IFSC

INSTITUTO FEDERAL DE SANTA CATARINA

JOINVILLE - SC
ELETRNICA GERAL I
DIODOS E TRANSISTORES
Nivaldo T. Schiefler Jr.
Verso 1.0
Este material foi elaborado para ser usado como material de apoio, pois
o seu contedo restrito a algumas aplicaes. Para um estudo mais
aprofundado devem ser consultadas as literaturas comentadas no incio das
aulas e presente no cronograma entregue.
NDICE
1 Semicondutores ................................................................................................ 5
1.1 Tipo n e tipo p ............................................................................................ 6
2 Diodos ............................................................................................................ 11
2.1 Diodo sem polarizao ............................................................................ 12
2.2 Diodo com polarizao reversa ............................................................... 13
2.3 Diodo com polarizao direta .................................................................. 15
2.4 Curva caracterstica do diodo .................................................................. 16
2.5 Circuito equivalente do diodo ................................................................... 17
3 Circuitos com diodos ...................................................................................... 19
3.1 Aplicao em corrente contnua .............................................................. 21
3.1.1 Exemplo 1 ......................................................................................... 22
3.1.2 Exemplo 2 ......................................................................................... 23
3.1.3 Exerccios propostos ......................................................................... 26
3.2 Aplicao em corrente alternada ............................................................. 27
3.2.1 Circuito de meia onda ....................................................................... 27
3.2.2 Circuito de onda completa circuito em ponte ................................. 30
3.2.3 Circuito de onda completa Transformador de TAP central ............. 31
3.2.4 Circuito de meia onda com filtro ........................................................ 33
3.3 Grampeadores ......................................................................................... 35
3.3.1 Exemplo 1 ......................................................................................... 37
3.3.2 Exerccios propostos ......................................................................... 38
3.4 Diodo Zener ............................................................................................. 41
3.4.1 Exemplo 1 ......................................................................................... 45
3.4.2 Exemplo 2 ......................................................................................... 46
3.4.3 Exerccios propostos ......................................................................... 47
4 Transistores Bipolares ................................................................................... 49
4.1 Princpio de funcionamento ..................................................................... 50
4.2 Polarizao DC do BJ T ............................................................................ 54
4.2.1 Regio de operao Linear ............................................................... 55
4.2.2 Regio de operao de corte ............................................................ 55
4.2.3 Regio de operao saturao ......................................................... 55
4.3 Exemplo de circuito com transistor .......................................................... 56
4.3.1 Exemplo 1 ......................................................................................... 58
4.4 Anlise por reta de carga ......................................................................... 59
4.5 Polarizao por diviso de tenso ........................................................... 61
4.6 Transistor como chave ............................................................................. 63
4.7 Exemplos ................................................................................................. 64
4.7.1 Exemplo 1 ......................................................................................... 64
4.8 Exerccios propostos ................................................................................ 67
1 Semicondutores
Assim como existem materiais condutores e materiais isolantes, existe
um tipo de material que um meio termo entre esses dois primeiros. Esse
material o semicondutor. O semicondutor, portanto, possui um nvel de
condutividade entre os extremos de um isolante e um condutor. Na Figura 1.1,
h uma representao entre os tipos de materiais em relao a sua
condutividade.
Figura 1.1 Comparao entre os materiais condutores.
Pela Figura 1.1, nota-se que h uma conduo de eltrons no
seguimento superior, caracterizando um elemento condutor de eltrons. J a
figura central h um impedimento da passagem de eltrons, caracterizando um
isolante. O ultimo elemento se caracteriza pela passagem ou no de eltrons,
este elemento considerado um semicondutor. Logo um semicondutor permite
a passagem de corrente em certos momentos e estes certos momento que
permitiram que a eletrnica evolusse a altos nveis tecnolgicos.
Os materiais semicondutores mais usados na indstria eletrnica so o
Germnio (Ge) e o Silcio (Si), apesar do Silcio predominar a produo
atualmente. Seu comportamento se deve sua ligao qumica, chamada
ligao covalente (por compartilhar eltrons). Na Figura 1.2, h uma ilustrao
da estrutura bidimensional para este elemento.
Figura 1.2 Estrutura do tomo de silcio.
Cada tomo do silcio se liga a quatro tomos vizinhos atravs da
ligao covalente, ou seja, pares de eltrons (da ltima camada de valncia ou
seja a ltima camada do Si) so compartilhados entre dois tomos. Os eltrons
das camadas internas giram em torno do ncleo.
Um fato importante que tanto o germnio bem como o silcio,
apresentam exatamente o mesmo tipo de estrutura que o diamante, variando
apenas a dimenso.
1.1 Tipo n e tipo p
Da forma como foram apresentados nas figuras anteriores, em
temperatura ambiente e completamente puro, o Si e o Ge so isolantes, ou
seja, no conduzem corrente eltrica. Existem duas formas de aumentar a
condutibilidade desses materiais. Uma delas aumentando a sua temperatura.
Conforme ilustrado na Figura 1.3.
Figura 1.3 Movimentos dos eltrons no tomo de silcio com aquecimento.
Quanto maior a temperatura do semicondutor mais os eltrons da ultima
camada (eltrons livres que podem ser compartilhados) se destacam de sua
ligao e se tornam eltrons livres.
Outra forma de aumentar a condutibilidade do material semicondutor
introduzindo impurezas em sua estrutura qumica, tornando ento, um
semicondutor contaminado (tambm chamado de dopagem). Essas impurezas,
so inseridas de forma uniforme pelo material e em quantidade controlada (um
para um milho, por exemplo) esse semicondutor apresentar novas
caractersticas. A Figura 1.4, demonstra como um outro elemento se encaixa
na estrutura de silcio.
Figura 1.4 Estrutura de silcio com dopagem.
Por exemplo, se for utilizado o arsnio, conforme a Figura 1.4, como
impureza, e com ele contaminarmos o silcio, haver ento, no silcio alguns
tomos de arsnio espalhados pelo silcio.
Como o arsnio pentavalente, ou seja, tem cinco eltrons livre na
camada de valncia, tende a estabelecer cinco ligaes com tomos vizinhos,
Mas apenas quatro de seus eltrons so compartilhados com os tomos de
silcio, o quinto eltron ficar livre pelo material servindo, de transportador de
carga negativa, notar que na Figura 1.4, h um eltrons livre. Preparado dessa
forma o semicondutor denominado de tipo n (negativo) e os tomos dos
materiais que fornecem os eltrons de conduo, no caso o arsnio, so
denominados de eltrons doadores. Na Figura 1.5, pode-se notar ao fundo o
tomo de silcio com quatro (4) eltrons na camada de valncia e mais a frente
o tomo de arsnio com cinco (5) eltrons na camada de valncia.
Figura 1.5 Material tipo N.
Mesmo aps a contaminao, o semicondutor permanece eletricamente
neutro, pois o nmero de prtons carregados positivamente no ncleo ainda
igual ao nmero de eltrons livres, e carregados negativamente na estrutura.
Se, ao invs de se usar um material pentavalente na contaminao,
usarmos um material trivalente (com trs eltrons de valncia), uma lacuna
(neste caso uma lacuna se chama de buraco) ser criada, pois agora h um
nmero insuficiente de eltrons para completar as ligaes covalentes da rede
formada. A esse material semicondutor com impureza trivalente d-se o nome
de material tipo p (positivo) e seus transportadores de carga so lacunas. O
boro um exemplo de material trivalente e muito usado para esse fim. A
Figura 1.6 ilustra este tipo de ligao.
Figura 1.6 Estrutura do material tipo P.
As impurezas com trs eltrons de valncia so chamadas tomos
aceitadores. Da mesma forma que o material tipo n, esse eletronicamente
neutro.
Quando um eltron se move para um lado preenchendo uma lacuna,
forma-se uma lacuna no lugar onde esse eltron estava, podendo-se
considerar que a lacuna moveu-se para o lado oposto do eltron. Este
movimento possvel, quando o um eltron adquire energia cintica suficiente
para quebrar uma ligao covalente e seguir para um buraco. Na Figura 1.7,
onde se pode notar o movimento de eltrons e buraco.
Figura 1.7 Fluxo de eltrons em uma estrutura impura.
2 Diodos
Um diodo um dispositivo passivo, porm no linear. O diodo composto
por uma juno de semicondutores com dopagem tipo p e n (juno pn), sendo
que esta juno permite mais facilmente a passagem de portadores de carga
em um sentido que em outro. O diodo de um modo geral, um dispositivo, que
quando em polarizao direta permite a passagem de corrente, e em
polarizao reversa impede a passagem de corrente. Pela Figura 2.1, se
verifica o desenho caracterstico de um diodo.
Figura 2.1 Simbologia de um diodo.
Na Figura 2.1, o item A refere-se a elemento diodo ou seja ao
componente real e o item B, refere-se a simbologia eltrica do elemento. Esta
simbologia usada em qualquer sistema de simulador e esquema eletrnicos.
Pela juno dos materiais dopados tipo n e p, conforme visto na Figura
2.2, h o aparecimento do diodo semicondutor.
Figura 2.2 J uno do elemento tipo n e p.
Com a juno dos dois tipos de elementos, os eltrons e buracos na
regio de juno se combinam, fazendo uma regio de equilbrio, pois houve
uma troca de ligaes. A Figura 2.3 est ilustrando esta situao.
Figura 2.3 J uno dos dois materiais.
Com esta juno, h o aparecimento de uma regio de equilbrio, que se
chama regio de depleo. Neste caso conforme a Figura 2.3, o diodo um
elemento de dois terminais com uma regio de equilbrio na juno. Este tipo
de estrutura quando aplicada a uma tenso entre os terminais (neste caso uma
tenso chamada de V
D
) leva o elemento diodo a operar em trs possibilidades:
Nenhuma polarizao.
Polarizao direta.
Polarizao reversa.
Cada tipo de situao resulta um tipo de operao do elemento diodo.
Com estes trs tipos de operao possvel projetar circuitos para operaes
especficas.
2.1 Diodo sem pol arizao
Quando no se aplica uma tenso entre os terminais do diodo, no
haver fluxo de carga entre o lado de dopagem p e o lado n. Desta maneira
no haver uma corrente resultante circulando. Pela Figura 2.4, h uma
representao desta situao.
Figura 2.4 Diodo sem polarizao.
Pela Figura 2.5, h uma representao de um diodo, sem polarizao,
onde no h a ocorrncia de fluxo de eltrons e desta maneira a inexistncia
da passagem de corrente eltrica.
Figura 2.5 Simbologia do diodo sem polarizao.
2.2 Diodo com polarizao reversa
Se for aplicado um potencial de grande amplitude, for aplicado entre os
terminais do diodo e este potencial for aplicado nos terminais contrrio do
diodo, haver uma polarizao chamada reversa.
Pela Figura 2.6, nota-se que quando aplicado um potencial contrario aos
terminais anodo e catodo do diodo, h um aparecimento de um corrente de
saturao I
S
.
Figura 2.6 Representao do diodo com polarizao reversa.
Quando aplicada uma tenso contraria a polaridade normal do diodo,
h um aumento da regio de depleo e no permitindo a passagem de
corrente eltrica (Figura 2.7).
Figura 2.7 Aumento da regio de depleo.
A corrente de saturao que aparece, pela polarizao reversa
geralmente na ordem de nanoampres. O nome saturao vem porque esta
corrente tem o seu valor alcanado de maneira muito rpida e o aumento de
tenso entre os terminais no faz esta corrente aumente. Este tipo de corrente
poder ser visto em futuro grfico a ser mostrado.
2.3 Diodo com polarizao direta
Quando se aplica um potencial entre os terminais anodo e catodo do
diodo, h uma situao chamada de polarizao direta. Pela Figura 2.8, pode-
se ver claramente quando esta situao possvel.
Figura 2.8 Polarizao direta.
A aplicao de um certo potencial entre os terminais do diodo, forca a
troca de eltrons e buracos de um material tipo n e tipo p. Esta troca de
eltrons provoca uma diminuio da regio de depleo, esta situao pode
ser vista na Figura 2.9.
Figura 2.9 Estrutura da polarizao direta.
2.4 Curva caractersti ca do diodo
Pela Figura 2.10 h uma representao das curvas caractersticas entre o
diodo de silcio e germnio.
Figura 2.10 Curva caracterstica do diodo de silcio e germnio.
Pela figura, nota-se que para o diodo h um valor da tenso gerado pela
regio de depleo. Este valor de aproximadamente 0,7 volts e para o
germnio de 0,3 volts. Nota-se que para valores abaixo de 0,7 h uma
pequena passagem de corrente e quando este valor ultrapassado h uma
passagem de nveis elevados de corrente eltrica.
possvel ver tambm que no lado esquerdo do grfico, h a parcela da
corrente de saturao para quando ocorrer a polarizao reversa. Esta parcela
na ordem de nanoampr. Nota-se tambm que existe uma tenso V
Z
,
chamada de tenso zener. Esta situao a mxima tenso possvel que
poder ser colocada reversamente. Se for aplicada uma tenso maior que o
permitido, haver uma conduo reversa que poder danificar tanto o diodo,
bem como o circuito associado.
2.5 Circuito equi val ente do diodo
Como visto na curva caracterstica, o diodo comea a conduzir a partir de
um determinado potencial, que no caso do diodo de silcio era de 0,7V. Nota-se
pela curva que tem um comportamento de uma exponencial crescente. Desta
forma pode-se aproximar o diodo a um circuito equivalente.
O modelo linear representado por uma associao de uma fonte de
tenso constante V
T
que corresponde a tenso de conduo do diodo (0,7V).
Associado em srie uma resistncia r
av
, que d o comportamento de inclinao
da curva e mais o diodo ideal que corresponde conduo em um s sentido.
Este tipo de modelo linear ilustrado na Figura 2.11.
Figura 2.11 Modelo linear.
Quando se pensa em um circuito como um todo, ou seja, o diodo e o
restante total de um circuito, pode-se desprezar a resistncia r
av
Figura 2.12.
Figura 2.12 Modelo simplificado.
Esta situao possvel porque est resistncia muito menor que todo
o circuito e pode ser desprezada. Desta forma o circuito fica com uma fonte em
srie com o diodo ideal.
Para uma anlise mais simples e rpida, pode-se aproximar para um
modelo ideal, conforme visto pela figura 2.13. Note-se que quando a tenso
aplicada for maior que zero, haver conduo de corrente eltrica.
Figura 2.13 Modelo ideal.
3 Circuitos com di odos
Antes de comear a fazer um estudo de como o diodo interfere no
comportamento do circuito, vale a pena fazer uma reviso geral considerando o
diodo ideal. Pela Figura 3.1, h uma viso geral do comportamento do circuito
com diodo.
Figura 3.1 Operao do diodo ideal.
Conforme visto nos itens 2.1 a 2.3, o diodo tem trs situaes de
operao. Pelo grfico nota-se:
Quando for aplicada uma tenso menor que zero, o diodo se comporta
como um circuito aberto. Logo em circuito aberto a corrente que passa
pelo diodo ser zero.
Quando for aplicada uma tenso igual a zero ou superior, o circuito se
comporta como um curto circuito, com isso o diodo comea a conduzir
corrente.
Analisando um circuito mais simples com um diodo ideal e mais um
resistor em srie, quando submetido a uma fonte de tenso. Pela Figura 3.2,
pode ver como este tipo de aplicao.
Figura 3.2 Diodo em srie com um resistor.
Fazendo uma anlise do circuito tem-se:
E =V
D
+I
D
R equao 3.1
Considerando um diodo ideal onde V
D
=0 tem-se a equao 3.2.
E =0 +I
D
R equao 3.2
E =I
D
R equao 3.3
O grfico Figura 3.2, mostra o comportamento da equao 3.1, onde
considerado a tenso criada pela regio de depleo do diodo. Onde a corrente
dada pela equao 3.4.
R
V E
I
D
D

= equao 3.4
3.1 Apl icao em corrente contnua
Para um circuito conforme a Figura 3.3, e utilizando o modelo
aproximado, ou seja, considerando a tenso do diodo de 0,7V. Tirando a
equao do circuito tm-se dois pontos de queda de tenso.
Figura 3.3 Circuito com fonte DC.
E =V
D
+V
R
equao 3.5
Onde V
R
a queda de tenso do resistor.
E =V
D
+I
D
R equao 3.6
Analisando agora o circuito da Figura 3.4, onde considerada uma
tenso do diodo de 0,7V, pode-se ter uma equao conforma a equao 3.7.
Figura 3.4 Circuito considerando a tenso do diodo.
E =0,7 +I
D
R equao 3.7
Se a tenso aplicada no circuito for menor que 0,7, o circuito ter um
comportamento de circuito aberto. Esta situao pode ver vista pela ilustrao
da Figura 3.5.
Figura 3.5 Circuito com tenso menor que 0,7 volts.
Neste caso a queda de tenso no resistor R ser de 0V. Pela equao
3.8, pode-se prova esta situao.
V
R
=I
D
R equao 3.8
Como a corrente zero, a tenso ser nula.
3.1.1 Exempl o 1
Para o circuito da Figura 3.6, determine V
D
, V
R
, I
D
e I
R
. Considere uma
fonte E de 8,0 volts.
Figura 3.6 Circuito srie.
Soluo:
A tenso V
D
igual da tenso do diodo, ou seja, V
D
=0,7V
A tenso no resistor R dada pela equao 3.10.
V
R
=E V
D
equao 3.9
V
R
=8 0,7 =7,3V equao 3.10
O valor da corrente do diodo e do resistor mesmo, pois este um
circuito srie.
R
V
I I
R
R D
= = equao 3.11
mA
k
I I
R D
32 , 3
2 , 2
3 , 7
= = =
equao 3.12
3.1.2 Exempl o 2
Considere o mesmo circuito da Figura 3.7, mas com uma fonte E com
um valor de 0,5V. Determine V
R
, I
D
, I
R
e V
D.
Analisando o circuito, nota-se que a barreira de tenso do diodo de 0,7
volts e como a fonte de 0,5V, no haver conduo de corrente.
Figura 3.7 Grfico do circuito com fonte menor que tenso do diodo.
Conforme a Figura 3.7, v-se que a tenso da fonte inferior a tenso
do diodo. Neste caso o circuito se comporta com fosse um circuito aberto.
Figura 3.8.
Figura 3.8 Circuito equivalente do exemplo 2.
Neste caso, as correntes I
D
e I
R
, so zero amperes e a tenso no diodo
a mesma que a da fonte. Esta situao fcil comprovar, pelas equaes 3.13
e 3.14.
I
D
=0A
V
R
=I
D
R =02,2k =0V equao 3.13
E =V
D
+V
R
=0,5 =V
D
+0 equao 3.14
Resultando:
V
D
=0,5V
3.1.3 Exerccios propostos
1. Para o circuito da Figura 3.9, analise o comportamento e determine V
o
,
P
D
e I
D
. Considere V
D
=0,7V.
Figura 3.9 Circuito proposto 1.
2. Determine V
o
, V
D2
, P
D1
, P
D2
e I
D
do circuito da Figura 3.10. Considere as
tenses dos diodos V
D
=0,7V.
Figura 3.10 Circuito proposto 2.
3. Analise o circuito da Figura 3.11 e determine I, V
a
, V
R
e V
0
.
Figura 3.11 Circuito proposto 3.
3.2 Apl icao em corrente alternada
At agora foi estudado o comportamento do diodo em corrente contnua
em algumas configuraes. Para comear um estudo, ser estudado um
circuito mais bsico e muito importante para o entendimento de um eliminador
de pilha, ou seja, quando se usa um carregador de bateria de um telefone
celular, o usurio no tem a mnima Idea de que se trata este carregador e
como este construdo.
3.2.1 Circuito de meia onda
Para entender como um sinal senoidal pode ser convertido em corrente
contnua, deve-se estudar os circuitos mais bsicos e este circuito o circuito
retificador de meia onde (Figura 3.12).
Figura 3.12 Circuito retificador de meia onda.
Pela Figura 3.12, nota-se que para um sinal de entrada senoidal de
amplitude V
m
, ou seja, valor de pico do sinal a tenso V
o
ter um valor. Para
saber este valor, um estudo do comportamento do sinal sobre o circuito deve
ser feito.
Considerando um diodo ideal, a corrente circula pelo circuito no sentido
positivo. Analisando a Figura 3.13, pode-se ter uma idia do comportamento do
circuito.
Figura 3.13 Ciclo positivo do sinal.
Pela Figura 3.13, pode-se notar que no sentido positivo da fonte (ciclo
positivo do sinal) o diodo neste caso considerado ideal, o diodo substitudo
como um curto circuito.
Agora analisando o ciclo negativo da fonte pela Figura 3.14, tem-se a
concluso que o diodo substitudo por um circuito aberto.
Figura 3.14 Ciclo negativo do sinal.
Pela Figura 3.14, pode-se ver que a forma de onde aplicado pela fonte
sobre o resistor (carga) um sinal de meia onda. Calculando o valor mdio da
tenso sobre a carga tem-se a seguinte
|
|
.
|

\
|
+ =
} }

0
2
_
0 ) (
1
dt dt wt sen V
T
V
m Medio o
Resolvendo:
V
o mdio
=0.318 . V
m
equao 3.15
Se for considerado a tenso do diodo de 0,7v a equao 3.15 fica:
V
o mdio
=0.318 . (V
m
- V
d
) equao 3.16
Figura 3.15 Sinal de sada com V
D
.
Pela Figura 3.14, calculando a tenso reversa mxima aplicada pelo
circuito no diodo dado pela equao 3.17.
T
RM
=V
m
equao 3.17
O valor mximo suportado pelo diodo dado pelo manual do fabricante.
Para o circuito da Figura 3.16, esboce a forma de onda na carga e o
valor da tenso mdia. Considerando 0,7v no diodo.
Figura 3.16 Circuito de meia onda.
v V
Medio L
954 , 0 3 318 , 0
_
= =
Como o circuito se comporta como um curto no ciclo positivo. A forma de
onda na carga dada pela Figura 3.17.
Figura 3.17 Forma de onda na carga.
3.2.2 Circuito de onda compl eta circuito em ponte
Outro retificador muito usado o retificador em ponte. Este tipo de
estrutura usado por no necessitar de um transformador com um tap central
e a tenso aplicada no diodo apenas o valor da fonte. A Figura 3.18, ilustra
este tipo de circuito.
Figura 3.18 Circuito de onda completa em ponte.
Analisando o sentido positivo da fonte, os diodos 1 e 4 ficam abertos e
dos diodos 2 e 3 se comportam como um curto. A Figura 3.19, mostra o
comportamento do sentido positivo.
Figura 3.19 Circuito de onda completa no sentido positivo da fonte.
A Figura 3.20, mostra o comportamento do sentido negativo da fonte.
Figura 3.20 Circuito de onda completa no sentido negativo da fonte.
Como resultado, a forma de onda na carga ilustrada na Figura 3.21.
Figura 3.21 Forma de onda na carga.
3.2.3 Circuito de onda compl eta Transformador de TAP central
J um tipo de estrutura com um transformador com o tap central
ilustrado na Figura 3.22.
Figura 3.22 Retificador de onda completa com tap central.
A Figura 3.23, ilustra o comportamento no sentido positivo da fonte,
onde o diodo 1 se comporta como um curto e o diodo 2 um circuito aberto.
Figura 3.23 Retificador de onda completa com tap central, sentido positivo.
Neste caso a tenso aplicada no diodo de duas vezes o valor do
secundrio.
Analisando o sentido negativo da fonte (Figura 3.24), o diodo 1 agora
abre e o diodo 2 vira um curto. J a tenso aplicado no diodo 2 de duas
vezes a tenso do secundrio.
Figura 3.24 Retificador de onda completa com tap central, sentido negativo.
Calculando o valor mdio tem-se:
}
=

2
0
_ 0
) (
2
1
2 dt wt sen V V
m medio
equao 3.18
m medio
V V 636 , 0
_ 0
=
equao 3.19
3.2.4 Circuito de meia onda com filtro
Analisando o circuito da Figura 3.25, se nota que quando o diodo
conduz, o capacitor se carrega at o valor de pico da fonte.
Figura 3.25 Retificador de meia onda com filtro.
J no sentido negativo o capacitor descarrega pela resistncia. A Figura
3.26 mostra a forma de onda final na carga.
Figura 3.26 Forma de onda na carda do retificador de meia onda com filtro.
H um aparecimento de um AV e este depende da constante de tempo
do circuito (t=RC). As equaes para este tipo de estrutura so:
2
_
V
V V
p medio L
A
= equao 3.20
L
p
L
R
V
I =
equao 3.21
C
T I
V
L
= A equao 3.22
C
q
q
A
= A equao 3.23
T I q
L
= A equao 3.24
Para circuito com filtro com onda completa basta trocar a equao 3.25 e
o valor mdio na carga dado pela mesma equao 3.20.
C
q
q
2
A
= A equao 3.25
3.3 Grampeadores
O circuito grampeador (Figura 3.27), de uma forma geral, grampeia um
valor de tenso quando aplicado a um circuito com uma determinada
configurao. (Diodo ideal)
Figura 3.27 Circuito grampeador.
Analisando (Figura 3.28) o sentido positivo do sinal de entrada.
Figura 3.28 Circuito grampeador, sentido positivo diodo aberto.
i C
V V V = +
0
C i
V V V =
0
Analisando (Figura 3.28) o sentido negativo do sinal de entrada.
Figura 3.29 Circuito grampeador, sentido negativo diodo como curto.
0 = +
i C
V V
V V V
i C
60 = =
V V 0
0
=
Para V
i
=40v a tenso em V
0
=100v
Para V
i
=- 60v a tenso em V
0
=0 v
b
Figura 3.30 Circuito grampeador, forma de onda na carga.
3.3.1 Exempl o 1
Considere diodo ideal.
Figura 3.31 Circuito grampeador.
Figura 3.32 Circuito grampeador com sentido positivo.
RL C i
V V V + +
Figura 3.33 Circuito grampeador com sentido negativo.
0 =
C i
V V
60 = =
i C
V V
V
i
=60
v V V V
C i RL
120 ) 60 ( 60 = = =
V
i
=-60
v V
RL
0 =
Pode-se notar que no sentido negativo a tenso na carga a mesma
que est em cima do diodo e como este um curto a tenso zero.
Figura 3.34 Circuito grampeador forma de onda na carga.
3.3.2 Exerccios propostos
1 - Analise o circuito da Figura 3.31 e esboce a forma de onda em V
0
com os
valores apropriados.
Figura 3.35 Circuito grampeador.
2 Esboce a forma de onda em R
L
e em V
0
para o circuito da Figura 3.32.
Figura 3.36 Circuito grampeador.
3 Calcule a tenso mdia na carga para o circuito da figura a seguir.
4 Calcule a tenso mdia na carga e esboce a forma de onda na carga para
o circuito da figura a seguir.
3.4 Diodo Zener
O Diodo zener opera diferente do diodo normal e tem vrias
possibilidades de utilizao. A Figura 3.33, pode-se ver o funcionamento do
diodo zener e sua representao com um circuito equivalente.
Figura 3.33 Diodo Zener.
Quando se aplica uma tenso sobre o zener e esta tenso maior que a
tenso de zener ou diodo se comporta como se fosse uma fonte constante com
um valor V
zo
. Pela Figura 3.34, pode-se visualizar este comportamento.
Figura 3.34 Diodo Zener - Ligado.
Quando uma tenso aplicada superior a tenso de zener, se diz que o
diodo zener est ligado.
Quando se aplica uma tenso maior que zero e menor que a tenso de
zener se diz que o diodo zener est desligado (Figura 3.35). Neste caso
conforme a Figura 3.35, o diodo se comporta como um circuito aberto.
Figura 3.35 Diodo Zener - Desligado.
Analisando a Figura 3.36, quando aplicado uma tenso menor que
zero, o diodo se comporta como se fosse um diodo com tenso V
D
=0,7v. esta
fonte seria oposta a tenso Vz.
Figura 3.36 Diodo Zener Tenso reversa.
O circuito a seguir mostra uma aplicao com um diodo zener (A figura
3.37). Antes de tudo, para uma primeira analise, se deve calcular sem a
existncia do zener a tenso aplicada sobre o resistor R
L
.
Figura 3.37 Circuito com Diodo Zener.
L
L
RL
R R
R
V V
+
=
Com o calculo da tenso sobre o resistor, basta verificar o
funcionamento do zener no circuito. Na Figura 3.38, mostra quando a tenso
calculada maior que o valor V
z
.
Figura 3.38 Circuito com Diodo Zener ligado.
Z RL
V V =
RL Z R
I I I + =
L
RL
RL
R
V
I =
R
V V
I
RL I
R

=
Z Z Z
I V P =
Quando a tenso calculada sobre o diodo zener maior que zero e
menor que a tenso de zener, o circuito fica conforme a Figura 3.39.
Figura 3.39 Circuito com Diodo Zener desligado.
L
L
RL
R R
R
V V
+
=
A I
Z
0 = w P
Z
0 =
L
RL R
R R
V
I I
+
= =
Outra possibilidade quando uma tenso menor que zero aplicada
sobre o zener. Neste caso o zener se comporta como se fosse um diodo
normal e com uma fonte de 0,7v. A Figura 3.40, ilustra esta situao.
Figura 3.40 Circuito com Diodo Zener desligado.
v V
RL
7 , 0 =
RL Z R
I I I + =
L
RL
RL
R
V
I =
R
V V
I
RL I
R

=
Z Z Z
I V P =
3.4.1 Exempl o 1
Analisando a Figura 3.41, se pode ter uma idia do comportamento do
diodo zener no circuito. Primeiro se calcula a queda de tenso sobre o diodo
zener.
Figura 3.41 Circuito exemplo.
v
k k
k
V
RL
73 , 8
2 , 1 1
2 , 1
16 =
+
=
Neste caso a tenso de zener 10v e o calculado foi 8,73. Esta tenso
menor que V
Z
e o circuito se comporta conforme a Figura 3.42.
Figura 3.42 Circuito exemplo resoluo.
A I
Z
0 = w P
Z
0 =
mA
k k
I I
RL R
22 , 7
2 , 1 1
16
=
+
= =
3.4.2 Exempl o 2
Fazendo o mesmo exerccio 1, mas com o valor da resistncia R de
200O. Pela Figura 3.43, pode-se fazer uma analise.
Figura 3.43 Circuito exemplo 2.
Calculado a queda de tenso em RL:
v
k
k
V
RL
29 , 11
2 , 1 200
2 , 1
16 =
+
=
como a tenso maior que a tenso de zener (10v), o circuito fica
conforme a Figura 3.44.
Figura 3.43 Circuito exemplo resoluo.
v V
RL
10 =
RL Z R
I I I + =
mA
k
I
RL
33 , 8
2 , 1
10
= =
mA I
R
30
200
10 16
=

=
mA m m I I I
RL R Z
66 , 21 33 , 8 30 = = =
mW m P
Z
66 , 216 66 , 21 10 = =
3.4.3 Exerccios propostos
1 - Calcule para o circuito a seguir os seguintes dados:
V
L
, V
R
, I
Z
e P
Z
.
2 - Calcule para o circuito a seguir os seguintes dados:
V
L
, V
R
, I
Z
e P
Z
.
4 Transistores Bipolares
Os transistores bipolares (BJ Ts) so dispositivos que possuem trs
terminais onde um sinal de baixa potncia aplicada entre dois terminais,
permite controlar dispositivos de alta potencia. Basicamente um transistor a
juno de unies PN (a mesma juno dos diodos), capazes de controlar a
passagem de uma corrente. Podem ser de dois tipos, de acordo com as
unies: PNP ou NPN. Pela Figura 4.1, ilustra a concepo de um transistor de
tipo PNP.
Figura 4.1 Estrutura de um transistor PNP.
J pela Figura 4.2, se tem uma noo de a configurao do tipo NPN.
Figura 4.2 - Estrutura de um transistor NPN.
Como foi visto nas Figura 4.1 e 4.2, os transistores podem ser de dois
tipos e cada tipo tem um funcionamento e uma simbologia adota. A Figura 4.3,
ilustra as simbologias usadas para este tipo de dispositivos.
Figura 4.3 Smbolos dos transistores bipolares NPN e PNP.
Outra notao importante que nas Figuras 4.1 e 4.2, esto dispostos a
representao na forma de diodos associados e desta forma se pode fazer um
estudo no comportamento sobre o fluxo de carga e como se comporta uma
corrente eltrica, quando da aplicao de um potencial entre os terminais de
um transistor.
A Figura 4.3, mostra alm de uma simbologia, uma notao algbrica
dos terminais e esta notao :
B Base
C Coletor
E Emissor
4.1 Pri ncpi o de funcionamento
Para entender como o comportamento do fluxo de eltrons destes
dispositivos, h a necessidade de se entender como funciona. Para um melhor
entendimento se tomou o transistor do tipo NPN (Figura 4.4).
Figura 4.4 Transistor do tipo NPN.
A base a parte que controla a passagem de corrente; quando a base
est energizada, h uma passagem de corrente do coletor para o emissor,
quando no ha sinal na base, no existe essa conduo. A base
esquematicamente o centro do transistor. O coletor uma das extremidades
do transistor: nele que "entra" a corrente a ser controlada ou seja nesta
conexo onde os dispositivos a serem controlados so acoplados.
A relao existente entre o coletor e a base um parmetro ou
propriedade do transistor conhecido como (beta ou hfe) e diferente para
cada modelo do mesmo.
O emissor outra extremidade, por onde sai a corrente que foi
controlada.
Algumas caractersticas que se deve observar nos transistores:
A voltagem mxima entre base e coletor.
Potncia mxima dissipvel (no caso do seu uso para controle de
potncia)
A freqncia mxima.
Para o funcionamento do transistor tipo NPN, deve-se analisar a Figura
4.5,
Figura 4.5 Representao do transistor NPN com diodos.
Desta forma se for aplicado um potencial entre os terminais B e E e este
potencial for maior que 0,7 volts, esta juno BE dita com polarizao direta.
J na outra juno se for aplicado um potencial entre BC e este potencial for
contrrio a juno ou seja para um potencial V
BC
menor que zero, haver um
fluxo contrrio de eltrons e este fenmeno dito que a juno est polarizada
reversamente. Na Figura 4.6, pode-se observar o fluxo de corrente para
entrada de conduo dos transistores NPN.
Figura 4.6 Sentido das correntes do transistor NPN.
Pela Figura 4.6, pode-se ver claramente o sentido da corrente fluindo
pelo circuito e desta forma ter a primeira equao das correntes resultantes. A
Equao 4.1, mostra as correntes envolvidas nos transistor NPN, aplicando a
lei das correntes em um ponto.
B C E
I I I + =
equao 4.1
Pela mesma Figura 4.6, se for colocado o transistor a um traador de
curva, pode-se observar os valores das correntes e tenses em certos pontos e
alm disto saber em qual regio est operando o transistor. Desta forma a
Figura 4.7, ilustra quando um transistor dito base comum, (Base aterrada ver
figura 4.6) est submetido a uma traador de curva.
Analisando a Figura 4.7, pode-se claramente observar que duas
correntes so praticamente iguais e estas correntes esto descritas pela
equao 4.2.
C E
I I =
equao 4.2
Vale a pena salienta que, a juno base emissor, se comporta como
fosse um diodo com uma queda de tenso de 0,7 volts. Desta forma se obtm
outra equao, conforme a equao 4.3.
V V
BE
7 , 0 = Equao 4.3
Figura 4.7 Curva caracterstica para um transistor NPN base comum.
A Corrente de base a que colocar o transistor operando em uma
determinada regio de operao. A partir desta corrente e o | do transistor, se
pode chegar as seguintes relaes nas equaes 4.4 e 4.5.
B C
I I - =
Equao 4.4
B E
I I ) 1 ( + = Equao 4.5
Pela Figura 4.7, pode-se ver que h trs regies de operao para um
transistor. Estas regies so:
Regio Ativa
Regio de Corte
Regio de Saturao
Basta agora estudar o ponto de operao de um transistor e descobrir
onde est operando um transistor. Este tipo de estudo depende do tipo de
estrutura na qual foi colocado o transistor.
4.2 Polarizao DC do BJT
A polarizao dc onde se coloca o transistor para operar. O transistor
pode operar como chave, como amplificado, como inversor de sinal, etc. Desta
maneira quando se projeta um circuito usando um transistor necessrio se ter
em mente onde ser aplicado e depois configurar o transistor a operar em uma
regio condizente com o que foi requerido.
Analisando a Figura 4.8, pode-se notar que os pontos A, B, C e D esto
em regies de operaes diferentes.
Figura 4.8 Curva caracterstica de um transistor com pontos de operao.
4.2.1 Regio de operao Linear
Pelo grfico apresentado na Figura 4.8, pode-se dizer que os pontos B,
C e D esto na regio linear. Para operar nesta regio necessrio polarizar o
transistor da seguinte maneira:
A juno base - emissor deve estar polarizada diretamente.
A juno base - coletor deve estar polarizada reversamente.
Esta regio de operao quando se quer o transistor operando como
amplificador.
4.2.2 Regio de operao de corte
O ponto C da Figura 4.8, est mais perto da regio de corte, do que os
outros pontos, mas contnua no limite entre as trs regies e dependendo do
que da forma que for polarizado este ponto pode ir para corte.
A juno base - emissor deve estar polarizada reversamente.
4.2.3 Regio de operao saturao
O ponto A est mais para regio de saturao, pois no h uma
aplicao de tenso nos terminais do transistor.
A juno base - emissor deve estar polarizada diretamente.
A juno base - coletor deve estar polarizada diretamente.
4.3 Exemplo de circuito com transistor
Com as bases anterior, basta agora aplicar as regras de circuitos e
equacionar cada circuito com transistor para enquadrar em um tipo de regio
de operao. Analisando o circuito da Figura 4.9, onde tem um circuito
completo com resistor de base e resistor de coletor, um levantamento dos
parmetros de polarizao dar a possibilidade de se chegar a uma regio de
operao.
Figura 4.9 Circuito do exemplo 1.
Na Figura 4.9, pode-se notar que h um sinal alternado de entrada, mas
agora neste momento se deve ter em mente que para um transistor operar, se
deve primeiro polarizar para depois ver a resposta externa aplicada. Os
capacitores C
1
e C
2
so chamados de capacitores de acoplamento. Estes
capacitores fazem com que o sinal de entrada no interfira na polarizao do
transistor e desta forma no mude a regio de operao.
Para anlise dc os capacitores se abrem e desta forma o circuito
resultante fica conforme a Figura 4.10.
Figura 4.10 Circuito resultante para anlise em dc.
Fazendo uma anlise de circuitos, pode-se obter algumas equaes que
permitir determinar a regio de operao. Estas equaes esto descritas a
seguir.
B
BE CC
B
R
V V
I

=
Equao 4.6
Lembrando que:
B C
I I =
tem-se que:
C C CC CE
R I V V =
Equao 4.7
Lembrando tambm que:
E C CE
V V V =
e
e B BE
V V V =
No circuito a tenso em V
E
=0, logo
C CE
V V =
e
B BE
V V =
4.3.1 Exempl o 1
Calcule I
B
, I
C
, V
CE
, V
B
, V
C
e V
BC
para os seguintes dados do circuito da
Figura 4.10:
R
B
=240k
R
C
=2,2kO
V
CC
=12V
| =50
Soluo:
A
k R
V V
I
B
BE CC
B
08 , 47
240
7 , 0 12
=

=
mA I I
B C
35 , 2 08 , 47 50 = = =
V k m R I V V
C C CC CE
83 , 6 2 , 2 35 , 2 12 = = =
V V V
BE B
7 , 0 = =
V V V
CE C
83 , 6 = =
V V V V
C B BC
13 , 6 83 , 6 7 , 0 = = =
Considerando que V
BE
foi polarizado diretamente e calculando V
BC
,
chegou-se que este ponto estava polarizado reversamente. Com isso este
transistor est operando na regio linear.
4.4 Anlise por reta de carga
Com um valor de | possvel determinar um ponto Q resultante na
curva caracterstica de um transistor qualquer. Para determinar este ponto de
operao deve-se calcular alguns parmetros e com estes se determina um
ponto de operao.
O ponto de operao o mesmo visto na Figura 4.8, com o qual se tem
uma noo de como se comportar o transistor.
Para se determinar oi ponto deve-se fazer os seguintes passos:
Fazer I
c
=0A
Fazer V
CE
=0V
Analisando a Figura 4.11 e seguindo os passos anteriores se pode
determinar os pontos de uma reta.
Figura 4.11 Circuito para Analise por reta de carga.
Fazendo I
c
=0A
Neste caso o valor de V
CE
segundo a Figura 4.11, V
CC
.
V
CE
=V
CC
Fazendo V
CE
=0A
Tirando a equao para este dado:
0 = +
CC CE C C
V V I R
C
CC
C
R
V
I =
Com base no que foi calculado, pode-se saber de uma maneira mais
rpida onde ficar polarizado o transistor. Pela Figura 4.12, que ilustra esta
situao se nota a reta de carga.
Figura 4.12 Circuito para Analise por reta de carga.
Os pontos mximos da reta do a orientao da reta e os pontos de
operao o local de operao. Desta forma se pode visualizar se o transistor
est na regio de corte, saturao ou linear.
Pegando os dados do exemplo 1 e analisando a reta de carga tem-se:
I
C
=0A
V
CE
=V
CC
=12v
V
CE
=0v
I
C
=V
CC
/ R
C =
12 / 2,2k =5,45mA
Calculando a corrente do coletor e a tenso entre o coletor - emissor:
mA I I
B C
35 , 2 08 , 47 50 = = =
V k m R I V V
C C CC CE
83 , 6 2 , 2 35 , 2 12 = = =
Com base nestes dados possvel esboar a reta de carga. A Figura
4.13, ilustra esta situao.
Figura 4.13 Reta de carga do exemplo 1.
4.5 Polarizao por di vi so de tenso
A polarizao dor divisor de tenso, a mais estvel em relao a
variao de temperatura. Este tipo de configurao apresentado na Figura
4.14, muito utilizado com transistor amplificador.
Figura 4.14 Circuito com polarizao por divisor de tenso.
Fazendo uma analise DC, fica conforme a Figura 4.15.
Figura 4.15 Circuito com polarizao DC.
As equaes se tornam desta maneira similares com as anteriores,
bastando agora s os equivalentes de Thvenin..
2 1
2
R R
R
V V
CC TH
+
=
2 1
2 1
R R
R R
R
TH
+
=
4.6 Transistor como chave
Um transistor que pode operar em duas regies, corte e saturao pode
ter um funcionamento de uma chave. A Figura 4.16 ilustra como um transistor
pode funcionar nestas regies de operaes.
Figura 4.16 Transistor operando como chave.
Conforme a Figura 4.16, quando V
i
for maior do que V
BE
a tenso V
0

zero (transistor ligado e operando na regio saturada) e quando V
i
for menor do
que V
BE
a tenso V
0
V (transistor desligado e operando na regio de corte).
V
i
>V
BE
V
0
=0V I
C
=V
CC
/R
C
V
i
<V
BE
V
0
=V I
C
=0A
Como regra, pode se colocar R
B
dez vezes maior que R
C
.
4.7 Exemplos
4.7.1 Exempl o 1
Analise o circuito da Figura 4.17 e determine todos os parmetros de
polarizao. Considere os seguintes valores:
R
B
=430k
R
C
=2kO
R
E
=1kO
V
CC
=20V
| =50
Os capacitores 1 a 3 so os capacitores de acoplamento e na analise
DC os capacitores ficam abertos.
Figura 4.17 circuito do exemplo 2.
Fazendo a analise DC do circuito da Figura 4.14, se obtm o seguinte
circuito resultante da Figura 4.18.
Figura 4.18 Circuito resultante para anlise em dc.
Pela Figura 4.19, pode-se visualizar os pontos onde sero calculados os
dados.
Figura 4.19 Pontos de tenso do circuito.
( )
A
k k R R
V V
I
E B
BE CC
B

1 , 40
) 51 1 430 (
7 , 0 12
1
=
+

=
+ +

=
mA I I
B C
01 , 2 1 , 40 50 = = =
V k m R I V V
C C CC CE
97 , 13 2 01 , 2 20 = = =
v m k I R V V
C C cc C
98 , 15 01 , 2 2 20 = = =
v V V V
CE C E
01 , 2 97 , 13 98 , 15 = = =
v V V V
E BE B
71 , 2 01 , 2 7 , 0 = + = + =
v V V V
C B BC
27 , 13 98 , 15 71 , 2 = = =
Analisando pela reta de carga tem-se o seguinte grfico ilustrado pela
Figura 4.20.
Figura 4.20 reta de carga.
Pela Figura 4.19, nota-se que o ponto de operao linear, mas est
mais prximo da regio de corte e se houver uma alterao do beta devido a
temperatura por exemplo, o circuito poder sai da regio de operao linear.
4.8 Exerccios propostos
1 Determine V
C
, V
B
, V
E
, I
B
, I
C
, I
E
, V
CE
, V
BC
e o ponto de operao.
2 Determine V
C
, V
B
, V
E
, I
B
, I
C
, I
E
, V
CE
, V
BC
e o ponto de operao pela reta de
carga.
3 Determine V
C
, V
B
, V
E
, I
B
, I
C
, I
E
, V
CE
, V
BC
e pela reta de carga o ponto de
operao.