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Eletrônica

Básica

Aula 4
Profª Lays Omena

Transistores I
O transistor foi inventado em 1948 e tornou-se
um elemento indispensável em qualquer
circuito eletrônico e é o ingrediente básico dos
chamados circuitos integrados.

 Os
circuitos integrados, ou simplesmente CI, são
construídos a partir de uma grande quantidade
de transistores conectados mutuamente em
um único bloco de material semicondutor.

 Atualmente, o número de transistores


incorporados em um único circuito integrado
pode ser muito grande.
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Transistores I
 Apesar de existirem transistores de diferentes tipos, neste
capítulo estudaremos apenas um único um tipo de
transistor que é muito comum: é o chamado transistor de
junção bipolar (BJT).

 Em geral, os transistores são considerados componentes


eletrônicos ativos e, dentre inúmeras aplicações, eles
podem amplificar sinais elétricos.

 Na linguagem da eletrônica, estas duas palavras em


negrito expressam “conceitos mágicos” - gerais e
importantes – quase sempre associados ao tema
específico “transistor”.
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Caracterização de um transistor
O transistor consiste de 3 seções de silício
arranjadas na sequência N-P-N (ou P-N-P),
como mostra a Figura a seguir.
 A seção central é chamada de base e as
externas são o emissor e o coletor.
 O emissor e o coletor não são equivalentes: eles
diferem em geometria e concentração de
impurezas (tipo P ou N, por unidade de
volume).
 No símbolo esquemático, o sentido da seta no
emissor é o que diferencia os dois tipos de
transistores.
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Caracterização de um transistor
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Caracterização de um transistor
O fato que deve ser aprendido e memorizado,
é que um transistor não é equivalente a dois
diodos em série - ele é um outro dispositivo que
não pode ser substituído por combinações de
diodos.
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Caracterização de um transistor
O fato que deve ser aprendido e memorizado,
é que um transistor não é equivalente a dois
diodos em série - ele é um outro dispositivo que
não pode ser substituído por combinações de
diodos.
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Princípios básicos
 A Figura a seguir mostra, para o caso do transistor NPN, a
convenção que é normalmente utilizada para o sentido
positivo das correntes Ie, Ib e Ic, e das polaridades das
fontes de tensão Ve, Vb e Vc.
 Por convenção, a seta no emissor indica o sentido
positivo das correntes Ic e Ie.
 O esquema elétrico da Figura serve apenas como um
exemplo, pois, como veremos, o transistor pode ser
conectado de muitas maneiras diferentes.
 Neste caso particular o emissor está conectado
diretamente no potencial de referência (terra) e,
portanto, Ve = 0.
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Princípios básicos
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Princípios básicos
 Os transistores PNP se comportam da mesma
maneira que os NPN porém, com todos os
sentidos das correntes e polaridades das tensões
invertidas.
 Para evitar confusões desnecessárias, utilizaremos
somente o transistor NPN em todos os circuitos
discutidos neste capítulo.
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Princípios básicos
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Princípios básicos
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Princípios básicos
 O princípio básico de funcionamento do circuito da
Figura pode ser entendido se adotarmos algumas
regras básicas; assim como se adotam postulados nas
teorias de Física.
 A primeira delas, consiste em dizer que, nos circuitos
mais usuais, o diodo base-emissor está sempre
polarizado diretamente, enquanto que o diodo base-
coletor é sempre polarizado reversamente.
 Isto significa que a corrente que entra na base do
transistor flui apenas para o emissor - e não para o
coletor.
 Também significa que a corrente que entra no coletor
flui para o emissor - e não para a base.
 Trocando em miúdos, enunciamos a regra 1:
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Princípios básicos
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Princípios básicos
 Uma segunda regra garante o “poder de
amplificação” do transistor, e consiste em dizer
que a corrente na base do transistor, Ib, pode
controlar a corrente Ic que penetra no coletor.
 De fato, quando o transistor opera na sua região
linear (e veremos logo adiante o que isso
significa) as correntes Ic e Ib são proporcionais,
isto é,
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Princípios básicos
 Onde ß é um parâmetro (adimensional) que
possui valores distintos para cada transistor e,
geralmente, é da ordem de 100, podendo variar
entre 50 a 300 para diferentes modelos.
 O valor de ß é especificado pelo fabricante para
um dado modelo de transistor; entretanto,
especificação é fornecida na forma de uma
faixa de valores, por exemplo, ß = 100-300.
 Isto implica que diferentes exemplares de um
mesmo modelo podem possuir valores de
distintos.
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Princípios básicos
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Princípios básicos
 Vamos agora analisar o circuito da Figura a seguir,
que é muito parecido com o da figura anterior.
 Do ponto de vista prático, ele é mais simples porque
utiliza apenas uma fonte de alimentação.
 Note que as junções estão corretamente polarizadas
(b-e direta e c-b reversa).
 Observe o símbolo esquemático do transistor, onde a
seta indica a direção do fluxo de corrente.
 A conexão comum (terra) foi escolhida tal que Ve = 0
e portanto Vb = 0,7 volts.
 Nosso problema é encontrar Vo.
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Princípios básicos
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Princípios básicos
É fácil verificar que:
(10−0,7)
I1 = 𝑅1
= 0,93mA
(0,7−0)
I2 = 𝑅2
= 0,07mA
I3 = I1 – I2 = 0,93 – 0,07 = 0,86mA

Se o transistor opera na região ativa e se ß = 100,


Ic = ßIb = 100Ib = 86mA
E a voltagem de saída será:
V0 = 10 – RcIc = 10 – 100 x 86 x 10-3 = 1,4V
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Regiões de operação de um transistor


 Um circuito simples está mostrado na Figura a
seguir.

 Os gráficos mostram as correntes e voltagens do


transistor em função da voltagem de entrada.

 Conforme Vi aumenta, desde zero até alguns


volts positivos, o transistor percorre as situações:
corte, ativo e saturado.
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Regiões de operação de um transistor


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Transistor em corte
 Quando Vi é menor do que 0,6V, a junção b-e
não conduz, isto é, Ib = 0 e, portanto, Ic = 0.
 Na ausência de corrente, a voltagem no coletor
será igual à da fonte de alimentação V .
 Esta situação é conhecida através da expressão:
o “transistor está em corte” ou “desligado”.
 Um detalhe que muitas vezes pode ser
importante: pode-se considerar que quando Vi =
0 o transistor está em corte, entretanto, esta
condição vai depender do valor de Rb.
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Transistor em corte
 Uma análise rigorosa das propriedades do transistor
mostra que a junção b-c, quando reversamente
polarizada, apresenta uma pequena condução
representada por uma corrente reversa residual muito
pequena.
 Esta corrente flui do coletor para o emissor e, estando
Vi conectado ao terra (Vi = 0) ela produzirá uma
tensão na base que polariza diretamente a junção b-
e. Portanto, para que o transistor esteja em corte
quando Vi = 0, é necessário que Rb tenha um valor
suficientemente pequeno.
 É aconselhável que Rb seja menor que 10k para
transistores de sinal e, menor ainda, para transistores
de potência ou para transistores quaisquer operando
em altas temperaturas.
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Transistor em corte
 Concluindo, para que se tenha certeza que o
transistor está em situação de corte, é necessário
que se mantenha a tensão de entrada negativa,
isto é, Vi< 0.
 Em geral, uma tensão reversa de somente uma
fração de 1V é suficiente para reduzir a corrente
no emissor ao seu valor mínimo.
 Entretanto, para a maioria dos transistores, a
voltagem Vbe de ruptura é relativamente
pequena (da ordem de alguns volts negativos)
assim, voltagem reversa excessiva na base deve
ser evitada para não danificar o transistor.
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Transistor ativo
A região ativa é também chamada de região
linear. Conforme a voltagem de entrada
aumenta, a partir de 0V para valores positivos
maiores, o transistor passa através de sua região
ativa.
 Na realidade, uma pequena tensão direta na
base, pouco maior que 0.1 V, pode ser suficiente
para colocar o transistor na região ativa, desde
que Rb seja suficientemente pequeno (< 1k).
 Na região ativa a corrente no coletor é
linearmente proporcional à corrente na base
(Regra 2):
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Transistor ativo
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Transistor saturado
 Se a voltagem de entrada for aumentando
gradativamente, a corrente no coletor atinge um
valor máximo e nesta situação é dito que o
transistor está saturado.
 Isto pode ser mais bem compreendido a partir da
Equação 10.6 que, com base no circuito anterior
pode ser reescrita da seguinte forma:
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Transistor de Junção Bipolar


 Um transistor bipolar consiste em um cristal de
silício (ou germânio) no qual existe uma camada
de silício do tipo N entre duas camadas de silício
do tipo P, ou uma camada P entre duas N.
 No primeiro caso, tem-se um transistor PNP e, no
segundo, um transistor NPN, como mostra a
Figura 28 (11) abaixo.
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Transistor de Junção Bipolar


 Os dois desenhos relativos aos transistores NPN e
PNP são apenas simbólicos e para fins didáticos.
 Na verdade, existe uma diferença física entre as
três camadas.
 Serão apresentadas a seguir as principais
diferenças e um desenho mais real das
proporções em um transistor, como ilustra a
Figura 29 (11).
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Transistor de Junção Bipolar


 a)a camada central (base) é muito mais estreita
que duas camadas externas (coletor e emissor);

 b) a camada do coletor tem uma área de


contato com a base maior que a do emissor, a
fim de permitir captar melhor os portadores
vindos do emissor;

 c)o coletor e o emissor é mais dopado que a


base. E a camada que forma o emissor é muito
mais dopada que a do coletor.
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Transistor de Junção Bipolar


 Os tipos e formatos de invólucros variam muito de
acordo com as condições para as quais foram
projetadas.
 Os invólucros são sempre em função da
potência que o transistor vai dissipar.
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Polarização e Funcionamento
 Observa-se agora como se comportam duas
junções PN (Base-emissor e Basecoletor) quando
são polarizados simultaneamente.
Polarização direta das junções:
 Conforme ilustra a Figura a seguir, há duas
correntes diretas praticamente independentes,
onde se conclui que uma variação na tensão V1
não influencia na corrente I2, e por isso não existe
a característica de amplificação.
 Com este tipo de polarização nas junções diz-se
que o transistor está saturado.
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Polarização e Funcionamento
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Polarização e Funcionamento
 Polarização inversa das junções:
 No caso da Figura a seguir, só irão circular
correntes de fuga pelas junções e que são
totalmente independentes, o que leva a afirmar
que não existe amplificação.
 Com este tipo de polarização diz-se que o
transistor está cortado.
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Polarização e Funcionamento
Junção B-E direta e junção B-C inversa:
 Observando-se a Figura a seguir, vê-se que as
lacunas que são emitidas em direção à base,
provenientes do emissor, sofrerão poucas
recombinações, devido à base ser estreita e
pouco dopada, acarretando em uma grande
corrente no coletor.
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Polarização e Funcionamento
 Com esta explicação, pode-se verificar que
aumentando V1, um número maior de lacunas
será emitido em direção à base, fazendo
aumentar a corrente no coletor.
 Por outro lado, abrindo a malha do emissor,
nenhuma lacuna será emitida e a corrente do
coletor será igual a corrente de fuga.
 Para o transistor PNP, têm-se as correntes
indicadas no circuito da Figura s seguir.
 Com este tipo de polarização o transistor obtém
características de amplificação e diz-se que o
mesmo está operando na região linear ou ativa.
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Polarização e Funcionamento
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Polarização e Funcionamento
Convenções no transistor:
Em esquemas eletrônicos os transistores têm a
representação simbólica mostrada na Figura
seguir:
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Polarização e Funcionamento
 Nesta representação, a única diferença é o
sentido da seta que representa o emissor.
 As convenções de corrente e tensão são
necessárias, pois são utilizados pelos fabricantes
para representar um transistor nas folhas de
dados.
 Apresenta-se a seguir o circuito da Figura a seguir
e as suas convenções para o mesmo.
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Polarização e Funcionamento
 Apresenta-sea seguir o circuito da Figura a seguir
e as suas convenções para o mesmo.

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