Tecnologia de Materiais Elétricos (Deee0188) : Prof. Francisco Sávio Mendes Sinfrônio Dee - Ccet - Ufma

TECNOLOGIA DE MATERIAIS
ELÉTRICOS (DEEE0188)
Prof. Francisco Sávio Mendes Sinfrônio

DEE – CCET - UFMA
Tópicos da disciplina
• Estrutura interna de materiais;
• Sólidos cristalinos e Teoria das Bandas de Energia;
• Condução de Materiais;
• Materiais condutores;
• Ligas resistivas e de contato elétricos;
• Isolantes;
• Materiais semicondutores;
• Materiais opto-eletrônicos;
• Dielétricos;
• Propriedades magnéticas dos materiais;
• Ferromagnetismo e ferrimagnetismo;
• Princípios básicos;
• Ligas ferromagnéticas e ferrites;
• Materiais magnéticos industriais.
Bibliografia
• “Materiais Elétricos”, Saraiva, D. B., Editora Guanabara Dois, Rio de Janeiro, RJ, 1993.
• “Eletromagnetics”, Kraus, J. D., Mc Graw Hill, Inc. 1991.
• “Materiais e Dispositivos Eletrônicos”, Sergio M. Rezende, 2a edição. São Paulo: Livraria da Física, 2004 .
• “Ciência e Engenharia de Materiais – uma Introdução”, W. D. Callister Jr., 7ª edição. Rio de Janeiro: LTC,
2008
• “Física do Estado Sólido”, N. W. Ashcroft, N. D. Mermin. São Paulo, Cengage (2011).
• “Introdução à Física do Estado Sólido”, C. Kittel. 8a edição, Rio de Janeiro, LTC (2005).
Mês Dia
Quarta-feira Sexta-Feira
14 16
Setembro
21 23
28 30
05 07
12 14
Outubro
Calendário 19 21
26 28
acadêmico 2022.2 02 04
09 11
Novembro 16 18
23 25
30
- 02
07 09
Dezembro 14 16
21 23
- -
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Huawei Mate X3
Apple Watch Ultra
fotopletismografia
Estrutura interna dos materiais
Relação entre estrutura e propriedades dos materiais
Classificação funcional dos materiais

• Aeroespaciais Compósitos C-C, SiO2, sílica amorfa, ligas de Al, Superligas
• Biomédicas Hidroxiapatita, Ligas de titânio, Aços inoxidáveis, Ligas com memória de forma, Plásticos,
PZT
• Materiais elétricos Si, GaAs, Ge, BaTiO3, PZT, YBa2Cu3O7, Al, Cu, W, Polímeros condutores, Elastómeros
• Tecnologias Energética e Ambiental UO2, Ni-Cd, ZrO2, Si:H amorfo
• Materiais magnéticos
Fe, Fe-Si, Ferritas de NiZn e MnZn, Co-Pt-Ta-Cr, Magnetita
• Materiais ópticos SiO2, GaAs, Vidros, Al2O3, YAG, ITO
• Materiais Inteligentes PZT, ligas de Ni-Ti com memória de forma, Fluídos MR, Géis poliméricos
• Estruturais Aço, Ligas de alumínio, Concreto, Fibras de vidro, Plásticos, Madeira
A natureza e o comportamento dos materiais em serviço estão basicamente associados
aos tipos de átomos envolvidos e aos seus arranjos.
A estrutura dos materiais pode ser

estudada de acordo com quatro níveis
sequenciais:
Subatômico Atômico Microscópico Macroscópico

• Ligações fortes (aproximadamente 100 kcal/mol):
Iônicas
Covalentes
Metálicas
Ligação Iônica (Na- Cl) Ligação Metálica (Fe) Ligação Covalente (Cl – Cl)
• Ligações fracas (aproximadamente 10 kcal/mol):
interação de Van der Waals;
Forças de dipolo-dipolo;
Ligações de hidrogênio.
Ligação entre moléculas de água

Materiais cristalinos iônicos
Ligação forte – interação eletrostática atrativa entre íons.

Elétrons altamente localizados em torno dos íons.
Materiais com ponto de fusão bastante alto.
Baixa condutividade térmica e elétrica, alta transparência ótica.
Ex.: NaCl, KCl, LiF, óxidos, ...
cristais de NaCl
Materiais cristalinos covalentes
Densidade eletrônica na região intersticial (entre os átomos no cristal).

Materiais duros, com ponto de fusão relativamente alto, mas menor que para os
cristais iônicos.
Tipo de ligação mais comum em materiais semicondutores.
Ex.: C (diamante), Si, Ge, GaAs, InSb, ...
Materiais cristalinos metálicos
Elétrons altamente deslocalizados.
Modelo: “gás de elétrons”, “gás de Fermi”.
Ligação razoavelmente fraca.
Ponto de fusão relativamente baixo, grande condutividade elétrica e térmica.
Ex.: Li, Na, K, Cu, Ag,...
https://blog.biologiatotal.com.br/wp-content/uploads/2019/10/liga%C3%A7%C3%A3o-met%C3%A1lica.png
Materiais cristalinos moleculares
Interação atrativa: van der Waals (fraca).
Elétrons localizados nos átomos.
Ponto de fusão em geral muito baixo (< 100K).
Ex.: Ne, Ar, Kr, Xe, O2, N2, ...
(Célula unitário do cristal de O2)

Cristais com ligações de hidrogênio
Ligação de hidrogênio;
Ligação mais fraca que a iônica ou a covalente, mas mais forte que a interação de Van
der Waals;
Ex.: H2O (gelo), DNA, polímeros, ...
(Estrutura de uma das

fases do cristal de gelo)
Classificação dos materiais
De modo geral, os materiais de engenharia são classificados em quatro grupos principais: metais,
polímeros, cerâmicos e, mais recentemente, compósitos. Outros dois grupos têm sido considerados
importantes como materiais de engenharia, em função do grande desenvolvimento de suas aplicações nos
últimos anos, são eles os semicondutores e os biomateriais.
Material Características Constituintes típicos
Dúctil, elevada resistência mecânica, alta Átomos metálicos e não-

Metálicos
dureza, condutor térmico e elétrico, opaco metálicos
Frágil, isolante térmico e elétrico, alta

Óxidos, silicatos, nitretos,
Cerâmicos estabilidade térmica, elevada dureza,
aluminatos etc.
transparentes em alguns casos
Dúctil, baixa resistência mecânica, baixa dureza,

Cadeia molecular orgânica de
Poliméricos flexível, baixa estabilidade térmica,
comprimento elevado
transparente em alguns casos
Compósitos Alta relação resistência/peso, alta dureza, etc. Matriz + ligante

Organização estrutural dos sólidos
Representação dos átomos nos estados líquido e sólido, mostrando o ordenamento
de curto alcance dos sólidos amorfos e o ordenamento de longo alcance dos sólidos
cristalinos.
1019 átomos/cm3 1022 átomos/cm3 1023 átomos/cm3

Arranjo estrutural cristalino e amorfo
Materiais cristalinos, têm uma estrutura altamente organizada, em contraposição aos

materiais amorfos, nos quais não há ordem de longo alcance.
Cristal 1
Fronteira
Cristal 2
Fronteira entre dois cristais de TiO2. Carbono amorfo.

Ordenamento regular dos Ordenamento somente a curtas
átomos distâncias
Propriedades vs. Estrutura Cristalina
Alumínio (estrutura cúbica) Magnésio (estrutura hexagonal)

Ambos são metais mas o
Al é mais dúctil devido à
estrutura cúbica
Sólidos amorfos:
• Materiais metálicos amorfos;
• Materiais cerâmicos amorfos;
• Materiais orgânicos amorfos.
Sólidos parcialmente cristalinos:

• Materiais metálicos parcialmente cristalinos;
• Materiais cerâmicos parcialmente cristalinos;
• Materiais orgânicos parcialmente cristalinos.
Sólidos cristalinos
Materiais metálicos amorfos
solidificação ultra-rápida vidros metálicos
FeBSiNbCu Exemplos de vidros metálicos : Au-Si; Pd-Si;

Fe-B; Fe-B-C; Fe-Ni-P-B; Ni-B-Si; Zr-Cu; Zr-
Ni; Nb-Ni e Ta-Ni.
https://docplayer.com.br/docs-images/75/72916628/images/6-0.jpg
https://jornalggn.com.br/sites/default/files/u16/bulk_metallic_glasses.jpg
Materiais cerâmicos amorfos
Sílica cristalina Sílica amorfa
https://cpimg.tistatic.com/03900
019/b/4/Amorphous-Silica.jpeg
Composição, propriedades e usos de alguns vidros
• Formadores de
rede: SiO2, B2O3,
GeO2 e P2O5.
• Modificadores de
rede: Na2O, K2O,
CaO e MgO.
Materiais orgânicos amorfos
Termofixos: Completamente amorfos Termoplásticos: Parcialmente cristalinos

(possuem uma estrutura tridimensional com ou totalmente amorfos.
ligações cruzadas).
https://fsb0.azureedge.net/wp-content/uploads/2016/05/didier.jpeg
https://4.bp.blogspot.com/-
FRcaNWTSh5g/VDq8MMZec6I/AAAAAAAAB6o/tdQd8mDdhD Exemplos: Polipropileno PP, polietileno PE,
Y/s1600/acessorios_482d6f8554274.jpg
poliestireno PS, ABS (acrilonitrila-
Exemplos: Resinas de poliéster
insaturadas, éster - vinílicas, epóxis, butadienoestireno), PA "nylon", policarbonato
uretânicas e fenólicas. PC, poliéster termoplástico PET.
Materiais metálicos parcialmente cristalinos
Modelo bidimensional para um

material nanocristalinos
Materiais cerâmicos parcialmente cristalinos
Argilo'minerais-mais-comuns-utilizados-em-cerâmica-tradicional-(fórmulas-ideais).-
Materiais orgânicos parcialmente cristalinos
termoplásticos
https://encrypted- esferulita PET

tbn0.gstatic.com/images?q=tbn%3AANd9GcQAGGjZ3ys4CfYzVDRIR
6oYaM7a529OSLiCwQ&usqp=CAU
https://encrypted-
tbn0.gstatic.com/images?q=tbn%3AANd9GcQhRRw1wY7f075VK
oFrOyPCqtpdaIqkUevglg&usqp=CAU
Um cristal é geralmente definido como um sólido com seus átomos arranjados em um
reticulado periódico tridimensional. Idealmente, o arranjo mais estável dos átomos em
um cristal será aquele que minimiza a energia livre por unidade de volume ou, em
outras palavras, aquele que:
preserva a neutralidade elétrica;
satisfaz o caráter direcional das ligações covalentes;
minimiza as repulsões íon-íon e, além disto,
agrupa os átomos o mais compactamente possível.
Células unitárias
Como a rede cristalina tem uma estrutura repetitiva, é possível descrevê-la a partir de uma
estrutura básica, como um “tijolo”, que é repetida por todo o espaço.
Células Menor “tijolo” que

não repetido reproduz a
unitárias rede cristalina
Célula unitária
Sólido cristalino:
Os cristais têm uma estrutura ordenada que se repete.
A menor unidade que se repete em um cristal é uma célula unitária.
A célula unitária é a menor unidade com toda a simetria de um cristal inteiro.
Uma pilha tridimensional de células unitárias é a rede cristalina.
• As redes cristalinas tridimensionais estão agrupadas em sete sistemas cristalinos;
• Os sistemas são classificados de acordo com os 7 tipos convencionais de células
unitárias.;
• As células unitárias são sistematizadas de acordo com os 3 eixos cristalinos a, b e c , e
os três ângulos
Sistemas cristalinos - Redes de Bravais Defeito na rede cristalina
Excessão: quasecristais de Shechtman

Estruturas usuais dos metais cristalinos
• Cúbica simples;
• Cúbica de corpo centrado (ccc);
• Cúbica de face centrada (cfc);
• Hexagonal compacta (hc)
Hexagonal Compacta
Estrutura cúbica simples (CS)
A rede cúbica simples é uma rede na qual existe um átomo em cada vértice do cubo. Os
átomos se tocam ao longo da diagonal.
Fator de empacotamento atômico

R (APF - atomic packing factor)
a
FEAccc ≈ 0,52
a
a Número de átomos na célula unitária
Po (alfa) Na= 8x(1/8) = 1
Relação entre a e R
2R = a
Metais não cristalizam na estrutura NC = 6
cúbica simples (devido ao baixo
empacotamento atômico)
Estrutura cúbica de corpo centrado (CCC)
A rede cúbica de corpo centrado é uma rede cúbica na qual existe um átomo em cada
vértice e um átomo no centro do cubo. Os átomos se tocam ao longo da diagonal.
Fator de empacotamento atômico

(APF - atomic packing factor)
FEAccc ≈ 0,68
a
R
Número de átomos na célula unitária
Fe, Cr, W Na= 1 + 8x(1/8) = 2
1 átomo inteiro 1/8 de átomo Relação entre a e R
4R = aÖ3 => a = 4R/Ö3
NC = 8
Estrutura cúbica de face centrado (CFC)
A rede cúbica de face centrada é uma rede cúbica na qual existe um átomo em cada
vértice e um átomo no centro de cada face do cubo. Os átomos se tocam ao longo das
diagonais das faces do cubo.
a
1/8 de átomo
R
1/2 átomo
Al, Ag, Cu, Au
Número de átomos na célula unitária Fator de empacotamento atômico
Na= 6x1/2 + 8x(1/8) = 4 FEAcfc = 0.74
Relação entre a e R
A rede CFC é a mais compacta
4R = aÖ2 => a = 2RÖ2
NC = 12
Hexagonal compacta (HC)
A rede hexagonal compacta pode ser representada por um prisma com base
hexagonal, com átomos na base e topo e um plano de átomos no meio da altura.
Cd, Mg, Ti, Zn

c
Número de átomos na célula unitária
Na= 12x1/6 + 2x(1/2) + 3 = 6
c/2 Relação entre a e R
2R = a
NC =12
a FEA = 0,74
A rede HC é tão compacta quanto a CFC

Cúbica simples (CS) Cúbica de face
centrado (CFC)
Cúbica de corpo Hexagonal compacta (HC)

centrado (CCC)
Alotropía (polimorfismo): é a propriedade que alguns elementos químicos têm de
formar uma ou mais substâncias simples diferentes.
Temperatura
Tempo
Alotropia do carbono (exemplos)
DIAMENTE GRAFITE FULLERENO C60 NANOTUBO

Anisotropia: é a característica que uma substância possui em que uma certa propriedade
física varia com a direção.
Monocristais
Isotópico
Anisotópico
Painel solar (célula fotovoltáica)
Monocristalina (ef. 9,40%) Policristalina (ef. 6,57%)

Propriedades elétricas
Condutores, Isolantes, semicondutores, Ligas

resistivas e de contato elétrico.
Estrutura eletrônica
• Equação de Schrödinger para uma partícula de massa m e energia potencial V(x):
 2 d 2ψ
− . + V ( x ) = Eψ
2m dx 2
• Função de onda para uma partícula na caixa:
€ 1
# 2& 2# πxn &
ψ ( x) = % ( sen% (
$ L' $ L '
Orbitais atómicas e suas energias
Um elétron pode ser descrito por n, l , ml
h 2n 2
• O número quântico principal (n) determina a energia do orbital En =
8mL2
• O número quântico momento angular (l) informa sobre a forma das orbitais
€
• O número quântico (ml) especifica a orientação permitida para uma nuvem eletrônica
no espaço;
https://energywavetheory.com/atoms/orbital-shapes/
• O número quântico de spin (ms) indica a orientação do elétron ao redor do seu
próprio eixo
# 1 1&
ms = %+ ,− (
$ 2 2'
€
Teoria dos orbitais moleculares
• Molécula H2 ?
Energia
A hipótese da formação da
molécula H2 é aceita
Teoria dos orbitais moleculares
• Molécula He2 ?
Energia
A hipótese da formação da
molécula He2 é nula
... ≡
Contínuo de
Energia
energia (Banda)
1 2 3 4 5 𝑁→∞ 𝑁→∞
Número de átomos
Banda de energia
GAP de energia
Energia
Banda de energia
Energia
Separação
interatômica
Espaçamento interatômico
em equilíbrio
Estrutura das bandas do materiais sólidos
Isolante Semicondutor
Condutores
(Metal)
Condutores
Isolantes e semicondutores
Mobilidade eletrônica
𝐴
𝜌=𝑅
𝑙
1
𝜎=
𝜌
Influência da temperatura na resistividade elétrica
Influência das impurezas
Influência da deformação plástica

Nível de Fermi (T=0) K
• Em T = 0 K, os elétrons
ocupam os estados de
menor energia permitidos
no cristal, de modo a
preencher, um a um, todos
os estados até um certo
nível de energia EF, o nível
de Fermi.
Nível de Fermi (T > 0 K)
• Para T > 0 K, alguns

elétrons podem ser
excitados para estados
com níveis de energia
mais elevados.
Nível de Fermi em semicondutores
• Em semicondutores, apenas
certos níveis de energia são
permitidos.
Distribuição de Fermi-Dirac - Comportamento dos elétrons em T>0
A probabilidade de encontrar um elétron em um certo nível de energia E

Condutores
Materiais condutores e características
• Elevada condutividade elétrica e térmica: diferentemente dos não-metais (metalóides), todos os metais são bons
condutores de eletricidade e calor, e apresentam elevação da resistência com o aumento da temperatura;
• São geralmente sólidos à temperatura ambiente: a exceção é o mercúrio, que é um metal que se solidifica apenas à
temperatura de -39 oC;
• Estrutura cristalina: os metais caracterizam-se por apresentarem seus átomos em uma disposição regular, ordenada
e repetida em todas as suas dimensões, chamada arranjo cristalino;
• Formação de ligas: os metais possuem grande capacidade de se combinarem entre si para formar ligas metálicas;
• Capacidade de deformação e moldagem: os metais são facilmente moldados perante elevação de temperatura e
aplicação posterior de esforços mecânicos;
• Brilho e opacidade: os metais possuem elevada capacidade de reflexão à luz e mantêm-se opacos até uma
espessura superior a 0,001 mm;
• Encruamento: os metais deformados a frio endurecem. Tal característica é chamada encruamento, que tem, como
consequência extra, a redução da condutividade elétrica do metal;
• Transformam-se em derivados metálicos perante certos ambientes: nos metais, em contato com o oxigênio do ar,
formam-se óxidos e, sob a ação de ácidos, formam-se sais. Como regra geral, todos os derivados metálicos são
menos condutores elétricos que os metais de origem.
𝜌+$ = 1,72 x10-8 Ω m
Condutores metálicos
𝜌!" = 2,80 x10-8 Ω m
𝜌!# = 1,62 x10-8 Ω m

1 𝐴
𝜎= 𝜌=𝑅 𝜌!$ = 2,40 x10-8 Ω m
𝜌 𝑙
𝜌%& = 10,00 x10-8 Ω m
𝜌'( = 20,00 x10-8 Ω m
𝜌)* = 11,40 x10-8 Ω m
𝜌'- = 10,52 x10-8 Ω m
𝜌.# = 95,00 x10-8 Ω m
𝜌/0 = 9,00 x10-8 Ω m
𝜌1* = 6,00 x10-8 Ω m
𝜌+, = 80,00 x10-8 Ω m
𝜌2 = 5,00 x10-8 Ω m
𝜌+3 = 7,50 x10-8 Ω m

Condutores não-metálicos
𝜌 !(#$%&'()) = 1,50 x10-5 Ω m

Ligas condutores
Tipos de ligas condutores
1. Ligas de cobre: metais são acrescentados ao cobre para melhorar a resistência mecânica, a ductilidade e a
estabilidade térmica, sem reduzir as condutividades elétrica e térmica e resistência à corrosão.
• Bronzes: liga binária de cobre e estanho, possui boa condutividade, elevada resistência à corrosão e à fadiga,
resistente ao desgaste por atrito, é de fácil usinagem e são elásticas.
• Latão: liga binária de cobre e zinco (30%), possui condutividade relativamente alta, boa resistência à corrosão,
grande resistência à tração. É empregado em barramentos de quadros e equipamentos, varas de subestações e
bornes.
• Outras ligas: cromo, níquel e zinco são adicionados ao cobre quando se necessita obter uma maior resistência à
tração para o mesmo. Pode-se obter este resultado também com um condutor de cobre com núcleo de aço,
chamado Copperweld, que combina a alta condutividade do cobre com alta resistência mecânica e tenacidade do
aço.
Bronze Latão
Copperweld
Características gerais de ligas de cobre
Barramento Cemar
56din Trifásico 225a
Para Disjuntor Din
2. Ligas de Alumínio: em aplicações à baixa
tensão, o alumínio puro é usado apenas
nos casos em que as solicitações
mecânicas são pequenas (capacitores,
barras condutoras em ranhuras de
motores, etc.).
• Duralumínio: (4% Cu + 0,5 % Mg +
0,5 % Mn + Al) - liga leve com elevada Duralumínio
resistência mecânica.
• Alumoweld: é o fio de alumínio
com núcleo de aço, que lhe aumenta
a resistência à tração.
• Aldrey: (0,3% Mg + 0,7% Si + Fe +
Al) - liga de boas propriedades
mecânicas.
Alumoweld
Aldrey:
Comparação de características físicas entre cobre e alumínio
Características
gerais de ligas
de alumínio
3. Liga de chumbo e estanho: são ligas resistentes à corrosão e possuem baixo ponto
de fusão (60 a 200 oC).
Sn60Pb40
São utilizados também para o revestimento de fios e malhas de cobre ou latão,

melhorando a soldabilidade e proteção à corrosão. São usados ainda como condutor
em circuitos impressos, onde seu baixo ponto de fusão protege os componentes
elétricos de possíveis superaquecimentos.
Condutores elétricos de potência em baixa tensão
Condutores elétricos de potência em baixa tensão podem ser fios ou cabos de cobre ou
alumínio capazes de transportar energia elétrica em circuitos com tensões elétricas de até 1000 V.
Os principais componentes de um fio ou cabo de potência em baixa tensão são o condutor, a
isolação e a cobertura.
• Condutividade elétrica e resistividade: expressa capacidade que os materiais têm de transportar
corrente elétrica. A resistividade, por sua vez, que é definida como o inverso da condutividade
elétrica, é a propriedade que os materiais possuem de dificultar a passagem da corrente.
• Peso: é a força gravitacional sofrida por este objeto em virtude da atração gravitacional nele
exercida por um outro corpo massivo
• Conexões
Flexibilidade dos condutores elétricos
• fio é um produto maciço, composto por um único elemento condutor.
• condutor encordoado tem relação com a construção de uma corda, ou seja,

partindo-se de uma série de fios elementares, eles são reunidos (torcidos) entre si,
formando então o condutor. As formações padronizadas de condutores encordoados
(cordas) redondos normais são: 7 fios (1+6), 19 fios (1+6+12), 37 fios (1+6+12+18) e
assim sucessivamente.
• condutor encordoado compactado é uma corda na qual foram reduzidos os

espaços entre os fios componentes. Essa redução é realizada por compressão
mecânica ou trefilação. O resultado desse processo é um condutor de menor
diâmetro em relação ao condutor encordoado redondo normal, porém com menor
flexibilidade.
• condutor flexível é obtido a partir do encordoamento de um grande número de

fios de diâmetro reduzido.
Veias
Capa metálica (Pb ou Al) Enchimento

Isolação dos condutores elétricos
A função básica da isolação é confinar o campo elétrico gerado pela tensão aplicada ao condutor
no seu interior. Com isso, é reduzido ou eliminado o risco de choque elétrico e curto-circuito.
Cloreto de polivinila (PVC)
· O PVC isolante é, na realidade, uma mistura de cloreto de polivinila puro

(resina sintética), plastificante, cargas e estabilizantes;
· Sua rigidez dielétrica é relativamente elevada, sendo possível utilizar
cabos isolados em PVC até a tensão de 6 kV;
· Sua resistência a agentes químicos em geral e a água é
consideravelmente boa;
· Possui boa característica de não propagação de chama.
Tensão elétrica: para o PVC está limitado a 6 kV, o que o torna recomendado para emprego em
cabos de baixa tensão, seja de potência, de controle, de sinal ou para ligação de equipamentos.
Corrente elétrica: cada tipo de material de isolação correspondem três temperaturas

características que são:
· Temperatura em regime permanente: É a maior temperatura que a isolação pode
atingir continuamente em serviço normal.
· Temperatura em regime de sobrecarga: É a temperatura máxima que a isolação pode

atingir em regime de sobrecarga. Segundo as normas de fabricação, a duração desse
regime não deve superar 100 horas durante doze meses consecutivos, nem superar 500
horas durante a vida do cabo.
· Temperatura em regime de curto-circuito: É a temperatura máxima que a isolação

pode atingir em regime de curto-circuito. Segundo as normas de fabricação, a duração
desse regime não deve superar 5 segundos durante a vida do cabo.
Cobertura
Em algumas aplicações, é necessário que a isolação seja protegida contra agentes

externos tais como impactos, cortes, abrasão, agentes químicos, etc. Nesses casos,
os cabos elétricos são dotados de uma cobertura e são então chamados de cabos
unipolares ou multipolares.
Semicondutores
Semicondutores
• Semicondutores intrísicos
• Semicondutores extrisicos
Si
Ge
GaAs
Propriedades de semicondutores comuns (20 oC)
• A magnitude da descontinuidade de energia geralmente decresce quando nos deslocamos das posições mais altas para as mais baixas
na tabela periódica (C→Si→Ge→Sn), ou (GaP →GaAs →GaSb), ou (AlSb → GaSb → InSb);
• A mobilidade dos elétrons em um dado semicondutor é muito maior que a mobilidade de buracos (lacunas) eletrônicos no mesmo
semicondutor. Isto será importante quando se considera o uso de semicondutores do tipo “n” em contraste com os do tipo “p”.
Semicondutores intrínsecos
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
C𝑎𝑚𝑝𝑜 ℰ = 0
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
𝜈" 𝜈 !
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
C𝑎𝑚𝑝𝑜 ℰ ≠ 0
𝑒̅ ligação (BV)
Si Si Si Si Si Si 𝑒̅ livre (BC)
ℎ.
Si Si Si Si Si Si
𝜈" 𝜈 !
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
ℎ.
Si Si Si Si Si Si
𝜈" 𝜈 !
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
ℎ.
Si Si Si Si Si Si
𝜈" 𝜈 !
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
ℎ.
Si Si Si Si Si Si
𝜈" 𝜈 !
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
ℎ.
Si Si Si Si Si Si
𝜈" 𝜈 !
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
-1,602 × 10−19 C
ℎ.
Si Si Si Si Si Si
𝜈" 𝜈 !
Si Si Si Si Si Si
𝐼é
Si Si Si Si Si Si 𝐼!"
𝐼!"!#$ = 𝐼%& + 𝐼é
Si Si Si Si Si Si
+1,602 × 10−19 C
Semicondutores intrínsecos
Condutividade elétrica do semicondutor intrínseco:
A condutividade do silício aumenta aproximadamente 8% a cada grau de aumento na temperatura.

Devido à esta grande variação da condutividade com a temperatura, impõe-se um limite no uso de
semicondutores em alguns circuitos sujeitos a altas temperaturas. Por outro lado, para algumas aplicações
esta propriedade é utilizada para medição de temperatura.
Um dispositivo semicondutor utilizado desta maneira é denominado termistor. O germânio e o
silício não são utilizados como termistores por causa da sensibilidade de suas propriedades com as
impurezas. Os termistores comerciais utilizam misturas sinterizadas de óxidos de metais de transição, tais
como, NiO, Mn2O3 e Co2O3.
Semicondutores extrínsecos
• Semicondutores extrínsecos do tipo n
• Semicondutores extrísicos do tipo p
Fônon (𝜴)
Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Transição indireta
Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Fônon (𝜴)
Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Fônon (𝜴)
Fônon (𝜴) Fóton (𝝎)
Fóton (𝝎)
Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Transição indireta Transição indireta

Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)

Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)

Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Fóton (𝝎)

Fônon (𝜴)
Fóton (𝝎)
Fóton (𝝎)
Transição direta
a) Ilustração do movimento térmico randômico de portadores a T > 0 K e sem campo elétrico aplicado;
b) deslocamento líquido de portadores submetidos a um campo elétrico superposto ao movimento randômico.
Mobilidade versus espalhamentos dos portadores de cargas:

1) Potencial oscilante da rede;
2) Presença de impurezas dopantes;
3) Defeitos cristalinos.
Variação da mobilidade de elétrons e de lacunas em Ge, Si
e GaAs versus nível de dopagem, à temperatura de 300 K
Variação da concentração de corrente e condutividade com a temperatura da
Dispositivos semicondutores
• Diodos:
• Diodos de junção;
• Diodos de barreira Schottky;
• Diodos Zener;
• Varactor;
• Diodo Túnel;
• Diodo IMPATT;
• Diodo Gunn;
• Fotodiodos.
• Transistores:
• Bipolar ;
• NPN;
• PNP.
• Unipolar:
• JFET (canal n ou canal p);
• MOSFET(enriquecimento ou depleção).
• LED:
• OLED;
• FOLED.
• TOLED.
Si (intrísico) Si (intrísico)
é
h+
p (portador carga p)
n (portador carga n)
Si (extrísico P) Si (extrísico N)
P N
P N
Região de carga
espacial
(depleção)
P N
Junção pn (0,001 – 1,000 µm)
é
h+
P N
𝐶𝑎𝑚𝑝𝑜 𝑒𝑙é𝑡𝑟𝑖𝑐𝑜 (𝜀)
+ --
+
+ - Corrente de deriva (drift)
+ P N - Corrente de difusão.
+ - Polarização direta
+ -
+ -
+ -
+ -
𝐼!! ≠ 0 P N
𝐼$ " ≠ 0
+ -
- + é
- + h+
- +
- P N + n (portador carga n)
- + Polarização reversa
- +
- +
- +
- +
𝐼!! = 0
P N
𝐼$ " = 0
- +
Por que isso ocorre?
é
h+
Si (extrísico P) Si (extrísico N) p (portador carga p)
P N
BCP BCN
Ef
Ef
BVP BVn
é
h+
Si (extrísico P) Si (extrísico N) p (portador carga p)
P N
BCP
BCN
Ef Ef
BVP
BVn
é
𝐶𝑎𝑚𝑝𝑜 𝑒𝑙é𝑡𝑟𝑖𝑐𝑜 (𝜀) h+
P N
BCP
BCN
Ef Ef
BVP
BVn
é
h+
P N
BCP
BCN
Ef Ef
BVP
BVn
é
h+
P N
BCP ECP
"4
eV0 𝑉! =
#
BCN ECN
Ef Ef
BVP
BVn
𝐶𝑎𝑚𝑝𝑜 𝑒𝑙é𝑡𝑟𝑖𝑐𝑜 𝜀 − 𝑟𝑒𝑑𝑢𝑧𝑖𝑑𝑜
--
+ é
+ h+
+ - p (portador carga p)
+ P N - n (portador carga n)
BCP
+ - Polarização direta
ECP
BCN eV0 EC (V0 - V)
N
Ef Ef
BVP
BVn
Estado de condução do diodo (fechado)

𝐶𝑎𝑚𝑝𝑜 𝑒𝑙é𝑡𝑟𝑖𝑐𝑜 𝜀 − 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎𝑑𝑜
- + é
- + h+
- + n (portador carga n)
- P N +
BCP ECP
eV0 (V0 + V)
BCN ECN
Ef Ef
BVP
BVn
Estado de bloqueio do diodo (aberto)

TPI ou TPR (Si): até 200 oC
A corrente de saturação reversa terá seu

valor duplicado a cada 10 oC elevados.
TPI ou TPR (Ge): menor que 100 oC

Curva característica corrente-tensão
Corrente (I) I I
𝑑𝑉
𝑅=
𝑑𝐼
Tensão (V) V0 V 0,7 V (Si) V
+ -
Curva característica corrente-tensão – Diodo pn
Diodos – características gerais
• Diodos Ge:
• Sinais de alta frequência;
• Baixas correntes.
• Diodos de Si:
• Uso geral:
• Até aprox. 200 mA (baixas correntes);
• Tensão reversa menor do que 100 V.
• Retificador:
• Altas correntes;
• Tensão reversa de até 1,0 – 1,2 kV.
Retificadores
• Tensão de entrada:
• Monofásico;
• Bifásico;
• Trifásico;
• Hexafásico.
• Elemento: Grupo Motor Gerador (GMG)

• Meia-onda;
• Onda completa.
•
• Valor de saída:
• Não-controlado (diodos);
• Controlado (tiristores, transistores).
Retificação de meia onda Retificação de onda completa Retificação de onda completa em
(CENTER TAP) ponte
Limitador positivo (ou ceifador)
Limitador polarizado (clipper)
Grampeador DC (Clamper)
Detector de pico
Baixa frequência
Alta frequência
Rádio AM
(DCR)
Diodo de barreira Schottky - Diodo HCT (hot carrier diode)
𝑇𝑟𝑎𝑏𝑎𝑙ℎ𝑜 (𝜙)
Elétron
Semicondutor
𝑇𝑟𝑎𝑏𝑎𝑙ℎ𝑜 (𝜙)
Metal
• Apenas os elétrons são transferidos;
• Buracos eletrônicos não podem ser transferidos dos semicondutores (quase-partícula).
-- Ec -- Ec
𝑒̅ -- -- 𝑒̅
Metal Semicondutor n Metal Semicondutor p
-- Ef -- Ef
- -
-- + Ec + -- Ec
-- + + --
Metal + Semicondutor n Metal + Semicondutor p
-- + + --
+ Ef + Ef
- + + -
• Metais mais comuns: Mo, Pt, Cr, W.
Energia do é Afinidade
no vácuo
E E eletrônica
E0 E0
2–6V 𝑒𝜒
𝑒𝜙D Ec 𝑒𝜙E
Ef
Ef
Metal Vácuo Ev Vácuo
Semicondutor
x x
Diodo Zener
68 V (5W)
3,9 V (0,5W)
Diodo de junção p-n 𝐶𝑎𝑚𝑝𝑜 𝑒𝑙é𝑡𝑟𝑖𝑐𝑜 (𝜀)
é
h+
P N
BCP ECP
"4
eV0 𝑉! =
#
BCN ECN
Ef Ef
BVP
BVn
Diodo Zener é
h+
P N
Alta dopagem 1019 – 1020 cm-3 106 V.cm-1
BCP ECP
eV0
BCN ECN
Ef Ef
BVP
BVn
- + é
- + h+
- P N +
• Efeito Zener :
• Alta concentrações de dopantes e baixa tensão;
• Campo elétrico com alta intensidade quebram ligações covalentes e ionizam átomos da rede cristalina;
• Elétrons ionizados são acelerados no sentido oposto do campo, passando para o lado n da junção e
gerando no sentido reverso;
• Efeito avalanche:
• Baixa concentrações de dopantes e alta tensão;
• Elétrons do lado p, com alta energia, entram na junção e colidem com a rede. São gerados novos
portadores de carga (pares elétrons-buracos). Os novos elétrons são acelerados para o lado n e buracos
acelerados para o lado p.
- + é
- + h+
- P N +
é
Efeito avalanche
𝐶𝑎𝑚𝑝𝑜 𝑒𝑙é𝑡𝑟𝑖𝑐𝑜
+
+
+
P N +
- + é
- + h+
- P N +
Efeito avalanche Efeito avalanche

+
+
é
+
P N +
- + é
- + h+
- P N +

é
+
+
+
P N + Colisão parcialmente inelástica
- + é
- + h+
- P N +

Portador de
𝐶𝑎𝑚𝑝𝑜 𝑒𝑙é𝑡𝑟𝑖𝑐𝑜 carga (1)
+ Portador de
+ carga (2)
+
P N +
Portador de carga (3)

Varactor
• Baixa Isat; 1
• Operado em polarização reversa; Filtro (LC) : 𝜔 =
• Junção abrupta; 𝐿𝐶
• Circuitos de sintonia fina.
1
l∝ 𝑉 𝐶∝
𝑉
Diodo de tunelamento
• Operado em polarização direta – região de resistência

negativa (faixa operacional);
• Diodos com altíssima concentração de dopantes;
• Osciladores e amplificadores de sinais.
*+
< 0 (resistência negativa)
*,
Diodo de tunelamento
Diodos Impatt (Impact Avalanche Transit Time)
• Usado em fontes de potência de sinais na faixa de micro-

ondas;
• Opera em tensão reversa, próximo do valor de
avalanche;
• Usado com um circuito LC ou cavidade ressonante
externo;
• faixa de frequência = 3 a 100 GHz;
• potências de saída = 0,1 a 1 W.
𝑣M
𝑓FGHIJçãF =
2𝑙
h+
V - e-
V+
Concentração de portadores de carga
• Na região de avalanche, os portadores de carga (elétrons

ou lacunas) gerados, são acelerados para os lados n e p+
• Quando o pacote de elétrons ao entrar na região n, reduz
o campo elétrico E e interrompe o processo avalanche;
Intensidade de campo elétrico • Ao passar ao circuito externo o campo elétrico volta ao
valor Ec, reiniciado o processo;
Diodos Gunn
• Não tem junção p-n (normalmente n-GaAs);
• Oscilação baseada na resistência negativa;
• A natureza da resistência negativa exibida pelo diodo Gunn permite que ela funcione como amplificador e
oscilador;
• São amplamente utilizado na fabricação de transmissores de baixa e média potencia, sistemas de
sensoriamento de proximidade, e em topologias de circuito como oscilador local e de bloqueio;
• Como o GaAs é um mau condutor, os diodos Gunn geram calor excessivo e, portanto, são normalmente
fornecidos com um dissipador.
n-GaAs
n+ n n+ Até 1 W em amplitudes de 10 a 30 GHz
Camada ativa
• A resistência negativa corresponde a valores de campo E em que os elétrons na BC apresentam valores
distintos adjacentes;
• O tempo que o pulso de corrente leva para passar nos níveis adjacentes da BC determina a frequência
operacional;
Diodos fotosensores
• Operado em polarização reversa;
• A corrente de saturação reversa
surge devido aos portadores
minoritários termicamente gerados
nos materiais p e n;
• Usados em sensores de alarmes e
outros.
Diodos fotoemissores
LED – Diodo emissor de luz (Light Emitting Diode)
• Região emissora: 01 – 1 polegadas;
• Tensão operacional: 1,7 – 3,3 V;
• Potência típica: 10 – 150 mW;
• Tempo de vida: 100.000 h.
𝑮𝒂𝒙 𝑨𝒍𝟏P𝒙 𝑨𝒔
𝑮𝒂𝒙 𝑨𝒔𝟏P𝒙 𝑷𝒙
𝐺𝑎𝐴𝑠 = infravermelho (IV)
𝐺𝑎𝐴𝑠S,T𝑃S,U = vermelho
𝐺𝑎Q 𝐴𝑙RPQ 𝐴𝑠 = vermelho
𝐺𝑎𝑁 = azul
𝐺𝑎Q 𝐼𝑛RPQ 𝐴𝑠V 𝑃RPV = IV
Dispositivos de imagem
Cathode Ray Tube (CRT)
Liquid Crystal Displays (LCD)
Digital Light Processing (DLP)
Projetor DLP Projetor DLP 3 Chip
DLP vs. LCD
Gas Plasma
Arquitetura dos LED
Edge-lit Local dimming
Imagem tende a escurecer no centro, com Imagem com aoto desempenho de bilho e
redução de contraste e bilho na região contraste. Economia de energia.
LED Displays
TV / Display
OLED - Diodo orgânico emissor de luz
ACTIVE MATRIX ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAYS (AMOLED)
Flexible Organic Light Emitting Displays (FOLED)
Transparent Organic Light Emitting Displays
Transistor
(Buracos e elétrons)
(Buracos ou elétrons)
Coletor (C) Dreno (D)
Base (B) Porta (G)
Emissor (E) Fonte (S)

Transistor bipolar de junção Transistor de efeito de campo
Transistor bipolar de junção PNP
Emissor Base Coletor
P N P
Si
Junção pn Junção pn
Transistor bipolar de junção NPN

N P N
Si
Junção np Junção pn
P N P
P N P
Transistor bipolar de junção NPN
N P N
N P N

𝐼Y (X) 𝐼Z (X)
+ -
+ -
+ P N P -
+ - Corrente
convencional
𝐼W(X)

𝐼Y (H) + - 𝐼Z (H)
+ -
+ P N P -
+ - Corrente dos
𝐼W (H) elétrons
Transistor bipolar de junção PNP Buracos e elétrons gerados
Base termicamente (corrente de

saturação reversa do coletor - ICO)
N
Elétrons que são injetados
!!(#)
da base para o emissor Elétrons que recombinam
com buracos advindos do
emissor

𝐼Y (X) 𝐼Z (X)
+ -
+ -
+ P N P -
+ - Corrente
convencional
𝐼W(X)
𝐼% = 𝐼& + 𝐼' ∴ 𝐼& = 𝐼&$%&'(&)*á&)( + 𝐼',- $).(&)*á&)(

𝐼Y (X) 𝐼W (X)
+ -
+ -
+ P N P -
+ - Corrente
convencional
𝐼W(X)
𝐼% = 𝐼& + 𝐼' ∴ 𝐼& = 𝐼&$).(&)*á&)( + 𝐼' ,- $).(&)*á&)(
𝐼Z ≤ 𝐼Y
𝐼W ≈ 10P[𝐼Y

𝐼Y (X) 𝐼W (X)
+ -
+ -
+ P N P -
+ - Corrente
convencional
𝐼W(X)
𝐼% = 𝐼& + 𝐼' ∴ 𝐼& = 𝐼&$).(&)*á&)( + 𝐼' ,- $).(&)*á&)(

Fator de transporte da base (a)
+!
𝐼Z ≤ 𝐼Y a=
+"
Fator de ampliação ou ganho de corrente (𝛽)

𝐼Z ≈ 10P[𝐼Y
p (portador carga p) 𝐼!
𝛽=
n (portador carga n) 𝐼,

𝐼Y (X) 𝐼Z (X)
+ -
+ -
+ P N P -
+ - Corrente
convencional
𝐼W(X)
𝐼- = 𝐼! + 𝐼,
𝐼% = 𝐼& + 𝐼' ∴ 𝐼& ≤ 𝐼%
𝐼& ≈ 10() 𝐼%
𝐼- = 𝐼-!"#$%#&'á#&% + 𝐼. )* !&+%#&'á#&%

𝐼Y (X) 𝐼Z (X)
+ -
+ -
+ P N P -
+ - Corrente
convencional
𝐼W(X)
Portador de carga majoritário

(Corrente de deriva)

𝐼Y (X) 𝐼Z (X)
+ -
+ -
+ P N P -
+ - Corrente
convencional
𝐼W(X)
Portador de carga minoritário

(Corrente de difusão)

𝐼Y (X) 𝐼Z (X)
+ -
+ -
+ P N P -
+ - Corrente
convencional
𝐼W(X)
Portador de carga majoritário

(Corrente de deriva)
2 µ𝑚
3 µ𝑚
20 µ𝑚
Fabricação: difusão ou implementação iônica (tecnologias planares)

Transistor bipolar NPN
Transistor bipolar PNP
Configuração base comum
• Esta montagem é utilizada de

forma menos frequente do
que as outras configurações
em circuitos de baixa de
baixa frequência.
• É utilizada para
amplificadores que
necessitam de uma
impedância de entrada
baixa. Como exemplo temos
o pré-amplificador de
microfones.
• É utilizado para
amplificadores VHF e UHF
onde a baixa capacitância da
saída à entrada é de
importância crítica.
Curvas características para transistor de Silício (Base comum)
Entrada (ponto de excitação) Saída
𝑽𝑩𝑬 = 𝟎, 𝟕 𝑽
Curvas características para transistor de Silício (Base comum)

Configuração coletor comum
• Esta configuração é
comumente utilizada
nos estágios de saída
dos amplificadores
Classe B e Classe AB,
na qual o circuito base
é modificado para
operar o transístor no
modo classe B ou AB.
• No modo classe A,
muitas vezes uma
fonte de corrente
ativa é utilizada em
vez do RE para
melhorar a
linearidade ou
eficiência.
Curvas características para transistor de Silício (Coletor comum)

Configuração emissor comum
• Os circuitos emissor
comum são utilizados para
amplificar sinais de baixa
voltagem, como os sinais
de rádios fracos captados
por uma antena, para
amplificação de um sinal
de áudio ou vídeo
Curvas características para transistor de Silício (Emissor comum)

Transistor FET
Transistor FET n (portador carga n)
Dreno (D)
+
+
+
+
+
+
+
+
Junção pn
Porta (G)
Canal n
P 𝑉#" > 0𝑉
𝑉!" = 0𝑉
N
---- ----
Fonte (S)
Dreno (D)
+
+
+
+
+
+
+
+
Junção pn
Porta (G)
P 𝑉#" = 0,5𝑉
𝑉!" < 0𝑉
N
---- ----
Fonte (S)
Dreno (D)
+
+
+
+
+
+
+
+
Junção pn
Porta (G)
P 𝑉#" = 1,0𝑉
𝑉!" < 0𝑉
N
---- ----
Fonte (S)
Dreno (D)
+
+
+
+
+
+
+
+
Junção pn
Porta (G)
P 𝑉#" = 1,5𝑉
𝑉!" < 0𝑉
N
---- ----
Fonte (S)
Dreno (D)
+
+
+
+
+
+
+
+
Junção pn
Porta (G)
P 𝑉#" = 2,0𝑉
𝑉!" < 0𝑉
N
---- ----
Fonte (S)
Dreno (D)
+
+
+
+
+
+
+
+
Porta (G)
P 𝑉#" = 2,5𝑉
𝑉!" < 0𝑉
N
---- ----
Fonte (S)
Transistor MESFET - Metal Semiconductor Field Effect Transistor - transistor de efeito de
campo metal – semicondutor
Contatos: Ge e Au (contato ôhmico) PORTA

FONTE DRENO
GaAs semi-isolante
Contatos metálicos: Al, W, Ti, Au (barreira Schottky).

S 𝑉#" > 0𝑉 D
𝑉!" = 0𝑉 G Junção pn
𝐼#" ≠ 0 𝐴
N
N+ N+
P
S 𝑉#" > 0𝑉 D
𝑉!" = 1𝑉 G
𝐼#" ≠ 0 𝐴
N
N+ N+
P
S 𝑉#" > 0𝑉 D
𝑉!" = 2𝑉 G
𝐼#" ≠ 0 𝐴
N
N+ N+
P
S 𝑉#" > 0𝑉 D
𝑉!" = 3𝑉 G
𝐼#" = 0 𝐴
N
N+ N+
P Pinch-off 𝑉!" = 𝑉$
S 𝑉#" > 0𝑉 D
𝑉!" > 0𝑉
Junção pn
G
N
N+ N+
P
Transistor MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - transistor de
efeito de campo metal – oxide - semicondutor ou Transistor de efeito de campo de porta
isolada - IGFET
NMOS
Curva dreno
Curva dreno
MOSFET – Tipo Depleção
Efeito capacitivo (polarização eletrônica)
Armadura condutora
∆𝑉 = 0 𝑉
Armadura condutora Material isolante (dielétrico)
-- +
+
-- +
+
𝑉 & -- 𝑉%
+
+
-- +
+
∆𝑉 > 0V
-- -+ - + + +
- + - - +
-- + +
- + + - +
- + -
𝑉%
+
& --
𝑉
+ - - + +
+
-- +
- +
+ -
+
+ - + - +
∆𝑉 > 0V
-- ++
++
+
+ -- --- -- +
++ + -- - -- +
-- ++ + -- -- -- +
++ + +
++ + -- -- --
𝑉%
++ +
& --
𝑉 ++ + -- -- -- +
++ +
-- ++
+
+ -- -- -- +
++ + +
∆𝑉 > 0V
𝑉#" = 0 𝑉 n (portador carga n)
𝑉!" = 0 𝑉
S G D
N
N+ N+
P 𝐼*+ = 0 𝑚𝐴
SS
𝑉!" = 0 𝑉 n (portador carga n)
𝑉#" > 0𝑉
S ----
G ---- D
+
+
+
+
----
+
+
+
+
N
N+ N+
P
SS
𝑉!" < 0 𝑉 n (portador carga n)
𝑉#" > 0𝑉
S ----
G ---- D
+
+
+
+
----
+
+
+
+
N
N+ N+
P
SS
𝑉!" = 0 𝑉
S G D
N
N+ N+
P 𝐼*+ = 0 𝑚𝐴
SS
𝑉!" > 0 𝑉 n (portador carga n)
𝑉#" > 0𝑉
S ----
G D
+
+
+
+
----
+
+
+
+
N
N+ N+
P
SS
𝑉!" > 0 𝑉 n (portador carga n)
𝑉#" > 0𝑉
S ----
G D
+
+
+
+
----
+
+
+
+
N
N+ N+
P
SS
Curva IV do dreno MOSFET de depleção - canal n
MOSFET – Tipo Intensificação (Enhancement)
𝑉!" = 0 𝑉
S G D
P P
N 𝐼*+ = 0 𝑚𝐴
SS
𝑉#" < 0𝑉
S G ---- ---- D ----
+
+
+
+
----
+
+
+
+
P P
N
SS
𝑉#" < 0𝑉
S G ---- ---- D ----
+
+
+
+
----
+
+
+
+
P P
N
SS
𝑉#" < 0𝑉
S G ---- ---- D ----
+
+
+
+
P P
N
SS
𝑉#" < 0𝑉
S G ---- ---- D ----
+
+
+
+
P P
N
SS
𝐼*+ ≠ 0 𝑚𝐴
Curva IV do dreno MOSFET de Intensificação - canal n
Arranjo básico para CMOS Inversor CMOS
SCR – Retificador Controlado de Silício
Cátodo
Gate
Ânodo
Avalanche
P1 (A)
n1
ℎ&
𝑒̅
P2
n2 (C)
• Para passar o tiristor ao
estado ligado é preciso que
a porta recebe um pulso
positivo de pequena
amplitude apenas por um
curto espaço de tempo;
• Permanece no estado
ligado enquanto a corrente
ficar acima de um certo
valor;
• Chaveamento (corrente
contínua);
• Controle de potência
(corrente alternada);
DIAC – Diodo bidirecional para corrente alternada (Diado AC)
IF
A1 A1
n
p
-VBR(R) IH
n
p VR VBR
•
-I Hligado é
A única maneira de o dispositivo passar para o estado
n excedendo a tensão de disparo
• Pode ser chaveado de desligado para ligado para qualquer das
A
polaridades2 de tensão
A2 • Útil para aplicações AC IR
Symbol
Triac (Triodo bidirecional para corrente alternada)
• Capaz de conduzir corrente em ambas as direções

direta e inversa, e pode ser controlado por um sinal na
porta, positivo ou negativo;
• Mais econômico e fácil de controlar;
• Dois SCR podem ser usados em vez de um triac caso a
potência a ser regulada seja maior do que os valores
nominais dos dispositivos;
• Limitações: baixa velocidade, que restringe a freq.
Operacional;
• Usados apenas para regular tensões AC de 60Hz;
MT2
MT1
V (MT 2 – MT1) > 0: Corrente de MT2 para MT1
V (MT 2 – MT1) < 0: Corrente de MT1 para MT2

Materiais isolantes (dielétricos)
Parâmetros operacionais
• Resistência de isolamento (transversal);

• Resistência superficial;
• Rigidez dielétrica;
• Rigidez dielétrica superficial;
• Perdas dielétricas (Efeito Joule);
• Fator de perda;
• Ruptura dielétrica;
• Efeito Corona.
Polarização eletrônica de materiais dielétricos
∆𝑉 = 0V
Polarização eletrônica de materiais dielétricos
-- +
+
-- +
+
𝑉 & -- 𝑉%
+
+
-- +
+
∆𝑉 > 0V
-- -+ - + + +
- + - - +
-- + +
- + + - +
- + -
𝑉%
+
& --
𝑉
+ - - + +
+
-- +
- +
+ -
+
+ - + - +
∆𝑉 > 0V
-- ++
++
+
+ -- --- -- +
𝜀
-- - --
𝜀#
++ + +
-- ++ + -- -- -- +
++ + +
++ + -- -- --
𝑉%
++ +
& --
𝑉 ++ + -- -- -- +
++ +
-- ++
+
+ -- -- -- +
++ + +
’ ∆𝑉 > 0V
𝜀
Comportamento dielétrico
Rsuperficial
=
Co, Qo C E , QE CI, QI CD, QD CS, QS

< 𝟏𝟎𝟒 𝑯𝒛
𝟏𝟎𝟖 𝑯𝒛
≈ 𝟏𝟎𝟏𝟑 𝑯𝒛
𝟏𝟎𝟏𝟔 𝑯𝒛
Materiais isolantes - dielétricos
1. Gases: Ar, anidrido carbônico, azoto, hidrogênio, gases raros, hexafluoreto de enxofre.
Ar atmosférico (seco, a 20 oC) = 45 kV/mm ...... 3k V/mm.

1. Gases: Ar, anidrido carbônico, azoto, hidrogênio, gases raros, hexafluoreto de

enxofre.
2. Líquidos: Tensão de ruptura
• Óleos minerais: óleos para transformadores, interruptores e cabos. • 80 - 140 kV/cm (classes de
tensão de 34,5 - 220 kV -
• Dielétricos líquidos à prova de fogo: Askarel. transformadores para redes);
• 40 - 80 kV/cm (classes de
tensão de 34,5 - 69 k -
• Óleos vegetais: Tung, linhaça. dispositivos de comando).
• Óleos de silicone.
• Solventes: (empregados nos vernizes e compostos isolantes) Álcool,
tolueno, benzeno, benzina, terebentina, petróleo, nafta, acetatos
amílicos e butílicos, tetracloreto de carbono, acetona.
Características de óleo para papéis de cabos
Variação das perdas dielétricas de óleos minerais em função do grau de pureza e do envelhecimento
2. Líquidos:
• Óleos minerais: óleos para transformadores, interruptores e cabos.
• Dielétricos líquidos à prova de fogo: Askarel.
• Óleos vegetais: Tung, linhaça.
• Solventes: (empregados nos vernizes e compostos isolantes) Álcool, tolueno,
benzeno, benzina, terebentina, petróleo, nafta, acetatos amílicos e butílicos,
tetracloreto de carbono, acetona.
Askarel
2. Líquidos:
Óleos Vegetais
2. Líquidos:
Óleo de silicone
3. Sólidos aplicados em estado líquido ou pastoso:
• Resinas e plásticos naturais: resinas fósseis e vegetais, materiais
asfálticos, goma laca.
• Ceras: cera de abelhas de minerais, parafina.
• Vernizes e lacas: preparados de resinas e óleos naturais, produtos
sintéticos, esmaltes para fios, vernizes solventes, lacas.
• Resinas sintéticas: (plásticos moldados e laminados) resinas fenólicas,
caseína, borracha sintética, silicones.
• Compostos de celulose: (termoplásticos) acetato de celulose,
nitrocelulose.
• Plásticos moldados a frio: cimento portland empregado com resinas
ou asfaltos.
Resinas
• A maioria das resinas se apresenta

quebradiça à temperatura ambiente,
dependendo da maior espessura da
camada em que se encontram. Em
camadas finas se tornam flexíveis.
• As resinas podem ser classificadas

em naturais e sintéticas. Resinas
naturais são de origem animal (como
a goma-laca) ou vegetal (Kopal).
• Resinas e plásticos naturais: resinas fósseis e vegetais, materiais
asfálticos, goma laca.
• Vernizes e lacas: preparados de resinas e óleos naturais, produtos
sintéticos, esmaltes para fios, vernizes solventes, lacas.
• Resinas sintéticas: (plásticos moldados e laminados) resinas fenólicas,
caseína, borracha sintética, silicones.
• Compostos de celulose: (termoplásticos) acetato de celulose,
nitrocelulose.
• Plásticos moldados a frio: cimento portland empregado com resinas
ou asfaltos.
Ceras e parafinas
• É o material pastoso não-polar mais usado e mais barato. É obtido de uma das fases
de decomposição do petróleo, com elevado teor de metana, através de uma
destilação adequada.
• Resinas e plásticos naturais: resinas fósseis e vegetais, materiais asfálticos, goma laca.
• Vernizes e lacas: preparados de resinas e óleos naturais, produtos sintéticos, esmaltes para fios,
vernizes solventes, lacas.
• Resinas sintéticas: (plásticos moldados e laminados) resinas fenólicas, caseína, borracha sintética,
silicones.
• Compostos de celulose: (termoplásticos) acetato de celulose, nitrocelulose.
• Plásticos moldados a frio: cimento portland empregado com resinas ou asfaltos.
Vernizes
• Os vernizes são produtos resultantes de sinas

com um solvente, este último eliminado na
fase final do processo
• Tipos:
• Vernizes de impregnação;
• Vernizes de recobrimento;
• Vernizes de colagem.
• Resinas e plásticos naturais: resinas fósseis e vegetais, materiais asfálticos, goma
laca.
• Vernizes e lacas: preparados de resinas e óleos naturais, produtos sintéticos,
esmaltes para fios, vernizes solventes, lacas.
• Resinas sintéticas: (plásticos moldados e laminados) resinas fenólicas, caseína,
borracha sintética, silicones.
Resinas sintéticas - pasta de silicone
• lubrificantes do que elétrico.
• proteção antioxidante de peças de contato.
• articulações condutoras .
• pastas de recobrimento de partes isolantes

expostas que devem manter elevada resistividade
superficial.
laca.
4. Sólidos:
• Minerais: quartzo, pedra sabão, mica, mármore, ardósia, asbesto.
• Cerâmicos: porcelana, vidro, micalex.
• Materiais da classe da borracha: borracha natural, guta-percha, neoprene, buna.
• Materiais fibrosos (tratados e não tratados): algodão, seda, linha, papel, vidro,
asbesto, madeira, celofane, rayon, nylon.
Minerais
Mica Amianto
• elevada estabilidade térmica (temperatura de • É um material mineral fibroso de silicato de
serviço de até 1000 oC – limitada pela resina). magnésio
• Reforçado com papel ou tecido .(micanite) • alta temperatura de serviço, mantendo sua
• Relativamente higroscópica. resistência mecânica e flexibilidade
• rigidez dielétrica de 15 a 20 kV/mm, havendo, praticamente inalteradas.
porém casos em que atinge 40 kV/mm. • preenchimento de fusíveis do tipo
encapsulado, atuando como elemento
extintor, em substituição à areia
• Placas;
• Lâminas;
• Pó.
muscovita
K2O.3Al2O3.6SiO2.2H2O
flogopita
K2O.3Al2O3.12MgO.12 SiO2.2H2O
3MgO.2SiO2.2H2O
Pó de amianto Fibras e tecido de amianto
laca.
4. Sólidos:
Materiais cerâmicos
1.Porcelana de isoladores - Destinada a fabricação de
isoladores de baixa, média e alta-tensão, para redes
elétricas, dispositivos de comando, transformadores, etc.
Deve apresentar comportamento elétrico e mecânico
adequado.
2. Cerâmica de capacitores - Distingue-se pela elevada

constante dielétrica, aplicando-se em capacitores de baixa e
alta-tensão. Não são solicitados por esforços mecânicos
elevados.
3. Cerâmica porosa - Próprios para receber fios resistivos

destinados à fabricação de resistores de fornos elétricos e
de câmaras de extinção.
Componentes básicas das porcelanas: quartzo (térmico), feldspato (elétrico),

caolim + argila (mecânico)
Classificação de materiais isolantes cerâmicos de acordo com suas fases cristalinas
laca.
4. Sólidos:
Borrachas
• Aplicação como capa externa de cabos, mas não
como isolamento devido aos átomos de cloro,
que são grupos polares Neoprene
1,3-Butadieno:
(Vulcanização
com Enxofre)
elastômero sintético policloropreno
Não permite temperaturas de serviço acima de 75 oC

laca.
4. Sólidos:
Fibras sintéticas
• Fibras de poliamida – São usadas • Fibras de vidro - associadas a resinas

como reforços mecânicos de cabos de epoxes, são utilizadas como material
utilização especial (ação do fogo, isolante em câmaras de extinção do arco
elevada flexibilidade e capaz de voltaico e em disjuntores de média e
suportar elevados esforços de tração). alta-tensão com reduzido volume de
óleo.
Verniz de colagem
Papel
• É muito frequente até os dias atuais o uso de papel para finalidades elétricas, sobretudo devido à grande
flexibilidade, capacidade de obtenção em espessuras pequenas, preço geralmente razoável e estabilidade
térmica em torno de 100 oC, o que é também razoável.
• O maior problema do papel está em sua elevada higroscopia, o que condiciona seu uso na eletrotécnica e
uma impregnação adequada com óleos ou resinas.
Classificação dos materiais isolantes em relação à sua estabilidade térmica em
serviço (NBR 7034)
Vidro
• composto de óxido de silício e de boro, nas
formas SiO2 e B2O3; acrescentam-se a esses
dois uma grande série de aditivos, tais como
os óxidos alcalinos K2O e Na2O
• Apresenta elevadas perdas dielétricas, de

modo geral, que ainda se elevam com
elevação de temperatura.
• Não é recomendado para sistemas em

frequência elevadas.
Classificação dos vidros
• Vidros sódio-cálcicos (Na2O.CaO.6SiO2):
• podem apresentar pequenos acréscimos de Al2O3, BaO, MgO e outros.
• São empregados em vidraças, garrafas e outros casos não elétricos.
• Apresentam baixo ponto de fusão.
• Vidros cálcio-cálcicos (K2O.CaO.6SiO2):

• apresentando alto ponto de fusão e boa resistência química.
• Vidros de cálcio-chumbo (K2O-PbO.6SiO2)

• Podem conter acréscimos do tipo CaO e BaO.
• Tem baixo ponto de fusão, apresentam elevado índice de refração perante a luz.
• Seu uso é encontrado em vidro óptico e cristal de chumbo.
• Vidro de silicato de boro e alumínio, com acréscimos de sódio (Na2O), bário (BaO), cálcio (CaO) e
outros.
• Apresentam bom comportamento químico e térmico.
• São apropriados para termômetros e finalidades químicas diversas.
Espécies, como por exemplo, vidro de quartzo que deixa passar as radiações ultravioletas e é insensível a
variações de temperatura.
Ligas resistivas
• ligas para aquecimento devem ter elevada

resistência à corrosão na temperatura de
resistividade elétrica variável entre serviço e adequadas dilatação e irradiação.
20 x 10-8 e 150 x 10-8 Ωm
• ligas resistivas para medição e regulação
devem ter variação linear de resistividade
com a temperatura.
Tipos de ligas resistivas
1. Ligas de níquel-cromo: é uma liga de alta resistividade, resistência mecânica elevada a frio e a quente,
grande resistência à oxidação em altas temperaturas e sua resistividade varia pouco com a temperatura.
Estas propriedades conferem a estas ligas ótimas características para aplicações em fornos elétricos e
aquecimento em geral. Exemplos: Nicromo V (80% Ni + 20% Cr), Cromax (30% Ni + 20% Cr + 50% Fe),
outras composições de Ni + Cr + Fe.
2. Ligas de níquel-cobre: a principal característica destas ligas é que as mesmas são termoestáveis, isto é,
sua resistência praticamente não varia com a temperatura e por isso são usadas em termopares,
resistências de precisão e resistência para reostatos em máquinas de precisão. Exemplo: Constantan
(40% Ni + 60% Cu).
3. Ligas de cromo-ferro: constituem-se em ótimas ligas para utilização em aquecimento elétrico em geral,
tais como fornos industriais, ferro de solda, chuveiro, placas de cozinha, etc. Composição: Cr + Fe + Al +
Co.
4. Ligas de cobre-manganês: liga de elevada estabilidade térmica, sendo porém recomendada para
aplicações até 400 oC. Exemplos:
• Manganina (86% Cu + 12% Mn + 2% Ni) – liga termoestável, é usada em shunt de medidores e na
fabricação de resistores de precisão para instrumentos de medição;
• Novo Konstatan (82,5% Cu + 12% Mn + 4% Al + 1,5% Fe) - liga de baixa variação da resistividade com a
temperatura e usada para resistores de medição, reostatos e, eventualmente, para aquecimentos até 400
oC.
4. Ligas de prata: ligas de resistividade elevada, apresentam variação inversa da resistividade com a
temperatura, o que justifica o seu uso em circuitos de compensação dependentes da temperatura, como
resistores de regulação. Exemplos: ligas de Mg + Ag + Sn com, às vezes, acréscimo de germânio.
5. Ligas de ouro-cromo: o ouro, com pequeno acréscimo de cromo, tem sua resistividade bastante
aumentada, que através de adequado tratamento térmico, varia inversamente com a temperatura. Estas
ligas são utilizadas em resistores de precisão e em padrões. Exemplo: liga de 2% Cr + Au.
Capacitores
São dispositivos passivos utilizados em circuitos eletrônicos como filtros e acumuladores de energia. Consistem
basicamente de dois eletrodos metálicos paralelos isolados por um material dielétrico (ou isolante).
Para materiais isolantes, também chamados materiais dielétricos, a permissividade é expressa em termos da
permissividade no vácuo e0 multiplicada pela constante dielétrica do material k:
CAPACITORES Profs. Fernando Luiz Mussoi e Marco V. Villaça
TABELA I - CONSTANTE DIELÉTRICA (K) PARA DIVERSOS MATERIAIS
Material Constante Dielétrica K K Usual

Vácuo 1 1
Ar 1,0001 1
Água 78,0 78
Óxido de Alumínio 7a8
Cerâmica ≥ 10
Vidro 4 a 10 8
Vidro Pyrex 4,5 4,5
Mica 6a8 6
Papel 2a5 3,5
Pertinax 5 5
Policarbonato (MKC ou MAC) 3 3
Poliéster (MKT) 3,0 a 3,2
Polipropileno (MKP) 2,1 a 2,3
Poliestireno (MKS) 2,5 2,5
Porcelana 4a8 6,5
Óxido de Tântalo 11 11
Teflon 2,0 a 2,1
Baquelite 4,8 4,8
Fontes: referências 11 e 16
Tipos de capacitores
Tipos de Capacitores
Os capacitores são classificados, geralmente, com relação ao material do

seu dielétrico. Os tipos mais comuns são:
• Capacitores Cerâmicos (disco cerâmico, tipo “plate” e multicamadas);
• Capacitores de Filme Plástico (de poliéster, policarbonato, polipropileno e
poliestireno);
• Capacitores Eletrolíticos de Alumínio;
• Capacitores Eletrolíticos de Tântalo;
• Capacitores Variáveis.
• Capacitor com terminais axiais.

• Capacitor com terminais radiais.
Capacitores de disco cerâmico
Características:
• Capacitâncias de média a baixa, na ordem de PICOFARADS.
• Circuitos que operam em alta freqüência, onde o baixo fator de perdas e a alta estabilidade do
valor da capacitância são importantes.
• Variação da capacitância em função da temperatura:
• capacitores cerâmicos tipo Uso Geral (GP – General Purpose);
• capacitores cerâmicos tipo GMV (mínimo valor garantido);
• capacitores cerâmicos tipo TC (temperatura compensada):
• NPO, CGO ou pela letra N seguida de um número.
Identificação da Capacitância Nominal do Capacitor Cerâmico:
Os capacitores cerâmicos geralmente podem ser identificados por:

• Leitura direta em picofarads (pF ou 10-12 F) no corpo do capacitor.
• Um código de 3 algarismos , sendo que os dois primeiros indicam a unidade e a dezena e o terceiro
algarismo indica o número de zeros, também em picofarads (pF).
Identificação da Tolerância:
A tolerância do capacitor cerâmico é expressa por uma letra geralmente após o valor da capacitância.
Identificação quanto as características de temperatura
• Nos capacitores tipo TC pode aparecer impresso no capacitor o coeficiente de temperatura (ex: NPO e N)
ou um código equivalente (ex: NPO = C)
• Nos capacitores tipo GP e GMV os capacitores são identificados com siglas diversas, conforme:
Identificação da tensão nominal:
A tensão nominal nos capacitores cerâmicos geralmente pode:

• Ser impressa diretamente no corpo do capacitor, em V ou kV
• Não ser impressa (identificação por catálogo do fabricante). Geralmente
500 V para os maiores e 100 V para os mini-discos
• Ser identificada por um código (ex: um traço ( _ ) indica tensão nominal de 100 V)
Capacitores Cerâmicos “Plate”
Características:
• tamanho ultra reduzido;
• grande estabilidade no valor da capacitância;
• baixo custo e uma estreita faixa de tolerância (+/-2% nos capacitores tipo TC).
Identificação das Características dos Capacitores “Plate”:
• As características dos capacitores “Plate” são descritas com base na cor do corpo do capacitor e pela
cor da faixa superior.
• O valor da capacitância é gravado no próprio corpo de capacitor. Ela é indicada por dois números e
uma letra (ocupa o lugar da vírgula e indica a sub-unidade da capacitância.
Capacitores cerâmicos multicamadas
• São construídos a partir da superposição de finas camadas de material dielétrico cerâmico com metal
depositado sobre suas superfícies formando uma espécie de “sanduíche”;
• As camadas metálicas individuais são conectadas umas às outras através de uma terminação metálica
onde são soldados os terminais de capacitor
Capacitores de Filme Plástico
Caracterizam-se por apresentarem como dielétrico uma lâmina de material plástico . Sua capacitância é da
ordem de NANOFARADS.
Características:
• Baixíssimas perdas no dielétrico;
• alta resistência de isolação;
• estabilidade da capacitância;
• baixa porosidade e conseqüente resistência à umidade.
Tipos:
• Poliéster (MKT);
• Prolipropileno (MKP);
• Poliestireno (MKS);
• Policarbonato (MKC ou MAC).
Identificação dos Capacitores de Filme Plástico:
• Leitura Direta dos valores impressos: no corpo dos capacitores de filme plástico normalmente vêm
indicadas a capacitância nominal (um número), a tolerância (em letra maiúscula) e a tensão nominal (um
número com unidade, geralmente).
Dicas: Se o valor impresso for maior que 1, o valor é indicado em picofarads (pF)
Se o valor impresso for menor que 1, o valor é indicado em microfarads (μF)
Tolerância: similar as dos capacitores de discos cerâmicos

Estrutura construtiva do
capacitor de filme plástico
metalizado sanfonado
Estrutura construtiva do
capacitor de filme plástico
não metalizado bobinado
Tensão: indicada diretamente no corpo do capacitor (Leitura por código de cores)
Capacitores Eletrolíicos de Alumínio
É cons}tuído de duas armaduras, nas qual o cátodo apresenta um fluído condutor (eletrólito) e não
somente uma armadura metálica. O anodo, é cons}tuído de uma folha de alumínio em cuja super•cie é
formada, por processo eletroquímico, uma camada de óxido de alumínio servindo como dielétrico.
Não ligar capacitores eletrolíticos com polaridade invertida!

Capacitores eletrolíticos são usados apenas em situações de tensão contínua – processo eletroquímico (ou AC até 2 V)!
Capacitores eletrolíticos costumam apresentar “Capacitância em Corrente Contínua” 1,1 a 1,5 vezes
superior à “Capacitância em Corrente Alternada”.
A capacitância nominal dos capacitores eletrolíticos é normalmente medida a 120 Hz, sendo portanto uma
“Capacitância em Corrente Alternada”.
Capacitores eletrolíticos “envelhecem” quando são guardados por longos períodos.
Capacitores eletrolíticos “bipolares”
Nesses capacitores utiliza-se folha de alumínio anodizada (oxidada) também na folha do catodo.
Desta forma, pode-se usar esses capacitores tanto em tensões contínuas sem preocupação quanto à
polaridade, assim como em tensões alternadas. No entanto, um capacitor eletrolítico bipolar tem
praticamente o dobro do volume de um capacitor não-bipolar com mesmo valor de capacitância. Também
multiplica-se pois dois a corrente de fuga, pois o dielétrico apresenta o dobro da área de contato.
Tipos de capacitores eletrolíticos:
• Polarizados;
• Não-Polarizados (bipolares).
Identificação dos capacitores eletrolíticos:

• As características nominais de capacitância, tensão e tolerância, diretamente impressas
no corpo do capacitor.
• A capacitância nominal vem impressa em microfarads (μF ou 10-6F).
Disposi•vo de segurança - capacitor de potência
Capacitores Eletrolíticos de Tântalo
São designados para aplicações em circuito impresso e que requeiram baixa corrente de fuga e baixo fator de perdas.
Oferecem ainda:
• Longa vida operacional;
• Grande compacticidade (alta capacitância em volume relativamente reduzido);
• Elevada estabilidade dos parâmetros elétricos.
Identificação dos capacitores de tântalo:

• Geralmente trazem o valor de sua capacitância impressa diretamente no corpo, em microfarads (μF ou 10-6F).
• A tensão nominal e a polaridade geralmente vêm impressas no corpo do componente.
Capacitores Variáveis:
• Capacitores variáveis são aqueles que permitem que o seu valor de capacitância seja variado dentro
de uma determinada faixa de valores.
• Estes capacitores são usados nos circuitos de sintonia, por exemplo.
Trimmers:
• São constituídos geralmente por 2 placas metálicas, separadas por uma lâmina de mica, dispostos de tal forma que é
possível variar-se a separação entre ambas mediante a pressão exercida entre elas por um parafuso.
Propriedades de capacitores comerciais
Propriedades magnéticas
Intervenções médicas
• Prevenção e tratamento de protatites crônicas, radiculites, obesidade
mórbida, pedras nos rins, hipertensão arterial, etc.
Dispositivos magnéticos para agricultura

• Redução de processos de germinação de sementes, enriquecimento de
sabor, aumento da produção de leite, aumento do peso de aves, etc.
Tratamento de água e controle ambiental

• Dessalinização de água, tratamento de águas fluviais, mediação, etc.
Industria da construção civil

• Modificação da plasticidade de cimentos e argamassas, aumento da resistencia
mecanica de estrututras de concreto
Disposihvo magnéhcos para geração e distribuição de energia

• Sistemas ferromagnéTcos, transformadores de potência, módulos de
armazenamento de energia, etc.
Dispositvos magnéticos de armazenamento de dados

• Memórias não voláteis, MRAM, etc.
Armazenamento magnético
8.000 X
12 Mbyte/mm2
500.000 X
Direção da corrente Eletromagneto
Superfície do disco
is co
d od
ta ção
ro
de
re ção
Di
Partículas de Fe
MagneWsmo
Fenômeno segundo o qual materiais impõem uma força, ou influência atrativa ou repulsiva,
sobre outros materiais.
Dipolo magnético
Alinhamento de domínios magnéticos
Quando os domínios estão alinhados, o material está magnezzado.

1
Vetor magnetização: 𝑀 = > 𝜇3
𝑉
Densidade de fluxo magnético: Φ = A 𝐵. 𝑠⃗

4
Vetor indução magné•ca (B): 𝐵 = 𝜇5 𝐻 + 𝑀 ∴ 𝜇5 = 4𝜋 𝑥1067 𝑁/𝐴8

3
Vetor intensidade de campo
O 𝐻 . 𝑑𝑙 = > 𝑖:
magnética (H): :;<
𝑀
Suceptibilidade magnética: χ =
𝐻
Permeabilidade magnética: 𝐵 = 𝜇𝐻 ∴ 𝜇 = 𝜇5 . 𝜇9
Materiais magnéacos
Diamagnético Paramagnético Ferromagnéaco
Antiferrimagnético
Ferrimagnético
Diamagnéticos
Paramagnéacos
Ferromagnético
Materiais magnéticos
Diamagnéaco Paramagnético Ferromagnético
Antiferromagnético
Ferrimagnético
Antiferromagnetismo Ferrimagnezsmo
Dominios magnéticos
10-6 – 10 -3 m
Etotal = Etroca + Emagnetostá4ca + Eanisotrópica + Emagnetostrição

• Energia de troca: energia de intercâmbio entre dois elétrons cuja diferença de energia eletrostázca resulta de que
os spins paralelos possuam uma energia mínima de troca. cada dipolo magnézco atômico sofre a ação de um
campo magnézco médio criado pelos vizinhos, que tende a fazer com que os vizinhos muito próximos formem um
domínio de momentos magnézcos na mesma direção;
• Energia magnetostáhca: a energia associada ao campo magnézco produzido por um ímã permanente é reduzida
com a formação dos domínios magnézcos. Com um maior número de domínios magnézcos, o campo magnézco
fica mais confinado as vicinalidades dos materiais;
• Energia de anisotropia magnetocristalina: é a preferencia dos ímãs atômicos de se orientarem segundo certos
eixos cristalino do material;
• Energia de magnetostrição: alguns materiais ferromagnézcos sofrem uma tensão em sua rede cristalina quando
submezdos a um campo magnézco externo e mudam suas dimensões para aliviar tais tensão. Se o campo for
aplicado na direção preferencial de magnezzação, o cristal se alonda. Caso contrário, o cristal é comprimido;
Anisotropia e Magnetostrição
Fe Ni
Co
Saturação magnética
Magnetostáaca
Curva de magnetização (do estado virgem ao estado magnético saturado)
Produto de energia máxima
2º Quadrante 1º Quadrante
2º Quadrante
(𝐵𝑀)5á7 = 𝐵' . 𝐻'
Fator de quadratura
2º Quadrante
𝐵3
𝐹𝑄 =
𝐵4'
0,9 BR
Bk = 10% de Hk em relação a BR
3º Quadrante 4º Quadrante Hk
!
Curvas de histerese medida com uma densidade de fluxo modulada sinusoidalmente com frequência de 50 Hz e campo magnético
variável de 0,3 - 1,7 T.
• B = Densidade de fluxo magnético

• H = Campo magnético
• BR = Remanência
• HC = Coercividade
Perdas por Histerese
As perdas por histerese são devidas à energia dissipada, necessária ao movimento, para um lado e para o
outro dos domínios durante a magnetização e desmagnetização de um material magnético.
Unidade de HB = J/m3.
Magne•zação AC de material ferromagné•co
Magnetização DC com polarização AC de material ferromagnético (sinais de áudio)
Hdc
Hdc
A magnetização de saturação é máxima a 0 K, diminui gradualmente com o aumento de temperatura até
cair abruptamente a zero na chamada “temperatura de Curie”.
• ferro – 775 oC;
• níquel – 360 oC;
• cobalto – 1110 oC. Magnezzado Desmagnetizado
Núcleos magnézcos laminados e compactos
Duro
Duros: Materiais adequados para ímãs permanentes e despositivos
de memória (alta indução remanente e alta força coersiva).
Mole
Moles: Materiais adequados para motores e transformadores (menores

perdas associadas a campos alternados típicos de uma corrente
alternada).
Ferro
• Em sua forma pura apresenta uma saturação magnézca elevada (próximo a 1 Wb.m-2);
• Seu fluxo de saturação se reduz com a adição de outros metais (exceto Co);
• Quando acrescido de Co (30 – 40 %) tem seu fluxo de saturação elevado em 10 %;
• Pequenas quanzdades de Carbono, óxidos, etc., influenciam negazvamente suas propriedades magnézcas;
• A permeabilidade de materias ferrosos varia entre 300 e 10.000.
Ferro e aço fundido para máquinas girantes
• A forma mais barata é o ferro fundido normal, composto de C e ferrita com taxa
de tração admissível de até 120 N.mm-2;
• Os valores médios de indução variam em torno de 0,60 – 0,90 Wb.m-2, com um
valor máximo de permeabilidade de 240;
• O ferro fundido temperado apresenta melhores caracteríshcas mecânicas e
magnéhcas, com taxas admissíveis de tensão três vezes superiores ( 3 – 4 N.mm-
2). Por outro lado, seu valor de Hc se reduz a ¼ do valor do ferro fundido normal
(aproximadamente 140 A.m-1) e sua indução se eleva a quase o dobro;

Estrutura de um motor de indução fechado
Ligas de Ferro-Silício
• É utilizado na fundição de peças e fornecido como chapas com espessura entre 0,3 – 2 mm (bitola menores que 1
mm);
• Reduzindo as perdas pelas correntes de Foucault ( corrente parasita), reduzir as perdas de histerese e o
envelhecimento.
• São geralmente fabricadas sob a forma de tiras ou chapas.
• Nos transformadores, que são máquinas estáticas, usam-se as percentagens mais altas e nos motores e geradores,
máquinas rotativas, valores mais baixos
• Teores acima de 4,5% de Si dificultam a estampagem das chapas (endurecimento mecânico);
• Apresentam elevada anisotropia cristalina;
• Podem ser fabricadas chapas com grão orientados (laminação a frio e recozimento);
• Chapas para dispositivos de núcleo de posição móvel – rotores (laminação a quente).
Ímãs permanentes
• Devem apresentar um elevado magnetismo residual (materiais magnéticos duros;
• Laço de histerese de e ser largo e bastante alto;
• Devem manter por um tempo suficientemente longo o magnetismo residual (Br),
sem alterá-lo perante variações de temperatura e ação de forças mecânicas.
a) Ligas de aço-carbono:
• São utilizadas em ímãs permanentes de baixa demanda magnética;
• Apresentam cerca de 3% de Cr e sofrem têmpera a 800 – 850 oC, durante 10 – 15
min;
• Seu envelhecimento (magnético e estrutural) pode ser controlado pela adição de
Si e/ou W;
• Seu magnetismo residual e força coercitiva podem ser elevados pela adição de Cr,
Mo, W, Mn, dentre outros metais.
b) Ligas de aço sem carbono:

• São ligas de Fe, Ni e Al;
• Quanto maior o teor de Ni e Al adicionados, maior será a força coercizva (10
vezes superior ao aço-carbono); todavia, o magnezsmo residual se reduz com a
redução do teor de Fe;
• Quando submezdas a têmperas de 1100 – 1200 oC e resfriamentos bruscos a 600
– 700 oC adquirem caracteríszcas de imãs permanentes;
• A liga 50,5Fe+3,5Cu+8Al+14Ni+24Co apresenta uma magnezzação remanescente
elevada (1,2Wb.m-2) e curva de magnezzação retangular no senzdo preferencial
de magnezzação.
Materiais Empregados na Fabricação de Ímãs Permanentes
Ligas Ferromagnéticas Diversas
a) Ligas Ferro-Níquel
• Elevada permeabilidade magnética perante baixas intensidades de campo;

• Permalloy: (70 – 90%) Ni + (30 – 10%) Fe – apresenta baixa resistência elétrica (alta correntes
parasitas);
• A resistividade elétrica da Permalloy pode ser aumentada pela adição de Cu (5%) ou Cr (3%);
• O Permalloy apresenta permeabilidade magnética 15 – 20 vezes maior do que as outras ligas de Fe-Ni
(para baixos campos H);
• Permalloy é usado em telecomunicação, núcleos transformadores, relês, bobinas, blindagens
magnéticas, etc.
Classificação ligas Fe-Ni
1. Grupo I (até 35% Ni):
• Possuem baixa permeabilidade em alta frequência;
• Usado em transformadores de radiofrequência;
• Quando em lâminas são usados em componentes eletrônicos de média e
alta frequência;
• Nomes comerciais:
• Anhyster A e B;
• Rhometal;
2. Grupo II (35 - 50% Ni):

• Permeabilidade e resiszvidade menores do que as do Grupo I;
• São empregadas na radiotécnica, sempre que a frequência não é muito
elevada;
• Indicadas quando se tem sobreposição de corrente alternada com corrente
con~nua (transformadores de enlace);
• Anhyster C e D; • Hypernik;
• Radiometal; • Permenorm.
3. Grupo III (≈ 85% Ni):
• Usados em instrumentos de medida e transformadores de instrumentos de
elevada precisão e tamanho reduzido;
• Mumental;
• Permalloy.
b) Ligas Alumínio-Ferro-Cobalto
• Quando em pó é utilizado para fabricação de núcleo compactado (ferríticos);

• Liga muito dura na qual peças são produzidas por fundição;
• Usados em instrumentos de medição;
• Alsifer.
c) Ligas Ferro-Cobalto
• Elevada ponto de saturação (em torno de 2,5 T) – superior o Fe-Si;

• Em ligas com (50 - 70%)Co são usados como núcleos de alto falantes, membranas de cápsulas
telefônicas, oscilógrafos, etc.
Piezoeletricidade
• É a capacidade de alguns cristais gerarem corrente elétrica por resposta a uma pressão mecânica;
• O efeito piezoelétrico é reversível pois os cristais piezoelétricos, quando sujeitos a uma tensão externa,
podem sofrer variações de forma;
• Sólidos cristalinos não centro-simétricos;
• Exemplos:
• Quartzo (SiO2)
• Titanato zirconato de chumbo – PZT (Pb0,5Zr0,5TiO3)
• Titanato de bário – BaTiO3)
• Transformações mecânico-elétrica
• Medidor de pressão;
• Isqueiro elétrico;
• Alarme an}furto;
• Agulha do toca-discos.
• Transformações elétrico-mecânica
• Banho de ultra som;
• Nebulizadores;
• Aparelhos elétricos contra mosquitos;
• Alto-falantes;
• Aparelhos para destruir pedras nos rins.
(Dipolo dielétrico nulo)
(Dipolo dielétrico não nulo)
Piezoeletricidade
Efeito Piezo
(Geração interna de carga
elétrica resultante de uma
força mecânica aplicada)
Efeito Piezo Inverso

(Geração interna de uma
tensão mecânica resultante
de um campo elétrico
aplicado)
Transdutor para Transdutor sonoro
ondas de ultrasom
Surface Acuszc
Waves (SAW)
Limitações dos materiais piezoelétricos
• Envelhecimento natural (e acelerado pelas condições de uso);
• Instabilidade das propriedades em função de variações de temperatura;
• Limites de excitação elétricos e mecânicos;
• Sendo a temperatura e suas variações as principais protagonistas destas
limitações.
Titanato zirconato de chumbo – PZT (Pb0,5Zr0,5TiO3)
Estrutura da peroviskita PZT (1) acima (não piezoelétrico) e (2) abaixo da Temperatura de Curie (piezoelétrico) .
Ferroeletricidade
Polarização espontânea – dipolos elétricos permanentes
cúbica tetragonal
(peroviskita) Titanato de Bário - BaTiO3 ® Temperatura

de Curie Ferroelétrica = 120 oC

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TECNOLOGIA DE MATERIAIS

Prof. Francisco Sávio Mendes Sinfrônio

• “Eletromagnetics”, Kraus, J. D., Mc Graw Hill, Inc. 1991.

• “Física do Estado Sólido”, N. W. Ashcroft, N. D. Mermin. São Paulo, Cengage (2011).

Classificação funcional dos materiais

A estrutura dos materiais pode ser

Subatômico Atômico Microscópico Macroscópico

Ligação entre moléculas de água

Ligação forte – interação eletrostática atrativa entre íons.

Densidade eletrônica na região intersticial (entre os átomos no cristal).

(Célula unitário do cristal de O2)

(Estrutura de uma das

Dúctil, elevada resistência mecânica, alta Átomos metálicos e não-

Frágil, isolante térmico e elétrico, alta

Dúctil, baixa resistência mecânica, baixa dureza,

Compósitos Alta relação resistência/peso, alta dureza, etc. Matriz + ligante

1019 átomos/cm3 1022 átomos/cm3 1023 átomos/cm3

Materiais cristalinos, têm uma estrutura altamente organizada, em contraposição aos

Fronteira entre dois cristais de TiO2. Carbono amorfo.

Alumínio (estrutura cúbica) Magnésio (estrutura hexagonal)

Sólidos parcialmente cristalinos:

solidificação ultra-rápida vidros metálicos

FeBSiNbCu Exemplos de vidros metálicos : Au-Si; Pd-Si;

Termofixos: Completamente amorfos Termoplásticos: Parcialmente cristalinos

Modelo bidimensional para um

https://encrypted- esferulita PET

Células Menor “tijolo” que

Excessão: quasecristais de Shechtman

Fator de empacotamento atômico

Fator de empacotamento atômico

Cd, Mg, Ti, Zn

A rede HC é tão compacta quanto a CFC

Cúbica de corpo Hexagonal compacta (HC)

DIAMENTE GRAFITE FULLERENO C60 NANOTUBO

Monocristalina (ef. 9,40%) Policristalina (ef. 6,57%)

Condutores, Isolantes, semicondutores, Ligas

• Função de onda para uma partícula na caixa:

Influência da deformação plástica

• Para T > 0 K, alguns

A probabilidade de encontrar um elétron em um certo nível de energia E

𝜌!# = 1,62 x10-8 Ω m

𝜌'( = 20,00 x10-8 Ω m

𝜌)* = 11,40 x10-8 Ω m

𝜌'- = 10,52 x10-8 Ω m

𝜌.# = 95,00 x10-8 Ω m

𝜌/0 = 9,00 x10-8 Ω m

𝜌1* = 6,00 x10-8 Ω m

𝜌+, = 80,00 x10-8 Ω m

𝜌+3 = 7,50 x10-8 Ω m

𝜌 !(#$%&'()) = 1,50 x10-5 Ω m

São utilizados também para o revestimento de fios e malhas de cobre ou latão,

• condutor encordoado tem relação com a construção de uma corda, ou seja,

• condutor encordoado compactado é uma corda na qual foram reduzidos os

• condutor flexível é obtido a partir do encordoamento de um grande número de

Capa metálica (Pb ou Al) Enchimento

Cloreto de polivinila (PVC)

· O PVC isolante é, na realidade, uma mistura de cloreto de polivinila puro

Corrente elétrica: cada tipo de material de isolação correspondem três temperaturas

· Temperatura em regime de sobrecarga: É a temperatura máxima que a isolação pode

· Temperatura em regime de curto-circuito: É a temperatura máxima que a isolação

Em algumas aplicações, é necessário que a isolação seja protegida contra agentes

A condutividade do silício aumenta aproximadamente 8% a cada grau de aumento na temperatura.

Transição indireta Transição indireta

𝐼% = 𝐼& + 𝐼' ∴ 𝐼& = 𝐼&$%&'(&)á&)( + 𝐼',- $).(&)á&)(

𝐼% = 𝐼& + 𝐼' ∴ 𝐼& = 𝐼&$).(&)á&)( + 𝐼' ,- $).(&)á&)(

𝐼% = 𝐼& + 𝐼' ∴ 𝐼& = 𝐼&$).(&)á&)( + 𝐼' ,- $).(&)á&)(