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UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLNDIA

FACULDADE DE ENGENHARIA ELTRICA


PROGRAMA DE EDUCAO TUTORIAL

CURSO BSICO DE
ELETRNICA

Ministrantes:
Francielen Souza Borges
Marcos Fernando Menezes Vilela
Germano Ferreira Santos
Joo Paulo Vieira Bonifcio
Joo Fernando Calcagno Camargo
Marla Souza Freitas
Clarissa Valadares Machado
Leandro Resende Mattioli
Lucas Amaral Sales
CURSO BSICO DE ELETRNICA PET/Eng. Eltrica UFU / 2009

Introduo
Eletrnica

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Introduo

A eletrnica a cincia que estuda a forma de controlar a energia eltrica por meios
eltricos nos quais os eltrons tm papel fundamental. Podemos dizer que a Eletrnica o ramo
da cincia que estuda o uso de circuitos formados por componentes eltricos e eletrnicos, com
o objetivo principal de transformar, transmitir, processar e armazenar energia. Divide-se em
Analgica e Digital, porque suas coordenadas de trabalho optam por obedecer estas duas
formas de apresentao dos sinais eltricos a serem tratados.

Exemplos de aplicao da eletrnica:

Processadores de computadores Satlite

Controle de foguetes Televisores

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Gerao da Energia Eltrica

A Energia Eltrica pode ser definida como a capacidade de trabalho de uma corrente
eltrica e fundamental na eletrnica. Como toda Energia a propriedade de um sistema que
permite a realizao de trabalho. Ela obtida atravs de vrias formas, pode ser um subproduto
de outras formas de Energia, como a mecnica e a qumica. Atravs de turbinas e geradores
podemos transformar estas formas de energia em eletricidade.
Uma das maneiras de se gerar Energia Eltrica acontece nas hidreltricas, onde
a energia potencial da gua utilizada para movimentar turbinas (energia mecnica) que esto
ligadas a geradores. Nestes geradores a energia mecnica transformada em Energia Eltrica.
Isto obedecendo ao princpio de conservao de energia, ou seja, parte da energia utilizada para
girar as turbinas transformada em energia eltrica atravs da induo magntica.

Usina hidreltrica

Tenso Eltrica

Tenso eltrica a diferena de potencial eltrico entre dois pontos. Sua unidade de
medida o volt. Por outras palavras, a tenso eltrica a "fora" responsvel pela
movimentao de eltrons, ou seja, a capacidade de um sistema de realizar trabalho.

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Multmetro medindo a tenso eltrica em uma tomada

Corrente Eltrica

Corrente eltrica o fluxo ordenado de partculas portadoras de carga eltrica. A


corrente eltrica um fluxo de eltrons que circula por um condutor quando entre suas
extremidades houver uma diferena de potencial. Esta diferena de potencial chama-se tenso.
A facilidade ou dificuldade com que a corrente eltrica atravessa um condutor conhecida como
resistncia e ser abordada posteriormente. Esses trs conceitos: corrente, tenso e resistncia
esto relacionados entre si, de tal maneira que, conhecendo dois deles, pode-se calcular o
terceiro atravs da Lei de Ohm (V=R.I).

Ampermetro usado para medir corrente

Corrente contnua e alternada

Corrente contnua (CC ou, em ingls, DC - direct current) o fluxo constante e ordenado
de eltrons sempre numa direo. Normalmente utilizada para alimentar aparelhos eletrnicos
e os circuitos digitais de equipamento de informtica (computadores, modems, hubs, etc.). Este
tipo de circuito possui um plo negativo e outro positivo ( polarizado), cuja intensidade
mantida. Mais corretamente, a intensidade cresce no incio at um ponto mximo, mantendo-se
contnua, ou seja, sem se alterar. Quando desligada, diminui at zero e extingue-se.

A corrente alternada, ou CA (em ingls AC - alternating current) uma corrente eltrica


cuja magnitude e direo da corrente variam ciclicamente, ao contrrio da corrente contnua cuja
direo permanece constante e que possui plos positivo e negativo definidos. A forma de onda
usual em um circuito de potncia CA senoidal por ser a forma de transmisso de energia mais
eficiente. Entretanto, em certas aplicaes, diferentes formas de ondas so utilizadas tais como
triangular ou ondas quadradas.

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Corrente alternada senoidal

As primeiras experincias de eletrodinmica foram feitas com corrente contnua. As


primeiras linhas de transmisso tambm usavam CC. Posteriormente passou-se a usar corrente
alternada devido s dificuldades de converso (elevao/diminuio) da tenso em CC. No
entanto com o desenvolvimento da tecnologia (inversores), voltou-se a usar CC nas linhas de
transmisso. Atualmente usada corrente contnua em alta tenso (CCAT) na linha de
transmisso de Itaipu: 600 kV.

Componentes Eletrnicos

Os componentes eletrnicos so os atores no cenrio da eletrnica. Entre eles podemos


citar: os resistores, os capacitores, os indutores, os diodos, os transistores e outros mais. So os
componentes eletrnicos que transformam, transmitem, processam e armazenam energia de
acordo com a necessidade do projeto eletrnico. Logo mais ser discutido com mais detalhes as
caractersticas dos principais componentes.

Alguns componentes:

Resistor Indutor Capacitor Diodo

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Transistor

Medidas Eletrnicas

Segue algumas medidas usadas em eletrnica (Sistema Internacional de Unidades):

V = volt = medida de tenso eltrica ou diferena de potencial

A = ampre = medida de corrente eltrica

C = coulomb = medida de carga eltrica

s = segundo = medida de tempo

= ohm = medida de resistncia eltrica

S = siemens = medida de condutividade eltrica

J = joule = medida de energia

W = watt = medida de potncia

Hz = hertz = medida de frequncia

F = farad = medida de capacitncia

Wb = Weber = medida de fluxo magntico

H = henry = medida de indutncia

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Sinal Analgico

Sinal analgico um tipo de sinal contnuo que varia em funo do tempo. Sendo assim,
entre zero e o valor mximo, o sinal analgico passa por todos os valores intermedirios
possveis (infinitos), enquanto o sinal digital s pode assumir um nmero pr-determinado (finito)
de valores.
Exemplos de sinais analgicos:

Gravao de som
o Sistemas mecnicos
 Disco de vinil
o Sistemas magnticos
 Fio
 Fita
 Cassette
 Cartucho

Gravao de imagem
o Sistemas foto-qumicos
 Fotografia em pelcula
 Filme em pelcula
o Sistemas magnticos
 Fita magntica
 Cassette

Sinal Digital

Sinal Digital um sinal com valores discretos (descontnuos) no tempo e em amplitude.


Isso significa que um sinal digital s definido para determinados instantes de tempo, e que o
conjunto de valores que pode assumir finito.
Exemplos de sinais digitais:
MP3
CD
TV Digital
DVD
Celular (digital)

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Resistores

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1. Introduo:

Resistores so componentes eletrnicos cuja caracterstica apresentar resistncia


(oposio) passagem de corrente eltrica atravs de seu material e tm por funo principal
converter energia eltrica em energia trmica efeito Joule.

Aspecto Fsico: Simbologia:

Figura 1- Resistor Tpico Figura 2- Representao de resistores

Os tipos de resistores mais conhecidos so de fio e de filme:

Resistores de Fio:
Consiste de um tubo cermico sobre o qual enrolado certo comprimento de fio
altamente resistivo.

Figura 3- Resistores de Fio Figura 4- Composio de resistores de Fio

Resistores de Filme:
Consiste de um cilindro de porcelana recoberto de um filme de carbono ou metal
altamente resistivo, no qual se fazem sulcos para aumentar o seu comprimento.

Figura 5- Resistores de Filme

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Os resistores tambm podem ser classificados quanto a terem resistncia fixa ou


varivel:

Resistores Fixos:
So os resistores projetados para apresentar determinado valor de resistncia e so os
tipos apresentados acima. As resistncias desses resistores no variam.

Resistores Variveis:
Muitas vezes precisamos que o valor da resistncia varie (ex: quando se aumenta o
volume do rdio, varia a luminosidade da lmpada no painel do carro), nesses casos, deve-se
utilizar um resistor de resistncia varivel.
O resistor varivel um resistor cujo valor pode ser ajustado por um movimento
mecnico, por exemplo, rodando com a mo. Eles podem ser de volta simples ou de mltiplas
voltas com um elemento helicoidal. Alguns tm um display mecnico para contar as voltas.
Tradicionalmente, resistores variveis so no-confiveis, porque o fio ou o metal podem
se corroer ou desgastar. Alguns resistores variveis modernos usam materiais plsticos que no
corroem.
Os tipos de resistores variveis so:

a) Reostato:
um resistor varivel com dois terminais, sendo um fixo e outro deslizante. Geralmente
so utilizados com alta corrente.

Figura 6- Reostato de alavanca Figura 7- Reostato Toroidal

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b) Potencimetro:
um tipo de resistor varivel comum, muito utilizado para controlar o volume em
amplificadores de udio. Os potencimetros, em geral, no suportam correntes eltricas altas,
sendo comumente utilizados em aplicaes de eletrnica.

Figura 8- Potencimetros

Simbologia de reostato e potencimetro:

c) Metal xido Varistor (M.O.V.):


um tipo especial de resistor que tem dois valores de resistncia muito diferentes, um
valor muito alto quando sujeito a baixas tenses (abaixo da tenso especfica do varistor) e outro
valor baixo de resistncia quando submetido a altas tenses (acima do valor de tenso
especfica do varistor). Ele usado geralmente para proteo contra curtos-circuitos em
extenses ou pra-raios usados nos postes de ruas, ou como trava em circuitos eletromotores.

Figura 9- Varistores

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d) Termistor PTC:
um resistor dependente de temperatura com coeficiente de temperatura positivo.
Quando a temperatura se eleva a resistncia do PTC aumenta. PTCs so frequentemente
encontrados em televisores, em srie com a bobina desmagnetizadora, l so usados para
prover um curto pico de corrente nas bobinas quando o aparelho ligado.

e) Termistor NTC:
Tambm um resistor dependente da temperatura, mas com coeficiente negativo.
Quando a temperatura aumenta, a resistncia do NTC cai. Eles so frequentemente usados em
detectores simples de temperatura e instrumentos de medidas.

Figura 10- Smbolo de termistores

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2. Primeira Lei de Ohm:

A medio crtica de um resistor a resistncia, que relaciona a tenso VR aplicada


sobre o resistor com a corrente IR que o atravessa.

Figura 11- Circuito

Pela primeira Lei de Ohm, temos que:

VR ,em que R medido


VR = R.I R R = (1. Lei de Ohm)
IR em (ohms).

Caso a relao entre VR e IR for linear, ou seja, VR / IR for constante, o que implica em R
constante, diz-se que o resistor hmico, tem grfico VR x IR semelhante ao plotado logo abaixo:

, em que tg = VR / IR = R

Grfico 1 Curava caracterstica de resistor hmico

3. Segunda Lei de Ohm:

A resistncia (de resistores fixos), por mais que se relacione com VR e IR, depende
apenas das caractersticas fsicas dos resistores e expressa da seguinte forma:

L
R= (2. Lei de Ohm)
A

Figura 12- Representao de resistores

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Em que em que a resistividade do material, L o comprimento e A a rea da seo


transversal. A resistividade uma caracterstica prpria de cada material.

4. Associao de resistores:

4.1. Associao Srie:

Na associao em srie, a resistncia equivalente Req igual soma das resistncias


dos resistores pertencentes ao ramo srie.

Figura 13 - Associao de resistores em srie

4.2. Associao em Paralelo:

Na associao em paralelo, o inverso da resistncia equivalente Req igual soma dos


inversos das resistncias dos resistores do ramo paralelo.

Figura 14 - Associao de resistores em paralelo

5. Efeito Joule:

Um resistor de resistncia R, quando atravessado por uma corrente I, converte uma


parcela da energia eltrica que o atravessa em energia trmica. A potncia Pd dissipada pelo
resistor expressa por:

V2
Pd = R.I = = V .I
2

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6. Divisor de Tenso:

Uma das principais aplicaes de resistores em circuitos eltricos , alm de limitar o


valor da corrente, funcionar como um divisor de tenso.
Caso tenha-se uma fonte que fornea uma tenso maior que a suportada por uma dada
carga, pode-se utilizar de um artifcio com dois resistores escolhidos de tal forma a ter-se a
queda de tenso em um dos resistores igual ao valor da alimentao ideal para a referida carga,
como mostra a figura:

R1
a

V R2

0
Figura 15 Circuito resistivo

Suponha que se tem uma carga que funciona quando alimentada com uma tenso de
12V. A nica fonte de alimentao disponvel fixa e tem valor de tenso de sada igual a 20V.
Como fazer para utilizar essa carga com esta fonte de alimentao? Uma sada seria fazer um
divisor de tenso: escolhe-se dois resistores, R1 e R2, de tal forma que a queda de tenso VR1
sobre o resistor R1 seja de 8V e a queda de tenso VR2 sobre o resistor R2 seja de 12V. Com
isso, pode-se ligar a carga em paralelo com o resistor R2 (de acordo com a figura acima, ligaria a
carga com um dos terminais no ponto a e o outro no ponto b).
Para determinar a tenso sobre um dos resistores do divisor de tenso, sabendo-se os
valores das resistncias R1 e R2, basta aplicar as seguintes frmulas:

6.1. Tenso VR1 sobre o resistor R1:

R1
VR1 = V fonte
R1 + R 2

Figura 16 Circuito resistivo

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6.2. Tenso VR2 sobre o resistor R2:

R2
VR 2 = V fonte
R1 + R 2
Figura 17 - Circuito resistivo

7. Tenso e Corrente Senoidais aplicadas sobre um Resistor (defasagem zero):

Ao aplicar uma tenso v senoidal a um resistor, aparecer sobre ele uma corrente i
tambm senoidal e em fase com a tenso v, ou seja, quando v atingir o valor mximo, i atingir
tambm o valor mximo e quando v atingir o valor mnimo, i tambm estar no ponto de valor
mnimo, como ilustra o grfico 2.

V+
V
VAMPL = 3V 5 I

V-
0
Figura 18 - Resistor de 5 alimentado por uma fonte senoidal de 3Vpico

4.0
v max

3.0

2.0

i max
1.0
i min

-1.0

-2.0

-3.0

v min
-4.0
0s 0.1ms 0.3ms 0.5ms 0.7ms 0.9ms 1.1ms 1.3ms 1.5ms 1.7ms 1.9ms
V(R3:2,0) -I(R3)
Time
Grfico 2 - Tenso (onda de maior amplitude) e corrente em fase, medidos no resistor do circuito da fig.18.

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8. Leitura de valores nominais de resistncia de resistores:

Os resistores fixos so normalmente fabricados com as seguintes potncias


mximas de dissipao, utilizando-se como elemento resistivo uma pelcula metlica ou
de carbono:

1
/8 W (125 mW) W (250 mW) W (500 mW) 1W 2W

Para potncias maiores que 2W, utiliza-se como elemento resistivo um


fio metlico, razo pela qual so conhecidos como resistores de fio. Nestes
casos o tamanho do componente permite que o valor hmico seja impresso no
corpo do componente. A potncia nominal a potncia mxima que o resistor
poder dissipar sem se danificar e supondo que a temperatura ambiente
inferior a 70 C.
Os resistores comerciais podem ser fabricados com resistncia na faixa
de 0,47 a 15 M.

comum que os valores hmicos sejam especificados pelos fabricantes


e fornecedores de forma estranha ao que se usa em linguagem cientfica.
Assim, por exemplo, utiliza-se a letra R em vez do smbolo de ohm () e o
prefixo multiplicador no meio dos nmeros. Apesar de comumente usado pelo
comrcio, este tipo de especificao est em desacordo com as regras do
Sistema Internacional de Unidades (SI) e deve ser evitada em textos tcnicos.
Alguns exemplos:
1R um resistor de 1
1R2 um resistor de 1,2
1K2 um resistor de 1,2 k, ou 1,2 102
1M2 um resistor de 1,2 M, ou 1,2 106

Nas baixas potncias, o valor hmico fornecido atravs de um cdigo


utilizando faixas coloridas. Para resistores com tolerncia de 10 %, 5 % e
2 % utilizam-se quatro faixas coloridas. Para resistores com tolerncia de
1%, so cinco faixas coloridas, para incluir um terceiro dgito (maior
preciso) correspondente a terceira faixa, conforme mostrado na figura abaixo.

Exemplo da leitura da resistncia de um resistor pelo cdigo de cores

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Figura 19 Representao de faixas do diodo para leitura

Cor 1 2 Fator Multiplicativo (Potncia de 10) Tolerncia


Preto 0 0 x1 ----
Marrom 1 1 x 10 1%
Vermelho 2 2 x 100 2%
Laranja 3 3 x 1.000 ----
Amarelo 4 4 x 10.000 ----
Verde 5 5 x 100.000 ----
Azul 6 6 x 1.000.000 ----
Violeta 7 7 ---- ----
Cinza 8 8 ---- ----
Branco 9 9 ---- ----
Dourado -- -- x 0,01 5%
Prateado -- -- x 0,1 10%
Sem cor -- -- ---- 20%
Tabela 1 tabela cores para leitura de resistores

9. Valores Comerciais de Resistores:

Resistores comerciais

1.0ohm 1.1ohm 1.2ohm 1.3ohm


1.5ohm 1.6ohm 1.8ohm 2.0ohm
2.2ohm 2.4ohm 2.7ohm 3.0ohm
3.3ohm 3.6ohm 3.9ohm 4.3ohm
4.7ohm 5.1ohm 5.6ohm 6.2ohm

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1.0ohm 1.1ohm 1.2ohm 1.3ohm


6.8ohm 7.5ohm 8.2ohm 9.1ohm
Tabela 2 Valores comerciais de resistores

Para obter os demais valores basta multiplicar por: 10, 102, 103 (K), 104, 105, 106 (M)...

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CAPACITORES

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Capacitores
Um capacitor um dispositivo eltrico formado por duas placas condutoras de metal
separadas por um material isolante chamado dieltrico, conforme mostrado na Figura 20. Os
smbolos mais comuns na representao de capacitores em esquemas de circuitos eltricos so
mostrados na Figura 21.

Figura 20 - Capacitor tpico Figura 21 - Smbolos esquemticos

O capacitor um armazenador de cargas que armazena energia no dieltrico na forma


de campo eltrico. As duas placas do capacitor da Figura 20 so eletricamente neutras uma vez
que existe o mesmo nmero de prtons (carga positiva) e de eltrons (carga negativa) em cada
placa. Portanto, o capacitor no possui carga. Agora, ligamos uma bateria s placas, fechando a
chave S1 no circuito da Figura 22. Desta forma, a carga negativa da placa A atrada para o
terminal positivo da bateria, enquanto a carga positiva da placa B atrada para o terminal
negativo da bateria. Esse movimento de cargas continua at que a diferena de cargas entre as
placas A e B seja igual fora eletromotriz (tenso) da bateria. Agora, o capacitor est
carregado. Como praticamente nenhuma carga pode cruzar a regio entre as placas, o capacitor
permanecer nesta condio mesmo que a bateria seja retirada (Figura 23). Entretanto, se for
colocado um condutor atravs das placas (o que corresponde ao fechamento da chave S2
mostrado Figura 24), os eltrons encontram um caminho para retornarem placa A e as cargas
em cada placa so novamente neutralizadas. O capacitor est agora descarregado.

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Figura 22 - Capacitor conectado bateria

Figura 23 - O capacitor permanece carregado quando desconectado da bateria

Figura 24 - Um curto-circuito entre as placas do capacitor o descarrega

As propriedades eltricas dos capacitores dependem da distncia de separao das


placas, da rea das placas e do tipo de dieltrico utilizado. Dentre estas propriedades podemos
citar capacitncia, reatncia, valor mximo de tenso etc.

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Eletricamente, a capacitncia a capacidade de armazenamento de carga eltrica. A


capacitncia igual razo quantidade de carga que pode ser armazenada num capacitor pela
tenso aplicada s placas.
Q
C= (1)
V
Onde C = capacitncia, dada em [F]
Q = quantidade de carga, dada em [C]
V = tenso, dada em [V]

A Eq. (1) pode ser reescrita na forma:


Q = CV (1.1)
Q
V= (1.2)
C
A unidade da capacitncia o farad, [F]. O farad a capacitncia que armazena um
Coulomb de carga no dieltrico quando a tenso aplicada aos terminais do capacitor de um
volt.
A caracterstica do dieltrico que descreve a sua capacidade de armazenar energia
eltrica chamada de constante dieltrica. Como referncia, usa-se o ar com constante
dieltrica igual a 1. Exemplos de dieltricos utilizados na construo de capacitores so Teflon,
papel, mica, baquelite e cermica. Valores da constante dieltrica para alguns materiais esto
tabelados na tabela abaixo.

Material k
gua destilada 81
lcool etlico 5,0 54,6
Baquelite 4,5 5,5
Mica 5,7
Papel 1,7 3,8
Porcelana 4,4
Quartzo 4,7 5,1
Tabela 3 Valores da constante dieltrica de alguns materiais

Para um capacitor de placas planas paralelas, a capacitncia dada por:


A
C=k (8.85 10 12 ) (2)
d

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Onde C = capacitncia, dada em [F]


k = constante dieltrica do material isolante
A = rea da placa, dada em [m2]
d = distncia entre as placas, dada em [m]
Como para a maioria dos capacitores 1 farad uma unidade muito grande para indicar
sua capacitncia, comum utilizarmos os submltiplos como micro-farad (F), igual a um
milionsimo do farad (10-6 F), o nano-farad (nF), igual a um bilionsimo do farad (10-9 F) e o pico-
farad (pF), igual a um milionsimo do micro-farad (10-6 F = 10-12 F).

Tipos de capacitores

Os capacitores so denominados de acordo com o dieltrico que possuem. Dentre os


mais comuns esto os capacitores de ar, mica, papel e cermica, alm dos capacitores
eletrolticos. Com exceo dos eletrolticos e de alguns cermicos, os capacitores em geral no
possuem polaridade, ou seja, no possuem terminal positivo ou negativo. Quando trabalhamos
com capacitores com polaridade, devemos ficar atentos forma de lig-los ao circuito. O
terminal negativo do capacitor deve ser ligado a um ponto derivado do terminal negativo da
fonte. A tabela abaixo apresenta alguns tipos de capacitores e suas correspondentes faixas de
capacitncia.
Dieltrico Faixa de capacitncia
Ar 10 400 pF
Mica 10 5000 pF
Papel 0.001 1uF
Cermica 0.5 pF 0.1 uF
Eletroltico 0.01 300 uF
Tabela 4 Tipos de capacitores e suas correspondentes faixas de capacitncia

Associao de capacitores

A associao de capacitores se d de forma contrria associao de resistores, ou


seja:

Associao em srie

1 1 1 1 1
= + + + ... + (3)
CT C1 C 2 C 3 Cn

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onde
CT = capacitncia total
Cn = capacitncia do capacitor n
Desta expresso, deriva a expresso para o clculo da capacitncia de dois capacitores
em srie:
C1C 2
CT = (4)
C1 + C 2

Figura 25 - Associao em srie de capacitores

Associao em paralelo
A associao em paralelo consiste simplesmente na soma das capacitncias de cada
capacitor
CT = C1 + C 2 + C 3 + ... + C n (5)

Figura 26 - Associao em paralelo de capacitores

Reatncia capacitiva

Assim como o resistor, o capacitor oferece uma oposio passagem de corrente,


denominada reatncia capacitiva, medida em ohms (). A reatncia capacitiva dada pela
seguinte equao:
1
XC = (6)
2fC

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onde XC = reatncia capacitiva, []


f = freqncia, [Hz]
C = capacitncia, [F]
A tenso e a corrente num circuito contendo apenas reatncia capacitiva podem ser
relacionadas pela lei de Ohm, substituindo-se a resistncia pela reatncia capacitiva, da seguinte
forma:
VC = X C I C
VC
IC =
XC
VC
XC =
IC
onde IC = corrente que passa pelo capacitor, [A]
VC = tenso atravs do capacitor, [V]
XC = reatncia capacitiva, []

Circuitos capacitivos:

Somente capacitncia (circuito puramente capacitivo)


Quando uma tenso alternada (CA) aplicada a um circuito que possui somente uma
capacitncia, a corrente CA que passa pela capacitncia adiantada em relao tenso em
90 (vide Grfico 3). Isto explicado pela tendncia do capacitor de se opor variao de
tenso, que consequentemente, atrasada de 90 em relao corrente. A notao mais
comumente utilizada que as letras minsculas representam valores alternados (instantneos) e
as letras maisculas representam valores contnuos.

Grfico 3 - Defasagem entre tenso e corrente no circuito puramente capacitivo

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Circuito RC srie:
A associao de resistores com elementos reativos (capacitores e indutores) denominada
impedncia. A impedncia pode ser compreendida como sendo a oposio passagem de
corrente, formada por uma parte real (resistncia) e uma parte imaginria (reatncia). A forma
geral da impedncia a seguinte:
Z&= R + j ( X L X C ) [] (7)

importante notar que a reatncia indutiva consiste no fator positivo da parte imaginria, ao
contrrio da reatncia capacitiva (fator negativo). Por enquanto, consideraremos um circuito sem
reatncia indutiva, no qual a impedncia dada por:

Z&= R jX c (8a)

ou na forma polar:

Z&= R 2 + X C2 arctg ( C
X
) (8b)
R
conforme mostra a Figura 27.

Figura 27 - Circuito RC srie


Como o resistor e o capacitor esto em srie, sabemos que a corrente que atravessa os
dois a mesma:
V&
I&=
Z&

Circuito RC paralelo:
Para o circuito RC paralelo devemos notar que a impedncia equivalente do circuito
dada pela associao em paralelo da resistncia com a reatncia capacitiva:
( R + j 0)(0 jX C )
Z&= R&// X&C =
R jX C

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onde Z = impedncia equivalente


R = resistncia
XC = reatncia capacitiva

Figura 28 - RC paralelo

Para o circuito acima, as correntes so dadas por:


V&
I& =
Z&
T

V&= V&C = VR
&
V&
C = &
I&
X C

V&
I&R =
R&
onde IT = corrente total do circuito
V = tenso aplicada ao circuito
VC = tenso aplicada ao capacitor
VR = tenso aplicada ao resistor
IC = corrente que circula pelo capacitor
IR = corrente que circula pelo resistor

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INDUTORES

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Indutores
O indutor o elemento passivo que armazena energia magntica enquanto flui uma
corrente por seus terminais. A propriedade de armazenamento de energia magntica
denominada indutncia e depende das caractersticas construtivas do indutor (material,
dimenses, nmero de espiras etc.). A quantidade de energia armazenada por um indutor
depende da intensidade da corrente e da indutncia do material. O indutor perfeito se ope s
variaes instantneas de corrente (enquanto o capacitor se ope s variaes de tenso)
atrasando-a de 90 em relao tenso.
Para melhor entender o funcionamento do indutor, importante lembrarmos o enunciado
da Lei de Lenz:
Quando um condutor submetido ao de um campo magntico varivel, induzida neste
condutor uma corrente eltrica de sentido tal, que gera uma oposio variao do campo.
A Lei de Faraday estabelece que a intensidade da fora eletromotriz (tenso) induzida
entre os terminais de um condutor aberto (Figura 29) exposto a um campo magntico varivel
igual taxa de variao no tempo do fluxo magntico:

Figura 29 - Indutor
dB
V =
dt

onde B o fluxo magntico ( B = B.a, sendo B o campo magntico e a a rea das


espiras).
A energia armazenada por um indutor depende diretamente da indutncia, e pode ser
dada por:
1
U= L I 2 (9)
2
Onde L a indutncia.
Como mencionado anteriormente, a indutncia depende de valores construtivos do
indutor, sendo dada pela equao abaixo:

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Figura 30 - Indutor com dimenses consideradas

L = 0 n 2la (10)

Onde n = nmero de espiras por unidade de comprimento;


l = comprimento;
a = rea da seo transversal das espiras;
0 = constante de permeabilidade magntica no vcuo.

Associao de indutores

Associao srie

Figura 31 - Associao em srie de indutores

A indutncia equivalente de uma associao em srie de indutores dada pela soma


das indutncias de cada indutor:

LEQ = L1 + L2 + L3 + ... + Ln (11)

Associao em paralelo

Figura 32 - Associao em paralelo de indutores

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A indutncia equivalente de uma associao em paralelo de indutores dada pelo inverso da


soma de cada indutncia invertida:
1 1 1 1 1
= + + + ... + (12)
LEQ L1 L2 L3 Ln

As equaes acima desprezam os efeitos que os campos magnticos de cada indutor


produzem sobre os indutores adjacentes.

A relao tenso corrente do indutor

J sabemos que o indutor se ope variao instantnea de corrente. Esta oposio


manifestada pela variao instantnea de tenso em seus terminais, de modo a neutralizar a
variao de corrente. As equaes para tenso e corrente no indutor so:
di (t )
v(t ) = L
dt
t
1
i (t ) = v(t )dt + i (t0 )
L t0

Reatncia Indutiva

Similarmente ao capacitor, o indutor tambm oferece uma oposio passagem de


corrente, denominada reatncia indutiva, dada por:
X L = 2 fL (13)
Onde XL = retncia indutiva;
f = freqncia da fonte;
L = indutncia;

Circuitos Indutivos

Circuito puramente indutivo

Figura 33 - Circuito puramente indutivo


Para o circuito puramente indutivo, a corrente est atrasada de 90 em relao tenso.
A corrente dada por:
V&
I&=
X& L

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Circuito RL srie

Figura 34 - Circuito RL srie

A corrente total est atrasada em relao tenso de um ngulo . No resistor, a corrente e


a tenso esto em fase. No indutor, a corrente est atrasada em relao tenso de 90. A
impedncia do circuito dada por:
Z&= R + jX L
A corrente e as tenses:

V& & &


I& = = IR = IL
Z&
T

R = R I = RI
V& &&

L = X L I = X L I 90 +
V& & & o

Circuito RL paralelo
Devemos calcular a impedncia equivalente da associao em paralelo:

Figura 35 - Circuito RL paralelo

( R + j 0)(0 + jX L )
Z&EQ =
R + jX L
As tenses sero iguais no resistor, no indutor e na fonte.

R = VL = V
V& & &
V& & &
T = & = IR + IL
I&
Z EQ

V&
I&R =
R&
V&
I&L =
X& L

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Transformadores

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Transformadores
Princpio de Funcionamento

O funcionamento do transformador explicado atravs da Lei de Faraday da Induo


Eletromagntica, que nos diz que quando um circuito atravessado por uma corrente varivel
produzido um campo magntico varivel e a variao do fluxo magntico ( ) atravs de um
circuito fechado ( uma espira, por exemplo ) produz corrente eltrica.

O fluxo magntico definido como a quantidade de linhas do campo magntico externo que
atravessam uma dada rea, no caso de um circuito fechado a sua rea. A diferena de potencial
( V ) gerada pela variao do fluxo magntico corresponde a:


V =
t
O sinal negativo est associado ao sentido da corrente induzida. Esta deve ser tal que o
campo magntico por ela produzido se oponha variao de fluxo magntico externo, que a
produziu. Este resultado uma conseqncia da conservao da energia e conhecida como
Lei de Lenz.

Lei de Lenz: O sentido da corrente induzida tenta contrariar a variao do campo magntico
externo.

A causa do aparecimento da corrente eltrica est relacionada fora magntica sobre uma
carga em movimento imersa em um campo magntico. A compreenso desta relao pode ser
melhor obtida analisando a situao abaixo:

Figura 36 - interao de campo magntico

Os smbolos representam o campo magntico saindo do plano da folha (o smbolo


representa o caminho contrrio, ou seja os vetores entrando no plano). A figura mostra um trilho
feito por um fio condutor fixo e uma barra condutora mvel fechando o circuito, que est imerso

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no campo magntico B . Na figura acima a fora est sendo representada para um eltron,
devido isso ela est em sentido contrrio do que deveria estar seguindo-se a regra da mo
esquerda.

O transformador um conversor de energia eletromagntica, cuja operao pode ser


explicada em termos do comportamento de um circuito magntico excitado por uma corrente
alternada. Consiste de duas ou mais bobinas de mltiplas espiras enroladas no mesmo ncleo
magntico, isoladas deste.Uma tenso varivel aplicada bobina de entrada (primrio) provoca
o fluxo de uma corrente varivel, criando assim um fluxo magntico varivel no ncleo. Devido a
este induzida uma tenso na bobina de sada (ou secundrio). No existe conexo eltrica
entre a entrada e a sada do transformador.

Transformador Ideal

Um transformador ideal, como apresentado na figura abaixo, deve respeitar as seguintes


premissas:
1. Todo o fluxo deve estar confinado ao ncleo e enlaar os dois enrolamentos;
2. As resistncias dos enrolamentos devem ser desprezveis;
3. As perdas no ncleo devem ser desprezveis;
4. A permeabilidade do ncleo deve ser to alta que uma quantidade desprezvel de
fmm necessria para estabelecer o fluxo.

Figura 37 - Transformador Ideal

Normalmente em um transformador real os dois enrolamentos so colocados juntos


abraando o mesmo fluxo. Para maior clareza, representa-se na figura acima os enrolamentos
primrios e secundrios separados, embora o fluxo seja o mesmo para ambos.

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O fluxo f que enlaa os enrolamentos induz uma Fora Eletromotriz (FEM) nestes (e1 e
e2 da figura 37). Onde E1 e E2 so os valores eficazes das tenses induzidas e1 e e2
Dividindo-se as equaes tem-se:

e2 E2 N 2
= =
e1 E1 N1

Ou seja, as tenses esto entre si na relao direta do nmero das espiras dos
N2
respectivos enrolamentos. A razo a = denominada relao de espiras.
N1
Logo o transformador, utilizando o enrolamento de baixa tenso como primrio, constitui
um transformador elevador de tenso.
A figura abaixo apresenta o transformador ideal agora com uma carga Z 2 conectada ao
secundrio.

Figura 38 - Transformador Ideal com Carga

O fato de se colocar a carga Z 2 no secundrio far aparecer uma corrente I tal que:

V2
I= . Esta corrente ir produzir uma fora magnetomotriz (FMM) F = N 2 I 2 no sentido
Z2

mostrado na figura 2. Uma fora magnetomotriz (FMM) F = N1 I1 de mesmo valor mas

contrria a F deve aparecer no enrolamento 1 para que o fluxo no varie. Desta maneira tem-se:
F1 = N 2 I 2 = N1 I1 = F2 , ou seja,

I1 N 2
=
I 2 N1

O que indica que as correntes no primrio e secundrio de um transformador ideal esto


entre si, na relao inversa do nmero de espiras.

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Levando-se em considerao o princpio da conservao de energia, se desprezarmos


todas as perdas podemos calcular a carga Z2 em relao ao primrio do transformador sabendo
V2
que Z 2 = .
I2

Tipos de Transformadores

Transformador de Potencial

Caractersticas Particulares:
um mquina eltrica utilizada para adequar uma determinada tenso que se deseja obter
tendo-se uma diferente fornecida. Um transformador constitudo de um ncleo ferromagntico.
Sua aplicao diversa, como, por exemplo, na sada de uma usina geradora de energia, na
qual o transformador de potencial eleva a tenso para com isso, diminuir a corrente e diminuir as
perdas por efeito Joule no fio que estar transportando eletricidade. Esta elevao de tenso
proporcionar uma diminuio de custos da transmisso e uma melhor eficincia do processo.
Ao chegar s cidades, tm-se transformadores abaixadores que reduzem a tenso ao valor
desejado para o consumo. Encontra-se transformadores de potencial, tambm, em muitos
equipamentos eletrnicos, nos quais eles abaixam a tenso para adequ-la a um valor
conveniente que alimente o circuito.

O funcionamento de um transformador ocorre devido ao campo magntico varivel


produzido pela corrente ou tenso alternada aplicada no enrolamento primrio. O fluxo deste
campo se concentrar no ncleo ferromagntico devido a permeabilidade magntica ser bem
maior que a do ar (meio externo) e, conseqentemente, a relutncia do ncleo ser bem menor. O
campo magntico induzir uma fora eletromotriz no enrolamento secundrio que depender do
nmero de espiras e da freqncia e intensidade do fluxo magntico. A relao entre o nmero
de espiras, a corrente e a tenso num ncleo sem entreferro e derivao central dada por:

V1 N 1 I 2
= =
V2 N 2 I 1

Transformador abaixador de tenso - A tenso de entrada maior que a tenso de


sada e entre as duas h uma relao de proporo com o nmero de espiras em cada
enrolamento.

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Transformador elevador de tenso - A tenso de entrada menor que a tenso de sada


e entre as duas h uma relao de proporo com o nmero de espiras em cada
enrolamento.

Deve-se fazer um clculo da potncia do transformador para no haver mau funcionamento


do circuito ou queima de algum componente ou mesmo do transformador. Logo, a potncia do
transformador ter que ser, no mnimo, igual a soma de todas as potncias dos componentes ou
do aparelho que ser acoplado ao transformador.

Tipos de Enrolamentos

Auto-Transformador:

O autotransformador um transformador cujos enrolamentos primrio e secundrio tem


certo numero de espiras em comum, ou dependendo do tipo, primrio e secundrio formam um
nico enrolamento. A figura abaixo representa a simbologia de um auto-trafo.

Figura 39- Auto-Transformador


Como o autotransformador possui uma ligao fsica entre os enrolamentos, a transferncia
de energia entre eles no ocorre somente por induo eletromagntica, mas tambm pelo
contato fsico entre as bobinas. Essa tcnica permite que se extraia maior potencia do dispositivo
em um tamanho menor do que se ele fosse um transformador convencional (com os
enrolamentos isolados). Porm, sua desvantagem a falta de isolao entre a rede e a carga.

Transformador isolador ou de proteo

Possui dois enrolamentos, um para o primrio e outro para o secundrio em que estes esto
eletricamente separados.

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Figura 40 - Transformador Isolador ou de Proteo

Transformador regulador

Possui dois enrolamentos, um para o primrio e outro para o secundrio, sendo que este
possui vrias derivaes.

Figura 41 - Transformador Regulador

Transformador de Corrente:

Caractersticas Particulares:
Transformador de corrente aquele que dentro de limites pr-estabelecidos mantm
constante a corrente dentro do secundrio, independentemente das variaes da
resistncia deste circuito e da tenso no circuito primrio. Uma das aplicaes mais
comuns do TC na instrumentao.

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Semicondutores

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A Estrutura do tomo

O tomo formado basicamente por 3 tipos de partculas elementares: Eltrons, prtons


e nutrons. A carga do eltron igual a do prton, porm de sinal contrrio. Os eltrons giram
em torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num total de at sete camadas. Em
cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente ela que participa
das reaes qumicas
Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de
tomos, diferenciados entre si pelo seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada material
tem uma infinidade de caractersticas, mas uma especial em eletrnica o comportamento
passagem de corrente. Pode-se dividir em trs tipos principais:

Materiais Condutores de Eletricidade

So materiais que no oferecem resistncia a passagem de corrente eltrica. Quanto


menor for a oposio a passagem de corrente, melhor condutor o material. O que caracteriza o
material bom condutor o fato de os eltrons de valncia estarem fracamente ligados ao tomo,
encontrando grande facilidade para abandonar seus tomos e se movimentarem livremente no
interior dos materiais. O cobre, por exemplo, com somente um eltron na camada de valncia
tem facilidade de ced-lo para ganhar estabilidade. O eltron cedido pode tornar-se um eltron
livre.

Materiais Isolantes

So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a passagem da


corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seu tomos, sendo que
poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos para se transformarem em eltrons
livres. Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substncias compostas (borracha,
mica, baquelita, etc.).

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Material Semicondutor

Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como exemplo temos
o germnio e silcio

Estudo dos Semicondutores

Os tomos de germnio e silcio tem uma camada de valncia com 4 eltrons. Quando
os tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si, formam uma estrutura cristalina, ou seja,
so substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura ordenada.
Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro outros tomos vizinhos, por meio de ligaes
covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo compartilhado com um
tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons.

Figura 42 - Estrutura atmica de Semicondutores

Se nas estruturas com germnio ou silcio no fosse possvel romper a ligaes


covalentes, elas seriam materiais isolantes. No entanto com pouco fornecimento de energia as
ligaes so capazes de se romper, temos um exemplo onde que com o aumento da
temperatura algumas ligaes covalentes recebem energia suficiente para se romperem,
fazendo com que os eltrons das ligaes rompidas passem a se movimentar livremente no
interior do cristal, tornando-se eltrons livres.

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Figura 43 - Estrutura atmica de Semicondutores apresentando eltrons livres

Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia,
passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um eltron o
abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna, sendo tambm conhecida como
buraco. As lacunas no apresentam existncia real, pois so apenas espaos vazios provocados
por eltrons que abandonam as ligaes covalentes rompidas.
Sempre que uma ligao covalente rompida, surgem simultaneamente um eltron e
uma lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de uma lacuna,
completando a ligao covalente (processo de recombinao). Como tanto os eltrons como as
lacunas sempre aparecem e desaparecem aos pares, pode-se afirmar que o nmero de lacunas
sempre igual a de eltrons livres.
Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena de potencial, os
eltrons livres se movem no sentido do maior potencial eltrico e as lacunas por conseqncia
se movem no sentido contrrio ao movimento dos eltrons.

Impurezas

Os cristais de silcio (ou germnio. Mas no iremos consider-lo, por simplicidade e


tambm porque o silcio de uso generalizado em eletrnica) so encontrados na natureza
misturados com outros elementos. Dado a dificuldade de se controlar as caractersticas destes
cristais feito um processo de purificao do cristal e em seguida injetado atravs de um
processo controlado, a insero proposital de impurezas na ordem de 1 para cada 106 tomos
do cristal, com a inteno de se alterar produo de eltrons livres e lacunas. A este processo de
insero d-se o nome de dopagem.
As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois
tipos: impurezas doadoras e impurezas aceitadoras.

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Impurezas Doadoras

So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de valncia. Ex.:


Fsforo e Antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do
cristal absorvendo as suas quatro ligaes covalentes, e fica um eltron fracamente ligado ao
ncleo do pentavalente (uma pequena energia suficiente para se tornar livre).

Figura 44 - Estrutura atmica de Semicondutores com impureza doadora

Impurezas Aceitadoras

So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia. Ex.: Boro,


alumnio e glio). O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal
absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto significa que existe uma lacuna na
rbita de valncia de cada tomo trivalente.

Figura 45 - Estrutura atmica de Semicondutores com impureza aceitadora

Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou excesso de
lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores:

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Semicondutor Tipo P

O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo p, onde
p est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons livres num
semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltrons livres,
portadores minoritrios.

Semicondutor Tipo N

O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo n, onde n
est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as lacunas num
semicondutor tipo n, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as lacunas, portadores
minoritrios.

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Diodos

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A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que um
dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.
.

Figura 46 - Juno pn

Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas direes,


alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna
desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente. (um on negativo)

Figura 47 - Camada de depleo

Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ions esto fixo
na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ions aumenta,
a regio prxima juno fica sem eltrons livres e lacunas. Chamamos esta regio de camada
de depleo.
Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a
continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com
cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. A diferena de potencial
atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. A 25, esta barreira de
0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.
O smbolo mais usual para o diodo mostrado a seguir:

Figura 48 - Smbolo de um Diodo

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Polarizao do Diodo

Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades.


Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo positivo
da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo em contato com o
material tipo n.

Polarizao Direta

No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e empurrado para a


juno. No material tipo p as lacunas tambm so repelidas pelo terminal e tendem a penetrar na
juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo livre de eltrons a tenso da
bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleo.

Polarizao Reversa

Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo
no material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica polarizada inversamente. No
material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da juno. Fato
anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos dizer que a bateria aumenta a
camada de depleo, tornando praticamente impossvel o deslocamento de eltrons de uma
camada para outra.

Curva Caracterstica de um Diodo

A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso


aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.

Polarizao Direta

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Figura 49 - diodo polarizado diretamente Grfico 4 polarizao direta do diodo

Nota-se pela curva que o diodo ao contrrio de, por exemplo, um resistor, no um
componente linear.

Tenso de Joelho

Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se


ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do potencial da barreira, os
eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes quantidades. A tenso
para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso de joelho. ( No Si
aprox. 0,7V).

Polarizao Reversa do Diodo

Figura 50 - polarizao reversa do diodo Grfico 5 - curva de polarizao reversa

O diodo polarizado reversamente, passa uma corrente eltrica extremamente pequena,


(chamada de corrente de fuga). Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo,
chega um momento em que atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo para diodo) a partir
da qual a corrente aumenta sensivelmente.

Obs.: Salvo o diodo feito para tal, os diodos no podem trabalhar na regio de ruptura.

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Grfico Completo

Grfico 6 curva caracterstica de diodo

Aproximaes do Diodo

Ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessrio conhecer a curva do


diodo, mas dependendo da aplicao pode-se fazer aproximaes para facilitar os clculos.

1 Aproximao:
Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no sentido direto
e como um isolante perfeito no sentido reverso, ou seja, funciona como uma chave aberta.

Grfico 7 - curva do diodo ideal

2 Aproximao:
Leva-se em conta o fato de o diodo precisar de 0,7V para iniciar a conduzir.

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Grfico 8 - curva do diodo considerando a tenso reversa

Pensa-se no diodo como uma chave em srie com uma bateria de 0,7V.

3 Aproximao:
Na terceira aproximao considera a resistncia interna do diodo.

Grfico 9 - curva caracterstica do diodo considerando a resistncia interna

Retificadores de Meia Onda e Onda Completa

comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias de alimentao. Devido ao alto custo


de uma bateria se comparado com a energia eltrica, torna-se necessrio a criao de um
circuito que transforme a tenso alternada de entrada em uma tenso contnua compatvel com a
bateria. O diodo um componente importante nesta transformao.

Retificador de Meia Onda

O retificador de meia onda converte a tenso de entrada ca numa tenso pulsante


positiva UR. Este processo de converso de AC para cc, conhecido como retificao

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Figura 51 - Circuito Retificador de Meia Onda

Considerando o diodo como ideal, as curvas so as mostrada na figura abaixo. A sada


do secundrio tem dois ciclos de tenso: Um semiciclo positivo e um negativo. Durante o
semiciclo positivo o diodo est ligado no sentido direto e age como uma chave fechada e pela lei
das malhas toda a tenso do secundrio incide no resistor R. Durante o semiciclo negativo o
diodo est polarizado reversamente e no h corrente circulando no circuito. Sem corrente
eltrica circulando implica em no ter tenso sob o resistor e toda a tenso do secundrio fica no
diodo. Este circuito conhecido como retificador de meio ciclo porque s o semiciclo positivo
aproveitado na retificao.

Grfico 10 - curvas de retificadores de meia onda

Retificador de onda completa com TAP Central

A figura abaixo mostra um retificador de onda completa com tap central. Observe a
tomada central no enrolamento secundrio. Por causa dessa tomada, o circuito equivalente a
dois retificadores de meia onda. O retificador superior retifica o semiciclo positivo da tenso do
secundrio, enquanto o retificador inferior retifica o semiciclo negativo da tenso do secundrio.

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Figura 52 - Circuito Retificador de Onda Completa

As duas tenses denominadas de U2/2 mostradas so idnticas em amplitude e fase. O


transformador ideal pode ser, portanto, substitudo por duas fontes de tenso idnticas, como
mostra a figura acima direita, sem alterao no funcionamento eltrico da rede. Quando U2/2
positiva, D1 est diretamente polarizado e conduz mas D2 est reversamente polarizado e
cortado. Analogamente, quando U2/2 negativa, D2 conduz e D1 cortado.
A freqncia de sada de onda completa o dobro da freqncia de entrada, pois a
definio de ciclo completo diz que uma forma de onda completa seu ciclo quando ela comea a
repeti-lo. Na figura abaixo, a forma de onda retificada comea a repetio aps um semiciclo da
tenso do secundrio. Supondo que a tenso de entrada tenha uma freqncia de 60Hz, a onda
retificada ter uma freqncia de 120Hz e um perodo de 8,33ms.

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Grfico 11 curvas do retificador de onda completa

Retificador de Onda Completa em Ponte

Na figura a seguir mostrado um retificador de onda completa em ponte. Com o uso de


quatro diodos no lugar de dois, elimina-se o uso da tomada central do transformador.

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Durante o semiciclo positivo da tenso U2 o diodo D3 recebe um potencial positivo em


seu anodo, e o D2 um potencial negativo no catodo. Desta forma D2 e D3 conduzem, D1 e D4
ficam reversamente polarizado e o resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da tenso
U2.
Durante o semiciclo negativo da tenso U2, o diodo D4 recebe um potencial positivo em
seu anodo, e o diodo D1 um potencial negativo no catodo, devido inverso da polaridade de U2.
Os diodos D1 e D4 conduzem e os diodos D2 e D3 ficam reversamente polarizados.

Figura 53 - Circuito Retificador de Onda completa em Ponte

A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido. Portanto a tenso
UR sempre positiva. Na ilustrao a seguir mostrado as formas de ondas sobre o resistor de
carga e os diodos, considerando os diodos ideais.

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Grfico 12 curvas do retificador de onda completa em ponte

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Transistores

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Histria do Transistor

O transistor foi inventado nos Laboratrios da Beel Telephone em dezembro de 1947(e


no em 1948 como freqentemente dito) por Bardeen e Brattain.
Descoberto por assim dizer, (visto que eles estavam procurando um dispositivo de estado
slido equivalente vlvula eletrnica), acidentalmente durante os estudos de superfcies em
torno de um diodo de ponto de contato.
Os transistores eram, portanto do tipo "point-contact", e existe evidncia que Shockley, o
teorista que chefiava as pesquisas estava chateado porque esse dispositivo no era o que
estava procurando. Na poca, ele estava procurando um amplificador semicondutor similar ao
que hoje chamamos de "juno FET".
O nome transistor foi derivado de suas propriedades intrnsecas "resistor de
transferncia", em ingls: (TRANsfer reSISTOR). Os Laboratrios Bell mantiveram essa
descoberta em segredo at junho de 1948 (da a confuso com as datas de descobrimento).
Com uma estrondosa publicidade, eles anunciaram ao pblico suas descobertas, porem,
poucas pessoas se deram conta do significado e importncia dessa publicao, apesar de ter
sado nas primeiras pginas dos jornais.
Embora fosse uma realizao cientfica formidvel, o transistor no alcanou de imediato,
a supremacia comercial. As dificuldades de fabricao somadas ao alto preo do germnio, um
elemento raro, mantinham o preo muito alto. Os melhores transistores custavam 8 dlares
numa poca em que o preo de uma vlvula era de apenas 75 cents.

Figura 54 - Modelo de transistores

Shochley ignorou o transistor de ponto de contato e continuou suas pesquisas em outras


direes. Ele reorientou suas idias e desenvolveu a teoria do "transistor de juno".

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Em julho de 1951, a Bell anuncia a criao desse dispositivo. Em setembro de 1951 eles
promovem um simpsio e se dispem a licenciar a nova tecnologia de ambos os tipos de
transistores a qualquer empresa que estivesse disposta a pagar $25.000,00.
Este foi o incio da industrializao do transistor.
Muitas firmas retiraram o edital de licena. Antigos fabricantes de vlvulas eletrnicas, tais
como RCA, Raytheon, GE e indstrias expoentes no mercado como Texas e Transitron.
Muitas iniciaram a produo de transistor de ponto de contato, que nessa poca,
funcionava melhor em alta freqncia do que os tipos de juno. No entanto, o transistor de
juno torna-se rapidamente, muito superior em desempenho e mais simples e fcil de
fabricar.
O transistor de ponto de contato ficou obsoleto por volta de 1953 na Amrica e logo
depois, na Inglaterra.
Somente alguns milhares foram fabricados entre 120 tipos, muitos americanos (no
incluindo nestes nmeros, verses experimentais).
O primeiro transistor de juno fabricado comercialmente era primitivo em comparao
aos modernos dispositivos, com uma tenso mxima entre coletor-emissor de 6 volts, e uma
corrente mxima de poucos miliampres.
Particularmente notvel, foi o transistor CK722 da Raytheon de 1953, o primeiro
dispositivo eletrnico de estado slido produzido em massa disponvel ao construtor amador.
Vrios tipos de transistor foram desenvolvidos, aumentando a resposta de freqncia diminuindo
os nveis de rudo e aumentando sua capacidade de potncia.
Na Inglaterra, duas empresas mantiveram laboratrios de pesquisa no to adiantados
quanto na Amrica: Standard Telephones and Cables (STC) e a General Electric Company of
England "GEC", ( no tem relao com a GE americana).
Foram feitas pesquisas na Frana e Alemanha sem efeitos comerciais.
Em 1950, um tubaro entra nessa pequena lagoa: a PHILIPS holandesa atravs da
Mullard, sua subsidiaria inglesa, com uma planta completa para industrializar o transistor.
A meta da Philips era dominar 95% do mercado europeu, alcanando esse objetivo em poucos
anos. A srie "OC" de transistor dominou a Europa por mais de 20 anos.
Os antigos transistores eram feitos de germnio, um semicondutor metlico, porm logo
se descobriu que o silcio oferecia uma srie de vantagens sobre o germnio. O silcio era mais
difcil de refinar devido ao seu alto ponto de fuso, porm em 1955 o primeiro transistor de silcio
j era comercializado.

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A Texas Instruments foi uma das empresas que mais tomou parte no desenvolvimento
inicial dessa tecnologia, lanando uma srie de dispositivos conhecidos na poca pelas siglas
"900" e "2S".
A grande reviravolta veio em 1954, quando Gordon Teal aperfeioou um transistor de
juno feito de silcio.
O silcio, ao contrrio do germnio, um mineral abundante, s perdendo em
disponibilidade para o oxignio. Tal fato, somado ao aperfeioamento das tcnicas de produo,
baixou consideravelmente o preo do transistor. Isto permitiu que ele se popularizasse e viesse a
causar uma verdadeira revoluo na indstria dos computadores. Revoluo tal que s se
repetiria com a criao e aperfeioamento dos circuitos integrados.

O transistor

O transistor um componente eletrnico muito utilizado como comutador em Eletrnica


Digital (funcionamento na regio de corte e na de saturao). Na Eletrnica Analgica aparece,
sobretudo, como dispositivo linear (funcionamento na regio ativa).
alimentado por uma tenso constante entre 5 e 15 V (valores tpicos para transistores
como os utilizados no trabalho prtico). Os transistores baseados na tecnologia bipolar so
constitudos por 2 junes de material semicondutor pn com uma seco comum (a base).
Existem 2 tipos: NPN ou PNP conforme a base for do tipo p ou do tipo n (fig. 1). A matria prima
utilizada normalmente o Silcio (com menos freqncia o Germnio).

Figura 55 - Junes pnp e npn

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Montagens Bsicas do Transistor

Os transistores podem ser ligados em 3 configuraes bsicas


Base Comum (BC),
Emissor Comum (EC)
Coletor Comum (CC)

Figura 56 - Configuraes de Transistores

Essas denominaes (Comuns) relacionam-se aos pontos onde o sinal injetado e onde
retirado, ou ainda, qual dos terminais do transistor referncia para a entrada e sada de sinal.
As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm
denominadas emissor a terra, base a terra e coletor a terra.

Configuraes Bsicas:

Base Comum
Observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e retirado entre coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e sada do
sinal.

Figura 57 - Transistor Emissor comum

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Caractersticas:

Ganho de corrente (Gi): < 1


Ganho de tenso (GV ): elevado
Resistncia de entrada (RIN ): baixa
Resistncia de sada (ROUT ): alta

Emissor Comum

No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado entre coletor
e emissor.

Figura 58 - Transistor Base comum

Caractersticas:

Ganho de corrente (Gi): elevado


Ganho de tenso (GV) elevado
Resistncia de entrada (RIN) mdia
Resistncia de sada (ROUT) alta

Figura 59 - Placa Transistorizada soldada com prata


t

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Coletor Comum

A configurao coletor comum tambm conhecida como Seguidor de Emissor.O sinal de


entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de emissor.

Figura 60 - Transistor Coletor comum

Caractersticas:

Ganho de corrente (Gi): elevado


Ganho de tenso (GV): 1
Resistncia de entrada (RIN): muito elevada
Resistncia de sada (ROUT): muito baixa

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Regies de Funcionamento De Um Transistor

Grfico 13 regio de funcionamento de um transistor

A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a origem
e o joelho. A parte praticamente plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do
VCE no influencia no valor de IC.
IC mantm-se constante e igual a IB * CC. A parte final a regio de ruptura e deve ser
evitada.
Na regio de saturao o diodo coletor est polarizado diretamente. Por isso, perde-se o
funcionamento convencional do transistor, passa a simular uma pequena resistncia hmica
entre o coletor e emissor.
Na saturao no possvel manter a relao IC = IB * CC.
Para sair da regio de saturao e entrar na regio ativa, necessria uma polarizao
reversa do diodo coletor. Como VBE na regio ativa em torno de 0,7V, isto requer um VCE
maior que 1V.
A regio de corte um caso especial na curva IC x VCE. quando IB =0 (equivale ao
terminal da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base aberto designada por ICEO
(corrente de coletor para emissor com base aberta).
Esta corrente muito pequena, quase zero. Em geral se considera: Se IB=0 IC =0.
Habitualmente o grfico fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos IBs.

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Notar no grfico acima que para um dado valor de VCE existe diversas possibilidades de
valores para IC. Isto ocorre, porque necessrio ter o valor fixo de IB. Ento para cada IB h
uma curva relacionando IC e VCE.

Grfico 14 - tenso de ruptura est em torno de 80V e na regio ativa para um IB = 40A tem-se que o
CC=IC/IB = 8mA/40A=200.

Mesmo para outros valores de IB, o CC se mantm constante na regio ativa.


Na realidade o CC no constante na regio ativa, ele varia com a temperatura ambiente
e mesmo com IC. A variao de CC pode ser da ordem de 3:1 ao longo da regio ativa do
transistor.
Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplificadores.
Sendo a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada), designa-se
os circuitos com transistores na regio ativa de circuitos lineares. As regies de corte e
saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente de base, so amplamente usados
em circuitos digitais.

Resumindo

No funcionamento de um transistor distinguem-se 4 regies (ou zonas): a regio de corte,


a zona ativa, a regio de saturao e a regio de ruptura, dependendo do modo como est
polarizado.

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Funcionamento na Zona Ativa

Um transistor encontra-se a funcionar na zona ativa se tiver a juno BE diretamente


polarizada (Vbe > tenso limiar), a juno BC inversamente polarizada e 0 < Vce < Vcc.
Para os transistores de Slicio o valor tpico para a tenso limiar das junes pn 0.6V.
Na zona ativa o transistor comporta-se como um dispositivo linear estando a corrente na
sada (Ic) relacionada com a corrente na entrada (Ib) atravs duma constante ( . Ic / Ib).
o ganho em corrente do transistor . Tambm se utiliza o transistor na zona ativa para
amplificar pequenos sinais de tenso (variveis no tempo), sendo neste caso o ganho da ordem
das centenas.

Funcionamento na regio de corte e na de saturao

Em Eletrnica Digital importante a definio de 2 nveis bem distintos, a que se


associam muitas vezes os valores lgicos "0" e "1" (ou "verdadeiro" e "falso"). O comportamento
do transistor na regio de corte e na de saturao pode, numa primeira aproximao, considerar-
se em tudo idntico ao dum interruptor (fig.61) aberto e fechado, respectivamente.

Figura 61 Funcionamento do transistor na Regio de Corte e na Saturao

O funcionamento na zona de corte (interruptor aberto) caracteriza-se pois pela ausncia


de corrente de coletor (Ic = 0) e conseqentemente Vce = Vcc. Para tal necessrio fazer Ib 0.
No funcionamento na zona de saturao (interruptor fechado) Registra-se uma tenso Vce
praticamente nula (tipicamente 0.2V para transistores de Slicio), atingindo a corrente de coletor
o seu valor mximo, limitado apenas pela resistncia de coletor Rc (Ic .Vcc / Rc).

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Para garantir a saturao necessrio que Ic << .Ib e o valor de Vbe tipicamente 0.7V
(para os transistores de Slicio).

O funcionamento na regio de ruptura (ou Breakdown)

A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem riscos de
danos.
Os transistores so utilizados, principalmente, como elementos de AMPLIFICAO de
corrente e tenso, ou como CONTROLE ON-OFF (liga-desliga).
Tanto para estas, como para outras aplicaes, o transistor deve estar polarizado.

Polarizao de um transistor (ponto quiescente)

Polarizar um transistor quer dizer escolher o seu ponto de funcionamento em corrente


contnua, ou seja, definir a regio em que vai funcionar.
A escolha do ponto quiescente feita em funo da aplicao que se deseja para o
transistor, ou seja, ele pode estar localizado nas regies de corte, saturao ou ativa da curva
caracterstica de sada.
O mtodo para determinao do Ponto de operao o mesmo do utilizado nos diodos, o
da Reta de Carga.

Reta de carga

A reta de carga o lugar geomtrico de todos os pontos quiescentes possveis para uma
determinada polarizao.

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Circuitos de Aplicaes

Circuito de Polarizao Base Comum

O capacitor "C" ligado da base


a terra assegura que a base
seja efetivamente aterrada para
sinais alternados.

Figura 62- Transistor Base comum

RE = (VEE VBE) / IE

RC = (VCC VCB) / IC

Lembrando que VBE para transistor de silcio = 0,7V e para transistor de germnio = 0,3V.
Usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente IC e VCE considerando a
existncia de um RC. A anlise da malha esquerda fornece a corrente IC:

IC = (VCC - VCE ) / RC

Nesta equao existem duas incgnitas, IC e VCE.

A soluo deste impasse utilizar o grfico IC x VCE. Com o grfico em mos, basta
Calcular os extremos da reta de carga:

VCE = 0  IC = VCC / RC  ponto superior da reta

IC = 0  VCE = VCC  ponto inferior da reta


A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e
VCE.

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Exemplo: No circuito da Figura acima, suponha RB= 500 k. Construa a linha de carga no
grfico da Figura abaixo e mea IC e VCE de operao.

Soluo: Os dois pontos da reta de carga so:

VCE = 0  IC = VCC / RC (15) / 1k5 = 10mA ponto superior


IC = 0  VCE = VCC = 15 V ponto inferior

O corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB:

IB = (15 0,7) / 500k = 29 A

Grfico 15 linha de carga de um transistor

Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC =6mA e
VCE=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q - ponto quiescente).
O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transistor para a
regio de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor regio de corte. Ver Grfico a
seguir. O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 conhecido como corte. Nesse
ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito pequena (ICEO).
A interseo da reta de carga e a curva IB= IB (SAT) chamada saturao. Nesse ponto a
corrente de coletor mxima.

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Grfico 16 linha de carga de um transistor

Teremos em nosso exemplo um IC mx de aproximadamente 9,8 mA .

Circuito de Polarizao BC com uma fonte de alimentao


Na prtica, no interessante utilizar mais de uma fonte de alimentao para alimentar
um circuito, a no ser em casos muito especiais.
Uma forma de solucionar este problema no circuito de polarizao BC, colocar um
divisor de tenso na base e aliment-lo com uma nica fonte V`CC, de modo que a tenso em R2
faa o papel de V`cc, e a tenso em R1 faa o papel de VCC do circuito de polarizao anterior.

Figura 63 - Circuito de Polarizao BC com uma fonte de alimentao

Para a anlise da tenso em VR2, observar que R1 e R2 formam um divisor de tenso.


Supondo I >> IB :

R2
VR 2 = VCC
R1 + R2

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*A tenso de VR2 no depende de CC

Com o valor de VR2 simples calcular IE. Deve-se olhar a malha de entrada:

Como VE = IE RE

Anlise da malha de sada:

Considerando IE = IC

(1)

Exemplo: Encontre o VB, VE, VCE e IE para o circuito da Figura.

Figura 64 circuito com transistor

SOLUO.: Clculo de VR2

(1)
Notar que CC no aparece na frmula para a corrente de coletor. Isto quer dizer que o circuito imune a
variaes em CC , o que implica um ponto de operao estvel. Por isso a polarizao por divisor de tenso
amplamente utilizada.

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Clculo de VE::

Clculo de VCE :

Circuito de polarizao em emissor comum ( EC )

Nesta Configurao, a juno base-emissor polarizada diretamente e a juno base-


coletor reversamente. Para isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores para limitar as
correntes e fixar o ponto quiescente do circuito.

Figura 65 - Circuito de Polarizao EC com uma fonte de alimentao

Malha de entrada : RB * IB + VBE = VBB

Portanto: Rs = (VBB VBE) / IB

Malha de sada : RC * IC + VCE = VCC

Portanto: RC = (VCC VCE) / IC

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Circuito de polarizao EC com corrente de base constante

Para eliminar a fonte de alimentao da base VBB, pode-se fazer um divisor de tenso
entre o resistor de base Rs e a juno base-emissor, utilizando apenas a fonte VCC como
mostra a figura a seguir:

Figura 66 - Circuito de Polarizao EC com corrente de base constante

Para garantir a polarizao direta da juno base-emissor, e reversa da juno base-


coletor, RS deve ser maior que RC.
Malha de entrada : RS * IB + VBE = VCC

Portanto: RS = (VCC VBE)/ IB

Malha de sada : RC * IC + VCE = VCC

Portanto: RC= (VCC VCE) / IC

Neste circuito, como VCC e RS so valores constantes e VBE praticamente no varia, a


variao da base desprezvel. Por isso, este circuito chamado de polarizao EC com
corrente de base constante.

Circuito de Polarizao em Coletor Comum (CC)

Para a polarizao da configurao coletor comum, uma aplicao merece destaque. o


circuito Seguidor de Emissor.

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Figura 67 - Circuito de Polarizao CC

Observa-se que, como no existe resistor de coletor, este terminal fica ligado diretamente
ao plo positivo da fonte de alimentao.
Porm, para sinais alternados, uma fonte de tenso constante considerada um curto.
Neste caso como se o coletor estivesse conectado ao terra da fonte de alimentao, ou seja,
para sinais alternados, o coletor comum s tenses de entrada VE e sada Vs.

VS = VE VBE

Este circuito chamado de seguidor de emissor porque a tenso de sada (tenso do


emissor) segue as variaes de entrada (tenso de base).
Outra caracterstica deste circuito que ele tem uma alta impedncia de entrada e baixa
impedncia de sada, sendo muito utilizado para fazer o casamento de impedncias entre
circuitos.
Malha de sada: RE = (VCC VCE) / IE

Malha de entrada: RB = (VCC VBE RE * IE) / IB

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Tabela 5 Simbologia de transistores

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Tabelas de transistores

Apresentam as seguintes especificaes

Tipo: o nome do transistor


Pol: polarizao; N quer dizer NPN e P significa PNP.
VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta.
VCER: tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor.
IC: corrente mxima do emissor.
PTOT: a mxima potncia que o transistor pode dissipar
Hfe: ganho (beta).
Ft: freqncia mxima.
Encapsulamento: A maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos fornece a
identificao dos terminais.

Transistores comerciais

TIPO Pol Vceo Ic (mA) Pot (mW) Hfe a Ic(ma) Vce (sat) Aplicaes
BC107 NPN 45 100 300 110-450 2 200 AF/ uso geral
BC108 NPN 20 100 300 110-800 2 200 AF/ uso geral
BC109 NPN 20 100 300 200-800 100 200 AF/ baixo rudo
BC327 PNP 45 500 800 100-800 2 700 AF/ at 1W
BC328 PNP 25 500 800 100-600 100 700 AF/ at 1W
BC328 PNP 25 500 800 100-600 100 700 AF/ at 1W
BC337 NPN 45 500 800 100-600 100 700 AF/complementar BC327
BC338 NPN 25 500 800 100-600 100 700 AF/ complementar BC328
BC368 NPN 20 1000 800 85-375 500 500 AF/ at 3 W
BC369 PNP 20 1000 800 85-365 500 500 AF/ complementar BC368
BC546 NPN 65 100 500 110-450 2 600 AF/ uso geral
BC547 NPN 45 100 500 110-800 2 600 AF/ uso geral
BC548 NPN 30 100 500 110-800 2 600 AF/ uso geral
BC549 NPN 30 100 500 200-800 2 600 AF/ baixo rudo
BC557 PNP 45 100 500 75-475 2 650 AF/ uso geral
BC558 PNP 30 100 500 75-475 2 650 AF/ uso geral
Tabela 6 Valores comerciais de transistores

AF = usado na faixa de freqncia de udio.

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Teste de transistor

Fora do circuito, coloque o multmetro na escala mais baixa de resistncia.


Faa o ajuste de zero do instrumento e faa as seguintes medies de resistncia: RBE,
RBC,RCE
As medidas devem Ter os seguintes resultados para transistores em bom estado.

Terminais Resistncia direta Resistncia inversa


Coletor emissor Alta alta
Base emissor Alta alta
Base coletor Baixa alta
Tabela 7 Resultados de testes de transistores

Terminais

As resistncias altas devem ser superior a 1M e as baixas inferior a 1K.


No circuito,
Ligue o equipamento;
Coloque o voltmetro na posio DC;
Coloque a ponta de prova preta no terra e com a vermelha mea cada um dos terminais
do transistor.
Caso esteja bom voc vai obter o seguinte resultado: VC > VB > VE ( tenso de coletor
maior que a tenso de base que devera ser maior que a tenso de emissor.

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ANE XO

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Multivibrador Astvel

Introduo
A principal utilizao do astvel gerar ondas quadradas semelhantes fornecida pelo
gerador de funes.
A gerao de ondas quadradas muito importante para circuitos digitais como, por
exemplo, os de um relgio ou de uma calculadora, o que justifica o estudo do funcionamento e
caractersticas desse circuito.

Definio
O multivibrador astvel um circuito que possui dois estados semi-estveis.

Funcionamento
Como no possvel prever o estado inicial do astvel aps a alimentao, vamos
admitir que na condio inicial T1 estar saturado e t2 cortado e que os capacitores c1 e c2
estaro descarregados.
Assim, o transistor T2 cortado se comporta
como um interruptor aberto. O lado D do
capacitor C1 est conectado ao plo
positivo atravs de RC2 e, o lado C, ao terra
atravs da juno base-emissor de T1. O
capacitor C1 comea a carregar.
O transistor T1 saturado conecta o
lado A de C2 ao terra. Como o lado B de C2
est conectado com a alimentao atravs
de RB2, inicia-se um processo de carga de C2.
Como a resistncia RB2 tem valor alto ( vrios k ), o processo de carga ocorre
lentamente. medida que o tempo passa, o lado B do capacitor vai lentamente se tornando
positivo em relao ao lado A. Como o lado B de C2 est conectado base de T2 este comea
a sair do corte para a saturao.
medida que T2 satura , C1 tem seu lado D conectado ao terra. O lado C de C1 (negativo em
relao ao lado D) aplica um potencial negativo base de T1.

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Com a base tornando-se negativa, T1, que estava saturado, cortado


instantaneamente. Com a troca de estado dos transistores, os circuitos de carga dos capacitores
se alteram (o capacitor que se carregou rapidamente agora se carrega lentamente e vice-versa).
A corrente de carga rpida de C2 atraves de T2 completa a saturao de T2 enquanto o
potencial negativo da base de T1 mantem T1 cortado. O processo se repete sucessivamente.

Freqncia do Circuito
O tempo que cada um dos transistores permanece em corte depende da resistncia e da
capacitncia associadas sua base. se os dois resistores de base forem iguais e os capacitores
tambm, a forma de onda ser simtrica, ou seja, os tempos de corte e saturao de cada
transistor sero iguais.
A freqncia do circuito ser dada por:

1, 45
f =
RB1 C1 + RB2 C2

Obs.: Se R estiver em M e C em F, f ser da em Hertz.

Caso o multivibrador seja simtrico ( RB1=RB2 e C1=C2), a equao pode ser reduzida
para:
0, 725
f =
RB C

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Conceitos Bsicos
de Eletricidade
- Gerao, Transmisso e Distribuio de Energia Eltrica -

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1. Prefcio

Define-se Eletrnica como a cincia que estuda a transmisso da corrente eltrica no vcuo
e nos semicondutores, com o objetivo principal de representar, armazenar, transmitir ou
processar informaes. Sendo assim, este curso tem como objetivos compreender o processo
de obteno, transmisso e recepo da corrente eltrica ilustrando suas as propriedades fsicas
mais importantes, bem como a utilizao da mesma nos circuitos eletrnicos, englobando uma
introduo aos componentes mais utilizados para isso.

2. A Histria da eletricidade

A descoberta da eletricidade foi iniciada pelo filsofo Tales de Mileto que, ao esfregar um
mbar (elektron, no grego) num pedao de pele de carneiro, observou que pedaos de palha e
fragmentos de madeira comearam a ser atrados pelo mbar.

Figura 68 - Eletrizao por atrito

Mais tarde, vrias experincias desse tipo foram feitas. A partir do atrito entre os
materiais houve a classificao das substncias em condutoras e isolantes (aquelas que no
atraiam ou repulsavam aps o atrito).
J no sculo XVIII, uma mquina consistida de dois materiais condutores giratrios
separados por um material isolante foi inventada. Essa mquina era capaz de armazenar cargas
eltricas e foi denominada capacitor (ou condensador).
Uma inveno til da poca foi o pra-raios, feita por Benjamim Franklin. Ele concluiu
que a eletrizao dos corpos se dava pela falta de um dos tipos de eletricidade: positiva
(resinosa) ou negativa (vtrea). Outra inveno, considerada por muitos a mais importante para o
desenvolvimento da tecnologia atual, foi a pilha voltaica. Ela consistia em uma srie de discos de
cobre e zinco alternados, separados por pedaos de papelo embebidos em gua salgada.
Obteve-se pela primeira vez uma fonte de corrente eltrica estvel. Devido a isso, as
investigaes sobre a corrente eltrica aumentaram cada vez mais.

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Figura 69 - Pilha voltaica

Aps algumas experiencias, o fsico Hans Cristian Oersted observa que um fio de
corrente eltrica age sobre a agulha de uma bssola. Com isso, percebe-se que h uma ligao
entre magnetismo eletricidade. Em 1831, Michael Faraday, descobre que a variao na
intensidade da corrente eltrica que percorre um circuito fechado induz uma corrente em uma
bobina prxima, uma corrente tambm observada ao se introduzir um im nessa bobina. Essa
induo magntica teve uma imediata aplicao na gerao de correntes eltricas. Uma bobina
prxima a um im que gira um exemplo de um gerador de corrente eltrica alternada.
Para ocorrer a distribuio de energia eltrica, foram criados inicialmente condutores de
ferro, depois os de cobre e finalmente, em 1850, j se fabricavam os fios cobertos por uma
camada isolante de guta-percha vulcanizada, ou uma camada de pano.

Figura 70 - utilizao de um condutor em um circuito

Em 1825, Ampre deu com a explicao correta da fonte do magnetismo. Ele sabia que
uma espira de fio torna-se um m, quando uma corrente passa por ele. Portanto, o ferro
magntico, porque correntes circulares de eletricidade correm em cada um de seus tomos.

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A publicao do tratado sobre eletricidade e magnetismo, de James Clerk Maxwell em


1873, representa um enorme avano no estudo do eletromagnetismo. A luz passou a ser
entendida como onda eletromagntica, uma onda que consiste de campos eltricos e
magnticos perpendiculares direo de sua propagao. Hughes descobriu como gerar ondas
eletromagnticas em 1874, independentemente do trabalho de Clerk Maxwell. A inteno de
Hughes no era a gerao de ondas em si, mas sua deteco atravs de dispositivos (diodos)
semicondutores que consistiam numa agulha de ferro em contato com um glbulo de mercrio,
que resultava num filme de xido de mercrio. Este contato resultava no efeito da retificao por
semicondutividade. No incio de 1880 Elster e Geitel ligaram um filamento de uma lmpada
incandescente e uma placa metlica numa ampola com vcuo. O efeito observado foi uma
corrente eltrica que fluiu do filamento placa atravs do vcuo
Heinrich Hertz, em sua experincias realizadas a partir de 1885, estuda as propriedades
das ondas eletromagnticas geradas por uma bobina de induo. Quando um fio de cobre
conduz corrente alternada emitida radiao electromagntica mesma frequncia que a
corrente eltrica. Dependendo das circunstncias, esta radiao pode comportar-se como uma
onda ou como uma partcula. Nessas experincias observa que quando a radiao
eletromagntica atravessa um condutor eltrico induz uma corrente eltrica no condutor. Com o
trabalho de Hertz fica demonstrado que as ondas de rdio e as de luz so ambas ondas
eletromagnticas, desse modo confirmando as teorias de Maxwell, as ondas de rdio e as ondas
luminosas diferem somente na sua freqncia.
Hertz no explorou as possibilidades prticas abertas por suas experincias. Mais de
dez anos se passaram, at Guglielmo Marconi utilizar as ondas de rdio no seu telegrafo sem
fio. A primeira mensagem de rdio transmitida atravs do Atlntico em 1901. Todas essas
experincias vieram abrir novos caminhos para a progressiva utilizao dos fenmenos eltricos,
presente praticamente em todas as atividades do homem.

Figura 71 telegrafo sem fio

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3. Porque utilizar a eletricidade como fonte de energia?

Devemos notar que a eletricidade , antes de tudo, facilmente transportada. Ela pode ser
produzida no local mais conveniente e transmitida para consumidores distantes por uma simples
rede de condutores (fios). Alm disso, facilmente convertida em outras formas de energia como
calor, luz e movimento. E ser o elemento fundamental para a ocorrncia de muitos fenmenos
fsicos e qumicos que formam a base de operao de mquinas e equipamentos dos tempos
atuais tambm ajuda bastante. Temos como exemplo desses fenmenos: eletromagnetismo,
efeito terminico, efeito semicondutor, fotovoltaico, oxidao e reduo.
Por fim, tambm uma forma de energia limpa.

4. Conceitos bsicos envolvidos em eletricidade

Materiais magnticos:

As propriedades magnticas do material so geradas a partir do movimento de seus


eltrons. Cada eltron tem um momento magntico associado a seu spin (giro). Chamamos de
domnio a menor parte do material que corresponde a um momento magntico.

Figura 72 bssula

Os ims so materiais que possuem elevado grau de orientao dos seus domnios e
podem ser encontrados na natureza. Existem vrios tipos de materiais que, quando submetidos
a um campo magntico externo, alinham seus domnios de modo a formarem ims artificiais.
Atualmente, os materiais magnticos desempenham papel muito importante nas
aplicaes tecnolgica. Nas aplicaes tradicionais, como em motores, geradores,
transformadores, eles so utilizados em duas categorias: ms permanentes que so aqueles
que tm a propriedade de criar um campo magntico constante e os materiais doces, ou
permeveis que so aqueles que produzem um campo proporcional corrente num fio nele
enrolado, muito maior ao que seria criado apenas pela corrente. Outra aplicao tradicional dos

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materiais magnticos, que adquiriu grande importncia nas ltimas dcadas, a gravao
magntica. Esta aplicao baseada na propriedade que tem a corrente numa bobina (cabea
de gravao) em alterar o estado de magnetizao de um meio magntico prximo. Isto
possibilita armazenar nesse meio a informao contida num sinal eltrico. A recuperao, ou a
leitura, da informao gravada feita, tradicionalmente, atravs da induo de uma corrente
eltrica pelo meio magntico. A gravao magntica a melhor tecnologia da eletrnica para
armazenamento no-voltil de informao que permite a regravao. Ela essencial para o
funcionamento dos gravadores de som e de vdeo, de inmeros equipamentos acionados por
cartes magnticos, e tornou-se muito importante nos computadores.
Para gerar um m permanente artificial, devemos usar materiais magnticos duros, ou
seja, aqueles que ao retirarmos o campo magntico externo, seus domnios permanecem
alinhados, com elevado magnetismo residual (densidade de fluxo magntico que permanece
quando a fora magntica retirada). Ex: ferro.

Condutores eltricos:

Qualquer substncia que permite a livre locomoo de um grande nmero de eltrons


classificada como condutor. Um condutor pode ser feito de diferentes tipos de metais.
Geralmente so usados elementos que apresentam menos de quatro eltrons na camada de
valncia.
A energia eltrica transferida por meio do movimento de eltrons livres que emigram
de tomo para tomo dentro do condutor. Como exemplo de bons condutores temos a prata, o
alumnio, e o cobre.
Assim como o dimetro de um cano funo da quantidade de gua que deve passar
em seu interior, a bitola de um condutor depende da quantidade de eltrons que por ele circular
(corrente eltrica).

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Figura 73 torre de distribuio

Isolantes eltricos:

Qualquer substncia que possua uma baixa condutividade eltrica. Servem para isolar
elementos com diferenas de energia eltrica alm de diminuir o valor resultante de campos
eltricos externos a ele. Ex: borracha, papel, cermicas e etc.

Corrente eltrica

o movimento ordenado de cargas elementares (eltrons). Esse movimento se d de


um potencial negativo para um potencial menos negativo (ou mais positivo). O sentido
convencional, porm, ao contrrio (do positivo para o negativo).
A corrente eltrica pode se dar de forma contnua, fluindo no mesmo sentido no circuito,
ou alternada, invertendo periodicamente esse sentido.

Tenso eltrica

O movimento ordenado de eltrons obtido atravs da aplicao de uma diferena de


potencial (tenso) entre as extremidades do condutor. Esse movimento direcionado dos eltrons
livres acontece devido a uma fora denominada fora eletromotriz.

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Resistncia eltrica

a dificuldade que o meio apresenta passagem de eltrons. Quanto maior o dimetro


do fio condutor (A), menor a resistncia eltrica e, quanto mais longo o seu comprimento (l),
maior a resistncia.
l
R=
A

* importante ressaltar que essas trs ltimas grandezas se relacionam atravs da Lei de Ohm
pela equao:
U = RI

Figura 74 Multmetro analgico

Potencia

a capacidade para realizar trabalho. Em Eletricidade, e para corrente contnua (CC), a


potncia eltrica instantnea desenvolvida por um dispositivo de dois terminais o produto da
diferena de potencial entre os terminais e a corrente que passa atravs do dispositivo.

Em caso de corrente alternada (CA) senoidal, a mdia de potncia eltrica


desenvolvida por um dispositivo de dois terminais uma funo dos valores quadrados

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mdios ou eficazes da diferena de potencial entre os terminais e a corrente que passa


atravs do dispositivo.Isto ,

onde I o valor eficaz da intensidade de corrente alternada sinusoidal, V o valor eficaz da


tenso sinusoidal e o ngulo de fase ou defasagem entre a tenso e a corrente. O termo cos
denominado Fator de potncia. Se I est em ampres e V em volts, P estar em watts. Este
valor tambm se chama potncia ativa.

Se no se inclui o termo cos que haveria que contemplar, devido a o fato de que a
corrente e a voltagem estejam defasados entre si, obtemos o valor do que se denomina potncia
aparente ou terica, que se expressa em voltampres (VA) , .

Existe tambm em CA outra potncia, que a chamada potncia reativa que igual a:

A potncia reativa tem um valor mdio nulo, pelo que no produz trabalho til, pelo que
se diz que uma potncia devatada (no produz watts ativos) e se mede em watts reativos
(VAR). Na indstria eltrica se recomenda que todas as instalaes tenham um fator de potncia
(cos )mximo, com o qual sen ser mnimo e portanto a potncia reativa ou no til ser
tambm mnima.

5. Aplicaes:

Efeito semicondutor

Os semicondutores provocaram uma verdadeira revoluo na tecnologia da eletrnica.


Nenhum aparelho eletrnico atual, desde um simples relgio digital ao mais avanado dos
computadores, seria possvel sem os mesmos.
De uma maneira geral, semicondutores so slidos nos quais temperatura de 0 K (zero
Kelvin) seus eltrons preenchem todos os estados disponveis na camada de energia mais alta,
isto , a camada de valncia.

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Um fato conhecido na fsica do estado slido que a condutividade eltrica devida


somente aos eltrons em camadas parcialmente cheias. Portanto a condutividade dos
semicondutores temperatura ambiente causada pela excitao de uns poucos eltrons da
camada de valncia para a banda de conduo.
Nos semicondutores a condutividade no causada apenas pelos eltrons que
conseguiram pular para a banda de conduo. Os buracos tambm chamados de lacunas que
eles deixaram na banda de conduo tambm do contribuio importante. To importante que
este buracos so tratados como partculas normais com carga positiva, oposta do eltron.

Figura 75 estrutura atmica de um semicondutor

Um semicondutor puro, como o do elemento silcio, apresenta uma condutividade


eltrica bastante limitada; porm se incorporarmos pequenas quantidades de impurezas sua
estrutura cristalina, suas propriedades eltricas alteram-se significativamente. O material pode
passar, por exemplo, a conduzir eletricidade em um nico sentido, da forma que age um diodo. A
adio de uma outra impureza lhe confere a propriedade de conduzir eletricidade apenas no
outro sentido.

Figura 76 - representao de camadas

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Os elementos semicondutores podem ser tratados quimicamente para transmitir e


controlar uma corrente eltrica

Efeito terminico

Os eltrons livres existentes em um corpo metlico possuem, a qualquer temperatura,


um movimento desordenado em virtude de sua agitao trmica (de modo semelhante ao que
ocorre com as molculas de um gs). Os eltrons que, nesta agitao constante, atingem a
superfcie do metal, so atrados pelos ons positivos da rede cristalina e, temperatura
ambiente, no possuem energia suficiente para vencer esta atrao, permanecendo, assim, no
corpo do metal. Entretanto, se a temperatura do corpo for aumentada, a agitao trmica dos
eltrons aumentar e um grande nmero deles conseguir escapar da atrao dos ons
positivos. Estes eltrons que escapam do material passam a formar uma nuvem eletrnica
prxima superfcie do corpo.
Este fenmeno de emisso de eltrons pela superfcie do metal aquecido denominado
emisso terminica e foi observado, pela primeira vez, pelo inventor norte-americano Thomas
Edison. Por este motivo, a emisso terminica costuma ser tambm denominada efeito Edison.
Esse efeito permitiu o desenvolvimento das vlvulas terminicas (figura abaixo) e mais tarde dos
transistores

Figura 77 Vlvulas terminicas

Edison observou que uma lmpada incandescente (de sua poca, quando ento o
filamento era de carbono), aps certo tempo de uso, ficava com a superfcie interna do bulbo
evacuado revestida de uma fina e escura camada (A).
Ele concluiu que isso era devido s minsculas partculas de carvo que se destacavam
do filamento, quando o mesmo era levado incandescncia, pela corrente eltrica.

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Experimentando achar um modo de evitar esse escurecimento, Edison colocou uma


placa de metal (P) entre o vidro e o filamento (F). Isso resolveu o problema do escurecimento do
bulbo, porm, nosso ilustre observador verificou que tal placa ficava carregada (eletrizada). Um
sensvel galvanmetro (G) ligado entre a tal placa e o filamento acusava uma corrente eltrica
unidirecional (contnua). Como explicar a origem dessa corrente eltrica?
Edison no foi capaz de resolver essa questo, alis, ningum o faria, pois o eltron
ainda no tinha sido modelado. A vlvula terminica nasceu dessa observao.
Se o eltron fosse conhecido na poca, sem dvida Edison enunciaria o efeito, que hoje
leva o seu nome, assim:
"Todo metal aquecido emite eltrons"
A primeira vlvula foi a retificadora; depois De Forest inventou a grade e dai para a
frente voc sabe no que isso tudo deu. Boa parte das vlvulas, j h bom tempo, foram
substitudas pelos transistores que, por curiosidade, baseiam-se num efeito conhecido mesmo
antes de Edison: o efeito galena.

Figura 78 Efeito Edison

Efeito fotoeltrico

A fotoemisso (emisso de eltrons a partir de uma fonte de luz) levou ao


desenvolvimento da fotoclula, que usada com diversos aparelhos, tais como a captao de
energia solar, produo de sistemas de alarmes contra incndio e roubo e acionamento de
portas automticas com controle remoto. Outros efeitos fotoeltricos so a fotoconduo e o
efeito fotovoltaico.
Na fotoconduo, os eltrons liberados agem como portadores de carga adicional dentro
do material e assim a resistncia eletrica diminui. Isso particularmente eficaz em

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semicondutores e o fenmeno usado em vrios aparelhos para detectar no apenas a luz


visvel como tambm a radiao infravermelha.

O efeito fotovoltaico, relatado por Edmond Becquerel, em 1839, o aparecimento de


uma diferena de potencial nos extremos de uma estrutura de material semicondutor muito fino,
como o silcio. Se a luz incidir sobre certos conjuntos de materiais, como o selnio numa placa
de metal, e estes constiturem parte de um circuito eltrico completo, haver uma corrente. Isso
se d porque a luz gera uma fora eletromotriz e o par de materiais se torna uma clula voltaica.
Como base de muitos aparelhos sensveis luz, este um dos princpios atualmente usados
para tentar aproveitar a energia solar na produo de eletricidade.

Oxidao e reduo

Processo qumico caracterizado pela transferncia de um ou mais eltrons de uma


molcula, tomo ou on para outra molcula, tomo ou on. Como exemplo cita-se a reao
fundamental da fotografia: a transformao do on de prata em prata metlica, mediante a
recepo de um eltron cedido pelo revelador. Quimicamente falando, diz-se que o on prata, ao
receber o eltron, foi reduzido a prata metlica e que o revelador, ao perd-lo, foi oxidado a outra
substncia. Por outras palavras, o on prata ao participar na oxidao do revelador atuou como
oxidante e o revelador ao promover a reduo do on prata atuou como redutor.

Eletromagnetismo:

Importante na gerao de energia eltrica por induo magntica

Para entendermos a gerao da eletricidade atravs de hidreltricas, devemos antes


entender a relao entre o fluxo magntico e a corrente eltrica.
Lei de Faraday: um condutor na presena de um campo magntico varivel apresenta
uma fora eletromotriz induzida.
Lei de Lenz: A fora eletromotriz induzida gera uma corrente com um sentido tal que ela
ir se opor variao do fluxo magntico que a produziu.
Essas duas leis estabelecem a ligao entre corrente eltrica e magnetismo.
No gerador eltrico, distinguem-se essencialmente duas partes, a saber: o estator,
conjunto de rgos ligados rigidamente carcaa e o rotor, sistema rgido que gira em torno de

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um eixo apoiado em mancais fixos na carcaa. Sob o ponto de vista funcional distinguem-se o
indutor, que produz o campo magntico, e o induzido que engendra a corrente induzida. A
corrente induzida produz campo magntico que, em acordo com a Lei de Lenz, exerce foras
contrrias rotao do rotor; por isso em dnamos e alternadores, o rotor precisa ser acionado
mecanicamente.
Um desenho similar ao que acontece nas hidreltricas apresentado abaixo:

Figura 79 - processo de induo similar ao de hidreltricas

A queda de gua responsvel pela parte mecnica que faz com que a bobina (no caso,
espira) conectada por dois fios condutores nos extremos gire. Ao girar, o campo magntico na
sua seco transversal varia, provocando uma corrente induzida que captada pelos
condutores. Essa corrente ser seguinte forma.

= 0  i mximo
decresce  i > 0
mnimo  i = 0
cresce  i < 0
= 0  i mnimo
cresce  i < 0
mximo  i = 0

Figura 80 - efeito de campo magntico em condutores percorridos por corrente

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Figura 81 - vista de corte de uma usina hidreltrica

6. Transmisso da energia eltrica

Para entendermos a transmisso da eletricidade devemos antes compreender o


funcionamento dos transformadores. Segundo a ABNT, transformador um dispositivo que por
meio da induo eletromagntica, transfere energia eltrica de um ou mais circuitos (primrio)
para outro, ou outros circuitos (secundrio), usando a mesma freqncia, mas, geralmente, com
tenses e intensidades de correntes diferentes.
Eles podem ser elevadores ou abaixadores e so os responsveis por adaptar a tenso
da rede do equipamento.

Figura 82 - ncleo de um trasformador

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Nomenclatura:
Vp: tenso de pico no enrolamento primrio;
Vs: tenso de pico no enrolamento secundrio;
Ip: corrente do primrio;
Is: corrente do secundrio;
Np: Nmero de espiras do primrio;
Ns: Nmero de espiras do secundrio;
n: relao de espiras.

O transformador funciona baseado na conservao da potncia nos enrolamentos:

Pp = Ps
Sendo assim, encontramos as seguintes relaes:

Vp Np Ip Ns
= ; =
Vs Ns Is Np

Que regem o funcionamento dos transformadores.

Muitas vezes, a gerao de energia eltrica ocorre em locais distantes dos centros
consumidores. No caso predominante no Brasil (gerao hdrica) a natureza impe os locais
onde sejam viveis as construes das barragens. comum usinas geradoras distantes
centenas ou milhares de quilmetros dos grandes centros. Assim, so necessrios meios
eficientes de levar essa energia.

Aps o gerador, transformadores da subestao elevadora aumentam a tenso para um


valor alto. Finda a linha transmisso, transformadores de uma subestao redutora diminuem a
tenso para um valor de distribuio.
No caso da energia eltrica, se transmitida com baixas tenses na potncia necessria para
atender milhares de consumidores, a bitola dos condutores precisaria ser to grande que tornaria
o sistema economicamente invivel.

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Figura 83 linha de transmisso

Pretende-se transmitir a potncia de 50 MW com fator de potncia de 0,85, por meio de


uma linha de transmisso trifsica com condutores de alumnio, desde a usina hidroeltrica, cuja
tenso nominal do gerador 13,8 kV, at o centro consumidor situado a 100 km. Admitindo-se
uma perda por efeito Joule de 2,5 % na linha, determine o dimetro do cabo, nos casos:

a) usando linha de transmisso trifsica direta sob tenso de 13,8 kV.


b) usando linha de transmisso trifsica sob tenso de 138 kV.

Resposta (a), usando U = 13,8 kV:


Usaremos das seguintes expresses, nessas resolues:

A corrente na linha calculada pela expresso (1), onde, substituindo-se P = 50.106 W,


U = 13,8.103 V e fator de potncia (cos ) = 0,85 obtemos: I = 2 461 A.
A perda de 2,5% de potncia na linha, por efeito Joule, traduz-se por uma potncia
dissipada Pd = 1250 kW (2,5% de 50 MW). Tendo-se a intensidade de corrente na linha (I =
2461 A) e a potncia dissipada (Pd = 1250 kW), podemos calcular a resistncia do condutor
(cabo de alumnio) pela expresso (2) acima; a qual fornece: R = 0,2064 ohms.
Tendo-se a resistncia do fio (0,2064 ohms, a resistividade do alumnio (0,02688
ohm.mm2/m --- tirada de uma tabela) e o comprimento, podemos determinar a seo reta do
condutor pela expresso (3), da qual obtm-se: A = 13 028,0 mm2 . Essa seo, usando a
expresso da rea do crculo, corresponde a um cabo cujo dimetro de 130,0 mm (13 cm!).

Resposta (b), usando U = 138 kV.


Seguindo-se exatamente os mesmos passos e clculos do item (a), obteremos um cabo
com dimetro de 13,0 mm (1,3 cm).

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Por este exemplo simples podemos notar que impraticvel transmitir energia eltrica a
longa distncia com a tenso de gerao. Assim sendo, aps a gerao necessrio que a
tenso seja elevada para a transmisso (no nosso exemplo de 13,8 kV para 138 kV).
O cabo para conduzir a energia em questo sob tenso de 13,8 kV dever ter dimetro
de 13 cm e aquele para o mesmo propsito, mas sob tenso de 138 kV dever ter dimetro de
1,3 cm. Isso deixa claro o porqu das linhas de transmisso da usina at os centros
consumidores 'funcionarem' sob altas tenses.

7. Distribuio

Uma rede de distribuio deve fazer a energia chegar at os consumidores de forma


mais eficiente possvel. Conforme tpico anterior, quanto mais alta a tenso menor a bitola dos
condutores para transmitir a mesma potncia. Assim, redes de distribuio em geral operam
com, no mnimo, duas tenses. As mais altas para os consumidores de maior porte e as mais
baixas para os pequenos.
A Figura abaixo mostra o esquema simplificado de uma distribuio tpica. A subestao
redutora diminui a tenso da linha de transmisso para 13,8 kV, chamada distribuio primria,
que o padro geralmente usado nos centros urbanos no Brasil. So aqueles 3 fios que se v
normalmente no topo dos postes. Essa tenso primria fornecida aos consumidores de maior
porte os quais, por sua vez, dispem de suas prprias subestaes para rebaixar a tenso ao
nvel de alimentao dos seus equipamentos.

Figura 84 - esquema simplificado de transmisso

A tenso primria tambm alimenta aqueles transformadores localizados nos postes que
reduzem a tenso ao nvel de ligao de aparelhos eltricos comuns (127/220 V), para
consumidores de pequeno porte. a chamada distribuio secundria.
A rede formada pelos quatro fios (separados e sem isolao ou juntos e com isolao)
que se observam na parte intermediria dos postes.

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evidente que uma distribuio simples assim tpica de uma cidade de pequeno porte.
Cidades maiores podem ser supridas com vrias linhas de transmisso, dispondo de vrias
subestaes redutoras e estas podem conter mltiplos transformadores, formando assim vrias
redes de distribuio. Tambm pode haver vrias tenses de distribuio primria. Indstrias de
grande porte, consumidoras intensivas de energia eltrica, em geral so supridas com tenses
bastante altas, s vezes a da prpria transmisso, para evitar altos custos da rede.
Numa rede de trs fios A, B e C as tenses estaro dispostas da seguinte maneira:

Grfico 17 Potenciais eltricos versus tempo

Subtraia, ponto a ponto, as ordenadas, nos grficos (a) e (b) (Va - Vb) e voc ter a
tenso eltrica (ddp) entre os fios (a) e (b), em cada instante. Faa o mesmo nos grficos (b) e
(c) e nos grficos (a) e (c). Eis os resultados dessas subtraes:

Grfico 18 Tenses eltricas (d.d.p) versus tempo

claro que, na prtica, os sistemas de transmisso no so to simples assim. Usinas


normalmente dispem de vrios conjuntos turbina-gerador que trabalham em paralelo. As
transmisses de diferentes usinas e diferentes centros consumidores so interligados de forma a
garantir o suprimento em caso de panes e outros problemas.

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8. Dentro de sua casa

A distribuio domiciliar de energia eltrica, sob tenses alternadas, como vimos, faz-se,
no caso mais geral, atravs do Sistema Edson de trs fios. Nesse sistema, a um dos fios
associa-se potencial eltrico de referncia, zero volt (fio 'neutro'). Em relao a esse fio 'neutro'
(0 V), os outros dois fios tm potenciais eltricos alternados, de mesma amplitudes e defasadas
de 180o. Da deriva a nomenclatura, distribuio de duas fases e trs fios. Desse modo, se (a),
(b) e (c) so os trs fios em questes, que chegam em sua casa, com (b) tomado como
referncia de potencial eltrico e os outros dois com potenciais eltricos nominais de 110V,
tem-se:

A diferena de potencial (ou tenso eltrica) entre pontos dos fios (a) e (b) Va - Vb=
110 V, entre pontos de (b) e (c) Vb - Vc = 110 V e entre pontos de (a) e (c) Va - Vc = 220 V.
Essas d.d.p(s), assim como suas defasagens, podem ser facilmente observadas mediante o uso
de um osciloscpio de trao duplo e uso de resistor limitador (R):

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Um pouco sobre
Nicola Tesla

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Este um texto destinado a corrigir enganos e desinformaes que vem ocorrendo h


vrios anos, sobre quo supostamente "grande" Edison foi, e como Nikola Tesla foi varrido para
debaixo do tapete do poderio capitalista.

Nikola Tesla era realmente um gnio; depois de ter feito muitos melhoramentos nos
bondes eltricos e trens em seu pas, ele veio para a Amrica procura de emprego, e
eventualmente terminou indo trabalhar para Edison.

Edison tinha um contrato com a cidade de Nova Iorque para construir usinas de fora de
Corrente Contnua (C.C.) em cada milha quadrada ou mais, como tambm para iluminar as
lmpadas que ele supostamente tinha inventado. Iluminao pblica, de hotis, etc. Escavando
buracos por toda a cidade para assentar os cabos de cobre, to largos quanto os bceps de um
homem, ele disse a Tesla que se este pudesse economizar dinheiro re-projetando certos
aspectos da instalao, ele daria a Tesla uma porcentagem dos lucros. Um acordo verbal.
Depois de aproximadamente um ano, Tesla foi ao escritrio de Edison e mostrou-lhe os lucros
acumulados (US$100.000,00 ou mais, o que naqueles dias era muita grana) como resultado
direto de seus projetos, e Edison fingiu ignorar qualquer acordo. Tesla saiu. Dali em diante,
tornaram-se inimigos.

Tesla inventou a utilssima Corrente Alternada (C.A) que todos usamos hoje, em um
mundo onde Edison e outros j tinham feito um enorme investimento na energia de C.C.

Tesla fez proselitismo da energia de C.A. e teve algum sucesso construindo usinas de
fora e fornecendo energia para vrias entidades. Uma destas foi a priso de Sing Sing, no
interior de Nova Iorque. Tesla forneceu energia de C.A. para a "cadeira eltrica" de l. Edison
publicou vrios artigos nos jornais de Nova Iorque dizendo que a energia de C.A. era uma
perigosa "assassina", e em geral, trouxe m fama para Tesla.

Para responder a este golpe, Tesla exibiu sua prpria campanha de marketing,
aparecendo na Exposio Mundial em Chicago, passando por seu prprio corpo uma energia de
alta freqncia da C.A. "perigosa", e fazendo acender lmpadas diante do pblico. Ao disparar
enormes e longas centelhas de sua "bobina de Tesla", e tocando-as, etc., ele "provou" que a
energia de C.A. era segura para o consumo pblico.

A vantagem da energia de C.A. era que voc podia envi-la a longas distncias atravs
de fios de calibre razovel com pequenas perdas, e se voc os juntasse, colocando-os em

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Ministrante
s:
CURSO BSICO DE ELETRNICA PET/Eng. Eltrica UFU / 2009
DAI
ANE
"curto-circuito", somente o lugar onde eles se tocavam derretia e provocava fascas, at que eles
deixassem de se tocar.

A energia C.C., por outro lado, necessitava de enormes cabos para atravessar qualquer
distncia, os quais esquentavam quando estavam levando energia. Quando em curto, os cabos
derretiam-se por todo o caminho at a casa de fora, e as ruas tinham que ser escavadas outra
vez para novos cabos serem lanados. Se um curto ocorria em uma simples lmpada, ela
usualmente comeava um incndio, e queimava o hotel ou destrua o que quer com que
entrasse em contato! Isto era muito lucrativo para os negcios de energia com C.C., e muito bom
para os envolvidos com construo, escavao, etc.

Tesla inventou a Corrente Alternada de 2 e de 3 fases. Ele imaginou motores girando em


crculo, de modo tal que as sees condutoras, montadas na armadura a 180 graus, dissipariam
menos calor e gastariam menos eletricidade. Ele estava certo.

Enfim, 1929 chegou, o mercado de capitais quebrou, e banqueiros, advogados, qualquer


um que tivesse perdido seus bens e no tivesse saltado pela janela, procurava trabalho, se
tivessem sorte como trabalhadores comuns, ganhando um dlar por dia. Tesla encontrou-se
escavando fossas na companhia de ainda influentes ex-investidores de Wall-Street. Durante o
curto perodo do almoo, ele falava a seus camaradas acerca eletricidade de C.A. em fases,
como ela era eficiente, etc. Por volta de 1932, ele estava trabalhando em um pequeno gerador
em uma loja reconstruda de Nova Iorque, e um dos banqueiros que costumava escavar fossas
com ele encontrou-o e levou-o para o Sr. Westinghouse, para quem ele contou suas histrias.
Westinghouse comprou 19 patentes completas e deu a Tesla um dlar por cavalo-vapor para
qualquer motor eltrico que ele fabricasse e usasse o sistema de 3 fases de Tesla.

Tesla finalmente tinha o dinheiro para comear a construir os seus laboratrios, cinco, e
realizar as experincias com a energia livre (grtis) da terra. A idia que realmente tornou-o
impopular.

Alguma coisa grtis, que os mestres da guerra e dos negcios no podem controlar?
Eles no poderiam aceitar aquilo! Ento, em seguida Tesla morreu em 1943, seu enorme
laboratrio em Long Island incendiou-se misteriosamente, nenhum registro se salvou, e o que
sobrou foi destrudo pelos tratores para sumir com qualquer equipamento que tivesse restado.
Foi um exagero, com a "energia grtis".

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