Capítulo 3

Transistores
bipolares de junção

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 Construção do transistor

• Há dois tipos de transistores:

pnp e npn

• Os terminais são rotulados:

E - Emissor
B - Base
C - Coletor

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 Operação do transistor

• Com as fontes externas, VEE e VCC, conectadas conforme demonstrado:

• A junção do emissor-base é
polarizada diretamente.

• A junção do emissor base é

polarizada reversamente.

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 Correntes em um
transistor
Uma corrente de emissor é a soma das
correntes de coletor e de base:

I I I
E C B

A corrente de coletor abrange duas

correntes:

I I I
C C (majoritário) CO (minoritário)

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 Configuração base-comum

• A base é comum tanto à junção de entrada (base-emissor) quanto à

junção de saída (base-coletora) do transistor.
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 Amplificador base-comum

• Características de entrada

o Esta curva mostra a relação

entre a corrente de entrada (IE) e a
tensão de entrada (VBE) em três
níveis de tensão de saída (VCB).

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 Amplificador em base-
comum
Características de
saída
Este gráfico mostra a
corrente de saída (IC) de
uma tensão de saída
(VCB) em vários níveis
de corrente de entrada
(IE).

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 Regiões de operação

• Ativa
o Faixa de operação do amplificador.

• De corte
o O amplificador está basicamente desligado. Há tensão, mas pouca
corrente.

•De saturação
o O amplificador está totalmente ligado. Há corrente, mas pouca
tensão.

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 Aproximações

• Correntes de emissor e de coletor:

IC  IE

• Tensão base-emissor:

VBE  0,7 V (para silício)

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 Alfa ()

Alfa () é a razão de IC para IE :

IC
α dc 
IE

Idealmente: =1
Realidade:  fica algo entre 0,9 e 0,998

Alfa () no modo CA:

ΔIC
α ac 
ΔI E

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 Amplificador de transistor

V 200 mV
I E  Ii  i   10 mA
Correntes e Ri 20Ω Ganho de tensão:
tensões: I
C
I
E
I  I  10 mA
VL 50 V
L i Av    250
Vi 200 mV
V  I R  (10 mA )(5 kΩ )  50 V
L L
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 Configuração emissor-
comum

O emissor é comum aos circuitos

de entrada (base-emissor) e de
saída (coletor-emssor).

A entrada é aplicada à base e a

saída é retirada do coletor.

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 Características emissor-
comum

Características de coletor Características de base

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 Correntes de amplificador
emissor-comum
Correntes ideais I E = IC + I B IC =  I E

Correntes reais IC =  IE + ICBO Onde ICBO = corrente de

coletor minoritário

ICBO é geralmente tão pequena que pode ser ignorada, exceto em

transistores de alta potência e em ambientes de alta temperatura.

Quando IB = 0 A, está em corte, mas há uma ICBO

ICEO  I B 0 μA
1 α
corrente minoritária correndo chamada ICEO.
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 Beta ()

 representa o fator de amplificação do resistor.

No modo CC: IC
βdc 
IB

IC
No modo CA:  ac  VCE  constante
IB

Às vezes refere-se ao CA como hfe, um termo usado nos cálculos do

desenvolvimento de transistores
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 Beta ()

Determininando-se  a partir de um gráfico

( 3,2 mA  2,2 mA)

β AC 
( 30 A  20 A)
1 mA
 V 7,5 V
10 A CE
 100

2,7 mA
β DC  VCE  7 , 5 V
25 A
 108

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 Beta ()

A relação entre os fatores de amplificação  e  são:

β α
α β
β 1 α 1

Relação entre correntes:

IC  βI B IE  (β  1)IB

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 Configuração coletor-
comum
• A entrada fica na base e a saída fica no emissor.

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 Configuração coletor-
comum
• As características são similares às do amplificador emissor-comum,
exceto pelo fato que o eixo vertical é IE.

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 Limites de operação

• A VCE é máxima e a IC é
mínima na região de corte.
I C ( máx )  I CEO

• A IC é máxima e a VCE é
mínima na região de saturação.

VCE ( máx )  VCE ( sat )  VCEO

• O transistor opera na região ativa entre a região de saturação e a

região de corte.
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 Dissipação de potência

• Base-comum:
PCmáx  VCB I C

• Emissor-comum:

PCmáx  VCE I C

• Coletor-comum:
PCmáx  VCE I E

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 Folha de dados do transistor

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 Folha de dados do transistor

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 Folha de dados do transistor

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 Teste de transistores

• Traçador de curvas Fornece um gráfico de curvas características.

• Medidores digitais - Alguns medidores digitais medem DC ou hFE.

• Ohmímetro:

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 Identificação de um
terminal de transistor

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