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Teoria 15 Chopper PWM IGBT
Teoria 15 Chopper PWM IGBT
Uma vez que as fontes de alimentação são, tipicamente, de valor de tensão constante, sejam
elas CA ou CC, caso seja preciso variar ou controlar a potência aplicada a uma carga, é necessário o
emprego de algum tipo de dispositivo que seja capaz de "dosar" a quantidade de energia a ser
transferida para a carga.
Se a variação ou controle for feito pela manipulação da tensão, o elemento de controle deve
ter uma posição em série entre a fonte de alimentação e a carga, como indicado nas figuras a seguir:
Devido a variável nula, então não existe dissipação de potência sobre ela, garantindo a alta
eficiência energética deste tipo de arranjo.
Obviamente este tipo de variação não é uma variação contínua, mas sim pulsada
(chaveada). No entanto, dada a característica de armazenadores de energia presentes nas aplicações
com cargas como os motores e como na maior parte dos casos práticos, a freqüência de comutação da
chave é muito maior do que a constante de tempo deste tipo de carga, então a própria carga acaba
atuando como um filtro, extraindo da tensão instantânea aplicada sobre ela o seu valor médio.
Neste curso até o presente momento estudamos uma técnica de modulação para variação de
potência em conversores que tomando alimentação a partir da rede CA, a transformavam tendo como
objetivo uma tensão contínua média na saída para alimentar a carga (motor CC).
Quando a tensão de alimentação é alternada, é mais usual o uso de tiristores como
interruptores, seja para um ajuste na própria tensão CA (variador de tensão CA), seja para a conversão
de uma tensão CA em CC (retificação), utilizando a técnica de controle de fase, no qual, dado um
A modulação por pulsos iniciou a partir da teoria da amostragem, a qual estabelece que a
informação contida em qualquer sinal analógico pode ser recuperada a partir de amostras do sinal
tomadas a intervalos regulares de tempo.
A modulação por pulsos pode ser analógica ou digital. No caso analógico, os valores das
amostras do sinal são transferidos ou para a amplitude, ou para a duração ou para a posição de pulso
de formato fixo conhecido. No caso digital, os valores das amostras são convertidos para números
binários que por sua vez são codificados em seqüências de pulsos que representam cada um dos
valores binários.
As técnicas de modulação são importantes não apenas para aplicações de variação de potência
em conversores, mas também para as aplicações em sistemas de transmissão digital de
telecomunicações.
Nyquist provou, através da teoria da amostragem, que valores de um sinal analógico (o qual é
continuo no tempo e em nível, contendo uma infinidade de valores) se tomados (amostrados) a
intervalos regulares TA contém a mesma informação do sinal original desde que a taxa de
amostragem seja maior que o dobro da largura de faixa do sinal analógico, ou seja, que a freqüência
de amostragem (freqüência do sinal da portadora), seja maior que o dobro da maior freqüência contida
no sinal a ser amostrado (sinal modulante):
fS > 2⋅ B
É obvio que quando maior a freqüência de amostragem, mais fácil será reproduzir o sinal, mas
elevando-se demais a freqüência da portadora, haverá desperdício de banda ocupada, exigindo chaves
semicondutoras mais rápidas, sem nenhuma melhoria na qualidade. É possível o uso de filtros passa-
baixa para retirar componentes indesejáveis devido ao chaveamento.
Os valores das amostras de um sinal analógico podem ser expressos através das durações de
pulsos retangulares, sendo que este processo é denominado modulação da duração (largura) de
pulsos (PWM - Pulse Width Modulation). As vantagens do PWM incluem: maior imunidade com
relação ao ruído e à distorção não-linear.
Enquanto o valor
instantâneo da tensão de
controle for maior que o valor
instantâneo da portadora tem-
se um valor positivo constante
na saída do circuito cuja
duração será proporcional à
amplitude da tensão de
controle no momento de
transição quando o valor
instantâneo da tensão de
controle se passa a ser menor
que o valor instantâneo da
portadora.
A tensão CC fixa é convertida em uma tensão CC variável, através das técnicas de modulação por
freqüência ou, mais usualmente, por Modulação de Largura de Pulso (PWM).
Tomemos o circuito mostrado na figura a seguir na qual se tem um circuito alimentado por uma
fonte CC (E) e do qual se deseja obter na saída uma tensão CC, mas de valor variável (no caso igual
ou menor que a entrada).
Define-se como ciclo de trabalho (largura de pulso ou razão cíclica) a relação entre o
intervalo de condução da chave e o período de chaveamento. Em Modulação por Largura de Pulso
(em inglês. Pulse Width Modulation – PWM) opera-se com uma freqüência de chaveamento
constante, ou seja, com período de chaveamento (TTOT) fixo, variando-se apenas o tempo em que o
interruptor permanece em condução (TON) que pode ser ajustado pelo controle desde zero até o
máximo ( TTOT ≥ TON ≥ 0 ). O dispositivo semicondutor opera a uma freqüência alta, quando
comparada com variações na tensão de entrada.
Para que a relação entre o sinal de controle e a tensão média de saída seja linear, como
desejado, o sinal da portadora deve apresentar uma variação linear (como uma forma de onda "dente-
de-serra", por exemplo) e, além disso, a sua freqüência deve ser além de fixa, bem maior (nos casos
prático um bom critério é dez vezes maior) do que a freqüência de variação da modulante, de modo
que seja relativamente fácil filtrar o valor médio do sinal modulado, recuperando, sobre a carga, uma
tensão contínua proporcional à tensão do sinal de controle.
Esta operação transfere energia de uma fonte de maior tensão para outra de menor tensão e
apresenta característica de fonte de tensão na entrada e fonte de corrente na saída. A corrente da carga
é praticamente contínua se a constante de tempo ⎛⎜ ⎞⎟ da carga for maior que o período de
L
⎝R⎠
chaveamento (t 1 + t 2 ) .
Dependendo dos Sentidos dos Fluxos da Corrente e da Tensão, o Chopper pode ser
classificado em cinco tipos;
1. Chopper CLASSE A:
2. Chopper CLASSE B:
3. Chopper CLASSE C:
4. Chopper CLASSE D:
• Operação em 1º e 4º Quadrante;
• Corrente sempre Positiva, mas Tensão podendo ser Positiva ou Negativa;
• Fluxo de Potência da Bidirecional.
5. Chopper CLASSE E:
O chopper será abaixador quando S1 conduz durante t1, transferindo energia da fonte para a
carga. Quando S1 abre, a corrente de carga, que é indutiva, circulará por D2. Em ambas as situações a
tensão e a corrente na carga são positivas:
Até os anos 70, os tiristores convencionais foram usados de forma exclusiva para o controle de
potência em aplicações industriais. Desde então, vários outros tipos de dispositivos semicondutores de
potência foram sendo desenvolvidos e alguns vieram a se tornaram disponíveis comercialmente.
Além dos diodos de potência, e dos tiristores em geral (SCR, GTO, GCT, SITh), em termos de
transistores os dispositivos semicondutores de potência encontram-se atualmente divididos em quatro
categorias:
O IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial
e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada.
Por outro lado, os MOSFET’s de potência podem também controlar potências elevadas, com a
vantagem de serem dispositivos controlados por tensão, tendo assim alta impedância de entrada. A
intensidade do campo elétrico gerado pela aplicação da tensão a porta (Gate) controla a largura do
canal que dá passagem à corrente elétrica principal. Mas têm como desvantagem que para altas
correntes não pode operar em altas velocidades de comutação devida às capacitâncias parasíticas de
porta (Gate). Tais capacitâncias parasíticas tendem a aumentar com a elevação da intensidade da
corrente que deve ser controlada. No entanto, para baixas correntes de condução através do canal, o
MOSFET pode operar com freqüências bastante elevadas, normalmente superiores à freqüência
máxima de operação de um Transistor Bipolar de Potência (TBPs).
Juntando o que há de melhor nesses dois tipos de transistores, o IGBT é um componente que
vem se tornando cada vez mais recomendado para comutação de carga de alta corrente em regime de
alta velocidade. De fato, praticamente todos os conversores modernos, sejam conversores CA/CC ou
sejam Conversores de Freqüência (CA/CA ou Inversores) têm a unidade de potência constituída
principalmente de IGBTs
Abaixo da região da porta (Gate), uma camada de inversão pode ser formada a partir da
aplicação de uma certa tensão entre a porta e o emissor (emitter), tal como é feito em um MOSFET
para fazê-lo entrar em condução.
Na estrutura do IGBT, é importante notar que o terminal de porta está conectado à duas
regiões – isoladas do material semicondutor através de uma camada isolante de óxido de silício (SiO2)
– ao invés de ser apenas uma região como costumamos ver em MOSFET’s. Assim, como veremos, o
IGBT apresenta formação de dois canais ao invés de apenas um.
Quando a tensão entre a porta e o emissor atinge um determinado valor limite – que depende
do dispositivo – conhecida como tensão de limiar (threshold voltage), simbolizada por Vth, a
quantidade de elétrons livres atraídos pelo campo elétrico é tamanha que a região imediatamente
abaixo da porta acaba por se transformar do tipo P para o tipo N, fenômeno conhecido como inversão
– sendo a camada que sofreu o processo recebe o nome de camada de inversão, mais comumente
conhecida como canal.
Com a formação deste canal, temos uma ligação do tipo N entre a pequena região N+ e a
região de arrasto. Tal canal permite a condução de corrente através de uma pequena região na junção
J1 que estava reversamente polarizada antes de a tensão entre porta e emissor atingir o valor limiar.
Dessa forma, elétrons serão transportados através deste canal até a região de arrasto onde irão fazer
parte da corrente que circula pela junção J3 que está diretamente polarizada, fazendo com que o
“diodo” formado pela junção J3 entre em condução. Com este efeito, temos que a camada P+
conectada ao coletor injeta lacunas (cargas positivas) na região de arrasto N-.
Algumas das lacunas injetadas na região N- são recombinadas nesta mesma região com os
elétrons livres desta camada. No entanto, a maior parte das lacunas que alcançam a região não se
recombinam e alcançam a junção J2 que está reversamente polarizada. Assim, as lacunas encontram
um campo elétrico favorável ao seu movimento, justamente por causa da polarização reversa da
junção. Com este campo elétrico da junção J2, as lacunas serão arrastadas por meio da corrente de
difusão pela região de arrastamento atravessando a junção J2 até serem coletadas pela região do tipo P
onde está conectado o terminal de coletor.
A figura 3 (b) mostra um modelo mais completo para o circuito equivalente do IGBT que inclui
o transistor parasita pela região tipo N+ da fonte do MOSFET, a região de corpo do MOSFET do tipo
P e a região de arrastamento tipo N-. Neste modelo também é apresentada a resistência lateral da
região tipo P da região de corpo. Se a corrente fluindo através dessa resistência for elevada o
suficiente, teremos uma queda de tensão que irá polarizar diretamente a junção entre esta camada
semicondutora e a região N+ ativando o transistor parasita que forma um tiristor parasita juntamente
com o transistor PNP principal da estrutura do IGBT. Uma vez que o tiristor tenha sido disparado, há
uma elevada injeção de elétrons livres oriundos da região tipo N+ na região tipo P do substrato do
MOSFET, fazendo com que a tensão de gate não influa mais na operação do dispositivo – assim como
o que ocorre com os tiristores – fazendo com que o controle da operação do IGBT seja perdido. Este
fenômeno – denominado latch-up –, quando ocorre, geralmente conduz à destruição do dispositivo.
Geralmente, os fabricantes de IGBT constroem o molde da superfície do emissor em forma de uma
Na figura apresentada a seguir, temos o símbolo utilizado em circuitos para designar o IGBT.
Neste símbolo vemos detalhes que lembram tanto o símbolo usado para transistores bipolares como o
símbolo usado para MOSFET’s. Também apresentamos um desenho do aspecto do IGBT produzido
como componente discreto pela International Rectifier.
Um ponto importante que deve ser levado em consideração em todo dispositivo de comutação é
o Efeito Miller.
O Efeito Miller nada mais é do que a realimentação da tensão entre coletor-emissor (VCE)
através da capacitância existente entre a porta e o coletor do dispositivo (CGC).
Isso que dizer que uma variação da tensão entre o coletor e emissor (VCE) tem o mesmo efeito
que uma fonte de corrente interna no circuito de polarização , onde a intensidade desta corrente é dada
pela expressão:
∂VCE
I G = C GC (VCE )
∂t
Infelizmente, CGC não è constante, mudando de valor com a tensão entre coletor e emissor. As
maiores variações de CGC ocorrem justamente com pequenas tensões entre emissor e coletor. Em
conseqüência disso temos explicações para alguns comportamentos do IGBT:
Com a queda da tensão entre coletor e emissor VCE a corrente de polarização de porta é usada
para carregar CGC, e a tensão de porta permanece constante.
Mais tarde, quando a tensão entre o coletor e o emissor cai, CGC aumenta de valor de tal forma
que, uma pequena variação de VCE é suficiente para levar a um aumento da corrente de porta. Somente
quando a corrente necessária à carga se reduz novamente é que a tensão de porta aumenta.
Quando o IGBT desliga - partindo de VCE baixa, VGE positiva ou maior que a tensão limiar –
Vth – a tensão de porta inicialmente decresce quase que linearmente (pela fonte de corrente constante
de descarga). A diminuição da capacitância a qual ocorre com o aumento da carga, resulta em aumento
da tensão. Como existe uma fonte de polarização que está drenando corrente da porta, a tensão entre
porta e emissor se mantém constante.
Em conseqüência, VCE aumenta e a maior parte da corrente de descarga da porta é usada para
manter a tensão de porta constante. O processo de carga termina quando VCE alcança a tensão de
operação.
É devido ao Efeito Miller que a corrente de porta durante a comutação (ligado ou desligado) é
usada antes de tudo para mudar a carga CGC. Isto explica porque, carregando ou descarregando , a
porta tem sua velocidade de resposta reduzida. Deve ser mencionado que as mudanças de CGC e VCC
regulam por si próprias de tal forma que apenas a corrente disponível na porta é usada. Isso esclarece
porque um resistor de grande valor ligado em série com a porta faz que todos os eventos que
envolvam a comutação de uma IGBT tenham seu tempo de duração aumentado.
Uma das aplicações do IGBT das mais utilizadas em eletrônica de potência é na construção de
inversores de tensão, os quais produzem tensão alternada através de tensão contínua. Tal processo é
muito utilizado em sistemas de transmissão de energia elétrica CA na construção de filtros ativos de
potência e em sistemas de transmissão HVDC (High Voltage Direct Current). A Usina de Itaipu
pertencente ao Brasil e ao Paraguai (que durante muitos anos foi a maior usina hidrelétrica do mundo)
produz energia com o sistema de corrente alternada, sendo que metade da produção (pertencente ao
Brasil) é gerada em 60Hz e a outra metade (pertencente ao Paraguai) é gerada em 50Hz. No entanto,
boa parte da energia produzida pela parte paraguaia é vendida ao Brasil que consome tensão alternada
em 60Hz. O problema foi resolvido instalando-se um retificador de potência que transforma a tensão a
ser transmitida em tensão contínua e a energia é transmitida em DC até os centros consumidores (o
principal é a cidade de São Paulo) onde é novamente alternada, agora em 60Hz para ser enviada aos
transformadores que irão abaixar a tensão para a distribuição entre os consumidores de energia. Este
inversor de tensão pode geralmente ser construído com o uso de GTO’s (Gate Turn-Off Thyristor) ou
IGBT’s. No caso de inversores de tensão que serão aplicados na construção de filtros ativos de
potência dá-se preferência ao emprego de IGBT’s devido à sua possibilidade de operar em elevadas
freqüências.
A
B
C
As tensões de porta de cada um dos IGBT’s são controladas a partir de uma Máquina de
Estados Finitos, onde cada estado corresponde ao chaveamento de:
• Sempre três (e apenas três) IGBT’s são ligados simultaneamente de cada vez;
• Nunca são ligados simultaneamente dois IGBT’s da mesma associação em série;
• Nunca são acionados simultaneamente todos os três da parte de cima, nem todos os três
da parte de baixo;
Nos gráficos apresentados a seguir temos as tensões que são conectadas para a carga por cada
uma das chaves com o intervalo de tempo da comutação e a tensão total entre a fase C e o neutro da
associação em Y na saída do transformador apresentado na figura acima.
Como podemos ver, essa forma de onda se aproxima mais de uma senóide do que a forma de
onda anterior. Para suavizar esta forma de onda de modo que ela se aproxime mais de uma forma
senoidal, é necessário que ser utilize um filtro passa-baixas, que elimine as componentes de altas
freqüências, as quais são responsáveis pelas transições abruptas dessa forma de onda e causam um
elevado fator de distorção harmônica.
Este exemplo foi apresentado aqui para ilustrar uma forma de aplicação do IGBT na prática,
como uma chave em aplicações de elevadas potências.
Allenz 2005-2007