CAPITULO 01 – ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

1.1 O que é Eletrônica de Potencia?

É a área da eletrônica que se preocupa no processamento da energia elétrica
visando obter maior eficiência, menores perdas no processo de conversão de
energia; baseando se na utilização de semicondutores operados regime de
chaveamento, para realizar o controle do fluxo de energia entre fontes e cargas.

1.2 Qual o Método mais eficiente para controle da potencia elétrica?

É aquele com uso de chaveamento como dispositivos de controle.

1.3 Qual a desvantagem do uso de um Reostato para controle de Potencia

Elétrica entregue a uma carga?
É a baixa eficiência, aumentando as perdas de energia devida o aquecimento do
reostato.

1.4 Explique porque uma chave é superior a um reostato para controle de

potencia elétrica entregue a uma carga?
É devido a perda de potencia na chave ser menor que no reostato, não havendo
dissipação de potência, não ocorrendo perdas.

1.5 Um Reostato de 20 Ω está ligado a uma carga resistiva de 30 Ω. Se a fonte

de tensão for de 120 V. Determine a potencia dissipada pelo reostato?

dados:
reostato = 20 Ω (rt)
resistencia de carga= 30 Ω (rl)
vcc= 120 v
potencia dissipada reostato (p.r)?

cálculo da corrente do circuito (i)

v=r x i
I = = = = 2,4 A
= I x RT = 2, 4² x 20 = 5, 76 x20 = 115, 20 Watts.
Uma chave controla um aquecedor de 20 Ωconectado a uma fonte AC de 208 V.
Se a chave estiver ligada. Determine a potência consumida pelo aquecedor e
pela chave?

VL= 208 V
RL = 20 Ω
Pot.Aquecedor = = = = 2,163 Kw

Pot.Chave = 2,163 Kw

1.6 Repita o problema 1.6 se a chave estiver desligada?

= 0 W, Pois a tensão na carga L=0 V.

1.7 Uma chave ideal controla uma carga de 20 Ω conectada a uma fonte AC de
120 V. Se a chave estiver ligada por 20% do tempo, Determine a potencia
consumida pela carga?
Calculo com a chave fechada 20% do tempo.
VL= 120 V
20% de VL = 0,2x120 v= 24 V
RL = 20 Ω
PL = = = =28,80 W

1.8 A figura 1.8 mostra uma chave ideal sem perdas por chaveamento. Se a
queda de tensão no estado ligado for de 2,0 v e a corrente de fuga for de 1mA.
Calcule a perda de potencia na chave quando ela estiver:
A) LIGADA

IC= = 9,8 A (corrente de condução do circuito)

Calculo da perda de potencia durante o estado ligado ()

()= 2,0 V x 9,8 A = 19,6 W

B) DESLIGADA

CALCULO DA PERDA DE POTENCIA DURANTE O ESTADO DESLIGADO ()

() = 2,0 V x 1mA = 2 V x 10-³A = 0,002w=2 mW (Desprezível)

1.9 Enumere as características de uma chave ideal.

A) LIGA E DESLIGA INSTANTANEAMENTE
B) QUANDO ESTÁ DELSIGADA, A QUEDA DETENSÃO É NULA.
C) QUANDO ESTÁ ABERTA, A CORRENTE QUE ATRAVESSA É NULA.
D) NÃO DISSIPA POTÊNCIA
E) QUANDO ESTÁ FECHADA, DEVE SUPORTAR CORRENTES ALTAS.
F) QUANDO ESTÁ ABERTA, DEVE SUPORTAR TENSÕES ELEVADAS.
G) QUE UTILIZE POUCA POTÊNCIA PARA CONTROLE DE OPERAÇÃO.
H) QUE SEJA ALTAMENTE CONFIÁVEL.
I) QUE SEJA LEVE E PEQUENA.
J) QUE TENHA BAIXO CUSTO.
K) QUE NÃO PRECISE DE MANUTENÇÃO.

1.10 Enumere algumas aplicações comuns da eletrônica de potencia nas

seguintes áreas.
A) RESIDENCIAL: ACIONAMENTO DE ILUMINAÇÃO
B) INDUSTRIAL: AQUECIMENTO INDUTIVO, ACIONAMENTO DE BOMBAS E
MOTORES.
C) COMERCIAL: ACIONAMENTO DE ELEVADORES, NOBREAK.
D) SISTEMA DE ENERGIA ELETRICA: TRANSMISSÃO EM ALTAS TENSÕES
CC; FONTES DE ENERGIA ALTERNATIVA (VENTO, SOLAR, ETC..). E
ARMAZENAMENTO DE ENERGIA.
E) TELECOMUNICAÇÕES: FONTES DE ALIMENTAÇÃO CC
F) AEROESPACIAL: SISTEMA DE ALIMENTAÇÃO DE SATÉLITES E SISTEMA
DE ALIMENTAÇÃO DE NAVES.
G) TRANSPORTE: METRÔ, CARGAS DE BATERIAIS...

1.11 Se a fonte de tensão, na figura 1.8, for de 150 V e a resistência de carga for
de 1Ω. Calcule a perda na condução, a perda por chaveamento e as perdas
totais para os ciclos de trabalhos e para as frequências dadas na tabela 1.2.
Considere VCE (sat)=1,1 V, (On)= 1,0 µS e (Off) = 1,5 µS

a) Para F=1 KHz e 20 %

- Perdas por condução
VCE (sat)= 1,1 v
VS=150 v
ICmax= = 150 A

() = x Imaxx d = 1,1 v x 150 A x 0,2 = 33 w

- Perdas por chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 1x= 9,375w

- Perda Total (Pt)

= + = 33 w + 9,375 = 42,375 1,86 = 34,62 w

b) Para F=1 KHz e 50 %

- Perdas por condução

() = Imax x d = 1,1 v x 150 A x 0,5 = 82,5 w

- Perdas por chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 1x= 9,375w

- Perda Total
= + = 82,5 w + 9,375 w = 91,875 w

c) Para F=1 KHz e 75 %

- Perdas por condução

() = ICxd = 1,1 v x 150 A x 0,75 = 123,75 w

- Perdas por chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 1x= 9,375w

- Perda Total
= + = 123,75 w + 9,375 w = 133,125 w

d) Para F=2 KHz e 20 %

- Perdas por condução
() = ICxd = 1,1 v x 150 A x 0,2 = 33 w

- Perdas por chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 2x= 18,75w

- Perda Total.
= + = 33w + 18,75w = 51,75 w

e) Para F=2 KHz e 50 %

- Perdas por condução
() = ICxd = 1,1 v x 150A x 0,5 = 82,5 w

- Perdas por chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 2x= 18,75w

- Perda Total.
= + = 82,5 w +18,75 =101,25 wf) Para F=2 KHz e 75 %
- Perdas por condução
() = ICxd = 1,1 v x 150A x 0,75 = 123,75 w
- Perdas por chaveamento
= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150 A x (2,5 x )x 2x= 18,75w
- Perda Total.
= + = 123,5 w + 18,75 w = 142,5 w

1.12 Se a fonte de tensão, na figura 1.6, for de 120 v e a resistência de carga for
de 10Ω. Calcule a perda por chaveamento quando = 1,0 µS e quando o transistor
passar de desligado para ligado e vice-versa com uma frequência de 5,0 KHZ.

CALCULO DA CORRENTE DO CIRCUITO

= = = 12 A

CALCULO DA POTENCIA POR CONDUÇÃO

= VCEsat x = 1,1 x 12 =13.2 W

CALCULO DA PERDA DE ENERGIA DURANTE O ACIONAMENTO

= x VCE max x Imax x = 120 x 12x1,0 x = 480 .J

CALCULO DA PERDA DE ENERGIA DURANTE O DESLIGAMENTO

= x VCE max x Imax x = 120 x 12x1,0x = 480 .J

CALCULO DA PERDA TOTAL DE ENERGIA

= + =2 x 480 .J=960 .J

CALCULO DA PERDA MÉDIA DE POTÊNCIA DURANTE O CHAVEAMENTO

= x VCE max x Imax x . F= x 120 v x 12 x (1,0 x )x 5x= 2,4 w

CAPITULO 02 – DIODOS DE POTÊNCIA

2.1 Que tipo de semicondutor é utilizado em diodos de potência?

R- São feitos normalmente de germânio e de silício.
2.2 Quais as vantagens principais do diodo de silício?
R – Suportam maiores correntes e temperaturas tendo uma resistência reversa
maior.
2.3 Qual é a condiçãoque polariza diretamente um diodo?
R – Quando a tensão no anodo é mais positiva que no catodo, nesta condição o
diodo está diretamente polarizado, podendo conduzir corrente com pequena
queda de tensão em seus terminais.
2.4 Qual é a condição que polariza inversamente um diodo?
R – Quando a tensão no catodo é mais positiva que no anodo, diz que o diodo
está inversamente polarizado, bloqueando assim o fluxo de corrente.
2.5 Qual é a tensão nos terminais de um diodo ideal diretamente polarizado?
R – Zero.
2.6 Desenhe um circuito chave equivalente para um diodo diretamente
polarizado.

2.7 Desenhe um circuito chave equivalentes para um diodo inversamente

polarizado.
2.8 Defina o valor da PIV de um diodo.
E a tensão máxima inversa que pode ser ligada nos terminais de um diodo sem
ruptura, se for excedido o diodo conduz inversamente e será danificado.

2.9 Como testar um diodo com um ohmimetro?

R – Ligando o ohmimetro de tal modo que polarize o diodo diretamente havendo
leitura de baixa resistência, invertendo a polaridade do ohmimetro deverá haver
leitura infinita de resistência ou circuito aberto. (DIODO OK). Para os casos de
resistência infinita de ambos os lados medidos (DIODO ABERTO OU
DEFEITUOSO), para os casos de leitura de baixa resistência em ambos os lados
do diodo (DIODO EM CURTO CIRCUITO OU DEFEITUOSO)
2.10 No circuito mostrado na figura 2.19determine Id. Qual a tensão inversa
máxima nos terminais do diodo?

Tensão máxima inversa = 15 V (tensão da fonte).

CAPITULO 03 – TRANSISTORES DE POTÊNCIA
3.1 Faça uma lista dos terminais de um transistor bipolar de junção.
Coletor (C), Base (B) e Emissor (E).
3.2 Descreva como as junções base-emissor e coletor-base devem ser
polarizadas para um BJT passar ao estado ligado.
A junção base- emissor está diretamente polarizado, enquanto a junção coletor-
base fica polarizada inversamente.
3.3 Descreva como as junções base-emissor e coletor-base devem ser
polarizada para um BjT passar ao estado deligado.
Tanto a junção base-emissor quanto enquanto a junção coletor-base fica
polarizada inversamente.
3.4 Qual terminal fica com a tensão mais negativa em um transmissor PNP?
Emissor(E)
3.5 Dentre os terminais de um BJT, quais os dois que atuam como um contato
de uma chave?
Base(B) e Emissor(E)
3.6 Dentre os terminais de um MOSFET, quais os dois que atuam como contato
de uma chave?
Porta (G) e Fonte (-S)
3.7 Dentres os terminais de um UjT, quais os dois que atuam como terminais de
controle ?
Emissor (E) e Base (B)
3.8 Para que é usado o terminal B2 em um UJT ?
Para polarização do dispositivo
3.9 Na figura 3.4 , Vcc = 200 v, RC = 20 Ω, β=20, Vce(sat) = 1,0 v e Vbe(sat) =
1,2 v determine:
a) O valor mínimo de Ib necessáriopara assegurar o estado ligado saturado.
IC= = = 9,95 A
b) A perda de potencia no estado ligado do transistor.
Pon = VCE x IC = 1,0 x 9,95 = 9,95 w
3.10 Na figura 3.4 , Vcc = 200 v e Rc = 20 Ω. O BJT passa para o estado ligado
e para o desligado com frequência de 5 khz, tsw(on) = 1µs e tsw(off) = 1,5 µs.
Determine as perdas de potencia por chaveamento.
ICmax = = = 10 A
- Perdas por chaveamento

= x Ima x = x200 v x 10 x =333,3 x j

= x ICma x = x200 v x 10 x 1,5 x 0=500 x j

= + = 333,3 x j + 500 x j =833,3 x j

= x F x d= 833,3 x j x 5000 Hz = 4,16 w

3.11 Uma chave BJT controla potencia DC para uma carga resistiva de 5 Ω. A
fonte de tensão DC Vs = 120 V, Vce (sat) = 1,2 V, Vbe(sat) = 1,5 V, a resistência
de base é de 1,5 Ω e tensão de polarização de base Vbb = 5 v. Se a frequência
for de 5 khz com tsw(on) = 1 µs tsw(off) = 1,5 µs, determine:
a) β?
IC= = = 23,76 A IB= = = 75,66 A
β = = = 0,314
b) A perda de potencia no BJT.
ICmax = = = 24 A
- Perdas de Potencia
= x Ima x = x120 v x 24 x =480 x j

= x ICma x = x120 v x 10 x 1,5 x 0= 720 x j

= + = 480 x j + 720 x j =1200 x j

= x F x d= 1200 x j x 5000 Hz = 6,0 w

3.12 Uma chave BJT controla potencia DC para uma carga resistiva de 5 Ω. Se
a fonte de tensão DC Vs = 120 V, Vce (sat) =1,2 V, e o tempo de ligação for de
1 µs, determine:
a) As perdas dp BJT no estado ligado.
IC = = = 24 A
Pon = VCE(sat) x IC = 1,2 x 24 = 28,8 w
b) A perda de energia no BJT durante o tempo de ligação da chave.
- Perdas de Potencia
= x ICma x = x120 v x 24 x 0=480 x j

3.13 Na figura 3.4, Vcc = 200 V , Rc = 20 Ω, Rb = 5 Ω, β = 30 e Vbe = 0,6 V

quando a chave esta ligada. Determine a tensão mínima de entrada necessária
para ligar a chave.

3.14 Na figura 3.4, Vcc = 300 V , Rc = 20 Ω. O BJT é passado para estado ligado
e desligado com uma frequência de 2 khz, sendo tsw(on) = 10 µs, tsw(off) = 1,2
µs e Vce(sat) = 1,6 V. Determine as perdas totais de potencia por chaveamento.
ICmax = = = 15 A
- Perdas de Potencia
= x Ima x = x300 v x 15 x 10x 0=7,5 x j

= x Ima x = x300 v x 15x1,2 x =0,9 x j

= + = 7,5 x j + 0,9 x j= 8,4 x j

= x F x d= 8,4 x j x 2000 Hz = 16,8 w

3.15 Uma chave MOSFET controla a potencia para uma carga de 5 Ω. A fonte
de tensão DC Vs = 120 v, RDs(on) = 0,1 Ω, a frequência de chaveamento é de
25 Khz ton=150 ns e o ciclo de trabalho é igual a 0,6 . Determine:

a) A Perda de energia durante o estado ligado

ID = = = 23,53 A
- Perdas de Energia
= ID² x RDs(on) x = (23,53)² x0,1 x 150x = 8,3 x j

b) A Perda de potencia na chaveno estado ligado

= x F = 8,3 x j x 25000 Hz =0,2 w

3.16 Uma chave IGBT controla a potencia para uma carga de 15 Ω. A fonte de
tensão DC Vs = 440 v, VCE(sat) = 1,5 v, a frequência de chaveamento é de 2
Khz, ton=20 ns e o ciclo de trabalho é igual a 0,6 . Determine:

a) O Valor nominal mínimo de corrente do IGBT

ICmax = = = 29,2 A
IC(avg) = IC(max) x d = 29,2 x 0,6 = 17,54 A

b) A Perda de potencia no estado ligado

= VCE x IC(avg) = 1,5 x 17,54 = 26,31 w

c) A Perda de potencia na ligação da chave

= VCC x IC(max) x ton x fsw = 440 x 29,2 x 20 x j x 2000 Hz =0,08 w

CAPITULO 04 – DISPOSITIVOS TIRITORES

4.1 Qual a principal diferença entre um diodo e um SCR?
É que o SCR possui um terceiro terminal denominado de Gatilho, que é usado
para controle, é através do qual se aplica um pulso que provoca o "disparo" do
dispositivo.
4.2 duas condições devem ser atendidas para fazer com que um SCR passe
para um estado ligado. Quais são elas?
São elas: Que o SCR esteja polarizado diretamente e que a sua porta (Gatilho)
receba uma corrente positiva
4.3 Que efeito tem a corrente de porta no SCR depois que o dispositivo passa
ao estado ligado?
Depois que o SCR recebe a corrente na porta, a mesma não terá mais nenhuma
finalidade.
4.4 Como varia a tensão de disparo com a corrente de porta?
Quando o SCR estiver polarizadodiretamente, uma pequena corrente direta
denominada de corrente no estado desligado flui pelo dispositivo. Essa região
da curva, conhecida como região de bloqueio direto. Entretanto, se a polarização
direta for aumentada até que a tensão do anodo alcance um limite crítico
denominado de tensão de disparo direta (Vfbo), o SCR passa para o estado
ligado. A Tensão do SCR cai então para um valor baixo entre 1 a 3 v e a corrente
aumenta no mesmo instante limitada apenas pelos componentes em série ao
SCR.
4.5 Como passar um SCR ao estado ligado quando o terminal da porta estiver
aberto?
Quando a Junção Porta-Catodo estiver polarizada diretamente, o SCR passará
para o estado ligado.
4.6 Que requisitos devem ser atendidos pelo circuito de acionamento de porta?
Que o SCR esteja polarizado diretamente e sua corrente positiva da porta não
ultrapasse os limites de sua região de operação.
4.7 Explique a operação de um SCR usando o modelo de dois transistores.
Pode-se representa um SCR como dois transistores separados e
complementares, um NPN (Q1) e Outro PNP (Q2). O coletor de Q1 é a base do
Q2 e a base de Q1é o coletor de Q2. Uma tensão positiva na porta polariza
diretamente a junção base-emissor do transistor Q1, passando-o para o estado
ligado. Isso possibilita a passagem de corrente através do coletor do NPN. Se o
Anodo do SCR estiver positivo, a junção emissor-base do PNPestará
diretamente polarizada, passando para o estado ligado. Na prática o PNP suprirá
o NPN com sua corrente de base para que ambos os transistores entrem em
processo de saturação. A retirada da tensão da porta, não fará com que o SCR
passe para o estado desligado até que a corrente principal (anodo para catodo)
seja interrompida.
4.8 Determine os valores médios e RMS na forma de onda de corrente mostrada
na figura 4.6 usando o método de aproximação Im = 80 A, To = 4ms e T = 20
ms.
Calculo dos valores RMS da corrente
IRMS = = = 35,77 A
Cálculo dos Valores Médio da Corrente
Iavg = = = 16 A
4.9 Determine a corrente RMS de um SCR quando a corrente media DC for de
80 A, com um ângulo de condução Ѳ de 20°.
Usando a tabela 4.2, Para Ѳ = 20°, temos que fo= 5,0 Fator de Forma
Irms = fo x Iavg = 5 x 80 = 400 A
4.10 Determine a corrente RMS de um SCR quando a corrente media DC for de
120 A, com um ângulo de condução Ѳ de 40°.
Usando a tabela 4.2, Para Ѳ = 40°, temos que fo= 1,8 Fator de Forma
Irms = fo x Iavg = 1,8 x 120 = 216 A
4.11 Faça um esboço da forma de onda da corrente de saída de um SCR que
controla uma carga quando VDRM for ligeiramente excedido, o que provocará o
disparo sem qualquer acionamento na porta.

4.12 Quando a corrente sustentação de um SCR é maior, a -30°C ou a +30°C?

É Maior em +30°C
4.13 Defina IH. Quando acorrente de sustentação cria um problema?
É a corrente mínima de Anodo para manter o SCR em condução, denominada
de corrente de sustentação. Ocorrerá um problema se esta corrente sofrer uma
redução para valores abaixo do valor crítico.
4.14 Explique o significado do valor nominal di/dt de um SCR. O que deverá
ocorrer com um SCR quando (di/dt)max for ultrapassado? Como esses efeitos
podem ser reduzidos?
É a taxa de subida crítica da corrente no estado ligado em um determinado
intervalo de tempo, bastante pequeno, que o fabricante estabele para que o SCR
trabalhe em um valor seguro. Se este valor for ultrapassado o SCR será
danificado. E para evitar esse problema devemos colocar uma indutância em
série com o dispositivo para se opor as variações de correntes, amortecendo a
corrente de subida do anodo.
4.15 Explique o significado do valor nominal dv/dt de um SCR. O que deverá
ocorrer com um SCR quando (du/dt)MAX for ultrapassado? Como esses efeitos
podem ser reduzidos?
É a taxa de subida crítica da tensão no estado desligado em um determinado
intervalo de tempo. Se este valor for ultrapassado, poderá vir a queimar o
dispositivo SCR. Para evitar estes problemas, usamos um circuito RC
(SNUBBER) que irá se opor a variação de tensão no dispositivo, evitando a sua
queima.
4.16 Determine o valor mínimo da indutância L em serie necessária para proteger
m SCR contra um di/dtexcessivo. O dispositivo tem um valor nominal di/dt de 10
A /us e a fonte de tensão AC é de 220 V.
L = = = 22uF

4.17 Por que um snubber é necessário em um Tiristor? Esboce um circuito

snubber e explique como ele funciona:
O circuito snubber é necessário para evitar disparos não programados devido às
valores altos de dv/dt. Quando o SCR estive no estado desligado, o capacitor
carregara positivamente. Quando o SCR passar para o estado ligado, o capacitor
descarregará e se somará ao dv/dt. Portanto, uma pequena resistência( Rs) é
acrescida em série com o capacitor para amortecer a descarga e para limitar a
corrente transitória de passagem para o estado ligado.

4.18 Determine os valores de um circuito snubber RC quando o SCR tiver os

seguintes valores nominais:
VDRM – 200 V
(dv/dt)max – 200 V/µs
(di/dt)max – 100 A/µs
RL - 10 Ω
T= = = 1us = 1x s
C= = = 0,1 uF
Rs = = = 1,414 mΩ
4.19 Qual a diferença entre um SCR do tipo inversor e um SCR do tipo controle
de fase?

4.20 Desenhe quatro SCRs em série o circuito externo para equalizar as tensões.

4.21 Descreva os vários métodos usados para o SCR passar ao estado ligado.
- Por Pulso no Gate (Gatilho)
- Por sobre tensão
- Por Aumento da temperatura
- Por disparo de dv/dt
- Por luz ou Radiação

4.22 Descreva os vários métodos usados para o SCR passar ao estado

desligado em circuito DC.- Desviando a corrente de anodo por um caminho
alternativo
- Curto-circuitando o anodo e catodo do SCR
- Aplicando uma tensão inversa (polarizando o SCR inversamente)
- Forçando a corrente de anodo a cair a zero por um período breve
- Abrindo o caminho externo proveniente da tensão de alimentação do anodo
- reduzindo azero, por um momento, a tensão de alimentação.
4.23 Desenhe os símbolos de um Triac e identifique seus terminais.

MT1 – Terminal Principal 1; MT2 - – Terminal Principal 2 G- Gate

4.24 Esboce a curva característica V-I de um Triac

4.25 Enumere os quatro modos operacionais de um Triac.

Modo de Operação
Tensão entre MT2 e MT1
Tensão entre a Porta e MT1
Primeiro
Positivo
Positivo
Segundo
Positivo
Negativo
Terceiro
Negativo
Positivo
Quatro
Negativo
Negativo

4.26 Desenhe o símbolo de um Diac e identifique seus terminais.

A1= Anodo 1 e A2 = Anodo 2

4.27 Esboce a curva característica V-I de um Diac.

4.28 Descreva a operação de um GTO.

R- O Tiristor de desligamento por Porta (GTO) é uma chave semicondutora de
potencia que passa para o estado ligado como um SCR normal, isto é, com um
sinal positivo na porta, sendo que este permanecerá ligado mesmo que o sinal
da porta for removido. Além disso, pode passar para um estado desligado por
meio de uma corrente de portanegativa, sendo que este permanecerá desligado
até que um sinal positivo for aplicado a sua porta novamente. Ou seja, tanto em
operações em estado ligado com em estado desligado são controlados pela
corrente da Porta.
4.29 Qual a vantagem principal do GTO sobre o SCR convencional?
A principal vantagem de um GTO é a sua característica de chaveamento, pois o
tempo de ligação é semelhante ao SCR, mas o desligamento é muito menor.
Isso permite o uso desses dispositivos em aplicações de altas velocidades.
4.30 Desenhe o símbolo de um MCT e identifique seus terminais.

4.31 Descreva a operação de um MCT.

Um SCR é combinado com dois Mosfet para formar o MCT, onde os dois
MOSFET tem o mesmo terminal de porta, que é a porta do MCT, além do mesmo
terminal da fonte que é o anodo do MCT. O Mosfet Qoff, canal N, passa o SCR
para o estado desligado, enquanto que o Mosfet Qon, canal P, passa o SCR
para o estado ligado. Quando a tensão porta-anodo é de -5V, Qon passa para o
estado ligado e fornece corrente de porta para o SCR. Isso faz com que o
dispositivo passe para o estado ligado. O MCT passa para o estado desligado
com aplicação de tensão porta–anodo de aproximadamente de +10 v, a qual
passa Qoff para o estado ligado. Isso desvia a corrente do SCR e o faz passar
para o estado desligado.
4.32 Esboce a curva característica V-I de um MCT.