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Capitulo 2 Aguns Exercicios Resolvidos
Capitulo 2 Aguns Exercicios Resolvidos
Capítulo
Componentes Semicondutores I
Meta deste capítulo
Revisar componentes semicondutores e apresentar
características novas relacionadas à eletrônica de
potência.
•
objetivos
Pré-requisitos
Não há pré-requisitos para este capítulo.
Continuidade
O estudo continuará envolvendo componentes semicondutores aplicados à
eletrônica de potência.
1 Introdução
O uso de semicondutores em eletrônica se confunde com a própria história desta área do
conhecimento, tão importante são estes componentes para os equipamentos e suas funcionalidades.
Deste modo, diodos semicondutores já foram estudados em outras disciplinas, pois são
componentes empregados com diversas finalidades, sejam como retificadores, conformadores de
sinais, sinalização (no caso de LEDs e displays), regulação de tensão, proteção, dentre inúmeras
outras.
A Figura 1 mostra um quadro comparativo de tecnologias de semicondutores em função
da frequência de operação e de sua potência. Nota-se que os tiristores (SCR e GTO) estão em
frequências mais baixas, mas operam em altas potências. Já os componentes a base de MOSFETs
operam em potências menores, mas em altas frequências. Os diodos semicondutores podem ser
construídos com diversas tecnologias, podendo assim serem utilizados em altas potências e altas
frequências, conforme a situação demandar.
Eletrônica de Potência
Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 3
2 Diodos Semicondutores
Este capítulo sobre diodos semicondutores está organizado de forma que o aluno
relembre algumas características destes componentes, a seguir serão apresentados aspectos novos,
seguidos de comentários sobre informações importantes de catálogo, além de uma explanação
sobre as perdas e seu cálculo. São apresentadas informações sobre componentes comerciais, além
dos testes para verificar se o diodo está em bom estado. Ainda, apresentam-se um roteiro de
laboratório, exercícios resolvidos e propostos e simulações de circuitos com semicondutores.
Eletrônica de Potência
Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 4
O diodo ideal é utilizado para fins de estudo e simulação, pois simplifica a análise do
circuito. Na prática o diodo tem uma curva como mostrado na Figura 5. Nesta curva se mostra a
queda de tensão direta que o diodo provoca quando está conduzindo (V(TO)). É importante notar que
este valor é um dos pontos da curva, pois para cada corrente que circula pelo diodo se tem um valor
específico de queda de tensão. A inclinação da curva depende da resistência interna do diodo.
Na região reversa se tem o limite de tensão que o diodo pode bloquear sem entrar em
condução reversa. Este limite é denominado de VRRM, ou seja, tensão reversa repetitiva máxima.
Este valor é muito importante e sempre deve-se evitar atingir este valor, do contrário pode ocorrer a
destruição do diodo.
Como exemplo de parâmetros da curva característica de um diodo real, considere o
modelo Diodo SKN20/08:
• VRRM = 800 V;
• V(TO) = 0,85 V;
• rT = 11 mΩ;
• IDmed = 20 A;
• IR = 0,15 mA.
Eletrônica de Potência
Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 5
No entanto, um diodo apenas para de conduzir, isto é, bloqueia, quando a corrente que
estiver passando por ele zerar. Então não se deve considerar que se for aplicada uma tensão reversa
sobre o diodo isso implica em seu bloqueio. Ele somente cessará a condução quando a corrente do
circuito, e que circula pelo mesmo, atingir o valor zero. Em circuitos resistivos é comum a tensão e
corrente estarem em fase e se confundir o bloquei com a passagem por zero da tensão (aplicação de
tensão reversa); mas em circuitos indutivos isso não acontece, e mesmo submetido à tensão
negativa (reversa) o diodo permanece conduzindo até a corrente chegar a zero.
Importante:
Ø O diodo bloqueia apenas quando a corrente que circula pelo mesmo atingir o
valor zero.
Eletrônica de Potência
Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 6
de tensão direta do diodo. No entanto, quando este é levado ao bloqueio pelo fechamento da chave
S, a barreira de potencial precisará ser reconfigurada, indo de VF até a tensão reversa de operação,
que neste circuito é E. Assim, para que a tensão no diodo varie de VF até E, é necessária a
circulação de uma corrente reversa (negativa), que aparece na Figura 8 como IRM. Na Figura 9 esta
corrente é representada pela parte hachurada, indo de t1 até t3. Note que em t3 a tensão reversa no
diodo atingiu seu valor final E. No instante t2, a tensão no diodo é Vpico, maior que E, isso é devido
a presença do indutor L1, pois enquanto a corrente estiver variando no mesmo, ocorrerá uma tensão
induzida que aparecerá nos outros elementos do circuito.
O efeito da recuperação reversa pode ser prejudicial aos outros componentes do circuito,
principalmente para a chave S. O pico de corrente na recuperação reversa depende das
características construtivas do diodo e das condições do circuito (valor de L1, velocidade de entrada
em condução da chave, corrente IL, etc.). Para minimizar este efeito, existem diodos específicos,
com recuperação suave ou de carbeto de silício (silicone carbide), que reduzem muito o pico de
recuperação reversa, como pode ser observado na Figura 10.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 7
Eletrônica de Potência
Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 8
Normalmente, para fins de simplificação, quando não se tem acesso pela folha de dados
do componente (datasheet), ao valor da resistência interna do diodo, se determina a perda por
condução por:
P = V(TO ) ⋅ I Dmed .
Lembre que V(To) é a tensão direta VD ou VF, quando o diodo está conduzindo uma
corrente média ID ou IF. A tensão direta pode ser obtida na folha de dados, enquanto a corrente
direta é aquela do circuito onde o diodo está inserido, isto é, a corrente real que o diodo estará
conduzindo.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 9
Eletrônica de Potência
Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 10
1N4001 - 1N4007
General Purpose Rectifiers
Features
• Low forward voltage drop.
• High surge current capability.
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Value
Symbol Parameter Units
4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007
VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 50 100 200 400 600 800 1000 V
IF(AV) Average Rectified Forward Current
1.0 A
.375 " lead length @ TA = 75°C
IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
30 A
8.3ms Single Half-Sine-Wave
I2t Rating for Fusing ( t<8.3ms ) 3.7 A2sec
TSTG Storage Temperature Range -55 to +175 °C
TJ Operating Junction Temperature -55 to +175 °C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics
Symbol Parameter Value Units
PD Power Dissipation 3.0 W
RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 °C/W
Figura
Figure 3. Non-Repetitive Surge Current 13 – Curva I x V4. para
Figure os Characteristics
Reverse diodos 1N4001 até 1N4007.
Fonte: https://www.fairchildsemi.com/ds/1N/1N4003.pdf. Acesso em: 20/08/2013.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 11
Eletrônica de Potência
Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 12
3 Tiristores
Anteriormente, neste capítulo, foram revisados e apresentados aspectos novos
relacionados aos diodos semicondutores, ou diodos de junção de silício. Estes componentes, apesar
de serem semicondutores, não possuem terminal de controle, ou seja, o usuário não poderá
determinar o momento da entrada em condução e do seu bloqueio. A comutação ocorre conforme o
funcionamento do circuito, entrando em condução quando polarizado diretamente e bloqueando
quando a corrente passar por zero.
A eletrônica de potência pretende realizar o controle do fluxo de potência entre dois
Eletrônica de Potência
Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 13
circuitos, e para tanto, em muitos casos faz-se necessário ter componentes que permitam
determinar ativamente o estado de condução ou bloqueio. Assim, foram desenvolvidos os tiristores,
que são uma família de semicondutores, formados por SCRs, TRIACs, DIACs, SIDACs, dentre
outros. Alguns destes componentes possuem um terminal de controle, o que poderá permitir seu
controle, seja para ligar, ou para desligar, dependendo do componente específico a ser utilizado.
Assim, nesta parte deste capítulo serão estudados os componentes da família dos
tiristores, especificamente os SCRs e TRIACs. Inicialmente apresenta-se seu funcionamento ideal,
seguido do funcionamento real. Posteriormente abordam-se características de comutação, perdas e
aspectos práticos. Exercícios, simulações, além de roteiro de laboratório também são apresentados.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 14
O tiristor real tem uma curva como mostrado na Figura 19 onde nota-se que este
componente possui três regiões de operação. A inclinação da curva depende da resistência interna
do tiristor.
As três regiões de operação do tiristor são:
• Curva 1 – região de operação reversa sem corrente no gatilho. Assim como no caso
do diodo, o tiristor suporta uma tensão reversa máxima denominada de VRM;
• Curva 2 – região de operação direta sem corrente no gatilho. De modo idêntico à
região reversa, o tiristor pode ser submetido a uma tensão direta de valor VAKM
sem entrar em condução. Este valor geralmente é igual ao valor VRM;
• Curva 3 – região de operação direta com corrente de gatilho. Neste caso o tiristor
se comporta identicamente ao diodo na região direta, provocando uma queda de
tensão direta VT.
O tiristor é um componente formado por junções PN, assim como também o diodo é
denominado de diodo de junção PN. Lembre que existem outras tecnologias, como diodo de
contato, etc. Na Figura 20 mostra-se o aspecto interno de um tiristor, onde nota-se a presença dos
três terminais (A, C e G) e das três junções (J1, J2 e J3). Está representado ainda na figura a presença
de uma fonte de tensão conectada entre anodo e catodo que provocará a circulação da corrente
direta pelo tiristor, além de polarizá-lo diretamente.
O disparo do tiristor, ou seja, o efeito de fazê-lo conduzir, é provocado quando se aplica
uma corrente no gatilho, que irá circular entre gatilho e catodo. Esta corrente é originada pela fonte
Vg e limitada pelo resistor de gatilho Rg.
A entrada em condução do tiristor ocorre quando se aplica um sinal no gatilho e o tiristor
estiver diretamente polarizado. Após entrar em condução, o sinal no gatilho poderá ser retirado,
pois mesmo assim permanecerá conduzindo.
Na Figura 21 mostra-se um circuito equivalente (apenas para estudo) para auxiliar na
Eletrônica de Potência
Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 15
explicação da permanência em condução do tiristor mesmo sem sinal de gatilho. Observe-se que se
for aplicada uma corrente no gatilho (IG), esta corrente será a corrente de base do transistor T2 (IB2).
Esta corrente fará com que o transistor T2 conduza, provocando assim a circulação de corrente
entre seu coletor e emissor (IC2 = IK). Esta corrente de coletor (IC2) irá circular pela base do
transistor T1 (IB1) fazendo com que este entre em condução. T1 conduzindo fará com que circule
corrente entre seu emissor e coletor (IE1) que por sua vez circulará pela base de T2, mantendo os
dois transistores conduzindo.
Para que o tiristor cesse a condução deve-se anular sua corrente, o que pode ser feito de
dois modos:
• Desligando a fonte – assim a corrente do circuito todo será zerada;
• Curto circuitando anodo e catodo – fazendo um curto-circuito entre anodo e catodo
faz-se a corrente do circuito desviar do tiristor, zerando sua corrente e
provocando seu bloqueio.
Importante:
Ø O tiristor bloqueia apenas quando a corrente que circula pelo mesmo atingir o
valor zero, mesmo que a corrente de gatilho seja retirada antes disso.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 16
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 17
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 18
De forma simplificada:
P = V(TO ) ⋅ ITmed .
Lembre que V(To) é a tensão direta VT, quando o tiristor está conduzindo uma corrente
média IT. A tensão direta pode ser obtida na folha de dados, enquanto a corrente direta é aquela do
circuito onde o tiristor está inserido, isto é, a corrente real que o componente estará conduzindo.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 19
NXP Semiconductors BT151-800R
SCR, 12 A, 15mA, 800 V, SOT78
componente com o restante dos componentes do circuito, além de se cuidar com o isolamento do
gabinete do
2. equipamento.
Pinning information
Table 2. Pinning information
Pin Symbol Description Simplified outline Graphic symbol
1 K cathode
mb A K
2 A anode
G
3 G gate sym037
mb mb anode
1 2 3
SOT78
(TO-220AB; SC-46)
2 of 11
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 20
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 21
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 22
proporcionar o sinal com valor e duração adequada para que o tiristor entre em condução quando
for desejado.
Ao utilizar tiristores em circuitos de corrente contínua e/ou de baixa tensão, o sinal de
comando (VG) poderá ser gerado no próprio circuito. Já em outros casos, por exemplo quando se
utilizam altas tensões (220 V ou mais), corrente alternada, ou se deseja isolamento entre o circuito
de potência e o circuito de controle, pode ser necessário implementar uma etapa específica para o
acionamento dos tiristores.
Na Figura 33 mostra-se um circuito típico para acionamento de TRIACs e controle por
ângulo de fase da tensão na carga. Estes conversores (ca-ca) serão estudados em capítulos
posteriores desta apostila. Nestes circuitos é necessário fazer o sincronismo com a tensão da rede,
para que se dispare o tiristor no ângulo desejado, a partir de zero graus (passagem por zero da
senóide da rede). Assim, o resistor de 1,5 MΩ realiza esta função no circuito da Figura 33. Note
que o circuito integrado (TCA785 - http://www.infineon.com/) necessita de uma tensão contínua de
15 V para funcionar.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 23
proteção, alterando o circuito no gatilho do tiristor, conforme sugerido pela Figura 36.
Além disso, é muito importante cuidar com a conexão do tiristor, para que a corrente de
gatilho entre neste terminal e saia no catodo (para o SCR) ou para o terminal A1 (para TRIAC)
mostrado na Figura 28. Isso pode ser observado na Figura 37 onde se mostra a identificação dos
terminais, a pinagem e o aspecto real do TRIAC da série BT137 da NXP.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 24
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 25
5 Exercícios
Exercícios Resolvidos
ER 01) Seja o circuito da Figura 40, considerando que a tensão da fonte é de 5 V, o resistor de 100
Ω e os diodos (D1 e D2) sejam 1N4003, determine:
• A corrente do circuito;
• As perdas de condução em cada diodo;
• A perda no resistor R1;
• A potência fornecida pela fonte.
Neste caso precisa-se consultar a folha de dados do diodo 1N4003 para estimar sua queda
de tensão direta, que será:
VD1 = VD 2 = 1,1V .
ER 02) Seja o circuito da Figura 44, considerando que a tensão da fonte é de 12 V. Os resistores
são: R1 = 10 kΩ, R2 = 4,7 kΩ e R3 = 15 Ω. O LED é de potência, com tensão direta de 2 V e
corrente direta de 600 mA. As informações do tiristor TIC106 são fornecidas na folha de dados, a
ser consultada pela internet.
• A corrente do circuito;
• A potência dissipada pelo tiristor;
• A perda no resistor R3;
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 26
D1
+
Vi
- D2
R3
+ D1
R1
Vi
A
- R2
T1
G
C
R1 ⋅ R2 10k ⋅ 4,7k
RTH = R1 / / R2 = = 3,2 kΩ .
R1 + R2 10k + 4,7k
Pela folha de dados do componente verifica-se que sua corrente de disparo no gatilho é de
200 μA. Portanto o tiristor estará conduzindo.
Pode-se então determinar a tensão sobre o resistor R3:
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 27
VR3 = Vi − VD1 − VT 1 ;
Note que o rendimento encontrado é muito baixo, indicando que seria um circuito
inviável de ser implementado na prática. Claro, este circuito é apenas didático, para fins de estudo
de tiristores, por isso não pode ser considerado um projeto para resultar em um produto eletrônico.
ER 03) Determine a queda de tensão direta para o diodo 1N5401, quando estiver conduzindo uma
corrente de 1 A.
Precisa-se da curva do diodo 1N5401, conforme mostrado na Figura 42. A seguir, de
forma aproximada, se determina que a tensão direta para a corrente de 1 A é 0,75 V.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 28
Exercícios Propostos
EP 01) Seja o circuito da Figura 43, considerando que a tensão da fonte é de 12 V. O resistor R1
tem resistência de 10 Ω. O diodo é o 1N5400. Com base nas informações da folha de dados do
fabricante, determine:
• A corrente do circuito;
• A potência dissipada pelo diodo;
• A perda no resistor R1;
• A potência fornecida pela fonte.
R1
I
+
D1
Vi
EP 03) Determine as perdas por condução para um diodo de silício, operando nas seguintes
condições:
• Corrente média: 5 A;
• Queda de tensão direta: 1,2 V.
EP 04) Determine as perdas por condução para um diodo de silício, operando nas seguintes
condições:
• Corrente média: 1 A;
• Queda de tensão direta: 0,8 V.
EP 05) Explique como ocorre a entrada em condução de um diodo. Ocorre algum fenômeno
atípico?
EP 06) Explique como ocorre o bloqueio de um diodo. Ocorre algum fenômeno atípico?
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 29
EP 09) Comente sobre as principais características de um diodo que devem ser observadas para sua
escolha.
EP 10) Os diodos de potência podem ser utilizados em altas frequências (acima de 100 kHz)?
EP 14) É correto afirmar que um diodo bloqueia quando estiver reversamente polarizado?
EP 16) Qual a principal característica dos diodos de carbeto de silício (silicon carbide)?
EP 21) Considere o circuito da Figura 41, e que a tensão da fonte seja de 24 V. Os resistores são:
R1 = 10 kΩ, R2 = 2,2 kΩ e R3 = 15 Ω. O LED é de potência, com tensão direta de 2 V e corrente
direta de 600 mA. As informações do tiristor TIC106 são fornecidas na folha de dados, a ser
consultada pela internet.
• A corrente do circuito;
• A potência dissipada pelo tiristor;
• A perda no resistor R3;
• A potência fornecida pela fonte;
• O rendimento do circuito.
EP 24) Qual a queda de tensão direta do diodo 1N5404 quando submetido a uma corrente de 3 A?
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 30
6 Pré-Laboratório
6.1 Introdução
Esta atividade tem por objetivo preparar o estudante para a aula de laboratório, mais
especificamente realizando simulações referentes aos circuitos que serão implementados.
Assim, objetiva-se:
• Simular circuitos de eletrônica de potência;
• Antecipar os estudos referentes aos assuntos abordados na aula de laboratório;
• Entender o funcionamento de circuitos com eletrônica de potência;
• Analisar os resultados obtidos e concluir a respeito.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 31
A seguir, realize a mesma simulação com o software Multisim. Os multímetros são para
medir a corrente do circuito e tensão nos elementos.
Explique por que os valores encontrados com Multisim diferem daqueles obtidos com
Psim.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 32
Anote também a tensão sobre o tiristor, ou seja, sua queda de tensão direta:
VT = __________.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 33
7 Laboratório
7.1 Introdução
Esta atividade de laboratório tem por objetivo exercitar o conteúdo estudado nesta aula
(capítulo), especificamente sobre semicondutores de potência (diodos e tiristores).
Em síntese, objetiva-se:
• Testar semicondutores de potência;
• Implementar circuitos de disparo de tiristores e transistores;
• Levantar a curva de corrente versus tensão de diodos;
• Entender o funcionamento de semicondutores de potência;
• Analisar os resultados obtidos e concluir a respeito.
Levante a curva de corrente versus tensão, tanto na região direta como na região reversa
do diodo, anotando os valores nas Tabela 3 e Tabela 4. Utilize como referência o circuito da Figura
47. O diodo utilizado no circuito é o MUR160 e o resistor é de 100 Ω.
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 34
Desenhe a curva característica do diodo na Figura 48. Utilize os dados das Tabela 3 e
Tabela 4 e extrapole os pontos para obter uma melhor visualização da curva.
+ R1 + R1
Vi Vi
- D1 - D1
iD
vD
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 35
7.3 Tiristores
Obtenha na internet a folha de dados do SCR BT151.
A seguir, verifique se o diodo está em boas condições, utilizando o multímetro.
R1
+ D1
R2
Vi
A
- T1
G
C
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Capítulo 2 – Semicondutores de potência: diodos e tiristores 36
8 Referências
[1] BARBI, I. Eletrônica de potência. Florianópolis: Edição do Autor, 2005.
[4] MOHAN, N. Power Electronic Converters, Application and Design. New York: IE-Wilwy,
2003.
[5] PRESSMAN, A. I. Switching Power Supply Design. New York: McGraw Hill, 1998.
[6] BARBI, Ivo. Projeto de Fontes Chaveadas. 2ª Edição Revisada, Florianópolis, 2006.
[7] ERICKSON, Robert W. Fundamentals of Power Electronics. New York, EUA – Chapman &
Hall, 1997.
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