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Método dos Elementos Naturais Aplicado à Modelagem das Bandas de

Cristais Fotônicos Bidimensionais

Conference Paper · July 2016

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Fidel Souza Renato Cardoso Mesquita

Federal University of Minas Gerais Federal University of Minas Gerais
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Elson José da Silva

Federal University of Minas Gerais
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Analysis of electric field distribution on artificial magnetic conductor: Via bowtie shape. View project

Discontinuous Galerkin Time Domain Simulations Applied to Devices Based on Photonic Crystals View project

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 Método dos Elementos Naturais Aplicado à
Modelagem das Bandas de Cristais Fotônicos
Bidimensionais
∗ Fidel Souza, † Renato C. Mesquita, ‡ Elson J. Silva
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Universidade Federal de Minas Gerais
Av. Antônio Carlos 6627, 31270-901, Belo Horizonte, MG, Brasil
∗ fidelsouza00@gmail.com † renato@cpdee.ufmg.br ‡ elson@cpdee.ufmg.br
Resumo—Cristais fotônicos são estruturas periódicas que po-
dem apresentar band gaps fotônicos, sendo então de grande
importância para projetos de dispositivos ópticos de várias
áreas. Uma importante etapa do projeto destes dispositivos é
o levantamento do diagrama de estrutura de bandas do cristal,
para determinar os parâmetros que fornecerão o gap na região
desejada do espectro. Aqui será mostrado que o método dos
elementos naturais apresenta caracterı́sticas que o tornam uma
boa alternativa no estudo de bandas de cristais fotônicos. Assim,
este trabalho apresenta uma modelagem das bandas de um cristal
fotônico bidimensional, pelo NEM. Também é proposta uma
maneira simples e eficiente de impor as condições periódicas,
que mantém a caracterı́stica Hermitiana e o baixo custo compu-
tacional. Os resultados apresentados comprovam a eficiência da
modelagem.
Keywords: NEM; Cristais fotônicos; estrutura de bandas;
condições periódicas
I. I NTRODUÇ ÃO
Há décadas vêm se desenvolvendo estruturas que têm revo-
lucionado a forma com que se controla o fluxo da luz em uma
escala microscópica. Estas estruturas são conhecidas como
cristais fotônicos e apresentam periodicidade de seu ı́ndice de
refração em pelo menos uma dimensão, possibilitando assim a
proibição total ou parcial da propagação luminosa, em certas
direções de interesse [1], [2].
Assim como nos semicondutores, que possuem bandas proi-
bidas à condução de elétrons, nos cristais fotônicos existem
bandas proibidas à propagação luminosa, chamadas Band
Gaps. Estas regiões são seletivas em frequência, ou seja,
permitem a passagem de certos comprimentos de onda e
proibem a de outros. Portanto, é possı́vel criar Band Gaps
fotônicos especı́ficos para uma faixa do espectro luminoso.
Esta propriedade permite o uso destas estruturas no projeto de
vários dispositivos ópticos. Alguns exemplos são: biosensores,
transistores ópticos, guias de onda, entre outros [1], [2].
A modelagem matemática usada para o estudo dos cris-
tais fotônicos é obtida a partir das equações de Maxwell,
resultando em equações diferenciais parciais, escalares ou
vetoriais, dependendo da abordagem utilizada. Essas equações
normalmente não possuem soluções analı́ticas, sendo ne-
cessário lançar mão de métodos numéricos. Entre as diferentes
técnicas numéricas disponı́veis na literatura para modelagem
de cristais fotônicos estão: expansão em ondas planas (Plane
Wave Expansion-PWE) [3], diferenças finitas no domı́nio do
tempo (FDTD) [4], o método dos elementos finitos (FEM) [5]
e mais recentemente métodos sem malhas [6], [7]. A escolha
do método usado deve levar em conta as caracterı́sticas do
fenômeno associado ao cristal que se deseja estudar. Para o
levantamento do diagrama de estrutura de bandas, os mais uti-
lizados são os que permitem modelar o problema no domı́nio
da frequência, PWE e FEM. Estes métodos são capazes de
calcular cada frequência ωn (k) associada a cada banda n e
cada vetor k na zona de Brillouin.
O método PWE foi o primeiro usado no cálculo das
estruturas de bandas. Apesar de seu sucesso inicial, ele possui
sérias limitações computacionais. Primeiramente, pelo fato
da permissividade elétrica da estrutura ser uma função des-
contı́nua, o que torna a convergência do método muito lenta.
Um outro problema surge quando o método é aplicado a
estruturas finas com alto ı́ndice de refração. Devido a reflexão
total interna, surgem modos de baixa frequência. Tais modos
são muito difı́ceis de serem determinados usando o método de
expansão em ondas planas. Um outro problema deste método
é que gera matrizes densas. Isto torna os algoritmos muito
custosos computacionalmente [8], [9].
O FEM também é utilizado com sucesso para o cálculo
das estruturas de bandas de cristais fotônicos. Este método
tem eficiência comprovada e gera matrizes esparsas, o que
favorece um baixo custo computacional. O FEM usa malhas
não estruturadas, podendo se ajustar a qualquer geometria.
Contudo, a precisão da aproximação depende da qualidade
da malha.
Já o método dos elementos naturais (Natural Element
Method - NEM) possui algumas boas caracterı́sticas do FEM
e algumas boas caracterı́sticas dos métodos sem malha. O
NEM é baseado na forma fraca global e no método de
Galerkin. Utiliza como funções de forma os natural neigh-
bors coordinates, desenvolvidos por Sibson em 1980 para
interpolação de dados [10]. Sendo essas funções interpolantes,
as condições essenciais podem ser inseridas diretamente, de
forma forte. Elas também possuem consistência de ordem 0
e 1, ou seja, conseguem reproduzir exatamente polinômios
de grau 1 e constantes [11]. Apesar das funções do NEM
serem construidas com base em uma triangulação, a precisão
da aproximação não depende da qualidade dos triângulos,
que é uma caracterı́stica dos métodos sem malha. Além
disso, o NEM pode oferecer maior precisão que o FEM,
quando aplicado a problemas eletromagnéticos [12]. Ainda
não encontramos na literatura a aplicação do método dos
elementos naturais no cálculo de diagramas de estrutura de
bandas de cristais fotônicos. Portanto, a principal contribuição
deste trabalho é demonstrar a eficiência deste método neste
tipo de aplicação e também propor uma alternativa simples e
eficiente de impor as condições de contorno periódicas.
Afim de promover um bom entendimento ao leitor, o
restante deste texto foi estruturado em seções. A seção II traz
os fundamentos das funções de forma do NEM. A modelagem
usada, é apresentada na seção III e os resultados obtidos com
as simulações na seção IV. Finalmente, a seção V traz as
conclusões acerca deste trabalho.
II. NEM - F UNÇ ÕES DE F ORMA
Os natural neighbor coordinates, como são chamadas as
funções de forma do NEM, são construı́das a partir do dia-
grama de Voronoi e da triangulação de Delaunay.
Fig. 1. 1(a): Diagrama de Voronoi de primeira ordem de um conjunto de M
A. Diagrama de Voronoi nós. 1(b): Triangulação dual de Delaunay e circuncı́rculos. 1(c): Célula de
Voronoi de segunda ordem de x.
O diagrama de Voronoi é a decomposição de um domı́nio
em subdomı́nios. Cada subdomı́nio é chamado de célula de
Voronoi e é associado a um nó contido no domı́nio. Seja Ω C. Célula de Voronoi de Segunda Ordem
uma região no espaço Euclidiano, onde estão distribuı́dos um Seja Ω uma região no espaço Euclidiano, onde está dis-
conjunto de M nós. A célula de Voronoi TI , associada a um tribuı́do um conjunto de M nós. A célula de Voronoi TIJ
nó xI em Ω é dada por [10], [11], [13]: associada aos nós xI e xJ em Ω é dada por [10], [11], [13]:
TI = {x ∈ R : ||x − xI || < ||x − xJ || ∀ xI 6= xJ } (1) TIJ = {x ∈ R : ||x − xI || < ||x − xJ ||
A célula de Voronoi TI é a região onde todos os pontos nela < ||x − xK || ∀ xK 6= xI , xJ } (2)
contidos, são mais próximos de xI do que qualquer outro nó.
Um diagrama de Voronoi de um conjunto de nós é a união de A célula de Voronoi de segunda ordem, TIJ , é a região
todas a células de Voronoi associadas a cada nó pertencente onde todos os pontos nela contidos, são mais próximos de xI
ao domı́nio. Fig. 1(a) ilustra um diagrama de Voronoi. e xJ do que qualquer outro nó, mas ainda são mais próximos
Considerando o conjunto de nós, M , o menor polı́gono de xI . Para obter a célula de segunda ordem é inserido um
convexo que contém estes nós é chamado de feixe convexo, ponto x no interior de um diagrama de Voronoi, depois é feita
CH(M ) (convex Hull). As células associadas aos nós internos a tesselação de Voronoi como para os demais nós, como pode
de CH(M ) são fechadas e convexas, e as células associadas ser visto em Fig. 1(c).
aos nós da fronteira de CH(M ) são abertas. As arestas que Em Fig. 1(c) também temos:
delimitam as células de Voronoi são bissetores perpendicula- • O polı́gono abc é a célula de Voronoi de primeira ordem
res. associada ao ponto x(Tx ).
• O polı́gono abd é a célula de Voronoi de segunda ordem
B. Triangulação Dual de Delaunay associada ao ponto x e ao nó x1 (Tx1 ).
Como pode ser visto em Fig. 1(b), os triângulos de Delaunay • O polı́gono acd é a célula de Voronoi de segunda ordem
são construı́dos pela conexão dos nós cujas células de Voronoi associada ao ponto x e ao nó x2 (Tx2 ).
possuem fronteiras comuns. A triangulação de Delaunay é • O polı́gono bcd é a célula de Voronoi de segunda ordem
feita de forma que o cı́rculo escrito ao triângulo de Delaunay, associada ao ponto x e ao nó x3 (Tx3 ).
chamado de circuncı́rculo, não pode possuir nenhum nó em Os nós que compartilham as arestas da célula de Voronoi
seu interior. No chamado caso não-degenerado, só existem de x são chamados de vizinhos naturais de x.
três nós no bordo do cı́rculo, os nós que formam os vértice
do triângulo de Delaunay. O centro do circuncı́rculo é um D. Construção das Funções de Forma
vértice de Voronoi. Pelo critério do circuncı́rculo vazio: se a Como citado anteriormente, as funções de forma do NEM
distância euclidiana entre um ponto x e o vértice de Voronoi são construı́das com base no diagrama de Voronoi e na
é menor que o raio do circuncı́rculo, os vértices do triângulo triangulação dual de Delaunay. Estas funções são definidas
de Delaunay são vizinhos naturais de x [11]. utilizando medidas de Lebesgue normalizadas (comprimento,
área ou volume) [11], [13]. Então, sendo A(x) a área da célula
de Voronoi de primeira ordem de x e AI (x) a área da célula
de segunda ordem associada a x e ao nó xI , a função de forma
e suas derivadas parciais são dadas por:
AI (x) AI,j (x) − φI (x)A,j (x)
φI (x) = ; φI,j = (3)
A(x) A(x)
onde a notação ’, j’ define uma derivada parcial de primeira
ordem na direção j. Percebe-se pelas equações (3) que as
funções de forma e suas derivadas parciais dependem do dia-
grama de Voronoi, que por sua vez dependerá da distribuição
dos nós no domı́nio e da posição de x. Dentre os algoritmos
conhecidos para o cálculo de φ e suas derivadas parciais
está o algoritmo de Watson [14], que foi implementado neste
trabalho.
ao longo da direção z e variam em função de x e y. Isso
garante a condição de ortogonalidade e evita o aparecimento
de modos espúrios com frequência nula [1].
2) Condições quasi-periódicas: Fig. 2(a) traz a
representação topológica de uma célula unitária com
simetria quadrada, de lado a. Então, sendo a a constante de
rede, temos o vetor de rede dado por: R = ax̂ + aŷ. Na figura
também é possı́vel identificar o contorno: Γb ∪ Γr ∪ Γu ∪ Γl .
A célula unitária representa a menor porção da estrutura
periódica, de forma que o perfil de campo nela é repetido por
toda a estrutura do cristal. Logo, não é necessário resolver o
problema em todo domı́nio, reduzindo significativamente o
custo computacional.
y
Γu

III. M ODELAGEM M ATEM ÁTICA

Esta sessão descreve a modelagem de um cristal fotônico
a Γl Γr
bidimensional com rede de simetria quadrada. As bandas de
frequência e os perfis de campo dos modos do cristal são mo-
delados como um problema de autovalor. Para isso, primeiro
é determinada a forma forte e a partir dela desenvolvemos a Γb x
forma fraca. Esta é discretizada pelo método de Galerkin. Por
fim, impomos as condições periódicas. a
(a)
A. Forma Forte
Para que a forma forte seja determinada é necessário definir π4 γ3 π5 γ4 π6
a equação governante e as condições de fronteira.
1) Equação governante: Considerando o meio sem perdas,
livre de correntes e cargas. Sendo os campos harmônicos, das ζ1 I1 ζ2 I2 ζ3
equações de Maxwell e das relações constitutivas podemos
derivar:
ω 2
∇ × ∇ × E(r) = εr (r)( ) E(r) (4)
c π1 γ1 π2 γ2 π3
1 ω 2 (b)
∇× ∇ × H(r) = ( ) H(r) (5)
εr (r) c Fig. 2. 2(a): Representação topológica das fronteiras da célula unitária. 2(b):
Representação topológica da distribuição dos nós no domı́nio com duas células
que são as equações de Helmholtz, na forma vetorial, em adjacentes.
função dos campos. Em (4) e (5) E e H são respectivamente
os campos elétrico e magnético, r é a posição, εr é a Pelo teorema de Floquet-Bloch, os campos que se propa-
permissividade relativa e c a velocidade da luz. As duas gam por um cristal fotônico possuem comportamento quasi-
equações possuem operadores Hermitianos, garantindo que as periódico e podem ser representados na forma:
frequências ω’s sejam reais e positivas e os modos ortogonais.
Por simetria os campos são desacoplados, nos permitindo lidar U (r) = u(r)ejk·r (8)
com os modos TE e TM separadamente. Consequentemente, onde k = kx x̂ + ky ŷ é chamado de vetor de onda de Bloch.
as equações vetoriais podem ser reduzidas a: Sendo u(r) periódica em R:
1 ω 2 u(r) = u(r + R). (9)
−∇ · ∇Hz (r) = ( ) Hz (r) (6)
εr (r) c Utilizando o teorema de Floquet-Bloch são derivadas as
ω 2 condições de contorno para o problema. Estas são chamadas
−∇2 Ez (r) = εr (r)( ) Ez (r) (7) de condições quasi-periódicas e são dadas por:
c
que são as equações de Helmoltz na forma escalar para os
U (r + ax̂) = U (r)ejkx a (10)
modos TE e TM respectivamente. Nas equações (6) e (7)
Ez e Hz são componentes escalares dos campos elétrico e
magnético. Em ambas as situações, os campos são orientados U (r + aŷ) = U (r)ejky a (11)
 C. Discretização
∂U (r + ax̂) ∂U (r) jkx a
=− e (12) A discretização foi feita utilizando o método de Galerkin,
∂n ∂n ou seja:
X
∂U (r + aŷ) ∂U (r) jky a u(x, y) = di φi (x, y)
=− e (13)
∂n ∂n i
X
v(x, y) = cj φj (x, y) (19)
de posse das equações e das condições de fronteira, temos a j

formulação forte do problema proposto. onde as funções φ são os interpolantes do NEM. Quando as
funções u e v são substituı́das em (17) ou (18), temos um
B. Forma Fraca problema de autovalor, que pode ser representado na forma
Para utilizar o método dos elementos naturais na solução do matricial:
problema é necessário encontrar a forma fraca para o mesmo. (A(k) − λB)d = 0. (20)
Assim, nesta sessão, será desenvolvida a forma fraca para os
As matrizes A e B mudam de acordo com (17) e (18). Para
modos TE e TM.
gerar o diagrama de estrutura de bandas do cristal, esse sistema
1) Modo TE: A forma forte para o modo TE é dada pela
deve ser resolvido para cada k discretizado nas arestas da
equação (6), juntamente com as condições quasi-periódicas
zona irredutı́vel de Brillouin. A zona irredutı́vel de Brillouin
(10,...,13). Aqui a forma fraca é obtida pelo método dos
é a região do espaço recı́proco onde as frequências ω(k) e
resı́duos ponderados. Considerando V (r) = v(r)ejk·r , ou seja,
os perfis de campo Ek e Hk , associados aos valores de k
que essa função tem as mesmas caracterı́sticas do campo
contidos nela, são repetidos por todo o espaço. Esta região é
procurado, onde v ∈ W e W = {v(r) ∈ H 1 ; v(r+R) = v(r)}.
dada pelo triângulo com vértices Γ = (0, 0), X = (0, π/a) e
Pelo método dos resı́duos ponderados temos:
M = (π/a, π/a), que é ilustrado em Fig. 3.
Z Z
1 ω 2
− (∇ · ∇Hz )V ∗ dΩ = ( ) Hz V ∗ dΩ (14) D. Imposição das Condições Periódicas
Ω εr Ω c
As condições naturais aparecem na forma fraca, mas as
a aplicação do teorema da divergência, e um pouco de álgebra condições essenciais devem ser impostas. Uma forma seria
leva à: construir funções de forma que sejam naturalmente periódicas,
como em [7]. Contudo esse não é o caso das funções do NEM.
Z Z
1 1
(∇ · (V ∗ ∇Hz )dΩ = (V ∗ ∇Hz ) · n̂dΓ = Porém, pelo fato de serem interpolantes, essa periodicidade
Ω εr ΓΩ εr
Z
1 ∂H pode ser facilmente imposta. Para a função de teste v, basta
z
V∗ dΓ. (15) que a triangulação que representa o domı́nio de integração seja
ΓΩ εr ∂n
periódica. Neste trabalho foram usadas duas células unitárias
onde n̂ é o vetor unitário normal a fronteira. Sabendo que adjacentes como domı́nio, que é ilustrado topologicamente em
V ∗ = v(r)e−jk·r e que v(r + R) = v(r), é fácil mostrar que Fig. 2(b). Isso garante a periodicidade e ainda mantém o baixo
V ∗ (r + ax̂) = V ∗ (r)e−jkx a e V ∗ (r + aŷ) = V ∗ (r)e−jky a . custo computacional. No caso da função de forma u, devemos
Assim, integral de contorno dada por (15) se anula em função impor a periodicidade dos coeficientes di ’s, para isso foi feita
de (12,13) e a equação (15) se reduz a: uma fatoração.
Z Z Primeiramente, consideremos a matriz d dos autovetores,
1 ω podendo ser representada como:
∇Hz · ∇V ∗ dΩ = ( )2 Hz V ∗ dΩ (16)
ε
Ω r c Ω
d = [dπ1 , dπ2 , dπ3 , dπ4 , dπ5 , dπ6 ,
como Hz = uejk·r e V ∗ = ve−jk·r , a forma fraca para o modo dγ1 , dγ2 , dγ3 , dγ4 , dζ1 , dζ2 , dζ3 , dI1 , dI2 ]T (21)
TE é dada por:
dπ` sendo os autovetores associados aos nós π` , com ` =
Z Z 1, ..., 6. Temos ainda que:
1 ω
(∇u + jku) · (∇v − jkv)dΩ = ( )2 uvdΩ (17) • dγ` ⇒ autovetores associados aos nós que residem em
Ω εr c Ω
γ` , com ` = 1, 2, 3, 4.
2) Modo TM: No modo TM, a equação governante é dada • dζ` ⇒ autovetores associados aos nós que residem em
por (7) e as condições de fronteira são dadas pelas equações ζ` , com ` = 1, 2, 3.
(10,...,13). Seguindo os mesmos procedimentos apresentados • dI` ⇒ autovetores associados aos nós que residem em
na subseção anterior, chegamos a forma fraca para o modo I` , com ` = 1, 2.
TM: Aplicando as condições periódicas, podemos reescrever a
matriz d como:
Z Z
ω
(∇u + jku) · (∇v − jkv)dΩ = ( )2 εr uvdΩ (18) d = Pdf (22)
Ω c Ω
onde: Em Fig. 3, as curvas tracejadas em vermelho representam
  as bandas do modo TE, enquanto que as curvas contı́nuas
dπ1 em azul representam as bandas do modo TM. Os marcadores
 dγ1 
df =   (23) circulares e quadrados representam pontos selecionados nas
 dζ1  curvas apresentadas em [1], pg. 67-68 e 72. Observamos que
dI1 há uma grande concordância nos resultados.
V ones
 
0 0 0

 0 Iγ 0 0 


 0 Iγ 0 0 


 0 Iγ 0 0 

 0 Iγ 0 0 
P= . (24)

 0 0 Iζ 0 


 0 0 Iζ 0 


 0 0 Iζ 0 

 0 0 0 II 
0 0 0 II

Na equação (24), V ones é um vetor de 1’s de dimensão 6,

I representa matrizes identidade e 0 matrizes de zeros. As
dimensões dessas matrizes devem ser escolhidas com cuidado,
afim de garantir a consistência da fatoração. Reescrevendo a
equação (20), e substituindo a forma fatorada de d temos:

APdf = λf BPdf (25)

para conservar as caracterı́sticas Hermitianas do sistema, mul-
tiplicamos os dois lados da equação (25) pela matriz complexo Fig. 3. Estruturas de Bandas. 3(a): Estrutura de bandas de um cristal formado
conjugada de P: de colunas dielétricas com constante εr = 8, 9 e raio r = 0, 2a. 3(b):
Estrutura de bandas de um cristal formado de veias dielétricas com constante
(PH AP)df = λf (PH BP)df (26) εr = 8, 9 e espessura l = 0, 165a.

se Af = PH AP e Bf = PH BP podemos reescrever a equação
(26) como:
(Af − λf Bf )df = 0. (27)
É importante notar que essa fatoração reduz o número de
incógnitas a uma quantidade menor que o número de graus
de liberdade de uma única célula unitária. Portanto, dessa
forma é possı́vel inserir as condições essenciais, reduzir o
número de incógnitas do sistema e ainda conservar o sistema
Hermitiano. Uma observação deve ser feita acerca do uso
desse procedimento: devemos garantir que a triangulação seja
periódica em a, garantindo que o número de nós nas fronteiras
paralelas sejam iguais.
IV. R ESULTADOS
Com o objetivo de validar a formulação, foram realizadas
simulações com códigos implementados no Matlab, utilizando
dois tipos de cristais bidimensionais com rede de simetria
quadrada. O primeiro é formado por colunas dielétricas in-
finitas de raio r = 0, 2a e imersas em ar. O segundo cristal
é formado por veias dielétricas com espessura l = 0, 164a,
também imersas em ar. Em ambos os cristais, o dielétrico
usado tem constante dielétrica εr = 8.9. Fig. 3 mostra os
diagramas de estrutura de bandas dos modos TE e TM para
os dois cristais. Os resultados foram comparados com soluções
de referência encontradas na literatura [1].
Nos diagramas das figuras 3(a) e 3(b), podemos verificar
a ocorrências de gaps fotônicos com razão gap-midgap de
38% e 18.9% respectivamente. Em 3(a) o gap ocorre no
modo TM enquanto que em 3(b) ocorre no modo TE, mas
em ambos os casos ocorrem entre as duas primeiras bandas.
Isto se deve principalmente a dois fatores: a ortogonalidade
entre os autovetores e a tendência do campo elétrico de se
concentrar nas regiões de maior constante dielétrica. Para sa-
tisfazer o teorema variacional, os autovetores devem minimizar
um funcional energético [1]. Por esse teorema sabemos que,
quando o campo elétrico se concentra em regiões de mais alta
constante dielétrica, temos modos de mais baixa frequência,
minimizando o funcional energético.
Tomemos como exemplo o cristal representado em Fig. 3(a),
que é formado de colunas dielétricas ao longo da coordenada
z. No modo TE o campo elétrico tem suas linhas paralelas
ao plano xy dificultando sua concentração nas regiões de
elevado εr . Já no modo TM, o campo elétrico tem suas linhas
orientadas ao longo de z propiciando a concentração do campo
elétrico nas colunas. Assim, na primeira banda do modo TM,
a tendência é que o campo elétrico concentre a maior parte
de sua energia nas regiões de elevado εr , mantendo suas
frequências mais baixas. Contudo, pelo fato do perfil de campo
da segunda banda ser ortogonal ao da primeira, uma grande
parte da energia que era concentrada nas colunas, agora se
concentra na região com ar. Isso faz com que as frequências
associadas a banda 2 tenham um grande aumento, em relação
a banda 1, causando o gap fotônico.
Fig. 4 traz a distribuição de energia de campo elétrico εr E2
das bandas 1 e 2 ao longo de um domı́nio com nove células,
para k = Γ, X e M. Observamos que na banda 1, a energia
está quase toda concentrada na região com constante dielétrica
mais elevada. Isto faz com que suas frequências sejam baixas.
Já na banda 2, observamos que parte da energia é distribuı́da
pela região de baixa constante dielétrica, fazendo com que suas
frequências sejam bem maiores e gerando o gap fotônico. Os
resultados estão de acordo com o esperado teórico, validando
a formulação e a implementação.
Fig. 4. Energia: Distribuição da energia de campo elétrico εr E2 (x, y) de um
domı́nio formado por 9 células unitárias.
V. C ONCLUS ÕES
Este trabalho apresentou uma modelagem das bandas de
cristais fotônicos bidimensionais, usando o Método dos Ele-
mentos Naturais - NEM. Foi desenvolvida uma formulação
baseada na forma fraca e no método de Galerkin. Também
foi demonstrada uma forma simples e eficiente de impor
as condições periódicas essenciais mantendo o baixo custo
computacional. A validação da proposta foi feita a partir de
simulações computacionais. Primeiro foram gerados os diagra-
mas de estrutura de bandas de dois cristais com rede quadrada,
View publication stats
onde os resultados demonstraram grande concordância com
trabalhos encontrados na literatura. Depois foi feito um estudo
da distribuição da energia de campo elétrico e foi verifi-
cada a relação entre o contraste da concentração de energia
entre bandas adjacentes e a ocorrência do gap fotônico. A
modelagem com o NEM se mostrou eficiente, pois manteve
as caracterı́sticas Hermitianas do sistema, possibilitou o uso
de uma triangulação não estruturada que se ajustou bem
aos contornos das estruturas estudadas e com a produção de
matrizes esparsas, garantiu um baixo custo computacional na
solução do problema de autovalor.
VI. AGRADECIMENTOS
O presente trabalho foi realizado com o apoio financeiro da
FAPEMIG, CNPq e CAPES - Brasil.
R EFER ÊNCIAS
[1] J. D. Joannopoulos, S. G. Johnson, J. N. Winn, and R. D. Meade,
Photonic crystals: molding the flow of light. Princeton university press,
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[5] K. Schmidt and P. Kauf, “Computation of the band structure of
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