Introdução a Amplificadores de Potência

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1
 Potência

Áudio: 0-20 kHz; Radiofrequências: 20 kHz- 300 GHz

Transferência de potência, eficiência, aspectos térmicos, não-linearidades do transistor

Radiodifusão comercial: 300 kHz- 3 MHz; GSM: 1,8 GHz; Bluetooth: 2,45 GHz

5G: 700 MHz, 2,3 GHz, 3,5 GHz, 26 GHz, 28 GHz, 38 GHz, 64 GHz e 71 GHz

Aplicações industriais e médicas (2,45 GHz): cozimento; diatermia

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 Resumo

 Introdução
 Classificação
 Eficiência x Linearidade
 Classes de Operação: senoidais e comutadas
 Transistores
 Topologias de Amplificadores
 Técnicas de melhoramento da estabilidade
 Adaptação de impedância
 Projeto de amplificadores

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 Potências típicas em Algumas Aplicações
 De alguns miliwatts a dezenas ou centenas de watts.

Sistemas de
Nível MáximoNível Máximo
telecomunicações
Estação Móvel dBm mW
AMPS 32 1585
IS-54/136 (TDMA) 28 631
GSM 900 35 3162
GSM 1800 33 1995
CDMA / IS-95 28 631
WCDMA 28 631
0 1
Bluetooth 4 2,5
20 100
Estação Radio-base (fixa)
GSM 850/900 52 158 W
CDMA 50 100 W
Aplicações de Aquecimento
2,45 GHz 68 6 kW

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 Amplificador de Tensão x Amplificador de Potência

Objetivo: ganho em tensão Objetivo: ganho em potência

Z s = Z in
Z in » R s

Z out « R L Z opt = Z out

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 Amplificador de potência para pequenos e grandes
sinais

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 Amplificador de Potência para Diferentes Sinais

Peak-to-Average Power Ratio-

Sistema de Comunicação Modulação
PAPR
(dB)
AMPS FM 0

GSM GMSK 0

CDMA OQPSK 5,1

WiFi (802.11a) OFDM ~12

Telefonia móvel via satélite QPSK 0

 Considerar largura de banda

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 Considerações sobre Eficiência de Amplificadores

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 Desafios no Projeto de um amplificador de Potência:
 Eficiência

Potência média de um sinal periódico x t Identidade de Parseval


1 2 2
P = ------
T0  x  t  dt =  xk
1 2 T0 k = –
P = ------
T0  x  t  dt
xk = xk e
j k
T0
em que, x k e  k são a amplitude e a fase da componente
harmônica de x(t) (série de Fourier exponencial complexa)

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 Eficiência
Balanço de Energia num amplificador

P in + P DC = P out + P diss
P out – P in = P DC – P diss
P t + P t = P t + P t
in DC out diss

 P in 
P out  t  1
out    1 – ---
P 1 – ----------- P -
 = ------------------ P out – P in P  out  G
out 1
P DC  t  PAE = -------------------------- = -------------------------------------- = ------------------------------- =    1 – ----
P P P  G
DC DC DC
P out  t  – P in  t  P out – P in P DC – P diss P diss
PAE  t  = ---------------------------------------- PAE = -------------------------- = -------------------------------- = 1 – -----------
-
P t P P P
DC DC DC DC

: Eficiência
PAE: Power Added Eficiency

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 Diagrama de Bloco Usual de um Amplificador de
Potência

Pin = 1 mW Pout= 1 W
0 dBm 30 dBm

Driver 1 Estágio de Saída

 tot = -------------------------------
1 1
Foco em alto ganho
------------------ + ------ Foco em alta eficiência
1  G2 2

1= 0,2 (20 %) Ex: 2= 0,5 (50 %) ; G2= 15 dB (31,7) tot= 0,46 (46 %)
1= 0,3 (30 %) tot= 0,47 (47 %)

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 Considerações sobre Linearidade em Amplificadores

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 Efeitos das não-linearidades
 Geração de Harmônicos: v in  t  = V cos t aplicado a um sistema cuja característica de transferência é:
2 3
i 2 = a 0 + a 1 v in  t  + a 2 v in  t  + a 3 v in  t 

 Compressão (conversão AM-to-AM)

 Consideremos que os har- 2

mônicos sejam filtrados, o  3a 3 V 
V  a 1 + --------------- -  R 2
ganho real é então: V out  j   4   3a 3 V 
G r = ----------------------- = ----------------------------------------------- =  a 1 + ----------------  R
V 1  j  V  4 

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 Figura de Mérito: ponto de compressão 1-dB

 O ponto de compressão 1 dB é caracterizado pela amplitude de tensão na entrada para a qual a tensão de saída ou o
ganho cai 1 dB em relação ao valor que seria caso o circuito fosse linear. Esses valores podem também ser calcula-
dos em relação a níveis de potência e também especificados na saída.

Ponto de Compressão 1-dB

a1 R a1
- = 1dB  ---------------------------
20 log ----------------------------------------- - = 1 12 então:
2 2
 3a 3 V  3a 3 V
Vejamos em relação ao ganho  a 1 + ----------------  R a 1 + --------------- -
de tensão  4  4
determinando o valor de V, tem-se:

a1 a1
o ponto de compressão é: V  1dB  = 0 143  -------
- = 0 38 -------
-
a3 a3

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 Importância do Ponto de Compressão

Valores típicos de compressão nos Tensão: 35,6 a 63, 2 mVpp em 50 

amplificadores RF: Potência: entre -25 e -20 dBm

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 Considerações acerca de Projeto de um Amplificador de
Potência

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 Células Básicas de um Amplificador de Potência

 Topologia fonte-comum, cascode e diferencial

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 Transferência da Potência para a Carga

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 Diagrama de Bloco de um Amplificador de Potência

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 Projeto das Redes de Adaptação considerando o
Transistor Unilateral
 Projeto de Qin
 S12=0

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 Considerações sobre a transferência de potência do
transistor para a carga e do gerador para o transistor
 Objetivo: alto ganho de potência

Condições

Zin=(Zs)* ou in=(s)* Zout=(ZL)* ou Zin=(Zs)* ou out=(L)*

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  Projeto de Qout
 S12=0

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 Projeto das Redes de Adaptação considerando o
Transistor “bilateral”
 S 12  0

 Condições para adaptação bilateral:  S =  in e  L =  out . Como S 12  0 , então é preciso resolver um sistema de
equações.

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 Adaptação de Impedância Bilateral
 Objetivo: determinar o L e o s a fim de adaptar a entrada e a saída pelo conjugado

Condições para adaptação bilateral

S 12 S 21  L
 S = S 11 + ------------------------
-
 S =  in 1–S  22 L
S 12 S 21  S
 L =  out  L = S 22 + ------------------------
1–S  11 S

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 Soluções para o s e o L

Condições para adaptação bilateral

2 2
B1  B1 – 4 C1
 S = ---------------------------------------------
-
2C 1

2 2
B2  B2 – 4 C2
 L = ---------------------------------------------
-
2C 2

2 2 2
B 1 = 1 + S 11 – S 22 – 

 = S 11 S 22 – S 12 S 21

2 2 2
B 2 = 1 + S 22 – S 11 – 

C 1 = S 11 – S 22

C 2 = S 22 – S 11

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25
 Determinando o s e o L com o ADS

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 Redes de Adaptação de Impedância

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 Exemplos de Redes de Adaptação

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 Uma Técnica de Síntese de Impedância

 A partir da determinação da impedância de entrada

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 Domínio das Redes em L

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 Consideração acerca da largura de banda na adaptação
 Largura de Banda do amplificador

f 2  fb – fa 
 Fractional Bandwidth, ------ = ---------------------- . (de 10% a 20 %, considera-se em geral banda-estreita; maior que 20 %
f0 fb + fa
banda muita larga)
 GSM: up-link (890-915 MHz); downlink (935-960 MHz)
 GSM/Up-link: (2,8 %)
 No caso da banda estreita, faz-se a adaptação de impedância na frequência central, ou seja, frequência da
portadora.

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 Limites teóricos da adaptação de impedância

 
  
ln --1- d  -------- ; ln --1- d =   2 –  1  ln --1-  -------- – --------------------------------
  RC    RC  min = e
RC   2 –  1 
0 0

 R. M. Fano, Theoretical Limitations on the Broadband Matching of Arbitrary Impedances, J.Franklin Inst.,
249, 37-83, 139-154 (Jan.-Feb. 1950).

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 Condições para estabilidade do Amplificador
 A capacitância Cdg cria realimentação intrínseca. Dessa forma é necessário determinar se o in e out são
maiores do que 1, pois caso o sejam há possibilidade de instabilidade, o que pode levar o amplificador à oscila-
ção.

2 2 2
1 – S 11 – S 22 + 
K = --------------------------------------------------------
- 2
1 – S 11 – S 22 + 
2 2
2 S 12 S 21 2 2
- , B 1 = 1 + S 11 – S 22 – 
K = --------------------------------------------------------
2
2 S 12 S 21

S 12 S 21  L S 12 S 21  S
 in = S 11 + -----------------------
- 1  out = S 22 + ----------------------
- 1
1 – S 22  L 1 – S 11  S

Se o transistor for unilateral, ou seja, S12 = 0 , o amplificador será incondicionalmente estável, se:

 in = S 11  1  out = S 22  1

Se o transistor for bilateral, ou seja, S 12  0 , o amplificador será incondicionalmente estável, se:

Critério 1 Critério 2

2
K  0 e   0 ou K  0 e B 1  0 1 – S 11
 = --------------------------------------------------------- 1
Fator de Rollet S 22 – S 11 + S 12 S 21

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33
 Estabilidade por meio do fator Rollet com o ADS

 Condições para estabilidade incondicional: K  1 e B 1  0

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34
 Estabilidade por meio do fator  com o ADS

 Condição para estabilidade incondicional:   1

 M. L. Edwards and J. H. Sinsky, "A new criterion for linear 2-port stability using geometrically derived parame-
ters", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 40, No. 12, pp. 2303-2311, Dec. 1992.

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35
 Determinando o “Transducer Gain” com o ADS

PL
 G T = -------------
-
P AVS

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36
 Máxima Transferência de Potência

2
1 V1
P AVS = P in = ---  -----------------
Z in = Z S 8 Re  Z s 
Potência máxima fornecida pelo gerador, PAVS
Z in – Z S 2
- , P in = P AVS  1 –  in 
 in = ----------------------
Z in + Z S

P L = P in , se a rede de adaptação de impedância for não-dissipativa

0   in  1 para  in  0 32 , as perdas por reflexão serão inferiores a 10 % da potência PAVS.

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37
 Transferência de Potência sob pequenos sinais
 Se a fonte fornecedora de potência não for capaz de fornecer tal potência máxima ou ainda se não-linearidades
estiverem envolvidas?

Adaptação conforme a impedância conjugada

Condição de máximo ganho

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38
 Transferência de Potência sob grandes sinais

Analisar a capacidade de fornecimento de potência na saída do transistor:

 V dsmax – V dsmin 1 V dsmax – V dsmin  I dsmax – I dsmin 1

Z opt = R opt =  ------------------------------------------
- P out = ---  ------------------------------------------
- --------------------------------------  --- V dd I DSQ
I
 dsmax dsmin  – I 2 2  2  2

Classe A de operação

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39
 Procedimento para determinar o Zopt na Prática
 Devido à complexidade do modelo do transistor (dependência não-linear), varia-se a impedância de carga e
mede-se a potência média nessa carga, assegurando que a potência de entrada é constante. Feito isso, repre-
senta-se num plano complexo, a impedância de carga e a potência associada a ela. Cada região de carga
representa o lugar de potência constante. O centro dessas curvas representa a impedância ótima, ou seja,
aquela que uma vez ligada a saída do transistor implicará na maior potência de saída. Esse procedimento é
conhecido como Load-Pull.

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40
 Projeto do Estágio de Potência

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41
 Classes de Operação: A, AB, B e C

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42
 Determinação das amplitudes das correntes
Valores da corrente de saída em função do ângulo de condução

1 I max  
- 2sen  --- –  cos  ---
i    = ------  --------------------------------
 Valor médio, Idc 2 1 – cos    2   2  2
I max   – sen 
I 1 = ---------- -  ---------------------------
 Valor de pico da componente funda- 2 
1 – cos  ---
mental  2
3
sen  -------
1 I max   2  
 Valor de pico do segundo harmônico - sen --- + --------------------- – cos  --- sen – cos  --- sen
I 2 = ---  ---------------------
  2 3  2   2
1 – cos ---
2
1 I max  sen2 2  3
- sen --- + ---------------- – --- cos ---sen  -------
I 3 = ---  ---------------------
  2 4 3 2  2
 Valor de pico do terceiro harmônico 1 – cos ---
2

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43
 Desempenho por classes

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44
 Quadro resumo

Eficiência máxima
Classe Ângulo de condução, º Potência de saída normalizada
teórica (%)

A 360 50 1

aproximadamente constante em
AB 360-180 50-78,5 torno de 1
(teoricamente 1,15 em 240º)

B 180 78,5 1

C 180-0 78,5-100 1 em 180º; e 0 em 0º

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45
 Estratégias para estabilizar o amplificador

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46
 Estabilização dos Transistores

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47
 Alguns exemplos de amplificadores com adaptação de
impedância a parâmetros concentrados e distribuídos

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 Alguns artigos do nosso grupo de pesquisa
relacionados com amplificadores de potência

 Volker Kible ; Robson Nunes de Lima ; Karolinne Brito de Brito ; André Bülau André Zimmermann, Quadrature
Block for UHF Reflection Coefficient Measurements Using a Directional Coupler and Injection Locking,
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement (Early Access), 07 February 2019, DOI: 10.1109/
TIM.2019.2895480 .

 KIBLE, V. ; Lima, Robson Nunes de ; BULAU, A. ; ZIMMERMANN, A., An UHF Software Defined Reflectometer
using Under-Sampling DownConversion in the ADC, 49th European Microwave Week- EuMW-2019, 2019,
Paris. 49th European Microwave Conference, 2019.

 F. G .S. Silva, R.N. de Lima and R.C.S. Freire, A dual-band class A/B discrete power amplifier based on multire-
sonant networks, Microwave and Optical Technology Letters (Print), v. 58, p. 2807-2811, 2016.

 F.G.S. Silva, Robson Nunes de Lima, R.C.S. Freire, and Calvin Plett, A Switchless Multiband Impedance
Matching Technique Based on Multiresonant Circuits, IEEE Trans. Circuits and Systems II, Vol. 60, No. 7,
pp. 417-421, July 2013.

 LIMA, R. N.; HUYART, Bernard ; BERGEAULT, E. ; JALLET, L., MMIC Impedance Matching System, Electro-
nics Letters, IEE Londres, v. 36, n.16, p. 1393-1394, 2000.

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