Engenharia de Controle e Automação

Eletrônica Básica

Diodo Semicondutor de Junção

 Formado pela junção de materiais tipo P e tipo N:
Material P Material N
+ + - -
- - - + - + +
+ + +
- + - - - +- -
- + + +
+ + -
- + + - - + -
- - - + + +

 Na junção existe uma zona/camada de depleção;

 Com isso forma-se uma barreira de potencial, que deve ser vencida para o
fluxo de carga elétrica.
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Diodo Semicondutor de Junção

 Símbolo elétrico do diodo

O tamanho da zona de depleção depende:

• Do material intrínseco (Si, Ge)
• Da quantidade de impurezas

+ VD -

ID
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Diodo Semicondutor de Junção

 Comportamento “diodo ideal”

• Opera como uma chave unidirecional

• Conduz corrente quando polarizado

diretamente (não há tensão mínima)

• Na polarização reversa a corrente é nula

+ 𝑣 -

i
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Diodo Semicondutor de Junção

 Comportamento “diodo real”
• Quando polarizado diretamente, há uma
tensão mínima para iniciar a condução

• Observar a “região de joelho”

• Na polarização reversa há uma corrente

de saturação reversa;

• Na tensão reversa máxima, a corrente

reversa aumenta intensamente (queima
do componente)

 Silício  Vjunção = 0,7 V

 Germânio  Vjunção = 0,3 V
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Diodo Semicondutor de Junção

 Comportamento “diodo real” - Silício
• Equação característica
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑘𝑉𝐷 Τ𝑇𝑘 − 1
𝑘 = 11600Τ𝑛
𝑛 = 1 para Ge
𝑛 = 2 para Si em níveis baixos de
corrente e 𝑛 = 1 para Ge e Si
quando a curva acentua-se
rapidamente

 VD ≥ Vjunção
 Vjunção = VT = Vthreshold 𝑇𝑘 = 𝑇𝐶 + 273
𝐼𝑆 : corrente de saturação reversa
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Diodo Semicondutor de Junção

 Comportamento “diodo real” – Silício e Germânio
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑘𝑉𝐷 Τ𝑇𝑘 − 1
𝑘 = 11600Τ𝑛
𝑛 = 1 para Ge
𝑛 = 2 para Si em níveis baixos de
corrente e 𝑛 = 1 para Ge e Si
quando a curva acentua-se
rapidamente

𝑇𝑘 = 𝑇𝐶 + 273
𝐼𝑆 : corrente de saturação reversa
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Diodo Semicondutor de Junção

 Níveis de Resistência dos Diodos

• Resistência CC ou Estática

𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
PQ 𝐼𝐷

Obtido para um determinado ponto de

operação CC/quiescente (PQ)
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Diodo Semicondutor de Junção

 Níveis de Resistência dos Diodos

• Resistência CC ou Estática

𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
PQ 𝐼𝐷
2mA

➢ Análise gráfica

0,4
𝑅𝐷 = = 300 Ω
0,4V 2𝑚
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Diodo Semicondutor de Junção

 Níveis de Resistência dos Diodos
• Resistência CC ou Estática

➢ Utilizando a equação característica - Diodo Ge:

PQ 𝐼𝑆 = 1𝜇𝐴 ; 𝑇𝑘 = 300°𝐾 ; 𝑛=1

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑘𝑉𝐷 Τ𝑇𝑘 − 1

▪ 𝑅𝐷 = ? para 𝑉𝐷 = 0,6𝑉 ⇒ 𝑅𝐷 = 50 ∙ 10−6 Ω

▪ 𝑅𝐷 = ? para 𝑉𝐷 = 0,1𝑉 ⇒ 𝑅𝐷 = 2,14𝑘Ω
▪ 𝑅𝐷 = ? para 𝑉𝐷 = 0,3𝑉 ⇒ 𝑅𝐷 = 2,75Ω
▪ 𝑅𝐷 = ? para 𝑉𝐷 = −10𝑉 ⇒ 𝑅𝐷 = 10𝑀Ω
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Diodo Semicondutor de Junção

 Níveis de Resistência dos Diodos

• Resistência CA ou Dinâmica

➢ O ponto de operação se move em torno do

ponto quiescente (CC)
(por exemplo com aplicação de sinal senoidal)

Δ𝑉𝑑
𝐺𝑟𝑎𝑓𝑖𝑐𝑎𝑚𝑒𝑛𝑡𝑒: 𝑟𝑑 =
Δ𝐼𝑑
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Diodo Semicondutor de Junção

 Níveis de Resistência dos Diodos

• Resistência CA ou Dinâmica

➢ Matematicamente:

𝑑𝑉𝑑 1 𝑑𝑉𝑑
𝑟𝑑 = ; =
𝑑𝐼𝑑 𝑟𝑑 𝑑𝐼𝑑
ℎ𝑖𝑝ó𝑡𝑒𝑠𝑒:
𝑛=1
𝑑𝐼𝑑
= 𝐼𝑆 ∙ 𝑒 𝑘𝑉𝐷 Τ𝑇𝑘 − 𝐼𝑆 𝑇 = 27℃
𝑑𝑉𝑑
26𝑚𝑉
𝑇𝑘 𝑟𝑑 =
𝑟𝑑 = 𝐼𝐷
𝑘𝐼𝑠 ∙ 𝑒 𝑘𝑉𝐷 Τ𝑇𝑘 do ponto quiescente (CC)
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Diodo Semicondutor de Junção

 Níveis de Resistência dos Diodos

• Resistência CA Média

➢ Se o sinal de entrada for grande o

suficiente, o PQ pode deslocar da região
de joelho até o nível de corrente intensa

Δ𝑉𝐷
𝐺𝑟𝑎𝑓𝑖𝑐𝑎𝑚𝑒𝑛𝑡𝑒: 𝑟𝐴𝑉 =
Δ𝐼𝐷
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Diodo Semicondutor de Junção

 Níveis de Resistência dos Diodos

• Resistência CA Média

𝑉𝐷2 , 𝐼𝐷2

➢ Matematicamente:

𝑉𝐷2 − 𝑉𝐷1
𝑟𝐴𝑉 =
𝐼𝐷2 − 𝐼𝐷1

𝑉𝐷1 , 𝐼𝐷1
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Referências Bibliográficas

Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

• Boylestad & Nashelsky

Notas de Aula – Eletrônica Básica - 2019

• Prof. Tiago Dequigiovani – IFC – Campus Luzerna