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Av. Filadélfia, 568, Setor Oeste - Araguaína / TO - CEP 77.816-540 - 63' 3411 8500 - www.itpac.br
CNPJ: 02.941.990/0001-98 Inscrição Municipal: 8452
PLANO DE ENSINO
Objetivo do Curso
Ementa
Competências
Habilidades
Programa
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CENTRO UNIVERSITÁRIO TOCANTINENSE PRESIDENTE ANTÔNIO CARLOS
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Unidade Meses
UNIDADE 1 – Fundamentos de Semicondutores
Principais materiais
Estrutura cristalina, elétrons e lacunas em semicondutores intrínsecos.
Modelo das bandas de energia. Fevereiro
Dopagem de semicondutores.
Diagrama das bandas de energia para semicondutores dopados.
Corrente elétrica de deriva.
Corrente elétrica de difusão.
UNIDADE 2 – JUNCAO PN
• Fabricação de junções
• Junções abruptas versus junções graduais
• Gráfico das bandas de energia.
Março
• Capacitância da junção,
• Característica I x V do diodo.
• Tensão reversa máxima.
• Principais tipos de diodos.
• Circuitos práticos com diodos
UNIDADE 3 – CIRCUITOS RETIFICADORES
• Introdução
Março/Abril
• Retificador de meia onda
• Retificador de onda completa com transformador com derivação central
• Retificador em ponte
UNIDADE 3 – TRANSISTOR BIPOLAR
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Projeto Final- Desenvolver um projeto com elementos eletrônicos Apresentação do
apresentados na unidade curricular da disciplina. projeto.
Metodologia
1. As aulas serão ministradas de forma expositiva e dialogadas, com o auxílio de mídias que
elucidem o conteúdo;
2. Aulas práticas em laboratório de eletrônica, com utilização de instrumentos de medição,
componentes eletrônicos e placas para montagem de circuitos (matriz de contatos) ;
3. Problematização sobre aspectos da prática e teoria eletrônica, voltados para situações do
dia a dia. O estímulo à leitura e à interpretação de textos técnicos ligados à eletrônica analógica,
como livros, artigos de jornais e revistas, será também proporcionado como forma de ampliar a
fonte de informação de interesse da disciplina.
Avaliação
Projeto Final
O projeto final poderá ser a avaliação global da unidade curricular. Nele será observada a
eficiência do processo de aprendizagem do aluno, utilizando os seguintes critérios:
(a)criatividade; (b)dificuldade técnica; (c)implementação; (d)apresentação.
Atividades Avaliativas
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As atividades individuais deverão ser entregues em folha pautada, ou similar, manuscrito com
caligrafia de fácil leitura em tinta preta ou azul, impreterivelmente até o dia agendado em sala
de aula. Não será recepcionado qualquer trabalho com atraso superior a 7 dias.
A atividade em grupo deverá ser entregue em formato impresso, em folhas A4 Não será
recepcionado qualquer trabalho com atraso superior a 7 dias.
As provas serão realizadas individualmente e sem consulta. Fica expressamente vetado o uso
de qualquer aparelho eletrônico durante a execução da avaliação. O descumprimento
acarretará a retirada da prova e a anulação da mesma.
• O aluno que obtiver, ao final do semestre, nota maior ou igual a 60,0 pts será aprovado.
• O aluno que obtiver, ao final do semestre, nota menor a 40,0 pts será reprovado.
• O aluno que obtiver, ao final do semestre, nota maior que 40,0 pts e menor ou igual a 59,0
pts poderá realizar a prova de exame especial.
• O aluno que realizar a prova de exame especial deverá obter nota maior ou igual a 60,0
pts, independente da nota total obtida durante o semestre.
• Não será aplicada prova substitutiva.
• O aluno terá direito a 2º chamada apenas nos casos previstos no Regimento Interno e
quando solicitado em até 72 horas após a aplicação da prova.
Referências Básicas
Complementares
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CRUZ, Eduardo Cesar Alves; Choueri Jr.Salomao. Dispositivos Semicondutores -Diodos e
Transistores.12. Ed. Erica, 1996.