INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DA BAHIA

ENGENHARIA INDUSTRIAL ELÉTRICA – CAMPUS SALVADOR

ENG465 – DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS 2024.1
Lista de Exercícios – Introdução à Eletrônica
Questão 1
Um circuito digital inversor possui tensões de entrada e de saída, VA e VB respectivamente,
conforme apresentado na Figura 1. Considere V1 = 5 V e R1 = 100 Ω. Determine as tensões na
saída do circuito correspondentes aos níveis lógicos alto (VOH) e baixo (VOL) e também as potências
dissipadas nestas condições, PH e PL, respectivamente. Considere que a chave possui
comportamento não ideal, tanto quando fechada, quanto quando aberta. Na primeira situação ela
apresenta resistência não nula RON = 2 Ω, enquanto que na segunda situação apresenta resistência
finita ROFF = 1 MΩ.
Questão 2
Um circuito digital inversor possui tensões de entrada e de saída, VA e VB respectivamente,
conforme apresentado na Figura 2 e tensão de alimentação V1 = 5 V. O circuito possui duas chaves
controladas por tensão. Determine as tensões na saída correspondentes aos níveis lógicos alto (VOH)
e baixo (VOL) e também as potências dissipadas nestas condições, PH e PL, respectivamente.
Considere que ambas as chaves tenham comportamento não ideal quando fechadas, com resistência
RON = 2 Ω. Considere ainda que a chave inferior possui resistência finita quando aberta ROFF = 1
MΩ.

Questão 3
Repita a Questão 2, alternando apenas o comportamento das chaves, ou seja, ambas as chaves
possuem resistência RON = 2 Ω quando fechadas, porém a chave superior possui resistência finita
quando aberta ROFF = 1 MΩ.
Questão 4
Existem formas alternativas de se utilizar o mesmo transistor para amplificar um sinal. O circuito da
Figura 3 é uma delas, onde o transistor conecta a fonte de sinal ideal à resistência de carga.
Considerando os parâmetros apontados na figura, determine o ganho de tensão do circuito e a
potência dissipada na resistência de carga. O sinal de tensão é senoidal.

Questão 5
A Figura 4 apresenta outra forma de se amplificar um sinal de tensão. De forma similar ao que foi
feito na Questão 4, obtenha o ganho de tensão e a potência dissipada na resistência de carga.
Considere que a fonte de tensão fornece um sinal senoidal.

Questão 6
Substitua o circuito destacado em azul na Figura 5 pelo seu equivalente de Thevenin e, em seguida,
determine a potência dissipada na resistência de carga, assumindo que a fonte senoidal fornece um
sinal de tensão com amplitude pico-a-pico VSPP = 50 mV.
Questão 7
A concentração intrínseca de portadores do germânio é dada pela seguinte expressão:
ni = 1,66⋅1015⋅T 3/2⋅e−E /(2⋅k⋅T ) cm−3
g

Onde:
• T - temperatura da substância em kelvin.
• Eg = 0,66 eV - energia de bandgap da substância.
• k = 1,38·10-23 J/K - constante de Boltzmann.
A partir destas informações, determine:
a) A concentração íntrinseca do germânio em temperatura ambiente (T ≈ 27 oC).
b) As concentrações de elétrons e lacunas no germânio extrínseco em temperatura ambiente,
quando este é dopado com impurezas doadoras (Família 5A) com concentração
ND = 5·1016 cm-3.
Questão 8
Um corpo de silício do tipo n em temperatura ambiente está sujeito a um campo elétrico ⃗ E de
intensidade igual a 0,1 V/μm, direção horizontal e sentido da esquerda para a direita.
a) Determine a velocidade média de elétrons e de lacunas no material.
b) Assumindo que a concentração de lacunas no material é desprezível, determine a
concentração de elétrons correspondente a uma densidade de corrente elétrica ⃗ J de
2
intensidade igual a 1 mA/μm . Verifique se a consideração sobre a concentração de lacunas é
razoável.
Considere os seguintes parâmetros:
• μn = 1350 cm2/(V·s) - mobilidade elétrica do elétron no silício.
• μp = 480 cm2/(V·s) - mobilidade elétrica da lacuna no silício.
• ni = 1,08·1010 cm-3 - concentração intrínseca de elétrons no silício à temperatura ambiente.
Questão 9
Uma barra de silício do tipo n em formato cilíndrico com seção transversal de área A = 2500 nm2 e
comprimento apresentado na Figura 6 é submetida, entre seus extremos, a uma diferença de
potencial V1 = 1 V.
 a) Para uma concentração de dopantes ND igual a 1017 cm-3, determine a corrente elétrica que
percorre o material, considerando que este se encontra em temperatura ambiente.
b) Repita a letra (a), considerando que o material é composto por germânio dopado com a
mesma concentração de átomos doadores. Assuma que no germânio a mobilidade elétrica de
elétrons μn vale 3900 cm2/(V·s) e a mobilidade elétrica das lacunas μp vale 1900 cm2/(V·s).
Questão 10
Um paralelepípedo de silício dopado com impurezas aceitadoras (Família 3A) com concentração
NA = 1015 cm-3 possui as dimensões apresentadas na Figura 7. Determine a resistência elétrica do
material.

Questão 11
Um material de silício do tipo p, com seção transversal de área A = 1 μm2, apresenta o perfil de
concentração de portadores apresentado na Figura 8. Dadas as contantes de difusão de elétrons, Dn,
e de lacunas, Dp, iguais a 34 cm2/s e 12 cm2/s, respectivamente, determine o que se pede a seguir.
a) A corrente elétrica que percorre o dispositivo.
b) A quantidade de elétrons livres e de lacunas que o material possui em um dado instante de
tempo.