Introdução aos Sistemas

Computacionais
Disciplina: 113468

Prof. Marcus Vinicius Lamar

Dispositivos
Semicondutores
 UnB/CIC 113468– Introdução aos Sistemas Computacionais

Condução em Sólidos
◼ Sólidos Cristalinos
 São aqueles nos quais os átomos são arranjados na forma de
um reticulado regular.

◼ Ex.: (a) cobre (b) silício (45.000.000x)

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Bandas de Energia
◼ Nos agrupamentos de átomos as possíveis posições
dos elétrons são descritas por níveis de energia
◼ A concentração de níveis de energia em um sólido
forma bandas de energia

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Bandas de Energia em um Isolante

◼ Em um isolante, a aplicação de uma diferença de
potencial elétrico (ddp) não produz corrente.
◼ Para que haja corrente, elétrons precisam subir para
níveis de energia mais altos.
◼ No isolante, a banda de condução
está em um nível de energia muito
distante da banda de valência
 Eg é o energy gap, a distância em energia
entre a banda com os elétrons e a banda
de condução
 Ex: no diamante, Eg = 5,5 eV (± 140 x a
energia térmica média em uma partícula
livre no ambiente)
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Bandas de Energia em um Metal

◼ Em um metal, o nível de Fermi, que é o nível de energia
mais alto ocupado por elétrons, situa-se
aproximadamente no meio da banda
◼ A banda de condução está muito próxima deste nível
◼ Elétrons precisam de relativamente
pouca energia para subir para a
banda de condução

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Bandas de Energia em um Semicondutor

◼ As bandas de energia de um semicondutor assemelham-
se às do isolante
 a principal diferença é que a distância
em energia entre a banda de valência e
a banda de condução é muito menor

 No silício, Eg = 1,1 eV

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Semicondutores Dopados
◼ A substituição de átomos do reticulado
cristalino dos semicondutores por
outros átomos é chamado de dopagem
Ver tabela periódica
 (a) Silício puro

 (b) Introdução de fósforo → 1 elétron livre

(carga negativa)

 (c) Introdução de alumínio → 1 lacuna livre

(carga positiva)

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Semicondutores Dopados...
◼ Semicondutor tipo-n: são os semicondutores
dopados com impurezas doadoras de
elétrons (fósforo, p.ex.)
 elétrons são os portadores majoritários
 lacunas são portadores minoritários

◼ Semicondutor tipo-p: são os semicondutores

dopados com impurezas com lacunas na
banda de valência (alumínio, p.ex.)
 lacunas são os portadores majoritários
 elétrons são portadores minoritários

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A Junção p-n
 (a) uma junção p-n é constituída por um semicondutor onde
metade foi dopada com impurezas tipo n e a outra metade
com impurezas tipo p

 (b) portadores majoritários penetram na região oposta,

formando uma zona de depleção d0 (livre de cargas)

 (c) surge uma diferença de potencial em função das cargas

armazenadas na zona de depleção. A queda de potencial
para o lado esquerdo repele elétrons. O aumento de
potencial para o lado direito repele lacunas

 (d) portadores minoritários fluem para os lados opostos,

formando a corrente Idrift. Esta é compensada pela corrente
Idiff, de portadores majoritários

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O Diodo
◼ Aplicando uma diferença de potencial nas extremidades
de uma junção temos dois comportamentos distintos
 Potencial mais alto no lado p: flui uma corrente IF através da
junção
 Potencial mais alto do lado n: aumenta a zona de depleção,
corrente IB muito pequena

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Diodo Ideal e Real

◼ Símbolo do diodo

◼ Função de transferência de um diodo ideal

 polarizado inversamente: I = 0
 polarizado diretamente: I = ∞

◼ Função de transferência de um diodo real

 a resistência não é zero
quando polarizado diretamente
 a resistência não é infinita quando
polarizado inversamente

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Diodo Real
i=13,3mA
◼ Polarização direta
 Apresenta pequena resistência não linear
 corrente só flui após tensão ultrapassar um
limiar de aprox. 0.6 V

◼ Polarização Inversa i=0mA

 resistência não é infinita, rompe sob

grandes tensões reversas
 apresenta pequena corrente de fuga

◼ Função de transferência modelada

I

0,6 V
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Diodo Emissor de Luz - LED

◼ Polarização direta:
 LED acende
 Corrente só flui após tensão ultrapassar
um limiar de aprox. 2 V
 Cuidar: corrente máxima aprox. 20mA
i=9,1mA

i=0mA
◼ Polarização Inversa:
 LED não acende

Obs.: LEDs de potência possuem alta eficiência energética!

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Transistor MOS
◼ O transistor é um dispositivo semicondutor utilizado como
amplificador de sinais elétricos (eletrônica analógica) ou
como uma chave elétrica (eletrônica digital).

◼ Tem 3 terminais:
dreno
 porta (gate) : terminal que controla o fluxo de
cargas elétricas pelo transistor gate
 fonte (source) e dreno (drain) : terminais por onde i
flui a corrente elétrica
fonte

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Transistor MOS

Slide Prof. Ricardo Reis - UFRGS 16

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Transistor NMOS

dreno

gate
i
Porta
fonte

Slide Prof. Ricardo Reis - UFRGS 17

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Transistor NMOS
Porta=0V

i=0

Porta=Vcc

++++

i0

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Transistor MOS como Chave

◼ Assume-se valor altos como ‘1’ e valores baixos como ‘0’
 Transistor NMOS: g=1 → liga g = 0 → desliga
 Transistor PMOS: g=1 → desliga g = 0 → liga

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