Eletrnica Bsica Aula01: Semicondutor Intrnseco Bibliografia: Microeletrnica - Vol.

1 Sedra e Smith e Eletrnica Vol 1 - Malvino A Eletrnica Introduo Em cursos anteriores, Circuitos Eltricos em CC e CA, estudamos circuitos eltricos. Circuitos eltricos so constitudos de componentes passivos conectados entre por fios. Em um circuito eletrnico de alguma forma o fluxo de corrente pode ser controlado por outro dispositivo, chamado de ativo. De uma certa forma em circuitos eltricos temos dispositivos que controlam o fluxo da corrente, tais como chaves, potencimetros e outros. Em eletrnica a diferena que ao invs de usar fora mecnica para efetuar isso, usamos dispositivos eletrnicos par esse controle. Isto , a eletricidade controlando a eletricidade, essa a principal diferena entre esses dois mundos. A eletrnica fundamentada em dispositivos semicondutores, isto , dispositivos construdos a partir de um tipo de material chamado semicondutor. Definio de Circuito Eletrnico Para que um circuito seja chamado de eletrnico ele deve ter ao menos um dispositivo ativo, sendo assim chamado, pois tem a habilidade de controlar o fluxo de eltrons (corrente eltrica) atravs de um sinal eltrico de corrente ou de tenso. Na pratica essa caracterstica permite que sejam construdos, por exemplo, dispositivos chamados de amplificadores. Um amplificador recebe um sinal de, por exemplo 50mW, e fornece um sinal de 50W de potencia com a mesma forma (sem distoro), figura 1

Figura 1 : Sistema amplificador Aparentemente na figura 1 a lei da conservao est sendo violada, isto , a partir de 50mW obtido 50W. A Lei da Conservao diz que a energia no pode ser criada nem destruda estando sempre em transformao. Na figura 1 falta acrescentar um elemento importante que fornecer a energia adicional ao sinal, a fonte de alimentao, figura 2.

Figura 2: Amplificador mostrando a fonte CC de alimentao A energia do sinal na sada que ir excitar um alto falante, provem de fato da fonte de alimentao. Ento importante saber como construir amplificador bem como a fonte de alimentao CC do mesmo. Para construir um amplificador, precisamos conhecer como operam os dispositivos usados na sua construo, tais como transistores, diodos. Para saber como esses dispositivos operam necessario saber o principio de funcionamento dos mesmos, portanto comecemos.........

Semicondutor Intrnseco Introduo Como sabemosos materiais usados em eletrnica se classificam em condutores (Ex: cobre , alumnio, ferro, ouro, prata, etc) e isolantes (Ex: madeira, borracha, ar, vidro, etc), mas existe um outro tipo de material chamado de semicondutor (pois tem resistividade intermediaria entre condutor e isolante) que tambm largamente usado em eletrnica principalmente depois dos anos 50. Estes materiaisao contrario dos condutores tem a sua resistividade alterada quando fornecida algum tipo de radiao (trmica e luminosa principalmente). Devido s suas caractersticas esses materiais so usados construo de diodos, transistores, sensores, circuitos integrados e numa vasta gama de componentes eletrnicos.

1.2 - Semicondutor Intrnseco Que materiais so esses? Quaisas suas principais caractersticas? Os primeiros semicondutores usados foram o Germnio (Ge) eo Silcio (Si), mas outros semicondutores j esto sendo utilizados atualmente, como Arsenieto de Glio (AsGa) e outros. Daremosnfase ao estudo cons iderando os dois primeiros devido maior quantidade de informaes sobre os mesmos. Para entendermos as caractersticas de um semicondutor deveremos fazer uma analise do ponto de vista atmico(tomo). A figura 3 mostra a estrutura de um tomo de Si, no qual podemos verificar que o mesmo tem 4 eltrons na camada de valencia (ultima camada). Como essa ultima camadaque determinar as propriedades do Si, a partir de agora a s consideraremos o ncleo, positivo e os quatro eltrons da camada de valencia, figura 3b

(a) (b) Figura 3:Estrutura simplificada do tomo de Si

importante observar queo tomo neutro, pois o numero de eltrons igual ao numero de prtons. O Si um cristal, isto ,o arranjo geomtrico dos tomos feito de forma regular e ordenada em todas as direes. No caso esse arranjo chamada de cbico, no qual cada tomo se liga com quatro tomos vizinhos atravs de ligaes chamadas de covalentes. A figura 4 mostra esse arranjo. No esquecer que na realidade os tomos esto dispostos no espao em 3 dimenses.

Figura 4: Estruturacristalina do Si a 0K ( -273C) - O material se comporta como isolante temperaturas prximas do zero absoluto (-273C ) o Si se comporta como um isolante porque no existem eltrons livres disponveis para a conduo. medida que a temperatura aumenta a energia que fornecida

aos eltrons da ultima camada (camada de valncia ) suficiente para quebrar a ligao covalente fazendo com que os mesmos se tornem livres. O extraordinrio desse fenmeno que, alm do eltron que foi liberado,a ausncia desse eltron na ligao covalente pode se comportar como carga eltrica, e chamada delacuna ou buraco. A figura 5 mostraa mesma estrutura da figura 4 considerando que algumas ligaes covalentes foram rompidas.A quantidade de energia necessria para quebrar uma ligao depende do semicondutor, no caso do Ge 0,72eV e para o Si 1,1eV, temperatura ambiente.

Figura 5: Estrutura doSi a uma temperatura acima de 0K ( acima de - 273C ) - Gerao de pares eltron-lacuna Se agora for aplicado um campo eltrico (tenso eltrica) ao cristal ma corrente eltrica aparecer. O u mecanismo de conduo devido aos eltrons livres j conhecido, expliquemos como o mecanismo de conduo devido a uma lacuna. A figura 6 mostra o cristal de Sisendo submetido a um campo eltrico. Os eltrons livres se deslocarocontra o campo eltrico, enquanto as lacunas s deslocaro no mesmo sentido do e campo. Mas como isso acontece? A seqncia de figuras a seguir mostra como isso acontece. Na figura 6, num instante t1 temos um eltron livre (circulo preto) e a ausncia desse eltron na ligao covalente (circulo branco). Instante t1

Figura 6:Cristal de Si submetido a um campo eltrico (tenso eltrica ) num instante t1. Num instante t2um eltron de valncia, caso tenha energia suficiente (quem est fornecendo essa energia a fonte externa ) poder ocupar a lacuna, mas ao fazer isso deixa uma lacuna, e assim sucessivamente. As figura 7 e figura 8 mostram essa seqncia. Ento tudo se passa com seuma carga positiva estivesse se deslocando para a direita do cristal, na realidade so eltrons de valncia que se deslocam no sentido contrrio. Observar queesses eltrons de valncia se transformam em eltrons livres quando entram no metal ( no esquea o semicondutor est ligado bateria atravs de fios de cobre!!!).

Instante t2

Figura 7: Cristal de Sisubmetido a um campo eltrico ( tenso eltrica ) num instante t2 Instante t3

Fig. 8: Cristal de Sisubmetido a um campo eltrico ( tenso eltrica ) instantet3 A corrente total no cristal ser a soma do fluxo de eltrons com o fluxo de lacunas: IT = Ie + I No caso de um semicondutor intrnseco (puro) onumero de eltrons por unidade de volume (n) igual ao numero de lacunas por unidade de volume (p): n = p =ni,ni a concentrao intrnseca do semicondutor.

Aula02: Semicondutor Extrnseco Bibliografia: Microeletrnica - Vol.1 Sedra e Smith e Eletrnica Vol 1 - Malvino Semicondutores Extrnsecos y semicondutor visto anteriormente tem como principal caracterstica o fato da concentrao (numero de portadores por cm3) de eltrons livres ser igual de lacunas e o seu nmero ser altamente depende da temperatura. Um semicondutor extrnseco ter algumas de suas caractersticas eltricas (como por exemplo a condutividade) alterada se forem adicionadas impurezas com nveis de concentrao adequados.

Semicondutor Tipo N O semicondutor tipo N obtido adicionando-se quantidades controladas de impurezas pentavalente ao material puro (semicondutor intrnseco). Por exemplo adicionando-se o fsforo (P) o qual pentavalente (5 eltrons na camada de valncia), o mesmo substituir um tomo de semicondutor (Ge ou Si). Quatro dos seus eltrons sero compartilhados com quatro tomos vizinhos de Si enquanto o quinto eltron poder se tornar livre em temperaturas muito baixas sem que seja gerado lacuna.

(a)

(b)

Figura 1: ( a ) tomo de fsforo ligado a quatro tomos de Si ( b ) quinto eltron livre, gera um on preso estrutura cristalina Desta forma inicialmente s teremos eltrons livres como portadores de carga, por isso o material chamado de N e a impureza de doadora. Aumentando-se mais ainda a temperatura ser atingida uma temperatura para a qual sero gerados os pares eltron-lacuna. Os eltrons livres so chamados de portadores majoritrios enquanto as lacunas so chamadas de portadores minoritrios. Se ND a concentrao de tomos da impureza, a concentrao de eltrons livres no equilbrio trmico (taxa de gerao de pares eltron-lacuna = taxa de recombinao de pares), nn0, ser dada por: nn0 =ND e a concentrao de lacunas ser calculada aproximadamente por:

(equao 1)

ondeni a concentrao intrinseca de pares eletron-lacuna, valendo 2,5x10 cm para o Si a temperatura ambiente de 27C.
-3

13

cm para o Ge e 1,5x10

-3

10

Como ni depende da temperatura, significar que a concentrao de lacunas ser dependente da temperatura, porm como a concentrao de eltrons livres ser praticamente igual ND ento no depender da temperatura.

Semicondutor Tipo P O semicondutor tipo P obtido adicionando-se quantidades controladas de impurezas trivalente ao material puro (semicondutor intrnseco). Um exemplo deste tipo de impureza o boro (B). Como o boro trivalente os seus trs eltrons de Valencia sero compartilhados com quatro tomos de Si, porm uma das ligaes no ser completada. Essa lacuna poder se comportar como um portador de carga positivo em uma temperatura muito baixa quando um eltron de valncia de um tomo vizinho se deslocar para ocupar aquela vaga.

(a) (b) Figura 2: ( a ) tomo de boro ligado a quatro tomos de Si ( b ) a vaga (lacuna) preenchida por um eltron de valncia de um tomo prximo, gera um on negativo preso estrutura cristalina.

Observe que o eltron que se desloca para preencher a vaga (lacuna) no livre. Do ponto de vista eltrico tudo se passa como se uma carga positiva de mesmo valor que a carga do eltron estivesse se deslocando no sentido contrrio ao movimento do eltron. Desta forma inicialmente s teremos lacunas livres como portadores de carga, por isso o material chamado de P e a impureza de aceitadora. Aumentando-se mais ainda a temperatura ser atingida uma temperatura para a qual sero gerados os pares eltron-lacuna. As lacunas livres so chamados de portadores majoritrios enquanto os eltrons livres so chamados de portadores minoritrios. Se NA a concentrao de tomos da impureza aceitadora, a concentrao de lacunas livres no equilbrio trmico (taxa de gerao de pares eltron-lacuna = taxa de recombinao de pares), pn0, ser dada por: pn0$ NA e a concentrao de eltrons livres ser calculada aproximadamente por:

(equao 2) Importante lembrar!!os materiais N e P so eletricamente neutros, as cargas livres so neutralizadas pelos ons presos estrutura cristalina. Difuso Imagine uma gota de tinta sendo colocada em um copo com gua. O que acontecer? A tinta ir se difundir pela gua em uma tentativa de uniformizar a concentrao. Esse fenmeno de difuso usado para explicar a corrente em uma juno PN. Quando existir uma diferena de concentrao de portadores entre dois pon de tos um condutor, esses portadores se deslocaro entre os dois pontos fazendo aparecer uma corrente chamada de corrente de difuso. Juno PN obtida conectando, de forma adequada, material P ao material N. Como existe uma diferena de concentrao de portadores de ambos os lados da juno, inicialmente haver uma difuso de eltrons livres do lado N indo para op lado P e ao mesmo tempo lacunas se difundiro do lado P para o lado N. A conseqncia disso que do lado N aparecero ons positivos no neutralizados e do lado P ons negativos no neutralizados fazendo aparecer uma regio que no tem cargas livres, por isso chamada de regio de depleo.

Essa distribuio de cargas cria uma barreira a qual se opor difuso de mais portadores majoritrios, lacunas no lado P e eltrons livres no lado N. Essa corrente representada por Difuso I na figura 3. Caso algum portador minoritrio (aqueles gerados pela temperatura), eltron livre do lado P ou lacuna do lado N, se aproxime desta regio, ser acelerados pelo campo ai existente e passar para a outra regio. Esse fluxo representado na figura3 por IDeriva . Na figura3, aps o equilbrio, a soma das correntes atravs da juno zero.isto , IDeriva = IDifuso .

Figura 3: Juno PN em aberto mostrando as duas correntes (difuso e de deriva) Juno PN com Polarizao Reversa Quando for aplicado uma tenso com a polaridade indicada na figura4, a largura da regio de depleo aumentar, aumentado a altura da barreira de potencial dificultando mais ainda a passagem dos portadores majoritrios de um lado da juno para o outro. A nica corrente existente a corrente devido aos portadores minoritrios os quais dependem unicamente da temperatura, desta forma esta corrente tambmchamada de corrente reversa de saturao (Is) s depender da temperatura sendo da ordem de nA (Si) ou uA (Ge). Observe que essa corrente ajudada pelo campo eltrico que se estabelece na regio de carga espacial.

Figura 4: Juno PN com polarizao reversa Juno PN com Polarizao Direta Quando for aplicado uma tenso com a polaridade indicada na figura5, a largura da regio de depleo diminuir, diminuindo a altura da barreira de potencial facilitando o deslocamento dos portadores majoritrios de um lado da juno para o outro. Inicialmente toda a tenso estar aplicada diretamente na regio da juno, baixando a barreira de potencial, e a queda de tenso no material N e P desprezvel. A corrente controlada pela variao da altura da barreira.

A medida que a corrente aumenta, a tenso externa se distribui entre o material e a barreira. A partir desse ponto a corrente passa a ser controlada pela resistncia direta do material (a corrente no diodo passa a ter um comportamento aproximadamente linear com a tenso). Colocando adequadamente terminais de contato em ambas as extremidades teremos um componente chamado de diodo de juno. Ateno !! No foi indicado, mas para limitar a corrente no circuito necessrio colocar em serie com o diodo uma resistncia hmica, caso contrrio a corrente pode aumentar em demasia destruindo o componente por efeito Joule. A corrente s aumentar efetivamente quando a tenso aplicada entre os terminais exceder aproximadamente de 0,6V a 0,7V( para diodo de Si), quando a barreira de potencial ser vencida.

Figura 5: Juno PN com polarizao direta Observe que a corrente total atravs da juno (I) ser constituda de duas componentes, a corrente de saturao mais a corrente de difuso, sendo que a de difuso muito maior que a de saturao.Desta forma: I= ID - IS = ID A equao da corrente atravs da juno dada por:

ondeIs a corrente reversa de saturao, V a tenso aplicada na juno, n vale aproximadamente 1 para Ge e 2 para Si e VT uma constante que depende da temperatura valendo 26mV na temperatura ambiente (T=300 Kelvin). Se V for positivo e muito maior que 26mV, o diodo estar polarizado diretamente e nesse caso a expresso acima se reduz a: Se V for negativo e muito maior que 26mV (em modulo) o diodo estar polarizado reversamente e a expresso acima se reduz a: Curva Caracterstica do Diodo O grfico a seguir mostra a corrente em funo da tenso aplicada em um diodo de juno para o caso de diodo de silicio (Si)

Figura 6: Curva caracterstica de um diodo de Si Podemos notar que o grfico tem 3 regies: 1. Regio de polarizao direta: vd> 0 2. Regio de polarizao reversa: vd<0 3. Regio de ruptura: vd<-VBK Polarizao Direta Em polarizao direta a expresso matemtica :

(equao 3) IS=corrente de saturao = constante para uma dada temperatura (equao 4) VT chamada de constante termica K= constante de Boltzmann T a temperatura absoluta (0K) -19 q o valor da carga do eltron (q=1,6.10 C) Substituindo os valores numericos das contantes na expressoresultar
0

VT=25mV na temperatura ambiente

(25 C) n=1 para diodos construidos em CI e 2 para diodos discretos Para V<0 ealgumas vezes maior do que 25mV a expresso de id ser aproximadamente gual a -I S i Regio de Ruptura VD<VBK=tenso de ruptura (Breakdown) Se o diodo consegue dissipar a potencia pode operar nessa regio o caso do Diodo Zener, caso contrario ocorre a destruio do diodo. Deve ser evitado operar prximo desta regio