Você está na página 1de 56

Eletrônica Analógica I

Chapter 1

Semiconductor Diodes
Fonte: Slides do Capítulo 1 - Diodos
semicondutores Boylestad e Nashelsky.
Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos.
Pearson.

Disponível em: https://loja.grupoa.com.br/dispositivos-eletronicos-e-teoria-dos-


circuitos9788564574212-p1004830

slide 1 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.


Materiais Semicondutores


Semicondutores

Classe especial de elementos.

Condutividade entre um bom condutor e isolante.


Semicondutores + usados:

Germânio (Ge)

Silício (Si)

Arseneto de Gálio (GaAs)

Importantes para o desenvolvimento de vários


dispositivos

Diodo (1939)

Transistor (1947)

slide 2 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.


Materiais Semicondutores
História


Germânio (Ge)


Início: uso quase exclusivo.


Relativamente fácil de encontrar


Processo fácil para obter níveis elevados de pureza.


Descobriu-se que diodos/transistores de Germânio
sofriam de baixos níveis de confiabilidade.


Sensibilidade à variações de temperatura.

slide 3 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.


Materiais Semicondutores
História


Silício (Si)


Cientistas: sabiam que o Si era menos afetado por
temperatura.


Processo de refinamento: ainda estava em
desenvolvimento.


1954: 1º transistor de silício.


Tecnologia de projeto melhorou com os anos.

slide 4 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.


Materiais Semicondutores
História


Arseneto de Gálio (GaAs)


Necessário elemento para melhorar a questão da
velocidade.


Início de 1970: 1º Transistor de GaAs.


Velocidade de operação superior ao transistor de Si.


Desvantagens:

Custo.

Contava com pouco apoio para o
desenvolvimento de pesquisa.
slide 5 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.
Materiais Semicondutores
Ligações Covalentes


Ligação de átomos

Reforçada pelo compartilhamento
de elétrons


Elétrons de Valência

Última camada (externa).
Material Elétrons Elétrons de
Valência
Silício 14 4

Germânio 32 4

Gálio 31 3

Arsênio 33 5
slide 6 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.
Materiais Semicondutores
Ligações Covalentes


Si e Germânio


Os 4 elétrons de
valência formam
um arranjo com
4 átomos adjacentes

slide 7 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.


Materiais dos tipos n e p

• As características elétricas do silício e do germânio são melhoradas


pela adição de materiais em um processo denominado dopagem.
• Há somente dois tipos de materiais semicondutores dopados:

tipo n tipo p

Materiais do tipo n contêm Materiais do tipo p contêm


excesso de elétrons na um excesso de lacuna na
banda de condução. banda de valências.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 8 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Material do tipo p

Dopagem


Com átomos com 3 elétrons
de valência.

Ex.: Boro.


Nº de elétrons insuficiente.

Espaço vazio: lacuna.

slide 9 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.


Material do tipo n

Dopagem


Com átomos com 5 elétrons
valência

Ex.: Antimônio.


4 ligações covalentes.

Elétron extra.

Livre para se mover.

slide 10 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.


Junções p-n

• Uma extremidade de um cristal de silício ou germânio pode ser


dopada como um material do tipo p e a outra extremidade como um
material do tipo n.

• O resultado é uma junção p-n


Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 11 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Junções p-n

slide 12 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.


Portadores majoritários
e minoritários

Portadores majoritários
Os portadores majoritários em materiais do tipo n são elétrons.
Os portadores majoritários em materiais do tipo p são lacunas.

Portadores minoritários
Os portadores minoritários em materiais do tipo n são lacunas.
Os portadores minoritários em materiais do tipo p são elétrons.
Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 13 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Junções p-n

• Na junção p-n, o excesso de elétrons na banda de condução no lado


do tipo n é atraído para as lacunas na banda de valência no lado do
tipo p.

• Os elétrons no material do tipo n migram ao longo da junção para o


material do tipo p (fluxo de elétrons).

• A migração de elétrons resulta em uma carga negativa no lado do


tipo p da junção e em uma carga positiva no lado do tipo n da junção.
Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 14 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Junções p-n

• O resultado é a formação de uma região de depleção em torno da


junção.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 15 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Diodos

• O diodo é um dispositivo de dois terminais.

• Idealmente, um diodo conduz somente em uma única direção.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 16 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Diodos

• O diodo é um dispositivo de dois terminais.

• Idealmente, um diodo conduz somente em uma única direção.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 17 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Símbolos de diodo

• A abreviação de ânodo é a letra A.

• A abreviação de cátodo é a letra K.


Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 18 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
slide 19 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.
Características do diodo

Região de condução Região de não condução

• A tensão ao longo do diodo é de 0 V • Toda a tensão fica ao longo do diodo


• A corrente é infinita • A corrente é de 0 A
• A corrente direta é definida pela • A resistência reversa é definida pela
fórmula RF = VF / IF fórmula RR = VR / IR
• O diodo se comporta como um curto • O diodo se comporta como aberto

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 20 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Condições de operação do
diodo
• Um diodo tem três condições de operação:

o Ausência de polarização.

o Polarização direta.

o Polarização reversa.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 21 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Condições de operação do
diodo

• Ausência de polarização

o Nenhuma tensão externa é aplicada: VD = 0 V.

o Não há corrente no diodo: ID = 0 A.

o Só uma modesta depleção.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 22 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Condições de operação do
diodo
• Polarização reversa
o Uma tensão externa é aplicada ao longo da junção p-n na
polaridade oposta dos materias do tipo p e n.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 23 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Condições de operação do
diodo
• Polarização reversa
o A tensão reversa faz com que a
área da região de depleção aumente.

o Os elétrons no material do tipo n


são atraídos para perto do terminal
positivo da fonte de tensão.

• As lacunas no material do tipo p são atraídos para perto do terminal


negativo da fonte de tensão.
Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 24 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Condições de operação do
diodo
• Polarização direta
o Uma tensão externa é aplicada ao longo da junção p-n na mesma
polaridade dos materiais do tipo p e n.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 25 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Condições de operação do
diodo
• Polarização direta
o A tensão direta faz com que
a área da região de depleção
diminua.
o Os elétrons e lacunas são
empurrados em direção à
junção p-n.

• Os elétrons e lacunas têm energia suficiente para cruzar a junção


p-n.
Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 26 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Curva característica do diodo

slide 27 © 2013 Pearson. Todos os direitos reservados.


Região Zener

• A região Zener fica na região de polarização reversa do diodo.

• Em um certo momento, a voltagem da polarização reversa é tão alta


que o diodo é rompido e a corrente reversa aumenta drasticamente.
• A tensão reversa máxima que não levará um diodo à região Zener é
denominada tensão de pico inversa ou tensão de pico reversa.

• A tensão que faz com que um diodo entre na região Zener de


operação é denominada tensão Zener (VZ).
Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 28 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Região Zener

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 29 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Tensão de polarização
direta
• O ponto no qual o diodo muda da condição de ausente de
polarização para a condição de com polarização direta ocorre quando
os elétrons e as lacunas fornecem energia suficiente para cruzar a
junção p-n. Essa energia vem da tensão externa aplicada ao longo do
diodo.
• A tensão de polarização direta necessária para um:
o Diodo de arseneto de gálio  1.2 V
o Diodo de silício 0.7 V
o Diodo de germânio  0.3 V

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 30 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Diodo Ideal x Diodo Prático

Diodo Ideal
• Semelhante a uma chave mecânica: controla a corrente entre os
terminais.
• Diferente de uma chave mecânica: a corrente flui em único
sentido.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 31 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Diodo Ideal x Diodo Prático

Diodo Ideal
• Chave Fechada

• Chave Aberta

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 32 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Diodo Ideal x Diodo Prático

Diodo Real
• Polarização direta:
resistência baixa.
• Polarização reversa:
equivalente a chave aberta.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 33 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Níveis de resistência

• Ponto de operação do diodo alterara sua resistência.


• Semicondutores reagem de modo diferente a correntes CC e CA.

• Há três tipos de resistência:


• Resistência CC (estática).
• Resistência CA (dinâmica).
• Resistência CA média.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 34 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CC (estática)
• Quanto maior a corrente que
passa através do diodo, menor o
nível de resistência CC.

•Para um tensão CC específica


aplicada (VD), o diodo tem uma
corrente específica (ID) e uma
resistência específica (RD).

VD
RD 
ID
Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 35 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CC (estática)

VD
RD 
ID

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 36 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CC (estática)

• Desenvolver as letras (b) e (c)

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 37 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CA (dinâmica)
• Se for aplicada uma entrada senoidal, em vez de uma CC.
• A entrada variável moverá o ponto de operação (Q).

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 38 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CA (dinâmica)

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 39 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CA (dinâmica)

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 40 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CA (dinâmica)

Desenvolver as letras (a) e (c)


Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 41 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CA (dinâmica)

• Na região de polarização direta:


26 mV
rd   rB
ID
• A resistência depende da quantidade de corrente (ID) no diodo.
• A tensão ao longo do diodo é razoavelmente constante (26 mV para
27C).
•rB varia de típico 0,1  para dispositivos de alta potência a 2  para
baixa potência, diodos de uso geral. Em alguns casos o rB pode ser
ignorado.
Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 42 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CA (dinâmica)

• Na região de polarização direta: 26 mV


rd   rB
ID

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 43 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CA (dinâmica)

• Em região de polarização reversa:

rd  

• A resistência é efetivamente infinita. O diodo se comporta como um aberto.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 44 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CA média
ΔVd
rav  pt. to pt.
ΔId

• A resistência CA pode ser


calculada utilizando-se a corrente
e a tensão marca dois pontos na
curva característica do diodo.
• Resistência determinada por
uma linha reta tracejada entre as
duas interseções estabelecidas
pelos valores máximo e mínimo
de tensão.
Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 45 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Resistência CA média

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 46 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Circuito equivalente
do diodo

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 47 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Circuito equivalente
simplificado do diodo

Maioria das aplicações:

rav é pequena

Pode ser desprezada

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 48 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Circuito equivalente
ideal

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 49 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Testador do diodo

• Muitos multímetros digitais têm uma


função de teste de diodo.
O diodo deve ser testado fora de circuito.

•Arseneto de gálio  1.2 V


• Diodo de silício  0.7 V
• Electronic
DiodoDevices
de germânio  0.3 V
and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 50 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Ohmímetro

• Um ohmímetro ajustado em um baixa escala de Ohms pode ser


utilizado para testar um diodo. O diodo deve ser testado fora do
circuito.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 51 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Outros tipos de diodos

• Há muitos tipos de diodo além do padrão, o diodo de junção p-n.


Três dos mais comuns são:

oDiodos Zener.
oDiodos emissores de luz.
oDiode arrays.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 52 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Diodo Zener
• Um diodo Zener é aquele desenvolvido para
operar de modo seguro em sua região Zener, ou
seja, polarizado em uma tensão Zener (VZ).

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 53 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Diodo Zener
• Comparação do Diodo Zener com diodos
tradiocionais e resistores.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 54 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Diodo emissor de luz (LED)

• Um LED emite luz quando está polarizado diretamente, o que pode


acontecer num espectro infravermelho ou visível.

• A tensão polarizada direta fica geralmente na faixa de 2 V a 3 V.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 55 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.
Diodo Arrays

• Múltiplos diodos podem ser embalados juntos em um circuito


integrado (CI).

• Está disponível no mercado uma


grande variedade de configurações
de diodo.

Electronic Devices and Circuit Theory © 2013 by Pearson Higher Education, Inc
Boylestad
slide 56 Upper Saddle River,
© 2013New JerseyTodos
Pearson. 07458os•direitos
All Rights Reserved
reservados.

Você também pode gostar