Universidade Federal da Bahia

Escola Politécnica
Departamento de Engenharia Elétrica

Disciplina: Eletrônica de Potência (ENGC48)

Tema: Dispositivos para Eletrônica de Potência

Prof.: Eduardo Simas

eduardo.simas@ufba.br

Aula 8
DEE
 Sumário

 Principais dispositivos para Eletrônica de Potência

 Diodos

 Transistores

 Tiristores

 Aplicações

DEE
2/80
 1. Dispositivos Semicondutores

DEE
3/80
 Principais Dispositivos Semicondutores

 Diodo de Potência:  Tiristor (SCR):

 Transistor Bipolar
de Potência:
 TRIAC:

 MOSFET de Potência:
 GTO (Gate Turn
Off Thyristor):

 IGBT: (Insulated Gate  MCT (MOS controlled

Bipolar Transistor) Thyristor)

DEE
4/80
Principais Dispositivos Semicondutores

 Os dispositivos são
escolhidos considerando a
potência máxima e a
frequência de chaveamento
necessárias para a
aplicação

DEE Tratamento Térmico e Termoquímico dos Aços 5/80

 2.Diodos de Potência

DEE
6/80
 Diodos de Potência

 Os diodos de potência são provavelmente o dispositivo semicondutor mais

simples utilizado em aplicações da Eletrônica de Potência.

Simbologia Encapsulamentos Curva Característica

A -> Anodo
K -> Catodo

Quando:
VA > VK (VAK > 0) -> polarização direta -> condução
VA < VK (VAK < 0) -> polarização reversa -> bloqueio

DEE 7/80
 Diodos de Potência

 Estrutura interna básica de um diodo semicondutor (junção P-N):

Região de
depleção

DEE 8/80
 Diodos de Potência

Estrutura interna:
- O lado N é dividido em dois, com
diferente intensidade da dopagem.

- A região N- tem menor intensidade de

impurezas dopantes e permite ao
componente suportar tensões mais
elevadas pois diminui o campo elétrico
na região de transição.
- As regiões externas são fortemente
dopadas gerando contatos com
características ohmicas (e não
semicondutoras).

DEE 9/80
Diodos de Potência

Características estáticas:

Vo -> Tensão de condução

IR -> Corrente reversa
VRR -> Tensão de ruptura reversa
r -> Resistência interna para pol. direta

∂V
r=
∂I

DEE 10/80
 IF -> Corrente de pol. direta

Diodos de Potência VON -> Tensão de condução

VR-> Tensão de pol. reversa
Qrr -> Carga acumulada

Características dinâmicas:
 Diodos de potência
apresentam um tempo
finito (não-nulo) para passar
do estado desligado (pol.
reversa) para o estado
ligado (polarização direta) e
vice-versa.
 Sobre-tensão durante o
ligamento (VFP)!
 Pico de corrente reversa no
desligamento (Irr) !

DEE 11/80
 Diodos de Potência

Características dinâmicas – Transitório p/ condução:

 Portadores são injetados na região de depleção diminuindo
a barreira de potencial.
 O excesso de portadores produz aumento na corrente (t1).
 O pico de tensão direta (VFP) é produzido devido a
características internas ao diodo como:
 capacitância produzida na região de depleção quando
polarizada reversamente;

 resistência equivalente da região N-;

 indutância da pastilha de silício
 VFP pode chegar a algumas dezenas de volts

DEE 12/80
 Diodos de Potência

Carac. dinâmicas – Transitório p/ bloqueio:

 Durante t3 o excesso de portadores na junção é

gradualmente reduzido.

 O intervalo trr = t4 + t5 é chamado tempo de recuperação

reversa.
di R diR t rr t5
I rr = t = sendo: S=
dt 4 dt S+ 1 t4

Do gráfico temos:
1 diR t 2rr
Qrr ≈ I rr t rr então: Qrr =
dt 2 (S+ 1 )
2
Substituindo chega-se a:
2Qrr (S +1 ) 2Qrr diR / dt
trr = I rr =
DEE diR / dt S +1 13/80
 Diodos de Potência

 Transitório para bloqueio com diferentes fatores de atenuação:

Recuperação suave Recuperação abrupta

Observação: ta=t4 e tb=t5

DEE 14/80
 Perdas em Diodos de Potência

Perdas:
t ON
 Perdas no estado ligado: P Ligado= V F I F
T

tOFF
 Perdas no estado desligado: P Desligado= V R I R
T

V F ( max)× I F ( max )× tComutação

Perdas no chaveamento:
PComutação = ×fS

6
Sendo:
VF = tensão direta
 Total: Perdas= P Ligado+ P Desligado+ P Comutação IF = corrente direta
VR = tensão reversa
IR = corrente de fuga
fs = frequência de chaveamento
DEE 15/80
 Diodos de Potência

Exemplo:
 Considerando que o fabricante de um diodo informou os valores a seguir:
 Taxa de queda da corrente = 20 A/μs
 Tempo de recuperação reversa = 5 μs
Encontre a corrente de pico reversa sabendo que t 4 >> t5 (recuperação
abrupta).

DEE 16/80
 Diodos de Potência

Exemplo:
 Considerando que o fabricante de um diodo informou os valores a seguir:
 Taxa de queda da corrente = 20 A/μs
 Tempo de recuperação reversa = 5 μs
Encontre a corrente de pico reversa sabendo que t 4 >> t5 (recuperação
abrupta).
Resolução:
diR t rr2
Como t4 >> t5 , então S → 0, assim: Qrr = = 1 / 2  20 A / μs  ( 5μμ )2 = 50 μC
dt 2

A
I rr = 2Qrr diR / dt = 20  2  50 μC = 44,72 A
μs

DEE 17/80
Diodos Schottky

 O diodo Schottky é formado

pela junção de um filme
fino de metal com um
semicondutor (que
normalmente é do tipo n).

DEE 18/80
 Diodos Schottky

 As características de retificação i-v são semelhantes às de um diodo de

potência formado por uma junção p-n.

 Entretanto apresenta características particulares se comparado a um

diodo de junção p-n como:
 Tensão de condução mais baixa (0,3 a 0,4 V)
 Maior corrente de fuga reversa
 Tensão de bloqueio entre 100 e 200 V
 Maior velocidade na mudança de estados
 Menor pico de tensão durante o ligamento

DEE 19/80
 Diodos de Potência

Circuitos “snubber” para diodos de potência:

 No processo de recuperação reversa podem

aparecer picos de tensão em diodos de potência.

 Estes picos podem danificar o dispositivo.

 Os circuitos amaciadores (snubbers) são utilizados

para proteção dos diodos de potência.

 Capacitor -> estabiliza a tensão:

 Resistor -> dissipa energia

DEE 20/80
 3. Transistores Bipolares de Potência

DEE
21/80
 TBJ de Potência

 Os TBJs de potência têm sido tradicionalmente utilizados em diversas

aplicações onde é necessário o chaveamento de potência em altas e baixas
frequencias.

 Recentemente, com o avanço da tecnologia de fabricação de semicondutores,

os transistores de efeito de campo metal-óxido (MOSFET) e os transistores
bipolares de porta isolada (IGBT) vêm gradualmente substituindo os TBJ em
algumas aplicações.

DEE 22/80
 TBJ de Potência

 Estrutura orientada na
vertical maximiza a área da
Simbologia
seção transversal.

 As resistências elétrica e
térmica são minimizadas.

 Os níveis de dopagem e as
larguras das camadas
influenciam nas
características do dispositivo.

Estrutura interna
DEE 23/80
 TBJ de Potência

 O coletor tem dois níveis de dopagem distintos (de modo semelhante ao diodo de
potência).

 A largura das camadas do coletor determina o nível de tensão de ruptura do

dispositivo.

 Pode ser dos tipos NPN ou PNP:

DEE 24/80
 TBJ de Potência

Princípio de operação (tipo NPN):

 Há uma junção PN entre a base e o emissor e outra entre a

base e o coletor.

 Quando a junção B-E está diretamente polarizada (VBE > 0), um fluxo de portadores
de carga (elétrons e lacunas) é estabelecido entre a base e o emissor.

 Como a região da base é fina, os portadores acabam sendo atraídos para a junção
coletor emissor que está inversamente polarizada (VBC > 0) e enfraquecendo a
região de depleção.

 Desse modo é estabelecido um fluxo de portadores entre o coletor e o emissor.

DEE 25/80
 TBJ de Potência

Princípio de operação:

 A corrente de emissor é dada por:

sendo: VT=KT/q e η é o coeficiente de emissão

 A corrente de coletor é uma fração da corrente de emissor:

 Como iE = iC+iB :

DEE 26/80
 TBJ de Potência

Curvas de operação
Em aplicações de chaveamento o TBJ opera entre as regiões
(emissor-comum): de corte (corrente IC nula para qualquer valor de VCE) e de
saturação (alta corrente IC para baixos valores de VCE).

DEE 27/80
 TBJ de Potência

Curvas de operação :
 A região de quase-saturação
TBJ de potência vertical só existe nos diodos de
potência devido à região de
baixa dopagem no coletor.

BVSUS: tensão de ruptura com IC > 0

BVCEO: tensão de ruptura com IB = 0
BVCBO: tensão de ruptura com IB < 0

DEE 28/80
 TBJ de Potência

ConexãoDarlington:

 Devido à suas características construtivas os TBJ de

potência em geral apresentam baixo ganho de corrente
(5 a 10 vezes).

 Quanto um maior ganho é necessário pode-se utilizar

um par Darlington:

 =  1x  2 +  1 +  2

DEE 29/80
TBJ de Potência
Região de Operação Segura (Safety Operation Area – SOA)
Indica os valores de tensão e corrente que podem ser aplicados ao dispositivo:

Polarização Polarização
DEE direta reversa 30/80
TBJ de Potência

Características
dinâmicas: Carga
Resistiva
Sendo:
ton = td + tn : tempo de ativação
toff = ts + tf : tempo de desativação
td : tempo de atraso devido ao
efeito capacitivo da junção B-E
tn : tempo de subida de Ic
tS : tempo necessário p/ neutralizar
os portadores da junção C-B
tf : tempo de descida de Ic

DEE 31/80
 TBJ de Potência

Características dinâmicas: Carga Indutiva

 Com cargas indutivas a corrente apresenta um

atraso em relação à tensão aplicada na base.

 É produzida uma corrente de base negativa

durante o desligamento do dispositivo.

DEE 32/80
 TBJ de Potência

Perdas:

 As perdas podem acontecer no

chaveamento, durante a
condução e no estado desligado

 Quando a frequencia de chaveamento é baixa as perdas na condução são mais

significativas:
PLigado  VCE(SAT) I C  tLigado  f S PDesligado  VCC  I C(Fuga) tDesligado  f S

 As perdas no chaveamento aumentam com

VCC : tensão de polarização do coletor
a frequencia de comutação:
IC(max) : máxima corrente IC
VCC  I C(MAX) : duração do transitório de
Pcomutação   τ  fS chaveamento (=ton ou =toff)
6 fS : freq. de chaveamento
DEE 33/80
TBJ de Potência

DEE 34/80
 TBJ de Potência

Circuitos de acionamento da base:

Exemplo Um pulso positivo em 1 leva T1 à condução,

carregando o capacitor com a tensão do diodo zener
e produzindo uma corrente positiva na base do TP .

Um pulso negativo em 1 leva T2 à condução (e T1 ao

1 corte ), criando um caminho para a descarga do
capacitor, que gera um pulso de corrente negativa na
base do TP, acelerando seu desligamento

DEE 35/80
 TBJ de Potência

Exemplo: Considerando que no circuito a seguir VCC=200V, RC=20Ω e

VCE(sat)=0,9V, encontre as perdas no TBJ para:

a)fs=120Hz, ton=1μs e toff=1,5μs

b)fs=5kHz, ton=1μs e toff=1,5μs

Considere a corrente de fuga no estado bloqueado

aproximadamente igual a zero e um ciclo de trabalho d=0,8.

DEE 36/80
 TBJ de Potência

Exemplo: Considerando que no circuito a seguir VCC=200 V, RC=20 Ω e

VCE(sat)=0,9V, encontre as perdas no TBJ para:

Resolução:

a)fs=120Hz, ton=1μs e toff=1,5μs

1/fs = Ts = TLigado + TDesligado + Tcomut sendo Ts o período entre os

chaveamentos assim: Ts= 8,3333 ms → d = TLigado /(Ts - Tcomut)

TLigado = (8,3333 – 0,0025) x 0,8 = 6,6646 ms

Perdas = PLigado + Pcomut :

VCC  I C(MAX)
PLigado  VCE(SAT) I C  tLigado  f S Pcomutação   τ  fS
6
DEE 37/80
 TBJ de Potência

Exemplo:

>> Perdas no estado ligado: PLigado  VCE(SAT) I C  tLigado  f S

sendo: VCC  VCE(SAT) 200 0,9
IC = = = 9,955A
RC 20
então:

PLigado  0,9  9,955  6,6646 103 120  7,17 W

VCC  I C(MAX)
>> Perdas na comutação: Pcomutação   τ  fS
6
como: então:
VCC 200 200 10
I C( MAX ) =
RC
=
20
= 10 A Pcomutação   2,5 106 120 = 0,1W
6
DEE 38/80
 TBJ de Potência

Exemplo: Total de perdas: Perdas= P Ligado+ P Comutação= 7,17+ 0,10= 7,27W

>> Repetindo o problema para o item b) fs=5kHz, ton=1μs e toff=1,5μs chega-se a:

Ts= 20 μs → TLigado =(20– 2,5) x 0,8 = 14 µs

PLigado  0,9  9,955 14 106  5000 0,627W

200 10
Pcomutação   2,5 106  5000 = 4,167W
6

Perdas = PLigado + PComutação = 0,627 + 4,167 = 4,794W

DEE 39/80
 TBJ de Potência

Aplicações:

 Acionamento de um
motor de corrente
contínua:

DEE 40/80
 4. Transistores de Efeito de Campo de
Potência

DEE
41/80
 MOSFET de Potência

 Com os avanços na tecnologia de fabricação de semicondutores, MOSFETs com

considerável capacidade de condução de corrente no estado ligado e bloqueio de
tensão no estado desligado começaram a ser produzidos em larga escala a partir
da década de 1980.

 Os MOSFETs passaram a ser amplamente utilizados em substituição aos TBJs

principalmente em aplicações onde é requerida alta frequência de chaveamento.

 Diferente do BJT, o MOSFET pertence a uma classe de dispositivos UNIPOLARES,

pois utilizam apenas os portadores majoritários para condução.

 São intrinsecamente mais rápidos que os TBJs pois não apresentam excesso de
portadores minoritários a serem removidos durante os transitórios de ligamento e
desligamento, as únicas cargas a serem removidas são das capacitâncias internas.

DEE 42/80
 Simbologia
MOSFET de Potência
Canal-n

 Características:
Estrutura interna de
um MOSFET canal-n

O gate está isolado

do corpo pelo SiO2.
Canal-p

 O MOSFET de potência utiliza uma estrutura de canal

vertical para aumentar a capacidade de potência.

n+ : 1019 cm-3 (alta dopagem)

DEE
n- : 1014 cm-3 (baixa dopagem) 43/80
p : 1016 cm-3 (média dopagem)
 MOSFET de Potência

 Curvas de
Operação:

DEE 44/80
 MOSFET de Potência
Funcionamento:

 Bloqueio

Duas junções p-n, não há passagem de corrente qualquer que seja a polarização.

DEE 45/80
 MOSFET de Potência

Funcionamento:

 Efeito de
campo.

 Um capacitor
de alta
qualidade é
formado.

DEE 46/80
 MOSFET de Potência

Funcionamento:

 Condução

A corrente de dreno é controlada a partir da tensão aplicada na porta !

DEE 47/80
 MOSFET de Potência

Transitórios de chaveamento:

 Circuito utilizado para analisar os

transitórios de chaveamento:

 Acionamento de uma carga

indutiva.

DEE 48/80
 MOSFET de Potência

Transitórios de chaveamento:

 Desligado – Ligado:

 Não há pico de corrente nem

atraso de resposta como no TBJ.

DEE 49/80
 Perdas no MOSFET de Potência

Perdas:
2
t ON
 Perdas no estado ligado: P Ligado= I D R DS(ON )
T

t OFF
 Perdas no estado desligado: P Desligado= V DS( MAX ) I DSS
T

V DS( max )× I D × t Comutação

 Perdas no chaveamento:
PComutação = ×fS
6
 Total: Perdas= P Ligado+ P Desligado+ P Comutação
 Comparando com o TBJ, o MOSFET apresenta menor perda durante o chaveamento,
porém maior perda no estado ligado.

DEE 50/80
 MOSFET de Potência
 Exemplo: Considerando que um MOSFET tem os seguintes parâmetros: RDS(ON)=0,3 Ω, ciclo
de trabalho 50%, ID=6 A, VDS=100V, t(off-on)=100 ns e t(on-off)=200 ns e que a frequência de
chaveamento é 40 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.

DEE 51/80
 MOSFET de Potência
 Exemplo: Considerando que um MOSFET tem os seguintes parâmetros: RDS(ON)=0,3 Ω, ciclo
de trabalho 50%, ID=6 A, VDS=100V, t(off-on)=100 ns e t(on-off)=200 ns e que a frequência de
chaveamento é 40 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.

Resposta:

Ts = 1/fs = 25 µ s d = TLigado /(Ts - Tcomut)

Como o ciclo de trabalho d=0,5 -> tLigado = 0,5 x (25 – 0,1 – 0,2) = 12,35 µ s

62 × 0,3× 12 , 35× 10− 6 100× 2× 10− 3 × 12 , 35× 10− 6

PON = = 5, 33 W POFF = = 0, 099 W
25× 10− 6 25× 10− 6

100× 6× 300× 10− 9 PTOTAL = 5,33+ 0.099+ 1,2= 6,629 W

PCOMUTAÇÃO = × 40× 10 3= 1,2W
6

DEE 52/80
 5. Transistores Bipolares de Gate
Isolado (IGBT)

DEE
53/80
 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

 Mescla características de baixa queda de tensão no estado ligado (do TBJ) com o
excelentes características de chaveamento (do MOSFET).

 Os IGBTs vem substituindo os MOSFET em aplicações de alta tensão onde as

perdas de condução precisam ser mantidas em valores baixos.

 Embora a velocidade de chaveamento dos IGBT seja maior que a dos TBJ, são
inferiores à alcançada pelos MOSFET.

 O IGBT é acionado por tensão (assim como o MOSFET) e apresenta baixa

resistência no estado ligado (como o TBJ).

DEE 54/80
IGBT
Simbologia Modelo equivalente

Estrutura interna

DEE 55/80
 IGBT

 Características estáticas:

DEE 56/80
 IGBT

Perdas:

 Perdas no estado ligado: P Ligado= V CE (sat )× I C(avg )× T Ligado × f S

VCE( max )  I C(MAX)

 Perdas no chaveamento: PComutação   τ  fS
6

 Perdas no estado desligado: PComutação  VCC  I C(Fuga) TDesligado f S

 Total: Perdas= P Ligado+ P Comutação+ P Desligado

DEE 57/80
 6. Tiristores

DEE
58/80
 Tiristores

 Tiristor é o nome dado a uma família de

semicondutores que apresenta uma
estrutura com 4 camadas (pnpn);
IA
 Operam em regime chaveado +
(controlado pelo terminal de gate); VAK
 São capazes de suportar altos valores
- IG
de tensão e corrente (entre os terminais
de anodo e catodo).
Simbologia Estrutura
interna

DEE
59/80
 Tiristores

 O tiristor mais difundido é o SCR (Retificador Controlado de Silício – Silicon

Controlled Rectifier);

 Outros tiristores:

 TRIAC (tiristor triodo bidirecional);

 DIAC

 GTO (tiristor comutado pela porta);

 LASCR (SCR ativado pela luz).

DEE
60/80
 Funcionamento Básico

 Corrente majoritária: A-K;

 Bloqueio para tensão reversa (VAK<0  J1 e J3 reversamente polarizadas e J2

diretamente polarizada);

 A condução para tensão direta (VAK>0  J1 e J3 diretamente polarizadas e J2

reversamente polarizada) está condicionada à existência de uma corrente
positiva no gate (IG>0  diminuição da barreira de J2 , permitindo a passagem
da corrente, que se mantém mesmo na ausência de I G).

Sentido de
condução

DEE Dispositivos Semicondutores – Eduardo Simas

61/80
 Modelo Equivalente com 2 Transistores

 VAK<0  não há condução pois as junções dos dois

transistores estão reversamente polarizadas.

 VAK>0  é necessário que VG>0 para iniciar a

condução.

 Uma vez que a corrente IA começa a circular, VG não

é mais necessária para manter a condução

Modelo equivalente
com dois transistores

DEE
62/80
 Modos de Disparo de um Tiristor

 Corrente positiva no gate: modo mais usual de disparo. A barreira J2 é

atenuada pela corrente de gate, o que leva à condução se VAK>0.

 Tensão: em polarização positiva, a alta taxa de variação (dV/dt) pode levar o

tiristor à condução. Em alguns casos, a tensão direta pode iniciar (na
ausência da corrente de gate) um processo de avalanche que leva à
condução.

 Temperatura: altas temperaturas levam ao aumento da corrente de fuga

numa junção pn reversamente polarizada (J2).

 Energia Radiante: energia radiante incidindo e penetrando no cristal pode

elevar o número de portadores livre (elétrons e lacunas) levando à
condução. Este é o princípio utilizado no LASCR.
DEE
63/80
 Curva Característica Tensão-Corrente

 Vbr – Tensão de ruptura reversa;  IL – Corrente mínima de disparo;

 Vbo – Tensão de ruptura direta;  Von – Tensão de condução.

DEE
64/80
Parâmetros Básicos de Tiristores

• Máxima corrente de anodo (Iamax);

• Máxima temperatura de operação (Tjmax);

• Resistência térmica (Rth);

• Máxima taxa de crescimento da tensão direta Vak (dv/dt);

• Máxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt);

• Corrente de manutenção de condução (IH);

• Corrente de disparo (IL);

• Tempo de disparo (ton);

• Tempo de desligamento (toff);

• Corrente de recombinação reversa (Irqm).

DEE
65/80
 Associação de Tiristores

 Embora os tiristores possam atingir altos valores de tensão e corrente

(~ 5kV / 4kA), em alguns casos é preciso utilizar mais de um dispositivo
para elevar a capacidade de trabalho.

 Associação em paralelo: aumenta a capacidade de condução de corrente

do conjunto.

 Associação em série: aumenta o valor da tensão máxima que pode ser

aplicada ao conjunto.

DEE
66/80
 Circuitos de Acionamento (Disparo)

 O terminal de gate tem limites de dissipação de potência muito menores

que os de anodo e catodo.

 Para o acionamento podem ser utilizados circuitos de desacoplamento:

 Ou circuitos micro-processados (por exemplo para acionamentos por PWM)

DEE
67/80
Retificador Controlado de Silício (SCR)

 É um dos tipos mais comuns de tiristor (em alguns casos os termos SCR
e tiristor são usados como sinônimos).

Encapsulamentos

DEE
68/80
 Tiristor Comutado pelo gate (GTO)

 Estrutura de 4 camadas típica dos tiristores.

 Funcionamento semelhante ao do SCR, porém pode ser levado ao estado de

bloqueio (desligado) pela aplicação de uma corrente negativa na porta (gate).

Condução Desligamento
DEE
69/80
 Tiristor Comutado pelo gate (GTO)
 Embora criado desda a década de 1960, não era muito utilizado devido ao
baixo desempenho.

 Com a evolução nos processos de fabricação de dispositivos

semicondutores :

 Maiores valores nominais de tensão e corrente

 Aumento na utilização do GTO .

 Desvantagens do GTO:

 Podem não apresentar adequado bloqueio de tensão reversa.

 Para não haver chaveamento indesejado é conveniente manter as

correntes de gate (positiva  condução ou negativa  bloqueio).
DEE
70/80
 Tiristor Triodo Bidirecional (TRIAC)

 É capaz de conduzir nos dois

sentidos;

 O disparo é condicionado à
aplicação de tensão no gate;

 O pulso de chaveamento deve

ter a mesma polaridade da
polarização do dispositivo.

 É limitado a frequências de
operação mais baixas.
Simbologia Estrutura
interna
DEE
71/80
 Tiristor Triodo Bidirecional (TRIAC)

 Característica V-I: Condução nos dois

sentidos.

 Modelo equivalente: dois SCRs conectados

em anti-paralelo.

Curva Característica

DEE
72/80
 Tiristor Diodo Bidirecional (DIAC)

 O único modo de levar o DIAC ao estado ligado é

exceder a tensão de disparo.

 Pode ser ligado com tensões positivas ou negativas.

 Os DIACs são utilizados em circuitos de disparo de SCRs

ou TRIACs.

Curva Característica
Estrutura
interna

Ânodo 1 Ânodo 2

Simbologia
DEE
73/80
 Aplicações (SCR)

Retificadores Controlados:

 Utilizados na conversão AC-DC com controle de potência:

Retificador monofásico de
meia onda controlado Sendo  o ângulo de disparo

DEE
74/80
Aplicações (Transistores / GTO)

Conversão DC-DC:

Conversor Abaixador
(Step-down ou Buck)

DEE
75/80
Aplicações (Transistores / GTO)

Inversores (conversão DC-AC):

DEE Inversor de fonte de tensão (VSI) monofásico em meia ponte

76/80
Aplicações (SCR + Transistores / GTO)

Controle de Motores AC:

Sistema de controle de velocidade de motor de indução

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Aplicações (DIAC e TRIAC)

Controle de Iluminação:

Circuito simples para controle da iluminação (dimmer)

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 Exercícios de Fixação (parte 1 de 2):
1. Compare os diversos semicondutores de potência considerando a potência máxima e a frequência de chaveamento.

2. Comente a respeito da estrutura interna de um diodo de potência e dos seus efeitos nas características dinâmicas do dispositivo.

3. Considerando um circuito com um diodo de potência em série com um resistor de 100 Ω sendo alimentado por uma fonte de tensão em onda
quadrada (± 300V) de frequência igual a 1kHz e ciclo de trabalho 50%, sabendo que o tempo de recuperação reversa é de 2 µs, a taxa de subida
de corrente é 40 A/micro s, a taxa de queda de corrente é 30 A/µs, calcule as perdas no dispositivo considerando que VF=1,1V e IR = 0,2 mA.
Figura 1
4. Compare o diodo Schottky com o diodo de potência de junção p-n.

5. Comente a respeito da estrutura interna de um transistor bipolar de potência e dos seus efeitos nas características dinâmicas do dispositivo.

6. Para o circuito da Figura 1, sabendo que VCC = 150 V, VCE (sat) = 0,9 V, VBE(sat) = 1,1 V, RC = 100 Ω e RB = 1 kΩ, sabendo que a tensão VB é uma onda
quadrada simétrica, encontre o valor máximo necessário para produzir a configuração de polarização em saturação (conforme especificado).

7. Para o transistor da questão 06, encontre a perda no dispositivo se a frequência do sinal VB for 2 kHz e o ciclo de trabalho 60%. Considere que os
tempos de ligamento e desligamento do dispositivo são respectivamente 0,5 µs e 0,9 µs e que a corrente de fuga é aproximadamente 0,1 mA.

8. Comente a respeito da estrutura interna de um MOSFET de potência e dos seus efeitos nas características dinâmicas do dispositivo.

9. Considerando que um MOSFET tem os seguintes parâmetros: RDS(ON)=0,4 Ω, ciclo de trabalho 80%, ID=7 A, VDS=170V, t(off-on)=130 ns e t(on-off)=150 Figura 2
ns e que a frequência de chaveamento é 30 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.

10. Repita a questão 09 para uma frequência de chaveamento igual a 300 Hz e compare os resultados obtidos.

11. Comente a respeito da estrutura interna de um IGBT e dos seus efeitos nas características dinâmicas do dispositivo.

12. No circuito da Figura 2, Vs = 220 V, RL = 10 Ω, fs = 1 kHz e d= 0,6. Considerando as características do IGBT: tON = 2,5 µs, tOFF = 1 µs e VCE (sat) = 2 V,
determine:
a. A corrente média na carga.
b. As perdas no dispositivo.

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 Exercícios de Fixação (parte 2 de 2):
13. Compare os transistores TBJ de potência, MOSFET de potência e IGBT em termos das perdas , dos tempos e transitórios
de chaveamento.
+
14. Compare os diversos dispositivos tiristores estudados considerando a estrutura interna, o funcionamento, as curvas Vs
características, etc. -
15. Um SCR tem os seguintes valores nominais: tensão ânodo-cátodo no estado ligado ≈ 1,5 V, tensão porta-cátodo no
estado ligado 0,6 V. Considerando o circuito da Figura 3 e que a tensão VIN = 4 V, determine a perda de potência total no
Figura 3
estado ligado.

16. A perda de potência durante o chaveamento num SCR pode ser estimada a partir de Pchav = (Vbloq x IDireta x tchav x fs)/6 .
Considerando ainda o circuito da Figura 3, se uma fonte em onda quadrada (Vs) de ± 100 V e frequência 250 Hz é
conectada ao resistor RL, estime as perdas de chaveamento sabendo que tON = 5 µs, tOFF = 25 µs e que o SCR é disparado
uma vez a cada dois ciclos da tensão.

17. Esboce a forma de onda da tensão na carga do circuito da questão 16 sabendo que o SCR é disparado com um atraso de
0,5 ms em relação à subida da tensão de alimentação.

Leitura indicada:
 Rashid, Muhammad H. Power Electronics Handbook, Devices, Circuits and Applications, Segunda Edição, Elsevier, 2007.
 Mohan, Undeland and Robins, Power Electronics, Converters, Applications and Design, Wiley
 Pomilio, José Antenor. Eletrônica de Potência , Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, UNICAMP, 1998,
Revisado em 2002.
 A. Ahmed. Eletrônica de Potência. Prentice Hall, 2006.

Algumas figuras utilizadas nesta apresentação foram retiradas das referências citadas acima.
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