Universidade Federal da Bahia - DEE

Dispositivos Eletrônicos – ENG C41

Professora: Ana Isabela Araújo Cunha

Trabalho equivalente à Terceira Avaliação – Semestre 2017.2

ATENÇÃO: Na resolução das questões a seguir, N é a ordem do estudante na lista de frequência da

disciplina.

1) Projetar um circuito amplificador de pequenos sinais na configuração Emissor Comum (Fig.1),

que atenda às seguintes especificações:
(i) Tensão de alimentação VCC = 12 volts;
(ii) Polarização automática no ponto IC = [1 + (N-1)/6] mA, VCE = 5,0 volts;
(iii) Transistor NPN BC547 B (todos os parâmetros devem ser determinados a partir das
características constantes nas folhas de dados do fabricante para o ponto de polarização
especificado);
(iv) Acoplamento capacitivo da resistência da carga (R L = 5 k) e do circuito de excitação
AC (admitir RS = 500 );
(v) Frequência mínima de operação igual a 300 Hz;
(vi) |AV| = |vo/vi| > 100 e |AVS| = |vo/vs| > 0,65|AV| (utilizar o modelo simplificado de
parâmetros híbridos na configuração emissor comum);
(vii) Valores comerciais ou combinações (em série ou em paralelo) de valores comerciais para
as resistências e valores comerciais para as capacitâncias de acoplamento e aterramento
(potências de 10 multiplicadas por: 10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 68, 82);

Simular o circuito com os valores ajustados das resistências e capacitâncias para observar as
formas de onda das componentes AC dos sinais de tensão de entrada e saída. Assumir que v s é um
sinal senoidal de frequência igual a 1 kHz e amplitude de pico igual a 10 mV.
Preencher a Tabela I com os parâmetros típicos do transistor, obtidos a partir das folhas de dados
do fabricante com o ponto de polarização especificado:  = hFE (página 27), VBE na região ativa
(página 30), parâmetros hie e hfe do modelo de parâmetros híbridos na configuração emissor
comum para operação com pequenos sinais (páginas 32).
Preencher a Tabela II com os valores calculados e ajustados para as resistências e capacitâncias do
circuito.
Preencher a Tabela III com os parâmetros dinâmicos de desempenho do amplificador calculados
teoricamente (usando o modelo simplificado de parâmetros híbridos na configuração emissor
comum) e obtidos por simulação.
(Valor: 5,0)
VCC

RC CL io
RB1
RS CS iI
+
is
+ RL vo
vs vI RB2
RE
- CE
-

Fig.1
 PONTO DE POLARIZAÇÃO ESPECIFICADO

IC (mA) VCE (V)

5,0

Tabela I: Parâmetros de modelagem do TBJ BC 547 B

VBE (V)
Parâmetro  = hFE hfe hie (k)
(região ativa)
Valor Típico

Tabela II: Resistências e Capacitâcias do Amplificador na Configuração Emissor Comum

Componentes Valores Valores
elétricos calculados ajustados
RC ()

RE ()

RB1 ()

RB2 ()

CS (F) >>

CL (F) >>

CE (F) >>

Tabela III: Parâmetros de Desempenho do Amplificador na Configuração Emissor Comum

(a) Tabela auxiliar (b) Tabela de parâmetros
Amplitudes pico a pico
Cálculo Simulação
obtidas por simulação
vs (mV) Av

vi (mV) Avs

vo (V) Ai

is (mA) Ais

ii (mA) Ri ()

io (mA) Ri’ ()

vx (mV) Ro’ ()

vo para vs = 0
(mV)
vx: tensão senoidal aplicada na saída, com a entrada AC em
curto, para determinação da resistência de saída
 2) Se N for par: Utilizar o mesmo circuito de polarização projetado na questão 1 para obter um
Amplificador na Configuração Base Comum com RS = 100  e RL = 5 k. Recalcular as
capacitâncias de acoplamento e aterramento e ajustar a valores comerciais. Simular assumindo que
vs é um sinal senoidal de frequência igual a 1 kHz e amplitude de pico igual a 50 mV.

Se N for ímpar: Utilizar o mesmo circuito de polarização projetado na questão 1 para obter um
Amplificador na Configuração Coletor Comum com RS = 2000  e RL = 100 . Recalcular as
capacitâncias de acoplamento e aterramento e ajustar a valores comerciais. Simular assumindo que
vs é um sinal senoidal de frequência igual a 1 kHz e amplitude de pico igual a 500 mV.

Preencher a Tabela IV com os valores capacitivos e a Tabela V com os valores calculados

teoricamente (usando o modelo simplificado de parâmetros híbridos na configuração emissor
comum) e simulados dos parâmetros de desempenho do amplificador. (Valor: 2,0)

Tabela IV: Capacitâcias do Amplificador na Configuração Base Comum (N par)

ou Coletor Comum (N ímpar)
Componentes Valores Valores
elétricos calculados ajustados
CS (F) >>

CL (F) >>

Caterramento (F) >>

Tabela V: Parâmetros de Desempenho do Amplificador na Configuração Base Comum (N par)

ou Coletor Comum (N ímpar)
(a) Tabela auxiliar
(b) Tabela de parâmetros
Amplitudes pico a pico
obtidas por simulação Cálculo Simulação
vs (mV)
Av
vi (mV)
Avs
vo (V)
Ai
is (mA)
Ais
ii (mA)
Ri ()
io (mA)
Ri’ ()
vx (mV)
Ro’ ()
vo para vs = 0
(mV)
vx: tensão senoidal aplicada na saída, com a entrada AC em
curto, para determinação da resistência de saída
Recomendações sobre as questões 1 e 2:

(A) A condição |AVS| = |vo/vs| > 0,65|AV| se reflete em uma condição sobre a resistência de entrada R’i.

(B) Para realizar as simulações com o objetivo de determinar a resistência de saída R’ o, deve-se
configurar o amplificador segundo o esquema da Fig.3, onde a fonte de sinal vs é curto-circuitada
e a resistência RL é substituída pela fonte de sinal vx. Assim, R’o = vx/(-io) para vs = 0.

VCC

RS CS CL -io

is amplificador

vs = 0 vx

Fig.3

(C) Além do preenchimento das tabelas, deverá ser apresentado o desenvolvimento das questões
(cálculos).
 3) Com relação ao amplificador a MOSFET na configuração fonte comum da Fig.4:
Deduza a expressão literal do ganho em AV = vout/vin, em circuito aberto, em termos dos
parâmetros de modelagem dos transistores M1 e M2.
Sabendo que se razão de aspecto de M2 é W2/L2 = N o ganho cuja expressão foi deduzida em (a) é
igual a -300, indique qual deve ser a sua nova razão de aspecto (W 2/L2), para que este ganho seja -
400, sem alterar o valor dos potenciais VDD, VSS ou VGG2 e sem redimensionar M1. Considere o
efeito Early desprezível em M 2, em qualquer das situações.
(Valor: 3,0)

VDD

S2, B2
VGG2
M2
G2
D1, D2

G1 vOUT
vIN M1
S1, B1

Fig.4
VSS

Modelo para operação do MOSFET com pequenos sinais em baixas frequências:

D
i D W 2I D
gm   Cox
G v GS Q
L n

gm.vgs 1/gd i D
gmb.vbs g mb   n  1g m
B v BS Q

S i D ID
gd  
v DS Q
VA

VGB  VT 0
Corrente de polarização do MOSFET em inversão forte ( VSB  VP ), com VP  :
n
 V 
I D  Cox
Wn
VP  VSB 2 1  DS  na região de saturação ( VDB  VP )

L 2  VA 
VT0, VDB, VSB e VGB > 0 no MOSFET canal N e VT0, VDB, VSB e VGB < 0 no MOSFET canal P