Transistor Bipolar de Junção (TBJ) 1: Regiane Ragi

Transistor Bipolar de Junção
(TBJ)
1
Regiane Ragi
1
Esta aula baseia-se no livro:
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES: DIODOS E TRANSISTORES
EDUARDO CESAR ALVES CRUZ,

SALOMAO CHOUERI JUNIOR e
ANGELO EDUARDO BATTISTINI MARQUES
2
Os transistores são dispositivos que podem amplificar
sinais ou funcionar como uma chave eletrônica,
comutando um dispositivo de um estado ligado para
um estado desligado.
3
Os transistores bipolares que iremos estudar nesta aula
são formados por três regiões de materiais
semicondutoras, apresentando duas junções PN, daí o
nome de transistor bipolar de junção (TBJ).
Três regiões de um transistor bipolar

Junção emissor-base Junção base-coletor
Material Material
tipo tipo
P N P
Emissor Base Coletor
4
O transistor bipolar de junção (TBJ) são dispositivos
bipolares, porque seu funcionamento depende de dois
tipos de portadores de corrente,
 as lacunas e
 os elétrons.
5
Os transistores bipolares podem ser de dois tipos:
 n-p-n, e
 p-n-p
Três regiões de um transistor bipolar
Material Material Material Material

tipo tipo tipo tipo
P N P N P N
Emissor Base Coletor Emissor Base Coletor

6
Construção do TBJ n-p-n
Os transistores bipolares n-p-n consistem de três
camadas de material semicondutor, sendo uma fina
camada de semicondutor do tipo-p, sanduichada
entre duas regiões de material semicondutor tipo-n.
n-p-n
tipo-n tipo-p tipo-n
7
Construção
Os três terminais do transistor bipolar recebem o nome
de
i. EMISSOR,
ii. BASE e
iii. COLETOR.
Contato de Contato de
Emissor Coletor
Contato de
Base
8
O emissor é fortemente dopado e tem função de
emitir portadores de carga para a base:
 elétrons no caso do transistor n-p-n e

 lacunas no caso do transistor p-n-p).
n-p-n
p-n-p
tipo-p tipo-n tipo-p
9
A base é levemente dopada e muito fina.
Dessa forma, a maioria dos portadores de carga

lançados do emissor para a base, tenderão a atravessá-
la e dirigir-se ao coletor.
n-p-n
10
Construção n-p-n
Um fio conecta cada uma das três regiões: emissor,
base e coletor.
Região fracamente
Região fortemente dopada Região moderadamente
dopada dopada
Emissor Coletor
Contato de
Base
11
Construção p-n-p
Transistores p-n-p são complementares aos n-p-n e são
muito menos comuns que os transistores n-p-n.
A base no transistor p-n-p também é
fina e levemente dopada.
Região fracamente
Região fortemente dopada Região moderadamente
dopada dopada
tipo-p tipo-n tipo-p
Emissor Coletor
A região de emissor no transistor A região de coletor no

p-n-p também é pesadamente Contato de transistor p-n-p também é
dopada. Base moderadamente dopada.
12
Coletor Coletor
Base Base
Emissor Emissor
P N P N P N
Emissor Base Coletor Emissor Base Coletor
13
Modos de operação do TBJ
Dependendo da polaridade da tensão aplicada em cada

junção, obtém-se diferentes modos de operação do TBJ.
n-p-n
14
Polarização
Para um transistor bipolar funcionar apropriadamente,
as duas junções p-n devem estar convenientemente
polarizadas.
15
Efeitos de se polarizar
separadamente cada junção
16
Para se entender como funcionam os transistores
bipolares, vamos inicialmente estudar cada junção
polarizada separadamente, para depois uni-las e fazer
uma análise do dispositivo como um todo.
17
Agora, note o sentido da corrente.
18
Lembre-se que a corrente convencional tem sentido
contrário ao fluxo de elétrons, e mesmo sentido que
o fluxo de lacunas
19
Polarizando-se a junção E-B diretamente com tensão VBE
Emissor n p n Coletor
iB
- +
Base
VBE
20
Corrente de portadores minoritários do lado p, no
caso elétrons, se dirigem para o lado n.
Corrente de portadores
iB
majoritários do lado n,
- + no caso elétrons, se
Base
VBE dirigem para a base.
21
Corrente de portadores minoritários do lado p, no
caso elétrons se dirigem para o lado n.
Corrente de portadores
iB
majoritários do lado n,
+ - - + no caso elétrons, se
Base
VBE dirigem para a base.
A junção E-B funciona como um diodo polarizado
diretamente, fazendo fluir através dela uma grande
corrente iB de portadores majoritários, elétrons livres no
caso do transistor n-p-n. 22
O mesmo acontece se polarizarmos diretamente a
junção emissor base no caso de um transistor bipolar pnp
Corrente de portadores minoritários
(lacunas) do lado n se dirigindo ao lado p.
p n p
iB Corrente de portadores
majoritários do lado p, no
+ -
VEB
caso, lacunas, se dirigem à
base.
+ -
23
Assim, polarizando-se a junção E-B diretamente com
VBE (n-p-n) e VEB (p-n-p)
Corrente de portadores minoritários Corrente de portadores minoritários
(elétrons) do lado p se dirigindo ao (lacunas) do lado n se dirigindo ao
lado n. lado p.
n p n p n p
iB Corrente de iB Corrente de
portadores portadores
majoritários majoritários
- + (elétrons) do lado + - (lacunas) do lado
VBE n se dirigindo à VEB p se dirigindo à
base. base.
+ -
Aparece uma pequena corrente, em sentido contrário,

devido aos portadores minoritários. Esta corrente é
chamada de corrente de fuga. 24
Analogamente, a junção B-C também comporta-se como
uma junção p-n comum.
n p n p n p
Alargamento da região Alargamento da região

de depleção de depleção
- + + -
VCB VBC
25
n p n p n p
Alargamento da região de Alargamento da região de

depleção depleção
- + + -
VCB VBC
A barreira de potencial aumenta, devido ao alargamento da

região de depleção, diminuindo drasticamente o fluxo de
corrente dos portadores majoritários, porém, os portadores
minoritários atravessam a barreira com facilidade, no sentido
contrário, fazendo circular uma corrente reversa, ainda menor e
praticamente desprezível, pois tais portadores são em número
muito pequeno.
26
Tendo compreendido o efeito de se polarizar
separadamente cada junção, o próximo passo é
compreender quais são os efeitos de se polarizar
simultaneamente ambas as junções.
27
Efeitos de se polarizar
simultaneamente ambas as
junções
28
Polarização
Neste cenário, há quatro possíveis combinações,
porém, somente três delas desempenham um papel
significante na eletrônica:
29
Polarização
i. Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Reversamente  condição de cut-off
30
Polarização
ii. Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Diretamente  condição de saturação
31
Polarização
ii. Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Diretamente  condição de saturação
iii. Junção Base-Emissor polarizada diretamente e Base-
Coletor polarizada Reversamente  operações
lineares (modo ativo)
32
Operação
É importante compreender quais são os efeitos de
se polarizar simultaneamente ambas as junções.
33
i- Junção Base-Emissor e Base-
Coletor polarizadas Reversamente
34
i- Junção Base-Emissor e Base-Coletor
polarizadas Reversamente
Esta é a condição conhecida como Terminal
+ de coletor
cut off (corte) N

-
e é essencial para operações

P
digitais.
N
-
+ Terminal de
emissor
35
Não é usada em operações
lineares, tais como
Terminal
amplificadores. + de coletor
N
-
N
-
+
Terminal de
emissor
36
Em operações digitais o
transistor somente opera
Terminal
como chave aberta ou + de coletor
chave fechada (do inglês, N
switch on e switch off). -
N
-
+ Terminal de
emissor
37
Operações lineares no transistor
ocorrem no espectro inteiro Terminal
entre os estados ON e OFF, + de coletor
ligado/desligado. N
-
N
-
+ Terminal de
emissor
38
ii - Junção Base-Emissor e Base-
Coletor polarizadas Diretamente
39
ii - Junção Base-Emissor e Base-Coletor
polarizadas Diretamente
A corrente é grande nas duas Terminal
junções  é a condição de - de coletor
corrente mais alta para um N

+
transistor.
N
+
- Terminal de
emissor
40
Esta condição é chamada de
saturação.
Terminal
- de coletor
N
+
N
+
- Terminal de
emissor
41
Nestas condições: (transistor típico)
i. VE = 0 V Terminal
- de coletor
ii. VB = 0.7 V
iii.VC = 0.2 V +
N
N
+
- Terminal de
emissor
42
Comporta-se como um curto-circuito.
Terminal
- de coletor
N
+
N
+
- Terminal de
emissor
43
Saturação e cut-off (corte) são
as condições usadas em
Terminal
circuitaria digital e - de coletor
conseqüentemente em
N
microprocessadores. +
N
+
- Terminal de
emissor
44
iii - Junção Base-Emissor polarizada
diretamente e Base-Coletor
polarizada Reversamente
45
iii - Junção Base-Emissor polarizada diretamente e
Base-Coletor polarizada Reversamente
IE N P N IC
RE RC
_ _
+ IB +
VBE VCB
Observa-se agora que o fluxo de portadores majoritários na junção E-B,

que antes se dirigia totalmente ao terminal de base, agora devido à
atração maior exercida pelo coletor, dirige-se quase totalmente para o
coletor, atravessando a junção B-C sem a menor dificuldade.
46
Tensões e correntes nos transistores
n-p-n e p-n-p
n p n p n p
iE iB iC iE iB iC
- + - + + - + -
VBE VCB VEB VBC
Coletor
Coletor
VCB iC VBC iC
iB iB
Base VCE VEC
Base
VBE iE VEB
iE
Emissor Emissor 47
Abaixo, é mostrado o esquema geral de tensões e
correntes de portadores majoritários para os transistores
npn e pnp, assumindo-se o sentido convencional de
corrente, e lembrando-se que as correntes de
portadores minoritários são em geral desprezadas.
Coletor
Coletor
VCB iC VBC iC
iB iB
Base VCE VEC
Base
VBE iE VEB
iE
Emissor Emissor
npn pnp
48
Aplicando-se a primeira lei de Kirchhoff para as correntes:
iE = iB + iC
Coletor Coletor
VCB iC VBC iC
iB iB
Base VCE Base VEC
VBE VEB
iE iE
Emissor Emissor
n p n p n p
iE iB iC iE iB iC
- + - + + - + -
VBE n-p-n VCB VEB p-n-p VBC 49
Aplicando-se a segunda lei de Kirchhoff para as tensões:
VCE = VBE + VCB VEC = VBC + VEB
Coletor Coletor
VCB iC VBC iC
iB iB
Base VCE Base VEC
VBE VEB
iE iE
Emissor Emissor
n p n p n p
iE iB iC iE iB iC
- + - + + - + -
VBE n-p-n VCB VEB p-n-p VBC 50
O comportamento esperado do transistor nesse tipo
de configuração em circuitos eletrônicos é fazer o
controle da passagem de corrente entre o emissor e o
coletor através da base.
Isto é alcançado polarizando o transistor

adequadamente.
 Junção Base-Emissor polarizada diretamente e

 Junção Base-Coletor polarizada Reversamente.
Fluxo de corrente em um transistor npn polarizado de
modo a operar na região ativa. Sentido convencional
das correntes.
Emissor
iE = Base
iB + iC Coletor
iE N P N iC
RE RC
_ _
+ iB +
VBE VCB
52
Devido a difusão de portadores nas junções J1 e J2,
barreiras de potencial são produzidas entre emissor e
base e base e coletor, de 0.7 V para o silício e de 0.3 V
para o germânio, à temperatura ambiente.
J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor

iE N P N iC
RE RC
_ _
+ iB +
VBE VCB
53
53
Considere a junção J1 em polarização direta e a junção
J2 em polarização reversa.

IE N P N IC
RE RC
_ _
+ IB +
VBE VCB 54
Como a junção J1 está polarizada diretamente, não
oferece barreira aos elétrons, que passam para a região P.

IE N P N IC
RE RC
_ _
+ IB +
VBE VCB 55
Esta região (P) sendo muito estreita, e estando os
elétrons muito acelerados, apenas alguns conseguem
se recombinar com as lacunas da região P.

IE N P N IC
RE RC
_ _
+ IB +
VBE VCB 56
Para entender porque a corrente se dirige menos à base
basta lembrar que a base é mais estreita e fracamente
dopada.
IE N P N IC
RE RC
_ _
+ IB +
VBE VCB
57
Assim os portadores que vêm do emissor saturam a base
rapidamente através das recombinações, fazendo com
que os portadores se dividam em duas partes:
 Uma pequena parte saindo pelo terminal de base;
 E a maior parte saindo pelo coletor, atraídos pela sua

tensão. Emissor Base Coletor
IE N P N IC
RE RC
_ _
+ IB +
VBE VCB
58
A polarização direta na base de um transistor controla a
quantidade de corrente que passa pelo circuito de
coletor.

IE N P N IC
RE RC
_ _
+ IB +
VBE VCB 59
A maior parte do fluxo de corrente é de emissor para
coletor, sendo que apenas uma pequena corrente circula
entre emissor e base, ilustrando o efeito de
amplificação.

IE N P N IC
RE RC
_ _
+ IB +
VBE VCB 60
Pode-se controlar a corrente C-B controlando-se a
polarização E-B.

IE N P N IC
RE RC
_ _
+ IB +
VBE VCB 61
Nestas condições:
Terminal
+ de coletor
N
-
N
+
- Terminal de
emissor
62
O fluxo de corrente é máxima do
emissor para o coletor.
Terminal
+ de coletor
A corrente de base é muito
N
pequena. -
A corrente base-emissor é alta. P
N
+
- Terminal de
emissor
63
Sabemos que o emissor é
pesadamente dopado, contendo
Terminal
muito elétrons livres. + de coletor
N
-
N
+
- Terminal de
emissor
64
Como a base é levemente
dopada com lacunas, se alguns
Terminal
elétrons se recombinam com as + de coletor
lacunas, outros elétrons podem
N
sair da base. -
N
+
- Terminal de
emissor
65
A maior parte dos elétrons
“verão” o positivo do coletor,
Terminal
entrarão na região de depleção, + de coletor
entre a base e o coletor, e serão
N
varridos para o coletor. -
N
+
- Terminal de
emissor
66
O transistor é construído de
modo a encorajar que a Terminal
corrente flua do emissor para o + de coletor
coletor, sob polarização. N
-
N
+
- Terminal de
emissor
67
A base por ser levemente
dopada não estimula a Terminal
recombinação  por isso a + de coletor
recombinação é difícil. N
-
N
+
- Terminal de
emissor
68
A base sendo muito fina, faz
com que seja mais provável Terminal
que os elétrons livres encontre + de coletor
a camada de depleção N
-
base/coletor antes de
encontrar uma lacuna.
P
N
+
- Terminal de
emissor
69
95 ~ 99 % dos elétrons fluirão
através do coletor. Terminal
+ de coletor
N
-
N
+
- Terminal de
emissor
70
Assim, definimos o α do transistor
Terminal
+
α = IC / IE de coletor
N
-
N
+
- Terminal de
emissor
71
Esta configuração é exigida
para transistores operando na Terminal
+
região linear. de coletor
N
-
N
+
- Terminal de
emissor
72
A saída terá uma forma de onda
idêntica a onda da entrada. Terminal
+ de coletor
N
-
N
+
- Terminal de
emissor
73
Correntes de emissor e coletor
serão aproximadamente iguais. Terminal
+ de coletor
N
-
N
+
- Terminal de
emissor
74
Corrente de base será muito
pequena. Terminal
+ de coletor
N
-
N
+
- Terminal de
emissor
75
Se a corrente de base varia, a
corrente no emissor e coletor
Terminal
variarão proporcionalmente. + de coletor
N
-
N
+
- Terminal de
emissor
76
Esta é a base para a amplificação.
Terminal
+ de coletor
N
-
N
+
- Terminal de
emissor
77
A razão entre a corrente de
base e de coletor é pequena e
Terminal
é chamada de β do transistor + de coletor
N
-
β = IC / IB = hFE
P
N
+
- Terminal de
emissor
78
Em resumo . . .
É importante compreender quais são os efeitos de
se polarizar simultaneamente ambas as junções.
79
Disso resulta os modos
de operação do TBJ
80
Modos de operação do
TBJ
81
O transistor pode operar em três diferentes estados:
82
Cut-off (corte) – no qual o transistor não tem nenhuma
corrente de saída. (i- Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Reversamente)
83
Reversamente)
Região Ativa – no qual a corrente de saída de coletor, iC
é controlada pela corrente de base, iB, (ii - Junção Base-Emissor e
Base-Coletor polarizadas Diretamente) e
84
Reversamente)
Saturação – onde a corrente de coletor do transistor
alcança um valor máximo e um aumento na corrente de
base não tem nenhum efeito sobre a corrente de coletor
(ii - Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas Diretamente), e
Região Ativa – no qual a corrente de saída de coletor, iC
é controlada pela corrente de base, iB, (iii - Junção Base-Emissor
polarizada diretamente e Base-Coletor polarizada Reversamente).
85
Cut-off
86
Cut-off ou corte
A corrente de saída do transistor é zero ou desprezível.
87
Cut-off
Quando a corrente iC é zero, a tensão de saída é
máxima
 Normalmente igual à tensão de polarização da

fonte.
88
Cut-off
Portanto, no modo cut-off
VCE = VCC, e iC = 0,
Onde VCC é a tensão de polarização do gerador.
89
Cut-off
Este modo é o oposto da saturação.
90
Saturação
91
Saturação
O transistor produzirá a corrente máxima para o
circuito, e o valor dessa corrente é dependente dos
parâmetros do circuito.
92
Saturação
O transistor é considerado saturado quando a tensão
coletor-emissor é próxima a zero ou maior do que 0.2 V.
93
Saturação
Saturação também pode ser expressa VCE ≈ 0 e iC é o
valor máximo.
94
Saturação
Saturação é quando o transistor tem corrente máxima
mas tensão de saída mínima, o oposto do modo cut-off.
95
Modo-ativo
96
Modo Ativo
Nesse modo, a corrente de saída iC é controlada pela
corrente de entrada iB.
97
Modo Ativo
Modo ativo é útil para projetar amplificadores de
corrente e tensão.
98
Modo Ativo
A relação entre as correntes é expressa pela
iE = iC + iB, e iC = β · iB
99
Modo Ativo
Isto demonstra que as correntes de coletor e emissor
são funções da iB corrente de entrada.
100
Modo Ativo
Quando a corrente de controle é a corrente de base,
dizemos que o dispositivo é controlado por corrente.
101
Conceitos de Polarização
Conceitos importantes para se entender sobre polarização de transistores e características.
1 O beta do transistor
β = IC / IB = hFE
Para o transistor Coletor
2 O alfa do transistor na região ativa.
α = I C / IE
Base
3 Saturação Emissor
 fluxo de corrente máxima do transistor
4 Corte (cutoff)
Transistor típico: 2N3904 tem
 nenhum fluxo de corrente 100 < β < 300
102
Condições de Polarização
Para as várias aplicações, certas condições devem ser
satisfeitas para que o circuito opere apropriadamente.
Aplicação Região de Polarização Polarização

operação do B-E B-C
transistor
Circuitos Saturação Direta Direta
digitais
Circuitos Corte Reversa Reversa
digitais
Amplificadores Linear Direta Reversa
103

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DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES: DIODOS E TRANSISTORES

EDUARDO CESAR ALVES CRUZ,

Três regiões de um transistor bipolar

Três regiões de um transistor bipolar

Material Material Material Material

Emissor Base Coletor Emissor Base Coletor

 elétrons no caso do transistor n-p-n e

Dessa forma, a maioria dos portadores de carga

A região de emissor no transistor A região de coletor no

Dependendo da polaridade da tensão aplicada em cada

Aparece uma pequena corrente, em sentido contrário,

Corrente de portadores minoritários Corrente de portadores minoritários

Alargamento da região Alargamento da região

Alargamento da região de Alargamento da região de

A barreira de potencial aumenta, devido ao alargamento da

cut off (corte) N

e é essencial para operações

corrente mais alta para um N

Observa-se agora que o fluxo de portadores majoritários na junção E-B,

Isto é alcançado polarizando o transistor

 Junção Base-Emissor polarizada diretamente e

J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor

J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor

J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor

J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor

Emissor Base Coletor

 Uma pequena parte saindo pelo terminal de base;

 E a maior parte saindo pelo coletor, atraídos pela sua

J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor

J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor

J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor

A corrente base-emissor é alta. P

 Normalmente igual à tensão de polarização da

Onde VCC é a tensão de polarização do gerador.

 fluxo de corrente máxima do transistor

Aplicação Região de Polarização Polarização

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