Eletricazine
br
O microchip:
pequena invenção,
grande revolução
página inicial
referências
créditos
(C) 2000 LSI
O nome “transistor”
Em maio de 1948, Walter
Brattain chamou ao seu
escritório um de seus colegas
do Bell Labs, John Pierce.
Pierce, embora n ão trabalhasse
no grupo de pesquisas de
semicondutores, era bastante
amigo de Brattain. Este lhe
explicou que precisavam de
um nome para o novo
dispositivo. Pierce sabia
algumas coisas sobre o
dispositivo rec ém-inventado,
incluindo o fato de ele ser
considerado o dual da v álvula
(na válvula, o sinal de entrada
é uma tensão, e o sinal de
saída uma corrente; no novo
dispositivo ocorria o inverso: a
entrada era uma corrente e a
saída uma tens ão).
Dessa forma, Pierce pensou
que, se a válvula possuía
transcondutância, seu dual
deveria possuir
transresistência. Ele também
levou em conta que o nome de
um grande número de
dispositivos terminava com
“or”, como condutor, resistor,
varistor, thermistor. Assim, o
nome “transistor” veio à tona,
www.eletricazine.hpg.ig.com.
de onde vieram
O microchip não nasceu do dia para a noite. Como a maioria das inven ções humanas, levou anos para ser
desenvolvido. Exigiu o esforço coletivo de centenas de pessoas que trabalharam dia e noite no seu
aperfeiçoamento. Foram inúmeros experimentos, testes e protótipos at é que o microchip se tornasse uma
realidade.
Mas, para entender sua hist ória é preciso, antes, conhecer uma outra história. A história de um fabuloso
dispositivo eletrônico que encontrou lugar em toda a sorte de aparelhos e equipamentos eletrônicos e que
mudou drasticamente nossas vidas: o transistor. Desde a hora em que acordamos de manhã até a hora
em que vamos para a cama à noite, estamos a todo momento em contato com aparelhos e equipamentos
repletos de transistores -- como r ádios, televisões, relógios digitais, fornos de microondas, telefones,
carros, aviões, etc. Sem falar, é claro, do computador.
Os computadores de hoje possuem diversos microchips, cada um contendo milhares ou até milhões de
transistores. Um microprocessador (o chip principal de um computador) como o Pentium II, da Intel,
chega a possuir 7,5 milhões deles.
Processador Pentium II da Intel
Inventado por cientistas do Bell Telephone Laboratories no dia 16 de dezembro de 1947 -- cinqüenta
anos depois da descoberta do elétron por Joseph John Thomson e cem anos depois do nascimento de
Alexander Graham Bell -- o transistor valeu aos seus inventores o prêmio Nobel de física de 1956. É
citado na edição de janeiro de 1998 da revista Proceedings of the IEEE (edição comemorativa dos 50 anos
do transistor) como “a invenção da engenharia elétrica mais revolucionária do século 20, cujo impacto é
sentido a todo momento, em todo lugar na era da informação”.
Um substituto para as válvulas
A história do transistor começa há mais de cinqüenta anos, em 1947. A Segunda Guerra havia
terminado, e as indústrias de todo o mundo procuravam tomar novos rumos. Armas e equipamentos
bélicos não eram mais a prioridade. A economia do pós-guerra trazia novas necessidades.
A expansão das telecomunicações e da informática naquele período, por exemplo, era bastante
promissora. Contudo, a tecnologia da época não favorecia esse desenvolvimento potencial. Sistemas
telefônicos, equipamentos de telecomunicações e computadores empregavam um grande número de
dispositivos amplificadores e comutadores. Mas os sistemas eletromecânicos disponíveis eram lentos,
pouco confi áveis e dissipavam grande quantidade de calor.
Um desses dispositivos eletromecânicos amplamente utilizados era o relê (relay, em ingl ês). Consistia
em um magneto (material sensível a campos magnéticos) que se deslocava unindo dois contatos de
Eletricazine www.eletricazine.hpg.ig.com.br

e Pirce e logo comunicou sua
sugestão a Brattain. Num dos
memorandos internos do Bell
Labs, sobre a escolha do nome
do novo dispositivo, diversas
sugestões eram listadas: triodo
semicondutor, triodo de
estados de superfície, triodo de
cristal, triodo sólido, iotatron e
transistor. Sobre o nome
transistor, o memorando dizia:
“Essa é uma combinação
abreviada das palavras
‘transcondutância’ ou
‘transferência’ e ‘varistor’. O
dispositivo logicamente
pertence à família do varistor,
e tem a transcondutância ou
impedância de transfer ência de
um dispositivo com ganho,
então essa combinação é
descritiva.”
metal, que por sua vez fechavam um circuito. Uma pequena quantidade de energia no circuito magnético
podia controlar uma grande quantidade de energia no circuito de contato. O dispositivo era relativamente
simples, resistente e bastante confiável -- uma excelente chave (interruptor, comutador). A limitação dos
relês era sua velocidade -- levavam cerca de um milésimo de segundo para abrir ou fechar um contato (o
que em sistemas de telecomunicações é uma eternidade).
Havia ainda a válvula (vacuum tube, em inglês), cujo funcionamento baseava-se no fluxo de elétrons
no vácuo. A v álvula era basicamente uma capsula de vidro contendo um filamento aquecido que emitia
el étrons. Esses elétrons ejetados eram coletados em uma placa positivamente carregada. O fluxo de
el étrons do filamento era controlado por uma pequena tensão elétrica em um eletrodo localizado entre o
filamento (anodo) e a placa (catodo), chamado grade. A válvula podia comutar e amplificar, e como os
el étrons podiam viajar velozmente no vácuo, era bem mais rápida que o relê (cerca de um milhão de
vezes mais r ápida). Mas o problema é que as válvulas exigiam fornecimento de energia constante e sua
vida útil era bastante limitada. Assim, a válvula era boa em aplica ções que empregavam um pequeno
número delas, como nos r ádios. Onde milhares eram necessárias, como em computadores, a válvula não
era adequada.

O primeiro transistor
Desvendando os semicondutores

O primeiro transistor consistia A busca de tecnologias alternativas foi uma conseqüência natural. Cientistas em laboratórios de todo o
de três eletrodos ligados a um mundo estavam em busca de um dispositivo eletr ônico que substituísse relês e válvulas. Na época, os
pequeno bloco de germ ânio
(material semicondutor). Dois cientistas estudavam as propriedades elétricas de todo tipo de material. Submetiam amostras a dezenas
dos eletrodos, chamados de testes e classificavam os materiais em dois grupos: aqueles que conduziam eletricidade, os
emissor e coletor, eram condutores, e aqueles que não conduziam, os isolantes -- ou dielétricos. Mas, depois de muitos testes,
posicionados bem próximos
(aproximadamente de 0,005 a uma surpresa: alguns materiais não se comportavam nem como condutores nem como isolantes: ora
0,025 cm) na parte superior do conduziam corrente elétrica ora a bloqueavam. Descobriu-se os semicondutores e surgiu finalmente uma
germânio. O outro eletrodo, alternativa tecnológica interessante para os relês e válvulas. Percebeu -se que esse comportamento
chamado base, era conectado
à parte inferior do germânio. conduz/não conduz dos semicondutores podia ser usado para construir comutadores e moduladores
Quando tensões el étricas (DC) eletr ônicos. A grande expectativa era que o emprego de dispositivos construídos com semicondutores
eram aplicadas prometia inúmeras vantagens: elétrons viajando pequenas distâncias em um sólido, nada de partes
adequadamente -- ao emissor
aplicava-se uma pequena móveis, nada de filamentos aquecidos e nada de vácuo. Deveria então ser rápido, barato e confiável.
tensão positiva (polarização
direta) e ao coletor aplicava -se
uma tensão um pouco maior e No verão de 1945, um grupo de pesquisa neste campo foi organizado no Bell Telephone Laboratories
negativa (polarização reversa) em Murray Hill, estado de New Jersey, nos Estados Unidos. A iniciativa foi do diretor de pesquisas do Bell
--, o dispositivo podia
funcionar como amplificador de Labs, Mervin Kelly. Há anos Kelly sonhava em encontrar um substituto eletrônico para os relês do sistema
correntes alternadas (AC).
telefônico. Ele havia organizado um programa de pesquisa com esse objetivo na década de 30, mas o
trabalho foi interrompido com a guerra. Com o fim da guerra, o programa foi reativado.
E como isso acontecia
exatamente? Em essência, No início de 1946, o grupo já estava praticamente formado. Um dos l íderes era William Shockley, um
uma pequena varia ção na
tensão de entrada (a tensão físico com doutorado no MIT. Faziam parte ainda dois elementos chave no grupo: o engenheiro elétrico
aplicada ao emissor) produzia John Bardeen e o físico Walter Brattain.
uma grande variação na
corrente de entrada; esta, por
sua vez, produzia uma
variação ainda maior na
corrente de sa ída (a corrente
de emissor). Sendo tanto a
corrente quanto a tensão de
entrada relativamente
pequenas, a potência de
entrada (corrente de entrada
vezes a tensão de entrada) era
também pequena. Já a
corrente e a tensão de saída
eram mais elevadas, de forma
que a potência de saída
Eletricazine www.eletricazine.hpg.ig.com.br

(corrente de saída vezes a

tensão de saída), era bem
maior do que a pot ência de
entrada -- de forma que o
dispositivo funcionava como
um amplificador.

Os inventores

John Bardeen (1908-1987)

Da esq. para dir., Bardeen, Schockley e Brattain

John Bardeen nasceu e cresceu

Os cientistas estava surpresos com as pesquisas de dispositivos que empregavam germânio e silício
em Madison, Wisconsin. Com em detetores para radar. Esperava-se descobrir outras propriedades promissoras desses materiais
apenas quinze anos, ingressou semicondutores. Dessa forma, por volta de janeiro de 1946, duas decisões críticas foram tomadas. A
na Universidade de Wisconsin,
onde graduou-se em
primeira foi a decisão de focalizar a atenção do grupo em cristais de silício e germ ânio, ignorando outros
engenharia elétrica. Em 1936, materiais mais complexos utilizados em outras pesquisas. A segunda decis ão consistiu em investigar o
terminou seu doutorado em efeito de campos elétricos em semicondutores.
física e matemática na
Universidade de Princeton e
seguiu para a Universidade Shockley imaginou que seria possível alterar a condutividade de um pequeno bloco de germânio
Harvard para inciar seu pós-
doutorado. Depois da guerra, aplicando sobre sua superfície um campo elétrico adequado. Esse campo poderia modificar a distribuição
juntou-se ao Bell Labs, onde de cargas elétricas no corpo do semicondutor e, consequentemente, alterar sua capacidade de conduzir
trabalhou pesquisando as eletricidade. Tipicamente, o campo era criado aplicando-se uma tensão a uma placa de metal pr óxima,
propriedades condutoras dos
materiais semicondutores. Era porém isolada, do material semicondutor. Variando-se a tensão na placa de metal, podia-se variar a
conhecido como “Whispering corrente fluindo através do semicondutor, obtendo-se assim um ganho de pot ência. Contudo, todas as
John” pelos seus colegas por tentativas nesse sentido foram frustradas.
ser bastante introvertido. No
início, dividia uma sala com
Brattain e os dois se tornaram
amigos (costumavam jogar
Foi Bardeen quem descobriu por quê. Ele sugeriu que o campo el étrico aplicado não penetrava
golf juntos nos finais de apropriadamente no semicondutor. Isso devia -se a cargas elétricas im óveis, situadas na superfície do
semana). Em 1951 Bardeen material. Essas cargas, embora em número reduzido, acabavam por criar uma blindagem que “protegia”
deixou o Bell Labs,
possivelmente por o semicondutor do campo elétrico aplicado. Brattain conduziu experimentos que confirmaram o modelo
desentendimentos com proposto por Bardeen. Finalmente algum progresso era feito.
Shockley e também porque
queria estudar
supercondutividade -- algo que O desenvolvimento da indústria de semicondutores
Shockley desencorajava. Foi
então convidado para trabalhar
http://www.chips.ibm.com/microdesign/vol1_no1/looking.html
na Universidade de Illinois. Em
1972, pelo seu trabalho com
supercondutividade, ganhou The Semiconductor Subway
seu segundo prêmio Nobel (o http://www-mtl.mit.edu/semisubway.html
primeiro foi em 1956, pela
invenção do transistor
juntamente com Shockley e Notícias sobre a indústria de semicondutores
Brattain), tornando-se a http://www.techweb.com/wire/chips
primeira pessoa a ganhar dois
prêmios Nobel na mesma área
(física).
A invenção do transistor
Walter H. Brattain (1902-
1987) Os pesquisadores do Bell Labs tentaram, então, encontrar formas de minimizar o efeito das cargas na
Eletricazine www.eletricazine.hpg.ig.com.br

superfície. Tentaram diversos tipos de montagens e configurações a fim de verificar o tão esperado efeito
de campo. No dia 16 de dezembro de 1947, em uma dessas montagens, Brattain utilizou dois contatos de
ouro separados por apenas alguns milímetros e pressionados contra a superfície de um pequeno bloco de
germ ânio. Com as devidas tensões elétricas aplicadas, os cientistas verificaram que uma corrente elétrica
fluía pelo material semicondutor, configurando assim o efeito de amplificação tão desejado (efeito
transistor).

Nascido em 1902 em Amoy,

O primeiro transistor construído por Bardeen e Brattain ficou conhecido como transistor de ponto de
China, onde seu pai era contato. Esse transistor fazia o trabalho de uma válvula termoiônica sem requerer um anodo de alta
professor, Brattain doutorou-se tensão e um catodo em alta temperatura capaz de ejetar elétrons. Além disso, não precisava de inv ólucro
em física na Universidade de
Minnessota em 1929. Juntou- -- uma capsula de vidro -- como a válvula, e era bem menor do que esta.
se então ao Bell Labs (quando
o laboratório tinha apenas
quatro anos), onde trabalhou
intensamente com materiais
semicondutores, como sil ício e
germânio. Brattain era
bastante engenhoso e
persistente. Sua criatividade e
paciência tornaram possível à
equipe do Bell Labs superar um
grande número de obstáculos.
Uma das aplica ções do
transistor de que mais se
orgulhava era o rádio
transistorizado, que pelo seu
baixo custo tornou-se acess ível
a um grande número de
pessoas. Em 1967, deixou o
Bell Labs e foi para Walla
Walla, no estado de
Washington, dar aulas de f ísica
e ciências para alunos de artes O primeiro transistor, construído por Bardeen e Brattain
e humanidades do Whitman
College -- onde graduou-se em
física e onde decidiu dedicar No dia 24, o dispositivo foi apresentado à diretoria do Bell Labs, desta vez funcionando como um
sua vida à ciência. oscilador (a oscilação é uma característica fundamental em telecomunicações, sendo usada em
equipamentos de gera ção e recepção de sinais).
William Shockley (1910-
1989) Contudo, ainda não se entendia perfeitamente o funcionamento do dispositivo. Seria um efeito de
superfície ou a ação estava ocorrendo no corpo do semicondutor? Bardeen e Brattain continuaram
pesquisando os efeitos na superfície. Shockley, contudo, havia percebido a importância da movimentação
de cargas elétricas no interior do semicondutor. No final de janeiro de 1948, ele completou a formulação
teórica de um dispositivo semicondutor que mais tarde seria chamado de “transistor de junção”.

O anúncio da descoberta do transistor, contudo, foi adiado até junho de 1948. Estes seis meses foram
gastos pesquisando-se mais sobre o dispositivo, buscando entendê-lo melhor e investigando suas
possíveis aplicações. O objetivo era obter uma posição melhor para o registro das patentes. No dia 17 de
Shockley nasceu em Londres,
cresceu em Palo Alto, na
junho de 1948, Bardeen e Brattain entraram com um pedido de patente para o transistor de ponto de
Califórnia e obteve seu Ph.D. contato. No dia 26, Shockley registrou um pedido de patente para o seu transistor de junção. Até então, o
no MIT em 1932. Em 1936 transistor era um segredo do Bell Labs.
juntou-se ao Bell Labs, onde
no início trabalhou com
válvulas. Algum tempo depois No dia 30 de junho de 1948, o transistor de Brattain e Bardeen foi demonstrado para a imprensa nas
passou a estudar o
comportamento elétrico de instala ções do Bell Labs em Nova York. A imprensa comum deu pouca atenção, mas a imprensa
diversos materiais, entre eles especializada reconheceu sua importância. O jornal The New York Times reportou a história quase na
os semicondutores. Em 1946
última página no dia 1 º de julho de 1948 na sua coluna “As Notícias do Rádio ”:
tornou-se um dos
coordenadores do grupo de
pesquisa de f ísica do estado “Um dispositivo chamado transistor, com inúmeras aplicações no r ádio, onde as v álvulas são
Eletricazine www.eletricazine.hpg.ig.com.br

sólido, pesquisando sil ício e amplamente empregadas, foi demonstrado pela primeira vez ontem no Bell Telephone
germânio. Esses trabalhos
acabaram levando à Laboratories, na rua West, 463, onde foi inventado. O dispositivo foi usado num receptor de
construção do primeiro rádio, que não continha nenhum tipo de válvula convencional. Foi mostrado também num
transistor pelos seus colegas sistema telefônico e num aparelho de televisão controlado por um receptor colocado no piso
Brattain e Bardeen. Mas
Shockley foi al ém, inferior. Em cada caso, o transistor foi empregado como amplificador, embora seja dito que
estabelecendo os conceitos ele possa ser usado também como oscilador, de forma a criar e enviar ondas de rádio. No
básicos das junções pn e formato de um pequeno cilindro metálico com pouco mais de meia polegada de comprimento,
também inventando o
transistor de jun ção -- dois
o transistor não contém vácuo, grade, placas ou inv ólucro de vidro para manter o ar afastado.
passos fundamentais para o Sua ação é instantânea, não havendo atrasos por aquecimento, uma vez que não é gerado
posterior aperfeiçoamento do calor como em uma válvula. As partes funcionais do dispositivo consistem somente de dois
dispositivo. Shockley deixou o
Bell Labs em 1955 para fundar
finos fios que se ligam a uma placa de material semicondutor soldada a uma base de metal. O
a Shockley Semiconductor -- material na base de metal amplifica a corrente que chega até ela por um dos fios. O outro fio
um acontecimento que, de conduz a corrente amplificada.”
certa forma, marcou o
nascimento do Vale do Silício.
A empresa, contudo, enfrentou Em 15 de julho de 1948, a revista especializada Physical Review publicou três artigos sobre o
muitos problemas e acabou
fechando as portas. Mais tarde, transistor: dois de Brattain e Bardeen e um de Shockley. Foram os primeiros artigos técnicos amplamente
Shockley tornou -se professor difundidos explicando os princípios básicos do novo dispositivo.
de engenharia el étrica na
Universidade Stanford.
História do transistor no site da Lucent
A USP e a informática no
http://www.lucent.com/minds/transistor/
Brasil
Página da PBS sobre o transistor
Em 1962, a Escola Politécnica http://www.pbs.org/wgbh/aso/databank/entries/dt47tr.html
da USP adquiriu um IBM 1620,
tornando-se uma das primeiras
instituições universitárias do Transistor (a definition)
país a possuir um computador.
Em 1968, o então http://whatis.com/transist.htm
Departamento de Engenharia
de Eletricidade criou o
Laboratório de Sistemas Página com a patente do transistor feita por J. Bardeen em 1948
Digitais (LSD), e um segundo http://www.eepatents.com/feature/2524035.html?m04d16
IBM 1620 chegou à Escola
Politécnica. Não era, porém,
para ser utilizado por Transistor Inventiors & Inventions (no site About.com)
professores e alunos, mas para http://inventors.about.com/education/inventors/
ser desmontado e estudado no
library/inventors/bltransistor.htm?rnk=r1&terms=
LSD.
what+is+a+transistor%3F
Em torno do LSD, foi criada
toda uma estrutura de
pesquisa e pós-graduação em
eletrônica digital, uma Do laboratório para a indústria
iniciativa pioneira no Brasil. O
programa contava com
professores estrangeiros e Mais alguns anos se passaram e outros experimentos e descobertas se sucederam. Assim, num
incluía at é o projeto e a período de poucos anos após o estabelecimento do grupo de semicondutores no Bell Labs, a invenção do
construção de um protótipo de
computador. Quando o
transistor estava essencialmente completa, entendida e documentada. (Em 1950, Shockley publicou o
primeiro protótipo estava em livro “Electrons and Holes in Semiconductors”.) A fase científica estava chegando ao fim. A pr óxima fase
fase de montagem, chegou a consistia em resolver problemas mais práticos para a produção de transistores em grande escala.
notícia de que a Marinha
desejava equipar algumas
fragatas rec ém-compradas Em primeiro lugar, havia dois tipos de transistor que eventualmente poderiam ser fabricados: o
com computadores nacionais.
O LSD candidatou-se ao transistor de ponto de contato e o transistor de junção. O transistor de ponto de contato tinha muitas
projeto, contando com a desvantagens. Era dif ícil de fabricá-lo e suas características elétricas estavam longe de ser ideais -- eram
experiência que tinha na área. muito vari áveis, difíceis de ser controladas e inerentemente instáveis. O transistor de junção, por outro
A Unicamp também se
interessou pelos planos da lado, tinha características elétricas mais desejáveis e estáveis. Sua fabricação, contudo, tamb ém era
Marinha e, em homenagem a bastante complexa; exigia técnicas bastante apuradas e sensíveis, sendo difícil automatizar a produção.
ela, batizou de “Cisne Branco ”
Eletricazine
o computador que come çava a
desenvolver. A partir de uma
brincadeira com o nome “Cisne
Branco”, surgiu o nome do
computador do LSD: “Patinho
Feio”.
Por volta de julho de 1972,
depois de muito trabalho, o
computador finalmente ficou
pronto. Tinha um metro de
altura, 80 centímetros de
largura, pesava mais de 1.000
quilos e possuía 450 pastilhas
de circuitos integrados,
formando 3 mil blocos lógicos
distribuídos em 45 placas de
circuito impresso. A memória
podia armazenar 4.096
palavras de 8 bits, o
equivalente a 4 Kbytes de
memória. Foi o primeiro
computador construído no
país.
Quase que ao mesmo tempo,
outras iniciativas pioneiras
tomavam corpo na Escola
Politécnica. Em abril de 1970,
uma comissão do governo
federal, composta pelo CNPq,
BNDES e Fapesp, visitou o
Departamento de Engenharia
de Eletricidade. Aproveitou-se
a ocasião para propor a
construção de um laboratório
de circuitos integrados. Os
professores da Politécnica
estavam em contato com a
empresa Fairchild, que havia
fechado uma de suas fábricas
nos Estados Unidos, e havia
então a possibilidade de
comprar o equipamento. A
id éia foi aceita e o
equipamento foi comprado. Em
abril de 70 foi inaugurado o
Laboratório de Microeletr ônica
(LME) e um ano mais tarde,
em abril de 1971, foi
construído o primeiro circuito
integrado da América Latina.
Algum tempo depois, em 1984,
durante a administração do
professor Hélio Guerra Vieira, a
USP decidiu pela
descentralização dos serviços
computacionais da
Universidade. A partir de
então, começou-se a adquirir
grandes quantidades de
computadores, e estes se
espalharam por toda a
Universidade.
www.eletricazine.hpg.ig.com.br
Havia ainda muitos outros problemas, como conseguir que o transistor funcionasse em altas
freqüências, como as v álvulas, e que fosse capaz de suportar potências elevadas, como os relês. Para
operar em altas freqüências, os transistores deviam ser pequenos, mas para suportar elevada potência,
tinham que ser grandes. Além das dificuldades tecnológicas, havia uma inércia muito grande por parte da
indústria para aceitar o transistor. Os engenheiros e técnicos da época já estavam acostumados com as
válvulas, cujo funcionamento era relativamente simples e intuitivo. Já o transistor era um componente
complexo, seu funcionamento envolvia até física quântica. Era natural que surgisse um clima de
insegurança frente à necessidade de aprender novas técnicas de projeto e construção de circuitos
eletr ônicos. Algumas companhias chegaram a afirmar que o transistor, devido a sua baixa confiabilidade e
sujeição inerente a ruídos, nunca iria substituir a válvula.
Além disso, o transistor ainda era mais caro do que as v álvulas, que dominavam completamente a
indústria. Com poucas exceções, os fabricantes de v álvulas não estavam nada entusiasmados com o
transistor. O equipamento para a produção das v álvulas já estava em boa parte amortizado, então a
fabricação de v álvulas era uma m áquina de ganhar dinheiro.
Mas, aos poucos, o transistor e sua fabricação foram sendo aprimorados e suas vantagens sobre as
válvulas tornavam-se cada vez mais evidentes. Algumas empresas ainda tentavam resistir. Na época, a
RCA chegou a introduzir uma pequena válvula de baixa tensão chamada “Nuvistor”. Tinha um invólucro
de cerâmica e era pouco maior que os transistores da época. Mas foi uma batalha perdida. O Nuvistor foi
empregado por um curto período em aparelhos de TV da RCA, e em seguida desapareceu juntamente
com a maioria das outras válvulas à medida que a era do estado sólido emergiu.
Dessa forma, os primeiros fabricantes de transistores eram na sua maioria fabricantes de v álvulas.
Contudo, algumas empresas iniciantes foram bem-sucedidas. Talvez o maior exemplo seja a Texas
Instruments, que na época fabricava instrumentos geofísicos. A companhia viu uma grande oportunidade
nos transistores e, em 1953, obteve uma licença do Bell Labs, estabeleceu um laboratório próprio e
chamou pesquisadores de renome para conduzi-lo. Um ano depois, a Texas Instruments anunciou o
primeiro transistor de sil ício. O silício apresentava diversas vantagens sobre o germ ânio: suas
características elétricas eram melhores, podia suportar muito mais potência e podia operar em uma faixa
de temperatura ambiente bem mais ampla, além de haver suprimento de matéria prima praticamente
infinito. As desvantagens do silício eram seu ponto de fusão elevado (que exigia processos metalúrgicos
mais complexos) e o fato de o silício ser mais reativo quimicamente do que o germânio (o que facilitava a
contaminação). Essas dificuldades, contudo, foram logo superadas e a fabricação de dispositivos de silício
tornou-se dominante. Com o advento do transistor de silício, a Texas Instruments tornou-se
instantaneamente uma poderosa concorrente no mercado.
Além disso, para combater a resistência da indústria contra o transistor, foi decisiva a atuação do Bell
Labs no sentido de promover uma ampla difusão de informações sobre o dispositivo. Em 1951 e 1952
foram organizados simp ósios para interessados do governo, indústria e do meio acadêmico. A idéia era
divulgar as técnicas de fabricação de transistores e esclarecer detalhes sobre seu funcionamento. Além
disso, por apenas 25 mil dólares, conseguia-se do Bell Labs a licença para produzir transistores. Mas,
poderíamos nos perguntar: por que o Bell Labs não manteve essa valiosa invenção como uma
propriedade exclusiva sua? Por que concedia a licença para fabricação de transistores por tão pouco? Qual
era a intenção da empresa ao promover a disseminação do dispositivo? A idéia por trás dessa estratégia
aparentemente insensata era que outras empresas entrassem no negócio, alavancando o setor e
desenvolvendo novas tecnologias que pudessem ser empregadas nos sistemas de telecomunicações. O
Bell Labs certamente ganharia muito dinheiro com isso. Um outro motivo era a forte cultura de troca
informações na indústria de semicondutores, embora essa indústria fosse bastante competitiva. O rápido
progresso na fabricação de transistores deveu-se em grande parte ao intenso interc âmbio tecnológico
entre companhias, centros de pesquisa do governo e laboratórios de universidades.
Eletricazine www.eletricazine.hpg.ig.com.br

O início da década de 50 foi marcado por rápidas melhorias nas características e na fabricação de
transistores. Avanços sucediam-se rapidamente e os novos dispositivos eram capazes de operar em
freqüências cada vez maiores -- 100 MHz ou mais. Alguns pesquisadores desenvolviam outros tipos de
dispositivos semicondutores, e finalmente foi construído o transistor por efeito de campo (tecnologia
batizada de FET -- field effect transistor). Os primeiros JFETs (junction field effect transistors) foram
produzidos pela Crystalonics em Cambridge, Massachusetts, em 1960.

O transistor espalha-se pelo mundo

Tendo superado as dificuldades de fabricação em larga escala do transistor, era hora de empregá-lo na
prática, buscando substituir a válvula no maior número de aplicações possível. Essa não era uma tarefa
fácil, já que os transistores eram então fabricados em tamanhos reduzidos, o que dificultava sua
capacidade de suportar altas potências. Além disso, não suportavam freqüências de operação tão
elevadas quanto às das válvulas.

Enquanto isso, outras iniciativas tomavam corpo e mais tarde fariam surgir aquilo que hoje
conhecemos como Vale do Silício (Silicon Valley). Em 1954, William Shockley deixou o Bell Labs e mudou-
se para Palo Alto, uma pequena cidade no estado da Califórnia, Estados Unidos, onde iniciou sua própria
companhia, a Shockley Semiconductor Laboratory. Para levá-la adiante, Shockley contratou um grupo de
físicos e engenheiros jovens e ambiciosos de companhias de eletrônicos da costa leste dos EUA --
incluindo um grupo de oito pesquisadores que logo deixariam sua marca na história da microeletrônica,
embora sem a companhia de Shockley.

Os oito -- Julius Blank, Victor Grinich, Jean Hoerni, Eugene Kliner, Jay Last, Gordon E. Moore, Robert
N. Noyce e Sheldon Roberts -- não conseguiram se entender com Shockley e com sua maneira de
conduzir os negócios. Depois de dois anos, em 1957, saíram para formar sua própria companhia. Nasceu
assim a Fairchild Semiconductor (hoje conhecida por originar uma série de outras empresas sediadas na
Vale do Silício). Com a saída em massa, a companhia de Shockley acabou perdendo o rumo e depois de
ter sido comprada por duas vezes, acabou fechando as portas em 1969.

A Fairchild iniciou logo suas atividades e introduziu e aperfeiçoou processos e técnicas com sucesso.
Entre as inovações bem-sucedidas, estava a fabricação de transistores utilizando um processo chamado
de difusão. Consistia em envolver o material semicondutor em um gás contendo determinados elementos
químicos (chamados de impurezas). Em seguida, variava-se a temperatura de modo que as impurezas
penetrassem no semicondutor. Tal processo permitia controlar com precis ão a penetração de impurezas
no semicondutor. Com isso, podia-se criar no semicondutor regi ões bastante finas dopadas com
impurezas. Essas regiões dotadas de diferentes propriedades elétricas é que tornavam o efeito transistor
possível. A espessura da base (uma dessas regiões) era importante para que o transistor funcionasse com
freqüências elevadas.

Dessa forma, apesar de a l âmina de semicondutor ter de ser grossa o suficiente para ser
mecanicamente resistente, a base devia ser bastante fina. Uma base com espessura de 10 m ícrons
propiciava freqüências de operação de apenas alguns megahertz. Era necessário aperfeiçoar as técnicas
de fabricação para se conseguir bases ainda mais estreitas e consequentemente dispositivos que
pudessem ser usados nas diversas aplica ções eletrônicas. Esse problema foi resolvido com um outro
processo: o processo epitaxial. Esta nova técnica aprimorava o processo de difusão, permitindo a
fabricação de transistores que suportavam alta freq üência de opera ção e elevada potência. Logo foram
fabricados transistores com freq üências da ordem de centenas de megahertz. O processo de difusão e o
processo epitaxial tiveram um impacto fundamental na fabricação de dispositivos semicondutores e foram
decisivos para o surgimento dos circuitos integrados.
Eletricazine www.eletricazine.hpg.ig.com.br

Outros avanços importantes deram-se com a descoberta de que uma camada de dióxido de silício
podia impedir a difusão de certos átomos de impurezas na lâmina de silício. A difusão, contudo, poderia
ocorrer desimpedida através de “janelas” na camada de dióxido de silício. Essas descobertas deram início
ao emprego de técnicas de fotolitografia para a “impressão” de padr ões sobre o silício. Esses padrões
podiam determinar as regiões onde a difusão iria ocorrer.

O transistor, contudo, apresentava ainda outros problemas. Era muito sensível a variações de
temperatura e umidade. No início tentou-se empregar blindagens de vidro, aproveitando a experiência
com a fabricação de válvulas. Mas definitivamente esta não era uma solução adequada. No início de
1958, pesquisadores da Fairchild descobriram como usar o próprio di óxido de silício como uma efetiva
proteção que impedisse a degradação do transistor. Essa proteção praticamente resolveu o problema de
confiabilidade do dispositivo.

Rumo ao microchip

Todas essas inovações representavam um grande avanço na indústria de semicondutores. Chegava-se

a um época promissora. O silício, o semicondutor escolhido, podia ser produzido com pureza e perfeição
cristalina mais do que adequadas para seu uso. As dimensões críticas em todas as direções podiam ser
controladas com grande precis ão. Os contatos elétricos podiam ser feitos com facilidade, sem a
necessidade de precisão microscópica. Os dispositivos resultantes mostravam grande confiabilidade. E
tudo podia ser feito em larga escala. Passados apenas treze anos de sua invenção, o transistor já podia
abrir caminho para outro grande salto tecnológico: a invenção do circuito integrado (popularizado mais
tarde como “microchip”), em 1958, por Jack S. Kilby, da Texas Instruments, e Robert N. Noyce, da
Fairchild Semiconductor.

Kilby pensava em maneiras de miniaturizar os componentes e simplificar sua fabricação,

possivelmente construindo todos eles sobre uma mesma lâmina de silício. Em julho de 1958, ele escreveu
em seu caderno de pesquisa: “A miniaturização extrema de muitos circuitos elétricos pode ser alcançada
fazendo-se resistores, capacitores, transistores e diodos em uma única lâmina de silício”. Em seguida ele
ocupou -se em mostrar nas cinco páginas seguintes como isso poderia ser feito. No final de agosto, uma
versão simplificada de seu circuito já estava disponível, demonstrando que era possível produzir
transistores, diodos, capacitores e resistores em um único bloco de semicondutor e interconectá-los para
criar circuitos funcionais.

Jack Kilby, um dos inventores do circuito integrado

Eletricazine www.eletricazine.hpg.ig.com.br

O mesmo acontecia em outros locais de pesquisa. No Bell Labs, numa reuni ão em que se discutia de
que forma os transistores iriam substituir as válvulas, um dos pesquisadores disse: “Senhores, vocês
entenderam tudo errado! A vantagem do transistor é que ele é um dispositivo inerentemente pequeno e
de baixo consumo de energia. Isso significa que você pode agrupar um grande n úmero deles em um
espaço pequeno sem geração excessiva de calor e conseguir baixos atrasos de propagação. E é isso que
precisamos para aplicações lógicas. O significado do transistor não é que ele pode substituir a v álvula,
mas que ele pode fazer coisas que a v álvula nunca pôde!”

De fato, grande parte da pesquisa em semicondutores, sobretudo aquelas financiadas pelo governo,
envolvia a miniaturização de componentes. Essa preocupação devia-se sobretudo à corrida espacial, e ao
recente sucesso dos soviéticos no lançamento do satélite Sputnik I (no dia 4 de outubro de 1957).

Enquanto isso, na Fairchild, Noyce, de forma independente, dava um passo adiante na forma de
interconectar os microcomponentes do circuito integrado. Ele inspirou-se nas técnicas que empregavam
dióxido de silício como “máscaras” para a difusão de impurezas. Dessa forma, enquanto o processo de
Kilby utilizava pequeninos fios nas conexões entre os componentes do circuito, o processo desenvolvido
por Noyce empregava trilhas de alum ínio ou ouro que podiam ser aplicadas com a ajuda de m áscaras e
fotolitografia.

As idéias de Kilby e Noyce tornaram o circuito integrado uma realidade.

Contudo, houve uma certa relutância por parte da indústria de que seria viável produzir circuitos
integrados em grande escala. A principal preocupação era quanto à confiabilidade. Por muitos anos, a
produção de transistores trabalhou com rendimentos (porcentagem de componentes não-defeituosos) em
torno de 20%. Embora bastante baixos, eram números aceitáveis. Com a evolução tecnológica, chegou-
se em alguns anos a 90% de rendimento. Mesmo assim, qual seria a confiabilidade de um chip com cem
ou até mil transistores? Imaginava-se que seria bastante pequena em função da alta probabilidade de um
dos transistores falhar. Mas tal insegurança baseava-se na idéia de que o rendimento dos processos de
fabricação de transistores e também sua taxa de falhas eram eventos aleatórios. Contudo, verificou -se
que isso não era verdade. O rendimento e a taxa de falhas estavam fortemente relacionados com o
próprio processo de fabricação em lote de transistores; isto é, fabricava-se sobre um wafer de silício uma
grande porção de componentes em uma única “fornada”. Dessa forma, em determinadas regi ões do
wafer, conseguia-se ótimo rendimento, praticamente 100%; em outras, contudo, o rendimento era
praticamente nulo -- nenhum componente podia ser aproveitado. Assim, se o chip fosse produzido sobre
uma região do wafer de elevado rendimento, sua confiabilidade era igualmente elevada.

Durante a década de 60, muitas pesquisas nesse campo se sucederam, levando a processos cada vez
mais aperfeiçoados, e que garantiam confiabilidade cada vez maior para os circuitos integrados. Em 1961,
apenas 13 anos depois da invenção do transistor, a indústria de semicondutores superou a marca de 1
bilhão de dólares em lucros. Empresas como a Fairchild e a Texas Instruments j á produziam circuitos
integrados em escala comercial. Seus compradores eram agências do governo, como a Nasa, os militares
e também grandes companhias, como a IBM.

Em 1962, o número de companhias participantes se multiplicava. Além da Fairchild e da Texas

Instruments, RCA, Sylvania , National Semiconductor e Motorola tamb ém entraram no mercado de
circuitos integrados. Surgiu a lógica TTL (transistor-transistor logic) e fabricou-se os primeiros
amplificadores operacionais em circuito integrado.

Por volta de 1967, a indústria de semicondutores começou a tomar novos rumos que alterariam
profundamente o Vale do Silício. Diversos empregados deixaram a Fairchild para ingressar em outras
companhias ou ainda para formar suas pr óprias empresas. Foi neste jogo de cadeiras que Gordon Moore
Eletricazine www.eletricazine.hpg.ig.com.br

e Robert Noyce deixaram a Fairchild para formar a Intel, levando com eles alguns empregados
estratégicos, entre eles Andrew Grove.

A década de 70 foi a década em que a tecnologia MOS (metal-oxide semiconductor) atingiu seu auge,
seguida logo pela CMOS (complementary metal-oxide semiconductor), a tecnologia predominante nos
chips de hoje. Inicialmente, a tecnologia CMOS foi subestimada, mas os métodos envolvidos foram
aperfeiçoados e gradualmente ela tornou-se bastante empregada, miniaturizada, rápida e de baixo
consumo de energia. A RCA introduziu o primeiro microprocessador CMOS, o 1802, em 1974. Foi seguido
pelo microcontrolador de 4 bits TMS1000, da Texas Instruments.

E assim, novos chips eram lançados continuamente e sua complexidade crescia exponencialmente,
tornando possível aplicações cada vez mais surpreendentes. Logo surgiram os primeiros
microprocessadores, complexos microchips capazes de executar milhões de instruções por segundo. Os
microprocessadores possibilitaram a fabricação de computadores cada vez mais poderosos. Hoje, vivemos
uma época em que os microchips tornaram-se ubíquos -- estão em toda parte, a todo instante -- e
desempenham um papel fundamental em nossas vidas, facilitando o trabalho, a comunicação, o
entretenimento. Sem eles, nossas “vidas digitais” seriam impossíveis.

A invenção do circuito integrado (no site About.com)

http://inventors.about.com/education/inventors/
library/inventors/blmicrochip.htm?rnk=r3&terms=microchip

Patente do circuito integrado feita por Jack Kilby em 1959

http://www.eepatents.com/feature/3138743.html?m02d01

Página sobre Jack Kilby

http://web.mit.edu/invent/www/inventorsI-Q/kilby.html

Biografia de Jack Kilby

http://www.ti.com/corp/docs/kilbyctr/jackstclair.shtml

Página sobre o chip criado por Jack Kilby

http://www.ti.com/corp/docs/kilbyctr/jackbuilt.shtml

Uma entrevista com Jack Kilby

http://www.ti.com/corp/docs/kilbyctr/interview.shtml

Breve biografia sobre Robert Noyce

http://www.chips.ibm.com/microdesign/vol1_no1/noyce.html

A história da Fairchild
http://www.fairchildsemi.com/company/history.html

Demonstração da tecnologia CMOS com Java

http://tech-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/cmosdemo.html
cmosdemo.html