TRABALHO DE GRADUAÇÃO

Ilha Solteira - SP
Novembro de 2011
 FEIS – FACULDADE DE ENGENHARIA DE ILHA SOLTEIRA

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

TRABALHO DE GRADUAÇÃO

Projeto e Caracterização de Amplificador de Áudio

para Aplicações em Atuadores Piezoelétricos

PALAVRAS-CHAVE: Amplificadores de Áudio, Atuadores Piezoelétricos

DISCENTE: Rafael Favaro Quadrado RA: 200525301
ORIENTADOR: Professor Dr. Cláudio Kitano
PERÍODO: Dezembro 2010/Novembro 2011
TOTAL DE HORAS: 120 horas

Ilha Solteira - SP
Novembro de 2011
Agradecimentos

Agradeço a Deus por cada novo dia de minha vida, por minha saúde e família.
Aos meus pais, Sylvio e Isabel, pelo carinho, apoio, paciência e compreensão
durante todo o processo de graduação, e em especial, da realização deste trabalho.
Ao meu orientador Professor Doutor Cláudio Kitano, pela idealização deste
trabalho, pelas orientações, interesse e paciência.
Ao professor Doutor Aparecido Augusto de Carvalho por ceder o acesso ao
laboratório de sensores para a realização dos experimentos práticos, assim como aos seus
orientados, Luiz Vitti Felão e Mateus Urban, pelo enorme apoio e ajuda no desenvolvimento e
realização dos testes.
Aos técnicos do Departamento de Engenharia Elétrica, Aderson e Everaldo, pelo
fornecimento do material necessário para os testes, e pelo conhecimento técnico
compartilhado.
A todas as pessoas que passaram pela minha vida neste período, pelas alegrias,
pelas risadas, pelo companheirismo, amor e carinho. São coisas pequenas, mas de valor
inestimável, as quais levarei comigo pelo resto da vida. A todas elas, um muito obrigado!
A todos os demais professores e amigos que de uma forma ou de outra
contribuíram para a minha formação profissional e crescimento pessoal.
Resumo

Os transdutores piezoelétricos flextensionais foram desenvolvidos a fim de se

amplificar os deslocamentos da piezocerâmica mesmo quando se opera em tensões elétricas
relativamente baixas. Um transdutor piezoelétrico flextensional é constituído pela
piezocerâmica propriamente dita, acoplada a uma estrutura metálica (em geral de alumínio), a
qual atua como transformador de deslocamento mecânico. Para alimentar estes atuadores, são
necessários amplificadores que operam na faixa de frequência de áudio, com tensões de
alimentação inferiores a 100 volts. Neste trabalho são estudados e implementados
amplificadores de áudio com o objetivo de analisar suas principais características e avaliar
qual o mais conveniente para testes nestes atuadores. A princípio é projetado, estudado e
simulado, um circuito amplificador a base de componentes discretos, em seguida são
analisados circuitos amplificadores baseados em circuitos integrados, em todos os casos os
fatores de importância observados foram linearidade, baixa distorção e largura de banda.
Conceitos estudados nos cursos de Eletrônica 1 e 2 da FEIS-Unesp, como o
projeto de estágios pré-amplificadores a transistor, amplificadores de potência do tipo push-
pull, amplificadores de áudio e amplificadores operacionais, foram empregados. Neste
sentido, amplificadores de potência compatíveis com amplificadores de áudio foram
estudados neste trabalho.
 Índice Geral

CAPÍTULO 1 – INTRODUÇÃO.....................................................................................................5
1.1 OBJETIVO...............................................................................................................................6
1.2 APRESENTAÇÃO DO RELATÓRIO....................................................................................6
CAPÍTULO 2 - PROJETO DE UM AMPLIFICADOR DE ÁUDIO
TRANSISTORIZADO........................................................................................................................7
2.1 ESTÁGIO DE SAÍDA.............................................................................................................7
2.2 ESTÁGIO DE PRÉ-AMPLIFICAÇÃO.................................................................................25
2.3 ANÁLISE DO SISTEMA ACOPLADO...............................................................................41
2.4 CIRCUITO FINAL E SIMULAÇÕES..................................................................................45
CAPÍTULO 3 - AMPLIFICADORES DE ÁUDIO INTEGRADOS.....................................51
3.1 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO TRANSISTORIZADO........................................................51
3.2 O CIRCUITO INTEGRADO LM380....................................................................................52
3.2.1 O CIRCUITO INTEGRADO LM380N-8................................................................57
3.2.2 O CIRCUITO INTEGRADO LM380N....................................................................58
3.3 O CIRCUITO INTEGRADO LM3886..................................................................................59
3.4 O CIRCUITO INTEGRADO TDA2005................................................................................61
3.5 O CIRCUITO INTEGRADO TDA7294................................................................................64
CAPÍTULO 4 – RESULTADOS EXPERIMENTAIS..............................................................67
4.1 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO TRANSISTORIZADO........................................................67
4.2 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM CIRCUITOS INTEGRADOS...................................69
4.2.1 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM LM380N-8...................................................69
4.2.2 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM LM380N.......................................................71
4.2.3 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM LM3886.......................................................73
4.2.4 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM TDA2005.....................................................74
4.2.5 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM TDA7294.....................................................76
CAPÍTULO 5 – CONCLUSÃO E SUGESTÃO PARA TRABALHOS FUTUROS.........78
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS..................................................................................80
CAPÍTULO 1
INTRODUÇÃO

O efeito piezoelétrico ou piezoeletricidade foi descoberto pelos irmãos Curie em

1880 e utilizado na prática pela primeira vez por P. Langevin em sonares durante a primeira
guerra mundial. Langevin utilizou quartzo acoplado a massas metálicas para gerar ultrassom
na faixa de alguns quilohertz. Após a primeira guerra mundial, devido à dificuldade de se
excitar transdutores construídos com quartzo, por causa da demanda por alta tensão, iniciou-
se o desenvolvimento de materiais piezoelétricos sintéticos. Estes esforços levaram à
descoberta, nas décadas de 40 e 50, das cerâmicas piezoelétricas de titanato de bário pela
antiga URSS e pelo Japão, bem como, das cerâmicas piezoelétricas de titano-zirconato de
chumbo (PZT’s), pelos EUA.
O desenvolvimento das cerâmicas piezoelétricas foi revolucionário (CADY,
1978). Além de apresentarem melhores propriedades que os cristais depois de polarizadas,
também oferecem geometrias e dimensões flexíveis por serem fabricadas por meio da
sintetização de pós cerâmicos conformados via prensagem e extrusão. Atualmente as
cerâmicas piezoelétricas tipo PZT, em suas diversas variações, são os materiais piezoelétricos
predominantes no mercado.
Os materiais piezoelétricos apresentam a propriedade de se expandir ou contrair
quando submetidos a uma diferença de potencial elétrico. Tais materiais são amplamente
utilizados em atuadores piezoelétricos, com o objetivo de se obter controle preciso de
deslocamentos microscópios. Porém, os níveis de tensão elétrica necessária para alimentá-los
costuma ser elevados, exigindo-se amplificadores com saídas máximas de 300, 400 e 1200
volts.
Com o objetivo de superar os problemas associados com as altas tensões,
transdutores piezoelétricos flextensionais (SILVA et al., 2003) foram desenvolvidos a fim de
se amplificar os deslocamentos da piezocerâmica mesmo quando se opera em tensões
elétricas relativamente baixas (inferiores a 100 volts). Um transdutor piezoelétrico
flextensional é constituído pela piezocerâmica propriamente dita, acoplada a uma estrutura
metálica (em geral de alumínio), a qual atua como transformador de deslocamento mecânico.
Para alimentar estes atuadores, são necessários amplificadores que operam na faixa de
frequência de áudio, com tensões de alimentação de ±33 volts. Conceitos estudados nos
cursos de Eletrônica 1 e 2 da FEIS-Unesp, como o projeto de estágios pré-amplificadores a
6
transistor, amplificadores de potência do tipo push-pull, amplificadores de áudio (como
LM3886) e amplificadores operacionais, podem ser empregados (Sedra, A.S., Smith, K.C.,
2007), (Boylestad, R.L., Nashelsky, L., 2004).
Neste sentido, amplificadores de potência compatíveis com amplificadores de
áudio foram estudados neste trabalho. Fatores de importância são linearidade, baixa distorção
e largura de banda.

1.1 OBJETIVO

Este trabalho tem como objetivo, o projeto, simulação, caracterização e

construção de amplificador de áudio para aplicação em atuadores piezoelétricos
flextencionais.
Inicialmente, foi realizado um estudo sobre a teoria de amplificadores a fim de
analisar qual tipo e classe de amplificador será mais conveniente para a aplicação dos
atuadores piezoelétricos. Em seguida, foram realizadas simulações do circuito amplificador
através de softwares, com o intuito de verificar seu comportamento e funcionalidade. A partir
daí, deu-se início ao processo de construção do circuito, primeiro em protoboard, e depois,
em placa de circuito impresso e soldagem dos componentes. Características como linearidade,
rendimento e resposta em frequência foram levantadas.

1.2 APRESENTAÇÃO DO RELATÓRIO

Este relatório é constituído por 5 capítulos, incluindo-se este. No capítulo 2

apresentam-se a descrição e o projeto das etapas de um amplificador de áudio a base de
componentes discretos. No capítulo 3 estudam-se alguns amplificadores de áudio integrados
disponíveis no comércio como o LM380, LM3886, TDA2005 e TDA7294. No capítulo 4, são
descritos os amplificadores implementados em protoboarb ou placas de circuito impresso,
bem como, os resultados experimentais dos ensaios de linearidade e de resposta em
frequência. O capítulo 5 contém a conclusão e a sugestão para trabalhos futuros.

7
CAPÍTULO 2
PROJETO DE UM AMPLIFICADOR DE ÁUDIO TRANSISTORIZADO

Um amplificador analógico de áudio é um circuito multi-estágios que se estende

desde a entrada (um microfone, por exemplo) até a saída, a qual, normalmente, está conectada
a um alto-falante.
Em geral, um amplificador de áudio básico é constituído pelos estágios de pré-
amplificação de tensão e amplificador de potência. Blocos secundários podem ser
acrescentados, como equalizadores, controles de tom, volume e crossovers. Neste trabalho,
contudo, dá-se ênfase ao circuito básico.
Nas seções a seguir, apresenta-se o projeto de um amplificador de áudio
transistorizado, com pré-amplificador a base de transistores bipolares de junção e estágio de
potência classe-AB, dedicado a trabalhar com cargas resistivas de 8Ω.

2.1 ESTÁGIO DE SAÍDA

Uma função importante do estágio de saída de um amplificador é realizar o

acoplamento com uma resistência de saída baixa, de modo a se fornecer o sinal de saída para
a carga sem queda no seu ganho individual (Sedra, A.S., Smith, K.C., 2007). Na Figura 2.1
está ilustrado um amplificador de potência em classe-AB, sugerido por (Malvino, A.P., 1997),
alimentado por uma única fonte de alimentação DC, com valor igual a 30V.

8
 Figura 2.1 – Estágio de saída do amplificador de áudio.

Em princípio, os transistores encontram-se em configuração push-pull, com

transistores complementares NPN e PNP. A fim de se reduzir o fenômeno de distorção de
cruzamento (crossover), recorre-se aos dois diodos inseridos entre as bases dos transistores.
A função dos resistores R1 e R2 na Figura 2.2a é permitir a passagem de uma
corrente, IR, pelos diodos D1 e D2, cuja função é manter os transistores QN e QP operando na
região ativa. Os valores desses resistores, em geral, escolhidos iguais (isto é, R1 = R2) são tais
que a corrente IR seja muito superior às correntes nas bases de QN e QP, as quais poderão ser
desprezadas na análise. Contudo, IR não pode ser muito elevada, uma vez que contribuiria
para o consumo de potência off-line.
Outra função dos diodos D1 e D2 é proporcionar uma imunidade contra o
problema de escape térmico (Malvino, A.P., 1997), ou seja, ao círculo vicioso que se origina
quando os transistores QN e QP conduzem corrente, que provoca aumento na temperatura, que
provoca aumento na corrente, aumentando mais ainda a temperatura, e assim por diante. O
resultado do escape térmico seria a destruição dos transistores.
Como o estágio de saída é o estágio final do amplificador, usualmente se opera
com sinais de entrada com amplitudes relativamente elevadas (da ordem de dezenas de volts).

9
Portanto, as aproximações e os modelos para pequenos sinais não são aplicáveis para análise
de ganho.
Em amplificadores classe-B, os diodos D1 e D2 estão ausentes, e os resistores R1 e
R2 são projetados para manter QN e QP cortados, quando em operação DC. Contudo, em
configuração classe-AB, existe o consumo off-line devido à corrente IR quando o circuito
opera em DC. Na Figura 2.2a desenha-se o circuito obtido quando os capacitores C3 e C4 da
Figura 2.1 encontram-se abertos.

(a) (b)

Figura 2.2 – Análise DC do estágio de saída. a) Circuito DC. b) Meios circuitos equivalentes.

Devido à simetria do circuito desenhado na Figura 2.2a, é possível proceder à

análise DC dividindo-se a estrutura original em duas meias-estruturas equivalentes, como
mostradas na Figura 2.2b. Devido à estrutura em espelho, a corrente DC de coletor em cada

10
transistor deve ser igual IR, e contribui para uma pequena redução no rendimento do
amplificador.
O valor de corrente IR, pode ser obtido a partir de qualquer um dos semi-circuitos
como:

(2.1)

onde considerou-se que a tensão no diodo, a qual é igual a tensão entre a base e emissor de
cada transistor, fosse igual a 0,7V aproximadamente.
Na sequência, procede-se à análise AC da estrutura da Figura 2.1. Considera-se
que a entrada vI seja senoidal, de acordo com:

(2.2)

sendo V0 a amplitude e ω a frequência. No estudo a seguir, considera-se que o circuito opera

em regime permanente, dividindo-se a análise em três partes, de acordo com o valor de vI.

a) Para valores de vI = 0

O caso vI= 0 não significa que o circuito opera com entrada nula todo o tempo,
mas sim, que a tensão de entrada está passando pelos instantes tais que ωt = nπ, n inteiro. Esta
situação encontra-se desenhada na Figura 2.3.

11
 Figura 2.3 – Estágio de saída para vI = 0.

Esta situação é semelhante ao caso DC mostrado na Figura 2.2, na qual flui uma
pequena corrente de polarização IR através dos resistores R1 e R2, e dos diodos D1 e D2.
Considerando-se que os diodos são casados, então vBEN = vEBP. Esta condição obriga QN e QP
a conduzirem as correntes:

(2.3a)

(2.3b)

as quais serão iguais, ou seja, iCN = iCP.

Então, como a corrente na carga é iL = iCN – iCP, conclui-se que iL = 0 para vI = 0.
Ou seja, a tensão de saída v0 = RLIL = 0 no instante em que vI = 0.
Por ação de espelhamento, conclui-se também que os transistores QN e QP
conduzem uma pequena corrente cujo valor é IR dado por (2.1), isto é, ICN = ICP = IR para vI =
0.
Além disso, devido à simetria do circuito neste instante, e considerando-se que os
transistores são complementares, têm-se que vE = Vcc/2.
12
 Na situação vI = 0, não há sinal aplicado ao amplificador, e assim:

(2.4a)

(2.4b)

sendo VBEN e VEBP, tensões DC, e, vben e vebp, tensões AC, que aparecem entre base e emissor
dos transistores QN e QP, respectivamente. Neste caso, VBEN = VEBP ≈ 0,7V e vben = vebp = 0.
Deste modo, (2.3a) e (2.3b) conduzem a:

(2.5)

sendo IS a corrente de saturação reversa e VT a tensão térmica, e:

(2.6)

Além disso, de (2.5):

( ) (2.7)

Com isso, aplicando-se a segunda Lei de Kirchhoff à malha de entrada contendo

QN na Figura 2.3, tem-se:

(2.8)

sendo VC1 a tensão sobre o capacitor de passagem C1. A partir, daí se obtém:

(2.9)

no qual vBEN = VBEN ≈ 0,7V.

13
 Analogamente, para a malha de entrada contendo QP na Figura 2.3, têm-se:

(2.10)

sendo VCC/2 a tensão sobre o capacitor C2.

Por outro lado, aplicando a segunda Lei de Kirchhoff à malha de saída na Figura
2.3, e sabendo-se que v0 = 0 para vI = 0, tem-se:

(2.11)

b) Para o semi-ciclo positivo de vI

Partindo-se do caso (a), no qual vo = 0, aumenta-se vI a partir de zero, conforme a

função (2.2). Ou seja, considera-se a excursão ao longo do semi-ciclo positivo de vI. Esta
situação encontra-se retratada na Figura 2.4.

Figura 2.4 – Estágio de saída para vI positivo.

14
 Pelo circuito, observa-se que (usando (2.9)):

(2.12)

e assim, a medida que vI aumenta, QN atua como seguidor de emissor, e vo torna-se positivo,
conforme será visto abaixo.
Nesta situação, vBEN e vEBP são constituídas por parcelas DC, VBEN e VEBP, e por
parcelas AC, vben e vebp, porém, como vben << VBEN e vebp << VEBP, ocorre vBEN ≈ VBEN e vEBP
≈ VEBP.
Então, aplicando-se a segunda Lei de Kirchhoff à malha contendo QN, e usando
(2.9) e (2.11):

(2.13)

ou seja, para todo vI > 0, ocorre vo = vI.

Por sua vez, acontece a seguinte relação entre as tensões na entrada da Figura 2.4.

(2.14)

onde foi usada a definição (2.6).

A partir das relações entre vBEN e vEBP, e, iCN e iCP, equações (2.3ab) para os
transistores QN e QP, bem como, da relação (2.7), observa-se que (2.14) pode ser convertida
em:

15
 ( ) ( ) ( )

( ) ( )

(2.15)

Na relação (2.15) revela-se que, à medida que vI aumenta, QN conduz e iCN

aumenta. Como IR é constante, dada por (2.1), então, iCP é obrigada a diminuir. Num caso
extremo, em que vI seja muito elevado, a corrente iCP pode até ser ignorada (relativamente à
iCN). Ou seja, a corrente de carga iL é conduzida essencialmente por QN, restando a QP
conduzir a pequena corrente DC dada por IR.
Também é interessante investigar o comportamento da tensão vCEN e vECP. Para o
transistor QP na Figura 2.4:

(2.16)

Tem-se ainda, que:

(2.17)

e, usando (2.16) em (2.17), em conjunto com VC3 = VCC/2:

(2.18)

A partir de (2.16) e (2.18), conclui-se que:

(2.19)

Por outro lado, para o transistor QN, tem-se:

16
 ( )

(2.20)

onde se usou o resultado (2.19).

Na Figura 2.5 ilustram-se os resultados (2.19) e (2.20), onde se verifica que vCEN +
vECP = VCC para todo t nos semi-ciclos positivos de vI.

Figura 2.5 – Tensões entre coletor e emissor de QN e QP para vI > 0.

c) Para o semi-ciclo negativo de vI

Concluído o semi-ciclo positivo estudado em (b), a tensão de saída retorna ao

ponto vo = 0, quando vI diminui de volta a zero. A seguir, (2.2) entra no semi-ciclo no qual vI
torna-se negativo.
Neste caso, ocorre o oposto ao caso (a): a corrente será fornecida por QP, que
atuará como seguidor de emissor de saída. Assim, mostra-se que, novamente, ocorre vo = vI
para vI < 0. Além disso, QP conduz uma corrente que aumenta em módulo à medida que vI
torna-se mais negativa. Por outro lado, as tensões vECP e vCEN têm gráficos semelhantes ao da
Figura 2.5, porém, deslocados de π radianos para a direita, e multiplicado de -1, nos intervalos
onde vI < 0.
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 Em resumo, a estrutura da Figura 2.1 apresenta vo = vI para quaisquer valores de vI
senoidais, quer sejam positivos ou negativos, sem o problema de distorção de cruzamento.
Além disso, sempre que vI passa por zero, ocorre vE = VCC/2, e assim, vCEN e vECP
excurcionam, para baixo e para cima, respectivamente, em torno de VCEN = VECP = VCC/2.
No caso em que vI > 0, extrai-se, da Figura 2.4, a seguinte relação de tensões no
circuito de saída contendo QN:

(2.21)

sendo iCN = ICN + icn, com icn = iL. Assim, usando vCEN = VCEN + vcen, (2.21) torna-se:

(2.22)

Conforme dito anteriormente, VCEN = VCC/2 e VC3 = VCC/2 e então, (2.22) conduz
a:

(2.23)

A corrente de coletor de QN será:

(2.24)

Porém, da relação vCEN = VCEN + vcen, isola-se vcen e substitui-se em (2.24),

conduzindo a:

( )
(2.25)

A máxima corrente de coletor suprida por QN ocorre quando o transistor satura, e

é denominado de iCN,max. Quando QN satura, acontece vCEN ≈ 0, e (2.25) torna-se:

18
 (2.26)

O valor ICN corresponde à corrente DC no coletor de QN, e é dada por IR em (2.1).

Além disso, como VCEN = VCC/2, (2.26) torna-se:

(2.27)

Por outro lado, o maior valor de vCEN ocorre quando QN corta, e daí, iCN = 0.
Assim, de (2.25):

(2.28)

Uma análise semelhante pode ser aplicada ao caso vI < 0, quando o transistor que
conduz corrente é essencialmente QP. Contudo, devido à simetria da função de transferência
do amplificador em classe-AB, isto é, vo = vI, bastaria trocar os sinais dos resultados obtidos
para vI > 0.
Como vo = vI, a função na carga é igual a (2.2), e assim, a corrente na carga é dada
por:

(2.29)

Esta corrente é constituída essencialmente por iCN, no semi-ciclo positivo de vI, e,

por iCP, no semi-ciclo negativo de vI.
A potência instantânea fornecida à carga é:

(2.30)

enquanto a potência média será:

∫ (2.31)

19
 Uma exigência no projeto de um estágio de saída é que se forneça a quantidade de
potência solicitada pela carga, normalmente de baixa resistência, de modo eficiente. Ou seja, a
potência dissipada nos transistores do estágio de saída deve ser a menor possível. Neste
sentido, um fator de mérito fundamental do amplificador de potência é o rendimento da
conversão de potência, definido como:

(2.32)

De fato, se PD é a potência dissipada nos transistores, então, PF = PD + PL, e assim,

uma das formas de se aumentar o rendimento é reduzir PF sem, no entanto, diminuir PL. Com
isto, o aumento de η está diretamente relacionado à redução das perdas PD.
A potência na carga foi calculada em (2.31). Por outro lado, a potência fornecida
pela fonte DC pode ser calculada através de:

(2.33)

sendo IF a corrente média fornecida por VCC. Esta, por sua vez, corresponde ao valor médio da
corrente iCN dada em (2.24), onde se sabe que ICN = IR, dada em (2.1), e, vcen pode ser obtido a
partir de (2.23). Por outro lado, a corrente do sinal icn em (2.23) corresponde à corrente na
carga (iL) para vI > 0, ou seja, para 0 < ωt < π rad. Desta forma, (2.24) torna-se:

( )
(2.34)

para 0 < ωt < π rad. Calculando-se o valor médio de iCN, resulta em (usando (2.29)):

(2.35)

20
 Portanto, substituindo-se (2.35) em (2.33), e usando-se (2.1):

{ }

{ } (2.36)

Nos próximos parágrafos, executa-se o cálculo dos parâmetros de desempenho do

amplificador de potência mostrado na Figura 2.1, considerando-se VCC = 30V, R1 = 4,7kΩ e
RL = 8Ω, a fim de se fornecer a maior potência à carga.
Conforme discutido anteriormente, vCEN excursiona para baixo (para vI > 0), até 0
volts, em torno do ponto VCC/2, enquanto vECP excursiona para cima, até +VCC, em torno de
VCC/2. Para o caso vI > 0, deduz-se da Figura 2.4 a seguinte relação:

(2.37)

Além disso, tem-se que:

(2.38)

na qual vcen é a parte de vCEN que oscila, para baixo, em torno de VCC/2.
De forma similar, usando-se (2.16) em, vo = vE – VC3, chega-se a:

21
 (2.39)

Os resultados (2.38) e (2.39) permitem concluir que a excursão máxima de vo

corresponde a excursão máxima de vcen e vecp, as partes variáveis no tempo das tensões vCEN e
vECP em torno de VCC/2. O valor desta excursão máxima é de Vo,max = VCC/2,
aproximadamente (para o caso ideal).
Desta forma, adotando-se Vo,max = VCC/2 na expressão (2.29), tem-se que a
corrente máxima na carga será:

A potência máxima [usar (2.31)] na carga será:

A potência máxima fornecida pela fonte [usar (2.36)] será:

{ } { }

O rendimento máximo será obtido a partir de (2.32):

Finalmente, a potência máxima dissipada nos transistores será:

22
 Antes de se encerrar esta seção, procede-se ao cálculo das resistências de entrada
e de saída do estágio de saída. Para isto, é necessário se estabelecer o circuito equivalente AC
da Figura 2.1. Conforme foi visto, no semi-ciclo positivo do sinal de entrada, quem conduz a
corrente AC é o transistor QN, enquanto QP permanece cortado. Desta forma, o circuito
equivalente AC para vI > 0 corresponde ao desenhado na Figura 2.6a), onde considera-se que
os capacitores C1 e C3 se comportam como curto-circuitos.

(a) (b)

Figura 2.6 – Circuitos para o cálculo das resistências de entrada e saídas. a) Para vI positivo.
b) Modelo-T equivalente.

Como foi afirmado no início deste capítulo, para fim de cálculo de compliance de
saída, potência entregue à carga e rendimento do amplificador de potência, o modelo
equivalente AC para pequenos sinais não é indicado. Porém para cálculo das resistências de
entrada e saída, estes ainda são justificáveis (Sedra, A.S., Smith, K.C., 2007). Desta forma,
tem-se o circuito equivalente AC desenhado na Figura 2.6b, válido para vI > 0. Os elementos
rd são as resistências dos diodos. Como não há problemas de distorção de cruzamento, este
modelo também se aplica para o semi-ciclo negativo, para vI < 0. Desta forma, as resistências
de entrada e saída podem ser determinadas por qualquer um dos dois casos, pois resultam nos
mesmos valores.
A resistência de entrada é obtida pela relação entre a tensão e a corrente na
entrada do circuito da figura 2.6b, sob o ponto de vista da saída do gerador de sinais (vS, RS):
23
 ( ) (2.40)

sendo
( )
(2.41)
( )

( )( )

O valor da resistência de entrada do transistor, re, depende da corrente de

polarização de emissor, que neste caso corresponde a IR dado em (2.1), devido ao efeito de
espelhamento mostrado na Figura 2.2. Também, o valor da resistência dinâmica do diodo D1 é
rd = re. Assim, procedendo-se ao cálculo tem-se, de (2.1):

e, portanto:

Os transistores complementares BD135 e BD136 possuem valores de β típico

igual a 290. Com isto, para uma carga RL = 8Ω, tem-se, de (2.41), que Rb = (290+1)(8+8) =
4,66kΩ. Daí, aplicando-se (2.40), para rd = 8Ω, obtém-se Ri3 = [4,7k//(4,7k+8+8)]//4,66k ou
Ri3 = 1,56kΩ.
Por outro lado, a resistência de saída do circuito da Figura 2.6b, pode ser
calculada considerando-se que sua saída é alimentada por uma fonte de tensão auxiliar, vg,
quando as fontes de tensão passivas no circuito são zeradas (Boylestad, R.L., Nashelsky, L.,
2004). Com isto, tem-se o circuito da Figura 2.7, na qual a resistência de saída é dada por Ro
= vg / ig.

24
 Figura 2.7 – Circuito para o cálculo da resistência de saída do estágio de potência.

Os sinais das correntes no circuito da Figura 2.7 foram adequadamente corrigidos

para se adequarem a (vg, ig). Analisando o circuito, tem-se:

[ ( ( ))]

[ ( ( ))] (2.42)
( )

sendo
(2.43)

e assim, igualando essas expressões e considerando-se ie = ig, tem-se:

[ ( ( ))] (2.44)
( )

A partir daí se extrai que:

[ ( ( ))]
( )
(2.45)

25
 Efetuando-se os cálculos, considerando-se o gerador de sinais utilizado tenha RS =
50Ω, obtém-se:

[ ( ( ))]
( )

Este valor resultou muito próximo da impedância do alto-falante de carga, RL =

8Ω, o que permitirá uma máxima transferência de potência.

2.2 ESTÁGIO DE PRÉ-AMPLIFICAÇÃO

O estágio de pré-amplificação é responsável por proporcionar ganho de tensão ao

sinal de entrada, antes de entregá-lo ao amplificador de potência. Na Figura 2.8, ilustra-se a
configuração utilizada, composta, basicamente, por um estágio emissor-comum em série com
um estágio coletor-comum. Desta forma, o primeiro estágio confere ganho de tensão ao sinal
de entrada, enquanto o segundo proporciona um bom acoplamento com o estágio de saída.

Figura 2.8 – Estágio de pré-amplificação de tensão.

Na Figura 2.8, vS e RS são a tensão em vazio e resistência interna da fonte de sinal

na entrada, e, C1, C2, C3, e CE, são capacitores de acoplamento.
26
 A fim de se ajustar o ponto de polarização quiescente do estágio emissor-comum,
segundo uma configuração ótima, seguiu-se a sugestão de (Sedra, A.S., Smith, K.C., 2007), e
aplicou-se a “regra do 1/3”, conforme esquematizado na Figura 2.9. Segundo esta regra, usada
para se dimensionar os resistores de uma configuração polarizada por divisor de tensão, a
análise DC é realizada de tal forma que a tensão DC da fonte (+VCC) é dividida em três partes
iguais: uma parte deve ser aplicada ao resistor RC1, outra parte é aplicada na junção coletor-
base do transistor Q3, e, a última parte é aplicada sobre o resistor R21. Além disso, a corrente
sobre o divisor de tensão, IDT, deve ser igual a 1/10 da corrente no emissor.

Figura 2.9 – Circuito para análise DC do amplificador emissor-comum.

Um valor razoável para a corrente no coletor de Q3, é ICQ = 1mA, a qual permite
se obter um valor baixo para a resistência de entrada de emissor (r e3). Isto é bom, pois torma
um ganho de tensão menos sensível à variações de temperatura.
O transistor utilizado para Q3 é o 2N3904, que possui β = 200 (valor típico). A
utilização da rede de polarização por divisão de tensão é estabelecer um ponto de operação
quiescente que permite uma grande excursão do sinal de saída, bem como, certa imunidade a
variações em β devido à tolerância do dispositivo, mudanças nos valores de IC ou na
temperatura.
Desta forma, aplicando-se a “regra do 1/3”, tem-se que:

27
 (2.46)

A partir daí, pode-se obter o valor da resistência RC1:

(2.47)

Como o valor de β é relativamente elevado, pode-se desprezar a corrente de base

em Q3, relativamente as demais correntes, e se escrever que IEQ ≈ ICQ = 1mA.
Com isso, a segunda parte da “regra do 1/3” conduz ao valor da corrente IDT:

(2.48)

Usando-se o valor de VB dado em (2.46), tem-se que a tensão no emissor será:

(2.49)

a partir da qual, pode-se determinar o valor da resistência RE = RE1 + RE2:

(2.50)

A corrente de base pode ser calculada a partir de:

(2.51)

sendo, portanto, 20 vezes inferior ao valor da corrente IDT dada em (2.48). Desta forma, IBQ é
pequena comparada com IDT, e pode-se usar a aproximação:

(2.52)

Por outro lado, a tensão VB dada em (2.46) também pode ser dada
aproximadamente por:
28
 (2.53)

e, como VCC = 30V, se extrai que:

( )

(2.54)

onde contou-se com o auxílio de (2.52). Retornando-se com o valor de R21 em (2.52), se
obtém:

(2.55)

Com isto, todos os quatro resistores da Figura 2.9 foram determinados. Na

sequência, verifica-se se estes valores conduzirão a uma boa compliance de saída. Para isto,
investigam-se as retas de carga do circuito amplificador, e a posição na qual se encontra o
ponto de polarização quiescente.
Aplicando-se o teorema de Thévenin ao circuito, à esquerda da base de Q3, na
Figura 2.9, chega-se ao circuito equivalente mostrado na Figura 2.10, onde VTH e RTH são a
tensão e resistência de Thévenin, respectivamente.

29
 Figura 2.10 – Circuito para obtenção da reta de carga DC.

As expressões para VTH e RTH são:

(2.56a)

(2.56b)

A partir da malha de entrada da Figura 2.10, tem-se:

(2.57)

na qual, aplicando a relação entre IBQ e IEQ dada em (2.51), obtém-se:

(2.58)

confirmando a aproximação usada anteriormente de que IEQ ≈ ICQ = 1mA. Contudo, IEQ
deveria ser maior que ICQ = 1mA. Isto ocorre devido à aproximação anterior de que IBQ era
desprezível em relação à IDT. Assim, na verdade, para os valores de resistência obtidos, a
corrente de coletor deve ser corrigida para:
30
 (2.59)

O valor da tensão VCE pode ser obtido a partir da malha de saída na Figura 2.10:

(2.60)

ou então, para IC = ICQ e IE = IEQ:

(2.61)

A reta de carga DC é obtida a partir da equação geral (2.60), e encontra-se

desenhada na Figura 2.11, onde a corrente máxima de coletor é calculada fazendo-se VCE = 0,
e IE = IC/α:

(2.62)

Figura 2.11 – Reta de carga DC para o estágio emissor-comum.

31
 Entretanto, o ponto de operação quiescente aparentemente não está no meio da
reta de carga, o que implicaria em que a compliance não é máxima. Porém, para efeito de
avaliação da compliance, deve avaliar a reta de carga AC, e não a DC.
A reta de carga AC pode ser obtida a partir do circuito equivalente mostrado na
Figura 2.12a, que é se obtido a partir do circuito geral mostrado na Figura 2.6 (considerando-
se somente o estágio emissor-comum), curto-circuitando os capacitores de passagem.

(a) (b)

Figura 2.12 – Circuitos para obtenção da reta de carga AC. a) Amplificador operando em
AC. b) Circuito simplificado.

A resistência RL representa a resistência de carga do circuito emissor-comum, e

corresponde à impedância de entrada do próximo estágio coletor-comum. Observa-se que
somente a parcela RE1 da resistência RE calculada em (2.50) é utilizada.
Na Figura 2.12b, aplicou-se o teorema de Thévenin ao lado esquerdo da base de
Q3 na Figura 2.12a, obtendo-se:

(2.63a)

(2.63b)

Por sua vez, a resistência rC é dada por:

32
 (2.64)

A partir da malha de saída na Figura 2.12b, se obtém que:

( ) (2.65)

onde foi considerado ie ≈ ic e RE1 << rC, conforme será confirmado adiante.
Além disso, considerando-se as parcelas DC e AC da corrente total de coletor, e
usando (2.65), têm-se:

(2.66)

Por sua vez, a tensão total entre coletor e emissor é:

(2.67)

a qual, substituída em (2.66), gera:

(2.68)

que corresponde a reta de carga AC.

A reta de carga AC corta os eixos nos pontos iC,max e vCE,corte, obtidos fazendo-se
vCE = 0 e iC = 0 em (2.68), respectivamente. Ou seja:

(2.69)

e
(2.70)

Admitindo-se que a impedância de entrada do estágio coletor-comum [RL, na

Figura 2.12a] seja muito elevada, pode-se aproximar rC = RC1//RL ≈ RC1, e assim,
substituindo-se os parâmetros conhecidos nas equações (2.69) e (2.70), tem-se:

33
 (2.71a)

(2.71b)

Observa-se que a reta de carga AC também passa pelo ponto Q, pois, se iC = ICQ
em (2.68), tem-se:

(2.72)

Na Figura 2.13, ilustra-se a reta de carga AC (bem como a reta DC). Como se
observa agora, o ponto Q está muito próximo do centro da reta de carga AC, permitindo-se
uma ótima compliance de saída, igual a 21Vpp, aproximadamente.

Figura 2.13 – Retas de carga AC e DC para o emissor-comum

O valor do resistor RE1 na Figura 2.8 é determinado a partir do ganho de tensão

desejado. Para este estágio de entrada, calcula-se o ganho de tensão a partir do modelo-T
equivalente, com fonte de corrente, de corrente controlada por corrente, conforme desenhado
na Figura 2.14.
34
 Figura 2.14 – Circuito equivalente usando modelo-T.

O valor da resistência de emissor é obtido por:

(2.73)

A tensão de entrada pode ser determinada a partir de:

( ) (2.74)

enquanto que a tensão de saída é:

( ) (2.75)

Portanto, o ganho de tensão em vazio, medido em relação à saída do gerador de

sinais é:

(2.76)

35
 Neste projeto, deseja-se que o pré-amplificador tenha ganho de -100V/V, e assim,
determina-se RE1 a partir de (2.76) como:

( )
( ) (2.77)

e daí:

( )

A partir daí, calcula-se o valor da resistência RE2, como:

(2.78)

Como foi visto na seção anterior, e antes de encerrar, calculam-se agora as

resistências de entrada (Ri1) e de saída (Ro1) do estágio emissor-comum. Neste tipo de estágio,
a resistência de entrada não depende da carga, e, a resistência de saída não depende da
resistência interna do gerador de sinais (Malvino, A.P., 1997). Seus valores são facilmente
determinados a partir do circuito mostrado na Figura 2.14, e valem (Malvino, A.P., 1997):

( )( ) (2.79)

( )( )

enquanto que:

(2.80)

Conforme já era esperado para este tipo de configuração, Ri1 e Ro1 são elevados.
Em particular, o valor elevado de Ro1 sugere a necessidade de utilização de um estágio
coletor-comum antes do estágio de potência.

36
 Na sequência, projeta-se o estágio em coletor-comum, baseado no ajuste do seu
ponto de operação quiescente de modo a se maximizar a compliance de saída. Na Figura 2.15,
ilustra-se o circuito DC desse amplificador.

Figura 2.15 – Circuito para análise DC do coletor-comum.

Neste caso, usa-se a seguinte regra prática:

(2.81)

Um valor razoável pata ICQ ≈ IEQ, tal que a resistência de entrada de emissor (re4)
resulte pequena, é ICQ = 5mA. Desta forma, (2.81) conduz à VCB = 30/3 = 10V, VB = 2x30/3 =
20V e IDT = 5m/50 = 100µA. Como β = 500 para o transistor BC547, então, IBQ = ICQ/β =
5m/500 = 10µA << IDT.
Os resistores R12 e R22 são determinados por:

(2.82a)

(2.82b)

37
 A tensão no emissor é obtida por:

(2.83)

e daí, calcula-se a tensão entre coletor e emissor:

(2.84)

Por fim, determina-se o valor de RE3:

(2.85)

A reta de carga DC é obtida a partir da malha de saída na Figura 2.15:

(2.86)

a qual conduz a VCE,corte = VCC = 30V e IC,max = VCC/RE3 = 30/3,86k = 7,77mA. Esta reta de
carga DC está desenhada na Figura 2.16, juntamente com o ponto Q = (VCEQ, ICQ).

Figura 2.16 – Retas de carga AC e DC para coletor-comum.

38
 Por outro lado, a reta de carga AC, é obtida a partir do circuito desenhado na
Figura 2.17, sendo RL a impedância de entrada do próximo estágio, e RS a resistência de saída
do estágio emissor comum anterior.

(a) (b)

Figura 2.17 – Circuitos para obtenção da reta de carga AC. a) Circuito operando em AC. b)
Circuito simplificado.

Define-se rE na Figura 2.17 como rE = RE3//RL. Além disso, rTH = R12//R22//RS e

vTH = (R12//R22)vS/(RS+R12//R22).
A partir da Figura 2.17b, tem-se:

(2.87)

Como vCE = VCEQ + vce, então, (2.87) conduz a:

( )
(2.88)

39
 Com isto, a corrente total no coletor será:

(2.89)

a qual corresponde à reta de carga AC.

Assim, para se desenhar a reta de carga AC, é necessário se calcular o valor de rE
= RE3//RL. Neste caso, RL corresponde à resistência de entrada do estágio de potência, (2.40),
ou seja, RL = Ri3 = 1,56kΩ, e assim rE = 3,86//1,56k = 1,11kΩ.
A partir daí, calculam-se (aproximando-se α = 1):

e:

A reta de carga AC também está desenhada na Figura 2.16, donde se conclui que
a compliance de saída será de aproximadamente 16,25Vpp.
No caso do amplificador coletor-comum, a resistência de entrada depende da
carga acoplada em sua saída, e, a impedância de entrada depende da resistência de saída do
estágio que está ligado em sua entrada. No presente problema, dependendem da entrada do
estágio de potência e da resistência de saída do estágio emissor-comum, respectivamente.
Essas resistências podem ser calculadas usando-se o modelo-T equivalente para
pequenos sinais (Sedra, A.S., Smith, K.C., 2007) conforme o desenho da Figura 2.18.

40
 Figura 2.18 – Circuito equivalente usando modelo-T.

O cálculo da resistência de entrada Ri2 = vI/iI é simples, e encontrada em qualquer

livro, texto de eletrônica, resultando em (Malvino, A.P., 1997):

( )( ) (2.90)

sendo que:

(2.91)

Sendo assim, e lembrando-se que β = 500 e RL é dado por (2.40), ou seja, RL =

1,56kΩ, resulta:

( )( )

41
 Por outro lado, a resistência de saída é (Malvino, A.P., 1997):

[ ] (2.92)

sendo que RS corresponde a Ro1 dado em (2.80), ou seja, RS = 10k, assim:

[ ] (2.93)

Todos esses valores de resistência de entrada e de saída serão utilizados nas

próximas seções para o cálculo do ganho total do amplificador de áudio multi-estágios, bem
como, dos capacitores de acoplamento.

2.3 ANÁLISE DO SISTEMA ACOPLADO

Nas seções anteriores, determinou-se o valor das resistências de entrada e de saída

de cada estágio do amplificador de áudio. A partir desses valores, parte-se para analisar o
acoplamento entre os diversos estágios: emissor-comum, coletor-comum e estágio de saída.
Além disso, devem ser calculados os valores mínimos dos capacitores de passagem utilizados
nos circuitos.
Na Figura 2.19 apresenta-se o desenho dos estágios acoplados, usando o modelo
equivalente obtido a partir da resistência de entrada, ganho de tensão e impedância de saída
(Malvino, A.P., 1997). Também foram desenhadas as fontes de sinal (vS, RS) e a carga (RL).
Conforme estabelecido pela teoria (Malvino, A.P., 1997), todos os ganhos neste
modelo são ganhos em vazio. Como foi especificado no projeto, o estágio emissor-comum
tem ganho de tensão AV1 = -100V/V. Devido ao fato dos dois estágios seguintes serem
seguidores de emissor, tem-se AV2 = AV3 = 1V/V. Considera-se que o gerador de sinais
possua RS = 50Ω, e, que a carga seja RL = 8Ω.

42
 Figura 2.19 – Circuito equivalente multi-estágios do amplificador de áudio completo.

43
 Supondo-se, em princípio, que todos os capacitores foram bem projetados, eles se
comportem como curto-circuito dentro da banda de frequência de operação do amplificador
de áudio. Desta forma, aplicando-se a regra do divisor de tensão a cada estágio da Figura
2.19, iniciando-se pelo circuito de carga, tem-se:

(2.94)

Desta forma, o ganho total da estrutura, para um sinal de entrada vI = v1 será:

(2.95)

( )( )( )

Curiosamente, observa-se que o ganho final da estrutura é bem inferior ao ganho

de -100V/V original. Isto ocorre porque, no estágio de saída, optou-se por se produzir uma
resistência de saída Ro3 próxima à resistência de carga, igual à RL = 8Ω. Com isto, ter-se-á
uma ótima transferência de potência para a carga, porém, o ganho de tensão se reduz em 50%.
Por isso, desejou-se um ganho elevado na pré-amplificação, já se prevendo que haveria esta
queda de ganho no estágio de saída, mas mantendo-se a condição para a máxima transferência
de potência.
Com isto, então, a compliance de saída prevista na saída do estágio coletor-
comum, igual a 16,25Vpp, deve cair mais de 50%, ou seja, ser inferior a 8Vpp,
aproximadamente.

44
 Na sequência, procede-se ao cálculo dos capacitores de passagem, C1 a C4 na
Figura 2.19. Cada um dos quatro estágios nesta figura são redes em atraso, semelhantes entre
si. Seguindo a regra prática para o cálculo de capacitores de passagem sugerido (Malvino,
A.P., 1997) tem, por exemplo:

(2.95)
( )

onde fmin é a menor frequência de operação do circuito. No caso deste trabalho, adotou-se fmin
= 100Hz. Com isto, usando-se os parâmetros do circuito, tem-se:

( )

Procedendo-se de maneira similar, calculam-se:

( ) ( )

( ) ( )

( ) ( )

Resta agora projetar o capacitor de desacoplamento de emissor do estágio

emissor-comum mostrado na Figura 2.8, ou seja, o capacitor CE. Embora não seja difícil se
deduzir uma expressão para o cálculo deste capacitor, trata-se de um procedimento
amplamente discutido em livros didáticos (Malvino, A.P., 1997), e assim, apresenta-se
somente sua fórmula:

(2.96)
[ ( )]

45
e assim, calcula-se:

[ ( )]

2.4 CIRCUITO FINAL E SIMULAÇÕES

Nesta seção, aproximam-se os valores dos parâmetros calculados pelos valores de

componentes comerciais disponíveis. Na Tabela 2.1, apresenta-se a relação destes
componentes.

Tabela 2.1 – Valores comerciais adotados.

Valor calculado Valor comercial Tolerância Potência

R11 200kΩ 200kΩ
R21 100kΩ 100kΩ
RC1 10kΩ 10kΩ
RE1 73,1Ω 100Ω
RE2 9,23kΩ 9,1kΩ
R12 100kΩ 100kΩ ±5% 1/8W
R22 200kΩ 200kΩ
RE 3,86kΩ 3,9kΩ
R1 4,7kΩ 4,7kΩ
R2 4,7kΩ 4,7kΩ
RL 8Ω 8Ω
C1 ≥1µF 1µF
C2 ≥0.23µF 1µF
C3 ≥10µF 10µF ±10% -
C4 ≥984,3µF 1mF
CE ≥162µF 1mF

Na Figura 2.20, ilustra-se o circuito completo, a ser montado e testado no capítulo

4. Porém, antes de se partir para a bancada, é conveniente executar a simulação do circuito

46
usando um software de reconhecida exatidão como, por exemplo, o PSpice. Na Figura 2.21
apresenta-se o diagrama esquemático gerado no ambiente de projeto do PSpice. Os valores de
tensão DC obtidos são compatíveis com os previstos no projeto.
Outra simulação executada foi a medição do ganho de tensão. Adotou-se como
sinal de entrada uma tensão senoidal com 50mV de amplitude, e 1kHz de frequência. A saída
obtida foi de 2,8V de amplitude, o que conduz a um ganho igual a -56V\V, superior ao que
fora previsto (igual a -41,8V\V). A Figura 2.22 ilustra este resultado.
A simulação final, corresponde a resposta em frequência do amplificador, para
frequências entre 1Hz e 100MHz. Na Figura 2.23, registra-se o resultado obtido, indicando
uma largura de banda de -3dB entre 15Hz e 6MHz, bem melhor do que o esperado (sinais de
áudio estão compreendidos entre 20Hz e 20kHz).

47
 Figura 2.20 – Amplificador de áudio transistorizado completo.

48
 Figura 2.21 – Esquemático do circuito simulado no PSpice.

49
 Figura 2.22 – Sinais de entrada (50mVP) e saída (2,85VP) obtidos no PSpice, para frequência de 1kHz.

50
 Figura 2.23 – Resposta em frequência do amplificador de áudio.

51
CAPÍTULO 3
AMPLIFICADORES DE ÁUDIO INTEGRADOS

Atualmente, existe disponível no mercado, uma grande variedade de

amplificadores de potência integrados em CIs. Estes circuitos integrados constituem os
componentes básicos de qualquer sistema reprodutor de áudio, e são muito populares devido à
suas vantagens, tais como, simplicidade de montagem, utilização de poucos componentes
periféricos, pequenas dimensões, grande faixa de saída de potência, poli funcionalidades,
entre outras. Segundo (Sedra, A.S., Smith, K.C., 2007), a grande maioria consiste em um
amplificador de alto ganho para pequenos sinais seguido por um estágio de saída classe-AB.
A seguir, serão descritos neste capítulo, os amplificadores de potências integrados
estudados neste trabalho. Porém, antes de apresentar os circuitos integrados amplificadores de
áudio, é interessante ressaltar que estes CIs se baseiam nos amplificadores projetados somente
com componentes discretos (transistores) discutidos no capítulo 2. Os circuitos de áudio
integrados atuais agregam, em um só encapsulamento, todo o circuito principal de
amplificação, incluindo ainda proteções contra aumento excessivo de temperatura e correntes
de curto-circuito. Desta forma, tem-se em mãos, um dispositivo compacto e de alto grau de
integração de componentes, tornando-o de simples utilização, pois minimiza desta maneira, a
quantidade excessiva de componentes periféricos.

3.1 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO TRANSISTORIZADO

O amplificador de áudio transistorizado cujo projeto foi demonstrado no capítulo

2 foi também estudado na prática. O esquemático do circuito é mostrado nas Figuras 2.20 e
2.21, foi montado em protoboard conforme apresentado na Figura 3.1. Durante a montagem,
cuidados extras foram tomados para o correto funcionamento do circuito segundo o projeto.
Uma das funções dos diodos D1 e D2 é a de evitar o fenômeno da corrida térmica e, para tanto,
devem possuir tensão de limiar Vγ similar à VBE, e devem também ser posicionados bem
próximos aos transistores Q3 e Q4, pois desta maneira serão afetados pela mesma variação de
temperatura. Outro aspecto analisado, ainda no estágio de potência, foi a necessidade do uso
de dissipadores nos transistores Q3 e Q4, sem os quais o fenômeno da corrida térmica ainda
52
era observado. Como se observa na Figura 3.1, foram montados 2 grupos amplificadores de
áudio, para se reproduzir sons estereofônicos. Os resultados serão apresentados no capítulo
seguinte.

Figura 3.1 – Circuito amplificador transistorizado montado em protoboarb.

3.2 O CIRCUITO INTEGRADO LM380

O circuito integrado LM380 (CATÁLOGO do circuito integrado LM380) é um

amplificador de potência de áudio voltado para aplicações para consumidores. Contém um
ganho fixo interno de 50 (34dB) e uma saída a qual se centra automaticamente à metade da
tensão de alimentação. O estágio de entrada permite que as entradas possam ser referidas à
terra ou em acoplamento AC, conforme o requerido pelo projeto. O estágio de saída do
LM380 é protegido tanto por um limitador de corrente de curto-circuito, como por um circuito
de desligamento térmico. Tudo isso internamente ao CI oferece vantagens que resultam na
mínima utilização de componentes externos para aplicações de áudio. Este CI está disponível
no mercado de duas formas: LM380N-8 e LM380N, sendo que as duas modalidades foram
estudadas e serão apresentadas a seguir.
No livro de Sedra & Smith, 2007, o CI LM380 é discutido sucintamente em
termos de ganho de tensão. Na Figura 3.2 encontra-se o circuito integrado interno
simplificado deste CI.

53
 Figura 3.2 – Circuito interno simplificado do LM380.

Neste circuito, o pré-amplificador de entrada é dado por Q3 e Q4 na forma de

amplificador diferencial (com transistores PNP). Os transistores Q1 e Q2 atuam como
seguidores de tensão, reforçando o sinal de entrada, bem como, aumentando a impedância de
entrada do CI. Os resistores R4 e R5 fornecem um caminho DC, para as correntes de base de
Q1 e Q2, para terra, permitindo que as fontes de sinal, Iin- e Iin+ na entrada, sejam acopladas
capacitivamente aos terminais de entrada. A função do resistor R3 ficará clara mais adiante.
O amplificador diferencial (Q3, Q4) tem uma carga ativa (Q5, Q6) na forma de
espelho de corrente. Sua função é proporcionar um elevado ganho de tensão ao amplificador
diferencial.
O sinal de tensão unipolar, no coletor de Q4 (ou de Q6) é aplicado à base do
amplificador em emissor comum Q12. Este é um amplificador inversor cujo ganho de tensão
será designado -A. Os transistores (Q10, Q11) atuam como fonte de corrente (espelho) para
polarizar Q12, e também atuam como carga ativa para este amplificador emissor-comum. Com
isso, o valor de A também deve ser elevado.

54
 Um estágio de saída classe-AB é constituído pelos transistores Q7, e, (Q8, Q9) (em
configuração Darlington). Os diodos D1 e D2 proporcional imunidade ao problema de
crossover, e, os pequenos resistores R6 e R7 auxiliam a tornar o par Q7 e (Q8, Q9) a se
comportar como transistores complementares. Isto também proporciona uma útil
realimentação, reduzindo-se o problema da corrida térmica.
O capacitor C entre o coletor e a base de Q12 provê a compensação em frequência,
de forma que a resposta em frequência do sistema em malha-aberta tenha declividade de
-20dB/década ao longo da sua banda de passagem (exceto para frequências próximas à DC).
O resistor de realimentação negativa R2 proporcionará um ganho estável na saída do CI, como
ocorre no caso dos amplificadores operacionais (Sedra, A.S., Smith, K.C., 2007).
A análise DC do sistema é realizada abrindo-se todos os capacitores no circuito.
Devido à simetria do circuito de entrada formado por Q1, Q2, Q3, Q4, R4 e R5, ocorre uma
igualdade I3 = I4 nas correntes de emissor do par diferencial (Q3, Q4), tornando nula a corrente
no resistor R3, ou seja, IR3 = 0. Por consequência, o mesmo ocorre para as correntes de coletor
de (Q3, Q4), as quais podem ser aproximadas por I3 = I4. Isto também satisfaz a operação do
espelho (Q5, Q6).
Como a corrente de base de Q1, IB1, é pequena, bem como a resistência R4, então,
pode-se aproximar R4IB1 ≈ 0. Sendo I3 a corrente de emissor de Q3, tem-se:

(3.1)

De forma semelhante, R5IB2 ≈ 0 e:

(3.2)

Como se observa, em DC R1 = 2R2 = 50Ω, e, como I3 = I4, conclui-se de (3.1) e

(3.2) que:

Portanto, o ponto de polarização quiescente na saída é VO = VS/2, o qual

proporciona uma compliance igual a VS volts de pico-a-pico.
55
 A realimentação DC da saída VO, para o emissor de Q4 através de R2, é tal que, se
VO tentar aumentar (por alguma razão), então, I4 aumenta (devido à (3.2)), VCE6 aumenta (por
efeito Early), VBE12 aumenta (por consequência), IC12 aumenta (devida à relação iC x vBE no
transistor), e daí, VCE11 aumenta (por efeito Early e porque as correntes de coletor de Q11 e
Q12 são aproximadamente iguais). Por conta disso, a tensão na base de Q7, VB7 = VS – VCE11
cai e, portanto, VO diminui, compensando a tentativa de aumento inicial. O mesmo se aplica
se VO tentar diminuir. Consequentemente, o ponto DC da tensão de saída (VO) permanece
bastante estável.
Na sequência, procede-se a análise AC, a fim de se determinar o ganho de tensão.
Para isto, conta-se com o auxílio da Figura 3.3 a seguir. Todos os capacitores de passagem
encontram-se curto-circuitados. A entrada (vi) é unipolar, aplicada à base do transistor Q1 (a
base de Q2 está aterrada). Os círculos contêm a numeração da sequência de análise:

Figura 3.3 – Circuito para análise AC.

56
(1) Admite-se que a tensão na base de Q3 seja igual a vi devido ao seguidor de
tensão Q1.
(2) Por motivo similar, a tensão no coletor de Q3 é vi.
(3) A base de Q2 está com 0V.
(4) A base de Q4 está com 0V, devido ao seguidor de tensão Q2.
(5) O coletor de Q4 está com 0V (terra) pois este se comporta como seguidor.
(6) A corrente em R3 é vi/R3.
(7) A corrente em R1/2 é vi/(R1/2) ≈ 0, pois R1/2 >> R3. Portanto, toda corrente
por Q3 segue para o resistor R3.
(8) A tensão AC de saída é vO.
(9) A corrente através de R2 é vO/R2.
(10) A soma das correntes por R2 e R3 resulta na corrente de Q4, igual a vi/R3 +
vO/R2.
(11) A corrente no coletor de Q3 é aproximadamente igual a sua corrente de
emissor, vi/R3 (que circula por R3).
(12) Desprezando-se a corrente de base de Q6, e, admitindo-se que Q5 se
comporte como diodo, a corrente neste ultimo é vi/3.
(13) Por espelhamento, a corrente no emissor de Q6 é vi/R3.
(14) Desprezando-se a corrente de base de Q6, aproxima-se sua corrente de
coletor por vi/R3.
(15) Admitindo-se que o ganho (-A) do estágio emissor comum seja muito
elevado, então, sua tensão de entrada é vO/(-A) ≈ 0V.
(16) Além disso, admitindo-se que sua impedância de entrada é muito grande,
sua corrente de entrada é aproximadamente nula. Por causa disso, no coletor
de Q6:

(3.3)

A partir daí, obtém-se uma aproximação para o ganho de tensão do CI:

57
3.2.1 O CIRCUITO INTEGRADO LM380N-8

O LM380N-8 é um CI fabricado pela National Semiconductor com

encapsulamento DIP-8 de 8 pinos, e sua pinagem é mostrada na Figura 3.4. O circuito
montado para o estudo foi extraído de (MIKE MARTELL), e seu esquemático é ilustrado na
Figura 3.5. Por fim, a Figura 3.6 mostra o circuito final montado na placa de circuito
impresso.

(a) (b)

Figura 3.4 – Circuito integrado LM380N-8. a) Encapsulamento DIP-8.

b) Pinagem do dispositivo

Figura 3.5 – Esquemático do circuito amplificador.

58
 Figura 3.6 – Placa de circuito impresso do circuito amplificador.

3.2.2 O CIRCUITO INTEGRADO LM380N

A outra versão do LM380N encontrada do mercado é um CI com encapsulamento

DIP-14 de 14 pinos, e sua pinagem é mostrada na Figura 3.7. Da mesma forma, o circuito
montado para o estudo foi extraído de (MIKE MARTELL), e seu esquemático é ilustrado na
Figura 3.8. Já a Figura 3.9 mostra o circuito final montado na placa de circuito impresso na
configuração estéreo, ou seja, dois canais de áudio, o que significa dois circuitos como
mostrados na figura 3.8 funcionando em paralelo.

(a) (b)

Figura 3.7 – Circuito integrado LM380N. a) Encapsulamento DIP-14.

b) Pinagem do dispositivo.
59
 Figura 3.8 – Esquemático do circuito amplificador.

Figura 3.9 – Placa de circuito impresso do circuito amplificador.

3.3 O CIRCUITO INTEGRADO LM3886

O circuito integrado LM3886, é um amplificador de potência de áudio de alto

desempenho da National Semiconductor capaz de fornecer uma potência média de 68W à
uma carga de 4Ω, e 38W à uma carga de 8Ω, com uma taxa de distorção harmônica de 0,1%.
Este CI conta com um circuito de proteção contra picos instantâneos de temperatura, o que o
coloca em uma classe acima dos amplificadores discretos e híbridos, provendo uma operação
segura e dinamicamente protegida. Isto significa que o CI é completamente protegido na saída
60
contra sobretensões, subtensões, sobrecarga, corrida térmica e picos instantâneos de
temperatura. Este dispositivo mantém uma excelente taxa de sinal-ruído, maior de 92dB, com
um típico patamar de baixo ruído de 2µV, e é conhecido por sua excelente linearidade.
Fabricado em um encapsulamento TA11B de 11 pinos, o LM3886 é ilustrado na
Figura 3.10. Assim, diferentemente do estudo dos CIs anteriores, seguiu-se a sugestão do
fabricante (CATÁLOGO do circuito integrado LM3886) para a montagem do circuito. Seu
esquemático é apresentado na Figura 3.11. Para seu funcionamento fez-se necessário uma
fonte de alimentação simétrica de ±24V, construída pelo autor com um trafo de tap central
±24V, seguido de uma ponte de diodos retificadora. Finalmente, é mostrada na Figura 3.12, a
placa de circuito impresso do circuito amplificador implementado.

(a) (b)

Figura 3.10 – Circuito integrado LM3886. a) Encapsulamento TA11B. b) Pinagem do

dispositivo.

61
 Figura 3.11 – Esquemático do circuito amplificador.

Figura 3.12 – Placa de circuito impresso do circuito amplificador.

3.4 O CIRCUITO INTEGRADO TDA2005

O circuito integrado TDA2005, é um amplificador de potência de áudio dual da

ST Microelectronics em um encapsulamento Multiwatt11 de 11 pinos, ilustrado na Figura
3.13, especificamente designado para aplicações de rádios para automóveis. Este dispositivo é
capaz de fornecer uma alta capacidade de corrente (acima de 3,5A) e pode ser usado com
62
cargas de muito baixa impedância (abaixo de 1,6Ω nas aplicações em estéreo) obtendo-se
uma potência de saída de mais de 20W (na configuração em ponte).
O circuito estudado com este CI foi o circuito na configuração de amplificador em
ponte, sugerido pelo fabricante (CATÁLOGO do circuito integrado TDA2005), e seu
esquemático é mostrado conforme a Figura 3.14.
Segundo (Sedra, A.S., Smith, K.C., 2007), na configuração de amplificador em
ponte utiliza-se de dois amplificadores de potência, A1 e A2. Enquanto A1 é conectado na
configuração não inversora, A2, por outro lado, é conectado na configuração inversora com
um ganho de igual valor ao ganho projetado em A1. A Carga RL fica flutuando (não é
aterrada) e é conectada entre os terminais de saída dos dois amplificadores. Supondo que os
amplificadores estejam sendo alimentados com uma alimentação de ± 15 V, são capazes,
desta forma, de fornecer algo em torno de ± 12 V de excursão na saída. Com isso, a carga terá
uma excursão de ± 24 V (na saída do amplificador em ponte). Por este motivo, esta
configuração é muito comum nas aplicações de alta potência.
O circuito em ponte montado pelo autor em placa de circuito impresso é mostrado
conforme a foto na Figura 3.15.

(a) (b)

Figura 3.13 – Circuito integrado TDA2005. a) Encapsulamento Multiwatt 11. b) Pinagem do

dispositivo.

63
 Figura 3.14 – Esquemático do circuito amplificador.

Figura 3.15 – Placa de circuito impresso do circuito amplificador em ponte.

64
3.4 O CIRCUITO INTEGRADO TDA7294

Finaliza-se o estudo de amplificadores de áudio com a montagem completa de um

amplificador utilizando o circuito integrado TDA7294 da ST Microelectronics. Este
dispositivo é um circuito integrado monolítico fabricado em um encapsulamento Multiwatt15
de 15 pinos, como mostrado na Figura 3.16.

(a) (b)

Figura 3.16 – Circuito integrado TDA7294. a) Encapsulamento Multiwatt15. b) Pinagem do

dispositivo.

É projetado para o uso como amplificador classe-AB em aplicações Hi-Fi, como

Home Stereo. Graças à sua ampla faixa de tensão (±40V), e sua capacidade de fornecer alta
corrente na saída, este CI está apto à alimentar a mais alta potência, tanto para uma carga de
4Ω quanto para uma carga de 8Ω, mesmo na presença de uma fonte de alimentação
pobremente regulada.
O TDA7294 é muito conhecido por hobbistas, e seus diversos projetos podem ser
encontrados por toda a Web. Porém, assim como o estudo dos CIs anteriores, a construção do
amplificador utilizando-se deste CI é baseada no seu respectivo datasheet, onde se podem
adquirir, de maneira mais confiável, informações a respeito deste dispositivo. Desta forma,
seguiu-se a sugestão dada pelo fabricante (CATÁLOGO do circuito integrado TDA7294) e
partiu-se para a descrição do circuito esquemático, ilustrado na Figura 3.17.

65
 Figura 3.17 – Esquemático do circuito amplificador.

Para o pleno e correto funcionamento deste circuito, faz-se necessário à utilização

de uma fonte de alimentação simétrica. O projeto desta fonte foi extraído de (TONI, 2009), e
utiliza-se de um transformador +24V - 24V, 3A, com tap central em 0V, que após a
retificação, através de uma ponte de diodos, e, da passagem pelo banco de capacitores de
controle de ripple, obtém-se na saída da fonte uma tensão simétrica de ±33V, conforme
mostrado na Figura 3.18.

Figura 3.18 – Fonte de alimentação simétrica ±33V.

66
 O produto final do amplificador de potência de áudio implementado pelo autor
deste relatório é apresentado conforme a foto na Figura 3.19.

Figura 3.19 – Amplificador de potência com TDA7294.

Todos os circuitos, placas, fontes e gabinetes foram adquiridos e montados pelo

autor com recursos próprios e testados nos laboratórios da FEIS, conforme se descreve no
próximo capítulo.

67
CAPÍTULO 4
RESULTADOS EXPERIMENTAIS

No capítulo anterior foram apresentados os circuitos amplificadores de áudio

estudados neste trabalho, assim como, uma breve introdução de suas características de
construção e funcionamento. Neste novo capítulo serão apresentados os resultados das
medições realizadas, como também, a validade destes perante o datasheet de cada CI. Esses
resultados levam em conta a análise do ganho, largura de banda e linearidade de cada
amplificador estudado.
Para os testes de bancada os instrumentos utilizados para a realização destes
experimentos foram: Osciloscópio digital, gerador de funções, fonte DC, cabos e pontas de
provas.

4.1 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO TRANSISTORIZADO

As Figuras 4.1 e 4.2 mostram, respectivamente, os resultados das medições de

varredura em frequência e de linearidade realizados em laboratório com o circuito
amplificador transistorizado da Figura 2.20 com uma carga de 8 ohms.

Figura 4.1 – Varredura em frequência do circuito amplificador transistorizado.

68
 Figura 4.2 – Teste de linearidade do circuito amplificador transistorizado.

Desta forma, pode-se montar um quadro comparativo como mostrado na Tabela

4.1.

Tabela 4.1 – Quadro comparativo dos valores medidos com os do fabricante.

Valor teórico Valor simulado Valor medido
Ganho (V/V) 41,8 56 40
Largura de banda (Hz) 100 – 100M 15 – 6M 40 – 180k

Como visto anteriormente, a simulação deste circuito amplificador resultou em

um ganho de 56V/V, bem melhor do esperado de 41,8V/V. Porém na prática este valor volta a
ser próximo do valor teórico, resultando em um ganho total de 40V/V, pois os componentes
não são ideais, apresentam perdas, além de possuírem uma margem de tolerância fazendo com
que o componente não tenha o valor exato, mas sim próximo à aquele especificado.
Com respeito à largura de banda, observa-se que na prática obteve-se uma faixa
de 40Hz – 180kHz. O valor de máximo é bastante inferior aos valores teóricos e simulados,
sendo que este “erro” de medição pode ser devido às capacitâncias dos cabos coaxias
presentes das pontas de prova do osciloscópio. Assim, a realização das medições com outras
pontas de prova podem levar a resultados diferentes. Este fenômeno será observado também
nos resultados dos amplificadores seguintes.
Para o bom funcionamento do circuito, foi constatado em bancada que os sinais de
entrada devem ser inferiores à 200mVpp, (ver Figura 4.2) para que não haja distorção na saída
69
do mesmo. Com isto, constata-se que a compliance de saída é (200mVpp x 40V/V = 8Vpp),
conforme havia sido previsto.

4.2 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM CIRCUITOS INTEGRADOS

Diferentemente dos amplificadores transistorizados descritos no capítulo 2, a

simulação dos circuitos amplificadores baseados em circuitos integrados, através de softwares
como PSpice, torna-se impossibilitada devido ao fato de que suas informações de projeto do
circuito interno não são divulgadas por seus respectivos fabricantes. Deste modo, analisam-se
os resultados obtidos de cada CI verificando e, desta forma, investiga-se se a prática atinge as
expectativas do datasheet.

4.2.1 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM LM380N-8

As Figuras 4.3 e 4.4 mostram respectivamente, os resultados das medições de

varredura em frequência e de linearidade realizados em laboratório com o circuito
amplificador utilizando o LM380N-8 com uma carga de 8 ohms.

Figura 4.3 – Varredura em frequência do circuito amplificador com LM380N-8.

70
 Figura 4.4 – Teste de linearidade do circuito amplificador com LM380N-8.

Desta forma, pode-se montar um quadro comparativo como mostrado na Tabela

4.2.

Tabela 4.2 – Quadro comparativo dos valores medidos com os do fabricante.

Valor datasheet Valor medido
Ganho (V/V) 40 - 60 50
Largura de banda (Hz) 100k 29,75k

Como foi observado na análise do amplificador transistorizado no capítulo 2, a

medição da largura de banda é novamente afetada pela capacitância da ponta de prova do
osciloscópio. O ganho então, que deveria cair de -3dB em 100kHz, acaba por cair antes na
frequência de 30kHz. Além disso, vale lembrar que este circuito foi baseado conforme (MIKE
MARTELL), e não segundo a sugestão do fabricante, o que leva a um funcionamento
diferenciado na operação do CI. Pode-se observar também que, ao contrário do que mostra o
datasheet, este CI não responde bem a baixas frequências, superando -3dB somente em
250Hz, totalizando em uma largura de banda de 29,75kHz.
Com respeito à linearidade deste amplificador é seguro dizer que pode ser
utilizado com sinais de entrada inferiores a 150mVpp com alimentação de 12V, para que se
tenha deste modo uma reprodução fiel e com o mínimo de distorção. Segundo o fabricante o

71
sinal de entrada poderá variar de ±500mVp com uma alimentação de 22V, o que ampliaria
assim a faixa de linearidade, aumentando desta forma a faixa de operação do amplificador.

4.2.2 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM LM380N

As Figuras 4.5 e 4.6 mostram, respectivamente, os resultados das medições de

varredura em frequência e de linearidade realizados em laboratório com o circuito
amplificador utilizando o LM380N com uma carga de 8 ohms.

Figura 4.5 – Varredura em frequência do circuito amplificador com LM380N.

72
 Figura 4.6 – Teste de linearidade do circuito amplificador com LM380N-8.

Desta forma, pode-se montar um quadro comparativo como mostrado na Tabela

4.3.

Tabela 4.3 – Quadro comparativo dos valores medidos com os do fabricante.

Valor datasheet Valor medido
Ganho (V/V) 40 - 60 50
Largura de banda (Hz) 100k 400k

Através da medição deste amplificador pode-se perceber que, apesar de

compartilhar do mesmo datasheet, este outro circuito mostra uma clara diferença de operação
do LM380N-8. Medindo-se as frequências com ganho de -3dB em 90Hz e em 400kHz,
devido à capacitância da ponta de prova do osciloscópio, tem-se no total uma largura de
banda de praticamente 400kHz.
Como, neste caso, o dispositivo foi alimentado com 5V, o sinal de entrada se
limita a 60mVpp para o funcionamento linear do amplificador, podendo chegar a ±500mVp se
sua alimentação chegar a 22V.

73
4.2.3 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM LM3886

As Figuras 4.7 e 4.8 mostram, respectivamente, os resultados das medições de

varredura em frequência e de linearidade realizados em laboratório com o circuito
amplificador utilizando o LM3886 com uma carga de 8 ohms.

Figura 4.7 – Varredura em frequência do circuito amplificador com LM3886.

Figura 4.8 – Teste de linearidade do circuito amplificador com LM3886.

74
 Desta forma, pode-se montar um quadro comparativo como mostrado na Tabela
4.4.

Tabela 4.4 – Quadro comparativo dos valores medidos com os do fabricante.

Valor datasheet Valor medido
Ganho (V/V) - 25
Largura de banda (Hz) 3 – 140k 200 – 160k

Analisando a resposta em frequência deste circuito conclui-se que sua largura de

banda é de aproximadamente 159,8kHz, apresentando desta forma uma faixa bem maior do
que a garantida pelo fabricante, superando assim as expectativas de funcionamento do CI.
Sua linearidade foi comprovada de forma bastante convincente, conforme o
observado na Figura 4.8, como o afirmado pelo fabricante. Assim, pode-se utilizar um sinal
de entrada de até 1,2Vpp, podendo inclusive, aumentar este valor com uma alimentação de
±35V.

4.2.4 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM TDA2005

As Figuras 4.9 e 4.10 mostram, respectivamente, os resultados das medições de

varredura em frequência e de linearidade realizados em laboratório com o circuito
amplificador utilizando o TDA2005 com uma carga de 8 ohms.

75
 Figura 4.9 – Varredura em frequência do circuito amplificador com TDA2005.

Figura 4.10 – Teste de linearidade do circuito amplificador com TDA2005.

Desta forma, pode-se montar um quadro comparativo como mostrado na Tabela

4.5.

Tabela 4.5 – Quadro comparativo dos valores medidos com os do fabricante.

Valor datasheet Valor medido
Ganho (dB) 50 30,88
Largura de banda (Hz) 40 – 20k 25 – 150k
76
 Observa-se então, que o amplificador com o TDA2005 responde melhor às baixas
frequências do que os circuitos que utilizam os LMs previamente analisados, atingindo -3dB
em 25Hz e em 150kHz, resultando em uma largura de banda de praticamente 150kHz. Tendo
em vista que este amplificador em ponte é projetado para uma carga de 4 ohms, e não de 8
ohms (que foi utilizado para todas as medições), a potência de saída projetada para 20W cai
pela metade, resultando em 10W apenas.
Quanto a linearidade, a Figura 4.10 revela que, para a fonte de alimentação de
12V utilizada, o valor do sinal de entrada deve ser inferior à 300mVpp para uma reprodução de
áudio com qualidade, podendo ser aumentada através do uso de uma fonte alimentação de
18V, a máxima tensão de alimentação suportada por este dispositivo.

4.2.5 AMPLIFICADOR DE ÁUDIO COM TDA7294

As Figuras 4.11 e 4.12 mostram, respectivamente, os resultados das medições de

varredura em frequência e de linearidade realizados em laboratório com o circuito
amplificador utilizando o TDA7294 com uma carga de 8 ohms.

Figura 4.11 – Varredura em frequência do circuito amplificador com TDA7294.

77
 Figura 4.12 – Teste de linearidade do circuito amplificador com TDA7294.

Desta forma, pode-se montar um quadro comparativo como mostrado na Tabela

4.6.

Tabela 4.6 – Quadro comparativo dos valores medidos com os do fabricante.

Valor datasheet Valor medido
Ganho (dB) 30 30,88
Largura de banda (Hz) 10 – 200k 35 – 200k

Finalmente, analisando o circuito amplificador com o TDA7294, constata-se que

o seu funcionamento atende a uma largura de banda de aproximadamente 200kHz, e assim,
como o circuito com o TDA2005 anterior, responde bem à baixas frequências.
A Figura 4.12 revela que este circuito possui também uma ótima linearidade,
assim como a vista no circuito com o LM3886, permitindo um sinal de entrada de 1,2Vpp.
Este pode aumentar com o uso de uma fonte simétrica de ±38V, como sugere o fabricante.

78
CAPÍTULO 5
CONCLUSÃO E SUGESTÃO PARA TRABALHOS FUTUROS

Foi visto que os amplificadores de áudio são circuitos projetados para amplificar
pequenos sinas provenientes de um tocador de música ou rádio, como o intuito de sensibilizar
um alto-falante de baixa impedância. Para isso, é necessário nestes circuitos, um estágio de
pré-amplificação e um estágio de potência. O circuito pré-amplificador é responsável por
fornecer um ganho de tensão ao sinal, enquanto que o circuito de saída fornece um ganho de
potência. É importante lembrar que os amplificadores são projetados para determinada carga,
não podendo esta, ser substituída por uma impedância de outro valor, pois desta forma a
máxima transferência de potência não será atingida, fazendo com que o amplificador perca
potência. A potência efetiva entregue à carga é calculada levando-se em conta a corrente que
circula através dela e o valor de sua impedância.
Neste trabalho, todos os amplificadores estudados atenderam bem à faixa de
frequência considerada como audível para o ouvido humano, que vai de 20Hz à 20kHz. Cada
um foi projetado para trabalhar em uma faixa limitada de sinal de entrada ou região de
operação, como foi visto analisando-se o aspecto da linearidade. Foi visto também que o
circuito com configuração em ponte, torna-se interessante, pois dobra a capacidade de
potência do amplificador: a carga flutua entre a saída dos dois amplificadores operacionais,
que funcionam simultaneamente, porém uma na configuração inversora e outro na não-
inversora.
O projeto final do amplificador utilizando o TDA7294 mostrou-se bastante
funcional e eficiente, apresentando uma taxa de ruído extremamente baixa e uma largura de
banda bastante ampla, pronto para seu uso em laboratório.
Para trabalhos futuros, sugere-se o estudo das distorções que a fonte de
alimentação pode trazer ao sinal de entrada, visto que atualmente muitos hobbistas utilizam de
trafos toroidais ao invés dos tradicionais EI, pois possuem um rendimento e eficiência
maiores. Também, o uso de fontes chaveadas, que apesar de não recomentado para aplicações
com áudio, está bastante presente em CD players de automóveis.
Além disso, sugere-se que as versões com melhor desempenho e que operam com
maiores tensões, como o amplificador com o TDA7294, sejam testadas para alimentar os
atuadores piezoelétricos no laboratório de optoeletrônica. A investigação de CI’s que operem

79
com tensões mais elevadas também são importantes, por exemplo o CI PA88 da Apex que
opera com ±200V (CAVASSO-FILHO el al. 1999).

80
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e teoria de circuitos, 8. ed.

Pearson - Prentice Hall, 2004, p. 672.

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<http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/L/M/3/8/LM380.shtml>. Acesso em: 14

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<http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/L/M/3/8/LM3886.shtml>. Acesso em: 16

Jan. 2010.

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<http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/T/D/A/2/TDA2005.shtml>. Acesso em: 19

Jan. 2010.

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<http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/T/D/A/7/TDA7294.shtml>. Acesso em: 23

Jan. 2010.

81
CAVASSO-FILHO, R.L.; VISCOVINI, R.C.; ARRUDA, M.P.; ONISTO, H.J.; CRUZ. F.C.

Amplificadores rápidos de alta tensão para controle de transdutores piezoelétricos, Revista

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MALVINO, A. P. Eletrônica, 4. ed. Pearson, v. 1, 1997.

MIKE MARTELL. Integrated Circuit Audio Amplifiers. Apresenta os esquemáticos dos

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SEDRA, A.S.; SMITH, K.C. Microeletrônica, 5. ed. Pearson - Prentice Hall, 2007, p. 848.

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topology optimization method. Journal of Intelligent Material Systems and Structures,

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TONI. Amplificador potência áudio com TDA7294. Apresenta sugestões para a confecção da

placa de circuito impresso do circuito amplificador usando o TDA7294 e da fonte de

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potencia-audio-com-tda7294-80w/#axzz1Op0bWNNz>. Acesso em: 27 Jan. 2010.

82