INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO MARANHÃO

PÓLO SÃO LUÍS – MONTE CASTELO

ELETRÔNICA BÁSICA
ESTRUTURA DA MATÉRIA
(Materiais semicondutores)

Nota de Aula 1

Prof. Ronaldo Mourão 1

 INTRODUÇÃO

Em torno de 1904 surgiu a válvula a díodo.

Bastante usada até os meados de 1980 .

Ainda são muito eficazes em equipamento de alta frequências.

Em torno de 1906 surgiu a válvula a tríodo.

Prof. Ronaldo Mourão 2

 INTRODUÇÃO
1 - Desvantagens das válvulas em relação aos dispositivos semicondutores
Tamanho grande, aquecimento excessivo, dissipação de alta energia, baixa vida
útil e pouco confiável.

2 - Em torno de 1920 houve um aprofundamento dos estudos da

química e da física dos semicondutores.

3 - Em torno de 1940 surgiu o diodo semicondutor.

4 - Logo após a invenção do diodo, surgiu o transistor semicondutor.

5 – Vantagens sobre as válvulas:

Tamanho reduzido, dissipação de energia baixa, bastante confiável e etc.
Prof. Ronaldo Mourão 3
 ESTRUTURA DA MATÉRIA

• CONDUTOR SEMICONDUTOR ISOLANTE

CONDUTOR – Qualquer material que sustenta um grande fluxo de carga através de seus
terminais (alta condutividade), ao se aplicar uma fonte de tensão de amplitude limitada.

ISOLANTE – É o material que oferece um nível muito baixo de condutividade, quando

submetido, a uma fonte de tensão.

SEMICONDUTOR – É, portanto, o material que tem um nível de condutividade, entre os

extremos de um isolante e de um condutor.

condutor semicondutor isolante

+ + +
- - -

miliamperímetro miliamperímetro miliamperímetro

Prof. Ronaldo Mourão 4

 ESTRUTURA DA MATÉRIA
Efeitos da Temperatura nos Materiais Condutores e Semicondutores

condutor condutor
Frio
Calor
+ +
- -

miliamperímetro miliamperímetro

semicondutor
semicondutor
Frio
Calor
+ +
- -

miliamperímetro
miliamperímetro
Obs: - Considera-se que os materiais semicondutores, como o Ge e o Si, que apresentam
uma redução da resistência com o aumento da temperatura. Possuem coeficiente de
temperatura negativo.
Prof. Ronaldo Mourão 5
Tabela Periódica

Si

Ge

Prof. Ronaldo Mourão 6 6

 Modelo atômico de Rutherford - Bohr
No modelo atômico de Rutherford, ele admite os elétrons gravitando em torno do
núcleo.

núcleo
eletrosfera
ou coroa elétron

Camadas e Órbitas dos Elétrons

Átomo de carbono
Camadas (Níveis de energia) K L M N O P Q

Número máx. elétrons 2 8 18 32 32 18 2

Elétrons de valência

Prof. Ronaldo Mourão 7

 Estrutura do Átomo
Átomo de silício (14 e)

Nêutrons
Núcleo
Prótons
Modelo de Bohr: O Átomo
Eletrosfera Elétrons

Prótons = +
Átomo de germânio (32 e)
Carga elétrica Elétrons = -
Nêutrons = 0

Prof. Ronaldo Mourão 8

 Estrutura do Átomo

As órbitas circulares são denominadas níveis de energia. E os elétrons que nelas se

localizam constituem uma camada eletrônica. São conhecidos sete níveis de energia
para o átomo.

K L M N O P Q
2 8 18 32 32 18 2

Prof. Ronaldo Mourão 9

 Níveis de Energia

Níveis de energia do átomo de silício em bandas

Energia

banda de condução
banda de proibida
banda de valência
banda de proibida
2 banda
banda de proibida
1 banda

Núcleo

Prof. Ronaldo Mourão 10

 Níveis de Energia

Energia Energia Energia

Região de condução

Região proibida Região de condução

Região de condução
Região proibida
Região proibida
Camada de valência Camada de valência Camada de valência

Materiais Isolantes. Materiais semicondutores Materiais Condutores.

Prof. Ronaldo Mourão 11

 Materiais Semicondutores

Ligação covalente:

É a ligação dos átomos, baseados no compartilhamento de elétrons.

Átomos de silício Si
Si

Si Si Si Si Si Si

Si Si

Ligação covalente para o átomos de silício.

Prof. Ronaldo Mourão 12

 Estrutura cristalina simples do Ge e Si.

Obs: A ligação covalente para o átomo de germânio é

idêntica à do silício, pois ambos apresentam quatro
elétrons na camada de valência.

Razões para a utilização do Germânio (Ge) e Silício (Si):

1 – Podem ser fabricados com alto nível de pureza ;

2 – Capacidade de alteração radical das características destes materiais
por meio do processo de dopagem;
3 – Suas características podem ser significantemente alteradas pela
aplicação de luz ou calor;
4 – Qualidade de suas estruturas atômicas.
Prof. Ronaldo Mourão 13
 Materiais Semicondutores
Intrínsecos
SEMICONDUTORES - Tipo N
Extrínsecos
Tipo P

• Semicondutores Intrínsecos – São semicondutores cuidadosamente refinados

para se obter a redução de impurezas a um nível muito baixo – São
basicamente, tão puros quanto permitir a tecnologia moderna.

• Semicondutores Extrínsecos – São semicondutores que foram submetidos

a um processo de dopagem.

• Dopagem – É o processo de adição de impurezas no material semicondutor

relativamente puro. Essas impurezas podem alterar suficientemente a
estrutura de banda para modificar por completo as propriedades elétricas do
material.

Prof. Ronaldo Mourão 14

 Efeitos da dopagem nos semicondutores
• Condutividades em materiais semicondutores intrínsecos (puro)
Silício puro Germânio puro
+ +
- -

Miliamperímetro Miliamperímetro
Resistencia alta Resistencia alta
Baixa corrente Baixa corrente

• Efeito dos níveis de dopagem nos materiais semicondutores extrínsecos (dopados)

Pouco dopado Muito dopado

Semicondutor Semicondutor
+ +
- -

Miliamperímetro Miliamperímetro
Resistencia alta Resistencia baixa
Prof. Ronaldo Mourão 15
 Materiais Semicondutores
1- Material Intrínseco
Si Si Si
Elétrons de valência

Ligação covalente do átomo de silício Si Si Si

Compartilhamento de elétrons
Si Si Si

Ge Ge Ge
Elétrons de valência

Ligação covalente do átomo de germânio Ge Ge Ge

Compartilhamento de elétrons
Ge Ge Ge

Prof. Ronaldo Mourão 16

 Geração do par: Elétron-Lacuna

Ligação
covalente
Elétron
livre
+4
Energia Elétron livre
Par:
elétron-lacuna
Banda de condução - -
B. proibida Aumento de +4
Banda de valência + - + temperatura

Lacuna

Prof. Ronaldo Mourão 17

 Geração do par: Elétron-Lacuna

Geração do par:
Si Si Si
elétron-lacuna
- -
-
Si Si Si
- Recombinação
Si - Si Si - de um elétron
com uma lacuna

Obs: Alguns elétrons se recombinam

com as lacunas enquanto outros vão
sendo gerados continuamente.

Prof. Ronaldo Mourão 18

 Corrente de elétrons no silício “puro”

- -
Si Si Si
- - - Ie

- Si
-
Si Si
-
+
Si Si Si
-
-

v
- +

Produzida pelo movimento de elétrons livres gerados termicamente.

Prof. Ronaldo Mourão 19

 Fluxo de elétrons versus Fluxo de lacunas

Si Si Si Si

- +
Si Si B Si

v
- +

Fluxo de elétrons sentido eletrônico da corrente elétrica

Fluxo de lacunas sentido convencional da corrente elétrica

Prof. Ronaldo Mourão 20

 Materiais Semicondutores
1- Materiais Extrínsecos
1.1 - Material Extrínseco tipo N
Quinto elétron de valência do fósforo

Impureza de fósforo no material tipo N

Elemento de impureza (fósforo)

As impurezas dispersas com cinco elétrons de valência são chamadas átomos doadores

Íons doadores (cátions)

Portadores majoritários tipo N

Portador minoritário

Exemplos de átomos doadores: Antimônio (Sb 51); Arsênio (As 33) e Fósforo (P 15).
Prof. Ronaldo Mourão 21
 Materiais Semicondutores

1.2 - Material Extrínseco tipo P

Material P é obtido num processo de dopagem dos semicondutores de silício (Si) ou de
germânio (Ge) com o elemento de impureza trivalente, como: Boro (B 5), Gálio (Ga 31) e Índio
(In 49).

Si Si Si
buraco ou lacuna

Impureza de boro no material tipo P Si B Si

Elemento de impureza de boro

Si Si Si

As impurezas dispersas com três elétrons de valência são chamadas átomos aceita
dores.

Prof. Ronaldo Mourão 22

REFERÊNCIAS

Título: Dispositivo Eletrônico e Teoria de Circuitos

Autores: Roberto Boylestad & Louis Nashelsky

Editora: Prentice-Hall do Brasil Ltda, RJ

Título: Eletrônica Básica

Autor: Marcos Antônio de Freitas

Editora: Editora do Livro Técnico, 2010

Prof. Ronaldo Mourão 23