Universidade Estadual Paulista- Unesp

Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira

Laboratrio de Eletrnica Industrial

Prof. Adjunto Carlos Alberto Canesin

unesp - FEIS
Laboratrio de
Eletrnica de Potncia

Introduo
Conversores Estticos:

Controle do fluxo de energia entre dois ou mais sistemas

eltricos com caractersticas distintas.
rea de Estudo: Eletrnica de Potncia
Principais Aplicaes
Sub-reas:
Eletrnica de Potncia Bsica
( v 1 , f1 )
E1
Comutao Natural, tenses 2 kV, correntes 1kA e
Retificador
freqncias 1 kHz.
Elevadas correntes
Aplicaes com correntes > 1 kA
Conversor
Elevadas tenses
Indireto de
Conversor
Aplicaes com tenses > 2 kV
Freqncia
Direto de
Chopper
Elevadas Freqncias
Conversor
Freqncia
Aplicaes com freqncias > 1 kHz
Indireto de
Elevadas Potncias
Tenso
Aplicaes com tenses > 2 kV e correntes > 1 kA
Comutao forada
Inversores de tenso autnomos SCR.
Inversor
Tcnicas Especiais de Controle e Filtragem.
(v 2 , f 2 )
E2

Fontes de alimentao, Controle de mquinas eltricas,

Aquecimento indutivo, Alimentao de segurana e emergncia,
Transmisso em corrente contnua, Interligao de sistemas com
freqncias diferentes, Carregadores de baterias, Retificadores em
geral, etc...
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

Princpio Bsico da Converso Esttica

Ao dos dispositivos de processamento de energia INTERRUPTORES
I

S
V

INTERRUPTOR IDEAL (S)

Tempos de comutao nulos (entrada em conduo e bloqueio instantneo);
Resistncia nula em conduo;
Resistncia infinita quando bloqueado.
EVOLUO DOS DISPOSITIVOS INTERRUPTORES
Rels Contatores Reatores com ncleos saturveis Retificadores arco
Vlvulas Tiraton SCR (anos 60 pela General Electric e Bell Telephone Laboratory),
etc...

Converso Esttica: Revoluo no processamento de energia eltrica, possibilitando:

Reduo de peso, volume e custos;
Reduo das perdas e aumento da densidade de potncia;
Operao com freqncias maiores;
Aumento do rendimento.
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

Caractersticas de Atuao para os Interruptores

Processamento Esttico de Energia: Requer em diversas aplicaes, aes diferentes de
controle para os dispositivos interruptores.
Operaes Bsicas Desejadas
I

Operao em dois quadrantes

com corrente bidirecional

Operao em um quadrante

Diodos (bloqueio reverso)

SCR (bloqueio direto)
Transistor Bipolar
IGBT

Operao em dois quadrantes

com tenso bidirecional
SCR (bloqueio direto e
reverso)
Transistor Bipolar + diodo
em srie

MOSFET
SCR + diodo em antiparalelo
IGBT + diodo em antiparalelo
Transistor Bipolar + diodo
em anti-paralelo

I
Operao em quatro
quadrantes
V

Arranjo de diodos com

transistores bipolares

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

Interruptor para Operao em Quatro Quadrantes

Implementaes:
1

1
i

11 l

1
i

ii

+
(-)
(-)

v
(+)
(+) 0

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

rea de Atuao (Potncia x Freqncia) - 1998

Potncia
5
Controlvel 10
[kVA]
10 4

10 3

SCR
GTO
SI Thy

MCT

IGBT

10 2

SCR : Silicon Controlled Rectifier

GTO : Gate Turn-off Thyristor
MCT : MOS Controlled Thyristor
SI Thy : Static Induction Thyristor
BPT : Bipolar Power Transistor
IGBT : Insulated Gate Bipolar
Transistor
MOSFET : MOS Field-Effect
Transistor

BPT

10 1

MOSFET
10-1

10 -1

10

10 1

10

10 6
10 4
10 5
Freqncia de Operao [kHz]

Observa-se que as dificuldades do processamento esttico de

energia aumentam com a potncia processada
e freqncia de operao dos interruptores.
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

Caractersticas Gerais dos Principais

Dispositivos Interruptores
Principais interruptores em
Eletrnica de Potncia

Anlise das caractersticas bsicas de

funcionamento, para os seguintes
interruptores:

Diodos de Potncia (Diodo)

Transistores Bipolares de Potncia (BPT)
MOSFETs de Potncia (MOSFET)
Transistores tipo IGBT (IGBT)
Tiristores (Diodo PNPN, SCR, TRIAC, DIAC e GTO)
Obs: Os tiristores MCT e SIThy no so
analisados nesta introduo
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

O Diodo de Potncia
Smbolo

nodo

Polarizao Reversa (Bloqueio)

(A)

V
VSS
aumento da resistncia da regio de depleo

v
A

Ctodo

(C)

Caracterstica Volt-Ampre
Polarizao Direta (Conduo)

i
Polarizao
Direta

VS

1
VRRM

reduo da resistncia da regio de depleo

rT

IR

v
V(TO)

Polarizao
Reversa

A
Injeo de portadores minoritrios

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

Caractersticas Dinmicas do Diodo de Potncia

v(t)
VFP
Onde:
VFP: Mxima tenso direta na
entrada em conduo

VS

Bloqueio
indutivo

trr: Tempo de recuperao reversa

i(t)

trr

Qr: Carga aramazenada na

capacitncia de juno

toff

di
dt

ton

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

Qr

Tipos de Diodos de Potncia

Diodos Convencionais (Standard)
Tempo de recuperao reversa no especificado.
Operao normalmente em 50 ou 60 Hz.
Diodos Rpidos e Ultra-rpidos (Fast/Ultra-fast)
Tempo de recuperao reversa e carga armazenada na capacitncia de juno
so especificados.
Operao em mdias e elevadas freqncias.
Diodos tipo Schottky
Praticamente no existe tempo de recuperao (carga armazenada praticamente nula).
Operao com freqncias elevadas e baixas tenses (poucos componentes possuem
capacidade de bloqueio superior 100 V).

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

Caractersticas de Alguns Diodos de

Potncia Existentes no Mercado

Componente
Diodos Rpidos
1N3913
SD453N25S20PC
Diodos
Ultra-rpidos
MUR815
MUR1560
RHRU100120
Diodos Schottky
MBR6030L
444CNQ045
30CPQ150

Mxima Tenso

Corrente Mdia

Tenso em
Conduo

Tempo
Recuperaco

400 V
2500 V

30 A
400 A

1,1 V
2,2 V

400 ns
2 s

150 V
600 V
1200 V

8A
15 A
100 A

0,975 V
1,2 V
2,6 V

35 ns
60 ns
60 ns

30 V
45 V
150 V

60 A
440 A
30 A

0,48 V
0,69 V
1,19 V

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

10

Transistor Bipolar De Potncia (BPT)

Smbolo
(C)

Construo Bsica

Coletor

Base

(B)

Emissor

Base

(E)
Emissor

O BPT sempre do tipo NPN

Componente com portadores
minoritrios
Corrente flui atravs do BPT
verticalmente
Base e emissor so distribudos em
sees interconectadas
Em conduo: Junes Base-Emissor e
Coletor-Base so polarizadas
diretamente.

Coletor

Bloqueio: corrente de Base nula ou

juno Base-Emissor polarizada
reversamente.

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

11

Caractersticas Estticas do BPT

Caracterstica Volt-Ampre
Regio Ativa:
Boa regulao de corrente e
elevadas perdas em conduo.
Regio de Corte:
IB = 0
Em conduo:
I B > IC /
: Ganho de Corrente
F : Ganho forado

IC
IB

I Csat
I Bsat

Regio Quase-Saturao
Reduzido valor de VCE em conduo.
Para IB IBsat e IC ICsat
Garante-se que: VCE VCEsat.
Operao com: F de 5 a 10.
O ganho reduz rapidamente para elevadas
correntes.

Regio de Forte-Saturao
Elevados tempos envolvidos durante o
bloqueio (aumento tempo estocagem).
Como interruptor: Regio de quasesaturao (em conduo) e corte (bloqueio).

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

12

Limites de Operao Segura para o BPT

Primeira Avalanche (Ruptura)

Primeira Avalanche

BVCBO: Mxima tenso entre coletor e

base com emissor aberto.

IC
aumento de IB

BVCEO: Mxima tenso entre coletor e

emissor com base aberta (bloqueado).
BVsus: Mxima tenso suportvel entre
coletor e emissor com corrente de

IB = 0
emissor aberto

BVsus

BVCEU

BVCBO

VCE

Tenso VCE permanece praticamente

constante (e elevada), com o rpido
crescimento da corrente de coletor (IC).

base positiva (em conduo).

Segunda Avalanche (Ruptura)
Devido elevadas concentraes de corrente numa
determinada regio (elevadas tenses ou correntes
aplicadas durante reduzido tempo). Devido
caracterstica de coeficiente negativo de temperatura, o
aumento da corrente reduz a resistncia do componente
que aumenta a corrente e a temperatura, e, assim
sucessivamente at a ruptura.

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

13

Caractersticas Dinmicas do BPT

Carga Resistiva
vCC

RL
iC(t)
iB(t)

RB

vCE(t)
vS(t)

+
-

+
vBE(t) -

Extrao de
corrente reversa de
base reduz o tempo
de estocagem.

(1) Bloqueio
(2) Atraso de entrada em conduo (carga
capacitncia base-emissor)
(3) Tempo de subida da corrente.
(4-5) Em conduo
(6) Atraso do bloqueio (Tempo de estocagem)
(descarga da capacitncia base-emissor).
(7) Tempo de descida da corrente

ton

toff

(8-9) Bloqueado ....

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

14

Concluses Gerais para o BPT

O BPT tem sido substitudo nos ltimos anos por interruptores
mais eficientes
Para baixas tenses ( <500 V) o BPT tem sido substitudo pelo MOSFET.
Para tenses acima de 500 V o BPT tem sido substitudo pelo IGBT.
Comparado com o MOSFET, o BPT apresenta maiores tempos durante as
comutaes (operao em menores freqncias). Contudo, o BPT apresenta
menores perdas em conduo.
Comparado com o IGBT, o BPT apresenta maiores tempos envolvidos nas
comutaes (maiores perdas nas comutaes) e menor capacidade de corrente.
Para aplicaes em tenses mais elevadas (> 500 V), o BPT aparece em alguns casos
C
em configurao Darlington:
Q1

B
Q2
D

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

15

O MOSFET de Potncia
Smbolo

Configurao Bsica
(D)
Dreno

(S) Fonte (source)

(G) Gate

(G)
Gate

(S)

Fonte
(Source)

MOSFET de Potncia normalmente

do tipo CANAL N.
Comprimento da regio de gate
muito pequeno ( 1 micron)
O fluxo de corrente vertical atravs
da seo do dispositivo.

(D) Dreno

Bloqueado: Juno P-n- reversamente

polarizada (sem tenso de gate).
Resistncia elevada (grande rea de
depleo)

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

16

O MOSFET em Conduo
Tenso positiva de gate induz a

MOSFET em Conduo
Gate

condutividade do canal

Fonte (Source)

A corrente flui atravs da seo

vertical do dispositivo.
A resistncia total em conduo
dada pelo somatrio das resistncias da regio n-, do canal,

Di

Canal

terminais de contato de dreno e

fonte (source).
Juno p-n- resulta num diodo Di
em anti-paralelo com o sentido de

Dreno
Corrente de Dreno

conduo dreno-source.
Tenso negativa dreno-source
polariza diretamente o diodo Di

Obs: O diodo intrnseco Di apesar de

suportar tenses e correntes nominais,
possui tempos de comutao maiores
do que aqueles para o prprio MOSFET

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

17

Caractersticas Estticas do MOSFET

Caracterstica Volt-Ampre
Regio hmica: Regio de interesse para
operao como interruptor.

Entrada em Conduo
VGS >> VGS(th)
tipicamente: 10 VGS 20

Bloqueio
VGS < VGS(th)

A resistncia em Conduo
(RDSon) possui coeficiente de temperatura
positivo, facilitando a operao em paralelo
de MOSFETS.
Regio Ativa: Regulao de corrente melhor
do que o BPT.
Regio Corte: VGS < VGS(th)
- VGS(th), tenso (G-S) mnima para entrada
em conduo.

Circuito de Comando, com caractersticas

de fonte de tenso, mais simples do que
aqueles para o BPT (comando com caractersticas de fonte de corrente).

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

18

Caractersticas Dinmicas para os MOSFETs

Capacitncias Equivalentes dos MOSFETs
(D)
Cgd

Caractersticas Dinmicas - Carga Resistiva

Ciss = Cgd + Cgs

Normalmente :

Coss = Cgd + Cds

t d(on) << t r

t on t r

t d ( off ) << t f

t off t f

VGS
10%

Gate

cDS

Cgs

90%

VGS(th)

(G)

VDS
10%

90%

ID

(VDD)

VDS(on)
90%

ID

10%

tr

(S)

td(on)

Cgd : Pequena e altamente no linear.

Cgs: Elevada e praticamente constante.
Cds : Mdia e altamente no linear
Os tempos de comutao so determinados
pelas taxas de carga e descarga de Cgs e Cgd (Ciss).

(VDD)

tf
td(off)

ton

toff

td(on): Tempo de carga de Ciss at VGS(th).

ID 0

VDS VDD

tr : Tempo de descarga de Coss at VDS(on).

td(off): Tempo de descarga de Ciss.
tf : Tempo de crescimento da tenso VDS (Carga Cds).

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

19

Alguns Dados Tcnicos para Diferentes MOSFETs

Componente

VDSmax

Corrrente Mdia (Id)

RDSon

IRFZ48

60 V

50 A

0,018

IRF510

100 V

5,6 A

0,54

IRF540

100 V

28 A

0,077

APT10M25BNR

100 V

75 A

0,025

IRF740

400 V

10 A

0,55

MTM15N40E

400 V

15 A

0,3

APT5025BN

500 V

23 A

0,25

APT1001RBNR

1000 V

11 A

1,0

MOSFETs possuem caractersticas de reduzidos tempos durante as comutaes

(freqncias tpicas de dezenas centenas de kHz).
RDSon rapidamente aumenta com o aumento de VDSmax suportvel.
Circuito de comando de gate muito simples.
A escolha dos MOSFETs normalmente so para aplicaes com VDSmax < 500 V.
Aplicaes de MOSFETs com capacidade de bloqueio em torno de 1000 V so
para baixas potncias (no superior 100 W).
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

20

O Transistor IGBT
Smbolo

Construo Bsica
Emissor

Coletor
(C)

Construo similar ao

Gate

MOSFET, exceto devido

(G)

regio p adicional.

Gate

Portadores
minoritrios

Conduo de portadores
minoritrios, como nos

(E)
Emissor

BPTs.

Circuito Equivalente

Coletor

Localizao do circuito equivalente

C

Gate

Emissor

Tempos de comutao maiores

do que os MOSFETs e menores
do que os BPTs.
Aplicvel onde se deseja

(G)

i2
i1

i1

elevadas tenses VCE.

i2

Coletor

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

21

Caractersticas Estticas e Dinmicas do IGBT

Caractersticas Estticas
Saturao

Caractersticas Dinmicas
td(on): Retardo na entrada em

VGE

Aumento VGE

90%

iD
VGE4

conduo

10%

tr: Tempo de subida de IC

VGE3

Regio Direta

VCE

td(off): Retardo no bloqueio

VGE2
VRM

VGE1

VCE
BVCE

IC
90%

90%

Obs: A corrente de cauda pode

envolver 20% de toff, limitando
o aumento da freqncia de
operao.

10%

10%

Regio Reversa
td(on)

Comando com caractersticas de fonte

de tenso (similar ao MOSFET)

tic

td(off)

tr

tfc

tf

toff

t on

Regio de trabalho: VGE tipicamente

Detalhe das Perdas
entre 12V - 20V, resultando em VCEon
reduzida (reduo perdas em conduo). Durante o bloqueio
Dispositivo com caractersticas de
coeficiente positivo de temperatura,
facilitando o paralelismo.

tf: Tempo de descida de IC

corrente
de cauda

iL

VCE

vA(t)
iA(t)

presena da
corrente de cauda
"current tail
(Woff)

vgiL

pA(t)
= v A iA

Woff

t
t
t
t
* Observa-se que existem IGBTs com
coeficiente negativo.
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin
0

t
3

22

Alguns Dados Tcnicos para Diferentes IGBTs

Componente

VCEmax

Corrrente Mdia

VCE(on)

tf

HGTG32N60E2

600 V

32 A

2,4 V

0,62 s

HGTG30N120D2

1200 V

30 A

3,2 A

0,58 s

CM400HA-12E

600 V

400 A

2,7 V

0,3 s

CM300HA-24E

1200 V

300 A

2,7 V

0,3 s

Mdulos

As aplicaes para o IGBT normalmente encontram-se para elevados nveis de tenso VCE (500 a 1700 V)
e elevadas potncias (1-1000 kW), 1998.
IGBTs com coeficiente positivo de temperatura facilitam o paralelismo.
IGBTs com coeficiente negativo de temperatura apresentam reduzidas perdas em conduo.
Circuitagem de controle muito simples (similar aos MOSFETs).
Mais lentos do que os MOSFETs, contudo, mais rpidos do que os BPTs, GTOs e SCRs.
Freqncias tpicas de utilizao: Comutao dissipativa: 3-30 kHz
(1998)
Comutao no dissipativa: at 200 kHz
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

23

TIRISTORES (Diodo PNPN, SCR, TRIAC, DIAC, GTO)

Definio IEC: Tiristor qualquer dispositivo semicondutor biestvel, contendo trs ou mais
junes (P-N), com capacidade de conduzir ou bloquear uma corrente num ou nos dois sentidos.
O diodo PNPN (Diodo Schokley)
Smbolo
(A) nodo

Circuito Equivalente

Construo Bsica

VS

R
+
I

T1

P+

T2

(C)

Ctodo

N+

Em conduo (Resistncia tipicamente 10 )

Bloqueado (Resistncia tipicamente 100 M)

Utilizao em Baixa Potncia

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

24

O diodo PNPN
Caracterstica Volt-Ampre
VAC VBO Entra em conduo

Passa pela regio de resistncia

Polarizao
Direta

negativa e opera em regime na

Regio de Saturao

regio de saturao (VAC 1V)

IH
Regio de Resistncia Negativa
VBR

Em conduo e com I < IH Bloqueio

VBO

VAC

Regio
Corte
Inverso

manuteno em conduo.
VBO : ordem de alguns volts at centenas

Polarizao
Inversa

de volts.
Dispositivo para operao em baixas

Regio de Corte direto

VH

IH e VH : Corrente e tenso de

IBO : ordem de centenas de A.

IBO

I=

I CO
1 (1 + 2 )

1 : ganho de T1

2 : ganhodeT2
I : corrente de saturao reversa
CO

potncias.
No existem diodos PNPN de germnio
(impossibilidade de bloqueio).

(1 + 2 )= 1 (conduo )
(1 + 2 )< 1 ( bloqueio)

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

25

O SCR
Smbolo

Circuito Equivalente
Anodo

(A)

Anodo
Q2

Gate (G)

(C)

Ctodo

Construo Bsica
G

Q1
Q2

Q1

Gate

Catodo

O SCR foi desenvolvido em 1965 pelo Bell Telephone Laboratory (EUA).

ainda hoje (1998) um dos principais dispositivos interruptores para elevadas tenses e potncias
(operao em baixas freqncias, tipicamente menores que 2 kHz).
! A DIFERENA em relao ao Diodo Schokley a presena do terminal de GATE, com a finalidade
de modificar a tenso de entrada em conduo (VBO).
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

26

Caractersticas Estticas para o SCR

Dispositivo com caractersticas em conduo de

Caracterstica Volt-Ampre

portadores minoritrios.
Caractersticas de reduzidas resistncias e tenses

iA
Em conduo

em conduo, permitindo a aplicao em elevadas

Polarizao direta

-VBR

tenses e potncias (5000 - 6000 V e 1000 - 2000 A)

iG > 0

IH

iG =0

IBO

- 1998.
VH

Bloqueio
Reverso

VBO

VAC

Bloqueio direto

Bloqueio atravs da reduo da corrente valores

inferiores IH (corrente de manuteno), uma
vez que, mesmo com a inverso da corrente de

Com o aumento da corrente de gate, diminui a

gate, no possvel bloquear o SCR.
tenso direta de entrada em conduo (VBO).
Em conduo a caracterstica similar ao diodo PN.
No existe capacidade de bloqueio pelo terminal
de gate aps a entrada em conduo.
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

27

Caractersticas Dinmicas para o SCR

Entrada em Conduo

Bloqueio

vG
E1
t

tinv

iA

tq

iG
VAC

IG

10% I G

t
t0

Qrr

t1

vAC
E

90% E
10% E

td

IRM
E2

tf

E2 +V

ton

Caracterstica tq : Tempo mnimo de aplicao de tenso

td : Tempo de retardo
reversa durante o processo de bloqueio.
Comando
tf : Tempo de descida de VAC
tipicamente : (10 s <tq < 200 s).
iG
ton : Tempo de entrada em conduo
2
! td a maior parcela e depende da amplitude
e velocidade de crescimento de iG.
! Portanto, o SCR um
1
tf independe de iG.
Curva 1 - Disparo Lento
dispositivo para operao em
Curva 2 - Disparo Rpido
ton (tipicamente entre 1s- 5 s)
baixas freqncias.
t

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

28

O Triodo CA (TRIAC)
O TRIAC

Circuito Equivalente
Tp2

Smbolo

G2
SCR1

Terminal
Principal 2
(Tp2)

G1

Construo Bsica

SCR2

Tp2
Tp1

Gate
(G)

Terminal
Principal 1

N
P
N
P

Tp2
SCR1

O TRIAC permite o controle de

corrente nas duas direes.

G1

P
N
P

Equivalente dois SCRs conectados

G2
P
N
P

Tp1
SCR2

em anti-paralelo.
Tp1

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

29

O TRIAC
Caracterstica Volt-Ampre

Operao em dois quadrantes, com

corrente de gate positiva ou negativa.

ITp2
Operao
1 Quadrante
o

Ig
+
+
-

VTP2 - TP1
+
+
-

VG - TP1
+
+
-

Quadrante
1o
1o
3o
3o

Sensibilidade
>>
<
<<
>

Ig2

+IH
-VBO

Ig0 = 0

-VH
+VH

Embora seja bidirecional, sua sensibilidade

maior operando no 1o quadrante com
Ig > 0 e tenses positivas ( G - TP1 eTP2 - TP1).

Ig1

+VBO VTp2-Tp1
Ig2 > Ig1 > Ig0 = 0

-IH
Operao
3o Quadrante

Operao em baixas potncias

Tipicamente para correntes eficazes
inferiores 40 A
Operao em baixas freqncias
Tipicamente inferiores 400 Hz.
Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

30

O Diodo CA (DIAC)
O DIAC

Construo Bsica

Smbolo

Caracterstica Volt-Ampre

Operao
1 Quadrante

I
o

V
N

+IH
-VH

-VD

+VH

V VD Conduo

-IH

I > 0 (1o Quadrante)

Permite corrente nos

dois sentidos.

V -VD Conduo

No h designao de
terminais devido simetria
(na prtica ocorre pequena
assimetria).
Aplicaes em baixa
potncia

+VD

Operao
3o Quadrante

I < 0 (3o Quadrante)

Bloqueio

I < IH
(1o Quadrante)
I > - IH
(3o Quadrante)

IH : corrente de manuteno
em conduo.
VD : Tenso de disparo
(entrada em conduo)

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

31

O Tiristor Controlado pelo Gate (GTO)

O GTO: Tiristor especialmente projetado de modo que a corrente de gate possa alterar de modo
aprecivel a corrente de manuteno (IH), permitindo o bloqueio pelo gate.
O processo de entrada em conduo anlogo ao SCR.
Smbolo
(A)

Construo Bsica

nodo
I

(G)
Gate
Ctodo
(C)

Corrente de gate positiva controla

entrada em conduo.
Corrente de gate negativa controla
o bloqueio:
Aplicao tenso negativa
gate-ctodo.

A estrutura de gate e ctodo so

fortemente intercaladas, possibilitando
uma forte ao de gate.

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

32

O GTO
Caracterstica Volt-Ampre

A entrada em conduo tipicamente

anloga ao SCR.

bloqueio (Ig <0)

Quando em conduo, a corrente de

Bloqueio
Ig < 0

gate pode ser suprimida (como no

SCR), no afetando sua operao.
O ganho de corrente de gate para o

Ig2 >Ig1

IH
VBR

bloqueio tipicamente baixo (entre 2 - 5),

implicando em elevadas correntes de
gate reversas.

Ig1 >0
Ig = 0
entrada em
conduo

VACmx

VAC

IH: Corrente de manuteno

emconduo

Capacidade de bloqueio de elevadas

tenses (acima de 4,5 kV).
Tenso em conduo ( 2 - 3 V) maior
do que o SCR.
Operao em baixas freqncias
(tipicamente inferiores 10 kHz).

O bloqueio ocorre pela alterao de IH

atravs do gate. Com corrente de gate
negativa modifica-se IH at que seja
superior corrente de carga, provocando
o bloqueio.

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

33

Comparaes Gerais Entre os Principais

Interruptores em Eletrnica de Potncia
Dispositivos
Diodo Potncia

BPT

MOSFET

IGBT

SCR

GTO

Caracterstica de Ataque

-----

Em corrente

Em tenso

Em tenso

Em corrente

Em corrente

Potncia envolvida no
comando

-----

Mdia para
Elevada

Muito Baixa

Muito Baixa

Mdia para Elevada

Elevada

Complexidade do Circuito
de Comando

-----

Elevada

Muito Baixa

Muito Baixa

Baixa

Elevada

Densidade de Corrente

Mdia para
Elevada

Mdia

Elevada para Baixa

Elevada

Elevada

Mdia para
Elevada

Mxima Tenso
Suportvel

Mdia

Mdia

Mdia para Baixa

Mdia para Elevada

Elevada

Elevada

Freqncia de Operao

Mdia para
Elevada

Baixa para Mdia

Elevada

Mdia para Baixa

Baixa

Baixa

Baixa para
Mdia

Mdia para
Elevada

Muito Baixa

Mdia para Elevada

Elevada

Elevada

Muito Baixa

Mdia para
Elevada

Baixa

Mdia

Mdia

Perdas nas comutaes

(circuitos convencionais)
Dificuldade de
Paralelismo

Baixa
(coef. positivo)

Unesp - Feis - DEE - LEP - Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

34