Prtons;
9 Nutrons;
9 Eltrons.
GETIN Pg. 18
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9 Germnio (Ge);
9 Silcio (Si).
GETIN Pg. 19
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9 So TETRAVALENTES;
9 COMPARTILHAM os eltrons da camada de valncia;
9 NO APRESENTAM ELTRONS LIVRES;
9 Formam estruturas cristalinas (CRISTAIS)
Nota: O Si o elemento qumico mais utilizado atualmente.
GETIN Pg. 20
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2.7. CRISTAIS
GETIN Pg. 21
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GETIN Pg. 22
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GETIN Pg. 23
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03 - DIODOS
3.1. CARACTERSTICAS
3.2. POLARIZAO
GETIN Pg. 24
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GETIN Pg. 25
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GETIN Pg. 26
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GETIN Pg. 29
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GETIN Pg. 30
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3.7. EXERCCIOS
GETIN Pg. 31
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GETIN Pg. 32
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Fig. 1 Fig. 2
Fig. 3
GETIN Pg. 33
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Fig. 4
Fig. 5 Fig. 6
GETIN Pg. 34
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04 - DIODOS EM CA
4.1. INTRODUO
4.2. TRANSFORMADORES
GETIN Pg. 35
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U PRI N PRI
=
U SEC N SEC
I PRI N SEC
=
I SEC N PRI
PPRI = PSEC
Onde: U Tenso I Corrente
P Potncia N Nmero de Espiras
PRI Primrio (Fonte) SEC Secundrio (Carga)
GETIN Pg. 36
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RESULTADOS OBTIDOS
2
1 U PICO
UL =
2 0
U picosen(t )dt =
UDC = 0,318 UMX
PIV = UMX
IL = ID
GETIN Pg. 37
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RESULTADOS OBTIDOS
UMX = UMX / 2
PIV = UMX
IL = 2 ID
GETIN Pg. 38
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GETIN Pg. 39
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RESULTADOS OBTIDOS
PIV = UMX
IL = 2 ID
GETIN Pg. 40
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GETIN Pg. 41
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4.9. EXERCCIOS
GETIN Pg. 42
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GETIN Pg. 43
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05 FILTRO CAPACITIVO
5.1. INTRODUO
5.2. DEFINIO
5.3. DIVISO
GETIN Pg. 44
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5.4.1. CAPACITOR
No dissipa energia.
GETIN Pg. 45
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5.4.2. CAPACITNCIA
Q
C=
V (5.1)
vc
i fuga =
R fuga (5.2)
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GETIN Pg. 47
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GETIN Pg. 48
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GETIN Pg. 49
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E t / RC
ic = e
R (5.3)
=RC (5.4)
vc = E. 1e ( t / RC
) (5.5)
0.9
Corrente
Tenso
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 1 2 3 4 5 6
GETIN Pg. 50
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dvC
iC = C
dt (5.6)
GETIN Pg. 51
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Vm 1
XC = =
I m .C (5.7)
onde
= 2 . f a freqncia de operao.
Portanto,
f = 0 XC
f XC 0 (5.8)
GETIN Pg. 52
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Resposta em freqncia
1
X C = R fC =
2 .R.C (5.9)
a) A freqncia de corte;
b) A tenso de sada para f = 100 kHz e f = 1 MHz.
GETIN Pg. 53
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5.5.2. PASSA-ALTAS
Resposta em freqncia
1
X C = R fC =
2 .R.C (5.10)
GETIN Pg. 54
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5.5.3. PASSA-BANDA
GETIN Pg. 55
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V R = 2.(Vm V DC ) (5.12)
GETIN Pg. 56
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5.7. EXERCCIOS
GETIN Pg. 57
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GETIN Pg. 58
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06 - DIODOS ESPECIAIS
6.1. OPTOELETRNICOS
c
f =
(6.1)
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6.2. FOTODIODO
Fig. 51 Fotodiodo.
GETIN Pg. 60
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GETIN Pg. 61
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6.4. OPTOACOPLADORES
Um acoplador tico combina um dispositivo emissor
de luz com um dispositivo sensvel luz, em um nico ENCAP-
SULAMENTO (Fig. 53).
Fig. 53 Optoacoplador.
GETIN Pg. 62
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GETIN Pg. 63
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V E = VS + VZ (6.2)
GETIN Pg. 64
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IS = IZ + IL (6.3)
Onde: VS = RS .I S (6.4)
VZ = VL = RL .I L (6.5)
PZ = VZ .I Zmx (6.6)
GETIN Pg. 65
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RL 10k
VTH = .VE = x 40 = 28,57V inativo
R L + RS 10k + 4k
VE 40
RS = RL 1 = 10k 1 RS 3,3k
VTH 30
6.6. EXERCCIOS
GETIN Pg. 66
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06. O LED da Fig. 2 tem uma queda mnima de 1,5 V e uma que-
da mxima de 2,3 V. Considerando V= 10 V e R1= 470 ,
quais os valores mximo e mnimo da corrente do LED?
07. Em um optoacoplador, V2= 20 V e R2= 47 k. Se I2 variar
de 2 a 10 A, qual a variao de tenso atravs do fotodiodo?
08. Um TIL312 um indicador de 7-Seg (Fig. 3). Cada segmen-
to tem uma queda de tenso entre 1,5 e 2 V em 20 mA. Voc
tem que escolher entre usar uma alimentao de 5 V ou de 12
V. Projete um circuito indicador de 7-Seg controlado por cha-
ves liga-desliga que consuma uma corrente total mxima de
140 mA.
GETIN Pg. 67
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07 - REGULADORES DE TENSO
So classificadas em:
Simples;
Estabilizadas;
Regulveis.
GETIN Pg. 68
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GETIN Pg. 69
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GETIN Pg. 70
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VZ 5,6
IL = = I L = 5,6mA
RL 1000
VE VZ 12 5,6
RSmx = = RSmx = 410
I Zmn + I L (10 + 5,6 )x10 3
VE VZ 12 5,6
RSmn = = RSmn = 61
I Zmx + I L (100 + 5,6 )x10 3
GETIN Pg. 71
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VZ 5,6
I Lmn = = 3
I Lmn = 0,28mA
RLmx 20 x10
VZ 5,6
I Lmx = = I Lmx = 56mA
RLmn 100
VE VZ 12 5,6
RSmx = = RSmx = 97
I Zmn + I L (10 + 56)x10 3
VE VZ 12 5,6
RSmn = = RSmn = 64
I Zmx + I L (100 + 0,28)x10 3
GETIN Pg. 72
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EXEMPLO 03: Uma fonte foi projetada para uma carga de 560
e 15 V. Porm o filtro capacitivo tem uma tenso de
22 V com ripple de 5 V. Determinar RS que elimina o
ripple e fixa a tenso em 15 V. Dados VZ = 15 V, IZmx
= 500 mA e IZmn = 15 mA.
Vr 5
VEm = VE = 22 VEmn = 19,5V VEmx = 24,5V
2 2
VZ 15
IL = = I L = 26,79mA
RL 560
VEmn VZ 19,5 15
RSmx = = RSmx = 108
I Zmn + I L (15 + 26,79)x10 3
VEmx VZ 24,5 15
RSmn = = RSmn = 18
I Zmx + I L (500 + 26,79)x10 3
GETIN Pg. 73
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Vr 3
VEm VE = 30 VEmn = 28,5V VEmx = 31,5V
2 2
VZ
I Lm = I Lmn = 150A I Lmx = 300mA
RLm
VEmn VZ 28,5 15
RSmx = = RSmx = 41
I Zmn + I Lmx (30 + 300)x10 3
VEmx VZ 31,5 15
RSmn = = RSmx = 24
I Zmx + I Lmn 700 x10 3 + 150 x10 6
2
VSmx
24 RS 41 RS = 33 PS = = 8,25W
RS
GETIN Pg. 74
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GETIN Pg. 75
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7.4. PROJETO
7.5. EXERCCIOS
GETIN Pg. 76
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GETIN Pg. 77
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08 - TRANSISTORES BIPOLARES
Constituio
2 junes tipo PN
3 cristais
3 terminais
Portanto,
GETIN Pg. 78
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8.2. SIMBOLOGIA
I E = I B + IC (8.1)
onde:
V CE = V C V E
V CB = V C V B
(8.3)
V BE = V B V E = 0,7V
GETIN Pg. 79
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8.4. CLASSIFICAO
EXEMPLOS:
Srie BC uso geral;
Srie BD potncia;
Srie TIP potncia;
Srie BF freqncia.
GETIN Pg. 80
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8.5. FUNCIONAMENTO
Anlise:
R1 I B 0 I C 0
R1 (decresce) I B (aumenta ) I C
GETIN Pg. 81
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Portanto,
CORTE: IB = IC = 0.
SATURAO: IC MXIMO.
LINEAR: IC = IB .
I C = .I B = 50 x1x10 3 I C = 50mA
I E = I B + I C I E = 51mA
GETIN Pg. 82
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Principais caractersticas:
GETIN Pg. 83
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Principais caractersticas:
Principais caractersticas:
GETIN Pg. 84
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8.7. EXERCCIOS
GETIN Pg. 85
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GETIN Pg. 86
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GETIN Pg. 87
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09 POLARIZAO DE TRANSISTORES
GETIN Pg. 88
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Exemplos:
Q1 = (I1, V1)
Q2 = (I2, V2)
Q3 = (I3, V3)
Q4 = (I4, V4)
GETIN Pg. 89
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VCCVE VCE
IC =
RC (9.1)
GETIN Pg. 90
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VCC VCE 10 5
RC = = 3
= 62,50
IC 80 x10
80 x10 3
IC
IB = = = 1,6mA
50
VCC V BE 10 0,7
RB = = 3
= 5812,5 = 5k 8125
IB 1,6 x10
GETIN Pg. 91
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VE 0,1x20
RE = = 3
= 20
I E 100x10
20 10 0,2
VCC RC IC VCE VE = 0 RC = 3
= 98
100x10
20 0,7 0,2
VCC RB I B VBE VE = 0 RB = 6
= 47k75
400x10
GETIN Pg. 92
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V CC R C I C V CE = 0
15 7 , 5
RC = 3
1 k 12
6 , 7 x 10
V CC R C I C R B I B V BE = 0
ou
R B I B V BE + V CE = 0
7 ,5 0 ,7
RB = 6
202 k 99
33 , 5 x 10
GETIN Pg. 93
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0 RB I B VBE VE + VEE = 0
15 2,5 0,7
RB = 6
RB 84k 29
140 x10
GETIN Pg. 94
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Considere: I 1 = 10 xI B
VE 0 ,1 x 9
RE = = R E = 45
IC 20 x 10 3
VB 0 , 7 + 0 ,9
R2 = = R 2 2 k 22
I1 I B 9 x 80 x 10 6
V CC V B 9 1, 6
R1 = = 6
R 1 = 9 k 25
I1 10 x 80 x 10
V CC V C 9 ( 4 ,5 + 0 ,9 )
RC = = R C = 180
IC 20 x 10 3
GETIN Pg. 95
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9.5. EXERCCIOS
GETIN Pg. 96
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GETIN Pg. 97
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GETIN Pg. 98
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10.2. DIMENSIONAMENTO
Necessrio:
Condies para base aberta VCEOmx.
Condies de saturao VBEsat, VCEsat e sat.
Capacidade mxima ICmx
Caractersticas da carga VL e IL.
3 IC 3
I C = I LED = 25 x 10 A IB = = 1, 25 x 10 A
V CC V LED V CEsat
RC = R C = 128
I LED
V ENT V BEsat
RB = R B = 3 k 44
IB
GETIN Pg. 99
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10.4. EXERCCIO
01. Um circuito digital foi projetado para acionar um motor de
110V/60Hz sob determinadas condies. Para tanto, neces-
srio que um transistor como chave atue sobre um rel, j
que nem o circuito digital, nem um transistor podem acionar
este motor. O circuito utilizado para este fim est mostrado
na Fig. 3. Os dados do transistor so: