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Instituto de

Educação Técnica

Diodos Retificadores
Eletricidade e Eletrónica

Mestre Eng. Luis M. Pires


lpires@inete.net
Ms.Eng. Luís M. Pires

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Conteúdo
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Educação Técnica

• Semicondutores.
• Junção P-N.
• Díodos.
• Díodos de Silício.

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Semicondutores (1/6)
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Educação Técnica

Dispositivos semicondutores
• A descoberta dos transístores e dos dispositivos
semicondutores teve um grande impacto
tecnológico para a sociedade últimos tempos.
• Após a invenção do transístor em Dezembro 1947
por John Bardeen, Walter Brattain e Willian
Shockley pequenos dispositivos semicondutores
substituíam as inconvenientes válvulas electrónicas.

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Semicondutores (2/6)
Instituto de

Dispositivos semicondutores
Educação Técnica

• Um único chip de silício pode conter até centenas


de componentes electrónicos na forma de um único
circuito integrado.

Prémio Nobel de Física de 1956)

• Actualmente existem chips de memória com 50


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milhões de transístores num centímetro quadrado.
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Semicondutores (3/6)
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Educação Técnica

Dispositivos semicondutores
• Vamos estudar alguns dispositivos semicondutores
importantes como:
– Junçao p-n.
– Díodos.
– Díodos zener.
– Díodo emissor de luz (LED).
– Fotodíodo.
– Transistor.

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Semicondutores (4/6)
Instituto de

Educação Técnica

Dopagem de semicondutores
• A introdução de uma pequena percentagem de
átomos estranhos na estrutura cristalina regular do
silício ou germânio provoca alterações nas suas
propriedades eléctricas, originando semicondutores
do tipo N ou P:

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Semicondutores (5/6)
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Dopagem de semicondutores
• 1. Átomos impurezas com 3 electrões de valência
(trivalentes), originam semicondutores do tipo P,
contribuindo com lacunas ou deficiência de
electrões.

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Semicondutores (6/6)
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Dopagem de semicondutores
• 2. Átomos impurezas com 5 electrões de valência
(pentavalentes), originam semicondutores do tipo
N, contribuindo com electrões extra.

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Junção P-N (1/6)
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• Quando se forma uma junção P-N, alguns dos


electrões livres da região N difundem-se na junção
e combinam-se com lacunas da região P, formando
iões negativos e deixando para trás iões positivos.

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Junção P-N (2/6)
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• Este processo forma uma região de carga espacial


denominada de depleção que inibe a difusão de
mais electrões.
• À d.d.p formada dá-se o nome de barreira de
potência, < 1 V.

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Junção P-N (3/6)
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Junção P-N directamente polarizada


• Numa junção P-N directamente polarizada,
com uma tensão VD maior que a barreira de
potencial, as lacunas de P e os electrões de N
são atraídos para a junção onde se combinam
originado uma corrente iD.

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Junção P-N (4/6)
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Junção P-N directamente polarizada


• Uma tensão positiva aplicada na direcção PN
auxilia os electrões a superar a barreira de
Coulomb da carga espacial na região de depleção;
Si: 0,6 a 1 V e Ge 0,2 a 0,4 V.

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Junção P-N (5/6)
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Junção P-N inversamente polarizada


• Numa junção P-N inversamente polarizada,
com uma tensão VD, circula uma corrente de
fugas (quase nula), devidas aos portadores
minoritários, uma vez que electrões de N e as
lacunas de P são repelidos da junção.

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Junção P-N (6/6)
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Junção P-N inversamente polarizada


• Uma tensão negativa aplicada na direcção PN
impede o fluxo de electrões através da junção,
inibindo a condução, a não ser uma corrente inversa
de saturação.

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Díodos (1/23)
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• Dispositivo de dois terminais


• Componente elementar não-linear utilizado em
circuitos muito variados.

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Díodos (2/23)
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• Aplicações: conversores de potência AC/DC –


rectificadores, processamento de sinais, circuitos
digitais, etc..
• Tipos: díodos de “galena” ( primitivos
receptores de rádio); díodos de vácuo (válvulas
de vácuo); díodos de junção (materiais
semicondutores: silício, germânio, etc..).

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Díodos (3/23)
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Díodos (4/23)
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Díodos (5/23)
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Díodos (6/23)
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• Díodo Ideal:
– Se aos terminais do díodo for aplicada uma
tensão negativa não flui corrente no díodo; o
díodo comporta-se como um circuito em aberto.

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Díodos (7/23)
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• Díodo Ideal:
– Se for “injectada” uma corrente positiva no díodo,
do ânodo para o cátodo, obtém-se uma queda de
tensão nula aos terminais do díodo; o díodo
comporta-se como um curto-circuito.

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Díodos (8/23)
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• Um díodo consiste num


dispositivo capaz de permitir a Vd  0 - circuito fechado
passagem de corrente num sentido Vd  0 - circuito aberto
e impedir no sentido oposto.
Símbolo do
díodo
Característica
do díodo Id
ânodo cátodo

+ Vd -
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Id corrente
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Díodos (9/23)
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• Díodo – Modelo Simplificado


Vd

1 / rd

Id 0,7V vD  0.7 V rD
• Devido ao carácter exponencial da característica do
Diodo Vd pode ser bem aproximado por 0.7V para um
grande gama de valores de Is e correntes.
Ms.Eng. Luís M. Pires • A resistência rd assume normalmente valores reduzidos
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Díodos (10/23)
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• Díodo:
– Ao ligar os terminais da junção à uma fonte e
formamos um díodo.
– O díodo é um componente electrónico
fundamental e que tem como característica mais
importante, permitir que a corrente eléctrica
circule apenas num sentido.

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Díodos (11/23)
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• Díodo:
A representação esquemática do díodo

Transforma tensão alternada em tensão contínua

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Díodos (12/23)
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• Díodo:

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Díodos (13/23)
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• Polarização de um Díodo
– Polarização zero (zero bias) – nenhuma tensão é
aplicada na junção.
– Polarização inversa (reverse bias) – é aplicada
uma tensão de modo a aumentar a resistência da
junção (aumenta a região de depleção).
– Polarização directa (forward bias) – é aplicada
uma tensão de modo a diminuir a resistência da
junção (diminui a região de depleção).
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Díodos (14/23)
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• Polarização de um Díodo

Polarização zero

A junção está no estado


de equilíbrio dinâmico

As duas correntes directa e inversa


são iguais e de sentido contrário

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Díodos (15/23)
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• Polarização de um Díodo
Polarização directa

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Díodos (16/23)
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• Polarização de um Díodo
V=0.3V para díodos de Ge e cerca de
V=0.6V para díodos de Si

O díodo pode conduzir uma corrente


“infinita”

Normalmente coloca-se uma


resistência em série com o
dispositivo para limitar o fluxo da
corrente

V= V0 - Vb é menos negativo
(sentidos opostos)

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Díodos (17/23)
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• Polarização de um Díodo
Polarização inversa

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Díodos (18/23)
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• Polarização de um Díodo
Praticamente a corrente não flui

Somente uma pequena corrente da


ordem do microampère, “leakage
current”(corrente de fuga), flui através da
junção

Para um aumento suficientemente


grande da tensão poderá haver o efeito
de avalanche – a corrente aumenta
significativamente.

V= V0 + Vb é mais negativo (ambos


de mesmo sentido)

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Díodos (19/23)
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• Curva Característica de um Díodo


– A curva característica de um díodo é um gráfico que
relaciona cada valor da tensão aplicada (Vext) com a
respectiva corrente eléctrica que atravessa o díodo.

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Díodos (20/23)
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• Curva Característica de um Díodo

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Díodos (21/23)
Instituto de

Educação Técnica

• Rectificador de meia onda

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Díodos (22/23)
Instituto de

Educação Técnica

• Rectificador de meia onda

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Díodos (23/23)
Instituto de

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• Rectificador de meia onda

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Díodo de Silício (1/23)
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Educação Técnica

• Estrutura Física
– O díodo de junção pn consiste na junção de dois
materiais, um semicondutor tipo p em contacto
com um semicondutor tipo n.
– Os semicondutores tipo p e n consistem num
substracto (silício puro) ao qual foram
adicionadas impurezas tipo p (elementos com
três electrões na última órbita) ou tipo n
(elementos com cinco electrões na última órbita).

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Díodo de Silício (2/23)
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• Estrutura Física

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Díodo de Silício (3/23)
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• Estrutura Física

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Díodo de Silício (4/23)
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• Estrutura Física

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Díodo de Silício (5/23)
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• Modelo do díodo aproximado com fonte de


tensão e resistência

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Díodo de Silício (6/23)
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• Modelo do díodo aproximado com fonte de


tensão constante

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Díodo de Silício (7/23)
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• Aplicações
– Portas lógicas.
– Rectificação e filtragem.
– Rectificadores de precisão com amplificadores.
– Limitadores série e paralelo.
– Fixadores de nível.
– Multiplicadores de tensão.
– Detectores de pico.

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Díodo de Silício (8/23)
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• Aplicações – Portas Lógicas

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Díodo de Silício (9/23)
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• Aplicações – Rectificação de meia onda


sem filtragem

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Díodo de Silício (10/23)
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Educação Técnica

• Aplicações – Rectificação de meia onda


com filtragem

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Díodo de Silício (11/23)
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• Aplicações – Limitador Serie

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Díodo de Silício (12/23)
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• Aplicações – Limitador Paralelo

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Díodo de Silício (13/23)
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• Aplicações – Limitador Paralelo com


Polarização

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Díodo de Silício (14/23)
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• Aplicações – Limitador Paralelo com


Dupla Polarização

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Díodo de Silício (15/23)
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• Aplicações – Fixadores de Nível Positivo

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Díodo de Silício (16/23)
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• Aplicações – Fixadores de Nível Negativo

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Díodo de Silício (17/23)
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• Aplicações – Detector de Pico

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Díodo de Silício (18/23)
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• Aplicações – Multiplicador de Tensão (duplicador
simétrico)

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Díodo de Silício (19/23)
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• Aplicações – Multiplicador de Tensão (duplicador de
meia-onda)

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Díodo de Silício (20/23)
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• Aplicações – Rectificador de Corrente


Re ctidicador de Corre nte

D1 15

10
V1

Amplitude
10V 100Hz 0Deg 5
R1
0
0 0,005 0,01 0,015 0,02
-5

-10

-15
te m po (s )

2 D2
V1 Rectificador de onda completa
10V 100Hz 0Deg
4 1
15
R1 10
Amplitude

1B4B42 5
3
0
-5 0 50 100 150 200 250

Ms.Eng. Luís M. Pires -10


Nota: a massa na saída não é igual á -15
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57 massa na entrada tempo (segundos)
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• Aplicações – Fonte Linear

R1 D1 R2

0.5ohm T1 C1 100ohm D3 R3
200uF 500ohm
311.13V 50Hz
V1
230 V rms Ajuste final num
26:1 programa de simulação
D2

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Díodo de Silício (22/23)
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• Aplicações – Fonte Comutada


R1 D1 J1

0.5ohm T1 C1 C2 R3
500ohm
311.13V 50Hz
V1
230 V rms
D2

Um exemplo muito simples de uma fonte comutada


(conversor AC/DC).

Sempre que o a tensão em C2 baixe dos 5V J1 liga e desliga


quando subir acima dos 5V. O interruptor liga e desliga com
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uma frequência elevada de forma a manter uma tensão
continua de 5V na saída.
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Díodo de Silício (23/23)
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• Aplicações – Circuitos Limitadores

V2
12V

Circuito de clamping Duplicador de tensão

2Vpp

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