UNIVERSIDADE PRESBITERIANA MACKENZIE

ALEXANDRE DOS SANTOS OLIVEIRA

BRUNO CAPO GIROTTI
VINICIUS LIMA INOCENCIO DA SILVA

MEMRIAS DE ACESSO ALEATRIO

So Paulo
2013
 SUMRIO

1 INTRODUO ........................................................................................ 3

2 MEMRIAS DE ACESSO ALEATRIO ................................................. 3

2.1 LEITURA E GRAVAO ...............................................................
2.1.1 SRAM ...................................................................................
2.1.2 DRAM ................................................................................. 4
2.1.2.1 FPM RAM ...............................................................
2.1.2.2 EDO RAM ...............................................................
2.1.2.3 BEDO RAM .............................................................
2.1.2.4 SDRAM ...................................................................
2.1.2.4.1 SDR SDRAM .............................................
2.1.2.4.2 DDR SDRAM.............................................
2.1.2.4.3 DDR2 SDRAM...........................................
2.1.2.4.4 DDR3 SDRAM......................................... 5
2.1.2.5 RDRAM...................................................................
2.2 SOMENTE LEITURA ......................................................................
2.2.1 ROM .....................................................................................
2.2.1.1 ROM .......................................................................
2.2.1.2 PROM .....................................................................
2.2.1.3 EPROM................................................................. 6
2.2.1.4 EEPROM ................................................................
2.2.1.5 FLASH MEMORY ...................................................
2.3 TEMPO DE ACESSO.................................................................... 7

3 REFERNCIAS ....................................................................................... 8

1 INTRODUO

No que se refere ao hardware dos computadores, memria so os dispositivos

que armazenam os dados com os quais o processador trabalha.
Neste trabalho sobre memrias de acesso aleatrio(RAM), abordaremos tipos
de memria, volatilidade, modo de operao, tempo de acesso, processo de
gravao, caractersticas e significados.
Duas subcategorias bsicas que enquadram estes componentes de memria
sero destrinchadas, dentre elas: as memrias de somente leitura (ROM), e as
memrias de leitura e gravao(RAM).

2 MEMRIAS DE ACESSO ALEATRIO

RAM (Memria de Acesso Aleatrio): Memria que grava e l dados de modo

no-sequencial, ou seja, a velocidade de gravao e leitura de um dado
independe de sua localizao na memria. uma memria voltil, onde os
dados s permanecem na memria enquanto eletrizada. A gravao se d
atravs do armazenamento da corrente eltrica no capacitor presente na clula
de memria, tal corrente sendo controlada pelo transistor. Esse tipo de memria
tem um processo de gravao de dados extremamente rpido, se comparado
aos vrios tipos de memria ROM. No entanto, as informaes gravadas se
perdem quando no h mais energia eltrica, isto , quando o computador
desligado, sendo, portanto, um tipo de memria voltil.

2.1 LEITURA E GRAVAO

2.1.1 SRAM (Memria Esttica de Acesso Aleatrio): Esta memria no precisa

que haja um processo de renovao dos dados armazenados na clula de
memria para manter um dado armazenado, o que aumenta sua velocidade e
diminui o calor gerado, porm aumenta drasticamente seu custo e o espao
ocupado. utilizado principalmente nas memrias cache dos processadores,
otimizando o tempo de espera destes.

2.1.2 DRAM (Memria Dinmica de Acesso Aleatrio): Devido a necessidade

do capacitor de passar por uma atualizao constante dos dados, mais lenta e
tende a esquentar mais, porm ocupa menos espao e mais barata. Abaixo
alguns tipos de memria DRAM:

2.1.2.1 FPM RAM (Fast-Page Mode RAM): uma das primeiras

tecnologias de memria RAM;

2.1.2.2 EDO RAM (Extended Data Output RAM): Sucessora da

tecnologia FPM; permite que um endereo de memria seja acessado
ainda que a solicitao anterior ainda esteja em andamento;

2.1.2.3 BEDO RAM (Burst Extended Data Output RAM):

aperfeioamento da tecnologia EDO; trabalha mais rapidamente por
possuir tempo de acesso maior; quase no foi utilizada, devido ao preo
elevado e por ser ofuscado pela chegada da tecnologia SDRAM;

2.1.2.4 SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory):

as memrias FPM e EDO no trabalhavam sincronizadas com o
processador, e isso passou a ser um problema conforme os
processadores ficaram mais rpidos, pois muitas vezes estes tinham que
esperar demasiado tempo para ter acesso aos dados da memria; esse
problema desaparece com o surgimento da memria SDRAM, que
trabalham em sincronia com o processador; a partir da a frequncia da
memria passou a ser usada como medida de velocidade. Os tipos de
memria SDRAM so:

2.1.2.4.1 SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM): Primeiras

memrias do tipo SDRAM; trabalham com uma operao por ciclo
de clock;

2.1.2.4.2 DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM): evoluo

das memrias SDR SDRAM; capazes de trabalhar com duas
operaes por ciclo de clock;

2.1.2.4.3 DDR2 SDRAM (Double Data Rate 2 SDRAM):

evoluo do padro DDR; pode trabalhar com o dobro de operaes
por ciclo de clock de sua antecessora, ou seja, quatro;

 2.1.2.4.4 DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 SDRAM):

terceira gerao das memrias DDR; o nmero de operaes por
ciclo de clock possveis dobram novamente, passando agora para
oito; possibilita o uso do anal triplo de memria.

2.1.2.5 RDRAM (Rambus DRAM): recebe esse nome por ter sido
criada pela empresa Rambus Inc.; diferentemente das SDRAM, trabalha
com 16 bits por vez, mas, em compensao, tem frequncia de 400MHz
e faz duas operaes por ciclo de clock; no entanto, possua latncia muito
alta, aquecimento elevado e maior custo; cada pente de memria
necessitava trabalhar em conjunto com um pente vazio ou cego.

2.2 SOMENTE LEITURA

2.2.1 ROM (Memria Somente de Leitura): As ROMs evoluram pouco a pouco

de memrias mortas para memrias programveis, reprogramveis e apagveis
eletricamente. Elas recebem esse nome porque os dados so gravados nelas
apenas uma vez. Depois disso, essas informaes no podem ser apagadas ou
alteradas, apenas lidas, exceto por meio de procedimentos especiais.
Todas as memrias desta categoria no so volteis, ou seja, os dados gravados
no se perdem na ausncia de energias eltrica. Os principais tipos de memria
ROM so:
2.2.1.1 ROM (Memria Somente de Leitura): uma memria que
contm instruo imutvel. O processo de registro de dados envolve a
gravao direta dos dados binrios em um placa de silcio, graas a uma
mscara; dados nunca podero ser alterados aps a gravao, pois
imutvel. A informao gravada pelo fabricante atravs da queima de
diodos em uma matriz conforme solicitao do usurio. Ela tambm
conhecida como memoria morta e seu uso obsoleto.

2.2.1.2 PROM (Memria Programvel Somente de Leitura): esse

um dos primeiros tipos de memria ROM. Tm como principal
caracterstica, a possibilidade programao (no usa ultravioleta no
processo de regravao, no regrava) eletricamente conforme a
necessidade, evitando assim, projetos individuais para cada encomenda;
a gravao realizada internamente, mediante o rompimento de

 "fusveis", que so queimados de forma a produzir o registro de sinais

digitais;

2.2.1.3 EPROM (Memria Programvel Somente de Leitura

Apagvel): sua caracterstica: igual a PROM, exceto pelo fato de que
realiza regravao dos dados. O processo de gravao realizado
atravs de microplaquetas que possuem uma vidraa que permite deixar
passar raios ultravioletas. Quando a microplaqueta est na presena de
raios ultravioletas de certo comprimento de onda, os fusveis so
reconstitudos, ou seja, todas as bits da memria so de novo de 1. por
esta razo que se qualifica este tipo de memria apagvel; dados
precisam ser apagados completamente para regravar; necessrio retirar
a ROM do slot para realizar a regravao.

2.2.1.4 EEPROM (Memria Programvel Somente de Leitura

Apagvel Eletricamente): este tipo de memria ROM tambm permite a
regravao de dados, no entanto, ao contrrio do que acontece com as
memrias EPROM, os processos para apagar e gravar dados so feitos
eletricamente, fazendo com que no seja necessrio mover o dispositivo
de seu lugar para um aparelho especial para que a regravao ocorra;

Existem ainda, as memrias EAROM podem ser vistas como um tipo de

EEPROM. Sua principal caracterstica o fato de que os dados gravados
podem ser alterados aos poucos, razo pela qual esse tipo
geralmente utilizado em aplicaes que exigem apenas reescrita parcial
de informaes;

2.2.1.5 FLASH MEMORY: as memrias Flash tambm podem ser

vistas como um tipo de EEPROM, no entanto, o processo de gravao (e
regravao) muito mais rpido. Alm disso, memrias Flash so mais
durveis e podem guardar um volume elevado de dados.

2.3 TEMPO DE ACESSO

O tempo de acesso das memrias dependem da tecnologia de construo,

variando a partir de seus tipos e fabricantes.

Este tempo calculado do instante em que foi iniciada a operao de acesso at

que a informao (ou dado) requerida tenha sido efetivamente transferida.

Frisamos que esta informao vlida a todos os tipos de memria RAM.

3 REFERNCIAS

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