Direes e planos cristalinos

DIREES E PLANOS NO CRISTAL

a, b e c definem os eixos
de um sistema de
coordenadas em 3D.
Qualquer linha (ou
direo) do sistema de
coordenadas pode ser
especificada atravs de
dois pontos: um deles
sempre tomado como
sendo a origem do
sistema de coordenadas,
geralmente (0,0,0) por
conveno;
 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
DIREES NOS CRISTAIS
So representadas entre colchetes= [hkl]
Quando passa pela origem
 Direes Cristalogrficas ndices de Miller
Exerccio: Determine os ndices de Miller das direes A, B e C, da figura abaixo.

Direo A:
1. alvo= 1, 0, 0; origem= 0, 0, 0
2. alvo - origem = 1, 0, 0
3. sem fraes
4. [1 0 0]
Direo B:
1. alvo= 1,1,1; origem= 0, 0, 0
2. alvo - origem = 1, 1, 1
3. sem fraes
4. [1 1 1]
Direo C:
1. alvo= 0, 0, 1; origem= 1/2, 1, 0
2. alvo - origem = -1/2, -1, 1
3. 2 (-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2
4. [1 2 2]
 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
DIREES PARA O SISTEMA CCC

No sistema ccc os
tomos se tocam ao
longo da diagonal do
cubo, que corresponde a
famlia de direes <111>
Ento, a direo <111>
a de maior
empacotamento atmico
para o sistema ccc
 Direes Cristalogrficas ndices de Miller
Algumas observaes importantes:

-direo e suas mltiplas so idnticas: [111] [222];

-ndices de Miller simtricos no so da mesma direo, ou seja,
direes e suas negativas no so idnticas: [111] [111];

FAMLIA DE DIREES: conjunto de ndices de Miller onde todos tem mesma

simetria.

Exemplo para
simetria cbica:
 Direes Cristalogrficas em Metais FATOR DE
EMPACOTAMENTO LINEAR
As propriedades de muitos materiais so direcionais, por isso importante saber
alguns parmetros que definem estas propriedades.

DEFINIO: quanto da direo (vetor) est definitivamente coberta por tomos.

O valor deve ser entre 0 e 1 ou entre 0 e 100%.

FELI = (n de raios presentes na direo) x (raio atmico)

Unidade de Comprimento

DADOS
n raios na direo: 2r, 4r
Unidade de comprimento: ao, dFACE, DCUBO
 Direes Cristalogrficas em Metais DENSIDADE LINEAR

DEFINIO: o nmero de tomos por unidades de comprimento. A resposta

dada em tomos/A.

LI = (n tomos na direo)
(unidade de comprimento)

DADOS
n tomos da direo: cada 2r = 1 tomo
Unidade de comprimento: ao, dFACE, DCUBO
 Direes Cristalogrficas em Metais DISTNCIA DE
REPETIO LINEAR
DEFINIO: De quanto em quanto o centro de um tomo se repete em uma dada
direo. o inverso da densidade linear. A resposta dada em A.

DR = (unidade de comprimento equivalente a distncia de 2r)

DADOS
Unidade de comprimento: ao, dFACE/2, DCUBO/2
 Direes Cristalogrficas em Metais

Exerccio: Calcule a distncia de repetio, densidade linear e o fator de

empacotamento para a direo [1 1 1] do Cu CFC. (ao=3,6151 A)

RESPOSTA ETAPAS DE RESOLUO

1. Desenhar uma clula unitria genrica e marcar a direo de anlise;

2. Fazer a projeo da direo;
3. Realizar os clculos necessrios; Distncia de repetio

o centro do tomo se repete a cada

diagonal do cubo

Dr = a0 3
Dr = 3,6151 x 3
Dr = 6,262 A
 Direes Cristalogrficas em Metais

Exerccio: Calcule a distncia de repetio, densidade linear e o fator de

empacotamento para a direo [1 1 1] do Cu CFC. (ao=3,6151 A)

Densidade linear

LI = 1 tomo / D cubo (Dr) = 1/ 6,262

LI = 0,1597 tomos/A

Fator de empacotamento linear

FELI = 2r/ Dcubo = 0,408

 Direes Cristalogrficas em Metais

Exerccio : Calcule a densidade linear para a direo [1 0 0] do Potssio.

RESPOSTA
LI = n tomos
Dados: K: Estrutura CCC
unid comprimento
Raio Atmico: 0,2312 nm ou 2,312A
LI = 1/2 + 1/2
ao

ao= 4r/3

LI = 0,187 tomos/

Exerccio : Qual a densidade linear, FE e DR na direo [1 1 0] para o Cu?

 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
PLANOS CRISTALINOS
 Planos Cristalogrficos ndices de Miller

NDICES DE MILLER PARA PLANOS:

1. Definir trs pontos onde o plano corta os eixos x, y e z. Plano paralelo a

algum eixo tem coordenada igual a ;

2. Calcular os recprocos dos valores obtidos (1/x, 1/y, 1/z).

3. Se necessrio, estes 3 nmeros so mudados para resultar o conjunto dos

mnimos inteiros por multiplicao ou diviso usando um fator comum.

4. Escrever entre parnteses, e se houver n negativo o sinal colocado sobre

este nmero: x y z
(h k l)

OBS: Se o plano passar pela origem, desloque-o

 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
PLANOS CRISTALINOS
So representados de maneira similar s direes

So representados pelos ndices de Miller = (hkl)

Planos paralelos so equivalentes tendo os mesmos

ndices
Planos (010)
So paralelos aos eixos x
e z (paralelo face)
Cortam um eixo (neste
exemplo: y em 1 e os
eixos x e z em )
1/ , 1/1, 1/ = (010)
 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
PLANOS CRISTALINOS
Planos (110)
So paralelos a um eixo
(z)
Cortam dois eixos
(x e y)
1/ 1, 1/1, 1/ = (110)

Planos (111)

Cortam os 3 eixos
cristalogrficos
1/ 1, 1/1, 1/ 1 = (111)
 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
Planos (020) a esquerda e (110) a direita:multiplicidade 12
 DIREES E PLANOS NO CRISTAL

PLANOS CRISTALINOS
 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
PLANOS CRISTALINOS (120) e (121)
 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
 Planos Cristalogrficos ndices de Miller
Famlia de planos: em cada clula unitria os planos formam um grupo
equivalente que tem ndices particulares devido a orientao de suas
coordenadas.
Exemplo: planos da famlia {1 1 0}:
(1 1 0) (1 0 1) (0 1 1)
(1 1 0) (1 0 1) (0 1 1)
 Planos Cristalogrficos ndices de Miller
FAMLIA DE PLANOS {110} paralelo a um eixo

x
 Planos Cristalogrficos ndices de Miller
FAMLIA DE PLANOS {111} paralela a um eixo
 Planos Cristalogrficos ndices de Miller
A simetria do sistema cbico faz com que a famlia de planos tenha o mesmo arranjo e
densidade;

Deformao em metais envolve deslizamento de planos atmicos:

Deslizamento ocorre mais facilmente nos planos e direes de

maior densidade atmica
CCC CFC
Famlia de planos {110}: Famlia de planos {111}:
maior densidade atmica maior densidade atmica
 Planos Cristalogrficos em Metais FATOR DE
EMPACOTAMENTO PLANAR
As propriedades de muitos materiais tem relao direta com um determinado
plano cristalogrfico, por isso importante saber alguns parmetros que definem
estas propriedades.

DEFINIO: a rea de um plano que est definitivamente coberta por tomos. O

valor deve ser entre 0 e 1 ou entre 0 e 100%.

FEPL = (n de tomos no plano) x (rea do circulo)

(rea do plano)

DADOS
N de tomos no plano: 1 tomo = 1 crculo completo
rea do crculo: r2
rea do plano: ?????
 Planos Cristalogrficos em Metais DENSIDADE PLANAR

DEFINIO: o nmero de tomos por unidade de comprimento. A resposta

dada em tomos/cm2

PL = (n de tomos no plano)
(rea do plano)

DADOS
N de tomos no plano: 1 tomo = 1 crculo completo
rea do plano: ?????
 Planos Cristalogrficos em Metais DISTNCIA
INTERPLANAR
DEFINIO: a distncia de dois planos com mesmos ndices de Miller. A
resposta dada em A. Depende do tipo de clula unitria e do ndice de Miller.

DI (h k l) = a0 .
(h2 + k2 + l2)

DADOS
a0 = CS, CCC, CFC
(h k l) = ndices de Miller de um dos planos
 Planos Cristalogrficos em Metais
Exerccio: Calcule o fator de empacotamento planar, a densidade planar e a
distncia interplanar para os planos (0 1 0) e (0 2 0) do sistema cbico simples do
polnio, o qual tem a0 = 3,34 10-8 cm.

RESPOSTA ETAPAS DE RESOLUO

1. Desenhar uma clula unitria genrica e marcar os planos a partir dos ndices de
Miller;
2. Fazer a projeo dos planos;
(020)
3. Realizar os clculos necessrios;

(010)
 Planos Cristalogrficos em Metais
Exerccio: Calcule o fator de empacotamento planar, a densidade planar e a
distncia interplanar para os planos (0 1 0) e (0 2 0) do sistema cbico simples do
polnio, o qual tem a0 = 3,34 10-8 cm.

RESPOSTA PLANO (010)

FEPL = (N de tomos no plano) x (r2)

(rea do plano)

FEPL = 1 tomo x (r2) = 0,79

ao2

DI (h, k, l) = a0 .
PL = (n de tomos no plano) (h2 + k2 + l2)
(rea do plano)

PL = 1 tomo = 8,96 x 1014 tomos/cm2 d (h k l) = 3,34 A = 3,34

ao2 (02 + 12 + 02)
 Planos Cristalogrficos em Metais
Exerccio: Calcule o fator de empacotamento planar, a densidade planar e a
distncia interplanar para os planos (0 1 0) e (0 2 0) do sistema cbico simples do
polnio, o qual tem a0 = 3,34 10-8 cm.

RESPOSTA PLANO (020)

FEPL = (N de tomos no plano) x (r2)

(rea do plano)

FEPL = 0 tomo x (r2) = 0

ao2

DI (h, k, l) = a0 .
PL = (n de tomos no plano) (h2 + k2 + l2)
(rea do plano)

PL = 0 tomo = 0 d (h k l) = 3,34 A = 1,67

ao2 (02 + 22 + 02)
 Planos Cristalogrficos em Metais
Exerccio: Calcule o fator de empacotamento planar, a densidade planar e a
distncia interplanar para o planos (1 0 0) do sistema CCC do do potssio, o qual
tem um raio atmico igual a 0,2312 nm.

RESPOSTA ETAPAS DE RESOLUO

1. Desenhar uma clula unitria genrica e marcar os planos a partir dos ndices de
Miller;
2. Fazer a projeo dos planos;
3. Realizar os clculos necessrios;
 Planos Cristalogrficos em Metais
Exerccio: Calcule o fator de empacotamento planar, a densidade planar e a
distncia interplanar para o planos (1 0 0) do sistema CCC do do potssio, o qual
tem um raio atmico igual a 0,2312 nm.

RESPOSTA PLANO (100)

ao = 4r FEPL = (N de tomos no plano) x (r2)

3 (rea do plano)

ao = 4 x 2,312 = 5,34 A FEPL = 1 tomo x (r2) = 0,58

ao2
3
PL = (n de tomos no plano) DI (h, k, l) = a0 .
(rea do plano) (h2 + k2 + l2)

PL = 1 tomo = 3,507 x 1014 tomos/cm2 d (h k l) = 5,34 A = 5,34

ao2 (12 + 02 + 02)
Planos Cristalogrficos em Metais: Sistema Hexagonal
Grande parte do conhecimento sobre as diferentes estruturas moleculares em
slidos cristalinos resultado de investigaes de experimentos de difrao de
raios-x.

O FENMENO DA DIFRAO

Difrao ocorre quando uma onda encontra uma srie de obstculos

regularmente espaados, que (1) so capazes de espalhar esta onda, e (2) tm
espaamentos que so comparveis em magnitude ao comprimento de onda.
Alm disso, o fenmeno de difrao uma consequncia de correlaes de fase
especficas que so estabelecidas entre duas ou mais ondas que so espalhadas
pelos obstculos.

Quando um feixe de raios-x dirigido um material cristalino, uma parte destes

raios sero espalhados em todas as direes pelos eltrons associados com cada
tomo ou on que fica no caminho do feixe de energia seguindo a lei de Bragg:
 n= 2d sen

onde n a ordem de reflexo, que pode ser qualquer inteiro (1,2,3,....)

consistente com sen no excedendo a unidade; o comprimento de
onda; d o espaamento atmico (equivalente a distncia interplanar ); o
ngulo de difrao com a superfcie e 2 o ngulo de difrao medido
experimentalmente;

ABC = n
AB = BC = d sen
A magnitude da distncia entre os dois planos adjacentes e paralelos de tomos
(isto , o espaamento interplanar dhkl ) uma funo dos ndices de Miller (h, k e
l) bem como os parmetros da rede.

CS CCC CFC

DI (h, k, l) = a0 .
(h2 + k2 + l2)
 O DIFRATMETRO

T= fonte de raios X
Fonte S= amostra
C= detector
O= eixo no qual a amostra e o
detector giram

Detector
Exemplo de difrao de raios X em ferro policristalino.
Exerccio: Uma amostra de ferro CCC foi colocada num difratmetro de raios X
incidentes com =0,1541nm. A difrao pelos planos {110} ocorreu para 2=
44,704o. Calcule o valor do parmetro de rede do ferro CCC (considere a difrao
de 1a ordem, com n=1).

RESPOSTA

d[110] = ???
2= 44,704o e = 22,352o
1= 2.d[hkl] sen
d[110]= / 2 sen = 0,1541nm / 2(sen 22,35o) = 0,2026 nm

ao(Fe)
d[110]= ao / (h2+k2+l2)
ao(Fe)= d[110] x (h2+k2+l2) = 0,2026nm x (1,414) = 0,287 nm
 INTRODUO
Os slidos cristalinos reais no apresentam uma organizao estrutural perfeita
como os slidos ideais. A sua estrutura composta por uma variedade de
defeitos e imperfeies que afetam as propriedades dos materiais. Controlar as
imperfeies, significa obter materiais com diferentes propriedades e com novas
aplicaes. Podem existir diferentes tipos de imperfeies na rede e eles so
classificados segundo a ordem de grandeza da estrutura:

1) vibraes da rede
2) defeitos pontuais
3) defeitos lineares
4) defeitos planares
5) defeitos volumtricos
Defeitos possveis em um material a partir da dimenso em que ocorrem
na estrutura
 Vibraes de Rede

So movimentos da rede cristalina que so quantizadas por fnons (partculas

que designam um quantum de vibrao em um retculo cristalino rgido). So
conhecidos como os Bsons de Higgins ou a partcula de Deus.

Configurao cristalina ideal s ocorre hipoteticamente

temperatura do zero absoluto

Configurao cristalina real ocorre nas demais temperaturas

As vibrao dos tomos na rede provoca distores no cristal;

 Defeitos Pontuais Quanto a Forma VAZIOS - VACNCIAS

DEFINIO: a falta de um ou mais tomos em uma rede cristalina metlica;

CAUSAS: Resultante do empacotamento imperfeito na solidificao inicial ou em
decorrncia de vibraes trmicas dos tomos em temperaturas elevadas;
CONSEQUNCIAS: Distoro da rede;
 Defeitos Pontuais Quanto a Forma VAZIOS - VACNCIAS

O nmero de vacncias em uma rede cristalina varia com a temperatura e pode

ser determinado pela seguinte equao:

nv = n exp (-Q/RT)

DADOS

nv: n de vacncias/cm3
n: n de pontos na rede/cm3
Q: energia necessria para produzir a vacncia (J/mol)
R: cte dos gases (8,31 J/molK)
T: temperatura em K
 Defeitos Pontuais Quanto a Forma VAZIOS - VACNCIAS
Exerccio : Calcule o n de vacncias por centmetro cbico e o n de vacncias
por tomos de cobre, quando o cobre est (a) a temperatura ambiente, (b) 1084C.
Aproximadamente 83600 J/mol so requeridos para produzir uma vacncia no
cobre. Dados: a0 = 3,6151 x 10-8 cm, Q = 83600 J/mol e R = 8,31J/mol K.

RESPOSTA ETAPAS DE RESOLUO

1. Determinar o nmero de tomos/cm3;

2. Determinar o nmero de vacncias/cm3 em cada temperatura;
3. Determinar o nmero de vacncias/tomos de Cu em cada temperatura;
 Defeitos Pontuais Quanto a Forma VAZIOS - VACNCIAS
Exerccio 20: Calcule o n de vacncias por centmetro cbico e o n de vacncias
por tomos de cobre, quando o cobre est (a) a temperatura ambiente, (b) 1084C.
Aproximadamente 83600 J/mol so requeridos para produzir uma vacncia no
cobre. Dados: a0 = 3,6151 x 10-8 cm, Q = 83600 J/mol e R = 8,31J/mol K.

Nmero de tomos/cm (n)

n = _____ n tomos/clula____ = 4 tomos/clula (CFC) = 8,47 x 1022 tomos Cu/cm3

volume da clula unitria (3,6151 x 10-8)3

Nmero de vacncias/cm (nv) T ambiente e T=1084C

nv = n exp (-Q/RT)

Nmero de vacncias/tomos de Cu (nv/n) T ambiente e T=1084C

 Defeitos Pontuais Quanto a Forma VAZIOS - VACNCIAS
Exerccio: Calcule o n de vacncias por centmetro cbico e o n de vacncias
por tomos de cobre, quando o cobre est (a) a temperatura ambiente, (b) 1084C.
Aproximadamente 83600 J/mol so requeridos para produzir uma vacncia no
cobre. Dados: a0 = 3,6151 x 10-8 cm, Q = 83600 J/mol e R = 8,31J/mol K.

Nmero de vacncias/cm (nv) T ambiente (298K)

nv = (8,47 x 1022) exp [-83600/(8,31 x 298)]

nv = 1,847 x 108 vacncias/cm3
Nmero de vacncias/tomos de Cu (nv/n) T ambiente (298K)

nv = 1,847 x 108 vacncias/cm3

n = 8,47 x 1022 tomos de Cu/cm3
nv/n = 2,18 x 10-15 vacncias/ tomos de Cu
 Defeitos Pontuais Quanto a Forma VAZIOS - VACNCIAS
Exerccio 20: Calcule o n de vacncias por centmetro cbico e o n de vacncias
por tomos de cobre, quando o cobre est (a) a temperatura ambiente, (b) 1084C.
Aproximadamente 83600 J/mol so requeridos para produzir uma vacncia no
cobre. Dados: a0 = 3,6151 x 10-8 cm, Q = 83600 J/mol e R = 8,31J/mol K.

Nmero de vacncias/cm (nv) T=1084C (1357K)

nv = (8,47 x 1022) exp [-83600/(8,31 x 1357)]

nv = 5,11 x 1019 vacncias/cm3
Nmero de vacncias/tomos de Cu (nv/n) - T=1084C(1357K)

nv = 5,11 x 1019 vacncias/cm3

n = 8,47 x 1022 tomos de Cu/cm3
nv/n = 6,03 x 10-4 vacncias/ tomos de Cu
 Defeitos Pontuais Quanto a Forma - INTERSTICIAIS

DEFINIO: Quando um tomo abrigado nos interstcios da rede cristalina;

CONSEQUNCIAS: Distoro da rede;
 Defeitos Pontuais Quanto a Forma - SUBSTITUCIONAIS

DEFINIO: Quando um tomo substitudo por outro de tamanho igual, maior

ou menor dentro da rede cristalina;
CONSEQUNCIAS: Distoro da rede;
 Defeitos Pontuais Quanto a Forma DEFEITO FRENKEL

DEFINIO: Quando um on desloca-se de sua posio original na rede cristalina

(formando uma lacuna -vazio) para uma posio intersticial;
CONSEQUNCIAS: Distoro da rede;
OBS: Somente para slidos inicos;
 Defeitos Pontuais Quanto a Forma DEFEITO SCHOTTKY

DEFINIO: Quando ocorre uma lacuna de um par de ons em uma rede

cristalina;
CONSEQUNCIAS: Distoro da rede;
OBS: Somente para slidos inicos;
 Defeitos Lineares
DEFINIO: o desalinhamento de planos atmicos no cristal. Tambm
chamados de discordncias;
CAUSAS: Origem trmica, mecnica ou por saturao de defeitos pontuais
associadas a cristalizao e a deformao do cristal;
CONSEQUNCIAS: Deformao, falha e rompimento do material;

POSSIBILIDADES: A quantidade e o movimento das discordncias podem ser

controlados :
-pelo grau de deformao (conformao mecnica)
-por tratamentos trmicos
Defeitos Lineares Tipos de Discordncias

DISCORDNCIA TIPO CUNHA

 Defeitos Lineares Vetor de Burgers
A magnitude e a direo da distoro da rede expressa na forma de um vetor
chamado, vetor de Burgers (b) e corresponde distncia de deslocamento dos
tomos ao redor da discordncia.

Linha da
discordncia
de aresta

O vetor de Burgers perpendicular linha de discordncia

em uma discordncia de aresta.
 Defeitos Lineares Vetor de Burgers

Linha da
discordncia
de aresta

O vetor de Burgers perpendicular linha de discordncia

em uma discordncia de aresta.
 Defeitos Lineares Vetor de Burgers - discordncia helicoidal

O vetor de Burger, para a

discordncia tipo espiral
paralelo direo da linha de
discordncia.
 Defeitos Lineares

Exerccio: Supondo a estrutura CCC hipottica com ao=4A e com uma

discordncia como na figura abaixo, determine a direo e o comprimento do
vetor de Burgers.
 Defeitos Lineares

Exerccio: Supondo a estrutura CCC hipottica com ao=4A e com uma

discordncia como na figura abaixo, determine a direo e o comprimento do
vetor de Burgers.

RESPOSTA

D(hkl)= ao/(h2+k2+l2)0,5
D(222)= 4/(22+22+22)0,5 = 1,15 A
 Defeitos Planares ou Interfaciais
DEFINIO: So fronteiras que apresentam duas dimenses e normalmente
separam regies dos materiais que apresentam diferentes estruturas cristalinas
ou orientaes cristalogrficas.

SUPERFCIES EXTERNAS

Mais evidente dos defeitos de superfcie devido a descontinuidade;

Coordenao atmica na superfcie no comparvel a dos tomos no interior do
cristal;
tomos superficiais tem seus vizinhos em apenas um lado, logo possuem mais
energia e esto menos firmemente ligados aos tomos externos;
 Defeitos Planares ou Interfaciais
CONTORNOS DE GROS

Microestrutura de metais e outros materiais slidos consistem de muitos gros;

Gro: poro de material onde o arranjo cristalino idntico, variando sua
orientao;
Contorno de gro: fronteira entre os gros
 Defeitos Volumtricos
Existem outros defeitos em todos os materiais slidos que so muito maiores
do que aqueles discutidos at aqui. Estes incluem poros, trincas, incluses
estranhas e outras fases. Elas so normalmente introduzidas durante as etapas
de processamento e de fabricao. Abaixo , xido de alumnio fabricado por
sinterizao apresentando alto teor de porosidade.