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SUMRIO

1. Reviso de Eletricidade.............................................................01
1.1.Circuito Eltrico ...............................................................01
1.1.1. Gerador..................................................................01
1.1.2. Condutor................................................................01
1.1.3. Receptor.................................................................01
1.2.Condutores e Isolantes .....................................................02
1.2.1. Condutor................................................................02
1.2.2. Isolante ..................................................................02
1.3.Fontes de Energia Eltrica................................................02
1.3.1. Fontes de Tenso ...................................................03
1.3.2. Fontes de Corrente.................................................04
1.4. Potncia Eltrica..............................................................05
1.5. Resistncia Eltrica .........................................................05
1.6. Associao de Resistores ................................................07
1.6.1. Associao Srie....................................................08
1.6.2. Associao em Paralelo .........................................09
1.6.3. Associao Mista...................................................10
1.7. Leis de Kirchoff ..............................................................10
1.7.1. Lei dos Ns............................................................10
1.7.2. Lei das Malhas.......................................................11
1.8. Mtodos de Anlise de Circuitos ....................................11

ii

1.8.1. Teorema de Thevenin ............................................11


1.8.2. Teorema da Superposio......................................12
1.8.3. Teorema da Mxima Transferncia de Potncia ...13
1.9. Exerccios........................................................................14
2. Materiais Semicondutores.........................................................17
2.1. Tabela Peridica..............................................................17
2.2. Estrutura Atmica ...........................................................17
2.2.1. Camadas de Energia ..............................................18
2.3. Caractersticas .................................................................18
2.4. Nmero Atmico.............................................................19
2.5. Nmero de Valncia........................................................19
2.6. Principais Semicondutores ..............................................19
2.6.1. Caractersticas Marcantes ......................................20
2.6.2. Representao Planar.............................................20
2.6.3. Dopagem Eletrnica ..............................................20
2.7. Cristais.............................................................................21
3. Diodos.......................................................................................24
3.1. Caractersticas .................................................................24
3.2. Polarizao ......................................................................24
3.3. Curva Caracterstica .......................................................26
3.3.1. Ponto de Operao.................................................27
3.4. Anlise de Circuitos .......................................................27

iii

3.4.1. Modelo Ideal..........................................................27


3.4.2. Modelo para Mdias Tenses ................................28
3.4.3. Modelo Real ..........................................................28
3.5. Grampeador Positivo.......................................................29
3.6. Grampeador Duplo..........................................................29
3.7. Exerccios........................................................................31
4. Diodos em CA ..........................................................................35
4.1. Introduo .......................................................................35
4.2. Transformadores .............................................................35
4.2.1. Equaes Principais...............................................36
4.3. Retificador de Meia Onda ...............................................36
4.4. Retificador de Onda Completa........................................38
4.5. Retificador em Ponte.......................................................39
4.6. Dobrador de Tenso ........................................................41
4.7. Triplicador de Tenso......................................................41
4.8. Quadruplicador de Tenso ..............................................41
4.9. Exerccios........................................................................42
5. Filtro Capacitivo .......................................................................44
5.1. Introduo .......................................................................44
5.2. Definio .........................................................................44
5.3. Diviso ............................................................................44
5.3.1. Passivos .................................................................44

iv

5.3.2. Ativos ....................................................................44


5.4. Componente Bsico ........................................................45
5.4.1. Capacitor ...............................................................45
5.4.2. Capacitncia ..........................................................46
5.4.3. Rigidez Dieltrica..................................................46
5.4.4. Corrente de Fuga ...................................................46
5.4.5. Tipos de Capacitores .............................................47
5.4.5.1. Capacitores Eletrolticos............................48
5.4.6. Carga e Descarga...................................................49
5.4.7. Reatncia Capacitiva .............................................51
5.5. Classificao dos Filtros..................................................53
5.5.1. Passa-baixas...........................................................53
5.5.2. Passa-altas..............................................................54
5.5.3. Passa-banda ...........................................................55
5.6. Retificador com Filtro. ....................................................56
5.7. Exerccios........................................................................57
6. Diodos Especiais.......................................................................59
6.1. Optoeletrnicos ...............................................................59
6.2. Fotodiodo ........................................................................60
6.3. Diodo Emissor de Luz - LED..........................................61
6.4. Optoacopladores..............................................................62
6.5. Diodo Zener ....................................................................63

6.5.1. Funcionamento do Zener .......................................64


6.6. Exerccios........................................................................66
7. Reguladores de Tenso .............................................................68
7.1. Fontes de Alimentao ....................................................68
7.2. Regulador Zener..............................................................69
7.2.1. Carga e Entrada Constantes...................................70
7.2.2. Carga Varivel e Entrada Constante......................71
7.2.3. Carga Fixa e Entrada Varivel...............................73
7.2.4. Carga e Entrada Variveis .....................................74
7.3. Reguladores Integrados ...................................................75
7.3.1. Srie 78xx..............................................................75
7.3.2. Srie 79xx..............................................................75
7.3.3. Variveis................................................................75
7.4. Projeto .............................................................................76
7.5. Exerccios........................................................................76
8. Introduo aos Transistores ......................................................78
8.1. Estrutura Fsica................................................................78
8.2. Simbologia ......................................................................79
8.3. Anlise do Circuito .........................................................79
8.4. Classificao ...................................................................80
8.4.1. Uso Geral...............................................................80
8.4.2. Potncia .................................................................80

vi

8.4.3. RF ..........................................................................80
8.5. Funcionamento................................................................81
8.6. Configuraes Bsicas ....................................................82
8.6.1. Base Comum .........................................................83
8.6.2. Coletor Comum Seguidor de Emissor ................83
8.6.3. Emissor Comum ....................................................84
8. 7. Exerccios.......................................................................85
9. Polarizao de Transistores.......................................................88
9.1. Curva Caracterstica ........................................................88
9.2. Ponto de Operao ..........................................................89
9.3. Reta de Carga ..................................................................90
9.4. Circuitos de Polarizao..................................................91
9.4.1. Polarizao da Base...............................................91
9.4.2. Realimentao do Emissor ....................................92
9.4.3. Realimentao do Coletor .....................................93
9.4.4. Polarizao do Emissor .........................................94
9.4.5. Polarizao por Divisor de Tenso ........................95
9.5. Exerccios........................................................................96
10. Transistores como Chave ........................................................98
10.1. Chave Eletrnica ...........................................................98
10.2. Dimensionamento .........................................................99
10.3. Circuitos com Transistores............................................100

vii

10.3.1. Transistor Isolado ................................................100


10.3.2. Transistores em Cascata ......................................100
10.3.3. Transistores em Push-Pull ...................................100
10.3.4. Transistores em Ponte H......................................101
10.4. Exerccio .......................................................................101

viii

RELAO DE FIGURAS

Fig. 1 Circuito eltrico ...............................................................01


Fig. 2 Fontes de tenso (a) fonte, (b) pilha e (c) bateria ............03
Fig. 3 Fonte de corrente .............................................................04
Fig. 4 Resistncias (a) fixa, (b) varivel e (c) LDR ...................07
Fig. 5 Associao em srie de resistores....................................08
Fig. 6 Associao em paralelo de resistores...............................09
Fig. 7 Associao em mista de resistores...................................10
Fig. 8 Circuito para anlise por Thevenin..................................12
Fig. 9 Circuito para anlise por superposio ............................13
Fig. 10 Tabela peridica ............................................................17
Fig. 11 Camadas de energia .......................................................18
Fig. 12 Nmero de valncia .......................................................19
Fig. 13 Representao planar .....................................................20
Fig. 14 Cristal tipo N .................................................................22
Fig. 15 Cristal tipo P ..................................................................22
Fig. 16 Cristal tipo PN ...............................................................23
Fig. 17 Representao do diodo.................................................24
Fig. 18 Diodo semicondutor ......................................................25
Fig. 19 Polarizao do diodo (a) direta e (b) reversa .................25
Fig. 20 Curva caracterstica do diodo ........................................26
Fig. 21 Modelo ideal do diodo ...................................................27

ix

Fig. 22 Modelo para mdias tenses..........................................28


Fig. 23 Modelo real....................................................................28
Fig. 24 Grampeador positivo .....................................................29
Fig. 25 Grampeador duplo .........................................................29
Fig. 26 Circuito magntico ........................................................35
Fig. 27 Retificador de meia onda ...............................................36
Fig. 28 Forma de onda do retificador de meia onda ..................37
Fig. 29 Retificador de onda completa ........................................38
Fig. 30 Forma de onda do retificador de onda completa............38
Fig. 31 Retificador em ponte .....................................................39
Fig. 32 Forma de onda do retificador em ponte .........................39
Fig. 33 Duplicador de tenso .....................................................41
Fig. 34 Triplicador de tenso .....................................................41
Fig. 35 Quadruplicador de tenso ..............................................41
Fig. 36 Modelo de capacitor e simbologia .................................45
Fig. 37 Circuito equivalente de um capacitor ............................47
Fig. 38 Capacitores variveis .....................................................47
Fig. 39 Capacitores fixos ...........................................................48
Fig. 40 Circuito de carga desligado ...........................................49
Fig. 41 Circuito de carga ligado.................................................49
Fig. 42 Grfico de tenso e corrente ..........................................50
Fig. 43 Filtro passa-baixas .........................................................53

Fig. 44 Ponto de corte do passa-baixas ......................................53


Fig. 45 Filtro passa-altas ............................................................54
Fig. 46 Ponto de corte do passa-altas.........................................54
Fig. 47 Filtro passa-banda..........................................................55
Fig. 48 Ponto de corte do passa-banda.......................................55
Fig. 49 Retificador de meia onda com filtro capacitivo.............56
Fig. 50 Forma de onda do retificador com filtro........................56
Fig. 51 Fotodiodo.......................................................................60
Fig. 52 Diodo Emissor de Luz LED .......................................61
Fig. 53 Optoacoplador ...............................................................62
Fig. 54 Diodo zener....................................................................63
Fig. 55 Curva caracterstica do diodo zener...............................63
Fig. 56 Anlise de funcionamento do zener...............................64
Fig. 57 Diagrama de blocos de uma fonte de tenso..................69
Fig. 58 Regulador zener.............................................................69
Fig. 59 Regulador 78xx..............................................................75
Fig. 60 Regulador 79xx..............................................................75
Fig. 61 Estrutura do transistor....................................................78
Fig. 62 Estrutura do transistor NPN e PNP................................78
Fig. 63 Simbologia para NPN e PNP.........................................79
Fig. 64 Simbologia para NPN e PNP.........................................81
Fig. 65 Relao das correntes do transistor................................81

xi

Fig. 66 Transistor em base comum ............................................83


Fig. 67 Transistor em coletor comum ........................................83
Fig. 68 Transistor em emissor comum.......................................84
Fig. 69 Caracterstica de sada ...................................................88
Fig. 70 Regies de operao ......................................................88
Fig. 71 Pontos de operao ........................................................89
Fig. 72 Reta de carga .................................................................90
Fig. 73 Circuito de polarizao ..................................................90
Fig. 74 Circuito de polarizao da base .....................................91
Fig. 75 Circuito de polarizao com realimentao de emissor.92
Fig. 76 Circuito de polarizao com realimentao do coletor..93
Fig. 77 Circuito de polarizao com emissor fixo .....................94
Fig. 78 Circuito de polarizao por divisor de tenso................95
Fig. 79 Transistor como chave...................................................98
Fig. 80 Formas de acionamento .................................................98
Fig. 81 Acionamento digital ......................................................99
Fig. 82 Transistor isolado ..........................................................100
Fig. 83 Transistor em cascata.....................................................100
Fig. 84 Transistor em push-pull .................................................100
Fig. 85 Transistor em ponte H ...................................................101

ELETRNICA ANALGICA I

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01 REVISO DE ELETRICIDADE
1.1. CIRCUITO ELTRICO
Circuito eltrico todo e qualquer percurso fechado
por onde circula a energia eltrica.
GERADOR

CONDUTOR
Fig. 1 Circuito eltrico.

CARGA

1.1.1. GERADOR
Elemento responsvel pela criao (gerao) da energia
eltrica a partir de energia mecnica, qumica ou trmica. Os
geradores so denominados, geralmente, de FONTES ELTRICAS
ou simplesmente FONTES.
1.1.2. CONDUTOR
Elemento destinado a conduzir (levar) a energia eltrica do gerador ao receptor.
1.1.3. RECEPTOR
Elemento destinado a receber a energia eltrica e convert-la em uma outra forma de energia que possa ser utilizada
(mecnica, trmica, luminosa). Os receptores so geralmente
denominados de CARGAS ELTRICAS ou simplesmente CARGA.
O fluxo de energia eltrica dar-se atravs do esquema
abaixo:
GETIN

Pg.

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1.2. CONDUTORES E ISOLANTES


1.2.1. CONDUTOR
todo e qualquer material que apresenta grande quantidade de eltrons livres, isto , apresentam eltrons que esto
fracamente ligados ao ncleo do tomo. Estes materiais, quando
submetidos a uma DIFERENA DE POTENCIAL (ddp) ou FORA
ELETROMOTRIZ

(fem) ou TENSO, tm esses eltrons circulando

no seu interior.
Ex.: ouro; prata; cobre; alumnio
1.2.2. ISOLANTE
Ao contrrio dos condutores, os isolantes tm uma
quantidade muito pequena de eltrons livres, ou seja, os eltrons
esto fortemente ligados ao ncleo do tomo, o que dificulta a
circulao desses no seu interior.
Ex.: borracha; mica; porcelana
1.3. FONTES DE ENERGIA ELTRICA
Para que qualquer circuito eltrico funcione, preciso
haver uma fonte de energia. Uma fonte de energia pode fornecer
(a) uma TENSO ou (b) uma CORRENTE.

GETIN

Pg.

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1.3.1. FONTE DE TENSO (U)


o elemento que apresenta uma ddp (tenso ou fem)
entre os seus terminais (plos) e que fornece energia eltrica
quando uma carga conectada aos seus plos.
Ex.: pilha; bateria.
A tenso eltrica a relao entre o trabalho realizado
para deslocar uma carga eltrica entre os dois pontos de uma
ddp. A unidade de tenso o VOLT (V). O instrumento de medida da tenso o VOLTMETRO, que deve ser conectado em paralelo com a carga, pois ambos ficam, assim, sob o mesmo potencial eltrico.
As fontes de tenso ideais no tm perdas internas (no
consomem energia internamente), porm, isto no ocorre nas
fontes reais. Portanto, as fontes reais apresentam um elemento
de disperso interna (conhecido como resistncia interna da fonte).

Fig. 2 - Fontes de tenso (a) fonte, (b) pilha e (c) bateria.

GETIN

Pg.

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1.3.2. FONTE DE CORRENTE (I)


Elemento que, ao invs de provocar uma ddp, fornece
uma corrente eltrica carga. Mas... o que corrente eltrica ?
A corrente eltrica o deslocamento de cargas (positivas e negativas) dentro de um material, quando existe uma ddp
entre as extremidades deste. Tal deslocamento procura restabelecer o equilbrio desfeito pela ao de um campo eltrico ou de
outros meios (reao qumica, atrito, luz).
Portanto, a corrente eltrica o fluxo de cargas que atravessa a seo reta de um condutor por unidade de tempo. A
unidade de corrente o AMPRE (A). O instrumento de medio
de corrente o AMPERMETRO, o qual deve ser conectado em
srie ao local que se quer saber a intensidade da corrente. Assim, a corrente que circula no local passa pelo instrumento.
As fontes de corrente, tal como as de tenso, podem ser
consideradas reais e ideais. No caso real, a fonte de corrente apresenta um elemento dispersivo em paralelo com sua sada. O
smbolo eltrico de uma fonte de corrente mostrado na Fig. 2.

Fig. 3 Fonte de corrente.

GETIN

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1.4. POTNCIA ELTRICA (P)


Sabe-se que para se executar qualquer movimento ou
produzir calor, luz, radiao etc., necessrio despender energia. energia aplicada por segundo em qualquer destas atividades
chama-se potncia.
Em eletricidade, a potncia o produto da tenso pela
corrente

P = UI

(1.1)

Portanto, a unidade de potncia o WATT (W). O instrumento destinado a medir potncia conhecido como WATTMETRO.

O wattmetro composto por duas bobinas, uma de cor-

rente, conectada em srie com o circuito, e uma de potencial,


conectada em paralelo com o circuito.
1.5. RESISTNCIA ELTRICA (R)
Chama-se resistncia eltrica oposio feita, internamente, pelo material circulao da corrente eltrica. Por isso,
os corpos maus condutores tm resistncia elevada e os corpos
bons condutores tm menor resistncia.
Isto se deve s foras que mantm os eltrons livres,
agregados ao ncleo do material. Foi o cientista alemo Ohm
quem estabeleceu a lei que tem o seu nome e inter-relaciona a
ddp, a corrente e a resistncia do material.
GETIN

Pg.

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U = RI

(1.2)

onde:
I intensidade da corrente eltrica (A);
U ddp ou fem ou tenso (V);
R resistncia eltrica.
A unidade de resistncia eltrica o OHM (). O instrumento destinado a sua medio o OHMMETRO, que usado
em paralelo com o resistor que se quer medir.
A resistncia depende do tipo do material, do comprimento, da rea da seo transversal e da temperatura.
Cada material tem a sua resistncia especfica prpria,
ou seja, a sua resistividade (). Ento, a expresso da resistncia
em funo dos dados relativos ao condutor

R=

l
S

(1.3)

onde:
R resistncia em ;
resistividade do material em -mm2/m;
l comprimento em metros;
S rea da seo reta em mm2.

GETIN

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A resistncia varia com a temperatura de acordo com a


expresso:

Rt = RO [1 + (t 2 t1 )]

(1.4)

onde:
Rt valor da resistncia na temperatura "t" em ;
Ro valor da resistncia a 0oC em ;
coeficiente de temperatura em oC-1;
t2 e t1 temperaturas final e inicial em oC.
A simbologia eltrica adotada para uma resistncia eltrica mostrada na Fig. 4.

Fig. 4 Resistncias (a) fixa, (b) varivel e (c) LDR.


1.6. ASSOCIAO DE RESISTORES
Os circuitos eltricos so organizados de tal maneira
que podemos determinar a forma pela qual os resistores esto
associados comumente. Os resistores associados podem ser
substitudos por um nico RESISTOR EQUIVALENTE ao conjunto
(Req).

GETIN

Pg.

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O resistor equivalente (Req) um elemento que tem


um valor igual ao do conjunto, ou seja, um elemento que substitui o conjunto sem alterar o trabalho realizado por este.
Os resistores podem ser associados em srie, em para-

lelo ou de ambas as maneiras.


1.6.1. ASSOCIAO SRIE
Dois ou mais resistores esto em srie quando a corrente que passa por um passa pelos demais. O valor do resistor equivalente igual ao somatrio dos resistores associados (Fig.
5).

Fig. 5 - Associao em srie de resistores.

Req = R1 + R2 + R3 + R4

(1.5)

A tenso total atravs de um circuito srie igual


soma das tenses nos terminais de cada resistncia do circuito
(Fig. 5). Portanto, em um circuito srie, a tenso se divide pro-

GETIN

Pg.

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porcionalmente aos resistores do circuito, sendo, pois, chamado


de DIVISOR DE TENSO.
1.6.2. ASSOCIAO EM PARALELO
Dois ou mais resistores esto em paralelo quando esto
submetidos mesma tenso. O valor do inverso do resistor equivalente igual ao somatrio dos inversos dos resistores associados (Fig. 6).

Fig. 6 - Associao em paralelo de resistores.

1
1
1
1
1
=
+
+
+
Req R1 R2 R3 R4

(1.6)

A corrente total atravs de um circuito paralelo igual


soma das correntes, que passam, em cada resistncia do circuito (Fig. 6).portanto, em um circuito paralelo, a corrente se divide, nos diversos ramos, em valores inversamente proporcionais
aos valores dos resistores dos respectivos ramos. Assim sendo, o
circuito paralelo conhecido como DIVISOR DE CORRENTE.

GETIN

Pg.

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1.6.3. ASSOCIAO MISTA


Este tipo de associao uma combinao das associaes anteriores.

Fig. 7 - Associao em mista de resistores.


1.7. LEIS DE KIRCHOFF
A anlise de circuitos eltricos pode ser realizada por
diversas formas, porm a maneira mais rpida e simples a anlise das malhas e/ou dos ns do circuito em questo. Pensando
nisto, o cientista alemo Kirchoff desenvolveu um mtodo de
anlise que leva o seu nome.
1.7.1. LEI DOS NS
A soma algbrica das correntes instantneas que
fluem em uma juno qualquer, de uma rede, igual a zero (Bartkowiak, 1999).

Em outras palavras, podemos dizer que a soma das correntes que chegam em um n igual soma das correntes que
saem deste n.

I
GETIN

chegam

= I saem

(1.7)

Pg.

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1.7.2. LEI DAS MALHAS


A tenso aplicada a um circuito fechado igual
soma das quedas de tenso naquele circuito
(Bartkowiak, 1999).

Ou seja, o somatrio das ddp em uma malha fechada


igual a zero. Portanto, a lei das malhas est em concordncia
com o circuito divisor de tenso.

U
)

malha

=0

(1.8)

O sentido para percorrer a malha arbitrrio, desde


que sejam observadas as convenes de polaridade
das tenses na referida malha.

1.8. MTODOS DE ANLISE DE CIRCUITOS


1.8.1. TEOREMA DE THEVENIN
O teorema de Thevenin consiste num mtodo usado para transformar um circuito complexo num circuito simples equivalente. O teorema de Thevenin afirma que qualquer rede linear
de fontes de tenso e resistncias, se considerarmos dois pontos
quaisquer da rede, pode ser substitudo por uma resistncia equivalente RTH em srie com uma fonte equivalente VTH.
O RTH a resistncia Thevenin atravs dos dois pontos
escolhidos com todas as fontes de tenso internas curto-

GETIN

Pg.

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circuitadas e VTH a tenso de circuito aberto vista por estes


dois pontos.
EXEMPLO 01: Determinar a corrente que circula por R4 (Fig. 8).

Fig. 8 - Circuito para anlise por Thevenin.


1O PASSO: Retira-se R4 do circuito original deixando-o aberto
entre os pontos a e b e calcula-se a tenso de circuito
aberto (VTH),
2O PASSO: Determina-se a resistncia equivalente (RTH);
3O PASSO: Conecta R4 ao circuito equivalente de Thevenin e,
utilizando-se das leis de Kirchoff, encontra-se o que se
pede.
1.8.2. TEOREMA DA SUPERPOSIO
O teorema da superposio afirma que, numa rede com
duas ou mais fontes, a corrente ou a tenso para qualquer componente a soma algbrica dos efeitos produzidos por cada fonte atuando independentemente. A fim de se usar uma fonte de
cada vez, todas as outras fontes so retiradas do circuito. Ao se
retirar uma fonte de tenso, faz-se no seu lugar um curto-

GETIN

Pg.

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circuito. Quando se retira uma fonte de corrente, ela substituda por um circuito aberto.
EXEMPLO 02: Determinar a corrente que circula por R1 (Fig. 9).

Fig. 9 - Circuito para anlise por superposio.


1O PASSO: Desliga-se a fonte V2 e encontramos a corrente I1,
provocada por V1.
2O PASSO: Desliga-se a fonte V1 e encontramos a corrente I2,
provocada por V2.
3O PASSO: A corrente I ser igual a soma fasorial das correntes I1
e I2 .
1.8.3. TRANSFERNCIA MXIMA DE POTNCIA
A potncia mxima fornecida pela fonte de tenso e
recebida pela carga, se o valor da impedncia de carga for igual
ao da impedncia interna da fonte de tenso.

GETIN

Pg.

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1.9. EXERCCIOS
01. Uma lmpada que utiliza 10 V, um resistor de 10 que
consome 4 A, e um motor de 24 V esto associados em srie.
Calcule a tenso total e a resistncia total.
02. Se um fio de cobre tiver uma resistncia de 4 a 20o C,
qual o valor da sua resistncia a 75o C?
03. Dois resistores formam um divisor de tenso para polarizao de base num amplificador de udio. As quedas de tenso
atravs deles so de 2,4 V e 6,6 V, respectivamente, num circuito de 1,5 mA. Determine a potncia em cada resistor e a
potncia total dissipada em miliwatts.
04. Calcule a corrente em cada ramo de um circuito paralelo,
formado por uma cafeteira eltrica de 20 e um torrador de
po de 30 , se a corrente total for de 10 A.
05. Qual a potncia total consumida por um ferro eltrico de 4,5
A, um ventilador de 0,9 A, e um motor de geladeira de 2,4 A
se estiverem todos ligados a uma linha de 120 V?
06. Cinco lmpadas de 150 W esto ligadas em paralelo numa
linha de 120 V. Se um filamento se abrir, quantas lmpadas
podem se acender? Por que?
07. Calcule todas as correntes atravs das resistncias pelo mtodo da corrente de malha (Fig. 1).

GETIN

Pg.

14

ELETRNICA ANALGICA I

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08. Calcule todas as correntes e as quedas de tenso atravs das


resistncias pelo mtodo da anlise da tenso nodal (Fig. 2).
09. Calcule a resistncia equivalente e a tenso de sada Vo do
circuito da Fig. 3.
10. Determine a tenso Vp por superposio (Fig. 4).
11. Calcule as correntes 1, 2 e 3 no circuito da Fig. 5.
12. Calcule IL e VL pelo equivalente de Thevnin para o circuito
da Fig. 6.
13. Uma fonte de tenso tem 24 V em srie com 6 (Fig. 7).
Desenhe o circuito da fonte de corrente equivalente.
14. No circuito da Fig. 8, determine: a)o circuito equivalente de
Thevnin e o valor de VL; b)VL por superposio e c)VL pelo
equivalente de Norton.
15. Que resistncia de carga RL produzir uma potncia mxima
na carga (Fig. 9) e qual o valor dessa potncia?

GETIN

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02 - MATERIAIS SEMICONDUTORES
2.1. TABELA PERIDICA
Local onde os elementos qumicos so dispostos de acordo com seu nmero atmico para estudo e utilizao.

Fig. 10 Tabela peridica.


A tabela peridica est dividida em famlias e sua distribuio vista na Fig. 10, enquanto que suas famlias so divididas em:
1- Metais
2- Semimetais
3- No Metais
4- Gases Nobres
2.2. ESTRUTURA ATMICA
A estrutura atmica de um elemento qumico a forma
pela qual seus eltrons esto distribudos em camadas de energia
(Fig. 11) e fornece informaes acerca de seu nmero atmico
bem como de sua valncia de energia

GETIN

Pg.

17

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Fig. 11 Camadas de energia.


2.2.1. CAMADAS DE ENERGIA
A quantidade mxima de eltrons existente em cada
camada de energia apresentada a seguir:
9

K - 2;

L - 8;

M - 18;

N - 32;

O - 32;

P - 18;

Q - 2.

2.3. CARACTERSTICAS
Os tomos so constitudos por:
9

Prtons;

Nutrons;

Eltrons.
Os PRTONS correspondem a CARGAS POSITIVAS. Os

ELTRONS

so as CARGAS NEGATIVAS. Portanto, os tomos se

encontram ELETRICAMENTE NEUTRO.


GETIN

Pg.

18

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Os TOMOS ESTVEIS so os que possuem 8 ELTRONS


na LTIMA CAMADA de energia.
2.4. NMERO ATMICO
O nmero atmico corresponde ao nmero de prtons
que um tomo possui. Exemplos:
Clcio (Ca) Z = 20
Cobre (Cu) Z = 29

Polnio (Po) Z = 84
Enxofre (S) Z = 16

2.5. NMERO DE VALNCIA


O numero de valncia de um tomo corresponde ao
nmero de eltrons existentes na ltima camada de energia.

Fig. 12 Nmero de valncia.


2.6. PRINCIPAIS SEMICONDUTORES
Dentre os semicondutores os primeiros a serem utilizados na confeco de dispositivos eletrnicos foram:
9

Germnio (Ge);

Silcio (Si).

GETIN

Pg.

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2.6.1. CARACTERSTICAS MARCANTES


9

So TETRAVALENTES;

COMPARTILHAM os eltrons da camada de valncia;

NO APRESENTAM ELTRONS LIVRES;

Formam estruturas cristalinas (CRISTAIS)

Nota: O Si o elemento qumico mais utilizado atualmente.


2.6.2. REPRESENTAO PLANAR
A Fig. 13 apresenta uma representao planar de um
semicondutor.

Fig. 13 Representao planar.


2.6.3. DOPAGEM ELETRNICA
Na forma cristalina, o Si e o Ge no servem para a elaborao de componentes eletrnicos, porm esta situao pode
ser modificada atravs da adio de certas IMPUREZAS ao cristal.
Dependendo da impureza acrescentada aos semicondutores, eles podem CONDUZIR A CORRENTE ELTRICA de diferenGETIN

Pg.

20

ELETRNICA ANALGICA I

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tes maneiras, constituindo-se nos mais diversos tipos de dispositivos.


Estas impurezas consistem na ADIO de algum elemento que tenha um nmero diferente de eltrons na ltima camada e isto feito em PROPORES extremamente PEQUENAS.
2.7. CRISTAIS
Acrescentando ao Si um material como o arsnio (As),
o antimnio (Sb) ou o fsforo (P), que tm 5 eltrons na ltima
camada, estes elementos estranhos iro "DESEQUILIBRAR" a estrutura cristalina.
As impurezas assumem a mesma estrutura do cristal de
Si fazendo, cada uma, 4 ligaes com seus tomos vizinhos
mais prximos.
O resultado um excesso de eltrons, estes so os RESPONSVEIS PELA CONDUO DA CORRENTE.

Este novo material recebe o nome de cristal do TIPO N.


O nmero de eltrons livres maior que o nmero de
lacunas, ou seja, neste semicondutor os eltrons livres so portadores majoritrios e as lacunas so portadores minoritrios.

GETIN

Pg.

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Fig. 14 Cristal tipo N.


Se o material usado para dopar o Si for o alumnio (Al),
o boro (B) ou o glio (Ga), que tem 3 eltrons na ltima camada, o desequilbrio ser na falta de eltrons, isto , haver um
buraco ou uma lacuna (cargas positivas) a mais na estrutura.
Por isso, as impurezas trivalentes so chamadas de impurezas TIPO P e as lacunas podem ser consideradas como cargas eltricas positivas, portanto, este semicondutor chamado
tipo P.

Fig. 15 Cristal tipo P.


A unio entre um cristal do tipo P e um tipo N cria, entre eles, uma juno chamada de JUNO PN.

GETIN

Pg.

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Fig. 16 Cristal tipo PN.


O cristal tipo N tem excesso de eltrons livres e o tipo
P excesso de lacunas (falta de eltrons livres), portanto o novo
material tem duas camadas eletricamente desequilibradas.
O equilbrio no alcanado porque a juno PN funciona como uma barreira, que impede o fluxo de eltrons entre
os materiais. Esta barreira denominada de BARREIRA DE POTENCIAL.

Aplicando-se uma DIFERENA DE POTENCIAL (ddp)


nos terminais do cristal PN, a barreira de potencial poder ser
vencida e, assim, haver um fluxo de eltrons (corrente eltrica)
entre os materiais tipo P e tipo N.
Se Fundido dois terminais s extremidades do cristal
PN, tem-se um dispositivo eletrnico denominado de DIODO
SEMICONDUTOR ou simplesmente DIODO

GETIN

Pg.

23

ELETRNICA ANALGICA I

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03 - DIODOS
3.1. CARACTERSTICAS
Os diodos so dispositivos eletrnicos que permitem a
passagem de corrente eltrica por seu interior.
So fabricados a partir da juno de dois materiais
semicondutores (um do tipo P e outro de tipo N).
Os terminais de um diodo so denominados de nodo
(lado positivo ou P) e Catodo (lado negativo ou N).

Fig. 17 Representao do diodo.


Para funcionar adequadamente deve ser polarizado por
uma fonte de tenso (ddp).
3.2. POLARIZAO
Polarizar um diodo limitar a intensidade da corrente
eltrica que ir circular atravs dele e para isto se faz necessrio
encontrar o valor da resistncia que ser colocada em srie e que
tem por finalidade principal proteger o diodo contra correntes
excessivas.
A Fig. 18 mostra um diodo semicondutor formado pela
juno de cristais do tipo N e do tipo P, entre eles se forma uma
GETIN

Pg. 24

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barreira barreira de potencial cuja finalidade impedir a


transferncia de eltrons livres de um cristal para o outro quando no polarizado.

Fig. 18 Diodo semicondutor.


Aplica-se uma ddp entre os terminais do diodo e observamos o comportamento da barreira de potencial. Ora ela aumenta e ora diminui.
A fonte de tenso pode ser conectada apenas de duas
maneiras (Fig. 19):
9

Terminal positivo do lado P (polarizao direta);

Terminal negativo do lado P (polarizao reversa).

Fig. 19 Polarizao do diodo (a) direta e (b) reversa.

GETIN

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A barreira de potencial funciona como uma espcie de


Resistncia passagem da corrente pelo diodo.
Na polarizao DIRETA, as lacunas (tipo P) e os
eltrons (tipo N) migram para a regio da juno e se combinam
mais ainda, fazendo com que a barreira de potencial DIMINUA,
permitindo um fluxo de corrente pelo material. Portanto,
apresenta uma RESISTNCIA MENOR (idealmente RD = 0).
Na polarizao invertida, os eltrons e as lacunas se
afastam da regio da juno, AUMENTANDO a barreira e como
consequncia NENHUMA CORRENTE circula pelo material.
Portanto, apresenta uma RESISTNCIA MAIOR (idealmente RR =
infinito)
3.3. CURVA CARACTERSTICA
A curva caracterstica a curva (Fig. 20) que representa graficamente o comportamento de um diodo quando polarizado, mostrando os pontos de conduo plena e de corte.

Fig. 20 Curva caracterstica do diodo.

GETIN

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3.3.1. PONTO DE OPERAO


o ponto de coordenadas (VD, ID) na curva caracterstica que fornece informaes sobre a tenso e a corrente instantneas no diodo.
conhecido como PONTO QUIESCENTE ou PONTO Q.
Uma vez que o diodo polarizado diretamente permite a
passagem de uma corrente elevada, mas tem limitaes fsicas,
faz-se necessrio colocao de uma resistncia externa que
possa limitar a amplitude dessa corrente.
3.4. ANLISE DE CIRCUITOS
3.4.1. MODELO IDEAL

Fig. 21 Modelo ideal do diodo.

GETIN

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3.4.2. MODELO PARA MDIAS TENSES

Fig. 22 Modelo para mdias tenses.


3.4.3. MODELO REAL

Fig. 23 Modelo real.

GETIN

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3.5. GRAMPEADOR POSITIVO

Fig. 24 Grampeador positivo.

3.6. DUPLO GRAMPEADOR

Fig. 25 Grampeador duplo.

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3.7. EXERCCIOS
01. Suponha que a queda de tenso em um diodo de silcio polarizado diretamente seja de 0,7 V e que a queda de tenso em
um diodo de germnio polarizado diretamente seja de 0,3 V.
a) Se D1 e D2 forem ambos diodos de silcio (Fig. 1), calcule a corrente no circuito.
b) Repita o exerccio se D1 e D2 forem de germnio.
c) Repita o exerccio se D1 for de silcio e D2 for de germnio.
02. Repita o exerccio anterior quando a fonte de tenso mudar
para um valor constante de 9 V.
03. No circuito da Fig. 2, o diodo de Germnio. Calcule a porcentagem de erro provocada por se desprezar a queda de tenso no diodo quando a corrente I calculada no circuito. Suponha que o diodo de germnio polarizado diretamente tenha
uma queda de tenso de 0,3 V.
04. Repita o exerccio anterior quando a fonte de tenso mudar
para 3 V e o resistor mudar para 470 .
05. Determine os diodos que esto polarizados diretamente na
Fig. 3 e quais esto polarizados reversamente.
06. Determine os diodos que esto polarizados diretamente na
Fig. 4 e quais esto polarizados reversamente.
07. As entradas A e B (Fig. 5) podem ser 0 V ou +10 V. Cada
diodo de silcio tem uma resistncia de 400 quando pola-

GETIN

Pg. 31

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rizado diretamente. Calcule V0 para cada um dos seguintes


casos:
a) A = 0 V e B = 0 V;
b) A = 0 V e B = +10 V;
c) A = +10 V e B = 0 V;
d) A = +10 V e B = +10 V.
08. As entradas A e B (Fig. 5) podem ser 0 V ou -5 V. Suponha
que a queda direta de 0,7 V, calcule V0 quando
a) A = B = -5 V;
b) A = -5 V e B = 0 V;
c) A = 0 V e B = -5 V;
d) A = B = 0 V.
09. As entradas A, B e C (Fig. 6) podem ser de +10 V ou -5 V.
Cada diodo de silcio tem uma resistncia de 1k2 quando
polarizado diretamente. Calcule V0 quando
a) A = B = C = -5 V.
b) A = C = -5 V e B = +10 V.
c) A = B = +10 V e C = -5 V.
d) A = B = C = +10 V.
10. As entradas A, B e C (Fig. 6) podem ser de 0 V ou -5 V. Suponha que a queda direta de 0,7 V, calcule V0 quando
a) A = B = C = 0 V.
b) A = B = 0 V e C = -5 V.
c) A = C = -5 V e B = 0 V.
d) A = B = C = -5 V.

GETIN

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11. No circuito mostrado na Fig. 5, cada diodo tem uma resistncia de 100 quando em conduo. As entradas podem
ser de 0 V ou +5 V. Sob quaisquer condies, em que a tenso de sada est supostamente no nvel baixo, seu valor no
pode exceder a 1 V. Qual o menor valor de resistncia que
pode substituir a resistncia de 1,5 k no circuito?
12. Aplicando o teorema da Superposio, determine as correntes nos diodos do circuito abaixo.

Fig. 1

Fig. 2

Fig. 3

GETIN

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Fig. 4

Fig. 5

GETIN

Fig. 6

Pg. 34

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04 - DIODOS EM CA
4.1. INTRODUO
Circuitos retificadores so QUADRIPOLOS que funcionam com base na caracterstica unidirecional do diodo:
uma tenso CA aplicada na entrada e uma tenso CC aparece
na sada.
Os diodos em circuitos de corrente alternada (CA)
muitas vezes no suportam os nveis destes sinais e a fim de
solucionar essa dificuldade so utilizados TRANSFORMADORES.

4.2. TRANSFORMADORES
Os transformadores so dispositivos estticos que
ACOPLAM

circuitos com diferentes nveis de tenso e/ou de

impedncias.

Fig. 26 Circuito magntico.

GETIN

Pg.

35

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4.2.1. EQUAES PRINCIPAIS

U PRI N PRI
=
U SEC N SEC
I PRI
N SEC
=
I SEC N PRI

PPRI = PSEC
Onde: U Tenso
P Potncia
PRI

Primrio (Fonte)

I Corrente
N Nmero de Espiras
SEC

Secundrio (Carga)

4.3. RETIFICADOR DE MEIA ONDA

Fig. 27 Retificador de meia onda.

GETIN

Pg.

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Fig. 28 Forma de onda do retificador de meia onda.

RESULTADOS OBTIDOS
2

U PICO
1
UL =
U picosen(t )dt =

2 0

UDC = 0,318 UMX


PIV = UMX
IL = ID
Um transformador com tenso de secundrio de 12 V ligado a
um retificador de meia onda com uma carga de 10 .
Considerando VF = 0,7 V, determine:
a) tenso mdia na carga;
b) corrente mdia na carga;
c) especificaes do diodo;
d) formas de onda na carga e no diodo.

GETIN

Pg.

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4.4. RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA

Fig. 29 Retificador de onda completa.

Fig. 30 Forma de onda do retificador de onda completa.

RESULTADOS OBTIDOS
UDC = 0,636 UMX
UMX = UMX / 2
PIV = UMX
IL = 2 ID

GETIN

Pg.

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Um transformador com tap central de 220/4+4 V ligado a um


retificador de onda completa com carga de 10 . Considerando
a queda de tenso dos diodos, determine:
a)tenso mdia na carga;
b)corrente mdia na carga;
c)especificaes do diodo;
d)formas de onda na carga e no diodo.
4.5. RETIFICADOR EM PONTE

Fig. 31 Retificador em ponte.

Fig. 32 Forma de onda do retificador em ponte.

GETIN

Pg.

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RESULTADOS OBTIDOS
UDC = 0,636 UMX
PIV = UMX
IL = 2 ID
Um transformador com 220/25 V ligado a um retificador em
ponte com carga de 10 . Determine:
a)tenso mdia na carga;
b)corrente mdia na carga;
c)especificaes do diodo;
d)formas de onda na carga e no diodo.

GETIN

Pg.

40

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4.6. DOBRADOR DE TENSO

Fig. 33 Duplicador de tenso.


4.7. TRIPLICADOR DE TENSO

Fig. 34 Triplicador de tenso.


4.8. QUADRUPLICADOR DE TENSO

Fig. 35 Quadruplicador de tenso.

GETIN

Pg.

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4.9. EXERCCIOS
01. O transformador da Fig. 1 tem uma tenso do secundrio de
30 V. Qual a tenso de pico na carga? Qual a tenso mdia?
Qual a corrente mdia na carga?
02. Na Fig. 2, a tenso do secundrio de 40 V. Qual a tenso
de pico na carga? Qual a tenso DC na carga? Qual a corrente
de carga?
03. Se a tenso do secundrio for de 60 V (Fig. 2), qual dos diodos (Tab. 1) tm as especificaes de IO e PIV suficientes
para ser usado?
04. Dada uma tenso de secundrio de 40 V (Fig. 2), calcule a
corrente de carga DC e o PIV em cada diodo. Qual a corrente
mdia retificada que passa pelo diodo?
05. Se a tenso do secundrio (Fig. 3) for de 30 V, qual a tenso
DC

na carga? Qual o PIV de cada diodo? Qual a corrente DC

na carga?
06. Os diodos da Fig. 3 tm especificao IO de 150 mA e PIV
de 75 V. Estes diodos so adequados para uma tenso de secundrio de 40 V?
07. Se os diodos da Fig. 3 tiverem uma especificao IO de 0,5
A e PIV de 50 V, eles so adequados para uma tenso de secundrio de 60 V?

GETIN

Pg.

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08. O diodo do circuito (Fig. 4) tem uma de resistncia 50


quando em conduo. Determine a corrente e a tenso no diodo para o seguinte caso: uS = 0,1cos(t) U e Ub = 2 V.

GETIN

Pg.

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05 FILTRO CAPACITIVO
5.1. INTRODUO
H circuitos onde o rudo se propaga com maior ou
menor intensidade e independentemente disto, torna-se necessrio eliminao deste sinal indesejado, pois o funcionamento
adequado do sistema depende da fidelidade das informaes
processadas e assim poder intervir prontamente.
5.2. DEFINIO
Circuito destinado a selecionar ou rejeitar uma determinada faixa de freqncia.
Usados para eliminar freqncias indesejveis, denominadas RUDO.
5.3. DIVISO
5.3.1. PASSIVOS So aqueles que contm combinaes
em e em paralelo de resistores, capacitores e capacitores.
5.3.2. ATIVOS So aqueles que, alm de elementos passivos, tambm usam dispositivos como transistores
e amplificadores operacionais.

GETIN

Pg.

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5.4. COMPONENTE BSICO


5.4.1. CAPACITOR
Funcionam com variao brusca de tenso.
No dissipa energia.
Armazena energia para uso posterior.

Fig. 36 Modelo de capacitor e simbologia.

GETIN

Pg.

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5.4.2. CAPACITNCIA
a medida da quantidade de carga que um capacitor
pode armazenar em suas placas (capacidade de armazenamento).

Q
C=
V

(5.1)

5.4.3. RIGIDEZ DIELTRICA


a capacidade de um dieltrico para evitar a conduo de corrente eltrica.
Tenso necessria para vencer a rigidez dieltrica
denominada de TENSO DE RUPTURA.
Quando a ruptura ocorre, o capacitor passa a ter caractersticas muito semelhantes s de um condutor.
5.4.4. CORRENTE DE FUGA
Quando aplicamos uma tenso entre as placas de um
capacitor, flui uma corrente entre as placas denominada de
CORRENTE DE FUGA (devido aos eltrons livres).

i fuga
GETIN

vc
=
R fuga

(5.2)

Pg.

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ELETRNICA ANALGICA I

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Este efeito representado por uma resistncia em


paralelo com o capacitor, cujo valor , tipicamente, maior que
100 M.

Fig. 37 Circuito equivalente de um capacitor.


5.4.5. TIPOS DE CAPACITORES
Os capacitores podem ter ser capacitncia fixa ao longo
do tempo, bem como podem vari-la mediante ao do operador. Assim os capacitores podem ser variveis ou fixos.

Fig. 38 Capacitores variveis.


GETIN

Pg.

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Fig. 39 Capacitores fixos.


5.4.5.1. CAPACITOR ELETROLTICO
usado normalmente nas situaes em que capacitncias maiores so necessrias.
So projetados para uso em circuitos de corrente contnua.
A tenso que pode ser aplicada entre os terminais do
capacitor por longos perodos de tempo sem que ocorra a ruptura conhecida como TENSO DE TRABALHO.

GETIN

Pg.

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A mxima tenso contnua que pode ser aplicada por


curtos perodos de tempo denominada de TENSO DE PICO.
Apresentam BAIXAS TENSES DE RUPTURA.
Tm ELEVADAS CORRENTES DE FUGA (Rfuga da ordem
de 1 M).
A descarga ocorre rapidamente.
5.4.6. CARGA E DESCARGA

Fig. 40 Circuito de carga desligado.

Fig. 41 Circuito de carga ligado.

GETIN

Pg.

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A corrente de carga expressa por:

E t / RC
ic = e
R

(5.3)

Onde o fator RC chamado de CONSTANTE DE TEMPO

=RC

(5.4)

A tenso de carga dada por:

t / RC

vc = E. 1e

(5.5)

Graficamente podemos visualizar as equaes acima como:


1
0.9

Corrente
Tenso

0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0

Fig. 42 Grfico de tenso e corrente.


GETIN

Pg.

50

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A corrente em um circuito capacitivo praticamente


zero aps 5 constantes de tempo na fase de carga.
A tenso no capacitor praticamente igual a da fonte
aps 5 constantes de tempo.
A tenso entre os terminais de um capacitor no pode
variar instantaneamente.
5.4.7. REATNCIA CAPACITIVA
A corrente do capacitor proporcional a sua capacitncia e a TAXA DE VARIAO da tenso em seus terminais. portanto, podemos obt-la por:

dvC
iC = C
dt

(5.6)

Para vc for constante ic zero.


Quanto maior for a variao de tenso maior ser ic.
Analisando a expresso acima no domnio do tempo, temos:

dvC d
= (Vm sent ) = Vm cos t
dt
dt
dv
iC = I m sen(t + 90o ) = C C
dt
I m = .C.Vm
GETIN

Pg.

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Aplicando a Lei de Ohm aos valores de pico, encontramos uma


relao de resistncia, que neste caso denominada de REATNCIA CAPACITIVA e dada por:

Vm
1
=
XC =
I m .C

(5.7)

= 2 . f

a freqncia de operao.

onde
Portanto,

f = 0 XC
f XC 0

GETIN

(5.8)

Pg.

52

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5.5. CLASSIFICAO DOS FILTROS


5.5.1.PASSA-BAIXAS
Um filtro passa-baixas deve permitir a passagem de
baixas freqncias com pequena atenuao e atenuar fortemente
todas as outras acima de um certo valor crtico.

Fig. 43 Filtro passa-baixas.


Resposta em freqncia

Fig. 44 Ponto de corte do passa-baixas.

1
X C = R fC =
2 .R.C

(5.9)

Um filtro com Uin = 20 V, R = 1 k e C = 500 pF. Determine:

GETIN

a)

A freqncia de corte;

b)

A tenso de sada para f = 100 kHz e f = 1 MHz.


Pg.

53

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5.5.2. PASSA-ALTAS
Um filtro passa-altas pode ser obtido invertendo-se as
posies do resistor e do capacitor e as freqncias acima de um
determinado valor devem passar e as abaixo devem ser cortadas.

Fig. 45 Filtro passa-altas.


Resposta em freqncia

Fig. 46 Ponto de corte do passa-altas.

X C = R fC =

GETIN

1
2 .R.C

(5.10)

Pg.

54

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5.5.3. PASSA-BANDA
Um filtro passa-faixa pode ser implementado atravs
do cascateamento de um passa-baixas e um passa-altas.

Fig. 47 Filtro passa-banda.

Fig. 48 Ponto de corte do passa-banda.


A freqncia inferior definida pelo passa-altas e a superior pelo passa-baixas.
Para R1 = 1 k, R2 = 40 k, C1 = 1,5 nF e C2 = 4 pF. Determine:
a) As freqncias de corte inferior e superior;
b) A tenso de sada quando f = fci.

GETIN

Pg.

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5.6. RETIFICADOR COM FILTRO CAPACITIVO

Fig. 49 Retificador de meia onda com filtro capacitivo.

Fig. 50 Forma de onda do retificador com filtro.


Os nveis de tenso na carga e da ondulao so dados por:

VDC = f .C.RL .V R

(5.11)

V R = 2.(Vm V DC )

(5.12)

Projetar uma fonte com tenso de entrada de 220 V / 60


Hz e tenso mdia de sada de 5 V com RIPPLE de 0,1 V, para
alimentar um circuito que tem resistncia de entrada equivalente
a 1 k. Utilizar o retificador em ponte.

GETIN

Pg.

56

ELETRNICA ANALGICA I

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5.7. EXERCCIOS
01. Um retificador em ponte com um filtro capacitivo tem uma
tenso de pico na sada de 25 V. Se a carga for de 220 e a
capacitncia de 500 F, qual a ondulao na carga?
02. A tenso do secundrio de 21,2 V (Fig. 1). Qual a tenso
de carga DC se C = 220 F? Qual o valor do ripple? Quais as
especificaes dos diodos ?
03. A Fig. 2 mostra uma fonte de alimentao dividida. Devido
derivao central aterrada, as tenses de sada so iguais e
com polaridade oposta. Qual a tenso na carga se a tenso de
secundrio for de 17,7 V e C = 500 F? Qual o valor do ripple? Quais as especificaes dos diodos?
04. Projete um retificador em ponte com filtro capacitivo, com
tenso de sada de 15 V e um ripple de 1 V para uma carga de
680 . Que tenso de secundrio do transformador? Qual o
valor do capacitor de filtro? Quais as especificaes dos diodos?
05. Projete um retificador de onda completa usando um transformador com derivao central de 48 V que produza uma
ondulao de 10 % da tenso de pico atravs de um filtro e
uma carga de 330 . Quais as especificaes dos diodos?
06. Construa uma fonte de alimentao que preencha as seguintes caractersticas: a tenso do secundrio seja de 12,6 V, a sa-

GETIN

Pg.

57

ELETRNICA ANALGICA I

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da seja de 17,8 V com 120 mA, e uma segunda sada de 35,6


V com 75 mA. Quais as especificaes dos diodos?

GETIN

Pg.

58

ELETRNICA ANALGICA I

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06 - DIODOS ESPECIAIS
6.1. OPTOELETRNICOS
Os dispositivos optoeletrnicos so aqueles cujas caractersticas mudam com ou so controladas PELA LUZ, ou so
aqueles que PRODUZEM e/ou MODIFICAM a luz.

f =

(6.1)

f freqncia em hertz (Hz)


comprimento de onda em metros (m)
c velocidade da luz em metros por segundos (m/s)
A luz visvel freqncias entre de 4.3x1014 Hz a
7.5x1014 Hz.
A menor freqncia cor vermelha.
A maior freqncia cor violeta.
Abaixo do vermelho INFRAVERMELHAS (< 1012 Hz).
Acima do violeta ULTRAVIOLETA (5x1017 Hz).
A cor branca uma mistura de todas as freqncias da
faixa visvel.
O ESPECTRO de luz uma curva de energia da luz versus a freqncia ou o comprimento de onda.

GETIN

Pg.

59

ELETRNICA ANALGICA I

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6.2. FOTODIODO
Um fotodiodo uma juno PN construda de modo
que possa ser exposta luz.

Fig. 51 Fotodiodo.
Quando POLARIZADO REVERSAMENTE, comporta-se
como um dispositivo FOTOCONDUTIVO, porque sua resistncia
varia com a corrente reversa.
A corrente de fuga reversa em um diodo comum devese aos portadores minoritrios gerados termicamente.
No fotodiodo, so gerados portadores minoritrios adicionais pela energia luminosa.
Quanto maior a intensidade da luz, maior corrente reversa e menor a resistncia efetiva.

GETIN

Pg.

60

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6.3. DIODO EMISSOR DE LUZ


Quando a corrente circula por uma juno PN POLARIZADA DIRETAMENTE,

os eltrons livres do lado N cruzam a jun-

o e se combinam com as lacunas do lado P.


Quando um eltron na banda de conduo recombinase com uma lacuna na banda de valncia, ele libera energia na
forma de CALOR e de LUZ.
Em alguns materiais, como o Si, a maior parte da energia convertida em calor e em outros em luz.
Se o material for translcido e se a energia luminosa liberada for visvel, ento uma juno PN com estas caractersticas chamada de DIODO EMISSOR DE LUZ (LED).
Essa converso de energia eltrica em luminosa um
exemplo do fenmeno ELETROLUMINESCNCIA.

Fig. 52 Diodo Emissor de Luz LED.

GETIN

Pg.

61

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6.4. OPTOACOPLADORES
Um acoplador tico combina um dispositivo emissor
de luz com um dispositivo sensvel luz, em um nico ENCAPSULAMENTO (Fig.

53).

O exemplo mais simples um LED encapsulado com


um fototransistor.
O LED alimentado por um circuito de entrada e o foto-transistor aciona um circuito de sada.
Portanto, os circuitos de entrada e sada so ACOPLADOS

apenas pela energia luminosa.


A principal vantagem o excelente ISOLAMENTO EL-

TRICO

entre os circuitos de entrada e sada.

So denominados de ISOLADORES TICOS.

Fig. 53 Optoacoplador.

GETIN

Pg.

62

ELETRNICA ANALGICA I

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6.5. DIODO ZENER


O diodo zener (Fig. 54) quando polarizado diretamente,
funciona como um diodo comum.

Fig. 54 Diodo zener.


O zener funciona normalmente na REGIO DE RUPTURA,

na polarizao reversa (Fig. 55).

Fig. 55 Curva caracterstica do diodo zener.

GETIN

Pg.

63

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Na ruptura, a tenso sobre o zener permanece quase


constante, enquanto a CORRENTE REVERSA varia em uma larga
faixa.
A TENSO DE RUPTURA chamada de tenso de referncia (VZ)
Portanto, o zener deve ser polarizado reversamente para aproveitar sua caracterstica mais importante que a de manter sua tenso de referncia constante no importando as variaes na entrada.
6.5.1. FUNCIONAMENTO DO ZENER

Fig. 56 Anlise de funcionamento do zener.


O circuito acima tem 2 malhas simples Necessita de 2 equaes para sua resoluo:

V E = VS + VZ

GETIN

(6.2)

Pg.

64

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IS = IZ + IL

(6.3)

VS = RS .I S

(6.4)

VZ = VL = RL .I L

(6.5)

PZ = VZ .I Zmx

(6.6)

I Zmn = 0,1.I Zmx

(6.7)

Onde:

Em um circuito com zener, o 1 passo determinar se o


mesmo est ou no ativo. Um zener ativo significa que ele est
polarizado reversamente e passa por ele uma corrente. Como
saber se o zener est ou no ativo?
Retira-se o zener do circuito e calcula a tenso de
Thvenin:
se

VTH > VZ zener ativo VL = VZ ;

se

VTH < VZ zener inativo VL VZ .

EXEMPLO: Considere VE = 40V, VZ = 30V, RS = 4k e RL =


10k. Determine se p diodo zener est ou no na regio ativa? Qual deve ser o valor de RS para deixar o zener ativo?

GETIN

Pg.

65

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VTH =

PROF. HENRIQUE

RL
10k
.VE =
x 40 = 28,57V inativo
R L + RS
10k + 4k

VE
40
RS = RL
1 = 10k 1 RS 3,3k
30

VTH
6.6. EXERCCIOS
01. O diodo zener da Fig. 1 tem uma tenso zener de 15 V e
uma potncia de 0,5 W. Se VS= 40 V, qual o valor mnimo de
RS que impede que o zener seja destrudo?
02. Use os mesmos dados da questo anterior com RS= 2 k.
Qual o valor da corrente zener? Qual a potncia dissipada pelo zener?
03. Na Fig. 1, VZ= 18 V, RS= 68 e VS= 27 V. Qual o valor da
corrente zener? Se VS= 40 V, qual o valor da variao de tenso na carga? Se RS= 4 k e VZ= 25 V, qual o valor mnimo
de VS que mantm o zener funcionando na regio de ruptura?
04. Na Fig. 1, se RS= 1k5 VS= 40 V e VZ= 10 V. Qual o valor
aproximado da corrente zener para RL= 100 k, RL= 10 k e
RL= 1k? Nas mesmas condies, para que valor da resistncia de carga o regulador zener deixa de funcionar?
05. Suponha que V= 25 V (Fig. 2). Se R1= 1 k, qual o valor da
corrente no LED?

GETIN

Pg.

66

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06. O LED da Fig. 2 tem uma queda mnima de 1,5 V e uma queda mxima de 2,3 V. Considerando V= 10 V e R1= 470 ,
quais os valores mximo e mnimo da corrente do LED?
07. Em um optoacoplador, V2= 20 V e R2= 47 k. Se I2 variar
de 2 a 10 A, qual a variao de tenso atravs do fotodiodo?
08. Um TIL312 um indicador de 7-Seg (Fig. 3). Cada segmento tem uma queda de tenso entre 1,5 e 2 V em 20 mA. Voc
tem que escolher entre usar uma alimentao de 5 V ou de 12
V. Projete um circuito indicador de 7-Seg controlado por chaves liga-desliga que consuma uma corrente total mxima de
140 mA.

GETIN

Pg.

67

ELETRNICA ANALGICA I

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07 - REGULADORES DE TENSO
7.1. FONTES DE ALIMENTAO
So classificadas em:
FONTES DE TENSO mantm a tenso de sada em um
valor determinado, sendo varivel o valor da corrente de sada dentro de certos limites;
FONTES DE CORRENTE proporcionam uma corrente de
sada determinada, sendo possvel a variao da
tenso de sada dentro de certos limites.
Esta primeira classificao faz-se em funo da caracterstica mais importante de sada que proporciona a fonte. Aqui
nos limitaremos s fontes de tenso, assim pode-se classific-las
em:
Simples;
Estabilizadas;
Regulveis.
SIMPLES

so aquelas em que a tenso de sada fixa,

porm podem variar com variaes da tenso de


entrada, da corrente de carga e da temperatura;
ESTABILIZADAS

so aquelas em a tenso de sada fixa

e constante, independentemente das variaes da


tenso de entrada ou da corrente de carga;

GETIN

Pg.

68

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REGULVEIS

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so aquelas em que a tenso de sada va-

rivel ou ajustada pelo usurio dentro de certos valores.

Fig. 57 Diagrama de blocos de uma fonte de tenso.


7.2. REGULADOR ZENER

Fig. 58 Regulador zener.


As aplicaes do circuito regulador so:
CARGA FIXA a partir de uma ENTRADA CONSTANTE.
CARGA VARIVEL a partir de uma ENTRADA CONSTANTE.

GETIN

Pg.

69

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CARGA FIXA a partir de uma ENTRADA VARIVEL.


CARGA VARIVEL a partir de uma ENTRADA VARIVEL.
O projeto de um regulador de tenso consiste em determinar o valor da resistncia limitadora de corrente (RS), a
partir das caractersticas do circuito :
Tenses de Entrada e de Sada;
Carga (fixa ou varivel) e Zener.
7.2.1. CARGA E ENTRADA CONSTANTES
RS atende as especificaes do Zener:
IZmn RSmx (mximo valor)
IZmx RSmn (menor valor).
RS entre os valores mnimo e mximo.
EXEMPLO 01: Determinar RS do regulador de tenso (Fig. 58)
utilizado para que uma fonte de 12 V possa ser ligada
em um circuito que representa uma carga de 1 k e cuja tenso de alimentao seja de 5,6 V. Dados VZ = 5,6
V e IZmx = 100 mA.

GETIN

Pg.

70

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I Zmn = 0,1xI Zmx = 0,1x100 x10 3 I Zmn = 10mA


IL =

VZ
5,6
=
I L = 5,6mA
RL 1000

RSmx =

VE VZ
12 5,6
=
RSmx = 410
I Zmn + I L (10 + 5,6 )x10 3

RSmn =

VE VZ
12 5,6
RSmn = 61
=
3
I Zmx + I L (100 + 5,6 )x10

Por tan to,


VS2
61 RS 410 RS = 330 PS =
124mW
RS

7.2.2. CARGA VARIVEL E ENTRADA FIXA


RS atende as variaes da carga e as especificaes do
Zener:
IZmn e ILmx RSmx.
IZmx e ILmn RSmn.
EXEMPLO 02: Determinar RS do regulador de tenso (Fig. 58)
utilizado para que uma fonte de 12 V possa ser ligada
em um circuito que representa uma carga varivel en-

GETIN

Pg.

71

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tre 100 e 20 k e cuja tenso de alimentao seja


de 5,6 V. Dados VZ = 5,6 V e IZmx = 100 mA.

I Lmn =

VZ
5,6
=
I Lmn = 0,28mA
3
RLmx 20 x10

I Lmx =

VZ
5,6
=
I Lmx = 56mA
RLmn 100

RSmx =

VE VZ
12 5,6
=
RSmx = 97
3
I Zmn + I L (10 + 56)x10

RSmn =

VE VZ
12 5,6
=
RSmn = 64
I Zmx + I L (100 + 0,28)x10 3

Por tan to,


VS2
64 RS 97 RS = 82 PS =
499,5mW
RS

GETIN

Pg.

72

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7.2.3. CARGA FIXA E ENTRADA VARIVEL


RS atende as variaes da entrada e as especificaes
do Zener:
IZmn e VEmn RSmx.
IZmx e VEmx RSmn.
EXEMPLO 03: Uma fonte foi projetada para uma carga de 560
e 15 V. Porm o filtro capacitivo tem uma tenso de
22 V com ripple de 5 V. Determinar RS que elimina o
ripple e fixa a tenso em 15 V. Dados VZ = 15 V, IZmx
= 500 mA e IZmn = 15 mA.

VEm = VE

IL =

5
Vr
= 22 VEmn = 19,5V VEmx = 24,5V
2
2

15
VZ
=
I L = 26,79mA
RL 560

RSmx =

19,5 15
VEmn VZ
=
RSmx = 108
I Zmn + I L (15 + 26,79)x10 3

RSmn =

VEmx VZ
24,5 15
=
RSmn = 18
3
I Zmx + I L (500 + 26,79)x10

Por tan to,


VS2
18 RS 108 RS = 47 PS =
1,92W
RS
GETIN

Pg.

73

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7.2.4.CARGA VARIVEL E ENTRADA VARIVEL


RS atende as variaes da entrada, as variaes da carga e as especificaes do Zener:
IZmn,VEmn e ILmx RSmx.
IZmx, VEmx e ILmn RSmn.
EXEMPLO 04: Uma fonte possui um VDC = 30 V com Vr = 3 V.
Determinar RS que elimina o ripple e fixa a tenso em
15V, sabendo a carga pode variar de 50 at 100 k.
Dados VZ = 15 V, IZmx = 250 mA e IZmn = 23 mA.

VEm VE

I Lm =

Vr
3
= 30 VEmn = 28,5V VEmx = 31,5V
2
2

VZ
I Lmn = 150A I Lmx = 300mA
RLm

RSmx =

VEmn VZ
28,5 15
=
RSmx = 41
I Zmn + I Lmx (30 + 300)x10 3

RSmn =

VEmx VZ
31,5 15
=
RSmx = 24
I Zmx + I Lmn 700 x10 3 + 150 x10 6

Por tan to,


2
VSmx
24 RS 41 RS = 33 PS =
= 8,25W
RS

GETIN

Pg.

74

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7.3. REGULADORES INTEGRADOS


CIs cuja funo estabilizar a amplitude da tenso de
sada. Divide-se em: Reguladores de Tenso Fixa (Positiva e
Negativa) e Reguladores de Tenso Variveis.
7.3.1. SRIE 78XX
So os reguladores de tenso fixa positiva.

Fig. 59 Regulador 78xx.


7.3.2. SRIE 79XX
So os reguladores de tenso fixa negativa.

Fig. 60 Regulador 79xx.


7.3.3. REGULADORES VARIVEIS
Apresentam sada varivel dependendo das condies
impostas pelo projeto.

GETIN

Pg.

75

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7.4. PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao com as seguintes
caractersticas:
1. Retificador de onda completa ou em ponte;
2. Filtro capacitivo;
3. Sada com regulador zener (3 V / 300 mA);
4. Sada com regulador integrado (5 V 8 V 12 V / 1,5
A);
5. Simular e Confeccionar o circuito em placa.
7.5. EXERCCIOS
01. A Fig. 1 mostra uma fonte de alimentao dividida. Devido
derivao central aterrada, as tenses de sada so iguais e
com polaridade oposta. Qual a tenso na carga se a tenso de
secundrio for de 17,7 V e C = 500 F? Qual o valor do ripple? Quais as especificaes dos diodos?
02. Projete um retificador em ponte com filtro capacitivo, com
tenso de sada de 15 V e um ripple de 1 V para uma carga de
680 . Que tenso de secundrio do transformador? Qual o
valor do capacitor de filtro? Quais as especificaes dos diodos?
03. Projete um retificador de onda completa usando um transformador com derivao central de 48 V que produza uma
ondulao de 10 % da tenso de pico atravs de um filtro e
uma carga de 330 . Quais as especificaes dos diodos?

GETIN

Pg.

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04. Construa uma fonte de alimentao que preencha as seguintes caractersticas: a tenso do secundrio seja de 12,6 V, a sada seja de 17,8 V com 120 mA, e uma segunda sada de 35,6
V com 75 mA. Quais as especificaes dos diodos?
05. Um regulador zener tem Vz = 15 V. Vs pode variar entre 22
V e 40 V. A carga pode variar de 1 k a 50 k. Qual o valor
da resistncia em srie?
06. Escolha um valor de resistncia em srie para um regulador
zener chegar s seguintes especificaes: a tenso da fonte varia de 30 a 50 V, a corrente de carga varia de 10 a 25 mA e a
tenso de carga de 12 V.
07. Projete um regulador zener que preencha as seguintes especificaes: tenso de carga de 6,8 V, tenso da fonte de 20 V
com variao de 20 % e corrente de carga de 30 mA com variao de 50 %.

GETIN

Pg.

77

ELETRNICA ANALGICA I

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08 - TRANSISTORES BIPOLARES
8.1. ESTRUTURA FSICA

Fig. 61 Estrutura do transistor.


Constituio
2 junes tipo PN
3 cristais
3 terminais
Portanto,

Fig. 62 Estrutura do transistor NPN e PNP.

GETIN

Pg.

78

ELETRNICA ANALGICA I

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8.2. SIMBOLOGIA

Fig. 63 Simbologia para NPN e PNP.


8.3. ANLISE DO CIRCUITO
Pela Lei dos Ns, temos:

I E = I B + IC

(8.1)

Pela Lei das Malhas, temos:

VCE = VCB + VBE

(8.2)

onde:

V CE = V C V E
V CB = V C V B
(8.3)

V BE = V B V E = 0,7V

GETIN

Pg.

79

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8.4. CLASSIFICAO
8.4.1. USO GERAL: - pequenos sinais;
- baixas freqncias;
- ICEmx entre 20 e 500mA;
- VCEmx entre 10 e 80V;
- comutao entre 1Hz e 200MHz;
8.4.2. POTNCIA: - correntes elevadas;
- baixas freqncias;
- ICEmx inferior a 15A;
- VCEmx entre 20 e 100V;
- comutao entre 100kHz e 40MHz;
- montados sobre radiadores de calor;
8.4.3. RF:

- pequenos sinais;
- freqncia elevada;
- ICEmx inferior a 200mA;
- VCEmx entre 10 e 30V;
- comutao muito alta (~1,5 GHz).

EXEMPLOS:
Srie BC uso geral;
Srie BD potncia;
Srie TIP potncia;
Srie BF freqncia.

GETIN

Pg.

80

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8.5. FUNCIONAMENTO

Fig. 64 Circuito de teste.


Anlise:

R1 I B 0 I C 0
R1 (decresce) I B (aumenta ) I C
R1 (baixo) I B (alto) I C a (estvel )

Fig. 65 Relao das correntes do transistor.

GETIN

Pg.

81

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Portanto,
CORTE:

IB = IC = 0.

SATURAO:

IC MXIMO.

LINEAR:

IC = IB .

Ganho de Corrente (>> 1)


EXEMPLO: Em um transistor de juno bipolar (TJB) a corrente
da base de 1 mA e o ganho de esttico de corrente
50. Determinar as correntes de coletor e emissor.

I C = .I B = 50 x1x10 3 I C = 50mA
I E = I B + I C I E = 51mA
8.6. CONFIGURAES BSICAS
Um circuito eltrico deve ter pelo menos:
1.

Malha de Entrada Fonte de Sinal;

2.

Malha de Sada Carga.


Como o transistor pode apresentar tais caractersticas

com apenas 3 terminais?

GETIN

Pg.

82

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8.6.1. BASE COMUM

Fig. 66 Transistor em base comum.


Principais caractersticas:
Caracterstica

Entrada

Sada

Ganho

Tenso

VBE

VCB

Alto

Corrente

IE

IC

<1

Impedncia

Muito Baixa

Muito Alta

8.6.2. COLETOR COMUM - SEGUIDOR DE EMISSOR

Fig. 67 Transistor em coletor comum.

GETIN

Pg.

83

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Principais caractersticas:
Caracterstica

Entrada

Sada

Tenso

VBC

VEC

Corrente

IB

IE

Impedncia

Alta

Baixa

Ganho

Alto

8.6.3. EMISSOR COMUM

Fig. 68 Transistor em emissor comum.


Principais caractersticas:
Caracterstica

Entrada

Sada

Ganho

Tenso

VBE

VCE

Alto

Corrente

IB

IC

Alto

Impedncia

Baixa

Alta

GETIN

Pg.

84

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8.7. EXERCCIOS
01. Se a corrente do emissor for de 6 mA e a corrente do coletor
de 5,75 mA, qual o valor da corrente de base? Qual o valor de
?
02. Um transistor tem um IC de 100 mA e um IB de 0,5 mA.
Quais os valores de e ?
03. Um transistor tem um de 150. Se a corrente do coletor for
igual a 45 mA, qual o valor da corrente de base?
04. Um 2N5607 tem um tpico de 90. Calcule as correntes aproximadas do coletor e da base para uma corrente de emissor
de 10 mA.
05. Um transistor tem um de 400. Qual o valor da corrente da
base quando a corrente do coletor for igual a 50 mA?
06. A Fig. 1 mostra uma das curvas do coletor. Calcule nos
pontos A e B.
07. Um 2N5346 tem as variaes de mostradas na Fig. 2. Qual
o valor de se IC for de 1 mA? Qual o valor da corrente da
base quando IC for 1 A e quando for 7 A?
08. Um transistor tem uma corrente do coletor de 10 mA e uma
tenso de coletor-emissor de 12 V. Qual a potncia dissipada?
09. Um 2N3904 tem uma especificao de potncia de 310 mW
temperatura ambiente. Se a tenso entre coletor-emissor for
de 10 V, qual a mxima corrente que o transistor pode agentar sem exceder a sua especificao de potncia?

GETIN

Pg.

85

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10. Qual a corrente da base na Fig. 3? Qual a tenso entre coletor-emissor? O transistor est em saturao?
11. Suponha que ligamos um LED em srie com o resistor de 10
k (Fig. 3). Qual o valor da corrente do LED?
12. Qual o valor da corrente da base na Fig. 4? Qual a corrente
do coletor? Qual a tenso entre coletor-emissor?
13. Re-projete o circuito da Fig. 3 para obter uma corrente de
saturao de 5 mA no coletor.
14. Projete um circuito semelhante ao da Fig. 3 (transistor chave) que atinja as seguintes especificaes: VCC= 15 V, VBB= 0
ou 15 V e IC(sat)= 5 mA.
15. Projete um acionador de LED que chegue s seguintes especificaes: VCC= 10 V, VBB= 0 ou 10 V e ILED= 20 mA.
16. A Fig. 5 mostra uma conexo Darlington de dois transistores. Responda s seguintes perguntas:
a) Qual a tenso atravs do resistor de 100 ?
b) Qual o valor aproximado da corrente do coletor no
primeiro transistor se o segundo tiver um de 150?
c) Se o primeiro transistor tiver um de 100 e o segundo
tiver um de 150, qual a corrente da base no primeiro
transistor?

GETIN

Pg.

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GETIN

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Pg.

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09 POLARIZAO DE TRANSISTORES
9.1. CURVA CARACTERSTICA
SADA Grfico (Fig. 69) Corrente X Tenso para uma determinada entrada.

Fig. 69 Caracterstica de sada.

Fig. 70 Regies de operao.

GETIN

Pg.

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9.2. PONTO DE OPERAO


Todo e qualquer par ordenado (IC, VCE) um ponto de
operao para uma dada condio de entrada (IB).

Fig. 71 Pontos de operao.


Exemplos:
Q1 = (I1, V1)
Q2 = (I2, V2)
Q3 = (I3, V3)
Q4 = (I4, V4)

GETIN

Pg.

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9.3. RETA DE CARGA


a reta que une todos os pontos Q na curva caracterstica de sada.

Fig. 72 Reta de carga.


definida pela equao da malha de sada do circuito
de polarizao.

Fig. 73 Circuito de polarizao.

VCCVE VCE
IC =
RC
GETIN

(9.1)
Pg.

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9.4. CIRCUITOS DE POLARIZAO


9.4.1. POLARIZAO DA BASE

Fig. 74 Circuito de polarizao da base.


EXEMPLO 01: Dado um transistor com = 50 e uma fonte de
alimentao de 10 V, determinar os resistores de polarizao para o ponto quiescente: VCE = 5 V; IC = 80
mA.
Malha de Entrada:

VCC RB I B VBE = 0

Malha de Sada:

VCC RC I C VCE = 0

RC =

VCC VCE
10 5
= 62,50
=
3
IC
80 x10

80 x10 3
=
= 1,6mA
IB =

50
IC

RB =

GETIN

VCC V BE 10 0,7
=
= 5812,5 = 5k 8125
3
IB
1,6 x10

Pg.

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9.4.2. REALIMENTAO DO EMISSOR

Fig. 75 Circuito de polarizao com realimentao de emissor.


EXEMPLO 02: Dado um transistor com = 250 e uma fonte de
alimentao de 20 V, determinar os resistores de polarizao para o ponto quiescente: VCE = 10 V; IC = 100
mA.
Considere: VE = 0,1xVCC como = 250 >> 1 I E I C

RE =

VE
0,1x20
=
= 20
3
I E 100x10

VCC RC IC VCE VE = 0 RC =

20 10 0,2
= 98
3
100x10

20 0,7 0,2
VCC RB I B VBE VE = 0 RB =
= 47k75
6
400x10

GETIN

Pg.

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9.4.3. REALIMENTAO DO COLETOR

Fig. 76 Circuito de polarizao com realimentao do coletor.


EXEMPLO 03: Dado um transistor com = 200 e uma fonte de
alimentao de 15 V, determinar os resistores de polarizao para o ponto quiescente: VCE = 7,5 V; IC = 6,7
mA.

V CC R C I C V CE = 0
RC

15 7 , 5
=
1 k 12
3
6 , 7 x 10

V CC R C I C R B I B V BE = 0
ou
R B I B V BE + V CE = 0
RB

GETIN

7 ,5 0 ,7
=
202 k 99
6
33 , 5 x 10
Pg.

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9.4.4. POLARIZAO DO EMISSOR

Fig. 77 Circuito de polarizao com emissor fixo.


EXEMPLO 04: Dado um transistor com = 100 e duas fonte de
alimentao de +10 V e -15 V, determinar os resistores
de polarizao para o ponto quiescente: VCE = 10 V; IC =
14 mA

VE = 0,1x(VCC + VEE ) V E = 2,5V


RE =

VE
, como >> 1 I E I C RE 178,57
IE

VCC (RC + RE )I C VCE + VEE = 0


RC =

10 2,5 10 + 15
RC 892,86
3
14 x10

0 RB I B VBE VE + VEE = 0
RB =

GETIN

15 2,5 0,7
RB 84k 29
6
140 x10
Pg.

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9.4.5. DIVISOR DE TENSO

Fig. 78 Circuito de polarizao por divisor de tenso.


EXEMPLO 05: Dado um transistor com = 250 e uma fonte de
alimentao de 9 V, determinar os resistores de polarizao para o ponto quiescente: VCE = 4,5 V; IC = 20 mA
e VBE = 0,65 V.
Considere:

I 1 = 10 xI B

RE =

VE
0 ,1 x 9
=
R E = 45
IC
20 x 10 3

R2 =

VB
0 , 7 + 0 ,9
=
R 2 2 k 22
I1 I B
9 x 80 x 10 6

R1 =

RC =

GETIN

V CC V B
9 1, 6
=
I1
10 x 80 x 10

R 1 = 9 k 25

V CC V C
9 ( 4 ,5 + 0 ,9 )
=
R C = 180
IC
20 x 10 3

Pg.

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9.5. EXERCCIOS
01. O transistor da Fig. 1 tem um hFE de 80. Qual a tenso entre
o coletor e o terra?
02. Para que valor aproximado de o circuito da Fig. 1 se satura?
03. Se = 125, Fig. 1, calcule a tenso da base, a tenso do emissor e a tenso do coletor (em relao ao terra).
05. Se VCC = 10 V, Fig. 2, qual a tenso do coletor em cada estgio?
06. Se VCC = 15 V, Fig. 2, qual a potncia dissipada em cada
transistor?
07. Qual a tenso do emissor relativamente ao terra para cada
estgio da Fig. 3 se a tenso de alimentao for de 10 V?
08. Calcule a corrente de saturao do coletor para cada estgio
da Fig. 3, para VCC = 15 V.
09. Faa uma anlise completa da Fig. 3 para VCC = 20V calculando para cada estgio os seguintes valores: VB, VE, VC, IC e
PD.
10. Qual a corrente do coletor em cada estgio da Fig. 4? Qual a
tenso do coletor ao terra?
11. Qual a potncia dissipada em cada transistor da Fig. 4?
12. Qual a corrente do coletor na Fig. 5? Quais so as seguintes
tenses relativamente ao terra: VB, VE e VC
13. Na Fig. 6, calcule VB, VE e VC.

GETIN

Pg.

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14. Calcule as seguintes tenses em cada estgio da Fig. 7: VB,


VE e VC. Calcule tambm a potncia dissipada em cada transistor.
15. Projete um estgio com polarizao por realimentao do
coletor para chegar s seguintes especificaes: VCC = 20 V,
IC = 5 mA e = 150.
16. Projete um amplificador de dois estgios usando uma polarizao por divisor de tenso. a fonte de alimentao de 15
V e a corrente quiescente do coletor deve ser de 1,5 mA em
cada estgio. Admita um hFE de 125

GETIN

Pg.

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10 TRANSISTOR COMO CHAVE


10.1. CHAVE ELETRNICA
Utiliza a polarizao da base.
RC pode ser a prpria carga.
Pode ser ativado por sinal externo diretamente.

Fig. 79 Transistor como chave.


Pode ser ativado por sinal interno.

Fig. 80 Formas de acionamento.

GETIN

Pg.

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10.2. DIMENSIONAMENTO
Necessrio:
Condies para base aberta VCEOmx.
Condies de saturao VBEsat, VCEsat e sat.
Capacidade mxima ICmx
Caractersticas da carga VL e IL.
EXEMPLO: Deseja-se acionar um LED usando um transistor. As
caractersticas do transistor so: VBEsat de 0,7 V; VCEsat
de 0,3 V; sat. de 20; ICmx de 200 mA e VCEmx de 80 V.
As caractersticas do LED so: VLED de 1,5 V e ILED de
25 mA. Utilizar uma fonte de 5V.

Fig. 81 Acionamento digital.

I C = I LED = 25 x 10

A IB =

RC =

V CC V LED V CEsat
I LED

RB =

V ENT V BEsat
IB

GETIN

IC

= 1, 25 x 10

R C = 128

R B = 3 k 44

Pg.

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10.3. CIRCUITOS COM TRANSISTORES


10.3.1. TRANSISTOR ISOLADO

Fig. 82 Transistor isolado.


10.3.2. TRANSISTORES EM CASCATA

Fig. 83 Transistor em cascata.


10.3.3. TRANSISTORES EM PUSH-PULL

Fig. 84 Transistor em push-pull.

GETIN

Pg.

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10.3.4. TRANSISTORES EM PONTE H

Fig. 85 Transistor em ponte H.


10.4. EXERCCIO

01. Um circuito digital foi projetado para acionar um motor de


110V/60Hz sob determinadas condies. Para tanto, necessrio que um transistor como chave atue sobre um rel, j
que nem o circuito digital, nem um transistor podem acionar
este motor. O circuito utilizado para este fim est mostrado
na Fig. 3. Os dados do transistor so:
Dados do transistor:
VBEsat = 0,7 V;
VCEsat = 0,3 V;
sat = 10;
ICmx = 500 mA;
VCEmx = 100 V.

GETIN

Dados do rel:
resistncia DC de 80
corrente de 50 mA

Pg.

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