Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
https://www.ualg.pt/moodle2007/login/index.php
Nome:
Introdução à electrónica
Semicondutores
Dopagem
Portadores de carga
Fotodetectores
Transporte de cargas
Regiões de depleção
O díodo de junção pn
LEDs Correntes de difusão e
deriva
Recombinação
Projectos de circuitos
Transístores de amplificadores com FETs
efeito de campo Circuitos digitais
where the first letter matches the first letter of the color code,
Universidade do Algarve, FCT, Henrique Leonel Gomes.
1º 2º
Cor 3º Banda 4º banda 5º banda
Banda Banda
Taxa de
1º 2º Tolerância falhas
Multiplicador
digito digito (%) (% por
1000 hrs)
Preto - 0 x 1 = 100
Castanho 1 1 x 10 = 101 1.0
Vermelho 2 2 x 100 = 102 0.1
Laranja 3 3 x 1000 = 103 0.01
Amarelo 4 4 x 10000 = 104 0.001
Verde 5 5 x 100000 = 105
Azul 6 6 x 1000000 = 106
Violeta 7 7 x 10000000 = 107
Cinzento 8 8 - - -
Branco 9 9 - - -
Dourado - - - ±5
Pratar - - - ± 10
Sem cor - - - ± 20
O código BS 1852
A letra R é usada para Ohms e K para kilo Ohms M para mega Ohms e é
colocada onde devia estar a vírgula. A letra no fim representa a tolerância, onde
M=20%, K=10%, J=5%, G=2%, and F=1%
As placas de prototipagem
Lab. 1
Electrónica I, ano lectivo 2005/2006
Engenharia de Sistemas e Informática
Engenharia Física Tecnológica
Material
Díodo de silício 1N914 ou equivalente
Fotodíodo
Resistências: 1KΩ, 100 Ω, e 10 Ω
Introdução
O díodo é um dispositivo de dois terminais, que é constituído por uma junção entre
dois tipos de semicondutores, um do tipo p e outro do tipo n. Neste laboratório vamos
concentramo-nos nas características externas (corrente-tensão) do díodo e em algumas
das suas aplicações práticas.
O símbolo de um díodo está representado na Figura 1. Num díodo o terminal
marcado com um traço ou por um ponto é chamado de cátodo, e está geralmente bem
assinalado num díodo real. (Ver figura 1). O outro terminal é chamado de ânodo. A
terminologia é remanescente da notação do tubo de vácuo. O ânodo refere-se ao
potencial mais alto ou positivo, e o cátodo refere-se ao terminal de potencial mais baixo
ou negativo.
Símbolo
Encapsulamento típico
A análise do comportamento eléctrico estático dos díodos de junção pn, feita nas
aulas teóricas pode ser sintetizada pela equação 1.
Um díodo de junção permite o fluxo de uma grande corrente no sentido directo, mas
conduz apenas uma pequeníssima corrente em sentido inverso. Enquanto a corrente
directa pode situar-se na faixa das dezenas ou mesmo centenas de miliampères, a
corrente inversa encontra-se usualmente na faixa dos nanoampères, ou seja, cerca de
seis ordens de grandeza menor.
Quando o díodo está polarizado diretamente, existe uma pequena queda de potencial
aos seus terminais, chamada barreira de potencial ou tensão de arranque. Para díodos de
silício à temperatura ambiente, esta tensão é de aproximadamente 0.7 V.
O facto de o díodo conduzir preferencialmente num sentido sugere o uso prático
destes dispositivos para a obtenção de uma tensão uniredicional a partir de uma tensão
alternada (rectificação). Este é um dos tópicos que terá a oportunidade de estudar neste
laboratório.
ΔVd
Experimental
Nesta primeira experiência vai obter dados que lhe permitem traçar a curva
característica do díodo.
E1 - Monte o circuito da Figura 3. Use um díodo de silíco (1N914 ou equivalente).
E3 - Represente gráficamente a
curva estática do díodo (corrente -
tensão).
E4 - Determine a barreira de
potencial ou tensão de arranque VB,
e a resistência do díodo em
polarização directa Rf (veja a Figura
4.)
ΔVd
Rf =
ΔI d
A entrada horizontal do
osciloscópio mede a tensão aos
terminais do díodo (despreza-se a
queda de tensão na resistência de 10
Ω). A entrada vertical mede a queda de
tensão aos terminais da resistência de
10 Ω. Usando a lei de Ohm é possível
ler a corrente no díodo (Id). Assim, se a
escala vertical tiver uma sensibilidade
de 10 mV/divisão, então em termos da
corrente que passa pela resistência de
10 Ω , temos que:
Figura 6.
10 mV/divisão
Sensibilidade (escala vertical) = = 1mA/divisão
10 Ω
Bibliografia
Microelectronic Circuits, 4º edition
Adel S. Sedra, e Kenneth C. Smith Smith
Oxford University Press
Microelectrónica
Jacob Millman, Arvin Grabel
1º volume, 2ª edição, McGraw-Hill, 1992
Pode observar uma animação que demonstra o funcionamento de uma junção pn no seguinte endereço
electrónico:
http://www.st-and.ac.uk/Scots_Guide/info/comp/passive/diode/diode.htm
Nota histórica
Em 1880 Thomas Edison observou que o vidro das lâmpadas escurecia com o
tempo, o que o levou a suspeitar de que algo se deslocava no interior das lâmpadas que
usava. Em 1904 Ambrose Fleming utilizou este chamado “efeito Edison” para fabricar o
primeiro díodo um dispositivo com dois elétrodos ao qual ele chamou ”válvula”
O primeiro díodo foi construído num invólucro de vidro "fechado a vácuo", tal
como a lâmpada eléctrica de filamento inventada por Edison.
Projecto extra-curricular
nk ⎛ I ⎞
VD = T ln⎜⎜ D + 1⎟⎟ (3)
q ⎝ I S ⎠
Neste circuito, a tensão sobre o díodo D1 (que neste caso deve ser o sensor de
temperatura) é comparada com uma tensão ajustada em P1. Da maneira como está
montado este circuito, L1 acende quando a temperatura sobre o díodo D1 for maior que
a temperatura ajustada. Se invertermos os pinos 2 e 3 do integrado 741, L1 acende
quando a temperatura sobre o díodo for menor que o valor ajustado.
Material
Diodo de silício 1N914 ou equivalente
Resistências: 100 Ω, 1KΩ, 10 KΩ.
Condensadores de 10 nF, e de 100µF
Introdução
Este trabalho faz uma introdução à operação de circuitos rectificadores e reguladores
de tensão. Iniciando com uma tensão ac, obtem-se uma tensão dc estacionária por meio
da rectificação deste sinal de entrada. Depois é realizada a filtragem para um nível dc, e,
finalmente, o sinal é regulado para se obter na saída o nível desejado de tensão dc. Em
geral, a regulação é feita por um circuito integrado regulador de tensão, que recebe uma
tensão dc e fornece um nível ligeiramente menor, o qual permanece constante, mesmo
que a tensão de entrada varie, ou a carga ligada à saída do circuito varie de valor.
A Figura 1 representa um digrama de blocos mostrando os vários estágios de uma
fonte de tensão típica, e a forma de onda nos vários pontos do circuito. A tensão ac,
normalmente 220 V, alimenta um transformador, cuja a função é reduzi-la para o nível
de tensão desejado. Díodos rectificadores fornecem, então, uma tensão rectificada de
onda completa, que é inicialmente filtrada por um condensador simples para produzir
uma tensão dc. Esta tensão dc resultante ainda possui algum “ripple” ou variação ac. O
circuito regulador pode aproveitar esta entrada dc para produzir uma tensão dc que não
só possui menos “ripple” como ainda mantém constante o nível de saída, mesmo para
variações na entrada ou na carga que está ligada. Esta regulação é via de regra, obtida,
utilizando-se um circuito integrado. Este circuitos integrados não serão abordados nesta
disciplina. Pode encontrar mais informações sobre estes circuitos na referência [1].
tensão poderia ser utilizada, por exemplo, em um carregador de baterias, onde a tensão
dc média é suficientemente grandeRipple
para proporcionar uma corrente de carga para a
bateria. Entretanto, como tensão dc para ser utilizada Tem
em rádios,
o mesmoaparelhos de som, e
computadores, não seria de maneira alguma a indicada.declive
É necessário um filtro para que
a tensão dc de saída da fonte seja mais estável.
Antes de entrarmos em detalhes sobre o circuito de filtragem, seria mais apropriado
considerar os métodos usuais de análise de filtros, de forma que possamos comparar a
eficiência de um circuito actuando como filtro. A Figura 2 mostra uma tensão de saída
típica de um filtro, servirá como exemplo para definirmos alguns dos factores
considerados no sinal. A saída filtrada da Figura 2 apresenta um nível dc e alguma
variação ac “ripple”. Quanto menor for a variação ac comparada ao nível dc, melhor é a
operação de filtragem.
Tensão de ripple V
FR = = r × 100%
Tensão média na carga Vdc
Existem outros parâmetros, como seja a regulação de tensão. Este tema é importante
para o desenho de fontes de alimentação e não será estudado nesta disciplina. Os
curiosos podem consultar a referência [1].
do condensador, com T1 maior, a corrente de pico do díodo é menor do que para valores
mais elevados dos condensadores.
Este pulso intenso de corrente pode colocar alguns problemas no desenho de circuitos
rectificadores. Por exemplo, considere o circuito representado na Figura 6, que vai
usar no decorrer deste trabalho. Aumentar a resistência Rf provoca uma atenuação
na tensão de saída Vo. É importante também notar que se Rf é muito pequena a
corrente através do díodo aumenta, e o díodo pode queimar. Portanto tem de se
arranjar uma solução de compromisso, fazer Rf pequena de forma a não atenuar
muito o sinal de saída, mas não tão pequena de forma que continue a proteger o
díodo dos picos de corrente.
Experimental
Nas experiências que se seguem é importante ter presente algumas das
expressões que deduziu nas aulas teóricas, em concreto como varia a tensão de ripple
em função da freqüência e dos componentes do circuito.
Para um rectificador de meia onda temos que:
⎛ 1 ⎞
Vdc = ⎜⎜1 − ⎟⎟VO (rect.)
⎝ 2 fRC ⎠
⎛ 1 ⎞
Vr ( p − p ) ≅ ⎜⎜ ⎟⎟VO (rect.)
⎝ fRC ⎠
Para além de funcionar com rectificador, o circuito que acabou de estudar tem
aplicações interessantes na área das telecomunicações, leia com atenção o exemplo no
fim deste guia.
Referências
Material
Diodo de silício 1N914 ou equivalente
Díodos Zener
Resistências: 1KΩ.
Condensadores de 10 nF.
Introdução
Os díodos para além de poderem realizar a função de rectificação, são utilizados em
muitas outras aplicações, nomeadamente em circuitos limitadores, e deslocadores de
nível dc. Em geral um limitador corta parte da onda de entrada, e o deslocador de nível
desloca o nível dc da onda de entrada.
A Figura 1 representa um exemplo típico de um circuito limitador usado para
proteger um circuito.
Na Figura 1a) os díodos normais funcionam com limitadores da tensão Vin. Uma
análise simples ao circuito permite verificar que a tensão Vin está limitada
inferiormente à tensão -VR2-VD0 e superiormente à tensão VR1+VD0.
Existem circuitos que podem ser destruídos por sobretensões nas suas entradas.
Nestes casos é necessário proteger esses circuitos, um exemplo possível é o esquema
C VR1
Vi
Universidade do Algarve, FCT, Henrique Leonel Gomes.
tensão de Zener de 12V, por conseguinte a corrente máxima que pode suportar é de
IZM=33.3 mA (IZM= 400mW/12V)
As folhas de especificção dão-nos dois valores para a corrente máxima, 30 e 35 mA,
estes dois valores é para levar em conta a tolerância na tensão de Zener. Por exemplo, o
1N967 tem uma tensão de Zener de 18V com uma tolerância de 20%.
Experimental
E1- Monte o circuito representado na Figura 3. Ajuste a fonte de tensão continua de
modo a ter VR1=1Volt. Aplique ao circuito um sinal sinusoidal com a amplitude 5V de
pico a pico, valor dc nulo e com uma frequência de 1 kHz.
E2-Observe o sinal de saída, e compare-o com a onda de entrada. Meça os valores
de pico máximo e mínimo.
E3- Varie VR1 de 0 até +5 V. Observe o comportamento do circuito.
E4- Inverta o díodo. Observe o sinal de saída. Repita os pontos anteriores.
E5- Monte um circuito que permita limitar o sinal de saída a dois níveis variáveis
independentes. Para tal adicione ao circuito da Figura 3 uma fonte de tensão VR2 e um
díodo, de modo a limitar a parte inferior do sinal.
Nota: Vai precisar de usar duas fontes de tensão, uma positiva, e outra negativa,
para tal vai ter de ligar à terra o terminal negativo de uma das fontes, enquanto na
outra fonte liga à terra o terminal positivo (consulte o professor se tiver dúvidas).
O Transístor Bipolar
Conceitos básicos e funcionamento como
comutador
Material
LDRs
LEDs
Transístores bipolares 2N3906 (PNP), 2N3904(NPN)
Resistências várias 1 k Ω, 10 Ω
Objectivo
Introdução
A estrutura básica de um transístor npn, esta representada na Figura 1, juntamente
com o respectivo símbolo, e um encapsulamento típico.
Na prática para identificar rapidamente os terminais de um transístor, precisamos
conhecer um conjunto de regras que variam de acordo com o encapsulamento que o
fabricante usa. A Figura 2 representa alguns dos encapsulamentos mais comuns.
ligeiramente inferior, e que a junção base-colector de um transístor típico tem uma área
muito maior que a junção base-emissor.
O tipo de transístor também pode ser determinado se, simplesmente, for
observada a polaridade dos transístores ao realizar uma medida na junção base-emissor.
Se o terminal (+) ligado à base, e o terminal negativo (-) ao emissor, a leitura de uma
baixa resistência indica um transístor do tipo npn. A leitura de uma resistência alta
indica um transístor pnp. Embora um ohmímetro possa ser utilizado para a
determinação dos terminais de um transístor (base, colector, e emissor), assume-se que
esta determinação possa ser feita simplesmente observando-se a orientação dos
terminais no encapsulamento (ver Figura 3).
Figura 4. Exemplo de como pode determinar o tipo de transístor que esta a usar.
Região de saturação
Universidade do Algarve, FCT, Henrique Leonel Gomes. E C
B
Directa Inversa
Região activa
Inversa Inversa E
C
B
E C
B Região de corte
Experimental
E1- Use um transístor do tipo npn (o 2N3904). Meça a resistência entre os terminais do
transístor, identificados pelas letras x, y, e z. Use os termos “elevada” ou “baixa” para
preencher a Tabela I.
positivo negativo
x y
x z
y x
y z
z x
z y
Com base nos dados da Tabela I, identifique os terminais do transístor (emissor, base e
colector.)
Terminal Identificação (emissor,
base ou colector)
x
y
z
Note que transístores do tipo npn dão resultados opostos aos transístores do tipo pnp.
Estes resultados são facilmente explicáveis com base no esquema representado na
Figura 4. A aplicação de uma tensão positiva entre a base e o emissor polariza
directamente a junção num transistor npn, Já em um transístor do tipo pnp uma tensão
positiva entre a base e o emissor polariza inversamente a junção.
Estas experiências simples permitem-lhe identificar não só os terminais de um
transístor mas também saber qual o tipo (npn ou pnp) de transístor que está a ser usado
VBE VCB
E2e-Substitua a fonte de tensão continua VB, por um gerador de sinais. Ligue a saída
pulsada “output pulse” (nos GW-40) ou TTL /CMOS nos geradores (gold). Escolha
uma frequência de aproximadamente 3 Hz. Observe a luminosidade dos LEDs. Se tiver
um gerador (gold) puxe para fora o botão (TTL/CMOS) e lentamente aumente a
amplitude dos pulsos enquanto observa as diferenças de luminosidade entre os díodos.
Pare de subir a amplitude do pulso assim que a luminosidade do LED no colector se
reduzir significativamente.
E3- Monte o circuito da Figura 7, aplicando o sinal VI com 1 kHz de freqüência. Use a
saída “output pulse” do gerador de sinais.
Figura 10. Os LDRS são dispositivos fotocondutores feitos geralmente com sulfato de
cádmio, (CdS. O CdS é um material semicondutor cuja a resistência depende da
intensidade luminosa.
Material
Dois transístores bipolares do tipo npn, 2N3904
Resistências 1 KΩ (x2), 4.7 KΩ, 10 KΩ (1/4 W).
Potenciómetro de 10 KΩ.
Secador de cabelo
Objectivo
O objectivo desta experiência é verificar as tensões e as correntes num circuito
de polarização usando um divisor de tensão, e construir a recta de carga do circuito.
Introdução
O termo polarização significa a aplicação de tensões dc em um circuito para
estabelecer valores fixos de corrente e tensão. Para amplificadores com transístor, a
corrente e a tensão dc resultante, estabelecem um ponto de funcionamento nas curvas
que define a região empregada para a amplificação do sinal aplicado. Já que o ponto de
operação é um ponto fixo na curva, este é também chamado ponto quiescente (ponto Q
abreviado) Por definição, quiescente significa repouso, imóvel, inactivo.
(4) VC = VCC − I C RC
⎛ R2 ⎞
(1) VB ≅ ⎜⎜ ⎟⎟VCC (5) VCE ≅ VCC − I C (RC + RE ) = VC − VE
⎝ R1 + R2 ⎠
(2) VE = VB − VBE
VCC
(6) I C ( sat ) ≅ (saturação)
RC + RE
(7) VCE ( off) = VCC (Corte)
Figura 2.
Experimental
E1-Considere o circuito representado na Figura 3. Assuma
que a queda de tensão VBE é de 0.7V. Calcule as tensões
de polarização, VB VE e VC e a queda de tensão entre o
colector e o emissor, VCE. Tome nota dos seus cálculos na
Tabela I.
E3- Meça a corrente no colector IC, e compare com o valor estimado usando a Equação
3. Tome nota dos resultados na Tabela I.
E4- Use um secador de cabelo para aquecer durante alguns segundos o transístor,
enquanto mede a corrente no colector. Observe o comportamento da corrente IC com o
aumento da temperatura.
E6- Substitua o seu transístor por um outro (transístor 2) e repita os passos E3 até E6.
Que diferenças encontrou entre os dois transistores?
Nota: Deve encontrar que ambos os pontos se situam essencialmente em cima da recta
de carga, e muito próximos dos pontos ideais de corte e saturação.
Resultados
Material
Transístores bipolares do tipo npn, 2N3904
Resistências
Condensadores
Objectivo
Experimental
Figura 1.
Ø Ri>1 KΩ
Ø Ro< 30 Ω
Ø Ganho em tensão (Av) mínimo de –50.
Ø A excursão máxima do sinal na saída não deve ultrapassar os ± 2V de
pico a pico.
Para um sistema de duas portas (dois pares de terminais), o lado da entrada (o lado no qual é
geralmente aplicado o sinal) é o da esquerda e o lado da saída (onde a carga é ligada) é o lado da direita.
De facto para muitos sistemas eléctricos e eléctrónicos o fluxo geral é, normalmente, da esquerda para a
direita: para ambos os conjuntos de terminais, a impedância entre cada par de terminais sob condições de
funcionamento normais é muito importante.
Impedância de entrada Zi
Para o lado da entrada, a impedância de entrada Z i, é definida pela lei de Ohm como se segue
Vi
Zi =
Ii
Material
Arrays de FETS 4007 ou o VQ 1000J
Resistências
Condensadores
Figura 1. Digrama dos pinos para os integrados que vão ser usados neste trabalho.
Objectivo
Introdução
O estudo vai incidir principalmente no circuito integrado CD 4007, cuja
configuração de pinos esta representada na Figura 1. O conjunto consiste em 6
transístores, 3 de canal p, e 3 de canal n, interligados entre si de forma a reduzir o
número total de pinos do integrado, mas mantendo alguma flexibilidade. Um ponto
importante a notar é que os pinos 14 e 7, que são respectivamente o substrato de todos
os dispositivos com canal p e de todos os dispositivos de canal n, devem ser ligados de
forma correcta, independentemente do uso que se esta a fazer do dispositivo.
Em concreto, o pino 14 deve ser ligado ao terminal da fonte mais positivo, e o pino
7 ao terminal mais negativo que esta a ser usado. Note também que a tensão entre
os pinos 14 e 7 deve ser limitada a 18 V, caso contrario pode ocorrer uma ruptura
interna. Por razões de segurança, mantenha esta fonte de alimentação abaixo dos
16 V.
Experimental
E1.1 Fazendo uso um dos integrados que foi disponibilizado, monte o circuito
representado na Figura 2. A figura está desenhada para o 4007, e os números
representados designam os pinos do integrado. Todos os outros pinos podem ser
deixados flutuantes.
Meça a tensão entre o nó A e a terra (ou seja, a
leitura indicada pelo DVM representado na Figura 2.) Faça uma
estimativa para o valor de Vt.
Use o DVM para medir o Vt dos outros dispositivos
com os pinos 6 e 13 ou 10 e 12 ligados como nó A, e com os
pinos 11 e 14 ligados.
Observe como varia o Vt de dispositivo para dispositivo.
Figura 4.
E 3.2 Aplique no nó I, uma onda sinusoidal com 1V de pico a pico e com uma
frequência de 1 KHz. Visualize no osciloscópio as tensões nos nós A e C. Use
acoplamento ac no canal do osciloscópio que estiver a observar o nó C. Calcule o ganho
em tensão do nó A para o nó C. Assumindo que AV=gmRD, estime o valor de gm.
E.3.3. Sem sinal de entrada, aumente V2 até 15V e V1 até que VC=5V. Meça V1
Mas não VB!)
E3.4. Aplique uma onda sinusoidal de 1 KHz e 1 V de pico a pico ao nó I,
observe e meça os sinais nos nós A e C. Calcule o ganho em tensão do nó A para o nó
C. Estime o valor de gm.
E 3.5. Mantendo os valores de V1 e V2, mas temporariamente desligados, ligue
em paralelo um segundo transistor, o (678) em paralelo com o (345) que esta a usar.
Ligue novamente as fontes de alimentação V1 e V2 e meça a tensão no nó C.
E3.6. Ajuste V1 até obter novamente 5V.
E 3.7. Aplique 1V pp no nó I e meça o ganho de A para C, e estime gm.
E 4.0 Distorção.
E 4.3. Aumente a amplitude do sinal do gerador de sinais até que as formas de onda
defiram aproximadamente de 10% em amplitude de pico. Observe a amplitude de pico a
pico da forma de onda em C.
E 4.4. Mude o acoplamento do canal que está a observa
r o nó C para modo dc e meça os valores dc de pico da forma de onda triangular.
Material
Arrays de FETS 4007
Resistências 2x (10 MΩ), 2x (10KΩ)
Condensadores: C ≥0.1µ F
Texto de apoio
Secções 5.7 e 5.9 do livro Microelectronics circuits, Sedra & Smith
Figura 1. Digrama dos pinos para os integrados que vão ser usados neste trabalho.
Objectivo
Nota: Tente perceber porque os ganhos que encontrou são diferentes? Qual é a
reactância de um condensador de 0.1 µF à frequência de 1KHz ?. para igualar os
ganhos podemos aumentar o valor de C2 ou a frequência de funcionamento (por
exemplo 10 KHz.
O amplificador operacional
Material
Amplificadores operacionais 741 ou 358
Resistências
Condensadores
Fotodíodo
Objectivo
Esta aula tem por objectivo a familiarização com a montagem de circuitos usando
amplificadores operacionais vulgarmente chamados amp-ops ou em inglês “op-amps”.
Em concreto pretende-se atingir os seguintes objectivos:
Explicar o funcionamento de um amplificador diferencial
Saber interpretar as folhas de especificação de um amplificador operacional
Analisar as configurações de amplificação
Analisar os efeitos de realimentação negativa
Reconhecer as limitações dos amp-ops.
Introdução
Experimental
-15 V -15 V
E2- Configuração inversora.
Use o seu gerador de sinais e uma fonte d.c. variável para criar tensões de
entrada diferentes. Note que pode implementar uma fonte de tensão variável
usando um potenciômetro (ver Figura 6).
E3b- escolha dois sinais, e meça a tensão na saída e na entrada inversora.
Os resultados que obteve estão de acordo com o que esperava teoricamente.
E3c- Substitua uma das resistências de entrada de 100 KΩ por uma
resistência de 50 KΩ, e meça novamente a tensão na saída. Explique como esta
modificação altera o valor de tensão na saída.