Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Semicondutores Diodos
Semicondutores Diodos
Educação Técnica
Diodos Retificadores
Eletricidade e Eletrónica
lpires@inete.net
1
Conteúdo
Instituto de
Educação Técnica
• Semicondutores.
• Junção P-N.
• Díodos.
• Díodos de Silício.
lpires@inete.net
2
Semicondutores (1/6)
Instituto de
Educação Técnica
Dispositivos semicondutores
• A descoberta dos transístores e dos dispositivos
semicondutores teve um grande impacto
tecnológico para a sociedade últimos tempos.
• Após a invenção do transístor em Dezembro 1947
por John Bardeen, Walter Brattain e Willian
Shockley pequenos dispositivos semicondutores
substituíam as inconvenientes válvulas electrónicas.
lpires@inete.net
3
Semicondutores (2/6)
Instituto de
Dispositivos semicondutores
Educação Técnica
Educação Técnica
Dispositivos semicondutores
• Vamos estudar alguns dispositivos semicondutores
importantes como:
– Junçao p-n.
– Díodos.
– Díodos zener.
– Díodo emissor de luz (LED).
– Fotodíodo.
– Transistor.
lpires@inete.net
5
Semicondutores (4/6)
Instituto de
Educação Técnica
Dopagem de semicondutores
• A introdução de uma pequena percentagem de
átomos estranhos na estrutura cristalina regular do
silício ou germânio provoca alterações nas suas
propriedades eléctricas, originando semicondutores
do tipo N ou P:
lpires@inete.net
6
Semicondutores (5/6)
Instituto de
Educação Técnica
Dopagem de semicondutores
• 1. Átomos impurezas com 3 electrões de valência
(trivalentes), originam semicondutores do tipo P,
contribuindo com lacunas ou deficiência de
electrões.
lpires@inete.net
7
Semicondutores (6/6)
Instituto de
Educação Técnica
Dopagem de semicondutores
• 2. Átomos impurezas com 5 electrões de valência
(pentavalentes), originam semicondutores do tipo
N, contribuindo com electrões extra.
lpires@inete.net
8
Junção P-N (1/6)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
9
Junção P-N (2/6)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
10
Junção P-N (3/6)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
11
Junção P-N (4/6)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
12
Junção P-N (5/6)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
13
Junção P-N (6/6)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
14
Díodos (1/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
15
Díodos (2/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
16
Díodos (3/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
17
Díodos (4/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
18
Díodos (5/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
19
Díodos (6/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Díodo Ideal:
– Se aos terminais do díodo for aplicada uma
tensão negativa não flui corrente no díodo; o
díodo comporta-se como um circuito em aberto.
lpires@inete.net
20
Díodos (7/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Díodo Ideal:
– Se for “injectada” uma corrente positiva no díodo,
do ânodo para o cátodo, obtém-se uma queda de
tensão nula aos terminais do díodo; o díodo
comporta-se como um curto-circuito.
lpires@inete.net
21
Díodos (8/23)
Instituto de
Educação Técnica
+ Vd -
Ms.Eng. Luís M. Pires Vd
Id corrente
lpires@inete.net
22
Díodos (9/23)
Instituto de
Educação Técnica
1 / rd
Id 0,7V vD 0.7 V rD
• Devido ao carácter exponencial da característica do
Diodo Vd pode ser bem aproximado por 0.7V para um
grande gama de valores de Is e correntes.
Ms.Eng. Luís M. Pires • A resistência rd assume normalmente valores reduzidos
lpires@inete.net
23
Díodos (10/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Díodo:
– Ao ligar os terminais da junção à uma fonte e
formamos um díodo.
– O díodo é um componente electrónico
fundamental e que tem como característica mais
importante, permitir que a corrente eléctrica
circule apenas num sentido.
lpires@inete.net
24
Díodos (11/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Díodo:
A representação esquemática do díodo
lpires@inete.net
25
Díodos (12/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Díodo:
lpires@inete.net
26
Díodos (13/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Polarização de um Díodo
– Polarização zero (zero bias) – nenhuma tensão é
aplicada na junção.
– Polarização inversa (reverse bias) – é aplicada
uma tensão de modo a aumentar a resistência da
junção (aumenta a região de depleção).
– Polarização directa (forward bias) – é aplicada
uma tensão de modo a diminuir a resistência da
junção (diminui a região de depleção).
Ms.Eng. Luís M. Pires
lpires@inete.net
27
Díodos (14/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Polarização de um Díodo
Polarização zero
lpires@inete.net
28
Díodos (15/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Polarização de um Díodo
Polarização directa
lpires@inete.net
29
Díodos (16/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Polarização de um Díodo
V=0.3V para díodos de Ge e cerca de
V=0.6V para díodos de Si
V= V0 - Vb é menos negativo
(sentidos opostos)
lpires@inete.net
30
Díodos (17/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Polarização de um Díodo
Polarização inversa
lpires@inete.net
31
Díodos (18/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Polarização de um Díodo
Praticamente a corrente não flui
lpires@inete.net
32
Díodos (19/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
33
Díodos (20/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
34
Díodos (21/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
35
Díodos (22/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
36
Díodos (23/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
37
Díodo de Silício (1/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Estrutura Física
– O díodo de junção pn consiste na junção de dois
materiais, um semicondutor tipo p em contacto
com um semicondutor tipo n.
– Os semicondutores tipo p e n consistem num
substracto (silício puro) ao qual foram
adicionadas impurezas tipo p (elementos com
três electrões na última órbita) ou tipo n
(elementos com cinco electrões na última órbita).
lpires@inete.net
38
Díodo de Silício (2/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Estrutura Física
lpires@inete.net
39
Díodo de Silício (3/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Estrutura Física
lpires@inete.net
40
Díodo de Silício (4/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Estrutura Física
lpires@inete.net
41
Díodo de Silício (5/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
42
Díodo de Silício (6/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
43
Díodo de Silício (7/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Aplicações
– Portas lógicas.
– Rectificação e filtragem.
– Rectificadores de precisão com amplificadores.
– Limitadores série e paralelo.
– Fixadores de nível.
– Multiplicadores de tensão.
– Detectores de pico.
lpires@inete.net
44
Díodo de Silício (8/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
45
Díodo de Silício (9/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
46
Díodo de Silício (10/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
47
Díodo de Silício (11/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
48
Díodo de Silício (12/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
49
Díodo de Silício (13/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
50
Díodo de Silício (14/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
51
Díodo de Silício (15/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
52
Díodo de Silício (16/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
53
Díodo de Silício (17/23)
Instituto de
Educação Técnica
lpires@inete.net
54
Díodo de Silício (18/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Aplicações – Multiplicador de Tensão (duplicador
simétrico)
lpires@inete.net
55
Díodo de Silício (19/23)
Instituto de
Educação Técnica
• Aplicações – Multiplicador de Tensão (duplicador de
meia-onda)
lpires@inete.net
56
Díodo de Silício (20/23)
Instituto de
Educação Técnica
D1 15
10
V1
Amplitude
10V 100Hz 0Deg 5
R1
0
0 0,005 0,01 0,015 0,02
-5
-10
-15
te m po (s )
2 D2
V1 Rectificador de onda completa
10V 100Hz 0Deg
4 1
15
R1 10
Amplitude
1B4B42 5
3
0
-5 0 50 100 150 200 250
Educação Técnica
R1 D1 R2
0.5ohm T1 C1 100ohm D3 R3
200uF 500ohm
311.13V 50Hz
V1
230 V rms Ajuste final num
26:1 programa de simulação
D2
lpires@inete.net
58
Díodo de Silício (22/23)
Instituto de
Educação Técnica
0.5ohm T1 C1 C2 R3
500ohm
311.13V 50Hz
V1
230 V rms
D2
Educação Técnica
V2
12V
2Vpp
lpires@inete.net
60