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Grupo: Isaac Nogueira Páscoa, Matheus Amaral Kovaleski, Vitória Araujo R. de Oliveira
Rio de Janeiro
Julho de 2021
1. Introdução
Nessa prática de Eletrônica II, foi abordado o uso do transistor bipolar de junção npn. O TBJ
possui em sua forma de construção três terminais, a base, coletor e o emissor. O TBJ é
controlado por corrente elétrica, onde uma pequena corrente na base pode provocar um fluxo
de corrente muito maior no emissor.
Um dos fatores que influencia a operação de um TBJ é a sua variação térmica. Por serem muito
sensíveis a temperatura, os dispositivos semicondutores sofrem alteração no seu ponto de
operação. Por esse motivo, a polarização na base por divisão de tensão, no circuito da prática,
é utilizada, pois ela ameniza as variações térmicas do semicondutor no circuito.
Esse tipo de circuito é usado para forçar uma polarização direta na junção base-emissor. Dessa
forma, faz-se com que o transistor não dependa tanto do ganho (β).
Para facilitar o cálculo das correntes e tensões na base, emissor e coletor, faremos uma análise
de Thévenin.
𝑉1 × 𝑅2
𝑉𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1 × 𝑅2
𝑅𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2
Com isso, o novo circuito fica construído assim:
→ Base-emissor
(1) 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
(2) 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 × 𝛽
(3) 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 × (1 + 𝛽)
(4) 𝑉𝐵𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1) × 𝑅4
→ Coletor-emissor
(1) 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸
(2) 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 × 𝑅4
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸
2. Realizando a prática
Para achar o valor das tensões e correntes da base, coletor e emissor (Figura 1), na prática,
usamos o programa MicroCap, e chegamos aos seguintes resultados:
𝐼𝐵 2,06µA 𝑉𝐵 1,51V
𝐼𝐸 867,47µA 𝑉𝐸 867,47mV
𝐼𝐶 865,41µA 𝑉𝐶 6,12V
Para realizar a segunda medição das tensões, agora com um resistor de 220Ω em paralelo
com o resistor R4, foi construído um novo circuito:
𝑉𝐵 982mV
𝑉𝐸 317,6mV
𝑉𝐶 381mV
3. Resultados
Sobre o seu funcionamento, foi possível verificar que as três tensões baixam muito quando
inserido resistor em paralelo com o R4 no primeiro circuito, principalmente a tensão do
coletor. É possível visualizar também como o 𝛽 diminui consideravelmente em relação ao
primeiro circuito. Embora o 𝛽 dependa do transistor, ele pode sofrer variações de acordo
com o valor de 𝐼𝐶 . Assim, para valores muito elevados de corrente, o 𝛽 diminui. Ainda com
relação às especificações de correntes, o fabricante fornece, às vezes, os valores limites das
correntes de base e de emissor. Isso significa que o 𝛽 de um transistor nos informa quantas
vezes ele pode ampliar a corrente que seja forçada a circular pela sua base na configuração
indicada, num circuito de corrente contínua.
Após colocar um novo resistor em paralelo com R4, pode-se perceber que a resistência
equivalente no emissor diminui muito, consequentemente, o valor da corrente na base
(𝐼𝐵 ) aumenta, devido a relação descrita anteriormente. Como 𝐼𝐵 influencia diretamente 𝐼𝐶 ,
a corrente no coletor também sofre variação. Por isso, pode-se concluir que alterando os
valores de R4, mesmo que colocando um resistor em paralelo com uma resistência
relativamente pequena, provoca grande diferença no circuito.
Outro ponto importante que é valido ressaltar é a grande variedade de transistores e suas
propriedades, o que dificulta a aproximação entre o valor calculado e o valor esperado na
prática.
𝐼 865
Em relação ao ganho, podemos afirmar que primeiramente, seu valor é: 𝛽 = 𝐼 𝐶 ≅ ≅
𝐵 2
432,5 e quando colocado o resistor de 220Ω, o ganho sofre variação muito grande: 𝛽 =
1,71×10−3
= 32,55.
52,53×10−6