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ESTRUTURA BSICA:
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando
um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao
da polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).
Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma
a base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no
transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e
o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de juno mostrada
logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.
POLARIZAO:
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas
junes, da seguinte forma:
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OPERAO BSICA:
1 - Juno diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao
direta entre base e coletor. Para estudar o comportamento da juno diretamente
polarizada, foi retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.
FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente,
atravs das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tm a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o
emissor.
Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a
base uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB),
sendo da ordem de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores,
ou seja, da ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia, podendo
alcanar alguns ampres em transistores de potncia. Da mesma forma, para
transistores de potncia, a corrente de base significativamente maior.
Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos
portadores majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor
(C) recebe os portadores majoritrios provenientes do emissor.
A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente
de fuga, praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores
minoritrios so gerados no material tipo n (base), denominados tambm de corrente
de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p (coletor),
formando assim uma corrente minoritria de lacunas. Lembre-se de que os portadores
minoritrios em um cristal do tipo n so as lacunas.
Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios
provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:
IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS)
Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em
um transistor npn, atravs de outra forma de representao. No entanto, o processo de
anlise o mesmo.
Soluo:
IC = IE
IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA
1-
ICBO
. IC
1-
+1
Exemplos:
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?
Soluo:
0,92
0,92
=
= 11,5
=
1 - 0,92
0,08
b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?
Soluo:
100
= 0,99
=
=
+ 1 101
Podemos ento estabelecer uma relao entre e . 4
Temos ento:
IC
IC
=
e =
IB
IE
3
4
IC = IE
CONFIGURAES BSICAS:
Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base comum
(BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes relacionamse aos pontos onde o sinal injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do
transistor referncia para a entrada e sada de sinal.
BASE COMUM:
CARACTERSTICAS:
EMISSOR COMUM:
CARACTERSTICAS:
COLETOR COMUM:
CARACTERSTICAS:
Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tenso (GV): 1
Resistncia de entrada (RIN): muito
elevada
Resistncia de sada (ROUT): muito
baixa
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1. IB = I1 - I2
2. I1 = I2 + IB
CURVAS CARACTERSTICAS:
As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais
como: regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.
De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem
ser escolhidas. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica,
normalmente as regies de corte e saturao so selecionadas; no caso de transistor
operando como amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa.
A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem
riscos de danos.
A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim
didtico, no sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala.
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CIRCUITOS DE POLARIZAO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e
suas principais caractersticas:
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Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal
de sada: VRE = 0,1VCC
Equaes bsicas:
IB =
IC
VCC
ou ainda: IB =
RB + RE
IE = ( + 1)IB
VRE = 0,1VCC
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VCE = 0,5VCC
RE =
0,5VCC
IE
IE = IB
IB =
VCC
R B + RE
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RB2 . VCC
RB1 + RB2
RTH =
RB1 . RB2
RB1 + RB2
Aplicando LKT:
IE
VTH - VBE
, temos: IE =
RTH
+1
RE +
+1
RTH
, podemos simplificar a frmula:
+1
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IE =
VTH - VBE
RE
RTH 0,1RE
Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um
projeto de polarizao por divisor de tenso na base:
VE = 0,1VCC
VCE = 0,5VCC
VRC = 0,4VCC
RC = 4RE
RBB = 0,1RE
RB1 =
RBB . VCC
ou
VBB
RB2 =
RB1 . RBB
ou
RB1 - RBB
RB1 = RBB .
RB2 =
VCC
VBB
RBB
VBB
1VCC
IE
- ICBO IE = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO
( + 1)
IC = IB + ( + 1)ICBO onde:
( + 1)ICBO = ICEO
IB =
Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:
IC = IE + ICBO
temos: IE = IC + IB
logo: IC = (IC + IB) + ICBO
portanto: IC = IC + IB + ICBO
resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
colocando IC em evidncia resulta:
IC (1 - ) = IB + ICBO
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portanto:
IC =
IB ICBO
+
1- 1-
IEBO:
ICEO:
ICEO = ( + 1)ICBO
Basicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto
mais adiante.
ICBO: Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que,
para cada 10C de aumento de temperatura, essa corrente dobra. a corrente entre
coletor e base, com o emissor aberto.
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DADOS:
= 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V
Soluo:
Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos:
VE = VRE = 1,2V
VCE = 6V
VRC = 4,8V
Clculo de IB
IC
3mA
= 30A
=
100
Clculo de RE
VRE
1,2V
=
= 400
RE =
IE
3mA
Clculo de RBB
RBB = 0,1.400 = 4k
Clculo de VBB
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
VBB = 2,02V
Clculo de RC
VRC
4,8V
=
= 1,6k (equivalente a 4RE)
RC =
IC
3mA
Clculo de R1
RBB . VCC
4.000 . (12)
48.000
=
=
R1 =
= 23.762
VBB
2,02
2,02
Clculo de R2
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R2 =
R1 . RBB
(23.762).(4.000) 95.048
= 4.817
=
=
R1 - RBB
23.762 - 4.000
19.762
RC
RE
R1
R2
IB
IE
IC
1,6k
400
23,762k
4,817k
30A
3mA
3mA
DADOS:
IE = 4mA
VBE = 550mV
VCE = 5V
VCC = 12V
ICBO = 6A
= 0,92
=
=
= 11,5
1 - 1 - 0,92
Clculo de ICEO
ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6A) = 75A
Clculo de IC
IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA
Clculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245A
Clculo de RC
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RC =
VRC
VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)
IC
5,8V
= 1.54k (1.544,6)
3,755mA
Clculo de RE
VRE
1,2
RE =
= 300
=
IE
4mA
Clculo de RB
VRB
RB =
VRB = VCC - VBE - VRE VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
RB =
= 41,84k (41.836,7)
245A
RESPOSTAS:
ICEO
IC
IB
RC
RE
RB
11,5
75A
3,755mA
245A
1.54k
300
41,84k
Clculo de IB
VCC
15
15
15
IB =
=
=
=
= 72,12A
RB + RE 100k + 40(2,7k) 100k + 108k 208k
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Clculo de IE
IE = ( + 1).IB = (41).72,12A = 2,96mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k. 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
VRE = 7,992V 8V
RESPOSTAS:
72,12A
2,96mA
7V
8V
IB
IE
VCE
VRE
Considere = 100.
Clculo de IB
VCC
15
15
15
IB =
=
=
=
= 20,27A
RB + RC 270k + 100.4k7 270k + 470k 740k
Clculo de IC
IC = IB = 100.(20,27A) = 2,027mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V
RESPOSTAS:
IB = 20,27A
IC = 2,027mA
VCE = 5,473V
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Equaes bsicas
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0
VRC = RCIC e VRE = REIE, temos:
( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE
Clculo de IC
IC
= , logo: IC = 6A . 200 = 1,2mA
IB
Clculo de IE
IE = IC + IB = 1,2mA + 6A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar IC = IE
Clculo de RC
Utilizando a equao ( II )
15 = (RC . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (RC . 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (RC . 1,2mA) + 8,18
RC =
15 - 8,18
= 5,68k (5.683,3)
1,2mA
Clculo de RB
VRB = VCB + VRC
RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V
IC = 1,2mA
RC = 5,68k
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IE = 1,2mA
RB = 2,37M
RETA DE CARGA:
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de
carga, definindo em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente.
Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva
caracterstica do transistor, fornecida pelo fabricante.
A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos
de operao de um transistor.
Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para
CA ser abordada posteriormente.
Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o
transistor opera na ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da
reta de carga, se quisermos que ele opere na regio linear, regio de corte ou regio de
saturao.
Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".
Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum,
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VCC
25V
=
= 20mA
RC + RE 1,25k
Procedimento:
Traa-se ento a reta de carga unindo os dois pontos.
Para que o transistor opere na regio linear, o ponto Q dever ser o ponto
mdio da reta de carga. No nosso exemplo o ponto mdio (bem aproximado)
coincidiu com a corrente de base equivalente a 30A.
A partir da ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre
coletor e emissor:
ICQ = 11,25mA
VCEQ = 11V
IBQ = 30A
Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos
resistores:
IC 11,25mA
=
=
= 375
IB
30A
Partindo da equao: VCC = VRC + VCE + VRE
VRC = (11,25mA).1k = 11,25V
VRE = (11,25mA).250 = 2,812V
Ento: VCC = 11,25 + 11 + 2,812 = 25,062V 25V
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CONCLUSES:
1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a tenso
entre coletor e emissor (VCE) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a
corrente de coletor.
2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso
entre coletor e emissor (VCE) tende a se igualar a VCC, pois a corrente de coletor
tende a zero.
A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a
250mV.
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Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de
carga.
1 ponto:
Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC.
Observe que o eixo da tenso est calibrado em VCB.
Quando IC = 0, VBE = 0, como VCB = VCE - VBE, logo VCB = VCE - 0
Portanto, VCB = 25V
2 ponto:
VCC 25V
Para VCE = 0, temos: IC =
=
= 25mA
RC 1k
Neste caso RE o circuito de entrada da configurao base comum, sendo
ento desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.
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Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso
garantir sua saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de
funcionamento; variao da temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a
corrente de base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta
de carga, conforme mostra a figura abaixo:
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VCC 12V
=
= 600
2mA
IC
Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Deveremos ento recalcular o valor de RC.
Considerando VCE de saturao = 0, teremos: RC =
30
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Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor
operando como chave de corrente.
Devemos ento estabelecer um valor ideal de RE para nosso projeto.
Vamos supor:
VBB (tenso de entrada) = +5V
VCC = +12V
IC = 5mA (um ponto mdio da reta de carga dentro da regio ativa)
Determinar:
As tenses em RC para os valores de 10 e 1000
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Determinando RE
Considerando IC = IE, temos:
RE =
Calculando VRC
Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento,
para os dois casos IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC).
Para RC = 470 VRC = 10.(5mA) = 0,05V
Para RC = 1,5k VRC = 1k.(5mA) = 5V
Para satisfazer a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, a tenso VCE que
variar, assim sendo temos:
Para RC = 10
VCE = 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V
Para RC = 1k
VCE = 12 - 5 - 4,3 = 2,7V
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evitar trabalhar com valores de RC que propiciem uma tenso VCE muito prxima da
regio de saturao.
O valor da corrente de coletor no depende do valor de , isto , ao substituir o
transistor por outro de diferente, a corrente de coletor permanecer praticamente
igual.
Quanto maior for RE (respeitando-se as caractersticas do projeto), mais
estvel torna-se a corrente de coletor.
Quando o valor de VCC for relativamente baixo (por exemplo 5V) o
acionamento de leds mais eficaz com uma fonte de corrente, pois para leds de cores,
tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso pode variar de 1,5V a 2,5V), a corrente
ser praticamente constante no prejudicando a luminosidade.
Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de
corrente vamos admitir uma situao conforme ilustra a figura abaixo.
Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma
luminosidade ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2
uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por necessitar de
mais tenso?
Soluo:
A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade
diminuda, pois em comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.
No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal
no acontecer, conforme ser mostrado nos clculos a seguir:
Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a
corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de RE.
RE =
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2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 1,5 = 4,5V
Reta de carga de L-2
1 ponto:
VCC - Vled 6V - 2,5V
IC =
=
= 23,3mA
RE
150
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 2,5 = 3,5V
BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA NO LABORATRIO - Ed. McGraw-Hill SP
- 1.987
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