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J. A. Pomilio
Tiristores IGCT 5kV GTO e IGCT 4kV 3kV IGBT 2kV 1kV MOSFET 2kA Freqncia 4kA 6kA TBP 1kHz 10kHz 100kHz 1MHz
Corrente
Figura 1.1 Limites de operao de componentes semicondutores de potncia. 1.1 Breve Reviso da Fsica de Semicondutores A passagem de corrente eltrica em um meio depende da aplicao de um campo eltrico e da existncia de portadores livres (usualmente eltrons) neste meio. Em metais, como o cobre ou a prata, a densidade de portadores livres (eltrons) da ordem de 1023/cm3, enquanto nos materiais isolantes, como o quartzo ou o xido de alumnio, o valor da ordem de 103/cm3. Os chamados semicondutores, como o silcio, tm densidades intermedirias, na faixa de 108 a 1019/cm3. Nos condutores e nos isolantes, tais densidades so propriedades dos materiais, enquanto nos semicondutores estas podem ser variadas, seja pela adio de impurezas de outros materiais, seja pela aplicao de campos eltricos em algumas estruturas de semicondutores. 1.1.1 Os portadores: eltrons e lacunas tomos de materias com 4 eltrons em sua camada mais externa (C, Ge, Si, etc.), ou ainda molculas com a mesma propriedade, permitem o estabelecimento de ligaes muito
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estveis, uma vez que, pelo compartilhamento dos eltrons externos pelos tomos vizinhos (ligao covalente), tem-se um arranjo com 8 eltrons na camada de valncia, como ilustra a figura 1.2.
eltrons compartilhados
ncleos atmicos
Figura 1.2 Estrutura cristalina de material semicondutor Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 oC), algumas destas ligaes so rompidas (ionizao trmica), produzindo eltrons livres. O tomo que perde tal eltron se torna positivo. Eventualmente um outro eltron tambm escapa de outra ligao e, atrado pela carga positiva do tomo, preenche a ligao covalente. Desta maneira tem-se uma movimentao relativa da carga positiva, chamada de lacuna, que, na verdade, devida ao deslocamento dos eltrons que saem de suas ligaes covalentes e vo ocupar outras, como mostra a figura 1.3.
movimento da lacuna tomo ionizado
Figura 1.3 Movimento de eltrons e lacunas em semicondutor A ionizao trmica gera o mesmo nmero de eltrons e lacunas. Em um material puro, a densidade de portadores aproximadamente dada por:
qE g
ni Ce
kT
(1.1)
onde C uma constante de proporcionalidade, q a carga do eltron (valor absoluto), Eg a banda de energia do semicondutor (1,1 eV para o Si), k a constante de Boltzmann, T a temperatura em Kelvin. Para o Si, temperatura ambiente (300K), ni 1010/cm3. 1.1.2 Semicondutores dopados Quando se faz a adio de tomos de materiais que possuam 3 (como o alumnio ou o boro) ou 5 eltrons (como o fsforo) em sua camada de valncia estrutura dos semicondutores,
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os tomos vizinhos a tal impureza tero suas ligaes covalentes incompletas ou com excesso de eltrons, como mostra a figura 1.4.
Si ligao incompleta Si Bo Si Si Si eltron em excesso Si P Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Figura 1.4 Semicondutores dopados Neste caso no se tem mais o equilbrio entre eltrons e lacunas, passando a existir um nmero maior de eltrons livres nos materiais dopados com elementos da quinta coluna da tabela peridica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos da terceira coluna. Respectivamente, produzem-se os chamados materiais semicondutores tipo N e tipo P. Observese, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez que a quantidade total de eltrons e prtons a mesma. Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um eltron livre, tem-se a movimentao da lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas so os portadores majoritrios, sendo os eltrons os portadores minoritrios. J no material tipo N, a movimentao do eltron excedente deixa o tomo ionizado, o que o faz capturar outro eltron livre. Neste caso os portadores majoritrios so os eltrons, enquanto os minoritrios so as lacunas. As dopagens das impurezas (1019/cm3 ou menos), tipicamente so feitas em nveis muito menores que a densidade de tomos do material semicondutor (1023/cm3), de modo que as propriedades de ionizao trmica no so afetadas. Mesmo em um material dopado, o produto das densidades de lacunas e de eltrons (po e no, respectivamente) igual ao valor ni2 dado pela equao (1.1), embora aqui po no . Alm da ionizao trmica, tem-se uma quantidade adicional de cargas livres, relativas s prprias impurezas. Pelos valores indicados anteriormente, pode-se verificar que a concentrao de tomos de impurezas muitas ordens de grandeza superior densidade de portadores gerados por efeito trmico, de modo que, num material tipo P, po Na, onde Na a densidade de impurezas aceitadoras de eltrons. J no material tipo N, no Nd, onde Nd a densidade de impurezas doadoras de eltrons. Em qualquer dos materiais, a densidade dos portadores minoritrios proporcional ao quadrado da densidade intrnseca, ni, e fortemente dependente da temperatura.
n i2 no , po Na po n i2 po , no Nd no
(1.2)
(1.3)
1.1.3 Recombinao Uma vez que a quantidade ni determinada apenas por propriedades do material e pela temperatura, necessrio que exista algum mecanismo que faa a recombinao do excesso de portadores medida que novos portadores so criados pela ionizao trmica.
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Tal mecanismo inclui tanto a recombinao propriamente dita de um eltron com uma lacuna em um tomo de Si, quanto a captura dos eltrons pela impureza ionizada ou, adicionalmente, por imperfeies na estrutura cristalina. Tais imperfeies fazem com que os tomos adjacentes no necessitem realizar 4 ligaes covalentes. Pode-se definir o tempo de vida de um portador como o tempo mdio necessrio para que o eltron ou a lacuna sejam neutralizados pela consecusso de uma ligao covalente. Em muitos casos pode-se considerar o tempo de vida de um portador como uma constante do material. No entanto, especialmente nos semicondutores de potncia, esta no uma boa simplificao. Quando ocorre um significativo aumento na temperatura do semicondutor, tem-se um aumento no tempo de recombinao do excesso de portadores, o que leva a um aumento nos tempos de comutao dos dispositivos de tipo portadores minoritrios, como o transistor bipolar e os tiristores. Uma vez que este tempo de vida dos portadores afeta significantemente o comportamento dos dispositivos de potncia, a obteno de mtodos que possam control-lo importante. Um dos mtodos que possibilita o ajuste deste tempo a dopagem com ouro, uma vez que este elemento funciona como um centro de recombinao, uma vez que realiza tal operao com grande facilidade. Outro mtodo o da irradiao de eltrons de alta energia, bombardeando a estrutura cristalina de modo a deform-la e, assim, criar centros de recombinao. Este ltimo mtodo tem sido preferido devido sua maior controlabilidade (a energia dos eltrons facilmente controlvel, permitindo estabelecer a que profundidade do cristal se quer realizar as deformaes) e por ser aplicado no final do processo de construo do componente.
1.1.4 Correntes de deriva e de difuso Quando um campo eltrico for aplicado a um material semicondutor, as lacunas se movimentaro no sentido do campo decrescente, enquanto os eltrons seguiro em sentido oposto. Esta corrente depende de um parmetro denominado mobilidade, a qual varia com o material e do tipo de portador. A mobilidade dos eltrons aproximadamente 3 vezes maior do que a das lacunas para o Si em temperatura ambiente. A mobilidade diminui aproximadamente com o quadrado do aumento da temperatura. Outro fator de movimentao de portadores por difuso, quando existem regies adjacentes em que h diferentes concentraes de portadores. O movimento aleatrio dos portadores tende a equalizar sua disperso pelo meio, de modo que tende a haver uma migrao de portadores das regies mais concentradas para as mais dispersas. 1.2 Diodos de Potncia
Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tenso e de corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de maior potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A figura 1.5 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo. Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial aparecer na regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor muito maior que a do restante do componente (devido concentrao de portadores).
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Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tenso negativa no anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N), mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de transio aumenta, elevando a barreira de potencial.
Juno metalrgica
+ _ _ + _ _ + _ _ + _ _ + _ _ _
_ _ _ _ _
_ _ _ _ _
_ _ _ _ _
_ N_ _ _ _ _ _ _ _ _
Anodo
Catodo
Difuso
0 1u
Potencial
Figura 1.5 Estrutura bsica de um diodo semicondutor. Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores minoritrios penetra na regio de transio. So, ento, acelerados pelo campo eltrico, indo at a outra regio neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tenso reversa aplicada, variando, basicamente, com a temperatura. Se o campo eltrico na regio de transio for muito intenso, os portadores em trnsito obtero grande velocidade e, ao se chocarem com tomos da estrutura, produziro novos portadores, os quais, tambm acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o aumento na corrente, sem reduo significativa na tenso na juno, produz-se um pico de potncia que destri o componente. Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e reduo da barreira de potencial. Quando a tenso aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N sero atrados pelo potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o componente conduo. Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente desta apresentada. Existe uma regio N intermediria, com baixa dopagem. O papel desta regio permitir ao componente suportar tenses mais elevadas, pois tornar menor o campo eltrico na regio de transio (que ser mais larga, para manter o equilbrio de carga). Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa caracterstica resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto maior for a tenso suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos so altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com caracterstica hmica e no semicondutor. O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar campos eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas). No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor, cuja carga aquela presente na prpria regio de transio. Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada P+, por difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida que cresce a corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons venham da regio
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N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo. O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito diferente do de uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.6. Suponha-se que se aplica uma tenso vi ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes podero alterar alguns aspectos da forma de onda). Durante t1, remove-se a carga acumulada na regio de transio. Como ainda no houve significativa injeo de portadores, a resistncia da regio N- elevada, produzindo um pico de tenso. Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram com a sobretenso. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a reduo da tenso para cerca de 1V. Estes tempos so, tipicamente, da ordem de centenas de ns. No desligamento, a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da queda hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente, associada s indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa.
t3 t1 dif/dt iD
Anodo
trr
P+
10e19 cm-3
10 u
Vfp vD
Von
t4 t5 Vrp
_ 10e14 cm-3
-Vr
Depende da tenso
t2 +Vr
vi
N+ 10e19cm-3 250 u substrato
vD iD R
-Vr
vi
Catodo
Figura 1.6 - Estrutura tpica de diodo de potncia e formas de onda tpicas de comutao de diodo de potncia. A figura 1.7 mostra resultados experimentais de um diodo de potncia lento (retificador) em um circuito como o da figura 1.6, no qual a indutncia desprezvel, como se nota na figura (a), pela inverso quase imediata da polaridade da corrente. A corrente reversa limitada pela resistncia presente no circuito. J na entrada em conduo, a tenso aplicada ao circuito aparece instantaneamente sobre o prprio diodo, o que contribui para limitar o crescimento da corrente. Quando esta tenso cai, a corrente vai assumindo seu valor de regime.
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(a) (b) Figura 1.7 - Resultados experimentais das comutaes de diodo: (a) desligamento; (b) entrada em conduo. Canal 1: Corrente; Canal 2: tenso vak Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos, enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos. O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobre-tenses produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos soft-recovery, nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados. Em aplicaes nas quais o diodo comuta sob tenso nula, como o caso dos retificadores com filtro capacitivo, praticamente no se observa o fenmeno da recombinao reversa.
1.3 Diodos Schottky
Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material semicondutor, o contato tem, tipicamente, um comportamento hmico, ou seja, a resistncia do contato governa o fluxo da corrente. Quando este contato feito entre um metal e uma regio semicondutora com densidade de dopante relativamente baixa, o efeito dominante deixa de ser o resistivo, passando a haver tambm um efeito retificador. Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato direto com um semicondutor, como indicado na figura 1.8. O metal usualmente depositado sobre um material tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte metlica ser o anodo e o semicondutor, o catodo. Numa deposio de Al (3 eltrons na ltima camada), os eltrons do semicondutor tipo N migraro para o metal, criando uma regio de transio na juno. Note-se que apenas eltrons (portadores majoritrios em ambos materiais) esto em trnsito. O seu chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos bipolares, uma vez que no existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessrio apenas refazer a barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N+ tem uma dopagem relativamente alta, a fim de reduzir as perdas de conduo, com isso, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V. A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas quais as quedas sobre os retificadores so significativas. Na figura 1.4.(b) tem-se uma forma de onda tpica no desligamento do componente. Note que, diferentemente dos diodos convencionais, assim que a corrente se inverte a tenso comea a crescer, indicando a no existncia dos portadores minoritrios no dispositivo.
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Al
Al
contato hmico
(a) (b) Figura 1.8 - (a) Estrutura de diodo Schottky; (b) Forma de onda tpica no desligamento. Canal 1: Corrente; Canal 2: tenso vak
1.4 Tiristor
O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa seqncia p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestvel. O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio), usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente uma mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), tambm chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor comutvel pela porta), MCT (Tiristor controlado por MOS).
1.4.1 Princpio de funcionamento O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-n-p-n, possuindo 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente, e a porta (ou gate) que, a uma injeo de corrente, faz com que se estabelea a corrente andica. A figura 1.9 ilustra uma estrutura simplificada do dispositivo. Se entre anodo e catodo tivermos uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente polarizada. No haver conduo de corrente at que a tenso Vak se eleve a um valor que provoque a ruptura da barreira de potencial em J2. Se houver uma tenso Vgk positiva, circular uma corrente atravs de J3, com portadores negativos indo do catodo para a porta. Por construo, a camada P ligada porta suficientemente estreita para que parte destes eltrons que cruzam J3 possua energia cintica suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo ento atrados pelo anodo.
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Vcc J1 A P NJ2 P
Rc (carga) J3 N+ K Catodo
Vg
CH
Figura 1.9 - Funcionamento bsico do tiristor e seu smbolo. Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir mesmo na ausncia da corrente de porta. Quando a tenso Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto J2 estar diretamente polarizada. Uma vez que a juno J3 intermediria a regies de alta dopagem, ela no capaz de bloquear tenses elevadas, de modo que cabe juno J1 manter o estado de bloqueio do componente. comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma associao de dois transistores, conforme mostrado na figura 1.10. Quando uma corrente Ig positiva aplicada, Ic2 e Ik crescero. Como Ic2 = Ib1, T1 conduzir e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentar Ic2 e assim o dispositivo evoluir at a saturao, mesmo que Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos transistores forem maior que 1. O componente se manter em conduo desde que, aps o processo dinmico de entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido um valor superior ao limite IL, chamado de corrente de "latching". Para que o tiristor deixe de conduzir necessrio que a corrente por ele caia abaixo do valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira de potencial em J2. Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de uma tenso negativa entre anodo e catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de desligamento por deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura cristalina, mas no garante, sozinha, o desligamento. Devido a caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma polarizao reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um comportamento dos GTOs, como se ver adiante.
A P N G P N K N P A T1 Ic1 G T2 Ig Ib2 Ik K Ic2 Ia Ib1
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1.4.2
Maneiras de disparar um tiristor Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em conduo: a) Tenso Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao aplicada sobre a juno J2. O aumento da tenso Vak leva a uma expanso da regio de transio tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo na ausncia de corrente de gate, por efeito trmico, sempre existiro cargas livres que penetram na regio de transio (no caso, eltrons), as quais so aceleradas pelo campo eltrico presente em J2. Para valores elevados de tenso (e, consequentemente, de campo eltrico), possvel iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao chocarem-se com tomos vizinhos, provoquem a expulso de novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal fenmeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela juno J2, tem efeito similar ao de uma injeo de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente for atingido o limiar de IL, o dispositivo se manter em conduo. A figura. 1.11 mostra a caracterstica esttica de um SCR. b) Ao da corrente positiva de porta Sendo o disparo atravs da corrente de porta a maneira mais usual de ser ligado o tiristor, importante o conhecimento dos limites mximos e mnimos para a tenso Vgk e a corrente Ig, como mostrados na figura 1.12. O valor Vgm indica a mnima tenso de gate que garante a conduo de todos os componentes de um dado tipo, na mnima temperatura especificada. O valor Vgo a mxima tenso de gate que garante que nenhum componente de um dado tipo entrar em conduo, na mxima temperatura de operao. A corrente Igm a mnima corrente necessria para garantir a entrada em conduo de qualquer dispositivo de um certo tipo, na mnima temperatura. Para garantir a operao correta do componente, a reta de carga do circuito de acionamento deve garantir a passagem alm dos limites Vgm e Igm, sem exceder os demais limites (tenso, corrente e potncia mximas). c) Taxa de crescimento da tenso direta Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-se de maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial. Considerando que praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o SCR estiver desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno dada por:
Ij =
d C j Vak dt
) = C dVak + V
j
dt
ak
dC j dt
(1.4)
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Vbr
IL IH
Ig2
>
Ig1
>
Vgm Vgo
0 0 Igm 0,5A Ig
Figura 1.12 - Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta. Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a corrente que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo. Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (Vak > 0). A taxa de crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes que circulam pelas junes J1 e J3, em tal situao, no tem a capacidade de levar o tiristor a um estado de conduo. Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles.
d) Temperatura A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente polarizada dobra aproximadamente com o aumento de 8o C. Assim, a elevao da temperatura pode levar a uma corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo. e) Energia radiante Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal, produz considervel quantidade de pares eltrons-lacunas, aumentando a corrente de fuga reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos
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LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde a isolao necessria s obtida por meio de acoplamentos ticos.
1.4.3 Parmetros bsicos de tiristores Apresentaremos a seguir alguns parmetros tpicos de tiristores e que caracterizam condies limites para sua operao. Alguns j foram apresentados e comentados anteriormente e sero, pois, apenas citados aqui. Tenso direta de ruptura (VBO) Mxima tenso reversa (VBR) Mxima corrente de anodo (Iamax): pode ser dada como valor RMS, mdio, de pico e/ou instantneo. Mxima temperatura de operao (Tjmax): temperatura acima da qual, devido a um possvel processo de avalanche, pode haver destruio do cristal. Resistncia trmica (Rth): a diferena de temperatura entre 2 pontos especificados ou regies, dividido pela potncia dissipada sob condies de equilbrio trmico. uma medida das condies de fluxo de calor do cristal para o meio externo. Caracterstica I2t: o resultado da integral do quadrado da corrente de anodo num determinado intervalo de tempo, sendo uma medida da mxima potncia dissipvel pelo dispositivo. dado bsico para o projeto dos circuitos de proteo. Mxima taxa de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt). Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o incio do processo de conduo de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de silcio, ao redor da regio onde foi construda a porta, espalhando-se radialmente at ocupar toda a superfcie do catodo, medida que cresce a corrente. Mas se a corrente crescer muito rapidamente, antes que haja a expanso necessria na superfcie condutora, haver um excesso de dissipao de potncia na rea de conduo, danificando a estrutura semicondutora. Este limite ampliado para tiristores de tecnologia mais avanada fazendo-se a interface entre gate e catodo com uma maior rea de contato, por exemplo, 'interdigitando" o gate. A figura 1.13 ilustra este fenmeno. Corrente de manuteno de conduo (IH): a mnima corrente de anodo necessria para manter o tiristor em conduo. Corrente de disparo (IL): mnima corrente de anodo requerida para manter o SCR ligado imediatamente aps ocorrer a passagem do estado desligado para o ligado e ser removida a corrente de porta. Tempo de disparo (ton): o tempo necessrio para o tiristor sair do estado desligado e atingir a plena conduo. Tempo de desligamento (toff): o tempo necessrio para a transio entre o estado de conduo e o de bloqueio. devido a fenmenos de recombinao de portadores no material semicondutor. Corrente de recombinao reversa (Irqm): valor de pico da corrente reversa que ocorre durante o intervalo de recombinao dos portadores na juno.
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Gate interdigitado
Figura 1.13 - Expanso da rea de conduo do tiristor a partir das vizinhanas da regio de gate. A figura 1.14 ilustra algumas destas caractersticas.
dv/dt Tenso direta de bloqueio
di/dt
Von Corrente de fuga reversa Irqm ton Tenso reversa de bloqueio toff
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b.1) Comutao Natural utilizada em sistemas de CA nos quais, em funo do carter ondulatrio da tenso de entrada, em algum instante a corrente tender a se inverter e ter, assim, seu valor diminudo abaixo de IH, desligando o tiristor. Isto ocorrer desde que, num intervalo inferior a toff, no cresa a tenso direta Vak, o que poderia lev-lo novamente conduo. A figura 1.15 mostra um circuito de um controlador de tenso CA, alimentando uma carga RL, bem como as respectivas formas de onda. Observe que quando a corrente se anula a tenso sobre a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs est em conduo.
S1 i(t) L vi(t) S2 vL R
Figura 1.15 - Controlador de tenso CA com carga RL e formas de onda tpicas. b.2) Comutao por ressonncia da carga Em algumas aplicaes especficas, possvel que a carga, pela sua dinmica prpria, faa com que a corrente tenda a se inverter, fazendo o tiristor desligar. Isto ocorre, por exemplo, quando existem capacitncias na carga as quais, ressoando com as indutncias do circuito produzem um aumento na tenso ao mesmo tempo em que reduzem a corrente. Caso a corrente se torne menor do que a corrente de manuteno e o tiristor permanea reversamente polarizado pelo tempo suficiente, haver o seu desligamento. A tenso de entrada pode ser tanto CA quanto CC. A figura 1.16 ilustra tal comportamento. Observe que enquanto o tiristor conduz a tenso de sada, vo(t), igual tenso de entrada. Quando a corrente se anula e S1 desliga, o que se observa a tenso imposta pela carga ressonante. b.3) Comutao forada utilizada em circuitos com alimentao CC e nos quais no ocorre reverso no sentido da corrente de anodo. A idia bsica deste tipo de comutao oferecer corrente de carga um caminho alternativo ao tiristor, enquanto se aplica uma tenso reversa sobre ele, desligando-o. Antes do surgimento dos GTOs, este foi um assunto muito discutido, buscando-se topologias eficientes. Com o advento dos dispositivos com comutao pelo gate, os SCRs tiveram sua aplicao concentrada nas aplicaes nas quais ocorre comutao natural ou pela carga.
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vo
Vcc
S1 Vcc io(t) vo(t) L Carga Ressonante
io
Figura 1.17 Circuito e formas de onda de comutao por ressonncia da carga. A figura 1.18 mostra um circuito para comutao forada de SCR e as formas de onda tpicas. A figura 1.19 mostra detalhes de operao do circuito auxiliar de comutao. Em um tempo anterior a to, a corrente da carga (suposta quase constante, devido elevada constante de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulao. A tenso sobre o capacitor negativa, com valor igual ao da tenso de entrada. Em t1 o tiristor principal, Sp, disparado, conectando a fonte carga, levando o diodo Df ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada por Sp, Cr, D1 e Lr, a qual permite a ocorrncia de uma ressonncia entre Cr e Lr, levando inverso na polaridade da tenso do capacitor. Em t1 a tenso atinge seu mximo e o diodo D1 desliga (pois a corrente se anula). O capacitor est preparado para realizar a comutao de Sp. Quanto o tiristor auxiliar, Sa, disparado, em t2, a corrente da carga passa a ser fornecida atravs do caminho formado por Lr, Sa e Cr, levando a corrente por Sp a zero, ao mesmo tempo em que se aplica uma tenso reversa sobre ele, de modo a deslig-lo.
D2
60A
Sp i Lr Sa Vcc i Df c Vo
T
iT
Cr
+ Vc +
Lo
iC vo
0
Ro
-60A 200V
D1
vC
-200V
Figura 1.18 Topologia com comutao forada de SCR e formas de onda tpicas. Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igual corrente da carga, fazendo com que a variao de sua tenso assuma uma forma linear. Esta tenso cresce (no sentido negativo) at levar o diodo de circulao conduo, em t4. Como ainda existe corrente pelo indutor Lr, ocorre uma pequena oscilao na malha Lr, Sa, Cr e D2 e, quando a corrente por Sa se anula, o capacitor se descarrega at a tenso Vcc na malha formada por Cr, D1, Lr, fonte e Df.
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60A
iT
-60A 200V
ic vo
0 vc
-200V
to t1
t2 t3
t4
t5
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D R R1 C R2
R C C
(a)
1.4.6
Associao em Paralelo de Tiristores Desde o incio da utilizao do tiristor, em 1958, tm crescido constantemente os limites de tenso e corrente suportveis, atingindo hoje faixas de 5000 V e 4000 A. H, no entanto, diversas aplicaes nas quais necessria a associao de mais de um destes componentes, seja pela elevada tenso de trabalho, seja pela corrente exigida pela carga. Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessria, no pode ser suportada por um nico tiristor, essencial a ligao em paralelo. A principal preocupao neste caso a equalizao da corrente entre os dispositivos, tanto em regime, como durante a comutao. Diversos fatores influem na distribuio homognea da corrente, desde aspectos relacionados tecnologia construtiva do dispositivo, at o arranjo mecnico da montagem final. Existem duas tecnologias bsicas de construo de tiristores, diferindo basicamente no que se refere regio do catodo e sua juno com a regio da porta. A tecnologia de difuso cria uma regio de fronteira entre catodo e gate pouco definida, formando uma juno no-uniforme, que leva a uma caracterstica de disparo (especialmente quanto ao tempo de atraso e sensibilidade ao disparo) no homognea. A tecnologia epitaxial permite fronteiras bastante definidas, implicando numa maior uniformidade nas caractersticas do tiristor. Conclui-se assim que, quando se faz uma associao (srie ou paralela) destes dispositivos, prefervel empregar componentes de construo epitaxial. Em ligaes paralelas de elementos de baixa resistncia, um fator crtico para a distribuio de corrente so variaes no fluxo concatenado pelas malhas do circuito, dependendo, pois, das indutncias das ligaes. Outro fator importante relaciona-se com a caracterstica do coeficiente negativo de temperatura do dispositivo, ou seja, um eventual desequilbrio de corrente provoca uma elevao de temperatura no SCR que, por sua vez, melhora as condies de condutividade do componente, aumentando ainda mais o desequilbrio, podendo lev-lo destruio. Uma primeira precauo para reduzir estes desbalanceamentos realizar uma montagem de tal maneira que todos os tiristores estejam a uma mesma temperatura, o que pode ser feito, por exemplo, pela montagem em um nico dissipador. No que se refere indutncia das ligaes, a prpria disposio dos componentes em relao ao barramento afeta significativamente esta distribuio de corrente. Arranjos cilndricos tendem a apresentar um menor desequilbrio. 1.4.6.1 Estado estacionrio Alm das consideraes j feitas quanto montagem mecnica, algumas outras providncias podem ser tomadas para melhorar o equilbrio de corrente nos tiristores:
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a) Impedncia srie A idia adicionar impedncias em srie com cada componente a fim de limitar o eventual desequilbrio. Se a corrente crescer num ramo, haver aumento da tenso, o que far com que a corrente se distribua entre os demais ramos. O uso de resistores implica no aumento das perdas, uma vez que dado o nvel elevado da corrente, a dissipao pode atingir centenas de watts, criando problemas de dissipao e eficincia. Outra alternativa o uso de indutores lineares. b) Reatores acoplados Conforme ilustrado na figura 1.21, se a corrente por SCR1 tende a se tornar maior que por SCR2, uma fora contra-eletro-motriz aparecer sobre a indutncia, proporcionalmente ao desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR1. Ao mesmo tempo uma tenso induzida do outro lado do enrolamento, aumentando a corrente por SCR2. As mais importantes caractersticas do reator so alto valor da saturao e baixo fluxo residual, para permitir uma grande excurso do fluxo a cada ciclo.
. .
(a)
. . .
SCR1
(c)
.
(b)
.
SCR2
.
(d)
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Esta situao crtica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo minimizada atravs dos dispositivos de equalizao j descritos e ainda por sinais de porta de durao maior que o tempo de atraso.
1.4.6.3 Desligamento Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga manter o equilbrio de corrente mesmo que haja diferentes caractersticas entre os tiristores (especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitncia do circuito amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do tiristor que comea a desligar. 1.4.6.4 Circuito de disparo A corrente de gate deve ser alvo de atenes. O uso de um nico circuito de comando para acionar todos os tiristores minimiza os problemas de tempos de atraso. Alm disso, deve-se procurar usar nveis iguais de corrente e tenso de gate, uma vez que influem significativamente no desempenho do disparo. Para minimizar os efeitos das diferenas nas junes gate-catodo de cada componente pode-se fazer uso de um resistor ou indutor em srie com o gate, para procurar equalizar os sinais. importante que se tenha atingido a corrente de disparo (IL) antes da retirada do pulso de gate, o que pode levar necessidade de circuitos mais elaborados para fornecer a energia necessria. Uma seqncia de pulsos tambm pode ser empregada. 1.4.7 Associao em srie de tiristores Quando o circuito opera com tenso superior quela suportvel por um nico tiristor, preciso associar estes componentes em srie, com precaues para garantir a distribuio equilibrada de tenso entre eles. Devido a diferenas nas correntes de bloqueio, capacitncias de juno, tempos de atraso, quedas de tenso direta e recombinao reversa, redes de equalizao externa so necessrias, bem como cuidados quanto ao circuito de disparo. A figura 1.22 indica uma possvel distribuio de tenso numa associao de 3 tiristores, nas vrias situaes de operao. Durante os estados de bloqueio direto e reverso (I e VI), diferenas nas caractersticas de bloqueio resultam em desigual distribuio de tenso em regime. Ou seja, o tiristor com menor condutncia quando bloqueado ter de suportar a maior tenso. interessante, ento, usar dispositivos com caractersticas o mais prximas possvel. Os estados de conduo (III e IV) no apresentam problema de distribuio de tenso. Estados II e V representam um desbalanceamento indesejado durante os transientes de disparo e comutao. No estado II o tempo de atraso do SCR1 consideravelmente mais longo que o dos outros e, assim, ter que, momentaneamente, suportar toda a tenso. O estado V resulta dos diferentes tempos de recombinao dos componentes. O primeiro a se recombinar suportar toda a tenso. 1.4.7.1 Estado estacionrio O mtodo usual de equalizar tenses nas situaes I e VI colocar uma rede resistiva com cada resistor conectado entre anodo e catodo de cada tiristor. Estes resistores representam consumo de potncia, sendo desejvel usar os de maior valor possvel. O projeto do valor da resistncia deve considerar a diferena nos valores das correntes de bloqueio direta e reversa.
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T1
0.7V
100V
T2
50V
6V
1.1V
1.0V
0.7V
900V
T3
150V
5V
0.9V
0.8V
1200V +
200V +
5mA
10mA
50A
10A
10mA
10mA
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R D
R D
R D
Equalizao Dinmica
Rs Rs Equalizao esttica Figura 1.23 - Circuito de equalizao de tenso em associao srie de tiristores.
Rs
1.4.7.4 Circuito de disparo Em muitas aplicaes, devido necessidade de isolamento eltrico entre o circuito de comando e o de potncia, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores ticos, como mostra a figura 1.24. a) Transformador de pulso Neste caso, tem-se transformadores capazes de responder apenas em alta freqncia, mas que possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de microssegundos), aps o que o transformador satura. Caso seja necessrio um pulso mais largo, ele poder ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro passa-baixas no lado de sada. Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de limitao de tenso no secundrio (onde est conectado o gate), a fim de evitar sobre-tenses. Quando se usar transformador de pulso preciso garantir que ele suporte pelo menos a tenso de pico da alimentao. Como as condies de disparo podem diferir consideravelmente entre os tiristores, comum inserir uma impedncia em srie com o gate para evitar que um tiristor com menor impedncia de gate drene o sinal de disparo, impedindo que os demais dispositivos entrem em conduo. Esta impedncia em srie pode ser um resistor ou um capacitor, que tornaria mais rpido o crescimento do pulso de corrente. b) Acoplamento luminoso O acoplamento tico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferncias eletromagnticas, alm da alta isolao de potencial. Dois tipos bsicos de acopladores so usados: os opto-acopladores e as fibras ticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo no qual o emissor e o receptor esto integrados, apresentando uma isolao tpica de 2500 V. J para as fibras ticas, o isolamento pode ser de centenas de kV. A potncia necessria para o disparo provida por duas fontes: uma para alimentar o emissor (em geral a prpria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do receptor. Eventualmente, a prpria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de equalizao), atravs de um transformador de corrente, pode fornecer a energia para o lado do receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando potncia durante todo o perodo de conduo.
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+Vcc +
+V
..
Req Pulsos Req
Pulsos
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O GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60, por problemas de fraco desempenho foi pouco utilizado. Com o avano da tecnologia de construo de dispositivos semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia, uma vez que esto disponveis dispositivos para 5000V, 4000A.
1.5.1 Princpio de funcionamento O GTO possui uma estrutura de 4 camadas, tpica dos componentes da famlia dos tiristores. Sua caracterstica principal sua capacidade de entrar em conduo e bloquear atravs de comandos adequados no terminal de gate. O mecanismo de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado, quando a corrente de gate injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte de tais portadores, como a camada de gate suficientemente fina, desloca-se at a camada N adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo atrados pelo potencial do anodo, dando incio corrente andica. Se esta corrente se mantiver acima da corrente de manuteno, o dispositivo no necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo. A figura 1.25 mostra o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos processos de entrada e sada de conduo do componente. A aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo pode levar ao desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo so atrados pelo gate, fazendo com que seja possvel o restabelecimento da barreira de potencial na juno J2.
J2 J3 N+ P
Vg Rg
A G
Rg Vcc Desligamento P+ NP N+
Rg Vg
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Aparentemente seria possvel tal comportamento tambm no SCR. As diferenas, no entanto, esto no nvel da construo do componente. O funcionamento como GTO depende, por exemplo, de fatores como: facilidade de extrao de portadores pelo terminal de gate - isto possibilitado pelo uso de dopantes com alta mobilidade desaparecimento rpido de portadores nas camadas centrais - uso de dopante com baixo tempo de recombinao. Isto implica que um GTO tem uma maior queda de tenso quando em conduo, comparado a um SCR de mesmas dimenses. suportar tenso reversa na juno porta-catodo, sem entrar em avalanche - menor dopagem na camada de catodo absoro de portadores de toda superfcie condutora - regio de gate e catodo muito interdigitada, com grande rea de contato. Diferentemente do SCR, um GTO pode no ter capacidade de bloquear tenses reversas. Existem 2 possibilidades de construir a regio de anodo: uma delas utilizando apenas uma camada p+, como nos SCR. Neste caso o GTO apresentar uma caracterstica lenta de comutao, devido maior dificuldade de extrao dos portadores, mas suportar tenses reversas na juno J2. A outra alternativa, mostrada na figura 1.26, introduzir regies n+ que penetrem na regio p+ do anodo, fazendo contato entre a regio intermediria n- e o terminal de anodo. Isto, virtualmente, curto-circuita a juno J1 quando o GTO polarizado reversamente. No entanto, torna-o muito mais rpido no desligamento (com polarizao direta). Como a juno J3 formada por regies muito dopadas, ela no consegue suportar tenses reversas elevadas. Caso um GTO deste tipo deva ser utilizado em circuitos nos quais fique sujeito a tenso reversa, ele deve ser associado em srie com um diodo, o qual bloquear a tenso.
n+ J3
n+ p
n+
J2 nJ1 p+ n+ p+ anodo n+ p+
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Vdrxm - Tenso de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condies dadas, a mxima tenso instantnea permissvel, em estado desligado, que no ultrapasse o dv/dt mximo, aplicvel repetidamente ao GTO. It - Corrente (RMS) de conduo: mxima corrente (valor RMS) que pode circular continuamente pelo GTO. Itcm - Corrente de conduo repetitiva controlvel: mxima corrente repetitiva, cujo valor instantneo ainda permite o desligamento do GTO, sob determinadas condies. I2t: escala para expressar a capacidade de sobrecorrente no-repetitiva, com respeito a um pulso de curta durao. utilizado no dimensionamento dos fusveis de proteo. di/dt: taxa de crescimento mxima da corrente de anodo. Vgrm - Tenso reversa de pico de gate repetitiva: mxima tenso instantnea permissvel aplicvel juno gate-catodo. dv/dt: mxima taxa de crescimento da tenso direta de anodo para catodo. IH - corrente de manuteno: Corrente de anodo que mantm o GTO em conduo mesmo na ausncia de corrente de porta. IL - corrente de disparo: corrente de anodo necessria para que o GTO entre em conduo com o desligamento da corrente de gate. tgt - tempo de disparo: tempo entre a aplicao da corrente de gate e a queda da tenso Vak. tgq - tempo de desligamento: tempo entre a aplicao de uma corrente negativa de gate e a queda da corrente de anodo (tgq=ts+tf) ts - tempo de armazenamento
1.5.3 Condies do sinal de porta para chaveamento Desde que, geralmente, o GTO est submetido a condies de alto di/dt, necessrio que o sinal de porta tambm tenha rpido crescimento, tendo um valor de pico relativamente elevado. Deve ser mantido neste nvel por um tempo suficiente (tw1) para que a tenso Vak caia a seu valor de conduo direta. conveniente que se mantenha a corrente de gate durante todo o perodo de conduo, especialmente se a corrente de anodo for pequena, de modo a garantir o estado "ligado". A figura 1.27 ilustra as formas de corrente recomendadas para a entrada em conduo e tambm para o desligamento. Durante o intervalo "ligado" existe uma grande quantidade de portadores nas camadas centrais do semicondutor. A comutao do GTO ocorrer pela retirada destes portadores e, ainda, pela impossibilidade da vinda de outros das camadas ligadas ao anodo e ao catodo, de modo que a barreira de potencial da juno J2 possa se restabelecer. O grande pico reverso de corrente apressa a retirada dos portadores. A taxa de crescimento desta corrente relaciona-se com o tempo de armazenamento, ou seja, o tempo decorrido entre a aplicao do pulso negativo e o incio da queda (90%) da corrente de anodo. Quanto maior for a derivada, menor o tempo. Quando a corrente drenada comea a cair, a tenso reversa na juno gate-catodo cresce rapidamente, ocorrendo um processo de avalanche. A tenso negativa de gate deve ser mantida prxima ao valor da tenso de avalanche. A potncia dissipada neste processo controlada (pela prpria construo do dispositivo). Nesta situao a tenso Vak cresce e o GTO desliga. Para evitar o disparo do GTO por efeito dv/dt, uma tenso reversa de porta pode ser mantida durante o intervalo de bloqueio do dispositivo. O ganho de corrente tpico, no desligamento, baixo (de 5 a 10), o que significa que, especialmente para os GTOs de alta corrente, o circuito de acionamento, por si s, envolve a manobra de elevadas correntes.
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t gq Ifgm Ifg ts
t w1 Vgk Ig
Irg
D R C
Figura 1.28 Circuito amaciador de desligamento tipo RCD. A energia armazenada no capacitor ser praticamente toda dissipada em R. Especialmente em aplicaes de alta tenso e alta freqncia, esta potncia pode assumir valores excessivos. Em tais casos deve-se buscar solues ativas, nas quais a energia acumulada no capacitor seja devolvida fonte ou carga . A potncia a ser retirada do capacitor dada por:
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p cap
C V2 = fs 2
(1.5)
onde V a tenso de alimentao e fs a freqncia de chaveamento. Como exemplo, suponhamos um circuito alimentado em 1000V, operando a 1kHz com um capacitor de 1F. Isto significa uma potncia de 500W!
1.5.4.2 Entrada em conduo A limitao de di/dt nos GTOs muito menos crtica do que para os SCR. Isto se deve interdigitao entre gate e catodo, o que leva a uma expanso muito mais rpida da superfcie em conduo, no havendo significativa concentrao de corrente em reas restritas. O problema relacionado ao crescimento da corrente refere-se, para um GTO, principalmente, potncia dissipada na entrada em conduo do dispositivo. Com carga indutiva, dada a necessria existncia de um diodo de livre-circulao (e o seu inevitvel tempo de desligamento), durante alguns instantes em que o GTO j se encontra conduzindo, sobre ele tambm existe uma tenso elevada, produzindo um pico de potncia sobre o componente. Este fato agravado pela corrente reversa do diodo e ainda pela descarga do capacitor do snubber de desligamento (caso exista). A figura 1.29 ilustra este comportamento.
V Io carga Lcarga Df Ia Io Ls V Ia Rs Vak V Vak Vak Df
R carga
Ds
Figura 1.29 - GTO acionando carga indutiva e amaciador para desligamento. Para reduzir este efeito, um circuito amaciador para o disparo pode ser necessrio, com o objetivo de reduzir a tenso sobre o GTO em sua entrada em conduo, pode-se utilizar um circuito amaciador formado, basicamente, por um indutor com ncleo saturvel, que atue de maneira significativa apenas durante o incio do crescimento da corrente, mas sem armazenar uma quantidade significativa de energia.
1.5.5 Associaes em srie e em paralelo Nas situaes em que um componente nico no suporte a tenso ou a corrente de uma dada aplicao, faz-se necessrio associar componentes em srie ou em paralelo. Nestes casos os procedimentos so similares queles empregados, descritos anteriormente, para os SCRs.
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1.6 Transistor Bipolar de Potncia (TBP) 1.6.1 Princpio de funcionamento A figura 1.30 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar.
Rc Vcc N+ C NJ2 P J1 N+
E Vb Rb
Figura 1.30 - Estrutura bsica de transistor bipolar A operao normal de um transistor feita com a juno J1 (B-E) diretamente polarizada, e com J2 (B-C) reversamente polarizada. No caso NPN, os eltrons so atrados do emissor pelo potencial positivo da base. Esta camada central suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia cintica suficiente para atravess-la, chegando regio de transio de J2, sendo, ento, atrados pelo potencial positivo do coletor. O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por sua vez, se relaciona com Ic pelo ganho de corrente do dispositivo. Na realidade, a estrutura interna dos TBPs diferente. Para suportar tenses elevadas, existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem, a qual define a tenso de bloqueio do componente. A figura 1.31 mostra uma estrutura tpica de um transistor bipolar de potncia. As bordas arredondadas da regio de emissor permitem uma homogeneizao do campo eltrico, necessria manuteno de ligeiras polarizaes reversas entre base e emissor. O TBP no sustenta tenso no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tenses (5 a 20V). O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo, principalmente, os tempos de comutao do componente.
B E N+ 10e19 cm-3 10e16 cm-3 10 u 5 a 20 u C N10e14 cm-3 50 a 200 u B E N+ 10e19 cm-3 250 u (substrato)
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1.6.2 Limites de tenso A tenso aplicada ao transistor encontra-se praticamente toda sobre a juno J2 a qual, tipicamente, est reversamente polarizada. Existem limites suportveis por esta juno, os quais dependem principalmente da forma como o comando de base est operando, conforme se v nas figuras 1.32 e 1.33. Com o transistor conduzindo (Ib>0) e operando na regio ativa, o limite de tenso Vce Vces o qual, se atingido, leva o dispositivo a um fenmeno chamado de primeira ruptura. O processo de primeira ruptura ocorre quando, ao se elevar a tenso Vce, provoca-se um fenmeno de avalanche em J2. Este acontecimento no danifica, necessariamente, o dispositivo. Se, no entanto, a corrente Ic se concentrar em pequenas reas, o sobre-aquecimento produzir ainda mais portadores e destruir o componente (segunda ruptura). Com o transistor desligado (Ib=0) a tenso que provoca a ruptura da juno J2 maior, elevando-se ainda mais quando a corrente de base for negativa. Isto uma indicao interessante que, para transistores submetidos a valores elevados de tenso, o estado desligado deve ser acompanhado de uma polarizao negativa da base.
Ic Ib>0 Vces Ib=0 Vceo Ib<0 Ic Vcbo
Ic
Ib4 Ib3 Ib2 Ib1 Ib=0 Vces Ib4>Ib3>Ib2>Ib1>0 Vceo Vce Vcbo Ib<0
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C D log Vce
Figura 1.34 - Aspecto tpico de AOS de TBP A: Mxima corrente contnua de coletor B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno) C: Limite de segunda ruptura D: Mxima tenso Vce
1.6.4 Regio de quase-saturao Consideremos o circuito mostrado na figura 1.35, e as curvas estticas do TBP ali indicadas. Quando Ic cresce, Vce diminui, dada a maior queda de tenso sobre R. medida que Vce se reduz, caminha-se no sentido da saturao. Os TBP apresentam uma regio chamada de quase-saturao gerada, principalmente, pela presena da camada N- do coletor. semelhana da carga espacial armazenada nos diodos, nos transistores bipolares tambm ocorre estocagem de carga. A figura 1.36 mostra a distribuio de carga esttica no interior do transistor para as diferentes regies de operao. Na regio ativa, J2 est reversamente polarizada e ocorre uma acumulao de eltrons na regio da base. Quando se aproxima da saturao, J2 fica diretamente polarizada, atraindo lacunas da base para o coletor. Tais lacunas associam-se a eltrons vindos do emissor e que esto migrando pelo componente, criando uma carga espacial que penetra a regio N-. Isto representa um "alargamento" da regio da base, implicando na reduo do ganho do transistor. Tal situao caracteriza a chamada quase-saturao. Quando esta distribuio de carga espacial ocupa toda a regio N- chega-se, efetivamente, saturao. claro que no desligamento toda esta carga ter que ser removida antes do efetivo bloqueio do TBP, o que sinaliza a importncia do timo circuito de acionamento de base para que o TBP possa operar numa situao que minimize a tempo de desligamento e a dissipao de potncia (associada ao valor de Vce).
saturao Ic Vcc/R Ib regio ativa Vce Vcc R quase-saturao
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Coletor N+ Nquasesaturao
Base P
Emissor N+
e-
Vce = 2 V (25 C)
log Ic
Figura 1.37 - Comportamento tpico do ganho de corrente em funo da tenso Vce, da temperatura e da corrente de coletor.
1.6.6 Caractersticas de chaveamento As caractersticas de chaveamento so importantes pois definem a velocidade de mudana de estado e ainda determinam as perdas no dispositivo relativas s comutaes, que so dominantes nos conversores de alta freqncia. Definem-se diversos intervalos considerando operao com carga resistiva ou indutiva. O sinal de base, para o desligamento , geralmente, negativo, a fim de acelerar o bloqueio do TBP.
a) Carga resistiva A figura 1.38 mostra formas de onda tpicas para este tipo de carga. O ndice "r' se refere a tempos de subida (de 10% a 90% dos valores mximos), enquanto "f" relaciona-se aos tempos de descida. O ndice "s" refere-se ao tempo de armazenamento e "d" ao tempo de atraso.
td: tempo de atraso Corresponde a tempo de descarregamento da capacitncia da juno b-e. Pode ser reduzido pelo uso de uma maior corrente de base com elevado dib/dt.
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tri: tempo de crescimento da corrente de coletor Este intervalo se relaciona com a velocidade de aumento da carga estocada e depende da corrente de base. Como a carga resistiva, uma variao de Ic provoca uma mudana em Vce. ts: tempo de armazenamento Intervalo necessrio para retirar (Ib<0) e/ou neutralizar os portadores estocados no coletor e na base tfi: tempo de queda da corrente de coletor Corresponde ao processo de bloqueio do TBP, com a travessia da regio ativa, da saturao para o corte. A reduo de Ic depende de fatores internos ao componente, como o tempo de recombinao, e de fatores externos, como o valor de Ib (negativo). Para obter um desligamento rpido deve-se evitar operar com o componente alm da quase-saturao, de modo a tornar breve o tempo de armazenamento.
b) Carga indutiva Seja Io>0 e constante durante a comutao. A figura 1.39 mostra formas de onda tpicas com este tipo de carga. b.1) Entrada em conduo Com o TBP cortado, Io circula pelo diodo (=> Vce=Vcc). Aps td, Ic comea a crescer, reduzindo Id (pois Io constante). Quando Ic=Io, o diodo desliga e Vce comea a diminuir. Alm disso, pelo transistor circula a corrente reversa do diodo. b.2) Bloqueio Com a inverso da tenso Vbe (e de Ib), inicia-se o processo de desligamento do TBP. Aps tsv comea a crescer Vce. Para que o diodo conduza preciso que Vce>Vcc. Enquanto isto no ocorre, Ic=Io. Com a entrada em conduo do diodo, Ic diminui, medida que Id cresce (tfi). Alm destes tempos definem-se outros para carga indutiva: tti: (tail time): Queda de Ic de 10% a 2%; tc ou txo: intervalo entre 10% de Vce e 10% de Ic.
100% 90% Sinal de base 10%
toff=toffi ts=tsi tfi 90%
Corrente de coletor
10% ton(v) tdv tsv tfv toff(v) trv
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Lcarga
Df td Ic Io
Vce Vcc
Vce
a) Desligamento - Objetivo: atrasar o crescimento de Vce (figura 1.40) Quando Vce comea a crescer, o capacitor Cs comea a se carregar (via Ds), desviando parcialmente a corrente, reduzindo Ic. Df s conduzir quando Vce>Vcc. Quando o transistor ligar o capacitor se descarregar por ele, com a corrente limitada por Rs. A energia acumulada em Cs ser, ento, dissipada sobre Rs. Sejam as formas de onda mostradas na figura 1.41. Consideremos que Ic caia linearmente e que Io aproximadamente constante. Sem o circuito amaciador, supondo desprezvel a capacitncia entre coletor e emissor, assim que o transistor inicia seu desligamento, a corrente de coletor que vinha crescendo (ou estava constante), muda sua derivada tendendo a diminuir. Isto produz uma tenso sobre a carga que leva o diodo de livre-circulao conduo, de modo que a tenso Vce cresce praticamente para o valor da tenso de alimentao. Com a incluso do circuito amaciador, o diodo Df s conduzir quando a tenso no capacitor Cs atingir Vcc. Assim, considerando que Ic decai linearmente, a corrente por Cs cresce linearmente e a tenso sobre ele tem uma forma quadrtica. Fazendo-se com que Cs complete sua carga quando Ic=0, o pico de potncia se reduzir a menos de 1/4 do seu valor sem circuito amaciador (supondo trv=0) O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mnimo tempo ligado do TBP e, por outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior mxima corrente de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs possvel.
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Io log Ic Lcarga Df Io Cs R carga Vcc Ic Cs Vce Ds Rs Vcs Vcc log Vce sem amaciador
tf
Figura 1.41 - Formas de onda no desligamento sem e com o circuito amaciador. b) Entrada em conduo: Objetivo: reduzir Vce e atrasar o aumento de Ic (figura 1.42) No circuito sem amaciador, aps o disparo do TBP, Ic cresce, mas Vce s se reduz quando Df deixar de conduzir. A colocao de Ls provoca uma reduo de Vce, alm de reduzir a taxa de crescimento de Ic. Normalmente no se utiliza este tipo de circuito, considerando que os tempos associados entrada em conduo so menores do que os de desligamento e que Ls, por ser de baixo valor, pode ser substitudo pela prpria indutncia parasita do circuito.
carga Ls Rs Ds Df Vcc
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1.6.8 Conexo Darlington Como o ganho dos TBP relativamente baixo, usualmente so utilizadas conexes Darlington (figura 1.43), que apresentam como principais caractersticas: - ganho de corrente = 1(2+1)+2 - T2 no satura, pois sua juno B-C est sempre reversamente polarizada - tanto o disparo quanto o desligamento so seqenciais. No disparo, T1 liga primeiro, fornecendo corrente de base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes, interrompendo a corrente de base de T2.
T1 T2
Figura 1.43 - Conexo Darlington. Os tempos totais dependem, assim, de ambos transistores, elevando, em princpio, as perdas de chaveamento. Considerando o caso de uma topologia em ponte (ou meia ponte), como mostrado na figura 1.44, quando o conjunto superior conduz, o inferior deve estar desligado. Deve-se lembrar aqui que existem capacitncias associadas s junes dos transistores. Quando o potencial do ponto A se eleva (pela conduo de T2) a juno B-C ter aumentada sua largura, produzindo uma corrente a qual, se a base de T3 estiver aberta, circular pelo emissor, transformando-se em corrente de base de T4, o qual poder conduzir, provocando um curto-circuito (momentneo) na fonte. A soluo adotada criar caminhos alternativos para esta corrente, por meio de resistores, de modo que T4 no conduza. Alm destes resistores, usual a incluso de um diodo reverso, de emissor para coletor, para facilitar o escoamento das cargas no processo de desligamento. Alm disso, tal diodo tem fundamental importncia no acionamento de cargas indutivas, uma vez que faz a funo do diodo de circulao.
T1
T2
A capacitncias parasitas
i i carga
T3
T4
Figura 1.44 - Conexo Darlington num circuito em ponte. Usualmente associam-se aos transistores em conexo Darlington, outros componentes, cujo papel garantir seu bom desempenho em condies adversas, como se v na figura 1.45.
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dib/dt
Ibr
Figura 1.46 - Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.
D1 D2 D3
Enquanto o TBP foi inventado no final dos anos 40, j em 1925 fora registrada uma patente (concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld, reproduzida na figura 1.48) que se referia a um mtodo e um dispositivo para controlar o fluxo de uma corrente eltrica entre dois terminais de um slido condutor. Tal patente, que pode ser considerada a precursora dos Transistores de Efeito de Campo, no entanto, no redundou em um componente prtico, uma vez que no havia, ento, tecnologia que permitisse a construo dos dispositivos. Isto se modificou nos anos 60, quando surgiram os primeiros FETs, mas ainda com limitaes importantes em termos de caractersticas de chaveamento. Nos anos 80, com a tecnologia MOS, foi possvel construir dispositivos capazes de comutar valores significativos de corrente e tenso, em velocidade superior ao que se obtinha com os TBP.
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1.7.1 Princpio de funcionamento (canal N) O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2. A juno PN- define um diodo entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0. A operao como transistor ocorre quando Vds>0. A figura 1.49 mostra a estrutura bsica do transistor. Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate repele as lacunas na regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso atinge um certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados principalmente por efeito trmico) presentes na regio P so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual torna-se possvel a passagem de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais portadores so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua resistncia (Rds), permitindo o aumento de Id. Este comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva". A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu afunilamento, ou seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga regio N-. Um aumento de Id leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior afunilamento, o que conduziria ao seu colapso e extino da corrente! Obviamente o fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente Id se mantm constante para qualquer Vds, caracterizando a regio ativa do MOSFET. A figura 1.50 mostra a caracterstica esttica do MOSFET, Uma pequena corrente de gate necessria apenas para carregar e descarregar as capacitncias de entrada do transistor. A resistncia de entrada da ordem de 1012 ohms. Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas.
Vdd Vgs S G +++++++++++++++
- - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - ---------------- - - - - - - -- - - --
N+ P NN+
-Id
-Id
D SiO2 metal
Smbolo
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A mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs no apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o crescimento de Id. Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes. A tenso Vgs limitada a algumas dezenas de Volts, por causa da capacidade de isolao da camada de SiO2.
Id
regio resistiva Vgs3 Vgs2 Vgs1 regio ativa
Vdso vgs3>Vgs2>Vgs1
Vds
A: Mxima corrente de dreno contnua B: Limite da regio de resistncia constante C: Mxima potncia (relacionada mxima temperatura de juno) D: Mxima tenso Vds
log Id Id pico Id cont B A C D
Vdso log Vds Figura 1.51 - AOS para MOSFET. 1.7.3 Caracterstica de chaveamento - carga indutiva a) Entrada em conduo (figura 1.52) Ao ser aplicada a tenso de acionamento (Vgg), a capacitncia de entrada comea a se carregar, com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tenso limiar de conduo (Vth),
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aps td, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantm em conduo e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a reduo de Vds ocorre um aparente aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller), fazendo com que a variao de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitncia). Isto se mantm at que Vds caia, quando, ento, a tenso Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg.
Vgg V+ Io Vgs Vth Cgd Id Id=Io Vdd V+ Df
Cds Vds Id
Figura 1.52 - Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva. Na verdade, o que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena corrente do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia entre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e dreno. A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que Cgd esteja descarregado. Os manuais fornecem informaes sobre as capacitncias operacionais do transistor (Ciss, Coss e Crss), mostradas na figura 1.53, as quais se relacionam com as capacitncias do componente por: Ciss = Cgs + Cgd , com Cds curto-circuitada Crs = Cgd Coss ~ Cds + Cgd b) Desligamento O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da capacitncia de entrada. Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.
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4 3 2 1
Ciss
4 3
Cgs Cds
O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento, em princpio semelhante dos transistores bipolares, tem crescido nos ltimos anos, permitindo operao em dezenas de kHz, nos componentes para correntes na faixa de algumas dezenas de Ampres. 1.8.1 Princpio de funcionamento A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que forma o coletor do IGBT, como se v na figura 1.54. Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio N- tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas), a partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET similar. O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso. A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1 (polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente. Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.
Gate (porta) Emissor SiO2 N+ J3 P J2 NE N+ P+ J1 N+ C B metal
Coletor
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1.8.2 Caractersticas de chaveamento A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+. Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se d pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao acionamento isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa de recombinao bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-, possibilitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente.
1.9 Alguns critrios de seleo entre transistores
Pode-se desconsiderar o uso de TBP em novos projetos. Um primeiro critrio o dos limites de tenso e de corrente. Os MOSFET possuem uma faixa mais reduzida de valores, ficando, tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A. J IGBT atingem potncias mais elevadas, indo at 3kV/3kA. Estes componentes de maior potncia comutam apenas em baixa freqncia, e no so adequados para a realizao de fontes chaveadas. Os componentes de menor potncia (centenas de Voltes e dezenas de Ampres) podem comutar na faixa de dezenas de kHz. Outro importante critrio para a seleo refere-se s perdas de potncia no componente. Assim, em aplicaes em alta freqncia (acima de 50kHz) devem ser utilizados MOSFETs. Em freqncias mais baixas, quaisquer dos dois componentes podem responder satisfatoriamente. No entanto, as perdas em conduo dos IGBTs so sensivelmente menores que as dos MOSFET. Como regra bsica: em baixa tenso e alta freqncia: MOSFET em alta tenso e baixa freqncia: IGBT
1.10 IGCT
O IGCT um dispositivo surgido no final da dcada de 90, capaz de comutao comandada para ligar e desligar, com aplicaes em mdia e alta potncia. Em termos de aplicaes, um elemento que pode substituir os GTOs. Alm de algumas melhorias no projeto do dispositivo, a principal caracterstica do IGCT, que lhe d o nome, a integrao do circuito de comando junto ao dispositivo de potncia, como mostrado na figura 1.55. Tal implementao permite minimizar indutncias neste circuito, o que resulta na capacidade de desligamento muito rpida (da ordem de 1 s), e praticamente eliminando problemas de dv/dt tpicos dos GTOs. Com isso, a ligao srie destes componentes muito facilitada. Esta unidade de comando necessita apenas da informao lgica para o liga-desliga (normalmente fornecida por meio de fibra tica) e de uma fonte de alimentao para o circuito. O consumo do circuito de comando entre 10 e 100W. Como um tiristor, as perdas em conduo so muito baixas. A freqncia tpica de comutao est na faixa de 500 Hz. No entanto, diferentemente do GTO, que necessida de capacitores para limitar o dv/dt no desligamento, o limite superior de freqncia de comutao dado apenas pela temperatura do dispositivo (dependente das perdas de conduo), o que permite, em princpio, seu uso em freqncias da ordem de dezenas de kHz. Na entrada em conduo preciso um indutor que limite o di/dt.
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A operao do IGCT no desligamento se deve ao fato de que, pela ao do circuito de comando, a estrutura pnpn do tiristor convertida em uma estrutura de transistor pnp, imediatamente antes do desligamento. Isto feito com o desvio da totalidade da corrente de catodo pelo circuito de gate, enquanto aplica uma tenso negativa de gate. Disto resulta um dispositivo que dinmica e estaticamente se desliga como um IGBT, mas que conduz como um tiristor, como mostra a figura 1.56. So possveis dispositivos com conduo assimtrica ou com diodo reverso integrado.
Figura 1.55 IGCT e seu circuito de comando integrado ao dispositivo de potncia e circuito de inversor com IGCT.
Figura 1.56. IGCT conduzindo, IGCT bloqueando e formas d eonda no desligamento. (Figuras extradas da referncia Steimer, 2001)
Embora existam alguns diodos realizados com outros materiais (Arseneto de Glio e Carbeto de Silcio), o silcio atualmente praticamente o nico material utilizado para a fabricao de componentes semicondutores de potncia. Isto se deve ao fato de que se tem tecnologia para fazer o crescimento de monocristais de silcio com pureza e em dimetro suficientes, o que ainda no possvel para outros materiais. Existem, no entanto, outros materiais com propriedades superiores, em relao ao silcio, mas que ainda no so produzidos em dimenses e grau de pureza necessrios fabricao de componentes de potncia. Arseneto de Glio (GaAs) um destes materiais. Por possui um maior gap de energia, sempre em relao ao silcio, dispositivos construdos a partir deste material apresentam menor corrente de fuga e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas. Uma vez que a
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mobilidade dos portadores muito maior no GaAs, tem-se um componente com menor resistncia de conduo, especialmente nos dispositivos com conduo por portadores majoritrios (MOSFET). Alm disso, por apresentar uma maior intensidade de campo eltrico de ruptura, ele poderia suportar maiores tenses. A tabela 1.1 mostra propriedades de diversos materiais a partir dos quais pode-se, potencialmente, produzir dispositivos semicondutores de potncia. Carbetos de Silcio so materiais sobre os quais fazem-se intensas pesquisas. O gap de energia maior que o dobro do Si, permitindo operao em temperaturas elevadas. Adicionalmente apresenta elevada condutividade trmica (que baixa para GaAs), facilitando a dissipao do calor produzido no interior do semicondutor. Sua principal vantagem em relao tanto ao Si quanto ao GaAs a intensidade de campo eltrico de ruptura, que aumentada em uma ordem de grandeza. Outro material de interesse potencial o diamante. Apresenta, dentre todos estes materiais, o maior gap de energia, a maior condutividade trmica e a maior intensidade de campo eltrico, alm de elevada mobilidade de portadores. Uma outra anlise pode ser feita comparando o impacto dos parmetros mostrados na tabela 1.I sobre algumas caractersticas de componentes (hipotticos) construdos com os novos materiais. As tabelas 1.II a 1.IV mostram as variaes de alguns parmetros. Tome-se os valores do Si como referncia. Estas informaes foram obtidas em Mohan, Robbins e Undeland (1994). Tabela 1.I Propriedades de materias semicondutores Propriedade Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC Gap de energia a 300K (eV) 1,12 1,43 2,2 2,9 Condutividade trmica (W/cm.C) 1,5 0,5 5,0 5,0 2 Mobilidade a 300K (cm /V.s) 1400 8500 1000 600 Campo eltrico mximo (V/cm) 3.105 4.105 4.106 4.106 Temperatura de fuso (C) 1415 1238 Sublima Sublima >> 1800 >>1800 * Diamante grafite
Nota-se (tabela 1.II) que as resistncias da regio de deriva so fortemente influenciadas pelos materiais. Estes valores so determinados considerando as grandezas indicadas na tabela 1.I. A resistncia de um componente de diamante teria, assim, um valor cerca de 30000 vezes menor do que tem-se hoje num componente de Si. O impacto sobre a reduo das perdas de conduo bvio. Na tabela 1.III tem-se, para um dispositivo que deve suportar 1kV, as necessidades de dopagem e o comprimento da regio de deriva. Nota-se tambm aqui que os novos materiais permitiro uma reduo drstica no comprimento dos dispositivos, implicando numa menor quantidade de material, embora isso no necessariamente tenha impacto sobro o custo. Um dispositivo de diamante seria, em princpio, capaz de suportar 1kV com uma dopagem elevada na regio de deriva e num comprimento de apenas 2m, ou seja, 50 vezes menos que um componente equivalente de Si. Na tabela 1.IV tem-se expressa a reduo no tempo de vida dos portadores no interior da regio de deriva. Este parmetro tem implicaes sobre a velocidade de comutao dos dispositivos, sendo, assim, espervel que componentes de diamante, sejam algumas ordens de grandeza mais rpidos que os atuais componentes de Si.
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Si 1
GaAs 6,4.10-2
SiC 9,6.10-3
Diamante 3,7.10-5
Tabela 1.III Dopagem e comprimento da regio de deriva necessrio para uma juno abrupta suportar 1kV Material Si GaAs SiC Diamante -3 14 14 16 Dopagem (cm ) 1,3.10 5,7.10 1,1.10 1,5.1017 100 50 10 2 Comprimento (m) Tabela 1.IV Tempo de vida de portador (na regio de deriva) para uma juno pn com ruptura de 1000V Material Si GaAs SiC Diamante Tempo de vida 40 ns 7 ns 1,2 s 0,11 s Muitos problemas tecnolgicos ainda devem ser solucionados para que estes materiais se constituam, efetivamente, em alternativas para o Si. Silcio um material que vem sendo estudado h quase meio sculo e com enormes investimentos. O mesmo no ocorre com os demais materiais. O GaAs vem sendo estudado nas ltimas 2 dcadas, mas com uma nfase em dispositivos rpidos, seja para aplicaes computacionais, seja em comunicaes ticas. No existe ainda tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimenso necessrias construo de componentes de potncia. Alm disso, em relao ao Si, este material no possui um xido natural (como o SiO2), dificultando a formao de camadas isolantes e de mscaras para os processos litogrficos. Em 1994 a Motorola anunciou o lanamento comercial de diodo schottky de 600V. No entanto, embora para este componente especfico o aumento da tenso seja significativo, as vantagens do GaAs sobre o Si so incrementais, quando comparadas com os outros materiais. O estgio de desenvolvimento dos SiC ainda mais primitivo nos aspectos do processamento do material para obter-se a pureza necessria, nas dimenses requeridas para estas aplicaes de potncia. Quanto ao diamante, no existe ainda uma tecnologia para construo de "waffers" de monocristal de diamante. Os mtodos existentes para produo de filmes finos levam a estruturas policristalinas. A difuso seletiva de dopantes e a realizao de contatos hmicos ainda devem ser objeto de profundas pesquisas.
1.12 Referncias Bibliogrficas
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vo
Vo
2.1. Entrada CA: Controle por ciclos inteiros O controle "ON-OFF" consiste em ligar e desligar a alimentao da carga sem se importar com o instante de comutao. O intervalo de conduo e tambm o de bloqueio do interruptor tipicamente de muitos ciclos da rede. A comutao no guarda nenhuma relao com os cruzamentos com o zero da tenso da rede. Assim, pode-se ter um recorte nas formas de onda, podendo produzir eventuais problemas de interferncias eletromagnticos devido a valores elevados de di/dt e dv/dt nos elementos do circuito. O chaveamento sncrono um tipo de controle "ON-OFF" utilizado para minimizar o problema de interferncia eletromagntica. Considerando o emprego de tiristores como
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elementos interruptores, a entrada em conduo pode se dar quando tenso for nula, e o desligamento ocorre quanto a corrente se anula. Em caso de uma carga resistiva, ambas comutaes se do com corrente e tenso nulas. Tambm neste caso a carga fica conectada rede durante diversos semiciclos. Neste sistema, escolhe-se uma base de tempo contendo muitos ciclos da tenso de alimentao. A preciso do ajuste da sada depende, assim, da base de tempo utilizada. Por exemplo, numa base de 1 segundo existem 120 semiciclos. O ajuste da tenso aplicada carga pode ter uma resoluo mnima de 1/120. Um mtodo de se conseguir o controle usar um gerador de sinal triangular de freqncia fixa que comparado com um sinal CC de controle. O sinal triangular estabelece a base de tempo do sistema. O sinal de controle CC vem do circuito de controle da temperatura. A potncia entregue carga varia proporcionalmente a este sinal. A figura 2.2 ilustra este funcionamento.
Vrampa Vc
Figura 2.2 Operao de controle por ciclos inteiros. Embora os problemas de IEM em alta freqncia sejam muito reduzidos, podem surgir outros, decorrentes de flutuao na tenso da rede, devido s comutaes da carga. A norma internacional IEC 1000-3-3 estabelece limites para flutuaes de tenso em baixa freqncia, como mostra a figura 2.3. Dependendo da freqncia com que se d a comutao da carga, existe um valor mximo admissvel de variao de tenso no ponto de acoplamento comum. Por exemplo, uma carga que produza uma flutuao na tenso de 1,5 % poderia alterar seu estado entre ligado e desligado no mximo 7 vezes por minuto. Uma das maneiras de verificar se uma carga de uso domstico fere a tais limitaes utilizando-se de uma impedncia tpica, definida pela norma, e mostrada na figura 2.4. Conhecida a potncia da carga, sabe-se qual ser a variao da tenso medida por M. Este um mtodo analtico. Existem mtodos experimentais, que esto relacionados com esta norma, mas se atem ao fenmeno de cintilao luminosa (flicker), que relaciona a flutuao da tenso variao da intensidade luminosa de uma lmpada incandescente.
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d (%)
~
G
Figura 2.4 Impedncia tpica definida pela norma onde: EST- equipamento sob teste M- equipamento de medida S- fonte de energia consistindo de um gerador G e uma impedncia de referncia Z, com os elementos: Ra= 0,24 Xa= 0,15 a 50 Hz Rn= 0,16 Xn= 0,10 a 50 Hz 2.2 Entrada CA: Controle de fase
Quando a tenso de alimentao alternada, mais usual o uso de tiristores como interruptores, seja para um ajuste na prpria tenso CA, seja para a converso de uma tenso CA em CC (retificao). O modo mais comum de variar o valor de uma tenso CA por meio do chamado Controle de Fase, no qual, dado um semiciclo da rede, a chave acionada em um determinado ngulo, fazendo com que a carga esteja conectada entrada por um intervalo de tempo menor ou igual a um semiciclo. A ttulo de exemplo, tomemos o caso de um variador de tenso CA, alimentando uma carga resistiva, cujo circuito e formas de onda esto mostrados na figura 2.5. Para uma carga
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resistiva, o desligamento do SCR se dar no momento em que a corrente cai a zero. Obviamente as formas de onda da tenso e da corrente na carga so as mesmas. O valor da tenso eficaz aplicada carga resistiva :
Vo ef = 1 1 sin( 2 ) 2 ( Vi sin()) d = Vi 2 2 + 4
(2.1) onde: vi(t)=Vi . sin () = t o ngulo de disparo do SCR, medido a partir do cruzamento da tenso com o zero.
200V
S1 i(t) Ro vi(t) S2 v
o
100V
0V
-100V
-200V 0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
Figura 2.5 Circuito e forma de onda de variador de tenso CA alimentando carga resistiva. A figura 2.6 mostra a variao da tenso eficaz de sada como funo do ngulo de disparo, supondo conduo simtrica de ambas chaves.
Tenso de sada
1
0.5
[rad] 2 Figura 2.6 Tenso de sada (sobre uma carga resistiva), normalizada em relao ao valor eficaz da tenso de entrada.
0 1
(2.2)
As componentes harmnicas da tenso na carga esto mostradas na figura 2.7 e so dadas por:
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Vh ( 2 k 1) =
(2.3)
para k inteiro e maior que 1. Como se observa, esta tcnica de modulao produz sada com amplo contedo espectral e em baixa freqncia, o que dificulta uma eventual filtragem, caso necessrio, devido aos elevados valores de indutncia e capacitncia necessrios. Resultados semelhantes so obtidos com outros tipos de cargas e tambm em conversores CA-CC (retificadores), os quais sero vistos com ateno em captulos posteriores.
1
0.8
0.6
0.4
Harmnica 3
0.2
Harmnica 5 Harmnica 7
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Figura 2.7 Amplitude das harmnicas, normalizadas em relao amplitude da tenso de entrada, para carga resistiva. 2.3 Entrada CC: Modulao por largura de pulso Tomemos o circuito mostrado na figura 2.8 na qual se tem um circuito alimentado por uma fonte CC e do qual se deseja obter na sada uma tenso CC mas de valor diferente (no caso menor que a entrada). Tal topologia ser detalhadamente estudada na seqncia deste curso.
vo T E D vo L C R Vo E Vo t
Figura 2.8 Conversor abaixador de tenso e forma de onda da tenso sobre o diodo. Considerando chaves semicondutoras ideais, elas esto ou no estado bloqueado ou em plena conduo. A tenso mdia de sada depende da relao entre o intervalo em que a chave permanece fechada e o perodo de chaveamento. Define-se ciclo de trabalho (largura de pulso ou razo cclica) como a relao entre o intervalo de conduo da chave e o perodo de chaveamento. Em Modulao por Largura de Pulso MLP (em ingls. Pulse Width Modulation PWM) opera-se com freqncia constante, variando-se o tempo em que o interruptor permanece conduzindo.
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O sinal de comando obtido, geralmente, pela comparao de um sinal de controle (modulante) com uma onda peridica (portadora) como, por exemplo, uma "dente-de-serra". A figura 2.9 ilustra estas formas de onda. Para que a relao entre o sinal de controle e a tenso mdia de sada seja linear, como desejado, a portadora deve apresentar uma variao linear e, alm disso, a sua freqncia deve ser, pelo menos, 10 vezes maior do que a modulante, de modo que seja relativamente fcil filtrar o valor mdio do sinal modulado (MLP), recuperando, sobre a carga, uma tenso contnua proporcional tenso de controle (vc).
vp vc vp vo vo Vo vc +
Figura 2.9 Modulao por Largura de Pulso. Na figura 2.10 tem-se o espectro de uma onda MLP, onde se observa a presena de uma componente contnua que reproduz o sinal modulante. As demais componentes aparecem nos mltiplos da freqncia da portadora sendo, em princpio, relativamente fceis de filtrar dada sua alta freqncia.
8.0V
6.0V
4.0V
2.0V
0V 0Hz
50KHz
100KHz
150KHz
200KHz
Figura 2.10 Espectro de sinal MLP. 2.4 Entrada CC: Inversores com comutao em baixa freqncia Consideremos agora que se tem uma entrada CC. Tome-se o circuito de um inversor (conversor CC-CA) monofsico mostrado na figura 2.11. As leis de modulao so numerosas, a mais simples talvez seja a que produz uma onda retangular, numa freqncia constante (eventualmente at zero - sinal CC), porm ajustvel. Uma tenso positiva aplicada carga quando T1 e T4 conduzirem (estando T2 e T3 desligados). A tenso negativa obtida complementarmente. O papel dos diodos associados aos transistores garantir um caminho para a corrente caso a carga apresente caracterstica indutiva. Note que a conduo dos diodos no afeta a forma da tenso desejada. Este tipo de modulao
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no permite o controle da amplitude nem do valor eficaz da tenso de sada, a qual poderia ser variada apenas se a tenso de entrada, E, fosse ajustvel. O espectro de uma onda quadrada conhecido e apresenta todos os componentes mpares, com decaimento de amplitude proporcional freqncia dos mesmos.
D2 T2 D1 T1 Ia +E A E B Vs Carga Monofsica -E D1 D4 D2 D3 T1/T4 T2/T3 I a V S
D4
T4 D3
T3
Figura 2.11 Inversor monofsico e forma de onda quadrada de sada (carga indutiva). 2.4.1 Modulao com onda quase-quadrada. Uma alternativa que permite ajustar o valor eficaz da tenso de sada e eliminar algumas harmnicas a chamada onda quase-quadrada, na qual se mantm um nvel de tenso nulo sobre a carga durante parte do perodo, como mostrado na figura 2.12 com o respectivo espectro. Para obter este tipo de onda, uma possibilidade a seguinte: quando se deseja tenso positiva na carga mantm-se T1 e T4 conduzindo (T2 e T3 desligados). A tenso negativa obtida complementarmente. Os intervalos de tenso nula so obtidos mantendo T1 conduzindo e desligando T4. Com corrente positiva, D2 entrar em conduo. Quando T1 desligar D3 entra em conduo, aguardando o momento em que T2 e T3 conduzem, o que ocorre quando a corrente se inverte. O intervalo de tenso nula seguinte obtido com o desligamento de T3 e a continuidade de conduo de T2. Nota-se que esto presentes os mltiplos mpares da freqncia de chaveamento, o que significa que a filtragem de tal sinal para a obteno apenas da fundamental exige um filtro com freqncia de corte muito prxima da prpria freqncia desejada. Este espectro varia de acordo com a largura do pulso. Para este caso particular no esto presentes os mltiplos da terceira harmnica.
V +V S T1/D2 D2/D3 T2/T3 T1/T4 -V
1.5A
0A 0Hz
1.0KHz
2.0KHz
3.0KHz Frequency
4.0KHz
5.0KHz
6.0KHz
Figura 2.12 Forma de onda e espectro da onda quase-quadrada. 2.4.2 Modulao multinvel Uma outra estratgia de modulao que produz reduzidas harmnicas a multinvel. Neste caso, a tenso de sada produzida por diversos mdulos inversores conectados em srie,
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cada um acionado no momento adequado, de modo a tentar reproduzir uma forma de onda que se aproxime de uma senide (ou de uma outra forma desejada). Na figura 2.13 tem-se um diagrama esquemtico do conversor multinvel que utiliza diversos inversores de onda quase-quadrada para obter o sinal multinvel.
Inversor onda E quase-quadrada V3
3E
Figura 2.13 Diagrama esquemtico de conversor multinvel. Existem outras topologias que tambm permitem obter sinais deste tipo, sem recorrer simples associao de conversores. Em 2.14 tem-se uma forma de onda deste tipo e o respectivo espectro. Nota-se que a distoro harmnica reduzida, embora existam componentes espectrais em baixa freqncia. Os filtros necessrios obteno de uma onda senoidal devem ter uma freqncia de corte baixa, uma vez que as componentes harmnicas apresentam-se em mltiplos da freqncia da rede. No entanto, a atenuao no precisa ser muito grande, uma vez que as amplitudes das harmnicas so pequenas. Aumentando-se o nmero de pulsos as primeiras harmnicas surgiro em freqncias mais elevadas. No caso de N nveis, as componentes so de freqncias mltiplas de (2N+1).
Corrente Ica
11 13
23 25
ordem harmnica
Figura 2.14 Forma de onda e espectro de sinal multinvel. 2.5 Conversor CC-CA com Modulao por Largura de Pulso - MLP Uma outra maneira de obter um sinal alternado de baixa freqncia atravs de uma modulao em alta freqncia. De uma maneira analgica, possvel obter este tipo de modulao ao se comparar uma tenso de referncia (que seja imagem da tenso de sada buscada), com um sinal triangular
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simtrico, cuja freqncia determine a freqncia de chaveamento. A freqncia da onda triangular (chamada portadora) deve ser, no mnimo 10 vezes superior mxima freqncia da onda de referncia, para que se obtenha uma reproduo aceitvel do sinal de referncia, agora modulado, na forma de onda sobre a carga, aps efetuada a adequada filtragem. A largura do pulso de sada do modulador varia de acordo com a amplitude relativa da referncia em comparao com a portadora (triangular). Tem-se, assim, uma Modulao por Largura de Pulso, denominada, em ingls, como Pulse Width Modulation - PWM. A tenso de sada, que aplicada carga, formada por uma sucesso de ondas retangulares de amplitude igual tenso de alimentao CC e durao varivel. A figura 2.15 mostra a modulao de uma onda senoidal, produzindo na sada uma tenso com 2 nveis, na freqncia da onda triangular.
Figura 2.15 Sinal MLP de 2 nveis. possvel ainda obter uma modulao a 3 nveis (positivo, zero e negativo). Este tipo de modulao apresenta um menor contedo harmnico, como mostram a figura 2.16. A produo de um sinal de 3 nveis ligeiramente mais complicada para ser gerado analogicamente. Uma maneira de faz-lo, para um inversor monofsico, de acordo com a seguinte seqncia: durante o semiciclo positivo, T1 permanece sempre ligado; o sinal MLP enviado a T4 e o mesmo sinal barrado enviado a T2. no semiciclo negativo, quem permanece conduzindo T3, o sinal MLP enviado a T2 e o sinal barrado vai para T4. A recuperao da onda de referncia facilitada pela forma do espectro. Note-se que, aps a componente espectral relativa referncia, aparecem componentes nas vizinhanas da freqncia de chaveamento. Ou seja, um filtro passa baixas com freqncia de corte acima da freqncia da referncia perfeitamente capaz de produzir uma atenuao bastante efetiva em componentes na faixa dos kHz. Na figura 2.16 tem-se tambm as formas de onda filtradas (filtro LC, 2mH, 20F). Uma reduo ainda mais efetiva das componentes de alta freqncia obtida com o uso de filtro de ordem superior. O uso de um filtro no amortecido pode levar ao surgimento de componentes oscilatrias na freqncia de ressonncia, que podem ser excitadas na ocorrncia de transitrios na rede ou na carga. Em regime elas no se manifestam, uma vez que o espectro da onda MLP no as excita. O uso de filtros amortecidos pode ser indicado em situaes em que tais transitrios possam ser problemticos, com a inevitvel perda de eficincia do filtro. Os menores valores dos elementos de filtragem tornam a resposta dinmica deste sistema mais rpida que as obtidas com filtros aplicados s tcnicas de modulao anteriores.
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400V
-400V 400V
-400V 10ms
200V
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
0V 200V
0V
0Hz
5KHz
10KHz
15KHz
20KHz
Figura 2.16 b) Espectro dos sinais MLP de 2 e 3 nveis. 2.6 Modulao em freqncia - MF
Neste caso opera-se a partir de um pulso de largura fixa, cuja taxa de repetio varivel. A figura 2.17 mostra um pulso de largura fixa modulado em freqncia. Um pulso modulado em freqncia pode ser obtido, por exemplo, pelo uso de um monoestvel acionado por meio de um VCO, cuja freqncia seja determinada pelo sinal de controle.
vo E Vo
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Neste caso, so estabelecidos os limites mximo e mnimo da corrente, fazendo-se o chaveamento em funo de serem atingidos tais valores extremos. O valor instantneo da corrente, em regime, mantido sempre dentro dos limites estabelecidos e o conversor comportase como uma fonte de corrente. Tanto a freqncia quanto a largura de pulso (tambm denominada de ciclo de trabalho ou razo cclica) so variveis, dependendo dos parmetros do circuito e dos limites impostos. A figura 2.18 mostra as formas de onda para este tipo de controlador. MLC s possvel em malha fechada, pois necessrio medir instantaneamente a varivel de sada. Por esta razo, a relao entre o sinal de controle e a tenso mdia de sada direta. Este tipo de modulao usado, principalmente, em fontes com controle de corrente e que tenha um elemento de filtro indutivo na sada.
io mudana na carga Imax Io Imin
t vo E
t Figura 2.18 Formas de onda de corrente e de tenso instantneas com controlador MLC.
A obteno de um sinal MLC pode ser conseguida com o uso de um comparador com histerese, atuando a partir da realimentao do valor instantneo da corrente. A referncia de corrente dada pelo erro da tenso de sada (atravs de um controlador integral). A figura 2.19 ilustra este sistema de controle. Na figura 2.20 v-se a forma de onda da tenso de sada, aplicada carga e o respectivo espectro. Note-se o espalhamento devido ao fato de a freqncia no ser constante. possvel obter um sinal MLC com freqncia fixa caso se adicione ao sinal de entrada do comparador uma onda triangular cujas derivadas sejam maiores do que as do sinal de corrente. Assim os limites reais da variao da corrente sero inferiores ao estabelecido pelo comparador. Pode-se ainda variar a banda de histerese, buscando minimizar a variao da freqncia. Em princpio o controle por histerese pode ser aplicado tambm no controle de tenso, desde que a fonte tenha um comportamento de fonte de corrente.
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Inversor
vo(t)
io sinal sincronizador
sensor de corrente
Figura 2.20 - esquerda: Sinal MLC (superior), entrada do comparador com histerese e corrente resultante (inferior). direita: Espectro de sinal MLC (superior) e da corrente de sada (inferior).
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Uma alternativa, que tem como caracterstica o espalhamento do espectro, o uso de uma freqncia de chaveamento no fixa, mas que varie, dentro de limites aceitveis, de uma forma, idealmente, aleatria. Isto faz com que as componentes de alta freqncia do espectro no estejam concentradas, mas apaream em torno da freqncia base, como se observa na figura 2.21. Note-se que o nvel relativo referncia, neste caso uma senide, no sofre alterao, uma vez que independe da freqncia de chaveamento. Na mesma figura (parte b)), observa-se o sinal modulado e o que se obtm aps uma filtragem das componentes de alta freqncia. Observe que, como a freqncia varia ao longo do perodo da referncia, tem-se uma alterao na atenuao proporcionada pelo filtro, que se torna menor na medida em que diminui a freqncia de comutao.
a)
b) Figura 2.21 a) - Espectro de sinal MLP (referncia CC) com portadora de freqncia varivel. b) - Sinal modulado em largura de pulso com variao da freqncia da portadora (superior); referncia CA e sinal recuperado aps filtragem (inferior) 2.9 Eliminao de harmnicas
Considerando, a ttulo de exemplo, o caso da modulao por onda quadrada, mas sem perda de generalidade, possvel eliminar uma dada harmnica se a cada de ciclo for introduzida uma comutao adicional, como mostrado na figura 2.22. Para uma amplitude unitria, a forma de onda da fig. 2.22 expressa por:
v(t) =
(2.4)
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v(t) 1
t 1
Figura 2.22 Modulao com eliminao de harmnica. Note que se =0 tem-se a expresso da srie de Fourier de uma onda quadrada. Para eliminar a 3a harmnica deve-se impor, no intervalo 0<</2 que:
2 cos(3) 1 = 0
(2.5)
isto significa =/9, para qualquer valor de t. O impacto sobre a componente fundamental de v(t) que ocorre uma reduo de seu valor eficaz para 88%, em relao ao valor de onda quadrada. possvel estender este mesmo enfoque para a eliminao de um nmero qualquer de harmnicos. Uma expresso geral para v(t), considerando que existem h pulsos inseridos no intervalo entre 0 e /2, : v ( t ) = ( 1) h
h 4 1 + 2 ( 1) k cos[( 2n 1) k ] sin[( 2n 1) t ] n =1 ( 2 n 1) k =1
(2.6)
A eliminao de h harmnicas de v(t) impe que os respectivos ngulos 1, ,...h sejam razes de:
( 1)
k =1
cos[2n 1) k ] =
1 2
(2.7)
2.10
Outras formas de controle tm sido pesquisadas com o intuito de melhorar a resposta dinmica do sistema, aumentar a margem de estabilidade, rejeitar mais eficientemente perturbaes, etc. Estas novas tcnicas utilizam, via de regra, mtodos no-lineares e procuram aproveitar ao mximo as caractersticas tambm no-lineares dos conversores.
2.10.1 Controle One-cycle O controle one-cycle permite o controle da tenso de um conversor com sada CC-CC ciclo a ciclo, de modo que o sistema se torna praticamente imune a variaes na alimentao e na carga. Opera com freqncia constante a modulao da largura de pulso, mas o instante de comutao determinado por uma integrao da tenso que aplicada ao estgio de sada do conversor. A figura 2.23 mostra a estrutura bsica para um conversor CC-CC do tipo abaixador de
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tenso (que ser estudado posteriormente). Uma vez que, em regime, a tenso mdia numa indutncia nula, a tenso de sada, Vo, igual tenso mdia sobre o diodo. A tenso sobre o diodo, no entanto, variar entre praticamente zero (quando o componente conduz) e a tenso de alimentao, E. Seu valor mdio a cada ciclo deve ser igual a Vo. Tal valor mdio a cada ciclo que obtido pela integrao de tal tenso. O sinal integrado comparado com a referncia. Enquanto no atingi-la, a chave permanece ligada (tenso E aplicada sobre o diodo). Quando a tenso de referncia igualada o capacitor do integrador descarregado e o comparador muda de estado, desligando o transistor, at o incio do ciclo seguinte, determinado pelo clock. Observe que qualquer variao na referncia, na tenso de entrada ou na carga afeta o intervalo de tempo que o transistor permanece conduzindo, mas sempre de maneira a manter a tenso mdia sobre o diodo igual ao valor determinado pela referncia.
clock + E vo Vo E vo
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clock + E vo Vo E v* vo
Este tpico baseia-se no material do prof. S. Buso, utilizado no curso sobre Controle Digital de Conversores de Potncia, e pode ser encontrado na ntegra em : http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/Digital.html. Um inversor trifsico, como o mostrado na figura 2.25, pode produzir trs tenses independentes, V1, V2 e V3. Tais tenses podem apresentar apenas 2 nveis, dependendo de quais interruptores estiverem conduzindo. Em relao ao ponto neutro, os valores mdios de tais tenses podem variar entre +E/2 e -E/2, sendo E o valor da tenso no lado CC. Se a fonte CC possuir um ponto mdio e a carga estiver a ele conectado (conexo estrela com neutro), o potencial deste ponto no se altera. No entanto, se o neutro da carga no estiver ligado, seu potencial variar, dependendo dos estados dos interruptores do inversor. Qualquer conjunto de trs tenses pode ser representado por um vetor no plano definido por eixos abc, deslocados 120 um do outro, como mostra a figura 2.26. Normalmente a informao sobre o valor da tenso de neutro perdida, pois se situaria no eixo ortogonal ao plano abc.
+ E v1 v2 v3
Figura 2.25 - Inversor trifsico tipo fonte de tenso
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V1 V2
b V3 V1 V V2 V3 a
V3 c
V2
Figura 2.26 - Representao de tenses instantneas no plano abc possvel representar o mesmo vetor resultante no plano , o que se faz aplicando a transformao indicada a seguir. O mesmo vetor no plano mostrado na figura 2.27. Esta transformao vlida tambm para correntes.
V1 1 1 V 1 2 2 V2 V = 3 3 0 2 2 V3
(2.8)
(2.9)
V3 V V1
b
V
V
V3
2/3 V
V a
V2
V2
V1
Figura 2.27 - Vetor de tenso resultante no plano e transformao inversa Os estados do inversor tambm podem ser representados por vetores, como o exemplo mostrado na figura 2.28, para o estado chamado 100, no qual V1=E, V2=0 e V3=0.
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V110 V100
V101
Figura 2.28 - Representao dos estados do inversor no plano ( ou abc) O vetor nulo, definido como os estados 111 ou 000, ou seja, quando os trs interruptores superiores, ou os trs inferiores estivem simultaneamente fechados, so representados pelo ponto na origem do plano. A modulao vetorial realizada gerando, dentro de cada perodo de comutao, uma seqncia de diferentes estados do inversor. Tal seqncia normalmente consiste de trs vetores, um dos quais o vetor nulo. A soma das larguras de pulso relativas a cada estado deve satisfazer restrio: 1 + 2 + 3 = 1 (2.10)
Para produzir na sada do inversor valores desejados de tenses mdias (calculadas no perodo de comutao), deve-se obter o vetor resultante V*, como feito nas figuras 2.26 (plano abc) ou 2.27 (plano ). Verifica-se quais so os estados do inversor que so adjacentes ao vetor V*. Tais estados, e o estado nulo, sero aqueles que devero ser ativados para produzir as sadas desejadas. As projees de V* nos vetores adjacentes determinam as respectivas razes cclicas, enquanto a durao do vetor nulo dada, quando possvel, por: 3 = 1 1 2 (2.11)
A figura 2.29 mostra o procedimento para definir os estados a serem utilizados, suas respectivas larguras de pulso e os limites de V* que podem ser produzidos com esta tcnica, que so os vetores contidos no hexgono.
V110
V*
2V100
Figura 2.29 - Definio dos estados do inversor, respectivas larguras de pulso e seus limites Diferentes estratgias podem ser utilizadas para gerar os vetores necessrios, como mostra a figura 2.30. No caso (a), o estado V1=1 comum aos dois vetores, sendo mantido fixo durante todo o perodo de comutao. As comutaes so realizadas nos ramos que produzem V2 e V3.
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E E
V1 V2
2T
T
(a)
1T
3T
2T
V100
V110 V111
1T
3T
E E
V1 V2
2T
T
(b)
1T
3T 3T
V110
1T
V100
T
2T
E E
V1 V2
V3
T/2 T 2
(c)
V000 V100
T
V110
1T
V111 V110
3 T T 1
V100
T
2T 3T/2
V 000
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No caso (b) tem-se uma estratgia que minimiza as comutaes, o que reduz as perdas do conversor. Note que V1 est sempre em 1, como no caso anterior. A diferena que cada perodo adjacente espelhado, de modo a no ser preciso alterar o estado anterior dos interruptores. No caso (c) o estado nulo feito com o vetor 111 e com o vetor 000. Sua principal caracterstica o fato dos pulsos de cada fase estarem centrados exatamente na passagem de um ciclo de comutao para outro. Esta estratgia facilita a observao, por exemplo, do valor da corrente de cada fase. Fazendo-se a observao precisamente neste instante tem-se uma amostragem do valor mdio da corrente (supondo uma carga com caracterstica indutiva, que normalmente ocorre), sem ser preciso qualquer tipo de processamento do valor amostrado. Pelo fato de se estar distante dos momentos das comutaes, os eventuais rudos produzidos pelo chaveamento tambm j tero sido amortecidos, como ilustra a figura 2.31. A forma de onda obtida da estratgia (c) a mesma que se tem na modulao analgica com onda triangular, usando um perodo 2T, como mostra a figura 2.32. No entanto, apesar da simetria dos pulsos, o uso de modulao vetorial leva produo inerente de uma terceira harmnica nas tenses de fase. Isto pode ser analisado como se o ponto do vetor nulo no permanecesse no plano, mas se deslocasse ortogonalmente a ele. Observe-se aqui que, sendo um sistema a trs fios, quando so definidas as tenses em duas fases, a terceira est necessariamente definida.
rudo corrente
valor mdio
V1 *
V2 *
V3 *
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A figura 2.33 ilustra o fato de que a existncia de um nvel comum s 3 fases (no exemplo, um nvel CC), no afeta a tenso de linha, que se mantm simtrica e equilibrada. O efeito da terceira harmnica semelhante, como se v na mesma figura. Ou seja, as tenses de fase possuem a terceira harmnica, mas ela no se apresenta na tenso de linha, por ser de modo comum. Esta terceira harmnica, ao reduzir o pico da tenso, permite que a componente fundamental associada a esta onda tenha um valor de pico de 1,15E, ou seja, maior do que existiria sem a terceira harmnica! Este fato est mostrado na figura 2.33.
V10 V N0
V 10 V 20
V 20
VN0
V 30
V30 VN0 V 23 V 12 V 31
V 23 V 12
V N0 V 31
Figura 2.33 - Efeito de tenso de modo comum nas tenses de fase O comportamento com modulao vetorial e com portadora triangular tornam-se idnticos caso, nesta ltima, seja adicionada a cada largura de pulso uma componente dada por: 1 [max( 1 , 2 , 3 ) + min ( 1 , 2 , 3 )] 2 .
E E/2 0 V 10 1.15 E V N0
Figura 2.34 - Efeito da presena de terceira harmnica na modulao vetorial Sumariamente pode-se concluir que, em cada perodo de comutao, adicionando-se uma mesma componente, constante ou varivel, a todas as trs referncias, tem-se O valor instantneo da tenso de fase se altera; O valor mdio da tenso de fase tambm se altera proporcionalmente; O valor mdio da tenso entre fases no se altera; Se no existe conexo do neutro (carga em Y), as tenses na carga no se alteram. Outra estratgia bastante usada a chamada flat-top, na qual adicionado a cada
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componente um valor de razo cclica de modo a requerer apenas dois estados. Isto se obtm saturando a mxima (ou a mnima) largura de pulso em cada perodo de comutao, como mostra a figura 2.35. Tambm neste caso obtm-se uma componente fundamental senoidal (se for o caso) com amplitude 1,15 E. A reduo nos chaveamentos (diminuindo as perdas de comutao) evidente.
+E 0 +E 0 +E 0 +E 0 V 23 V12 V N0 V31
0
V 10 V 20 V 30
E V10avg V 10
V*
V*at s
V* V*at s
Figura 2.36 - Estratgias de tratar saturao da referncia V* Existem situaes em que uma das projees, por si s, j maior que a unidade, de modo que as estratgias anteriores no podem ser aplicadas. Neste caso, escolhe-se o vetor mais prximo de V* e este estado mantido por todo o perodo de comutao. O conversor passa a ter um funcionamento de onda quase-quadrada. Esta situao ilustrada na figura 2.37. Na mesma figura mostram-se as regies de saturao leve e de saturao profunda.
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V*'
V*
Saturao leve
V=V'
Saturao profunda (regio do crculo e externa)
V*" Figura 2.37 - Saturao profunda (dir.) e limites de saturao (esq.) O uso da segunda estratgia mostrada na figura 2.36 e desta ltima para a saturao profunda tem a vantagem de permitir uma passagem suave de uma situao no-saturada para a saturada, como mostra a figura 2.38.
0
Figura 2.38 - Passagem de modulao vetorial normal para saturada e com saturao profunda: tenso MLP e corrente resultante em carga indutiva.
2.12 Referncias Bibliogrficas
Francis Labrique e Joo Jos Esteves Santana: Electrnica de Potncia, Edio da Fundao Calouste Gulbekian, Lisboa, 1991 Muhammad H. Rashid: Power Electronics: Circuits, Devices and Applications, 2nd Ed. Prentice Hall International Editions, USA, 1993 N. Mohan, T. M. Undeland e W. P. Robbins: Power Electronics, Converters, Applications ans Design, 2nd Edition, John Willey & Sons, USA, 1994
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K. M. Smedley and S. Cuk: One-Cycle Control of Switching Converters. Proc. of PESC 91, pp. 888-896. E. Santi and S. Cuk: Modeling of One-Cycle Controlled Switching Converters. Proc. of INTELEC 92, Washington, D.C., USA, Oct. 1992. W. Tang and F. C. Lee: Charge Control: Modeling, Analysis and Design. Proc. of VPEC Seminar, 1992, Blacksbourg, USA. S. Buso: Digital Control of Power Converters. http//www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/Digital.html. FEEC, UNICAMP, 1999.
J. Holtz et. Alli: On Continuous Control of PWM Inverters in the Overmodulation Range Including the Six-Step Mode. Proc. of IEEE IECON, 1992, pp. 307-312. H. W. van der Broeck et alli: Analysis and Realization of a Pulsewidth Modulator Based on Voltage Space Vectors. IEEE Trans. on Industry Applications, vol. 24, no. 1, Jan/Feb 1988, pp. 142-150.
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2.
TCNICAS DE MODULAO DE POTNCIA......................................................... 2-1 2.1 Controle por ciclos inteiros ......................................................................................... 2-1 2.2 Controle de fase .......................................................................................................... 2-3 2.3 Modulao por onda quadrada.................................................................................... 2-5 2.3.1 Modulao com onda quase-quadrada................................................................ 2-6 2.4 Modulao multinvel ................................................................................................. 2-6 2.5 Modulao por Largura de Pulso - MLP .................................................................... 2-7 2.6 Modulao em freqncia - MF.................................................................................. 2-9 2.7 Modulao por limites de corrente - MLC (Histerese) ............................................... 2-9 2.8 Modulao MLP com freqncia de portadora varivel........................................... 2-11 2.9 Eliminao de harmnicas ........................................................................................ 2-12 2.10 Outras tcnicas de modulao................................................................................... 2-13 2.10.1 Controle One-cycle........................................................................................ 2-13 2.10.2 Controle de carga .............................................................................................. 2-14 2.10.3 Modulao Delta ............................................................................................... 2-14 2.11 Modulao Vetorial................................................................................................... 2-14 2.11.1 Saturao........................................................................................................... 2-20 2.12 Referncias Bibliogrficas ........................................................................................ 2-22
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Tenso de entrada
Figura 3.1 Topologia e formas de onda (com carga resistiva) de retificador monofsico nocontrolado, meia-onda. 3.1 Retificadores no controlados
A figura 3.2 mostra topologias de retificadores a diodo (no-controlados). Neste caso no h possibilidade de controlar a tenso de sada devido ausncia de interruptores controlveis. Tm-se os 3 tipos bsicos de carga: resistiva, capacitiva e indutiva. Com carga resistiva (fig. 3.2.a) as formas de onda da tenso e da corrente na sada do retificador e na carga so as mesmas, como mostrado na figura 3.3. A corrente de entrada apresenta-se com a mesma forma e fase da tenso. Um retificador com carga capacitiva (fig. 3.2.B) faz com que a tenso de sada apresentese alisada, elevando o seu valor mdio em relao carga resistiva. O capacitor carrega-se com a tenso de pico da entrada (desprezando a queda nos diodos). Quando a tenso de entrada se torna menor do que a tenso no capacitor os diodos ficam bloqueados e a corrente de sada fornecida exclusivamente pelo capacitor, o qual vai se descarregando, at que, novamente, a tenso de
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entrada fique maior, recarregando o capacitor. A forma de onda da corrente de entrada muito diferente de uma senide, apresentando pulsos de corrente nos momentos em que o capacitor recarregado, como mostrado na figura 3.4. Para o retificador com carga indutiva (fig. 3.2.C), a carga se comporta como uma fonte de corrente. Dependendo do valor da indutncia, a corrente de entrada pode apresentar-se quase como uma corrente quadrada, como mostrado na figura 3.5. Para valores reduzidos de indutncia, a corrente tende a uma forma que depende do tipo de componente sua jusante. Se for apenas uma resistncia, tende a uma senide. Se for um capacitor, tende forma de pulso, mas apresentando uma taxa de variao (di/dt) reduzida.
+ Vo Vp.sin(t)
+ Vr
+ Vo
(a)
(b)
(c)
Tenso na sada
100V
0V 200V
Tenso na entrada
0V
Corrente de entrada
Tenso de entrada
Figura 3.4 Formas de onda para retificador monofsico no-controlado, onda completa, com carga capacitiva.
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Tenso de entrada
capacitivo dominante
indutivo dominante
Figura 3.5. Formas de onda no lado CA para retificador monofsico, onda-completa, nocontrolado, alimentando carga indutiva. 3.1.1 Retificadores no-controlados com entrada trifsica Quando a potncia da carga alimentada se eleva, via de regra so utilizados retificadores trifsicos, como mostra a figura 3.6, a fim de, distribuindo a corrente entra as 3 fases, evitar desequilbrios que poderiam ocorrer caso a corrente fosse consumida de apenas 1 ou 2 fases. Neste caso a corrente fornecida, a cada intervalo de 60 graus, por apenas 2 das 3 fases. Podero conduzir aquelas fases que tiverem, em mdulo, as 2 maiores tenses. Ou seja, a fase que for mais positiva, poder levar o diodo a ela conectado, na semi-ponte superior, conduo. Na semi-ponte inferior poder conduzir o diodo conectado s fase com tenso mais negativa. Pela fase com tenso intermediria no haver corrente. A figura 3.7 mostra formas de onda tpicas considerando que o lado CC composto, dominantemente, por uma carga resistiva, indutiva ou capacitiva. No primeiro caso a corrente segue a mesma forma da tenso sobre a carga, ou seja, uma retificao de 6 pulsos. Quando um filtro indutivo utilizado, tem-se um alisamento da corrente, de modo que a onda apresenta-se praticamente retangular. J com um filtro capacitivo (mantendo ainda uma pequena indutncia srie), tem-se os picos de corrente. Com o aumento da indutncia tem-se uma reduo dos picos e, eventualmente, a corrente no chega a se anular.
Lo + Vr Co + Vo
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Tenso
Figura 3.7 Formas de onda no lado CA para retificador trifsico, onda-completa, no-controlado, alimentando diferentes tipos de carga. 3.4 Fator de Potncia A atual regulamentao brasileira do fator de potncia estabelece que o mnimo fator de potncia (FP) das unidades consumidoras de 0,92, com o clculo feito por mdia horria. O consumo de reativos alm do permitido (0,425 VArh por cada Wh) cobrado do consumidor. No intervalo entre 6 e 24 horas isto ocorre se a energia reativa absorvida for indutiva e das 0 s 6 horas, se for capacitiva. 3.4.1 Definio de Fator de Potncia Fator de potncia definido como a relao entre a potncia ativa (P) e a potncia aparente (S) consumidas por um dispositivo ou equipamento, independentemente das formas que as ondas de tenso e corrente apresentem, desde que sejam peridicas (perodo T). 1 v ( t ) ii ( t ) dt P T i FP = = S VRMS I RMS
(3.1)
Em um sistema com formas de onda senoidais, a equao anterior torna-se igual ao cosseno da defasagem entre as ondas de tenso e de corrente:
FPsen o = cos
(3.2)
I1
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A relao entre as correntes chamada de fator de forma e o termo em cosseno chamado de fator de deslocamento. Por sua vez, o valor eficaz da corrente de entrada tambm pode ser expresso em funo das componentes harmnicas:
2 I RMS = I1 + I 2 n n=2
(3.4)
Define-se a Taxa de Distoro Harmnica TDH (em ingls, THD - Total Harmonic Distortion) como sendo a relao entre o valor eficaz das componentes harmnicas da corrente e o da fundamental:
TDH =
I
n=2
2 n
I1
(3.5)
(3.6)
evidente a relao entre o FP e a distoro da corrente absorvida da linha. Neste sentido, existem normas internacionais que regulamentam os valores mximos das harmnicas de corrente que um dispositivo ou equipamento pode injetar na linha de alimentao. Desvantagens do baixo fator de potncia (FP) e da alta distoro da corrente Consideremos aqui aspectos relacionados com o estgio de entrada de fontes de alimentao. As tomadas da rede eltrica domstica ou industrial possuem uma corrente eficaz mxima que pode ser absorvida (tipicamente 15A nas tomadas domsticas). A figura 3.8 mostra uma forma de onda tpica de um circuito retificador alimentando um filtro capacitivo. Notem-se os picos de corrente e a distoro provocada na tenso de entrada, devido impedncia da linha de alimentao. O espectro da corrente (figura 3.9) mostra o elevado contedo harmnico. Nota-se que o baixo fator de potncia da soluo convencional (filtro capacitivo) o grande responsvel pela reduzida potncia ativa disponvel para a carga alimentada. Consideremos os dados comparativos da tabela 3.I. Suponhamos uma tenso de alimentao de 120 V, sendo possvel consumir 15 A de uma dada tomada. A potncia aparente mxima disponvel de 1800 VA. Tabela 3.I: COMPARAO DA POTNCIA ATIVA DE SADA Convencional Com correo de FP Potncia disponvel 1800 VA 1800 VA Fator de potncia 0,6 1 Eficincia do corretor de fator de potncia 100% 95% Eficincia da fonte 85% 85% Potncia disponvel 918 W (51%) 1453 W (81%) Podem ser citadas como desvantagens de um baixo FP e elevada distoro os seguintes fatos: 3.4.2
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A mxima potncia ativa absorvvel da rede fortemente limitada pelo FP; As harmnicas de corrente exigem um sobre-dimensionamento da instalao eltrica e dos transformadores, alm de aumentar as perdas (efeito pelicular); A componente de 3a harmnica da corrente, em sistema trifsico com neutro, pode ser muito maior do que o normal; Deformao da onda de tenso, devido ao pico da corrente, alm da distoro da forma de onda, pode causar mau-funcionamento de outros equipamentos conectados mesma rede; As componentes harmnicas podem excitar ressonncias no sistema de potncia, levando a picos de tenso e de corrente, podendo danificar dispositivos conectados linha.
Figura 3.8 Corrente de entrada e tenso de alimentao de retificador alimentando filtro capacitivo.
10A
1.0A
100mA
10mA
1.0mA 0Hz
Figura 3.9 Espectro da corrente. 3.5 Normas IEC 61000-3-2: Distrbios causados por equipamento conectado rede pblica de baixa tenso Esta norma (cuja verso anterior era designada de IEC555-2) refere-se s limitaes das harmnicas de corrente injetadas na rede pblica de alimentao. Aplica-se a equipamentos eltricos e eletrnicos que tenham uma corrente de entrada de at 16 A por fase, conectado a uma rede pblica de baixa tenso alternada, de 50 ou 60 Hz, com tenso fase-neutro entre 220 e 240 V. Para tenses inferiores, os limites no foram ainda estabelecidos (1990). A Emenda 14, de janeiro de 2001 inseriu algumas alteraes nas definies das classes e nos mtodos de medidas, devendo vigorar a partir de 2004. Os equipamentos so classificados em 4 classes: Classe A: Equipamentos com alimentao trifsica equilibrada e todos os demais no includos nas classes seguintes.
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Classe B: Ferramentas portteis. Classe C: Dispositivos de iluminao, exceto reguladores de intensidade para lmpadas incandescentes (dimmer). Classe D: Equipamentos de TV, computadores pessoais e monitores de vdeo. A potncia ativa de entrada deve ser igual ou inferior a 600W, medida esta feita obedecendo s condies de ensaio estabelecidas na norma (que variam de acordo com o tipo de equipamento). A Tabela 3.II indica os valores mximos para as harmnicas de corrente
Classe A Mxima corrente [A] 2,30 1,14 0,77 0,40 0,33 0,21 2,25/n
Classe B Mxima corrente[A] 3,45 1,71 1,155 0,60 0,495 0,315 3,375/n
Classe D (de 75 W a 600 W) [mA/W] 3,4 1,9 1,0 0,5 0,35 0,296 3,85/n
30.FP 10 7 5 3 3 3
3.6 Retificadores com alto fator de potncia So apresentadas a seguir algumas possibilidades de melhoria no fator de potncia de retificadores no-controlados. Tais circuitos, no entanto, no sero objetos de estudos mais aprofundados, sendo indicados a ttulo de informao. Este item estudado detalhadamente no curso de Fontes Chaveadas. 3.6.1 Solues passivas Solues passivas para a correo do FP oferecem caractersticas como robustez, alta confiabilidade, insensibilidade a surtos, operao silenciosa. No entanto, existem diversas desvantagens, tais como: So pesados e volumosos (em comparao com solues ativas); Afetam as formas de onda na freqncia fundamental; Alguns circuitos no podem operar numa larga faixa da tenso de entrada (90 a 240V); No possibilitam regulao da tenso de sada; A resposta dinmica pobre. A principal vantagem, bvia, a no-presena de elementos ativos.
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A colocao de um filtro indutivo na sada do retificador (sem capacitor) produz uma melhoria significativa do FP uma vez que, idealmente, absorvida uma corrente quadrada da rede, o que leva a um FP de 0,90. Como grandes indutncias so indesejveis, um filtro LC pode permitir ainda o mesmo FP, mas com elementos significativamente menores. Obviamente a presena do indutor em srie com o retificador reduz o valor de pico com que se carrega o capacitor (cerca de 72% num projeto otimizado). A figura 3.10 mostra a estrutura do filtro.
vac
Carga
Figura 3.10 Filtro LC de sada A figura 3.11 mostra as formas de onda relativas s correntes de entrada com filtro capacitivo e com filtro LC. Pelos espectros de tais correntes nota-se a reduo significativa no contedo harmnico da "onda quadrada" em relao "onda impulsiva". Note ainda a maior amplitude da componente fundamental obtida no circuito com filtro capacitivo, devido sua defasagem em relao tenso da rede.
50
tenso C LC
LC
0A 0Hz
0.2KHz
0.4KHz
0.6KHz Frequency
0.8KHz
1.0KHz
1.2KHz
Fig. 3.11 Formas de onda e espectro da corrente de retificador monofsico com filtros capacitivo e LC. Outra alternativa, e que no reduz significativamente a tenso disponvel para o retificador, o uso de filtros LC paralelo, sintonizados (na 3a harmnica, por exemplo) na entrada do retificador. Com tal circuito, mostrado na figura 3.12, no se permite que as componentes selecionadas circulem pela rede. Obviamente necessrio oferecer um caminho para elas, o que feito com a adio de um capacitor. Com este mtodo, supondo ainda uma corrente quadrada na entrada do retificador, chegase a FP elevado (0,95). As harmnicas no bloqueadas pelo filtro sintonizado podero ainda circular pela rede, mas encontraro um caminho alternativo pelo capacitor. A figura 3.13 mostra as formas de onda na entrada do retificador e na rede, bem como seus respectivos espectros.
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Io vac
-20A 0s 12A
20ms
40ms Time
60ms
80ms
100ms
0A 0Hz
0.2KHz
0.4KHz Frequency
0.6KHz
0.8KHz
1.0KHz
Figura 3.13 Correntes na rede e na entrada do retificador e respectivos espectros. 3.6.2 Solues ativas para retificadores com alto FP Os pr-reguladores de FP ativos empregam interruptores controlados associados a elementos passivos. Algumas topologias operam o interruptor na freqncia da rede (retificada), o que implica no uso de indutores e capacitores dimensionados para baixa freqncia. Outras, por trabalharem em alta freqncia, podem permitir reduo nos valores dos elementos de filtragem. 3.6.2.1 Conversor Suga A figura 3.14 mostra as formas de onda referentes a um conversor que comuta o transistor na freqncia da rede. O interruptor acionado de modo a iniciar a corrente de linha antecipadamente (em relao a quando aconteceria a carga do capacitor de sada). O fator de potncia resultante se eleva de cerca de 0,6 para algo prximo a 0,9. A TDH, no entanto, ainda elevada e os limites da norma IEC61000-3-2, podem no ser atendidos, dependendo do valor da indutncia, da potncia de sada e do tempo de conduo do transistor. Adicionalmente tem-se um pequeno efeito boost que pode elevar um pouco a tenso de sada em relao ao valor que haveria caso se tivesse apenas o filtro LC.
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Vac 120Hz
0s
10ms
20ms
30ms
40ms
50ms
60ms
70ms
80ms
90ms
100ms
Figura 3.14 Formas de onda e circuito com interruptor controlado na freqncia da rede 3.6.2.2 Conversor elevador de tenso (boost) como PFP A figura 3.15 mostra o diagrama geral do circuito e do controle de um conversor elevador de tenso operando como retificador de alto fator de potncia, com controle da corrente mdia instantnea. Este tipo de conversor tem sido o mais utilizado como PFP em funo de suas vantagens estruturais como: a presena do indutor na entrada bloqueia a propagao de variaes bruscas na tenso de rede (spikes), alm de facilitar a obteno da forma desejada da corrente (senoidal); energia armazenada mais eficientemente no capacitor de sada, o qual opera em alta tenso (Vo>E), permitindo valores relativamente menores de capacitncia; controle da forma de onda mantido para todo valor instantneo da tenso de entrada, inclusive o zero; como a corrente de entrada no interrompida (no modo de conduo contnua), as exigncias de filtros de IEM so minimizadas. A figura 3.16 mostra, esquematicamente, a ao de um controle MLP de modo a obter uma corrente mdia (desprezando as componentes na freqncia de comutao) com a mesma forma da tenso de entrada. Comportamentos semelhantes podem ser obtidos com os conversores 'Cuk e SEPIC. O conversor abaixador-elevador de tenso e o conversor Zeta tambm permitem implementar retificadores com alto fator de potncia, mas quando operando no modo de conduo descontnua.
+
Vac
Vo
Compensador de corrente
Figura 3.15 Circuito de controle de conversor elevador de tenso operando como retificador de alto fator de potncia, com controle da corrente mdia instantnea.
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Figura 3.16 Formas de onda tpicas da corrente pelo indutor e no interruptor e resultado experimental em conversor elevador de tenso 3.5 Comutao Para qualquer tipo de retificador, nos instantes em que ocorre a transferncia de corrente de um par de diodos para outro, caso exista alguma indutncia na conexo de entrada, esta transio no pode ser instantnea. Quando a alimentao feita por meio de transformadores, devido indutncia de disperso dos mesmos, este fenmeno se acentua, embora ocorra sempre, uma vez que as linhas de alimentao sempre apresentam alguma caracterstica indutiva. Em tais situaes, durante alguns instantes esto em conduo simultnea o diodo que est entrando em conduo e aquele que est sendo desligado. Isto significa, do ponto de vista da rede, um curto-circuito aplicado aps as indutncias de entrada, Li. A tenso efetiva na entrada do retificador ser a mdia das tenses presentes nas fases. Tal distoro mostrada na figura 3.17, num circuito trifsico alimentando carga indutiva. A soma das correntes pelas fases em comutao igual corrente drenada pela carga. Quando termina o intervalo de comutao, a tenso retorna sua forma normal (neste caso em que o di/dt em regime nulo).
Corrente de fase
Vi Lf Vp.sin(t) Li + Vr + Vo
Tenso de fase
intervalo de comutao
Figura 3.17 Topologia de retificador trifsico, no-controlado, com carga indutiva. Formas de onda tpicas, indicando o fenmeno da comutao. Quando a carga capacitiva, as indutncias de entrada atuam no sentido de reduzir a derivada inicial da corrente, como mostrado na figura 3.18. Neste caso, como a corrente apresenta-se variando, as mesmas indutncias apresentaro uma queda de tenso, de modo que a
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tenso Vi mostra-se significativamente distorcida. Note que a tenso Vi de linha igual tenso presente no capacitor, fazendo com que tal tenso apresente um topo achatado. Qualquer outro equipamento conectado nestes pontos ser, assim, alimentado por uma tenso distorcida.
tenso de sada
Vi
0
corrente
Li Cf
+ Vo
tenso de fase tenso de linha
Figura 3.18 Topologia de retificador trifsico, no-controlado, com carga capacitiva e formas de onda tpicas, indicando o fenmeno da comutao e da distoro da tenso. 3.6 Retificadores Controlados Os circuitos retificadores controlados constituem a principal aplicao dos tiristores em conversores estticos. Possuem vasta aplicao industrial, no acionamento de motores de corrente contnua, em estaes retificadoras para alimentao de redes de transmisso CC, no acionamento de locomotivas, etc. Analisaremos brevemente pontes retificadoras monofsicas, embora o estudo das pontes trifsicas no seja substancialmente diferente. Para potncia superior a alguns kVA geralmente se usam pontes trifsicas (ou mesmo hexafsicas). A Figura 3.19 mostra 3 estruturas de pontes retificadores monofsicas.
+ D1 vo(t) T2 D2 (a) + vi(t) D1 D2 vi(t)=Vp.sin(wt) (b) (c) + T1 T2 D3 vo(t) + vi(t) T3 T1 + T2 vo(t) T4 -
T1 + vi(t)
Figura 3.19 - Pontes retificadoras monofsicas: a) Semicontrolada assimtrica; b) Semicontrolada simtrica; c) Totalmente controlada. A principal vantagem das pontes semicontroladas o uso de apenas 2 tiristores, sendo indicadas quando o fluxo de energia ser apenas da fonte para a carga. Neste circuito a tenso de sada, vo(t), pode assumir apenas valores (instantneos e mdios) positivos. Sempre que a tenso de sada tender a se inverter haver um caminho interno que manter esta tenso em zero, desconectando a carga da rede. Quando a carga for resistiva, a forma de onda da corrente de linha ser a mesma da tenso sobre a carga (obviamente sem a retificao). Com carga indutiva, a corrente ir se alisando medida que aumenta a constante de tempo eltrica da carga, tendo, no limite, uma
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forma plana. Vista da entrada, a corrente assume uma forma retangular, como mostram as figuras a seguir. a)Ponte semicontrolada assimtrica Na ponte assimtrica, cujas formas de onda esto mostradas na figura 3.20, existe um caminho de livre-circulao formado pelos diodos D1 e D3. Supondo a polaridade da tenso da entrada como indicada em 3.19, o disparo de T1 conecta a entrada carga (suposta indutiva) atravs do tiristor e D2. Quando a tenso de entrada se inverter, D1 entrar em conduo e T1 cortar. Enquanto, devido ao tempo de desligamento do tiristor, T1, D1 e D2 conduzirem, a fonte estar curto-circuitada, com sua corrente sendo limitada pela impedncia da fonte. Quando T2 for disparado, D1 cortar. O intervalo de conduo de cada SCR de (). Cada diodo conduz por (2). A figura 3.14 mostra formas de onda para este conversor.
vg1(t) vg2(t)
vo(t)
Figura 3.20 - Formas de onda de ponte retificadora semicontrolada assimtrica, com carga altamente indutiva. A tenso mdia de sada, calculada a cada semiciclo dada por:
Vp 1 Vo = V p sin d = (1 + cos )
(3.7)
(3.8)
Para uma corrente de carga constante, de valor Io, a corrente eficaz na entrada :
I ef 1 2 = I o d = I o 1
(3.9)
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Com tais valores, possvel explicitar o fator de potncia desta carga visto pela rede:
FP = P 2 (1 + cos ) = S 2
(3.10)
FD1 = cos 2
(3.11)
b) Ponte semicontrolada simtrica Neste circuito no existe um caminho natural de livre-circulao, a qual deve ocorrer sempre atravs de um SCR e um diodo. As mesmas equaes da ponte assimtrica so vlidas para este conversor.
vg1(t) vg2(t)
vo(t)
Corrente de entrada
0 200V
Tenso na carga
Figura 3.21 Formas de onda de ponte retificadora semi-controlada simtrica, com carga altamente indutiva. Funcionamento normal (superior) e efeito da supresso dos pulsos de comando (inferior).
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Supondo vi(t) com a polaridade indicada, quando T1 for disparado, a corrente circular por T1 e D3. Quando a tenso da fonte inverter a polaridade, D1 entrar em conduo e D2 bloquear. A tenso na carga ser nula pois T1 e D1 conduziro, supondo que a corrente no se interrompa (carga indutiva). Quando T2 for disparado, T1 bloquear. Diodos e tiristores conduzem, cada um por 180o. Note que se T2 no for disparado, e supondo que T1 continue a conduzir, em funo da elevada constante de tempo eltrica da carga, no prximo semiciclo positivo a fonte ser novamente acoplada carga fornecendo-lhe mais corrente. Ou seja, a simples retirada dos pulsos de disparo no garante o desacoplamento entre carga e fonte. Para que isso ocorra necessrio diminuir o ngulo de disparo para que a corrente se torne descontnua e assim T1 corte. Obviamente o mesmo comportamento pode ocorrer com respeito ao outro par de componentes. Este comportamento ilustrado na figura 3.21. Isto pode ser evitado pela incluso do diodo de livre-circulao D3, o qual entrar em conduo quando a tenso se inverter, desligando T1 e D1. A vantagem da montagem assimtrica que os catodos esto num mesmo potencial, de modo que os sinais de acionamento podem estar num mesmo potencial. c) Ponte totalmente controlada Seu principal uso no acionamento de motor de corrente contnua quando necessria uma operao em dois quadrantes do plano tenso x corrente. Nestes circuitos no pode haver inverso de polaridade na corrente, de modo que, mantida a polaridade da tenso Eg, no possvel a frenagem da mquina. A tenso sobre a carga pode se tornar negativa, desde que exista um elemento indutivo que mantenha a circulao de corrente pelos tiristores, mesmo quando reversamente polarizados. A energia retornada fonte nesta situao aquela acumulada na indutncia de armadura. Formas de onda tpicas esto mostradas na figura 3.22. Os pares de componentes T1 e T4, T2 e T3 devem ser disparados simultaneamente, a fim de garantir um caminho para a corrente atravs da fonte. No caso de corrente descontnua (corrente da carga vai a zero dentro de cada semiciclo da rede), os tiristores desligaro quando a corrente cair abaixo da corrente de manuteno. No caso de conduo contnua, o par de tiristores desligar quando a polaridade da fonte se inverter e for disparado outro par de tiristores. Assim, se houver inverso na polaridade da tenso de entrada mas no for acionado o outro par de SCRs, a tenso nos terminais do retificador ser negativa.
+ Io
i i (t)
0A -Io Io 0A Io 0A 20 0V 0 -20 0V 0s 5m s 10 m s 1 5m s 2 0m s 25m s 3 0m s 35 m s vi(t) vo(t) iT 1 (t)= iT 4 (t)
iT 2 (t)= iT 3 (t)
4 0m s
Figura 3.22 Formas de onda para ponte totalmente controlada, monofsica, alimentando carga indutiva.
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(3.12)
A tenso eficaz de sada igual ao valor eficaz da tenso de entrada (supondo conduo contnua do conversor, ou seja, a ponte retificadora sempre est em funcionamento). A corrente eficaz na entrada vale Io. Com tais valores, possvel explicitar o fator de potncia desta carga visto pela rede: FP = P 2 2 cos = S (3.13)
A corrente de entrada apresenta-se como uma onda quadrada, com sua componente fundamental defasada de um ngulo em relao tenso. Durante os intervalos em que a corrente e tenso na entrada apresentam sinais opostos, h um fluxo de energia da carga para a fonte. Em regime permanente e com carga passiva, no entanto, o fluxo de potncia sempre da fonte para a carga, ou seja, o ngulo de disparo deve ser inferior a 90. Quando se faz o acionamento de um motor CC, a carga comporta-se como um circuito RL ao qual se adiciona uma fonte de tenso CC, que representa a fora contra-eletro-motriz de armadura, como mostrado na figura 3.23. Em situaes em que a constante de tempo pequena, ou ento a tenso Eg elevada, possvel que a corrente se anule, fazendo com que os tiristores comutem dentro de um semiciclo da rede. Em tal situao, como no h corrente, a tenso vista nos terminais da mquina, vo(t), ser a prpria tenso de armadura. A tenso vo(t) ser igual tenso de entrada (retificada) apenas enquanto os tiristores conduzirem. Numa situao de conduo descontnua, para que seja possvel acionar os tiristores, necessrio que no ngulo de disparo a tenso de entrada seja superior tenso Eg, de modo que os SCRs estejam diretamente polarizados. Isto significa que, medida que a mquina se acelera, elevando o valor da tenso de armadura, existe um mnimo ngulo de disparo possvel. Tal comportamento est ilustrado na figura 3.24. No caso (a), com tenso Eg nula, o acionamento pode ser feito com um pequeno ngulo de disparo. A corrente elevada e no se anula dentro de cada semiperodo. No caso (b), com tenso mais elevada, a conduo se torna descontnua, desligando os tiristores dentro de cada semiciclo. Quanto a tenso de armadura se torna maior do que a de entrada, no instante de disparo, perde-se o pulso, e os tiristores no so ligados.
+ T2 vo(t) D1 D2 -
T1 + vi(t)
ia(t)
La Ra Eg
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(a)
(b)
(c) Figura 3.24. Formas de onda de retificador semicontrolado, acionando motor CC, em diferentes valores de Eg (velocidade). De cima para baixo: vT1, iD1, ia, vo e vi.
3.6.1 Retificadores trifsicos A figura 3.25 mostra circuitos de retificadores trifsicos. No caso a) tem-se um retificador semicontrolado, enquanto em b) tem-se um retificador totalmente controlado. Diferentemente do caso monofsico, no circuito trifsico no h o circuito simtrico.
Lf Li van(t) + vo(t) D1 + Vo
Vp.sin(wt)
a)
Vp.sin(wt) Li van(t)
T1
Lf + vo(t) + Vo
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Tambm para estes retificadores, a verso semicontrolada no permite a inverso da tenso instantnea no barramento CC. possvel a colocao de um diodo de roda livre que entra em operao quando tal tenso se anula. Na ausncia do diodo a conduo se d pelo ltimo tiristor acionado e pelo diodo do mesmo ramo. A figura 3.26 mostra formas de onda para diferentes ngulos de disparo, sendo desprezada a indutncia de entrada. Este ngulo definido a partir do ponto em que a tenso da respectiva fase se torna a maior em valor absoluto ou, o que equivalente, quando a tenso de linha se torna positiva. Nestas simulaes a carga uma fonte de corrente constante, razo pela qual no h alterao na corrente com o ngulo de disparo.Para um ngulo nulo as formas de onda so idnticas s do retificador a diodo. A faixa de controle vai de 0 a 60 graus. Note-se que a conduo do diodo independe do ngulo de disparo (na ausncia do diodo de livre-circulao). A forma de onda da corrente na rede assimtrica, dando origem a componentes espectrais de ordem par, o que no desejvel. A figura 3.27 mostra resultados anlogos, tambm sem indutncias de entrada, para um retificador totalmente controlado. A carga um circuito RL (4 , 16 mH), de modo que a corrente se altera medida que muda o ngulo de disparo e, conseqentemente, a tenso mdia aplicada carga. Para um ngulo de 0 grau a forma de onda idntica a do retificador a diodos. Na ausncia de um diodo de roda-livre a tenso instantnea aplicada no barramento CC pode ser negativa, o que ocorre para um ngulo de disparo superior a 60 graus. Como no h possibilidade de inverso no sentido da corrente, uma tenso negativa leva diminuio da corrente at sua extino (em uma carga passiva). A corrente da rede simtrica, apresentando apenas componentes espectrais de ordem mpar, exceto os mltiplos da terceira, que no existem. A tenso mdia no barramento CC dada por:
Vo =
(3.14)
Uma corrente no lado CC de baixa ondulao reflete para o lado CA uma onda quase quadrada, com conduo de 120 a cada 180, deslocada de um ngulo em relao tenso. Neste caso pode-se determina o espectro da corrente em relao corrente da carga, Io. A corrente eficaz no lado CA 81,6% da corrente no lado CC. A componente fundamental Ii1 = 0,78 Io , enquanto as harmnicas so dadas por: I Iih = i1 , onde n=6k+1, para k=1,2... (3.15) n Isto permite determinar que a distoro harmnica total da corrente de 31,08%. O fator de deslocamento (ngulo entre a tenso e a componente fundamental da corrente) igual a (cos ). O fator de potncia :
FP =
3 cos
(3.16)
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400
200
0 200
-200
200
0 200
-2 0 0
200
-2 0 0 200
-2 0 0
c) ngulo de disparo: 60 graus Figura 3.26 Formas de onda de retificador trifsico semi-controlado. De cima para baixo: tenso instantnea no barramento CC (vo(t)); Corrente no diodo D1; Tenso da fase A (van(t)); Corrente na fase A.
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400
200
0 200
-200 16.7ms
20.0ms
25.0ms
30.0ms
35.0ms
40.0ms
45.0ms
50.0ms
200
-200 200
-200 16.7ms
20.0ms
25.0ms
30.0ms
35.0ms
40.0ms
45.0ms
50.0ms
-200 200
-200 16.7ms
20.0ms
25.0ms
30.0ms
35.0ms
40.0ms
45.0ms
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c) ngulo de disparo: 75 graus Figura 3.27 Formas de onda de retificador trifsico controlado. De cima para baixo: tenso instantnea no barramento CC (vo(t)); Corrente no tiristor T1; Tenso da fase A (van(t)); Corrente na fase A.
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Em determinadas situaes pode ser conveniente fazer-se uma associao de circuitos retificadores. Isto se aplica a retificadores controlados ou no. A anlise que se segue, embora tome por exemplo retificadores a diodo, pode ser estendida tambm para circuitos com tiristores e mistos. So essencialmente 3 as situaes em que so feitas associaes de retificadores: Uma associao srie, como mostra a figura 3.28, normalmente empregada em situaes em que se deseja uma tenso CC de sada elevada, que no poderia ser obtida com um retificador nico; Uma associao em paralelo, como mostra a figura 3.29, feita quando a carga exige uma corrente que no poderia ser fornecida por um nico retificador; Em ambos os casos, quando se deseja reduzir o contedo harmnico da corrente drenada da rede. Note-se em ambos circuitos mostrados que as tenses de entrada de cada um dos retificadores no so as mesmas. Isto feito com o objetivo de melhorar a forma de onda da corrente de entrada, como mostra a figura 3.30. No exemplo, onde tm-se um retificador de 12 pulsos, cada um dos retificadores alimentado por tenses de mesmo valor eficaz, mas com defasagem de 30o entre os sistemas trifsicos. Isto faz com que a corrente da rede se apresente de uma forma multinvel. Neste caso, tm-se 6 nveis e o respectivo espectro (mostrado na figura 3.31) mostra que s existem harmnicos em freqncias de ordem 12k+1, ou seja, aps a fundamental, teremos as componentes de ordem 11a, 13a, 23a, 25a, e assim por diante. Obviamente, dada a ordem elevada e a amplitude reduzida, um eventual processo de filtragem exigiria elementos LC de valor reduzido, comparado com retificadores de 6 pulsos.
Lo + Io Vr + Vo + Vr
Figura 3.28 Associao em srie de retificadores no controlados. Circuito de 12 pulsos. No circuito srie, a tenso CC total apresenta uma ondulao em 720Hz (da o nome 12 pulsos) e uma variao pico a pico de apenas 3% do valor CC. Aqui tambm, uma eventual filtragem seria facilitada pela freqncia elevada e pela pequena amplitude das variaes. Um caso tpico de aplicao da associao em srie de retificadores na transmisso de energia em corrente contnua, em alta tenso (HVDC), como o caso da linha CC que conecta Itaip a So Roque (SP), trazendo a energia comprada do Paraguai (originalmente em 50Hz). O sistema transmite, via dois cabos, que esto alimentados em +/- 600 kV, transmitindo uma
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potncia de 6000MW. Neste caso tm-se retificadores controlados, permitindo um controle do sistema, incluindo a absoro/fornecimento de reativos. Numa associao em paralelo, importante que as tenses mdias de ambas as pontes retificadoreas sejam as mesmas. Mesmo nesta situao, faz-se uso de um indutor (ou transformador) chamado de interfase, sobre o qual tem-se a diferena instantnea das tenses de cada um dos retificadores. A tenso mdia aplicada carga ser a mdia das duas tenses retificadas e a corrente ser dividida na razo inversa das reatncias. Caso elas sejam iguais, cada ponte fornecer metade da corrente total.
Transformador de interfase + Io Vr + Vo + Vr
Tenso total
400
Tenso de fase
Corrente de fase
-200 0s
10ms
20ms
30ms
40ms
50ms
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11a 0A 0Hz
13a
23a 25a
0.5KHz
1.0KHz
1.5KHz
2.0KHz
2.5KHz
3.0KHz
Quando a ponte retificadora formada por interruptores controlados na entrada em conduo e no desligamento, como transistores ou GTOs, possvel fazer-se um comando adequando de tais componentes de modo a absorver da rede uma corrente senoidal, enquanto se controla a tenso de sada (caso esta seja a varivel de interesse). O lado CC pode se comportar como uma fonte de tenso, quando apresenta um filtro capacitivo. Neste caso a conexo com a rede deve ser feita por meio de indutores no lado CA. Se o barramento CC se comportar como uma fonte de corrente (tendo um indutor na sada do retificador), a interface com o lado CA deve utilizar capacitores, que permitam acomodar valores instantaneamente diferentes entre a corrente CC e a corrente no lado CA. Tal circuito est mostrado na figura 3.32. possvel obter-se uma tenso CC neste circuito com o uso de um filtro capacitivo. Uma vez que a tenso mdia sobre a indutncia nula, o valor mdio da tenso vo(t) a prpria tenso de sada.
Io Lo va ia S1 S2 S3
vb
ib
v o
Co
Ro Vo
vc
ic
S4
S5
S6
Figura 3.32 Topologia do conversor CA-CC trifsico, operando em MLP, com sada de corrente. A idia bsica comandar adequadamente os interruptores de modo que a corrente mdia instantnea no lado CA tenha a mesma forma da tenso da respectiva fase e esteja em fase com ela. Na entrada do retificador, supondo desprezvel a ondulao da corrente pelo indutor, as correntes instantneas pelas fases tm forma retangular, com amplitude dada pela corrente CC e largura determinada pela lei de modulao dos interruptores, como ilustra a figura 3.33.
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Simultaneamente haver corrente apenas por 2 das 3 fases, uma vez que se 2 interruptores de uma mesma semiponte conduzirem se colocaria em curto 2 das fases, como se pode concluir da figura 3.32. No entanto, aps uma adequada filtragem das componentes de alta freqncia, a corrente de sada, apresentar apenas o valor mdio que ter uma forma senoidal, se esta tiver sido a forma do sinal de referncia usado para produzir os sinais de comando dos intrerruptores.
+Io
-Io
Figura 3.32 Forma de onda instantnea das correntes no lado CA. A figura 3.34 mostra as tenses de entrada e referncias de corrente a serem seguidas. Consideremos, sem perda de validade para uma anlise geral, que as referncias de corrente esto em fase com as tenses da rede. Em cada perodo da rede existem 6 intervalos, que se iniciam nos cruzamentos das referncias de corrente. Cada intervalo corresponde a um modo de funcionamento distinto. Consideremos o intervalo (t1 - t2). A referncia ira a maior positiva e irb a maior negativa. Considerando que a corrente de sada Io perfeitamente contnua, o interruptor S1 pode ser acionado de acordo com uma lei de modulao senoidal, m1, de modo que a corrente ia siga a referncia ira em termos dos componentes de baixa freqncia do espectro. Da mesma forma, uma lei de modulao m5 pode ser adotada para S5, fazendo com que ib siga a referncia irb.
va ira vb irb vc irc
t1
t1'
t2
t3
t4
t5
t6
t7
Figura 3.34 Tenses de entrada e referncia de corrente. Quando a chave S1 aberta, uma outra chave da semi-ponte superior deve ser fechada para permitir a continuidade da corrente. Quando S5 aberta, outro interruptor da semi-ponte negativa deve entrar em conduo. Para estas funes, S3 e S6 so usadas, uma vez que elas no
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alteram as correntes pelas fases a e b. A forma senoidal desejada para a fase c resultado do fato que a soma das correntes nas 3 fases nula. Quando S3 e S6 conduzirem simultaneamente, criase um caminho de livre-circulao para a corrente CC. A figura 3.35 mostra os sinais de comando para os interruptores e a forma de onda da tenso instantnea sobre o indutor CC, a qual apresenta um comportamento de 3 nveis. Uma vez que a freqncia de chaveamento deve ser muito maior do que a freqncia da rede, pode-se considerar que, dentro de cada ciclo de chaveamento as tenses da rede so constantes. As formas de onda mostradas correspondem ao intervalo t1<t<t2, no qual va>vb, em mdulo e, conseqentemente, a>b.
S1
S5 S6
S3 5 1 va-vb va-vc v o
Figura 3.35 Sinais de comando para os interruptores e tenso instantnea no lado CC.
3.7.1 Equaes bsicas Seja x(t) uma funo lgica que descreve o estado de uma chave genrica S. Correspondentemente, a lei de modulao m(t) pode ser definida como uma funo contnua dada pelo contedo de baixa freqncia de x(t). Como x(t) assume apenas valores 0 e 1, m(t) limitada entre 0 e 1. O fato de apenas um interruptor estar fechado em cada semi-ponte ao mesmo tempo, faz com que apenas um x(t), relacionado a cada semi-ponte, a cada instante, possa ser 1:
i a = ( x1 x 4 ) Io i b = ( x 2 x5 ) Io i c = ( x 3 x 6 ) Io
(3.17)
(3.18)
Desprezando as componentes de alta freqncia no espectro de x(t), as equaes (3.17) e (3.18) podem ser rescritas como:
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i a = ( m1 m 4 ) Io i b = ( m 2 m5 ) Io i c = ( m 3 m 6 ) Io v o = ( m1 m 4 ) v a + ( m 2 m 5 ) v b + ( m 3 m 6 ) v c
(3.19)
(3.20)
No intervalo t1 - t2, dadas as amplitudes das tenses da rede, as seguintes condies devem ser satisfeitas: x4 x2 x3 x6
=0 =0 = x1 = x5
(3.21)
Para obter as correntes senoidais de entrada tem-se (note que estamos supondo corrente em fase com a tenso, mas esta anlise vale para qualquer tipo de corrente): m1 = M sin(t ) m 3 = 1 m1 = 1 M sin(t ) m5 = M sin(t 120 o ) m 6 = 1 m5 = 1 + M sin(t 120 ) m4 = m2 = 0
o
(3.22)
onde M o ndice de modulao que determina a amplitude das correntes. De (3.19) e (3.22) tem-se: i a = Io M sin(t ) i b = Io M sin(t 120 o ) i c = Io M sin(t + 120 o ) Assim, desde que a corrente do lado CC seja perfeitamente contnua, as correntes desejadas sero obtidas no lado CA. Procedendo analogamente para a expresso da tenso mdia do lado CC, e considerando as tenses senoidais, simtricas e em fase com as referncias de corrente, a tenso mdia do lado CC apresenta-se constante, sendo dada por: 3 Vp M v o = M [ v a sin(t ) + v b sin(t 120 o ) + v c sin(t + 120 o )] = (3.24) 2 (3.23)
onde Vp a valor de pico das tenses CA (fase - neutro). Ou seja, a tenso CC no afetada por componentes de baixa freqncia. O ndice de modulao, M, determina tanto a amplitude da tenso mdia do lado CC quanto a amplitude das correntes alternadas do lado ca. Observe-se ainda que a sntese da corrente desejada pode ser feita em malha aberta, ou seja,no preciso realimentar a corrente, preciso apenas que se disponha da referncia adequada.
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3.7.2 Absoro de reativos Esta tcnica de controle pode ser estendida variando-se a fase entre a tenso ca e as respectivas correntes, permitindo assim a circulao de uma quantidade controlvel de potncia reativa. Para este objetivo, as referncias de corrente, ir, devem estar defasadas das tenses de uma fase adequada, . As equaes das correntes no sofrem alteraes, enquanto a tenso CC passa a ser expressa por:
vo =
3 Vp M 2
cos
(3.25)
Note que se o inversor fornece apenas energia reativa a tenso mdia no lado CC nula, como de se esperar, j que se trata de um elemento puramente indutivo. Generalizando um pouco mais, qualquer forma de corrente pode ser sintetizada, desde que uma referncia adequada seja utilizada, o que torna esta topologia bastante prpria para a implementao de filtros ativos de potncia. A figura 3.36 mostra um resultado experimental de um conversor operando baseado neste princpio. A corrente alternada sintetizada apresenta uma ondulao superposta, relativa ressonncia do filtro de alta freqncia.
3.7.3 Controle da corrente CC Numa situao de regime, para que no haja mudana na corrente CC, a tenso mdia sobre o indutor deve ser nula. Como o indutor possui perdas, ou ainda, porque transitoriamente houve uma absoro (ou entrega) de potncia ativa, possvel que ocorra uma variao no nvel da corrente CC. O controle do conversor deve prever um modo de manter, em regime, a corrente no valor Io desejado. Isto pode ser feito alterando a fase das referncias de corrente. Se a defasagem entre tenso e corrente for 90o, o inversor s trabalha com energia reativa. Se a fase for menor do que 90o, isto significa que o inversor est entregando ao resto do sistema um pouco de potncia ativa, o que faz com que a corrente Io tenda a diminuir (aparece uma tenso mdia positiva no lado CC). Fazendo com que a defasagem seja maior do que 90o o inversor absorve potncia ativa do sistema, levando ao crescimento da corrente Io. Uma vez atingido o valor Io desejado, o controle deve retornar referncia de regime. O mesmo efeito pode ser obtido controlando-se a amplitude do sinal de referncia em funo do erro da corrente CC.
ia
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Crestani, M. Com uma terceira portaria, o novo fator de potncia j vale em abril. Eletricidade Moderna, ano 22, no 239, fevereiro de 1994. International Electrotechnical Comission: IEC 1000-3-2: Electromagnetic Compatibility (EMC) Part 3: Limits Section 2: Limits for Harmonic Current Emissions (Equipment input current < 16 A per phase). First edition 1995. S. B. Dewan: Optimum Input and Output Filters for a Single-Phase Rectifier Power Supply. IEEE Trans. On Industry Applications, vol. IA-17, no. 3, May/June 1981 A. R. Prasad, P. D. Ziogas and S. Manlas: A Novel Passive Waveshaping Method for SinglePhase Diode Rectifier. Proc. Of IECON 90, pp. 1041-1050 R. Gohr Jr. and A. J. Perin: Three-Phase Rectifier Filters Analysis. Proc. Of Brazilian Power Electronics Conference, COBEP 91,Florianpolis - SC, pp. 281-283. I. Suga, M. Kimata, Y. Ohnishi and R. Uchida: New Switching Method for Single-phase AC to DC converter. IEEE PCC 93, Yokohama, Japan, 1993. C. de S e Silva, Power factor correction with the UC3854, Unitrode Application Note U-125, Unitrode Corporation, USA, 1986. Mohan, Undeland & Robbins, Power Electronics, IEEE Press, 2nd Edition, 1995.
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Tw Ra La + Eg ia If J T B Lf Rf + Vf -
Vt
Eg = Kv T = K t ia
(4.1) (4.2)
Onde: Eg: fora contra-eletro-motriz de armadura K: constante determinada por caractersticas construtivas da MCC (normalmente K=Kv=Kt)
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: fluxo de entreferro : velocidade angular da mquina ia: corrente de armadura J: momento de inrcia incluindo a carga mecnica. T: torque B: atrito
Do circuito eltrico da figura 4.1 obtm-se que a tenso terminal da mquina dada por:
v t (t) = E g + R a i a (t) + L a d i a (t) dt (4.3)
Considerando apenas os valores mdios da tenso terminal e da corrente de armadura, o termo relativo sua derivada torna-se nulo, de modo que se pode escrever de (4.1) e (4.3):
= Vt R a I a K
(4.4)
Assim, a velocidade de uma MCC pode ser controlada atravs de 3 variveis: a tenso terminal, o fluxo de entreferro e a resistncia de armadura. O controle pela resistncia de armadura era feito em sistemas de trao, com resistncias de potncia conectadas em srie com a armadura (e com o campo, j que se utilizava excitao srie). Tais resistncias iam sendo curto-circuitadas medida que se desejava aumentar a tenso terminal de armadura e, consequentemente, aumentar a velocidade da MCC. Era um controle essencialmente manual, comandado pelo operador do veculo. O controle da velocidade pelo fluxo de entreferro utilizado em acionamentos independentes, mas quando se deseja velocidade acima da velocidade base da mquina. Ou seja, tipicamente opera-se com campo pleno (para maximizar o torque) e, ao ser atingida a velocidade base, pelo enfraquecimento do campo pode-se ter uma maior velocidade, s custas de uma diminuio no torque. A figura 4.2 ilustra um perfil tpico de acionamento.
velocidade
torque mximo
controle de armadura
Figura 4.2. Controle de MCC pela armadura e pelo campo Dada a elevada constante de tempo eltrica do enrolamento de campo (para enrolamento independente), no possvel fazer variaes rpidas de velocidade por meio deste controle. Esta
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uma alternativa com uso principalmente em trao, onde as exigncias de resposta dinmica so menores. Do ponto de vista de um melhor desempenho sistmico, o controle atravs da tenso terminal o mais indicado, uma vez que permite ajustes relativamente rpidos (sempre limitados pela dinmica eltrica e mecnica do sistema), alm de, adicionalmente, possibilitar o controle do torque, atravs do controle da corrente de armadura. o mtodo geralmente utilizado no acionamento de MCC em processos industriais.
4.1.2 Equaes dinmicas O comportamento dinmico de um sistema dado por suas propriedades de armazenamento de energia. No caso de MCC a energia pode ser acumulada, magneticamente, nas indutncias da mquina e, mecanicamente, na massa girante. Relacionada energia magntica, tem-se que ela armazenada nas indutncias de campo e de armadura. Como, por construo, os campos produzidos por estes enrolamentos esto a 90o eltricos um do outro, no h indutncia mtua entre eles, podendo-se consider-los independentemente. Considerando o fluxo de campo constante e excitado separadamente, tem-se o diagrama de blocos mostrado na figura 4.3.
Tw(s) Conversor
vt (s)+
Eg(s)
1 Ra + s.La
ia(s) K.
T(s) +
1 B + s.J
(s)
K.
Figura 4.3 Diagrama de blocos de MCC com excitao independente. A equao do conjugado para o sistema mecnico dada por: T( t ) = K i a ( t ) = J d ( t ) + B ( t ) + Tw ( t ) dt (4.5)
Tw o torque exercido pela carga acoplada ao eixo da mquina. Sendo suposto o sistema linear, pode-se, a partir do modelo da figura 4.3, obter por superposio uma expresso para a velocidade da mquina:
(s) = R a + sL a K Vt (s) Tw (s) 2 ( R a + sL a )( B + sJ ) + ( K ) ( R a + sL a )( B + sJ ) + ( K ) 2 Fazendo Tw(s)=0, a relao dinmica entre a velocidade e a tenso terminal : K (s) = Vt (s) (R a + sL a )(B + sJ ) + ( K ) 2 Fazendo Vt(s)=0 tem-se: (4.6.a) (4.6)
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(4.6.b)
Para ter-se uma viso mais clara sobre o comportamento dinmico da mquina cc, consideremos que seu atrito viscoso seja desprezvel (B=0) e que a mquina esteja sem carga mecnica, e que a constante de tempo mecnica seja muito maior que a eltrica, o que permite escrever: (s) 1 Vt (s) (1 + m s ) ( a s + 1) K (4.7)
a e m so, respectivamente, as constantes de tempo eltrica (de armadura) e mecnica, cujos valores so dados por: a = m = La Ra (4.8)
(K )2
JRa
(4.9)
Dada a caracterstica de segunda ordem do sistema, pode-se obter os parmetros relativos freqncia natural no-amortecida do sistema e ao coeficiente de amortecimento, dados respectivamente por:
n 1 m a
(4.10)
1 2 a
(4.11)
Para mquinas de grande porte, usadas, em geral, em trao, a constante de tempo eltrica muito menor do que a constante de tempo mecnica, de modo que o sistema, do ponto de vista do acionamento, pode ser considerado como de primeira ordem, desprezando a constante de tempo eltrica. Isto j no ocorre para mquinas de pequeno porte, como as usadas em automao industrial, onde o sistema, via de regra, efetivamente considerado como de segunda ordem.
4.1.3 Quadrantes de operao Do ponto de vista do acionamento da MCC, pode-se definir, no plano torque x velocidade, 4 regies de operao, como indicado na figura 4.4. Note-se que o mesmo plano pode ser colocado em termos do valor mdio da corrente de armadura (Ia) e da fora contraeletro-motriz de armadura, Eg, caso se suponha constante o fluxo de entreferro. No quadrante I tem-se torque e velocidade positivos, indicando, que a mquina est operando como motor e girando num dado sentido. Em termos de trao, poder-se-ia dizer que se est operando em trao para frente. No quadrante III, tanto o torque quanto a velocidade so negativos, caracterizando uma operao de acelerao em r.
DSCE FEEC UNICAMP 2006
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J o quadrante II se caracteriza por um movimento em r (velocidade negativa) e torque positivo, implicando, assim, numa frenagem. No quadrante IV, tem-se velocidade positiva e torque negativo, ou seja, frenagem. Temse um movimento de avano, mas com reduo da velocidade. Sintetizando, tem-se a seguinte tabela:
Quadrante Torque (Ia) >0 >0 <0 <0 Velocidade (Eg) >0 <0 <0 >0 Sentido de rotao avante r r avante Variao da velocidade acelera freia acelera freia
I II III IV
Uma outra classificao usual para estes conversores , ao invs da velocidade, considerar-se a polaridade da tenso mdia terminal: Classe A: Operao no I quadrante Classe B: Operao no IV quadrante Classe C: Operao no I e IV quadrantes Classe D: Operao nos I e II quadrantes Classe E: Operao nos 4 quadrantes. Note-se que no existe uma relao direta entre a polaridade da tenso terminal e o sentido de rotao da MCC, uma vez que, transitoriamente, pode-se ter Vt com uma polaridade e Eg com outra. Assim, o plano Torque x Velocidade pode ser usado para definir aspectos de trao e frenagem, mas o mesmo no ocorre com o plano Ia x Vt.
Velocidade angular Vt
IV
IV
Torque
Ia
III
II
III
II
A grande maioria dos acionamentos feita utilizando-se conversores abaixadores de tenso, ou seja, aqueles nos quais a tenso mdia aplicada carga menor do que a tenso de alimentao do conversor. Conversores elevadores de tenso so usados quando se deseja freiar a mquina, com envio de energia para a fonte (frenagem regenerativa). Tais conversores so denominados chopper, em ingls. Em portugus recebem diferentes denominaes, como: recortador, pulsador, chaveador, etc. Diferentemente do que ocorre com as fontes chaveadas (tema do captulo 5), neste caso no existe a preocupao com a filtragem da tenso antes de aplic-la carga. Assim, a tenso
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terminal instantnea a prpria tenso sobre o diodo de circulao, enquanto a corrente filtrada pela indutncia de armadura. O comando usual por Modulao por Largura de Pulso, com uma freqncia de chaveamento cujo perodo seja muito menor do que a constante de tempo eltrica da carga, a fim de permitir uma reduzida ondulao na corrente e, portanto, no torque. Outra possibilidade, usada quando se deseja um controle de torque mais preciso o controle por MLC (histerese)
4.2.1 Conversor Classe A A figura 4.5 mostra uma topologia de conversor que opera apenas no I quadrante. Dada a caracterstica indutiva da carga, o uso do diodo de circulao (free-wheeling) indispensvel. Note-se que a corrente da carga pode circular apenas no sentido indicado na figura, assim como a tenso de armadura no pode ser invertida em relao indicada, uma vez que o diodo impede a existncia de tenses negativas aplicadas no terminal da MCC.
ia La
Ra E vt + Eg -
Figura 4.5 Conversor para I quadrante. Em termos do comportamento da corrente de armadura, duas situaes so possveis: o Modo de Conduo Contnua e o Modo de Conduo Descontnua, como mostrado na figura 4.6. Na hiptese de que a constante de tempo eltrica da mquina seja muito maior do que o perodo de chaveamento, pode-se considerar que a corrente tem uma variao praticamente linear. Na realidade a variao do tipo exponencial. No primeiro caso a corrente de armadura no vai a zero dentro de cada ciclo de chaveamento, o que significa que existe corrente circulando pelo diodo durante todo o tempo em que o transistor permanece desligado, ou seja, uma tenso terminal nula. J em conduo descontnua, a corrente de armadura vai a zero, fazendo com que o diodo deixe de conduzir. Como no h corrente, no h queda de tenso sobre Ra e La, de modo que a tenso vista nos terminais da MCC a prpria tenso de armadura, Eg. A operao em um ou outro modo de funcionamento depende de diversos parmetros do sistema. Desprezando as quedas de tenso no transistor e no diodo, o valor mdio da tenso terminal, em conduo contnua :
Vt = E t1 = E T
(4.12)
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Conduo contnua I1 I Io I1 i a 0 i
D
Conduo descontnua tx Ia
Ia
i E Vt 0 t1 T=t2
vt 0 t1 t2
E Eg
Figura 4.6. Formas de onda tpicas nos modos de conduo contnua e descontnua No intervalo em que a corrente de armadura cresce (entre 0 e t1) a corrente expressa por:
ia ( t ) = Io e
t a
( E E ) 1 e
g
Ra
t a
(4.13)
(4.14)
(4.15)
(4.16)
(4.17)
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4-7
J. A. Pomilio
t x = T t 2 = T (1 )
(E Eg ) a T Eg a + (E Eg ) T
(4.18)
(4.19)
Fazendo-se t2=T obtm-se o ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de conduo contnua para o modo de conduo descontnua, que dado pela raiz positiva da equao:
E Eg a a 2 + 1 =0 (E Eg ) T (E Eg ) T
(4.20)
(4.21)
No caso crtico, substituindo (4.21) em (4.19), tem-se que tx=0. A figura 4.7 mostra o valor do ciclo de trabalho crtico para diferentes relaes entre a constante de tempo eltrica e o perodo de chaveamento. Nas figuras 4.8 e 4.9 tem-se as curvas caractersticas estticas do conversor para diferentes tenses de armadura. Em 4.8, no modo descontnuo, a tenso terminal igual a Eg, enquanto em 4.9, como a queda resistiva no desprezvel, o valor da tenso terminal sempre superior tenso Eg. Em termos de um modelamento do conversor para uma anlise dinmica, se a operao ocorrer no modo de conduo contnua, pode-se represent-lo por um ganho, o que j no possvel no caso de conduo descontnua. Note-se que, nesta situao, o ganho incremental (dVt/d) muito baixo, tendendo a zero para a>>T.
crit 1 cond. contnua
a /T=1
cond. descontnua
a /T=10
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100 80
Vt/E (%)
Eg/E=0,8 Eg/E=0,6 Eg/E=0,4 Eg/E=0,2
60 40 20 0
0.6 0.8 1 Figura 4.8. Caracterstica esttica do conversor para I quadrante para a/T=10.
100
Eg/E=0,8
0.2
0.4
80
Eg/E=0,6
60
Vt/E (%)
Eg/E=0,4
40
Eg/E=0,2
Figura 4.9. Caracterstica esttica do conversor para I quadrante para a/T=1. Em conduo contnua a ondulao da corrente dada por:
1 e
T a
I =
E Ra
+ e
(1 ) T
1 e
T a
(4.22)
(4.23)
(4.24)
A corrente mdia :
Ia = E Eg Ra
(4.25)
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J. A. Pomilio
4.2.2 Conversor Classe B Nesta situao, na qual a velocidade mantm seu sentido (portanto tambm o faz Eg) e o torque (a corrente de armadura) se inverte, a topologia apresenta-se como mostrada na figura 4.10, onde o diodo e o transistor trocaram de posio, havendo uma inverso no sentido da corrente de armadura e da fonte.
ia If E i
T
La
Ra vt + Eg -
Figura 4.10. Conversor Classe B: operao no IV quadrante - frenagem avante. Para que seja possvel corrente retornar fonte (supondo-a receptiva), necessrio que a tenso terminal mdia tenha um valor maior do que a tenso da fonte. Isto pode ocorrer se Eg>E ou ainda pela ao do prprio conversor. O primeiro caso (Eg>E) ocorre, por exemplo, quando se faz controle de velocidade atravs do enfraquecimento do campo. Ao se desejar freiar a MCC, eleva-se a corrente de campo, aumentando Eg, possibilitando a transferncia de energia da mquina para a fonte. Isto possvel at a velocidade base. Uma outra possibilidade a MCC girar, por ao de um torque externo, acima da velocidade base (por exemplo, um veculo numa descida). Nosso objetivo aqui, no entanto, analisar esta frenagem quando comandada pelo conversor. As formas de onda mostradas na figura 4.11 referem-se operao nos modos de conduo contnua e descontnua.
Conduo contnua I Conduo descontnua tx Ia
ia
Ii
If i f
If
iT
E Eg 0 t1
vt
E Eg 0 t1 t2
Figura 4.11 Formas de onda tpicas de conversor classe B. Durante a conduo do transistor acumula-se energia na indutncia de armadura. Quando este componente desligado, a continuidade da corrente por La leva conduo do diodo,
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4-10
J. A. Pomilio
fazendo com que a energia acumulada na indutncia e aquela retirada da MCC sejam entregues fonte. Quanto maior for o ciclo de trabalho, maior ser a corrente e, portanto, maior a energia retirada da mquina. Desprezando as quedas de tenso no transistor e no diodo, o valor mdio da tenso terminal, em conduo contnua :
Vt = E (1 )
(4.26)
No intervalo em que a corrente de armadura cresce (entre 0 e t1) a corrente expressa por:
i a (t ) = Io e
t a t Eg 1 e a + Ra
(4.27)
(4.28)
( )
(4.29)
(4.30)
(4.33)
O ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de conduo contnua para o modo de conduo descontnua dado pela raiz positiva da equao:
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J. A. Pomilio
(4.34)
(4.35)
A figura 4.12 mostra o valor do ciclo de trabalho crtico para diferentes relaes entre a constante de tempo eltrica e o perodo de chaveamento. Na figura 4.13 tem-se as curvas caractersticas estticas do conversor para diferentes tenses de armadura. No modo de conduo descontnua, a tenso terminal tende a Eg, supondo a queda resistiva no desprezvel, o valor da tenso terminal sempre inferior a esta tenso. Em conduo contnua, a corrente mdia de armadura :
Ia = Eg E (1 ) Ra
(4.36)
Em conduo descontnua a corrente mdia baixa, de modo que o torque frenante produzido pequeno. Uma frenagem eficiente realizada operando-se com conduo contnua. Na hiptese em que a fonte de alimentao no seja receptiva ao retorno da energia (como, por exemplo, um retificador a diodos), deve-se prever um meio de dissipar a energia retirada da MCC. Em geral, isto feito sobre uma resistncia, caracterizando a chamada frenagem dinmica.
60 80 100 Eg/E (%) Figura 4.12. Ciclo de trabalho crtico para conversor Classe B.
40
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100
Vt/E (%)
80
Eg/E=0,6
60
Eg/E=0,4
40
Eg/E=0,2
20
0.2
0.4
0.6
0.8
Ra
T1
E
T2
vt Rd
D3
+ Eg -
T3
Figura 4.14 Conversor Classe C, com frenagem dinmica. Exceto para a operao com frenagem dinmica, as caractersticas estticas deste conversor so uma unio das caractersticas descritas para os conversores classe A e B.
4.2.4 Conversor Classe D Neste tipo de conversor no ocorre frenagem (ou seja, a corrente de armadura circula sempre no mesmo sentido), mas a polaridade da tenso terminal pode ser alternada. A figura 4.15 mostra tal topologia. Uma aplicao tpica no acionamento de motores de passo, de
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relutncia, ou brushless quando se deseja apressar a extino da corrente aps o perodo de alimentao de uma dada fase do motor.
T1 E ia D3 La
D2
vt
Ra Eg T4
Figura 4.15 Conversor Classe D. Tipicamente os transistores so acionados simultaneamente, aplicando uma tenso terminal positiva MCC. Quando so desligados, a continuidade da corrente se d pela conduo dos diodos, fazendo com que a tenso terminal se inverta. Note que, como no ocorre inverso no sentido da corrente, no est havendo frenagem da mquina. O retorno de energia para a fonte se d pela absoro da energia acumulada na indutncia de armadura e no pela diminuio da energia presente na massa girante acoplada ao eixo da mquina. A figura 4.16 mostra as formas de onda tpicas para operao nos modos de conduo contnua e descontnua. Observe que a tenso terminal varia entre +E e -E.
Conduo contnua I1 I Io I1 i a 0 iD Ia Conduo descontnua tx
Ia
i E Vt -E 0 t1 T=t2
E t 0 t1 -E t2
Eg
Figura 4.16. Formas de onda do conversor Classe D. A operao em um ou outro modo de funcionamento depende de diversos parmetros do sistema. Desprezando as quedas de tenso no transistor e no diodo, o valor mdio da tenso terminal, em conduo contnua :
Vt = E ( 2 1)
(4.37)
Note que para um ciclo de trabalho inferior a 50% ter-se-ia uma tenso terminal negativa. Uma situao deste tipo poderia ocorrer em dois casos: transitoriamente, quando a largura de
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pulso reduzida rapidamente, enquanto a corrente de armadura se mantm contnua, levando os diodos a conduzirem por alguns ciclos completos; a outra hiptese a de uma tenso de armadura com polaridade oposta indicada, o que poderia ocorrer, nesta topologia, caso houvesse um torque externo levando a este movimento, ou uma inverso na corrente de campo, uma vez que o conversor no permite um torque que conduza a MCC ao outro sentido de rotao. No intervalo em que a corrente de armadura cresce (entre 0 e t1) a corrente dada por:
i a ( t ) = Io e
t a
( E E g ) 1 e t +
a
Ra
(4.38)
(4.39)
(4.40)
(4.41)
(4.42)
(4.43)
(4.44)
O ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de conduo contnua para a descontnua dado pela raiz positiva da equao:
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2E (E + E g ) a a 2 + 1 =0 (E E g ) T (E E g ) T
(4.41)
(4.42)
A figura 4.17 mostra o valor do ciclo de trabalho crtico para diferentes relaes entre a constante de tempo eltrica e o perodo de chaveamento.
0.8
a/T=1 a/T=10
0.6
0.4
0.2
20
40
60 Eg/E (%)
80
100
Figura 4.17. Ciclo de trabalho crtico para conversor Classe D. Na figura 4.18 tem-se as curvas caractersticas estticas do conversor para diferentes tenses de armadura, supondo a queda resistiva desprezvel, ou seja, o valor da tenso terminal igual tenso Eg. Indicam-se apenas valores para tenso terminal positiva pois esta a nica possibilidade de operao em regime proporcionada pelo conversor sob anlise.
100
Vt/E (%)
80
Eg/E=0,8
60 Eg/E=0,4 40
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T1 E D3
D1 La T3
vt
Ra
T2
D2
Eg
ia T4
D4
Figura 4.19 Conversor Classe E. Diferentes possibilidades de comando dos transistores existem:
4.2.5.1 Comando simultneo O par de transistores T1/T4 ou o par T2/T3 acionado simultaneamente. Quando um par desligado, a continuidade da corrente se d pela conduo dos diodos em antiparalelo com o outro par, fazendo com que a tenso terminal da MCC se inverta. Note que se no ocorre inverso no sentido da corrente no est havendo frenagem da mquina. O retorno de energia para a fonte se d pela absoro da energia acumulada na indutncia de armadura e no pela diminuio da energia presente na massa girante acoplada ao eixo da mquina. As formas de onda so as mesmas mostradas na figura 4.16. O acionamento no I e II quadrantes (torque positivo) feito aplicando-se o sinal de comando a T1 e T4, ficando T2 e T3 desligados. O acionamento no III e IV quadrantes (torque negativo) feito comandando-se T2 e T3. As equaes e curvas vlidas para este conversor so as mesmas, para trao, mostradas para o conversor Classe D, ou seja, desprezando as quedas de tenso nos transistores e nos diodos, o valor mdio da tenso terminal, em conduo contnua :
Vt = E ( 2 1)
(4.43)
Quando o sistema entra no modo de conduo descontnua a corrente mdia tende a um valor muito baixo e praticamente no h torque, de modo que a velocidade (e consequentemente Eg) permanece praticamente constante. Note que para um ciclo de trabalho inferior a 50% tem-se uma tenso terminal negativa. Uma situao deste tipo poderia ocorrer transitoriamente, quando a largura de pulso fosse reduzida rapidamente, enquanto a corrente de armadura se mantm contnua, levando os diodos a conduzirem por um intervalo de tempo maior do que o fazem os transistores. Neste caso, como no h inverso no sentido da corrente de armadura e supondo Eg>0, o processo continua sendo de trao e a energia entregue fonte aquela acumulada na indutncia de armadura. Uma outra hiptese a de uma tenso de armadura com polaridade oposta indicada, ou seja, com a MCC girando no outro sentido de rotao ( r). Neste caso, mantida a polaridade da corrente mdia de armadura, tem-se efetivamente um processo de frenagem.
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Trao
20 0 -20 Eg/E=-0,6
Acionamento de T1 e T4
-60
Frenagem se Eg<0
-100 0 0.2 0.4 0.5 0.6 0.8 1
Figura 4.20. Caracterstica esttica (em trao, I quadrante e frenagem, II quadrante) do conversor classe E para a>>T. O acionamento de T2 e T3, deixando T1 e T4 desligados, permite a operao nos quadrantes III e IV. Sempre considerando a polaridade indicada na figura 4.19, isto significa uma corrente de armadura negativa. Para a polaridade da tenso de armadura indicada na figura, ou seja, Eg>0, durante a conduo destes transistores a tenso terminal instantnea ser negativa e a tenso da fonte se somar a Eg. Durante a conduo dos diodos a tenso sobre a indutncia (desprezando a queda em Ra) ser a diferena destas tenses. A figura 4.21 mostra as formas de onda. Desprezando as quedas de tenso no transistor e no diodo, o valor mdio da tenso terminal, em conduo contnua :
Vt = E (1 2 )
(4.44)
Ter-se- frenagem regenerativa, com um fluxo de potncia da MCC para a fonte, quando o intervalo de conduo dos diodos for superior ao dos transistores. Isto ocorrer para um ciclo de trabalho inferior a 50%. Sempre supondo Eg>0, para >0,5, a energia retirada da fonte maior do que a devolvida, ou seja, o que se tem uma frenagem dinmica com a energia sendo dissipada sobre a resistncia de armadura! No intervalo em que a corrente de armadura cresce em mdulo (entre 0 e t1) a corrente expressa por:
i a ( t ) = Io e
t a
( E + E g ) 1 e t +
a
Ra
(4.45)
(4.46)
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t E + Eg t i a ( t ) = Io 1 + Ra a a (t t 1 ) (E E g ) t t 1 i a ( t ) = I 1 1 a Ra a
Conduo contnua 0 I Ia ia I1 iD tx Conduo descontnua
(4.47)
(4.48)
Ia
i E Vt -E 0 t1 T=t2
E vt -E 0 t1 t2 Eg
(4.49)
(4.50)
(4.51)
O ciclo de trabalho que determina a passagem do modo de conduo contnua para a descontnua dado pela raiz positiva da equao:
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(E E ) 2E g a a =0 1 2 + (E + E g ) T (E + E g ) T
(4.52)
(4.53)
A figura 4.22 mostra o valor do ciclo de trabalho crtico para diferentes relaes entre a constante de tempo eltrica e o perodo de chaveamento. Na figura 4.23 tem-se as curvas caractersticas estticas do conversor para diferentes tenses de armadura, supondo a queda resistiva desprezvel, ou seja, o valor da tenso terminal igual tenso Eg. Se a tenso Eg for negativa, isto significa que a MCC est girando no sentido oposto. Neste caso o comando de T2/T3 implica numa operao de trao r. Para <0,5, no havendo inverso no sentido da corrente, continua-se num procedimento de trao, mas com uma tenso terminal positiva, o que significa que est sendo retirada energia acumulada na indutncia de armadura e entregando-a fonte. Este procedimento s possvel transitoriamente.
1
0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 20 40 60 Eg/E (%) 80 100
a/T=1 a/T=10
Figura 4.22. Ciclo de trabalho crtico para conversor Classe E, operando em frenagem.
100 Vt/E (%) 75 50 25 Eg/E=0 0 25 Eg/E=-0,5 50 75 100 Eg/E=0,5
Trao r Se Eg<0
0.2
0.4
0.6
0.8
Figura 4.23. Caracterstica esttica do conversor classe E para a>>T. Acionamento de T2/T3.
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4.2.5.2 Comandos separados Uma outra forma de comandar os transistores, e que determina diferentes formas de onda para a tenso terminal descrita a seguir: Para tenso terminal positiva mantm-se T1 (ou T4) sempre ligado, fazendo-se a modulao sobre T4 (ou T1). O perodo de circulao ocorrer no atravs da fonte, mas numa malha interna, formada, por exemplo, por T1 e D2, fazendo com que a tenso terminal se anule. Tem-se para o conversor um comportamento igual ao Classe A, valendo, inclusive, as mesmas equaes. Para tenso terminal negativa mantm-se T2 (ou T3) sempre ligado, fazendo-se a modulao sobre T3 (ou T2). O perodo de circulao ocorrer no atravs da fonte, mas numa malha interna, formada, por exemplo, por T2 e D1. Este acionamento no permite frenagem regenerativa, uma vez que a corrente que circula pelos diodos no retorna para a fonte. A vantagem que, em trao, como o ciclo de trabalho crtico menor do que no caso anterior, a corrente tende ao modo contnuo. 4.2.5.3 Deslocamento de fase Neste tipo de acionamento os comandos para os pares T1/T4 e T2/T3 so complementares, ou seja, quando se desliga um par se liga o outro. Isto garante a no existncia de descontinuidade na corrente pois, quando ela tende a se anular (circulando pelos diodos), os transistores acionados em antiparalelo permitiro sua reverso. O inconveniente que, mesmo com a MCC parada (tenso mdia nula) os transistores esto sendo acionados com ciclo de trabalho de 50%. Para se ter uma tenso mdia positiva o intervalo de conduo de T1/T4 deve ser maior do que o de T2/T3, e vice-versa, como indicado na figura 4.24. As frenagens ocorrem naturalmente quando, para uma dada polaridade da tenso de armadura se faz o acionamento (com largura de pulso maior que 50%) do par de transistores que produz uma tenso terminal com polaridade oposta.
T1/T4
T2/T3
+E
vt
-E Ia Ia
Figura 4.24 Formas de onda de Conversor Classe E, com acionamento por deslocamento de fase.
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Um problema dos motores CC convencionais so as escovas, devido ao desgaste e centelhamento produzido. Uma alternativa introduzir no rotor um m permanente que faz as vezes da armadura. Obviamente no se tema mais a possibilidade de controle atravs da variao do respectivo campo magntico. Abrem-se, no entanto, outras possibilidades de acionamento, com o aumento do nmero de plos. O funcionamento do motor, no entanto, depende de um conversor eletrnico que faa a adequada alimentao dos enrolamentos do estator. A figura 4.25 ilustra um motor com 2 plos e as respectivas bobinas do estator.
Figura 4.25 Estrutura bsica de motor de mas parmanentes de dois plos e respectivas bobinas. (extrado de http://www.basilnetworks.com/article/motors/analysis3.html em 8/2/2006). Com a energizao seqncia de cada bobina cria-se um campo resultante que impe um deslocamento no rotor buscando o devido alinhamento, o que leva rotao do eixo. Motores assim simples so normalmente utilizados em brinquedos e sistemas de baixo custo, como ventiladores para computadores. No entanto o motor de 2 plos, embora possa operar em elevadas velocidades, apresenta elevada ondulao de torque. Com o aumento do nmero de plos possvel obter um comportamento mais plano do torque embora, normalmente, isso implique numa reduo da velocidade. A figura 4.26 mostra um motor com 4 plos. A reduo da velocidade decorre da dificuldade de conseguir-se desmagnetizar a bobina antecessora ao mesmo tempo em que se alimenta a bobina seguinte. Observe que o campo ainda produzido pela bobina anterior produz um torque que se ope rotao desejada. A minimizao deste efeito exige que o conversor que alimenta o motor seja capaz de levar a zero da meneira mais rpida possvel a corrente da bobina que est sendo desligada, o que justifica o uso de topologias classe D.
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Figura 4.26 Motor com m permanente com 4 plos. Para motores com trs fases, que so os de menor custo e exigem menro quantidade de dispositivos eletrnicos, a reduo da ondulao de torque pode ser obtida com um acionamento que module a corrente das fases e que permita correntes negativas, o que se consegue com o conversor classe E, ou, para uma quantidade menor de componentes, um conversor trifsico como mostra a figura 4.27.
Figura 4.27 Inversor trifsico para acionamento de motor de 2 plos (3 enrolamentos de estator). Figura obtida em 8/2/2006 em http://mag-net.ee.umist.ac.uk/reports/P11/p11.html
O acionamento de cada bobina necessita de informaes sobre a posio do rotor. Existem diversas tcnicas de sensoriamento, assim como estratgias sensorless. A figura 4.28 ilustra uma aplicao tpica que usa sensor de posio e realimentao de corrente.
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Tolerante falha no circuito eletrnico de acionamento, pois possvel manter a rotao mesmo na ausncia de alimentao de uma ou mais fases (dependendo do projeto do motor). Disponibilidade de torque mesmo com o motor parado. Velocidade mxima limitada apenas pelos mancais. Elevada eficincia em ampla faixa de torque e velocidade. Operao em 4 quadrantes.
Figura 4.30 Circuito completo de acionamento e controle de motor de relutncia produzido pela NEC. Imagem obtida em 14/2/2006 em:
http://www.eu.necel.com/applications/industrial/motor_control/030_general_motor_control/060_switched_reluctance/
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Dewan, S. B.; Slemon, G. R. e Straughen, A.: Power Semiconductor Drives, John Wiley & Sons, New York, USA, 1984. N. Mohan, T. M. Undeland e W. P. Robbins: Power Electronics, Converters, Applications ans Design, 2nd Edition, John Willey & Sons, USA, 1994 Barton, T. H.: The Transfer Characteristics of a Chopper Drive. IEEE Trans. On Industry Applications, vol. IA-16, no. 4, Jul/Aug 1980, pp. 489-495 Schonek, J. : Pulsador Reversvel para a Alimentao de uma Mquina de Corrente Contnua nos Quatro Quadrantes do Plano Torque velocidade. Anais do II Congresso Brasileiro de Automtica, Florianpolis, SC, 1978. Pomilio, J. A.: Frenagem Regenerativa de Mquina CC Acionada por Recortador: Maximizao da Energia Regenerada. Dissertao de Mestrado, FEC - UNICAMP, 1986.
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A tenso de entrada (E) recortada pela chave T. Considere-se Vo constante. Assim, a corrente pela carga (Ro) tem ondulao desprezvel, possuindo apenas um nvel contnuo. A figura 5.1 mostra a topologia. Com o transistor conduzindo (diodo cortado), transfere-se energia da fonte para o indutor (cresce iL) e para o capacitor (quando iL>Vo/R). Quando T desliga, o diodo conduz, dando continuidade corrente do indutor. A energia armazenada em L entregue ao capacitor e carga. Enquanto o valor instantneo da corrente pelo indutor for maior do que a corrente da carga, a diferena carrega o capacitor. Quando a corrente for menor, o capacitor se descarrega, suprindo a diferena a fim de manter constante a corrente da carga (j que estamos supondo constante a tenso Vo).
iT
T iD L
iL + Ro Co Io Vo
vD
Figura 5.1 Conversor abaixador de tenso Se a corrente pelo indutor no vai a zero durante a conduo do diodo, diz-se que o circuito opera no modo de conduo contnua. Caso contrrio tem-se o modo descontnuo. Via de regra prefere-se operar no modo de conduo contnua devido a haver neste caso uma relao bem determinada entre a largura de pulso e a tenso mdia de sada. A figura 5.2 mostra as formas de onda tpicas de ambos os modos de operao.
5.1.1 Modo de conduo contnua (MCC) Este modo de operao definido como aquele em que a corrente pelo diodo no vai a zero antes que o transistor seja religado. Em alguns conversores isto coincide com o fato da corrente pelo indutor no se anular, em outros, no. A obteno da relao entrada/sada pode ser feita a partir do comportamento do elemento que transfere energia da entrada para a sada. Sabe-se que a tenso mdia sobre uma indutncia, em regime, nula, como mostrado na figura 5.3.
2001
5-1
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Conduo contnua Io tT
Conduo descontnua t Io i
L
T
t2
tx
Iomax
Io
iD
i E Vo
E vD 0 0 gura 5.2 Formas de onda tpicas nos modos de conduo contnua e descontnua Vo
Fi
vL
V1 A1 t1 A2 V2 Figura 5.3 Tenso sobre uma indutncia em regime.
A1 = A 2 V1 t 1 = V2 ( t 1)
(5.1)
No caso do conversor abaixador, quanto T conduz, vL=E-Vo, e quando D conduz, vL=Vo (E Vo) t T = Vo ( t T ) Vo t T = E
(5.2)
5.1.2 Modo de conduo descontnua (MCD) A modelagem que se segue pressupe um comportamento de corrente constante na sada. Caso a hiptese seja de resistncia constante ou de potncia constante, as equaes resultantes so diversas daquelas ora apresentadas. Isto vlido tambm para os demais conversores apresentados na seqncia.
DSCE FEEC UNICAMP 2001
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J. A. Pomilio
A corrente do indutor ser descontnua quando seu valor mdio for inferior metade de seu valor de pico (Io<Io/2). A condio limite dada por:
Io = I o ( E Vo) t T ( E Vo) = = 2 2L 2L
(5.3)
(5.4) (5.5)
(5.6)
I o max =
( E Vo) t T L
(5.7)
Como a potncia de entrada suposta igual potncia de sada, chega-se a: Vo Ii I o max ( E Vo) 2 = = = E Io 2 Io 2 Io L 2 L Ii Vo = 1 E E 2 Vo = E 2 L Io 1+ E 2
(5.8)
(5.9)
(5.10)
(5.11)
O ciclo de trabalho crtico, no qual h a passagem do modo de conduo contnua para a descontnua dado por:
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5-3
J. A. Pomilio
crit =
1 1 8 K 2
(5.12)
A figura 5.4 mostra a caracterstica esttica do conversor para diferentes valores de K. Na figura 5.5 tem-se a variao da tenso de sada com a corrente de carga. Note-se que a conduo descontnua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando exigncia da garantia de um consumo mnimo. Existe um limite para Io acima do qual a conduo sempre contnua e a tenso de sada no alterada pela corrente.
1
0.75
Vo/E
0.5
K=.01
K=.05
0.25
Cond. contnua
0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Figura 5.4 Caracterstica de controle do conversor abaixador de tenso nos modos de conduo contnua e descontnua.
1 0.8 0.6
Cond. contnua
=0,8 =0,6
Vo/E
0.4 0.2 0
Cond. descontnua
=0,4 =0,2
Io
E. 8L
Figura 5.5 Caracterstica de sada do conversor abaixador de tenso nos modos de conduo contnua e descontnua.
5.1.3 Dimensionamento de L e de C Da condio limite entre o modo de conduo contnua e descontnua, tem-se:
I o min = ( E Vo) 2L
(5.14)
Se se deseja operar sempre no modo de conduo contnua deve-se ter: L min = E (1 ) 2 Io(min) (5.15)
Quanto ao capacitor de sada, ele pode ser definido a partir da variao da tenso admitida, lembrando-se que enquanto a corrente pelo indutor for maior que Io (corrente na
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carga, suposta constante) o capacitor se carrega e, quando for menor, o capacitor se descarrega, levando a uma variao de tenso Vo.
1 Io Io = 2 2 2 8 A variao da corrente :
Io = (E Vo) t T E (1 ) = L L
Q =
(5.16)
(5.17)
(5.18)
Logo,
Vo (1 ) 2 Co = 8 L Vo
(5.19)
Muitas vezes o limitante para a ondulao da tenso no a capacitncia, mas sim a resistncia srie equivalente (Rse) do capacitor. Tal resistncia produz uma queda de tenso que se soma queda na capacitncia, podendo ser dominante. A reduo de Rse feita pela colocao em paralelo de vrios capacitores.
5.2 Conversor elevador de tenso (step-up ou boost): Vo>E
Quando T ligado, a tenso E aplicada ao indutor. O diodo fica reversamente polarizado (pois Vo>E). Acumula-se energia em L, a qual ser enviada ao capacitor e carga quando T desligar. A figura 5.6 mostra esta topologia. A corrente de sada, iD, sempre descontnua, enquanto iL (corrente de entrada) pode ser contnua ou descontnua. Tambm neste caso tem-se a operao no modo de conduo contnua ou descontnua. As formas de onda so mostradas na figura 5.7.
5.2.1 Modo de conduo contnua Quando T conduz: vL=E (durante tT) Quando D conduz: vL=-(Vo-E) (durante -tT)
Ii = Vo = E t T (Vo E)( t T ) = L L E 1
(5.20) (5.21)
Embora para 1, Vo , na prtica os elementos parasitas e no ideais do circuito (como as resistncias do indutor e da fonte) impedem o crescimento da tenso acima de um certo
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limite, no qual as perdas nestes elementos resistivos se tornam maiores do que a energia transferida pelo indutor para a sada.
vL iL
E L Io
iD D iT
Ro Co
vT
Vo
iL
Io i D
Io
iT
Vo E 0
vT
Vo E
Nota-se que a corrente de entrada a prpria corrente pelo indutor e que a corrente mdia pelo diodo a corrente da carga (j que a corrente mdia pelo capacitor nula).
5.2.2 Modo de conduo descontnua Quando T conduz: vL = E, (durante tT) Quando D conduz: vL = -(Vo-E), durante (-tT-tx)
Vo = E
1 tx 1 tx
(5.22)
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Vo = E +
E2 2 2 L Io
(5.23)
O ciclo de trabalho crtico, no qual h a passagem do modo de conduo contnua para a descontnua dado por:
crit = 1 1 8 K 2
(5.25)
A figura 5.8 mostra a caracterstica esttica do conversor para diferentes valores de K. Na figura 5.9 tem-se a variao da tenso de sada com a corrente de carga. Note-se que a conduo descontnua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando exigncia da garantia de um consumo mnimo. Existe um limite para Io acima do qual a conduo sempre contnua e a tenso de sada no alterada pela corrente.
50
K=.01
40 30
Vo/E
cond. descontnua
20 10 0 0 0.2 0.4 0.6
K=.02 K=.05
0.8
Figura 5.8 Caracterstica esttica do conversor elevador de tenso nos modos de conduo contnua e descontnua, para diferentes valores de K.
10
Vo/E
4 2
Io
E. 8.L
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(5.26) (5.27) (5.28) Para o clculo do capacitor deve-se considerar a forma de onda da corrente de sada. Admitindo-se a hiptese que o valor mnimo instantneo atingido por esta corrente maior que a corrente mdia de sada, Io, o capacitor se carrega durante a conduo do diodo e fornece toda a corrente de sada durante a conduo do transistor.
L min =
E (1 ) 2 Io(min)
iD
Io
Co =
Io(max) Vo
(5.29)
5.3 Conversor abaixador-elevador (buck-boost)
Neste conversor, a tenso de sada tem polaridade oposta da tenso de entrada. A figura 5.10 mostra o circuito. Quando T ligado, transfere-se energia da fonte para o indutor. O diodo no conduz e o capacitor alimenta a carga. Quando T desliga, a continuidade da corrente do indutor se faz pela conduo do diodo. A energia armazenada em L entregue ao capacitor e carga. Tanto a corrente de entrada quanto a de sada so descontnuas. A figura 5.11. mostra as formas de onda nos modos de conduo contnua e descontnua (no indutor).
vT iT
E T
iD vL
L Co Vo Ro Io +
iL
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(5.30)
(5.31)
Conduo contnua I tT iL
Conduo descontnua tT t2 tx
Io i D
Io
iT E+Vo E 0
(a)
E+Vo vT
(b)
E 0
Figura 5.11 Formas de onda do conversor abaixador-elevador de tenso operando em conduo contnua (a) e descontnua (b). 5.3.2 Modo de conduo descontnua Quando T conduz: vL = E, (durante tT) Quando D conduz: vL = -Vo, durante (-tT-tx) Vo = E 1 tx (5.32)
A corrente mxima de entrada, que a corrente pelo transistor, ocorre ao final do intervalo de conduo do transistor:
Ii max = E tT L
(5.33)
(5.34)
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(5.35)
(5.36)
Uma interessante caracterstica do conversor abaixador-elevador quando operando no modo de conduo descontnua que ele funciona como uma fonte de potncia constante.
Po = E2 2 2L
(5.37)
O ciclo de trabalho crtico, no qual h a passagem do modo de conduo contnua para a descontnua dado por:
crit =
1 1 8 K 2
(5.39)
30
Vo/E
20 10 0
K=.02 K=.05
0.2
0.4
0.6
0.8
Figura 5.12 Caracterstica esttica do conversor abaixador-elevador de tenso nos modos de conduo contnua e descontnua, para diferentes valores de K. Na figura 5.13 tem-se a variao da tenso de sada com a corrente de carga. Note-se que a conduo descontnua tende a ocorrer para pequenos valores de Io, levando exigncia da garantia de um consumo mnimo. Existe um limite para Io acima do qual a conduo sempre contnua e a tenso de sada no alterada pela corrente.
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Vo/E
4 2
Io
E. 8.L
Figura 5.13 Caracterstica de sada do conversor abaixador-elevador de tenso. 5.3.3 Clculo de L e de C O limiar entre as situaes de conduo contnua e descontnua dado por: Io = I L ( t T ) Vo ( t T ) (1 ) Vo (1 ) 2 = = 2 2L 2L E (1 ) 2 Io(min) (5.40)
L min =
(5.41)
Quanto ao capacitor, como a forma de onda da corrente de sada a mesma do conversor elevador de tenso, o clculo segue a mesma expresso.
Co = Io(max) Vo
(5.42)
Diferentemente dos conversores anteriores, no conversor `Cuk, cuja topologia mostrada na figura 5.14, a transferncia de energia da fonte para a carga feita por meio de um capacitor. Como vantagem, existe o fato de que tanto a corrente de entrada quanto a de sada poderem ser contnuas, devido presena dos indutores. Alm disso, ambos indutores esto sujeitos ao mesmo valor instantneo de tenso, de modo que possvel constru-los num mesmo ncleo. Este eventual acoplamento magntico permite, com projeto adequado, eliminar a ondulao de corrente em um dos enrolamentos. Os interruptores devem suportar a soma das tenses de entrada e sada. A tenso de sada apresenta-se com polaridade invertida em relao tenso de entrada.
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I L1 L1
VC1 + C1 L2
I L2 Ro Co
Vo +
Figura 5.14 Conversor `Cuk Em regime, como as tenses mdias sobre os indutores so nulas, tem-se: VC1=E+Vo. Com o transistor desligado, iL1 e iL2 fluem pelo diodo. C1 se carrega, recebendo energia de L1. A energia armazenada em L2 enviada sada. Quando o transistor ligado, D desliga e iL1 e iL2 fluem por T. Como VC1>Vo, C1 se descarrega, transferindo energia para L2 e para a sada. L1 acumula energia retirada da fonte. A figura 5.15 mostra as formas de onda de corrente nos modos de conduo contnua e descontnua. Note-se que no modo descontnuo a corrente pelos indutores no se anula, mas sim ocorre uma inverso em uma das correntes, que ir se igualar outra. Na verdade, a descontinuidade caracterizada pelo anulamento da corrente pelo diodo, fato que ocorre tambm nas outras topologias j estudadas.
i I1 Ix i L2 I2 Conduo contnua
L1
Conduo descontnua i L1
L2
vC1 V1
-Ix tT t2 tx
tT
Figura 5.15. Formas de onda do conversor `Cuk em conduo contnua e descontnua Assumindo que iL1 e iL2 so constantes, e como a corrente mdia por um capacitor nula (em regime), tem-se:
I L2 t T = I L1 ( t T )
(5.43)
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I L1 E = I L2 Vo Vo = E 1
(5.44) (5.45)
Uma vez que a caracterstica esttica do conversor `Cuk idntica ao do conversor abaixador-elevador de tenso, as mesmas curvas caractersticas apresentadas anteriormente so vlidas tambm para esta topologia. A diferena que a indutncia utilizada nas equaes deve L L ser substituda por Le, onde L e = 1 2 . L1 + L 2 5.4.1 Dimensionamento de C1 C1 deve ser tal que no se descarregue totalmente durante a conduo de T. Considerando iL1 e iL2 constantes, a variao da tenso linear. A figura 5.16 mostra a tenso no capacitor numa situao crtica.
v 2V C1 V C1 tT t
C1
(5.46)
Na condio limite:
Io = I L2 = C1 C1 min = 2 (E + Vo) tT
(5.47)
Io(max) (1 ) 2E
(5.48)
5.4.2 Dimensionamento de L1 Considerando C1 grande o suficiente para que sua variao de tenso seja desprezvel, L1 deve ser tal que no permita que iL1 se anule. A figura 5.17 mostra a corrente por L1 numa situao crtica.
E= L1 I L1max tT
(5.49)
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E+Vo + L1 E i
L1
L1max
Ii = I L1 =
(5.50)
Quando T conduz:
L1 = E tT 2 Ii
(5.51)
L1min =
E (1 ) 2 Io(min)
(5.52)
5.4.3 Clculo de L2 Analogamente anlise anterior, obtm-se para L2: L 2 min = E 2 Io(min) (5.53)
5.4.4 Clculo de Co (capacitor de sada) Como a corrente de sada contnua, o dimensionamento de C idntico ao realizado para o conversor abaixador de tenso
Co = E 2 8 L 2 Vo
(5.54)
O conversor SEPIC (Single Ended Primary Inductance Converter) mostrado na figura 5.18. Possui uma caracterstica de transferncia do tipo abaixadora-elevadora de tenso. Diferentemente do conversor `Cuk, a corrente de sada pulsada e no existe inverso na polaridade da tenso de sada. Como no `Cuk, os interruptores ficam sujeitos a uma tenso que a soma das tenses de entrada e de sada e a transferncia de energia da entrada para a sada se faz via capacitor. Sua principal vantagem no circuito isolado quando a indutncia L2 pode ser a prpria indutncia de magnetizao do transformador.
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L1
C1 L2
D Co
+ Vo
Ro
Figura 5.18 Topologia do conversor SEPIC. O funcionamento no modo descontnuo tambm igual ao do conversor `Cuk, ou seja, a corrente pelo diodo de sada se anula, de modo que as correntes pelas indutncias se tornam iguais.
5.6 Conversor Zeta
O conversor Zeta, cuja topologia est mostrada na figura 5.19, tambm possui uma caracterstica abaixadora-elevadora de tenso. Na verdade, a diferena entre este conversor, o `Cuk e o SEPIC apenas a posio relativa dos componentes. Aqui a corrente de entrada descontnua e a de sada continua. A transferncia de energia se faz via capacitor. A indutncia L1 pode ser a prpria indutncia de magnetizao na verso isolada. A operao no modo descontnuo tambm se caracteriza pela inverso do sentido da corrente por uma das indutncias. A posio do interruptor permite uma natural proteo contra sobrecorrentes.
T E L1
C1 D
L2 Co
Ro
Vo
Em muitas aplicaes necessrio que a sada esteja eletricamente isolada da entrada, fazendo-se uso de transformadores. Em alguns casos o uso desta isolao implica na alterao do circuito para permitir um adequado funcionamento do transformador, ou seja, para evitar a saturao do ncleo magntico. Relembre-se que no possvel interromper o fluxo magntico produzido pela fora magneto-motriz aplicada aos enrolamentos. 5.7.1 Conversor `Cuk Neste circuito a isolao se faz pela introduo de um transformador no circuito. Utilizam-se 2 capacitores para a transferncia da energia da entrada para a sada. A figura 5.20 mostra o circuito.
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N1 L1 E T C1 V1
N2 C2 V2 D L2 Co Vo
Figura 5.20. Conversor `Cuk com isolao A tenso de sada, no modo contnuo de conduo, dada por: Vo = N2 E N1 (1 ) (5.55)
O balano de carga deve se verificar para C1 e C2. Com N1=N2, C1=C2, tendo o dobro do valor obtido pelo mtodo de clculo indicado anteriormente no circuito sem isolao. Para outras relaes de transformao deve-se obedecer a N1.C1=N2.C2, ou V1.C1=V2.C2. Note que quando T conduz a tenso em N1 VC1=E (em N2 tem-se VC1.N2/N1). Quando D conduz, a tenso em N2 VC2=Vo (em N1 tem-se VC2.N1/N2). A corrente pelos enrolamentos no possui nvel contnuo e o dispositivo comporta-se, efetivamente, como um transformador. 5.7.2 Conversores SEPIC e Zeta isolados Apesar das diversas semelhanas entre os conversores `Cuk, SEPIC e Zeta, na verso isolada tem-se uma mudana significativa quanto ao projeto do transformador. Note que no SEPIC a corrente mdia pelo secundrio no nula, pois a prpria corrente mdia da carga. Ou seja, o dispositivo magntico no se comporta efetivamente como uma transformador. Isto significa que ele deve possuir um entreferro a fim de no saturar. Isto aumenta o seu volume em relao ao transformador de um conversor Cuk para a mesma potncia. O mesmo ocorre com o conversor Zeta, no qual a corrente contnua existe no primrio. Entretanto, como j foi dito, estes elementos magnticos podem ser construdos de modo que as indutncias Lp seja as prprias indutncias L2 (SEPIC) ou L1 (Zeta), de modo que existam apenas dois elementos magnticos no conversor, enquanto no `Cuk sero trs.
D Lp Co +
L1
C1 Ls
T Lp
C1 Ls D
L2 Co
Ro + Vo
Vo E Ro
(a) (b) Figura 21 Conversores SEPIC (a) e Zeta (b) isolados. 5.7.3 Conversor fly-back (derivado do abaixador-elevador) Assim como no conversor Zeta, o elemento magntico comporta-se como um indutor bifilar e no como um transformador. Quando T conduz, armazena-se energia na indutncia do "primrio" (no campo magntico) e o diodo fica reversamente polarizado. Quando T desliga, para manter a continuidade do fluxo, o diodo entra em conduo, e a energia acumulada no campo magntico enviada sada. A figura 5.22 mostra o circuito.
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Note-se que as correntes mdias nos enrolamentos no so nulas, levando necessidade de colocao de entreferro no "transformador". A tenso de sada, no modo contnuo de conduo, dada por: Vo = N2 E N1 (1 )
T D
(5.56)
L1
Co
Vo
N1
N2
Figura 5.22 Conversor fly-back 5.7.4 Conversor forward (derivado do abaixador de tenso) Quando T conduz, aplica-se E em N1. D1 fica diretamente polarizado e cresce a corrente por L. Quando T desliga, a corrente do indutor de sada tem continuidade via D3. Quanto ao transformador, necessrio um caminho que permita a circulao de uma corrente que d continuidade ao fluxo magntico, de modo a absorver a energia acumulada no campo, relativa indutncia de magnetizao. Isto se d pela conduo de D2. Durante este intervalo (conduo de D2) aplica-se uma tenso negativa em N2, que se reflete em N3, e ocorre um retorno de energia para a fonte. A figura 5.23 mostra o circuito.
D2
D1
L +
D3
Co
Vo
N1 N2 N3 Figura 5.23 Conversor forward Para garantir a desmagnetizao do ncleo a cada ciclo o conversor opera sempre no modo descontnuo. Existe um mximo ciclo de trabalho que garante a desmagnetizao do transformador (tenso mdia nula), o qual depende da relao de espiras existente. A figura 5.24 mostra o circuito equivalente no intervalo de desmagnetizao.
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T E N1
. .
Vp V a A1 Vp tT A2 Vb A1=A2
N2
Figura 5.24 Forma de onda no enrolamento de primrio. A tenso total nos enrolamentos N1 e N2, chamada de Vp, :
Va = E( N1 + N 2) N1 Vb = E( N1 + N 2) N2
(5.57)
Outra possibilidade, que prescinde do enrolamento de desmagnetizao, a introduo de um diodo zener no secundrio, pelo qual circula a corrente no momento do desligamento de T. Esta soluo, mostrada na figura 5.25, no entanto, provoca uma perda de energia sobre o zener, alm de limitar o ciclo de trabalho em funo da tenso.
..
E Figura 5.25 Conversor forward com desmagnetizao por diodo zener.
5.7.5 Conversor push-pull O conversor push-pull , na verdade, um arranjo de 2 conversores forward, trabalhando em contra-fase, conforme mostrado na figura 5.26. Quando T1 conduz (considerando as polaridades dos enrolamentos), nos secundrios aparecem tenses como as indicadas na figura 5.27. Neste intervalo D1 no conduz e D2 conduz, mantendo nulo o fluxo no transformador (desconsiderando a magnetizao). Note que no intervalo entre as condues dos transistores, os diodos D1 e D2 conduzem simultaneamente (no instante em que T1 desligado, o fluxo nulo garantido pela conduo de ambos os diodos, cada um conduzindo metade da corrente), atuando como diodos de livrecirculao e curto-circuitando o secundrio do transformador. A tenso de sada dada por:
Vo = 2 E n
(5.58)
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V ce1 I c1 T1 V1=E
.
E T2
.. .. ..
n:1
I D1
D1
io Co
.
Ro
+ Vo
E/n
.
E/n I D2 D2
I c2
Figura 5.26 Conversor push-pull. O ciclo de trabalho deve ser menor que 0,5 de modo a evitar a conduo simultnea dos transistores. n a relao de espiras do transformador. Os transistores devem suportar uma tenso com o dobro do valor da tenso de entrada. Outro problema deste circuito refere-se possibilidade de saturao do transformador caso a conduo dos transistores no seja idntica (o que garante uma tenso mdia nula aplicada ao primrio). A figura 5.27 mostra algumas formas de onda do conversor.
T1/D2
V1
+E
Ic1
-E
D1
Vce1
2E E
io
Io
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transformador. Este capacitor deve ser escolhido de modo a evitar ressonncia com o indutor de sada e, ainda, para que sobre ele no recaia uma tenso maior que um pequeno percentual da tenso de alimentao (durante a conduo de cada transistor).
E/2
.
E/2
T1
T2
. . . . .
. . ..
. .
+ Vo
Co
T1
. . . . . . .
T2
. . . . .
. . ..
. .
+ Vo
Co
T3
T4
Pelas funes indicadas anteriormente, tanto para o conversor elevador de tenso quanto para o abaixador-elevador (e para o `Cuk, SEPIC e Zeta), quando o ciclo de trabalho tende unidade, a tenso de sada tende a infinito. Nos circuitos reais, no entanto, isto no ocorre, uma vez que as componentes resistivas presentes nos componentes, especialmente nas chaves, na
DSCE FEEC UNICAMP 2001
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fonte de entrada e nos indutores, produzem perdas. Tais perdas, medida que aumenta a tenso de sada e, consequentemente, a corrente, tornam-se mais elevadas, reduzindo a eficincia do conversor. As curvas de Vo x se alteram e passam a apresentar um ponto de mximo, o qual depende das perdas do circuito. A figura 5.30 mostra a curva da tenso de sada normalizada em funo da largura do pulso para o conversor elevador de tenso. Se considerarmos as perdas relativas ao indutor e fonte de entrada, podemos redesenhar o circuito como mostrado na figura 5.31. Para tal circuito, a tenso disponvel para alimentao do conversor se torna (E-Vr), podendo-se prosseguir a anlise a partir desta nova tenso de entrada. A hiptese que a ondulao da corrente pelo indutor desprezvel, de modo a se poder supor Vr constante. O objetivo obter uma nova expresso para Vo, em funo apenas do ciclo de trabalho e das resistncias de carga e de entrada. O resultado est mostrado na figura 5.32.
40
Vo( d ) 20
0.2
0.4 d
0.6
0.8
Vr Ii RL E E-Vr L Io Co + Vo
Ro
(5.59)
Vr = R L Ii Vo = Ro Io
Io = Ii (1 )
(5.60) (5.61)
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Vr =
R L Io R L Vo = 1 (1 ) Ro
(5.62)
E Vo = Vo = E
R L Vo R L Vo E (1 ) Ro = 1 1 Ro (1 ) 2 1
(5.63)
R (1 ) + L Ro
2
(5.64)
Vo( d ) 2
Figura 5.32 Caracterstica esttica de conversor elevador de tenso, no modo contnuo, considerando as perdas devido ao indutor.
5.9 Referncias Bibliogrficas
N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins: Power Electronics: Converters, Applications and Design. John Wiley & Sons, 2nd Edition, 1994. G. Chryssis: High Frequency Switching Power Supplies: Theory and design. McGraw-Hill, New York, 1984. R. D. Middlebrook and S. `Cuk: Advances in Switched-Mode Power Conversion, TESLAco, Pasadena, USA, 1981. E. R. Hnatek: Design of Solid State Power Supplies. Van Nostrand Reinhold, New York, 3rd Edition, 1989.
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Figura 6.1 Envelope de tolerncia de tenso tpico para sistema computacional (adaptado da norma IEEE 466). Curva CBEMA (acima) e curva ITIC (abaixo). Uma outra definio em termos da tenso suprida a Distoro Harmnica Total (THD) que tem um limite de 5%. Alm disso, para alimentao trifsica, tolera-se um desbalanceamento entre as fases de 3 a 6%. No que se refere freqncia, tem-se um desvio mximo admissvel de +0,5Hz (em torno de 60Hz), com uma mxima taxa de variao de 1Hz/s.
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6.2 Classificao das UPS So definidas trs configuraes, indicadas, simplificadamente, na figura 6.2: linha prioritria; inversor prioritrio; interativo com a linha. Todas as estruturas contm um elemento armazenador de energia que , tipicamente, um banco de baterias. A configurao de linha prioritria possui um retificador, que fornece a carga para as baterias, um inversor (conversor CC-CA) e uma chave que transfere automaticamente a alimentao da carga da linha para o inversor, em caso de falha. Quando o inversor for conectado carga deve faz-lo de modo a que sua tenso tenha a mesma amplitude e fase da tenso esperada na linha. Como o inversor no realiza nenhuma funo de regulao da tenso enquanto a alimentao provier da linha, alguns equipamentos podem possuir um estabilizador de tenso a jusante da chave. A deteco da falha e a transferncia da alimentao podem ser feitas em menos de 1/4 de ciclo, o que garante a alimentao do equipamento crtico. Uma vez que este sistema no apresenta uma efetiva isolao e proteo da carga contra distrbios na linha e dado que ele altera seu funcionamento exatamente quando ocorre uma falha, tal estrutura utilizada principalmente para sistemas de baixos custo e potncia, quando a operao no altamente crtica. Esta estrutura conhecida como off-line. A configurao com inversor preferencial padro para equipamentos crticos, uma vez que a carga alimentada por uma tenso controlada e estabilizada pelo inversor, estando isolada (no necessariamente galvanicamente) da rede. Neste caso a alimentao provm sempre do inversor, cuja alimentao CC vir da rede (atravs do retificador) ou da bateria, em caso de falha. O conversor no altera sua operao na ocorrncia da falha e no existe nenhuma descontinuidade na tenso suprida. Como o retificador deve suprir a carga, e no apenas recarregar as baterias (como no caso anterior), ele dimensionado para a potncia do equipamento alimentado. A presena da chave (by-pass) para, em caso de falha da UPS, passar a alimentao rede em menos de 1/4 de ciclo. O inversor pode possuir ainda uma limitao automtica de corrente contra sobrecargas. Esta estrutura conhecida como on-line. A configurao interativa com a linha possui apenas um conversor CC-CA. Este sistema possui a vantagem (sobre a configurao linha preferencial) de permitir um condicionamento da tenso aplicada carga. Normalmente o fluxo de potncia vai, atravs do indutor L, da rede para a carga, e o conversor mantm as baterias carregadas. Em caso de falha, a chave se abre e o inversor passa a alimentar o equipamento crtico. Quando existe tenso na linha, o inversor produz uma tenso no ponto A com a mesma freqncia da linha, mas com amplitude controlada. Se as tenses nos pontos A e B forem idnticas em freqncia, fase e amplitude no haver corrente pelo indutor e toda energia da carga ser fornecida pelo inversor. Alterando-se a fase da tenso no ponto A pode-se controlar o fluxo de corrente por L. Assim , controlando a fase da tenso em A pode-se fazer com que provenha da linha toda a energia ativa necessria para alimentar a carga, ficando a cargo do inversor fornecer a energia no ativa (reativos e harmnicos). Neste caso, como o inversor no fornece potncia ativa, a condio de carga das baterias no se altera. Adicionalmente, tem-se que a corrente absorvida da linha senoidal e em fase com sua tenso, ou seja, o UPS opera como um compensador de fator de potncia, independente da carga. Esta anlise supe uma carga com alta impedncia de entrada, o que no verdade em situao muito usual em que a carga tem um comportamento de fonte de tenso (retificador com filtro capacitivo).
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Retificador Linha
Retificador Linha
Bateria
(c) Interativo com a linha Figura 6.2 Configuraes de UPS. O fato de no fazer uso de dupla converso, ou seja, o retificador no est inserido na alimentao da carga, faz com que o rendimento do conjunto seja superior ao da estrutura Inversor prioritrio, de modo a ser aplicvel em potncias mais elevadas. 6.3 Outras Caractersticas de UPS 6.3.1 Forma de onda da sada A obteno de uma onda senoidal (em um conversor CC-CA) mais complexa do que uma tenso de forma quadrada. Por este motivo, as UPS de baixa potncia e para cargas no altamente crticas, podem fornecer uma tenso quadrada em sua sada e utilizam uma configurao do tipo Linha preferencial. Como, normalmente, alimentam pequenos computadores de uso pessoal, os quais tem um estgio de entrada com um retificador a diodos e filtro capacitivo, o parmetro principal que a tenso possua o mesmo valor de pico da tenso
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normal (rede). Comparativamente a uma onda senoidal, tal tenso apresentar um maior valor eficaz, mas que no traz maiores conseqncias. Dado o espectro da onda produzida, haver um maior aquecimento em transformadores e indutores eventualmente presentes, mas que, dado o curto prazo de atuao da UPS, em geral no causam maiores problemas. Em sistemas de maior porte e criticidade so usados inversores com sada senoidal. 6.3.2 Isolao eltrica A isolao eltrica entre entrada e sada necessria quando, por motivo de segurana ou de norma, deve-se aterrar um dos terminais da sada. Dois tipos de isolao podem ser utilizados: em baixa ou em alta freqncia. Como se sabe, quanto maior a freqncia de operao, menores as dimenses do transformador, o que tende a reduzir custo, volume e peso. No entanto, isolao em alta freqncia possvel apenas em alguns pontos e para algumas topologias dos conversores CA-CC e CC-CA. J a isolao em baixa freqncia pode ser colocada na entrada (rede) ou na sada da UPS. 6.3.3 Paralelismo Conectar em paralelo duas ou mais UPSs necessrio quando se deseja ampliar a potncia instalada ou aumentar a confiabilidade do sistema. No primeiro caso, o fator determinante o econmico, quando mais barato utilizar uma UPS adicional para alimentar um acrscimo de carga do que trocar todo o sistema j existente. No outro caso, para cargas muito crticas, a redundncia torna-se necessria. As questes a serem consideradas so diversas: deve-se garantir que as tenses de sada sejam idnticas e que as correntes sejam igualmente distribudas; em caso de falha de qualquer uma das UPS, as demais devem ser capazes de manter o equipamento crtico em operao; para manter a identidade das tenses, uma das UPS deve produzir a referncia para as demais; em caso de falha, uma outra deve assumir tal funo. 6.4 Componentes de uma UPS esttica 6.4.1 Retificador O retificador, alm de produzir a tenso cc que alimenta o inversor tem tambm como funo manter as baterias carregadas. As baterias sero adequadamente carregadas desde que a tenso de sada do retificador seja um pouco superior tenso nominal das baterias, de modo a suprir as perdas devidas s quedas resistivas presentes. Tenses menores no permitiro um processo adequado de recarga, enquanto tenses muito elevadas podem produzir correntes excessivas, levando eletrlise. Caso as baterias estejam muito descarregadas, possvel que o retificador tenha seu limite de corrente atingido. Em tal caso, a recarga feita a corrente constante, at que a tenso suba a nveis adequados. Considerando adicionalmente a possibilidade de variao da tenso da linha, pode-se concluir que o retificador deve ser do tipo controlado. A soluo mais simples e barata usar um retificador a tiristores, com controle da tenso de sada atravs da variao do ngulo de disparo, como mostrado na figura 6.3.
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Lf
300V Vr 200V
Vr
Cf
Vo 100V
0V Baterias
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
Figura 6.3 Retificador controlado a tiristores com forma de onda de tenso tpica de sada. Para sistemas de maior potncia, comum utilizar retificadores de 12 ou mesmo 24 pulsos, a fim de minimizar o contedo harmnico da corrente absorvida da linha. Tal implementao, no entanto, exige a presena de um transformador na entrada do retificador. A utilizao de uma ponte de diodos tem o inconveniente de no permitir ajustar o valor da tenso de sada. Isto poderia ser feito, por exemplo, adicionando um conversor CC-CC, operando em alta freqncia. A figura 6.4 mostra diferentes possibilidades de implementao. No primeiro caso o recortador estabiliza tambm a tenso fornecida ao inversor, devendo, assim, suportar toda a potncia da carga. No segundo caso ele controla apenas a recarga das baterias, sendo, portanto, de muito menor potncia. O inversor dever ser capaz de ajustar sua operao de modo que a variao na tenso CC (produzida por variaes na tenso da rede) no afete a tenso fornecida pela UPS.
Recortador MLP
Retificador
Inversor
Retificador
Inversor
Recortador MLP
Figura 6.4 Configuraes com retificador a diodos. O recente desenvolvimento de retificadores com correo de fator de potncia, sejam monofsicos ou trifsicos, vem permitir, aliado ao controle da tenso de sada, absorver uma corrente senoidal e em fase com a tenso da rede, implicando num fator de potncia que tende unidade. A figura 6.5 mostra possveis topologias para este tipo de circuito. No primeiro caso tem-se um retificador trifsico no qual as chaves semicondutoras so transistores, permitindo a aplicao de modulao por largura de pulso, o que possibilita absorver uma corrente senoidal na rede. No outro caso tem-se um conversor tipo elevador de tenso, com entrada monofsica. Um controle adequado do ciclo de trabalho permite, tambm aqui, a absoro de uma corrente senoidal.
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Vo
Vo
Figura 6.5 Retificador MLP e conversor elevador de tenso para correo de fator de potncia. 6.4.2 Inversor O inversor o principal constituinte de uma UPS, uma vez que ele quem determina a qualidade da energia fornecida carga. Deve fornecer uma tenso alternada, com freqncia, forma e amplitude invariantes, a despeito de eventuais alteraes na alimentao CC ou na carga. A configurao bsica mostrada na figura 6.6, para um inversor trifsico. Uma sada monofsica pode ser obtida utilizando-se apenas 2 ramos, ao invs de 3.
Vcc
Vca
Figura 6.6 Inversor trifsico. 6.4.2.1 Inversor com sada quadrada Consideremos o circuito de um inversor monofsico como mostrado na figura 6.7. As leis de modulao so numerosas, a mais simples talvez seja a que produz uma onda retangular, na prpria freqncia de sada que se deseja. Em tal caso, uma tenso positiva aplicada carga quando T1 e T4 conduzirem (estando T2 e T3 desligados). A tenso negativa obtida complementarmente. O papel dos diodos garantir um caminho para a corrente em caso de a carga apresentar caracterstica indutiva. Note que a conduo dos diodos no afeta a forma da tenso desejada. Este tipo de modulao no permite o controle da amplitude nem do valor eficaz da tenso de sada.
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D2
T2 D1
T1 Ia +E
T2/T3
IA
D4
T4 D3
T3
Figura 6.7. Inversor monofsico e forma de onda quadrada de sada (carga indutiva). 6.4.2.2 Inversor com sada quase-quadrada. Uma alternativa que permite ajustar o valor eficaz da tenso de sada e eliminar algumas harmnicas a chamada onda quase-quadrada, na qual se mantm um nvel de tenso nulo sobre a carga durante parte do perodo, como mostrado na figura 6.8. Para obter este tipo de onda, uma possibilidade a seguinte: quando se deseja tenso positiva na carga mantm-se T1 e T4 conduzindo (T2 e T3 desligados). A tenso negativa obtida complementarmente. Os intervalos de tenso nula so obtidos mantendo T1 conduzindo e desligando T4. Com corrente positiva, D2 entrar em conduo. Quando T1 desligar D3 entra em conduo, aguardando o momento em que T2 e T3 conduzem, o que ocorre quando a corrente se inverte. O intervalo de tenso nula seguinte obtido com o desligamento de T3 e a continuidade de conduo de T2. Nota-se que esto presentes os mltiplos mpares da freqncia de chaveamento, o que significa que a filtragem de tal sinal para a obteno apenas da fundamental exige um filtro com freqncia de corte muito prxima da prpria freqncia desejada. Este espectro varia de acordo com a largura do pulso. Para este caso particular no esto presentes os mltiplos da terceira harmnica.
V +E S T1/D2 D2/D3 T2/T3 T1/T4 -E 0 o D1/D4 120 o 180 o T2/D1 300 o 360 o I A
Figura 6.8 Forma de onda quase-quadrada. 6.4.2.3 Inversor ferro-ressonante A obteno de uma onda senoidal a partir de ondas quadradas possvel atravs de filtragem. O tamanho do filtro determinado no apenas pela quantidade de harmnicas que se quer minimizar, mas tambm pela freqncia de tais harmnicas. Quanto menores forem as freqncias, maior ser o filtro (maiores valores de indutncia e capacitncia com conseqente maior volume e peso). Quanto menor for o filtro (menor impedncia) melhor ser a regulao de tenso na sada, especialmente em situaes transitrias, uma vez que valores elevados de indutncia e capacitncia produzem respostas lentas a perturbaes. Alm disso, as distores introduzidas pela carga distorcero menos a tenso fornecida. O conceito bsico do inversor ferro-ressonante sintonizar um filtro na freqncia desejada na sada (50 ou 60Hz), de modo a eliminar as harmnicas. Adicionalmente o conversor
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apresenta outras importantes caractersticas para uma UPS, quais sejam: regulao da tenso de sada e limitao da corrente. A figura 6.9 mostra o esquema bsico do conversor. Ld
Vi
Cr Vo
Figura 6.9 Estgio ferro-ressonante. O capacitor Cr, associado indutncia de disperso, Ld e, eventualmente, a uma indutncia adicional, perfazem um circuito ressonante, sintonizado na freqncia desejada. Mais de um caminho de fluxo magntico existe no ncleo do transformador, permitindo ao secundrio saturar, enquanto o primrio opera na regio linear. Como resultado, o circuito de sada apresenta-se limitado em tenso (devido saturao do secundrio), enquanto o primrio (que no satura) mantm a caracterstica de limitao da corrente, devido indutncia srie presente no circuito. A tenso de sada, devido saturao, apresenta-se como uma senide truncada. Seu contedo harmnico, no entanto, menor do que o da onda quadrada presente na entrada do transformador. A principal vantagem deste tipo de UPS sua simplicidade, aliada a razoveis caractersticas. Como desvantagem tem-se o volume e o peso caractersticos de um transformador/filtro que deve operar na freqncia da rede.
6.4.2.4 Inversor Modulao por Largura de Pulso - MLP Uma outra maneira de obter um sinal alternado de baixa freqncia atravs de uma modulao em alta freqncia. possvel obter este tipo de modulao ao comparar uma tenso de referncia (que seja imagem da tenso de sada buscada), com um sinal triangular simtrico cuja freqncia determine a freqncia de chaveamento. A freqncia da onda triangular (chamada portadora) deve ser, no mnimo 20 vezes superior mxima freqncia da onda de referncia, para que se obtenha uma reproduo aceitvel da forma de onda sobre a carga, depois de efetuada a filtragem. A largura do pulso de sada do modulador varia de acordo com a amplitude relativa da referncia em comparao com a portadora (triangular). Tem-se, assim, uma Modulao por Largura de Pulso. A tenso de sada, que aplicada carga, formada por uma sucesso de ondas retangulares de amplitude igual tenso de alimentao CC e durao varivel. A figura 6.10 mostra a modulao de uma onda senoidal, produzindo na sada uma tenso com 2 nveis, na freqncia da onda triangular.
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Figura 6.10. Sinal MLP de 2 nveis. possvel ainda obter uma modulao a 3 nveis (positivo, zero e negativo). Este tipo de modulao apresenta um menor contedo harmnico, como mostra a figura 6.11. Um sinal de 3 nveis ligeiramente mais complicado para ser gerado analogicamente. Uma maneira de faz-lo de acordo com a seguinte seqncia: durante o semiciclo positivo, T1 permanece sempre ligado; o sinal MLP enviado a T4 e o mesmo sinal barrado enviado a T2. no semiciclo negativo, quem permanece conduzindo T3, o sinal MLP enviado a T2 e o sinal barrado vai para T4. Desta forma, na presena de uma carga indutiva (portanto com a corrente atrasada em relao tenso), possvel manter sobre a carga uma onda efetivamente modulada em largura de pulso, de modo que, aps filtrada, recupere-se o sinal de referncia. Deve-se prever, neste caso, um atraso nas bordas de subida em todas as comutaes do sinal MLP (e no apenas na passagem de T1/T3). Estes atrasos introduzem uma pequena distoro no sinal MLP, uma vez que pulsos muito estreitos sero absorvidos pelo atraso imposto e pelos atrasos normais do circuito acionador.
400V
-400V 400V
-400V 10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
200V
0V 200V
0V
0Hz
5KHz
10KHz
15KHz
20KHz
Figura 6.11. Formas de onda da tenso de fase e de linha em inversor trifsico em semi-ponte. Indica-se ainda os respectivos sinais MLP filtrados. Espectro dos sinais MLP de 2 e 3 nveis.
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O obteno de uma sada que recupere a onda de referncia facilitada pela forma do espectro. Note-se que, aps a componente espectral relativa referncia, aparecem componentes nas vizinhanas da freqncia de chaveamento. Ou seja, um filtro passa baixas com freqncia de corte acima e 50/60 Hz perfeitamente capaz de produzir uma atenuao bastante efetiva em componentes na faixa dos kHz. Na figura 6.11 tem-se tambm as formas de onda filtradas. Uma reduo ainda mais efetiva das componentes de alta freqncia obtida com o uso de filtro de ordem superior. O uso de um filtro no amortecido pode levar ao surgimento de componentes oscilatrias na freqncia de ressonncia, que podem ser excitadas na ocorrncia de transitrios na rede ou na carga. Em regime elas no se manifestam, uma vez que o espectro da onda MLP no as excita. Os menores valores dos elementos de filtragem tornam a resposta dinmica deste sistema mais rpida que as anteriores. Normalmente a obteno de uma forma de onda adequada, principalmente quando se alimenta uma carga no-linear, somente obtida por meios ativos, atravs da realimentao da tenso de sada. A figura 6.12 mostra o resultado experimental de uma UPS monofsica alimentando uma carga no-linear. Neste caso a carga isolada por meio de um transformador de baixa-freqncia. O filtro passivo de segunda ordem, LC, no qual a indutncia de sada do inversor inclui a indutncia de disperso do transformador. Um valor de distoro harmnica compatvel com a norma foi obtido com realimentao da tenso de sada.
Figura 6.12. Tenses e correntes no primrio e na carga (THDv=5,5%, THDi=50%, Vrms=108,9V, FC=2,4) . Quando se trata de um inversor trifsico, 2 arranjos podem ser feitos: utilizando 3 inversores monofsicos (o que exige 12 transistores, e chamado de ponte completa) ou um arranjo chamado de semiponte, com 6 transistores, como o mostrado na figura 6.13.
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Ponte completa
Semi-ponte
Figura 6.13. Topologias de inversor em ponte completa e em semiponte. Em termos do conversor em semiponte, o sinal de comando enviado a cada ramo do inversor do tipo 2 nveis (quando um transistor liga, o complementar desliga). Assim, a tenso de fase apresenta-se em 2 nveis. No entanto, a tenso de linha (entre 2 fases) apresenta-se de 3 nveis.
6.4.2.5 Inversor multinvel Os conversores multinveis apresentam vantagens sobre conversores PWM, especialmente para aplicaes de mdia e alta potncia, tais como: possibilidade de conexo direta com a rede sem que seja necessrio o uso de transformadores; reduo dos nveis de Interferncia Eletromagntica (EMI) devido menor taxa de variao da tenso de sada; possibilidade de obteno de nveis mais altos de potncia sem a necessidade de associaes em srie e/ou paralelo de chaves, etc. Por outro lado, h algumas desvantagens que devem ser consideradas para a escolha de uma topologia multinvel como conversor CC/CA. As estratgias de modulao so mais complexas do que para conversores convencionais. Alm disso, Microcontroladores (C) e Processadores Digitais de Sinal (DSP) disponveis no mercado no possuem hardware adequado para implementao das estratgias de modulao, dificultando suas implementaes. Esta desvantagem pode ser superada por meio de algoritmos adequados e/ou com a incluso de circuitos analgicos e digitais externos, os quais devem ser desenvolvidos especialmente para propsitos de modulao. A figura 6.14 mostra o circuito e as formas de onda de um inversor trifsico de 5 nveis do tipo com grampeamento por diodos. Quando se deseja um nmero maior de nveis, conversores deste tipo necessitam de uma quantidade muito grande de componentes, o que inviabiliza seu uso. A figura mostra a tenso de fase com 3 nveis. A tenso de linha apresenta-se com 5 nveis. Para uma quantidade maior de nveis o Conversor Multinvel em Cascata, Figura 6.15, destaca-se por seu reduzido nmero de interruptores. Contudo, possui a desvantagem de, para cada clula inversora monofsica composta por quatro chaves, requerer fontes de tenso CC isoladas. Esta desvantagem restringe a utilizao do conversor a aplicaes de potncia elevada, nas quais outras topologias multinveis de conversores no podem ser usadas devido complexidade e ao elevado nmero de componentes requeridos. A relao entre as vrias fontes de tenso CC depende das especificaes da aplicao, do nmero requerido de nveis da tenso de sada, da tenso reversa mxima suportvel pelas chaves, etc. Quando fontes de tenso CC de valores diferentes so usadas, Conversor Multinvel Assimtrico, um nmero ainda maior de nveis de sada pode ser obtido. Com isso, o tamanho do
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filtro de sada minimizado e uma melhor performance dinmica pode ser obtida. Alm disso, apenas a clula de menor tenso opera em alta freqncia enquanto os outros inversores operam em baixa freqncia. Conseqentemente, o rendimento do sistema deve aumentar.
Vdc 2
N a b c
Vdc 2
Figura 6.14 Inversor trifsico de 5 nveis com grampeamento por diodos e sinais de controle e de sada.
Vna
V2 a
V1a
Figura 6.15. Conversor multinvel monofsico composto por clulas inversoras monofsicas em cascata. Na figura 6.16 tem-se um diagrama esquemtico do conversor e em 6.17 tem-se uma forma de onda deste tipo. Nota-se que a distoro harmnica reduzida, embora existam componentes espectrais em baixa freqncia. Os filtros necessrios obteno de uma onda senoidal devem ter uma freqncia de corte baixa, uma vez que as componentes harmnicas apresentam-se em mltiplos da freqncia da rede. No entanto, a atenuao no precisa ser muito grande, uma vez que as amplitudes das harmnicas so pequenas.
DSCE FEEC UNICAMP 2006
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V3
V2 quase-quadrada
V1 quase-quadrada
V1
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Circuito de Acionamento
Circuito de Acionamento
Inversor
Rede
Os resultados mostrados a seguir foram obtidos em ensaios de equipamentos comerciais, testados no Laboratrio de Condicionamento de Energia Eltrica da Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao da Unicamp.
6.5.1 Linha prioritria Observe-se na figura 6.19 que h um atraso na entrada em funcionamento do inversor, e que o mesmo est dentro da especificao de operao em menos de ciclo. A forma de onda da sada apresenta baixa distoro harmnica. O topo achatado deve-se limitao de tenso do banco de baterias. A distoro harmnica total (THD) de 3,6%. A carga alimentada, neste caso, resistiva e no valor nominal. A figura 6.20 mostra a tenso na entrada e na sada no teste de rejeio a transitrio. A perturbao produzida teve variao pico-a-pico de aproximadamente 120V e foi integralmente sentida pela sada.
A regulao da tenso de sada feita pela variao de taps na entrada, como se verifica na figura 6.21. Nota-se que quando ocorre a operao via baterias (96V) a tenso de 111,6V, ou seja, 7% abaixo da nominal. No intervalo em que est atuando o regulador tem-se uma variao entre 7,7% a +10%.
Figura 6.19 Tenso de sada e a corrente da rede com carga resistiva na transio da alimentao da rede para baterias.
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Figura 6.21. Regulao de tenso de sada em funo da tenso de entrada, com carga resistiva.
6.5.2 Inversor prioritrio A figura 6.22 mostra que no existe transitrio na passagem da alimentao da rede para as baterias. Note-se que a corrente de entrada se anula quando h falha na laimentao. A figura 6.23 mostra a tenso na entrada e na sada no teste de rejeio a transitrio. A perturbao produzida teve variao pico-a-pico de aproximadamente 150V e no foi sentida pela sada.
Figura 6.22. Tenso de sada e corrente da rede com carga resistiva na transio da alimentao da rede para baterias.
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Figura 6.23. Rejeio de transitrio na entrada. A regulao se mantm em toda faixa de experimentao, sem que o equipamento tenha recorrido ao uso das baterias. A operao com baterias ocorre para tenso inferior a 92V.
Tenso de sada (V) 118 117,9 117,8 117,7 117,6 117,5 117,4 84 90 96 102 108 114
Figura 6.24. Regulao de tenso de sada em funo da tenso de entrada, com carga resistiva.
6.6 Referncias Bibliogrficas
David C. Griffith: Uninterruptible Power Supplies, Marcel Dekker, Inc., NY, USA R. Fratta ed I. Toigo: Sistemi di Continuit: Problematiche ed Applicazioni, in 11o Corso Componenti e Sistemi Elettronici di Potenza, Tecnopolis, 21-25 Settembre 1992, Italia. P. C. Loh, M. J. Newman, D.N. Zmood and D. G. Holmes, A Comparative Analysis of Multiloop Voltage Regulation Strategies for Single and Three-Phase UPS Systems, IEEE Transaction on Power Electronics, vol. 18, n. 5, pp. 1176-1185, September 2003. IEEE Recommended Practice for the Application and Testing of Uninterruptible Power Supplies for Power Generating Stations. ANSI/IEEE Std. 944/1986.
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J. Rodriguez, J. S. Lai; F. Z. Peng, Multilevel Inverters: A Survey of Topologies, Controls, and Applications, IEEE Transactions on Industrial Electronics, volume 49, N4, pp. 724-738, August 2002. Edson A. Vendrusculo, Fernando P. Marafao, Jose A. Pomilio, Ricardo Q. Machado, Digital Control of Single-phase VSI in Transformer-based UPS, 8 Congresso Brasileiro de Eletrnica de Potncia COBEP 2005, Recife PE, 14 a 17 de junho de 2005. L. A. Silva S. P. Pimentel J. A. Pomilio, Analysis and Proposal of Capacitor Voltage Control for an Asymmetric Cascaded Inverter, IEEE Power Electronics Specialists Conference PESC 2005, Recife, Brasil, June 12-16, 2005.
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Eletrnica de Potncia
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Eletrnica de Potncia
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outros 3 enrolamentos ocuparem os outros 180 graus do permetro do estator, diz-se que esta uma mquina de 4 plos (ou 2 pares de plos).
b
Campo girante d
a
f g S N a
b a c
f e
b
-1.0 c
Figura 7.1 Formao de campo girante. O campo girante possui 2 plos norte e 2 plos sul, distribudos simetricamente e intercalados. A figura 7.2 ilustra tal situao. Dada a simetria circular das mquinas, tem-se que o campo resultante, visto no entreferro da mquina, apresenta os plos resultantes deslocados 90 graus (espacial) um do outro. Note-se , ainda, que a resultante no centro do arranjo sempre nula. No entanto, o que importa o fluxo presente no entreferro. A cada ciclo completo das tenses de alimentao (360 graus eltricos) corresponde uma rotao de 180 graus no eixo.
c b c b
N
a
S
a a
N
a
S N
S
b
N
c b
Figura 7.2 Campo girante em mquina de 4 plos. Sendo p o nmero de plos e a freqncia angular (em rd/s) das tenses de alimentao da mquina, a velocidade de rotao do campo girante, chamada de velocidade sncrona, dada por:
s =
2 p
(7.1)
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Eletrnica de Potncia
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Para uma tenso de fase aplicada ao estator do tipo v s ( t ) = 2 Vs sin(t ) , o fluxo concatenado com o rotor dado por:
( t ) = m cos( m t + s t )
(7.2)
A tenso induzida por fase nos enrolamentos do rotor (supondo rotor bobinado): e r (t) = N r d = N r m ( s m ) sin[( s m ) t ] dt (7.3)
(7.4)
Nr o nmero de espiras de cada fase do rotor m a velocidade angular do rotor a posio relativa do rotor Er o valor eficaz da tenso induzida no rotor por fase (para velocidade do rotor igual a zero): E = N r r m s s o escorregamento definido por:
s= ( s m ) s O modelo por fase de um motor de induo mostrado na figura 7.3.
' js.Xr + s.Er R 'r + Vs Es jXs Rs + + Er ' jXr R 'r s
(7.5)
Is
(b) jXr Rr s
Ns
Nr
I'r
jXm
Is
Ir
(c) Figura 7.3 Modelos circuitais para motor de induo: a) circuito do rotor; b) com rotor e estator separados, c) com rotor refletido ao lado do estator. Utilizando o modelo do rotor, onde Xr representa a indutncia de disperso (na freqncia s) e Rr a resistncia do enrolamento, obtm-se a corrente do rotor:
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Eletrnica de Potncia
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I 'r =
s E r R 'r + j s X 'r
(7.5)
I 'r =
Er R 'r + j X 'r s
(7.5.a)
O modelo do rotor pode, ento, ser modificado, a fim de que o escorregamento afete apenas a resistncia do rotor, como se v na figura 7.3.b, onde se inclui tambm um circuito equivalente para o estator. Refletindo o lado do rotor para o do estator, tem-se o circuito equivalente mostrado em 7.3.c. Indica-se nesta figura a reatncia de magnetizao, Xm e a resistncia relativa s perdas no ferro da mquina, Rm. A resistncia do enrolamento do estator Rs e a reatncia de disperso, Xs. As perdas no cobre podem ser estimadas por:
2 Ps = 3 I s R s
(7.6) (7.7)
(7.8)
A potncia presente no entreferro da mquina, que aquela que se transfere para o rotor, : Pg = 3 I 2 r Rr s (7.9)
Pd = Pg Pr = Pg (1 s) O torque desenvolvido :
Td = Pg Pd = m s
(7.10)
(7.11)
A potncia de entrada :
Pi = Pc + Ps + Pg = 3 Vs I s cos s onde s o ngulo entre Is e Vs. (7.12)
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Eletrnica de Potncia
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A potncia de sada a potncia desenvolvida subtrada das perdas mecnicas, Px (atrito e ventilao):
Po = Pd Px
(7.13)
1 s
(7.15)
Sendo, normalmente, Rm muito grande e Xm2>>(Rs2+Xs2), o ramo relativo magnetizao pode ser representado apenas pela reatncia e colocado na entrada do circuito, como mostrado na figura 7.4.
I + Vs jXm s I m jX s R s jXr Rr s
Zi
I s= I r
Figura 7.4. Modelo simplificado, por fase, de motor de induo. A impedncia de entrada do motor (com modelo simplificado) : Zi = X m ( X s + X r ) + j X m ( R s + R r s) R s + R r s + j ( Xm + Xs + Xr ) (7.16)
Rs +
Rr
(7.17)
(7.18)
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Eletrnica de Potncia
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2 R 2 s s R s + r s + ( X s + X r )
(7.19)
A figura 7.5 mostra uma curva torque - velocidade tpica para um motor alimentado a partir de uma fonte de tenso senoidal de freqncia e amplitude fixas. Existem 3 regies de operao: trao (0<s<1) regenerao (s<0) reverso (1<s<2) 2s s
Trao
0
Reverso
Td
Regenerao
Tmm Ts
0
s m
s m
m s s
Tmr
0.5
0.5
1.5
-sm sm Figura 7.5 Caracterstica torque-velocidade de mquina de induo. Em trao, o rotor roda no mesmo sentido do campo girante e, medida que o escorregamento aumenta (partindo do zero), o torque tambm aumenta, de maneira praticamente linear, enquanto o fluxo de entreferro se mantm constante. A corrente do rotor dependente da tenso nele induzida e de sua impedncia. A variao da tenso induzida linear com o escorregamento, enquanto o da impedncia no o . Para valores pequenos de s (at cerca de 10%, tipicamente), a reatncia do rotor pode ser desconsiderada (s.Xr, na equao 7.5). Sendo o rotor praticamente resistivo (e variando minimamente), a corrente do rotor cresce de modo linear com o escorregamento, o mesmo ocorrendo com a potncia. Dado que a velocidade praticamente constante (prxima a s), o torque varia de forma praticamente linear com o aumento de s. Quando as hipteses acima deixam de serem vlidas, ou seja, quando a reatncia do rotor se torna significativa e a resistncia equivalente passa a diminuir de modo mais marcante, tem-se uma reduo da potncia (seja pela diminuio da corrente, seja pela menor frao de tenso aplicada parte resistiva), levando a menores potncia e torque. A operao normal do motor se d na regio linear, uma vez que, se o torque de carga exceder Tmm, o motor, perdendo o seu torque, parar, levando a elevadas perdas no rotor, devido s altas correntes induzidas.
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Na regio de regenerao, o rotor e o campo girante movem-se no mesmo sentido, mas a velocidade mecnica, m, maior do que a velocidade sncrona, levando a um escorregamento negativo. Como a resistncia equivalente do rotor negativa, isto significa que a mquina est operando como gerador, entregando potncia para o sistema ao qual est conectado o estator. A caracterstica torque - velocidade similar quela da operao em trao, mas com um valor de pico maior (uma vez que o numerador menor do que no caso de trao). No modo de reverso, o campo girante gira em sentido oposto ao rotor, levando a um escorregamento maior do que 1. Isto pode ocorrer quando se faz a inverso na conexo de 2 fases do estator, provocando a mudana no sentido de rotao do campo. O torque produzido (que tende a acompanhar o campo girante) se ope ao movimento do rotor, levando a uma frenagem da mquina. O torque presente pequeno, mas as correntes so elevadas. A energia retirada da massa girante dissipada internamente na mquina, levando ao seu aquecimento, que pode ser excessivo. Tal modo de operao no normalmente recomendado. O torque de partida, Ts, obtido quando s=1. O escorregamento que d o mximo torque obtido fazendo dTd/ds=0:
sm =
Rr
2 Rs
+ (Xs + Xr )
2 1/ 2
(7.20)
Substituindo estes valores na expresso do torque, obtm-se os mximos torques possveis: Tmm = 3Vs2 2 2 2 s R s + R s + ( X s + X r ) 3Vs2 2 2 2s R s + R s + ( X s + X r ) (7.21)
Tmr =
(7.22)
Para motores de potncia superior a 1kW, razovel supor que Rs desprezvel em relao s outras impedncias do circuito. Isto permite simplificar as expresses, conforme indicado a seguir:
Td = 3R r Vs2 R s s r s 2 + (Xs + Xr ) 2
(7.23)
Ts =
s ( R r ) + ( X s + X r )
2
3R r Vs2
(7.24)
sm =
Rr Xs + Xr
(7.25)
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Tmm = Tmr =
3 Vs2 2s (X s + X r )
(7.26)
(7.28)
Para s<1 e s2<<sm2, o torque normalizado pode, ainda, ser aproximado por:
s m Td 2s = =2 Tmm s m s m s
(7.29)
A figura 7.6 mostra as curvas aproximadas (desprezando Rs) e linearizada, na regio de baixo escorregamento. Na figura 7.7 tem-se o comportamento do fator de potncia. Na regio de operao em que o escorregamento menor do que sm, o motor opera de modo estvel. Quanto menor a resistncia do rotor, menor ser o valor de sm e mais prxima estar a velocidade mecnica da velocidade sncrona. Assim, nesta regio, o motor opera praticamente a velocidade constante.
Td/Tmm 1 aproximado por (7.27) 1.5 Td/Tmm
1 0.5 0.5
0.2
0.4 s
0.6
0.8
0.01
0.02 s
0.03
0.04
0.05
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FP 0.5
0.05
0.1 s
0.15
0.2
Do ponto de vista do acionamento, a velocidade de um motor de induo pode ser variada das seguintes maneiras Controle da resistncia do rotor Controle da tenso do estator Controle da freqncia do estator Controle da tenso e da freqncia do estator Controle da corrente
7.2.1 Controle pela resistncia Para uma mquina de rotor enrolado possvel, externamente, colocar resistncias que se somem impedncia prpria do rotor, como mostrado na figura 7.9.a. A variao de Rx permite mover a curva torque - velocidade da mquina, como mostrado na figura 7.8. Note que, para um dado torque, o aumento da resistncia do rotor leva a uma diminuio na velocidade mecnica. Este mtodo permite elevar o torque de partida e limitar a corrente de partida. Obviamente este um mtodo de baixa eficincia devido dissipao de potncia sobre as resistncias. O balanceamento entre as 3 fases fundamental para a boa operao da mquina. Este tipo de acionamento foi usado especialmente em situaes que requeriam grande nmero de partidas e paradas, alm de elevado torque. Os resistores podem ser substitudos por um retificador trifsico que enxerga uma resistncia varivel, determinada, por sua vez, pelo ciclo de trabalho do transistor de sada, como mostrado na figura 7.9.b. Outros arranjos, utilizando retificadores controlados, permitem que, ao invs de dissipar energia sobre a resistncia externa, se possa envi-la de volta para a rede. A relao entre a tenso CC definida pelo retificador e a corrente Id refletem para os enrolamentos do rotor a resistncia equivalente. Este arranjo mostrado na figura 7.9.c.
Td/Tmm
1
10Rr 5Rr
0.5
Rr
0 0 0.2 0.4 0.6 0.8
Figura 7.8 Caracterstica torque - velocidade para diferentes valores de resistncia de rotor.
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Ld Id
Rx
Rotor
Vd
Vdc
Rx (a) (b) Retificador Estator Id Rotor Vd Vdc Ld Retificador Controlado Trafo Rede
(c)
Torque da carga
0.5
75% Vs
50% Vs
0.2
0.4
0.6
0.8
wm ws
Figura 7.10. Caractersticas torque - velocidade para diferentes valores de tenso de alimentao. A tenso do estator pode ser variada por meio de um controlador de tenso CA, formado por tiristores, operando com controle de fase. Sua simplicidade justifica seu uso em sistemas de baixa performance e potncia, como ventiladores e bombas centrfugas, que precisam de baixo torque de partida. Outra possibilidade o uso de um inversor trifsico, operando com freqncia constante e tenso ajustvel, seja variando a tenso CC, por uso de MLP. O fato de a tenso de partida ser reduzida permite uma limitao na corrente de partida. A figura 7.11 mostra, esquematicamente, os acionamentos.
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Rede Controlador CA
estator
(a) (b) Figura 7.11 Controle da tenso de estator por inversor (a) e controlador CA (b).
7.2.3 Controle pela variao da freqncia Como se v na eq. 7.19, o torque e a velocidade de um motor de induo podem ser variados controlando-se a freqncia da fonte de alimentao. Nos valores nominais de tenso e freqncia, o fluxo de entreferro da mquina tambm estar em seu valor nominal. Se a tenso for mantida constante e a freqncia diminuda, o fluxo aumentar, levando saturao da mquina, alterando os parmetros da mquina e a caracterstica torque - velocidade. Em baixas freqncias, com a queda no valor das reatncias, as correntes tendem a se elevar demasiadamente. Este tipo de controle no normalmente utilizado. Se a freqncia for aumentada acima do valor nominal, fluxo e torque diminuem. Se a velocidade sncrona freqncia nominal for denominada b (velocidade base), a velocidade sncrona e o escorregamento em outras freqncias de excitao sero:
s = b b
(7.31) (7.32)
s=
Td =
2 3 R r Vs
2 R 2 s b b R s + r s + ( b X s + b X r )
(7.33)
As curvas tpicas de torque - velocidade para diferentes valores de b esto mostradas na figura 7.12. Abaixo da velocidade base o torque deve ficar limitado ao seu valor nominal. A elevao da freqncia permite aumentar a velocidade, s custas da perda do torque. Esta caracterstica similar dos motores de corrente contnua quando se faz a elevao da velocidade pelo mtodo do enfraquecimento do campo. Uma alimentao deste tipo pode ser obtida por meio de um inversor que fornea uma tenso constante (valor eficaz), variando apenas a freqncia.
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Td/Tm 1.2 1 0.8 0.6 b=1 0.4 b=1.5 0.2 0 0.5 1 1.5 b=2 2 b=2.5 2.5
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
m = b * b
b<1
Figura 7.13 Caracterstica torque - velocidade com controle de tenso/freqncia. Uma vez que a tenso nominal da mquina no deve ser excedida, este tipo de acionamento aplica-se para velocidades abaixo da velocidade base. O acionador mais usual do tipo inversor com controle MLP ou de onda quase-quadrada, que permita ajustar simultaneamente tenso e freqncia. Um inversor de onda quadrada necessita de uma tenso no barramento CC varivel. Para velocidades muito baixas pode-se ainda fazer uso de cicloconversores (conversores CA-CA). medida que a freqncia se reduz, o fluxo de entreferro tende a diminuir devido queda de tenso na impedncia srie do estator, levando reduo na tenso aplicada sobre a reatncia de magnetizao, o que conduz necessidade de se elevar a tenso em tais situaes para se manter o torque.
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7.2.5 Controle da corrente O torque do motor de induo pode ser controlado variando-se a corrente do rotor. No entanto, como se tem acesso corrente do estator, ela que pode ser objeto de controle direto. A corrente e o torque produzido podem ser rescritos como:
Ir =
jI i X m Rs + Rr s
+ j(X m + X s + X r )
(7.34)
Td =
3R r ( X m I i ) 2
2 2 s s R s + R r + (X m + X s + X r ) s
(7.34.a)
3R r (X m I i ) 2
(7.35)
(7.36)
A figura 7.14 mostra a caracterstica torque - velocidade para diferentes valores de corrente de entrada.
T
I1>I2>I3
I1
I2 I3
m Figura 7.14 Caracterstica torque - velocidade com acionamento por controle de corrente.
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
O torque mximo praticamente independente da freqncia. Na partida (s=1) o valor Rr/s reduzido, de modo que a corrente que flui pela indutncia de magnetizao pequena, produzindo um baixo fluxo e, consequentemente, um pequeno torque. medida que a mquina
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se acelera o escorregamento diminui e aumentam a corrente de magnetizao, o fluxo e o torque, caminhando no sentido da saturao do material ferromagntico. A fim de evitar saturao, o motor normalmente acionado na regio instvel da curva torque - velocidade, o que s possvel em malha fechada e com controle sobre a tenso terminal da mquina (para impedir a sua saturao). Uma corrente com valor eficaz constante pode ser suprida por inversores de corrente. Tais inversores so obtidos tendo no barramento CC uma fonte de corrente contnua, tipicamente realizada por um indutor, sobre o qual controlada a corrente. Tcnicas tipo MLP so tambm possveis, desde que o inversor seja adaptado para tal situao. Isto significa que as chaves devem permitir passagem de corrente em apenas um sentido, sendo capazes de bloquear tenses com ambas polaridades. A figura 7.15 mostra as chaves semicondutores utilizadas nos diferentes tipos de inversores. I+ I+ IVV+
V+
As topologias dos inversores de tenso utilizadas no acionamento de mquinas eltricas no possuem diferenas significativas em relao quelas j descritas para a realizao de inversores de freqncia fixa. O que os diferencia o circuito de controle que deve produzir, quando necessrio, um sinal de referncia com freqncia varivel.
7.4 Inversores de corrente O uso de inversores de corrente ocorre principalmente em aplicaes de grande potncia, nas quais no necessria uma rpida resposta dinmica, tais como: ventiladores e bombas, guindastes, esteiras rolantes, acionamento de veculos pesados. Dada a alta potncia envolvida, solues topolgicas que utilizam SCRs e GTOs (Gate Turn-Off Thyristors) so interessantes. No primeiro caso (SCRs) como a alimentao em corrente contnua, faz-se necessrio o uso de algum tipo de comutao forada para permitir o desligamento dos tiristores. Com GTOs possvel utilizar tcnicas do tipo MLP. A tenso observada na entrada das mquinas praticamente senoidal. Este fato indica o uso destes conversores para o acionamento de mquinas eltricas (especialmente as de construo mais antiga) cuja isolao da fiao, em funo do isolante utilizado, no admite taxas de variao da tenso (dv/dt) muito elevadas. Uma estrutura genrica para um sistema de acionamento de motores CA em corrente mostrada na figura 7.16. O nvel da corrente CC sobre a indutncia de alisamento, L, ajustado pelo retificador (conversor CA-CC) de entrada. A freqncia das correntes alternadas na sada
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do inversor (conversor CC-CA) determinada pelo circuito de comando do inversor. Este inversor pode possuir diferentes topologias, como se ver a seguir. Esta estrutura permite, pelo ajuste adequado do ngulo de disparo da ponte retificadora, a regenerao de energia, ou seja, a energia retirada do motor acionado pode refluir para a rede, bastando para tanto que, momentaneamente, a tenso mdia na sada do retificador seja negativa.
Retificador Linha Icc Vcc Motor ca L Inversor
Controle de fase
Controle de frequncia
Figura 7.16 Estrutura bsica de sistema para acionamento em corrente de mquina ca.
7.4.1 Inversor a tiristores A figura 7.17 mostra a topologia de um inversor de corrente trifsico utilizando SCRs. A mquina representada por um circuito RL e uma tenso E, de forma senoidal. A operao adequada do conversor exige que exista, a todo instante, pelo menos uma fase de cada semiponte (superior e inferior) em conduo, para dar vazo corrente. Em caso de necessidade, a chave auxiliar Sw propicia um caminho alternativo para a corrente. Os capacitores utilizados so os responsveis pela comutao dos tiristores, como se ver na seqncia. A seqncia dos sinais de comando dos tiristores est indicada na figura 7.18, para um dado sentido de rotao. Mostra-se tambm a forma das correntes no motor para conexes em estrela e em tringulo. Para analisar o funcionamento deste circuito, consideremos que, inicialmente, os tiristores T1 e T2, bem como os diodos D1 e D2, estejam em conduo. A corrente flui pelas fases A e C. A figura 7.19.a mostra esta situao topolgica. O capacitor C1 est carregado com a polaridade indicada, C5 est carregado com a mesma tenso de C1, com a polaridade indicada na figura 7.19a. C3 est descarregado. No instante t1 cessa-se de enviar o sinal de acionamento para T1 e comanda-se a entrada em conduo de T3. Para que T1 efetivamente desligue necessrio que sua corrente v a zero. Com a conduo de T3, a corrente circula pelos capacitores como indicado na figura 7.19.b, ou seja, descarregando C1 e C5 e carregando C3. Por C1 circula 2/3 da corrente, enquanto por C3 e C5 (que aparecem em srie) circula o restante 1/3. A corrente da fase A permanece inalterada e D1 segue conduzindo. A variao das tenses nos capacitores linear. A tenso em C1 se inverte e quando o potencial do ponto b se torna maior do que em B, o diodo D3 se torna diretamente polarizado, levando ao desligamento de D1. Como a carga indutiva, a transferncia da corrente de uma fase para outra no instantnea, de modo que, por alguns instantes a corrente coexiste em ambas as fases, embora sua soma seja constante, como indicado na figura 7.19.c. Neste intervalo, ocorre uma ressonncia entre as capacitncias do circuito e as indutncias da carga, levando a uma elevao importante na tenso VBA acima do valor da tenso produzida pela mquina (E). Estes picos de tenso so tpicos destes conversores e devem ser considerados no dimensionamento dos elementos. Este intervalo termina com os capacitores C1 e C3 carregados como mostrado na figura 7.19.d estando C5 com tenso nula. A figura 7.20 mostra uma forma de onda tpica da tenso entre fases deste tipo de inversor.
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Icc Sw
T1
T3
C5 -Vca+ +Vbc-
T5
+Vaba C1 D1 D3 b
c D5 C R B A Ls E E
C3 E
D4 -Vtr+
D6
D2
C4 +VrsC6 T4 T6
+VstC2 T2
Conexo estrela
T5 T4 T6 T2 t1 Conexo tringulo
Figura 7.18. Conduo dos tiristores e formas de corrente na carga.
-Icc 2
2/3 Icc
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Icc T1
T3
C5 + -
T5
Icc T1
T3
C5 + + C3
T5
+ a C1 D1
b C3 D3
c a D5 E C B R Ls E E A D4
+ C1 D1
b D3
c D5 E C R Ls E E
A D4 -Vtr+ C4 +VrsC6 T4 T6 D6 N D2
D6 -Vtr+ C4 +Vrs-
D2
+VstC2 T2 T4
+VstC2 T6 T2
C6
(b)
T5 T5 C5 - + a C3 D3 C D5 E R Ls E E D6 N D2 D4 -Vtr+ C4 +VrsT2 C6 T4 T6 A D6 N D2 B C R Ls E E D1 C1 D3 b C3 D5 E + -
T3
C5 + + -
T3
- + a C1 D1
V BA
A D4 -Vtr+ C4 +VrsC6 T4 T6
+VstC2
+VstC2 T2
(c)
(d)
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Figura 7.20 Forma de onda tpica de tenso de linha para inversor de corrente a tiristores.
7.4.1.1 Funcionamento na partida importante analisar tambm o comportamento do circuito no incio de operao, quando todos os capacitores esto descarregados. A tenso E vale zero e no h queda sobre as indutncias da carga (pois a corrente suposta constante) Consideremos que T1 e T2 estejam conduzindo uma corrente ICC. Num primeiro momento a corrente da semiponte superior circula por 2 caminhos: T1, D1, fase A, fase C, D2, T2 T1, capacitores, D5, D2, T2 O capacitor C5 se carrega at o valor da tenso VAC =2.ICC.R, quando D5 deixa de conduzir. Como os capacitores C1 e C3 esto conectados em srie, sobre cada um deles tem-se a metade de tal tenso. Quanto T3 acionado, a tenso sobre C1 polariza reversamente T1 e, com a corrente passando a fluir por T3, T1 desligar. Ao mesmo tempo D3 entra em conduo e a corrente vai se transferindo da fase A para a fase B. Assim, nesta primeira comutao no existe o intervalo em que os capacitores se carregam linearmente (pois E=0). Quando o motor inicia a girar, surge uma tenso induzida E e as prximas comutaes seguem a seqncia descrita anteriormente. A tenso sobre o capacitor C1 deve ser suficiente para manter T1 reversamente polarizado durante o tempo necessrio para garantir seu desligamento (tipicamente, dezenas de microsegundos). Ou seja, para uma dada corrente, h uma tenso mnima que permite o funcionamento correto do conversor. Um aumento nesta tenso pode ser obtido se a corrente ICC apresentar (nos primeiros ciclos) uma ondulao significativa, o que faz com que a componente indutiva da carga tambm contribua com a tenso. A figura 7.21 mostra uma estrutura em ponte dupla e que opera segundo o mesmo princpio descrito. Neste caso, deve haver um circuito adicional para fazer uma pr-carga nos capacitores. As polaridades marcadas nos capacitores indicam as polaridades necessrias para a comutao dos tiristores em conduo. A figura ilustra um exemplo de comutao de T3, quando T5 entra em conduo. Os tiristores auxiliares (T1a, T2a, etc.) servem para proceder ao desligamento dos tiristores principais, atuando apenas durante as comutaes. 7.4.2 Inversor com IGBT (ou GTO) Se a chave semicondutora permite desligamento comandado, como o caso dos transistores e GTOs, pode-se aplicar tcnicas de modulao de largura de pulso, semelhana do que se faz com os inversores de tenso. A figura 7.22 mostra uma topologia deste tipo. O interruptor deve permitir passagem de corrente num nico sentido e ser capaz de bloquear tenses com ambas polaridades. Deve-se garantir que haja sempre uma chave em conduo em cada semiponte. Como a impedncia da carga indutiva, necessria a colocao de capacitores na sada do inversor de modo a acomodar as diferenas instantneas dos valores das correntes de entrada e da carga. Tais capacitncias podem provocar ressonncias com as componentes indutivas do circuito, devendo-se controlar a tenso sobre os capacitores.
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T1a Icc
T1
T3a
T3
T5a
T5
T4a
T4
T6a
T6
T2a
T2
Carga
Cf
M. P. Kazmierkowiski and H. Tunia: Automatic Control of Converter-Fed Drives. Elsevier, Amsterdam, 1994. N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins: Power Electronics: Converters, Applications and Design. John Wiley & Sons, New York, 1994. M. H. Rashid: Power Electronics: Circuits, Devices and Applications, Prentice Hall International, Inc., Englewood Cliffs, 1993. S. B. Dewan, G. R. Slemon and A. Straughen: Power Semiconductor Drives. John Wiley & Sons., New York, 1984
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O mesmo efeito de controle da energia armazenada na indutncia ressonante pode ser feito com o comando adequado dos interruptores da ponte inversora, prescindindo assim da chave adicional. As formas de onda da corrente pela indutncia e tenso vc esto mostradas na figura 8.2.
iL E
L + C
Io
vc
S D carga
Io
DS
Figura 8.2. Formas de onda do conversor Consideremos que a carga tem uma caracterstica indutiva, como um motor de induo. Quando a tenso se anula, como a corrente iL menor do que a corrente Io, o diodo D conduz, suprindo a diferena da corrente. Durante a conduo de D enviado o sinal de comando para S o qual entra em conduo quando a corrente do indutor se torna maior do que a da carga. A corrente tem uma variao linear neste intervalo. O interruptor desligado (sob tenso nula) quando a energia acumulada em L for suficiente para garantir que, no prximo ciclo, a tenso volte a se anular. Os inconvenientes desta estrutura so basicamente dois: A tenso mxima sobre os interruptores apresenta picos com o dobro do valor da tenso CC. Sendo possvel realizar a comutao apenas nos instantes em que a tenso nula, este conversor no se presta ao uso de MLP. Como vantagem pode-se citar a sua grande simplicidade, sendo possvel aplic-la em freqncias de at 100kHz (com IGBTs) Como no se pode usar MLP, o controle feito por Modulao de Densidade de Pulsos MDP. Nesta tcnica, como mostra a figura 8.3., entregam-se carga "pacotes" de energia que possuem uma durao constante (no caso igual ao perodo de ressonncia). A quantidade destes "pacotes" em um certo perodo (relativo freqncia que se deseja na sada) permite alterar o
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valor mdio da tenso sobre a carga. A polaridade determinada pela conduo dos interruptores da semiponte superior (tenso positiva na sada) ou da semiponte inferior (tenso negativa na sada). Assim, a variao da tenso discreta, enquanto em MLP contnua. A tcnica MDP tanto mais eficiente quanto maior a freqncia de ressonncia em relao freqncia fundamental que se quer na sada. Estudos indicam que para uma dada freqncia de ressonncia, o contedo espectral do sinal de sada equivalente ao de um conversor MLP com freqncia de chaveamento 10 vezes menor. Ou seja, um conversor deste tipo operando a 50kHz produz sobre a carga um contedo harmnico semelhante ao de um conversor operando em MLP a 5kHz.
Com a alterao indicada na figura 8.4 a sobre-tenso presente na alimentao do inversor drasticamente limitada. Utiliza-se um interruptor auxiliar e um capacitor adicional para limitar o pico de tenso a um valor pouco superior quele da alimentao CC. A figura 8.5. mostra as formas de onda no circuito ressonante.
Cc +
K.E
Sc L
i +
Vc
carga
Figura 8.4. Circuito com limitao da sobre-tenso. O capacitor Cc pr-carregado com uma tenso K.E, onde K varia tipicamente entre 0,2 e 0,4 (ou seja, com uma sobre-tenso de 20% a 40%). Quando a tenso no capacitor ressonante atinge este nvel, o diodo em antiparalelo com o transistor Sc entra em conduo. Cc muito maior que C, de modo que a tenso fica limitada. O controle adequado de Sc permite controlar a tenso sobre Cc.
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A tcnica de modulao MDP, ou seja, as comutaes s ocorrem em instantes discretos. Consideremos que antes de to o interruptor Sc est conduzindo. A tenso vlink fica limitada e a corrente da carga (suposta constante num curto intervalo de tempo) circula por Cc (o qual, para no se descarregar muito deve ter um valor relativamente elevado). Em to Sc desligado e a corrente de sada fornecida por C. Note-se que neste instante a corrente iL negativa e ser suprida tambm por C. No instante t1 a tenso sobre C se anula e inicia-se um perodo de livre-circulao pelos diodos da ponte inversora. Nesta situao os interruptores so desligados sob tenso e corrente nulas. A corrente iL, que est crescendo linearmente entre t1 e t2, se torna maior do que a corrente da carga em t2, iniciando a recarga do capacitor, de forma ressonante. Quando esta tenso atinge o valor da tenso presente em Cc, em t3, o diodo em antiparalelo com Sc conduz, limitando a tenso. O excesso de corrente iL em relao a Is recarrega Cc. Aps t3, at T, a corrente varia linearmente. Entre t3 e t4 a conduo se faz pelo diodo, mas quando a corrente pelo indutor se torna menor do que a corrente da carga, a corrente comea a circular por Sc. Isto significa que este interruptor deve ter sido acionado ainda durante a conduo do diodo. Aps t4 conduz Sc, o qual ser desligado em T, reiniciando o ciclo. O controle adequando de Sc permite manter constante a tenso sobre Cc.
iL
Vc
(1+K)E
Is
Sc to
C t1 t2
C t3
D(Sc) t4
Sc T
Diodos
A principal limitao dos conversores precedentes a no possibilidade de uso de MLP no acionamento da carga. Alm disso, a presena de indutor em srie com a alimentao, considerando nveis relativamente elevados da corrente, produz perdas significativas (que crescem com o quadrado da corrente), exigindo esforos para sua refrigerao e reduzindo a eficincia do conversor. Diversas outras topologias foram propostas com o objetivo de reduzir perdas e usar MLP, sem um aumento excessivo na complexidade dos circuitos. A figura 8.6. mostra um circuito que praticamente supera ambas restries apontadas.
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Note-se a presena de capacitores em paralelo com os interruptores da ponte. Um capacitor colocado em tal posio permite o desligamento do transistor sob tenso nula, em qualquer momento. Esta tcnica conhecida por ZVS - Zero Voltage Switching. A possibilidade de desligar qualquer chave a qualquer momento (embora o instante de entrada em conduo seja determinado pelo link ressonante) garante a realizao de um controle MLP. Em srie com a alimentao tem-se um interruptor, cujas perdas em conduo crescem com o valor da corrente (e no seu quadrado), permitindo menores perdas, alm de uma proteo contra sobre-correntes.
Dm Sm E Lr iL Ce + Ve Sr Dr
is
Cs Cs Cs
T1 Vlink
Cs
T3
T5
io
carga RL
Cs
Cs
T2
T4
T6
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Como se nota, o instante de entrada em conduo dos transistores da ponte deve ocorrer durante o intervalo em que a tenso vlink nula e o seu desligamento pode ocorrer a qualquer momento, garantindo um comando tipo MLP.
i
Ir1
v E
link
Ir2 Dr T1 T2 t3 T4 T6
Sm to
Sm e Sr t1
Sr t2
Diodos Sr
T1/T4/T6 Ressonncia
I r1 = I m1 + I 01 +
E (2 Ve E) C se Lr
(8.1)
onde I01 o valor da corrente Io (soma das correntes positivas pelas fases da carga) no instante t1, a qual suposta constante no intervalo (t2-t1). Im1 uma margem que leva em conta as perdas no circuito ressonante e tambm assegura uma corrente no indutor Lr que torne o intervalo (t2t1), no qual a tenso se reduz, curto o suficiente. Este mesmo parmetro usado para manter constante a tenso Ve. Cse a capacitncia equivalente com a qual se realiza a ressonncia.
C se = 3 C s
(8.2)
Como Io1 normalmente positiva, Ir1 cresce com o aumento da carga. O valor Ir2 deve satisfazer a duas exigncias: a corrente deve ser suficiente para assegurar que a oscilao seja completa e que a tenso atinja o valor E; adicionalmente, o balano de carga em Ce deve ser respeitado para manter sua tenso constante em regime. Pode-se ainda garantir que a tenso vlink atinja o valor E usando-se uma tenso Ve maior do que E/2. Caso o valor Ir2 seja menor do que a soma das correntes positivas da carga, a oscilao no se inicia instantaneamente. Como a livre-circulao prossegue, a corrente iL continua a crescer (negativamente), at igualar-se a Io, quando se inicia efetivamente a ressonncia.
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Observe que o controle do circuito ressonante necessita do monitoramento da corrente Io e da corrente iL. O valor dos capacitores Cs escolhido em funo dos tempos de desligamento dos transistores e da mxima corrente de carga. O intervalo (t4-t2), no qual ocorre livre-circulao, dado aproximadamente por:
( t 4 t 2) = 2 I r1 Lr Ve
(8.3)
Lr deve ser escolhido como um compromisso entre um mnimo pico de corrente (valor mnimo) e um intervalo (t4-t2) suficientemente longo ( mxima corrente), que permita ao comando ligar os transistores da ponte. Em algumas situaes a corrente de carga pode assumir valores baixos, seja nos cruzamentos com o zero, seja pela variao da carga propriamente dita. Correntes baixas significam que o processo de descarga dos capacitores de snubber (t2t1) se far lentamente, afetando a forma de onda aplicada carga, que no ser mais uma onda quadrada, mas ter uma das bordas muito suavizada. Obviamente o controle MLP fica afetado. Sintetizando, como vantagens deste circuito tm-se: Controle MLP; Reduo nas perdas do circuito ressonante; Reduo na potncia reativa em circulao. Com desvantagens cita-se: Necessidade de monitorar a tenso Ve e as correntes iL e Io; Distoro do controle MLP para baixas correntes de carga; O instante de entrada em conduo dos transistores no livre.
8.4 Inversor com polo ressonante auxiliar
Esta estrutura pertence famlia dos conversores com polo ressonante. Diferentemente dos esquemas precedentes, neste caso cada ramo do inversor possui seu prprio circuito auxiliar para a realizao de comutao suave, de modo que cada ramo livre para comutar a qualquer instante, permitindo o uso de modulao MLP. A desvantagem o maior nmero de componentes ativos e passivos. A figura 8.8. mostra o esquema para uma fase. Os capacitores em paralelo com os interruptores S1 e S2, C1 e C2, permitem um desligamento sob tenso nula, a qualquer momento. O funcionamento da estrutura deve ser tal que, antes da conduo dos interruptores, os diodos em antiparalelo conduzam, descarregando os capacitores de snubber. A sobre-corrente presente no indutor ressonante tipicamente de 1,3 a 1,8 p.u.. A atuao do circuito auxiliar deve se reduzir a um intervalo de 1/10 a 1/20 do ciclo de chaveamento, o que significa que o valor RMS, apesar do maior pico de corrente, bastante reduzido.
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D1
E/2
DA2
DA1
ir
S1
C1
io
Cr/2 Cr/2
E/2
SA2
SA1
Lr S2
D2
Vp
C2
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SA2 SA1 S2 S1 i E Io 0
to t1 t3 t4 t3-t4: D1, SA2, DA1 t4-t5: S1, SA2, DA1 t6
t2
t5
t7
to-t1: D2, SA2, DA1 t1-t2: S2, SA2, DA1 t2-t3: Ressonncia, DA1, SA2 t5-t6: S1 t6-t7: Ressonncia, SA1, DA2 t7-T:D2
Um outro enfoque para se obter comutao suave em topologias em ponte, estejam elas operando como inversor ou retificador, pelo uso de um circuito auxiliar nico que nas transies produzem uma tenso e/ou corrente nula pelo interruptor a ser ligado. Seu funcionamento deve ser tal que seja garantida uma operao tipo MLP, ainda que dentro de certos limites. A figura 8.10. mostra um conversor que faz uso de um circuito auxiliar para permitir uma entrada em conduo suave dos interruptores. O desligamento suave sempre obtido por causa da presena dos capacitores em paralelo com as chaves. Uma estrutura trifsica tambm possvel. A fonte Vf constituda, na verdade, por um capacitor e uma carga resistiva. Sua funo apenas de oferecer um caminho para a absoro de alguma energia remanescente nos indutores La e Lb quando o interruptor auxiliar Sa aberto. Idealmente, Sa deve comutar sob corrente nula. O retificador mostrado opera como fonte de tenso. As indutncias de entrada so de valor muito mais elevado do que as indutncias La e Lb, de modo que, durante o intervalo de comutao pode-se considerar constante a corrente de entrada. A figura 8.11. mostra algumas formas de onda para este conversor.
8.5.1 Princpio de funcionamento O objetivo criar uma condio favorvel para a entrada em conduo dos interruptores, uma vez que o desligamento sempre suave. Suponhamos uma corrente i1 positiva e constante durante o intervalo de comutao. A corrente circula inicialmente por D1 e D4. No instante to entra em conduo a chave auxiliar, Sa, e so enviamos comandos para ligar S1 e S4.
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C2
La
D2 + iLa
S2 v C1 C1
D1
S1 i1 L1 L2
Vf
La Sa Lb v C4 C4
S4
C3
D3
S3
Figura 8.10. Inversor MLP com circuito auxiliar para comutao suave A corrente por La e Lb cresce linearmente. A tenso sobre cada um destes indutores Vo/2. Quando a corrente iLa se torna maior do que i1, em t1, deixa de haver corrente por D1 e D4 e a corrente passa a circular pelos transistores S1 e S4 (que entram em conduo sob corrente nula). Quando a energia acumulada nos indutores for suficiente para produzir a excurso necessria da tenso dos capacitores de "snubber", S1 e S4 so desligados (ZVS), em t2. Inicia-se um processo ressonante, com os capacitores C1 e C4 sendo carregados enquanto C2 e C3 so descarregados. No instante t3 completa-se o intervalo ressonante, e vC1 e vC4 atingem a tenso Vo, enquanto os diodos D2 e D3 entram em conduo. Durante a conduo destes diodos envia-se sinal de acionamento para S2 e S3.
Vo
v C1
0 Vo
v C4
0 Vo/2 Ii
i La
-Vo/2
v La
Sa S1 e S4 S3 S2 to at to: D1 e D4 t3-t4: Sa, D2, D3 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t1-t2: Sa, S1, S4 t6-t7: C1, C3, S2 t8 t9 T
t7-t8: D1, S2
Figura 8.11. Formas de onda do retificador com circuito auxiliar para comutao suave.
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A tenso sobre La e Lb se inverte (para -Vo/2) e a corrente iLa decai linearmente. Quando iLa se torna menor do que i1 os diodos D2 e D3 deixam de conduzir, e a corrente passa a circular por S2 e S3. Em t4, Sa desligado. Caso a corrente por La ainda no tenha sido zerada, a energia presente na indutncia descarregada sobre Vf. Aps t5 o circuito auxiliar no participa mais do processo. Em t6, S3 desligado (ZVS). A corrente i1 provoca a descarga de C1, enquanto C3 vai sendo carregado. Quando, em t7, vC1 se anula, o diodo D1 entra em conduo. A corrente de entrada circula por D1 e S2. Em t8 S2 desligado (ZVS), C2 se carrega e C4 se descarrega. Em t9 D4 entra em conduo, completando o ciclo.
8.6 Referncias Bibliogrficas
D. M. Divan: "The Resonant DC Link Converter: A New Concept in Static Power Conversion". IEEE Trans. on Industry Applications, Vol 25, no. 2, Mar. 1989, pp. 317-325. D. M. Divan and G. Skibinski: "Zero-Switching-Loss Inverters for High-Power Applications". IEEE Trans. on Industry Applications, Vol 25, no. 2, Jul. 1989, pp. 634-643. L. Malesani, P. Tenti, P. Tomasin and V. Toigo: "High Efficiency Quasi Resonant DC Link Converter for Full-Range PWM". Proc. of APEC '92, Boston, USA. R. W. De Doncker and J. P. Lyons: The Auxiliary Resonant Commutated Pole Converter. IEEE - IAS Annual Meeting, 1990, pp. 1228-1235 (accepted for T-IA). V. Vlatkovic: A Zero-Voltage Transition, Three-Phase Rectifier/Inverter. VPEC, Current Summer, 1993, Virginia, USA, pp. 11-18.
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DE
CORRENTE
COM
O estudo que se segue se aplica aos inversores de corrente (aqueles que tem como entrada uma fonte de corrente CC) e aos retificadores com sada em corrente. Os circuitos para a realizao de comutao suave empregados em ambas aplicaes so, na maioria das vezes, os mesmos. Eventualmente um mesmo circuito pode permitir a realizao de comutao suave em ambas as pontes (retificador/inversor) quando conectadas num arranjo CA/CC/CA. Tipicamente os inversores de corrente so aplicados no acionamento de grandes mquinas de corrente alternada, especialmente as de construo mais antiga, cuja isolao no suporta os elevados dv/dt produzidos por inversores de tenso. Devido alta potncia, em geral se faz uso de GTOs. Como caractersticas desejveis para estes circuitos de comutao suave pode-se citar: Mnimo nmero de componentes adicionais, especialmente os ativos; Comutao suave de todos os interruptores; Independncia da corrente de sada e da tenso de entrada; Funcionamento em MLP; Mnima sobre-tenso em relao a um conversor MLP convencional. 9.1 Retificador/Inversor com Link CC ressonante em srie O circuito mostrado na figura 9.1. o de um arranjo de retificador e inversor, intermediado por um circuito ressonante que permite a comutao sob corrente nula dos interruptores. De maneira anloga ao que foi apresentado para os inversores de tenso com link ressonante, o objetivo aqui produzir uma corrente pelos interruptores das pontes que se anule periodicamente, de modo que ocorram comutaes no dissipativas. i Link retificador La Ca inversor
Carga RL ( )
Lb
io
Figura 9.1. Retificador e inversor com link CC ressonante srie Como o desligamento se d sob corrente nula possvel, em princpio, o uso de tiristores. Caso se deseje uma freqncia mais elevada no link deve-se utilizar GTOs, uma vez que sua comutao, alm de mais rpida, pode ser auxiliada por uma adequada corrente de gate. A figura 9.2. mostra a forma da corrente sintetizada sobre a carga. O mtodo de controle o de Modulao por Densidade de Pulsos - MDP.
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A presena do indutor Lb permite um ajuste no nvel contnuo presente na corrente iLink, uma vez que a corrente mdia pelo ramo LC nula.
io
Figura 9.2. Corrente de sada do inversor com controle MDP. 9.2 Inversores/Retificadores MLP com comutao ZCS A operao em MLP pode ser obtida, no mais utilizando um link ressonante, mas com um circuito auxiliar que garanta condies de comutao suave para os interruptores. A figura 9.3. mostra um retificador com sada em corrente empregando um circuito para comutao dos GTOs sob corrente nula. Um circuito anlogo, apenas com a inverso na polaridade do circuito auxiliar pode ser usado para inversores.
Lr
S1 S2 S3 Sa2 D1 Vr
Cr
Sa1
+
D2
Vo
Io
S4
S5
S6
Figura 9.3. Retificador/Inversor com circuito auxiliar para comutao ZCS Foram adicionados ao circuito bsico 2 interruptores, 2 diodos e um conjunto ressonante, Lr /Cr. A limitao deste circuito, mas que tambm est presente em praticamente todas solues deste tipo, a exigncia de uma mnima corrente de carga para garantir a comutao suave. A figura 9.4. mostra as formas de onda sobre o capacitor ressonante, os sinais de comando de alguns interruptores e a forma da tenso de sada, Vo. Note-se a presena dos picos de tenso na sada, e de significativa sobre-tenso, o que tambm so caractersticas deste tipo de soluo. A figura 9.5 mostra um detalhe da comutao.
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(1+K)Vp
Vc
0 S1 e S6 Saux
(1+K)Vp Vi 0 Vo
-(1+K)Vp
Figura 9.4. Formas de onda da tenso no capacitor, dos sinais de comando e da tenso de sada
9.2.1 Princpio de funcionamento A idia bsica que o circuito auxiliar desvie a corrente de sada (suposta constante) nos momentos das comutaes dos GTOs, de modo que estas ocorram sempre sob corrente nula. Seja Vp a mxima tenso instantnea entre fases. O capacitor Cr est inicialmente carregado com uma tenso maior do que Vp, de modo que sempre seja possvel polarizar reversamente os GTOs. Consideremos que as tenses de entrada esto numa situao em que os interruptores S1 e S6 devam conduzir. Como a entrada do retificador tem caracterstica de fonte de tenso, apenas 1 interruptor de cada semiponte pode conduzir a cada intervalo. Inicialmente S1 e S6 esto conduzindo. Por eles circula a corrente de sada. A tenso Vo igual a Vi, ou seja, ao valor instantneo da tenso presente entre as fases conectadas a S1 e S6. Sobre Cr tem-se uma tenso (1+K).Vp, com K positivo. Em to as chaves auxiliares so ligadas. A tenso de sada cresce instantaneamente para (1+K).Vp. Inicia-se uma ressonncia entre Lr e Cr. A corrente de sada comea a circular pelo circuito auxiliar, diminuindo a corrente fornecida pela ponte retificadora. Em t1 a corrente por S1 e S6 se anula e eles desligam. O sinal de gate deve ser retirado aps este instante. Entre t1 e t2 ocorre a descarga do capacitor Cr, a corrente constante. Quando a tenso se anula, os diodos D1 e D2 ficam diretamente polarizados e entram em conduo. Entre t2 e t3 conduzem Sa1, Sa2, D1 e D2, de modo que Cr permanece com tenso nula e a corrente de carga dividida pelos 2 ramos do circuito auxiliar. Em t3 as chaves auxiliares so abertas (sob tenso nula) e o capacitor comea a se carregar. Embora a polaridade da tenso sobre Cr no se altere, a tenso vista na sada se inverte, surgindo um pico negativo. A tenso cresce linearmente at que, em t4, S1 e S6 so ligados novamente. O intervalo entre t3 e t4 deve ser tal que permita ao capacitor recuperar a tenso (1+K).Vp. A entrada em conduo dos interruptores da ponte sob corrente nula. Inicia-se uma ressonncia entre Lr e Cr a qual se conclui quando por Lr circula a totalidade da corrente de sada, em t5. Neste instante a corrente pelos diodos D1 e D2 nula e eles desligam. A tenso de sada volta a assumir o valor da tenso presente na entrada do retificador.
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0 to t1 t2 t3 t4 t5
Zo =
Lr Cr
(9.1)
Para que a corrente absorvida da ponte se anule em t1 necessrio que a corrente desviada pelo capacitor seja maior do que a corrente de carga:
(1+ K) Vp Vi > Io Zo
(9.2)
(9.3)
O valor do capacitor deve garantir um dv/dt menor do que o mximo estabelecido para os interruptores:
Cr >
( )
(9.4)
Lr >
(1 + K) Vp + Vp di dt MAX
( )
(9.5)
Uma outra condio que deve ser atendida que os interruptores da ponte devem ser desligados quando toda a corrente de sada estiver fluindo pelo capacitor (ou seja, aps t1) mas
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antes que a tenso vC caia abaixo de Vi, o que levaria novamente a haver corrente pela ponte. Seja Toff o tempo necessrio para o efetivo desligamento das chaves da ponte: Cr Io max Toff K Vp (9.6)
Para assegurar um desligamento sob tenso nula para as chaves auxiliares, deve-se assegurar que Cr tenha se descarregado totalmente durante o intervalo entre t1 e t2. Assim, define-se um mnimo tempo que estes interruptores devem permanecer em conduo, que aproximadamente igual ao intervalo (t2-t1). Para correntes de sada pequenas este intervalo pode tornar-se excessivamente longo:
( t 2 t1) min =
Cr (1 + K ) Vp Io min
(9.7)
O circuito mostrado na figura 9.6. coloca os elementos ressonantes em paralelo com a ponte, de modo que a corrente de sada no circula continuamente pela indutncia, como ocorre no circuito anterior. Alm disso o circuito apresenta pequena dependncia da corrente de carga, permitindo seu uso numa larga faixa de variao da corrente de sada. O desligamento dos interruptores sempre ZVS por causa dos capacitores de snubber. A entrada em conduo tambm do tipo ZVS.
S1 u1 i1 u2 u3 S4
S2
S3
D1 D2
i2 i3
+ v
Sr Cr Lr
Id
S5
S6
iL
Figura 9.6. Topologia do conversor operando como retificador com sada em corrente O retificador controlado por MLP. No caso das formas de onda mostradas na seqncia, utiliza-se uma estratgia MLP que permite a sntese de uma corrente senoidal de entrada ao mesmo tempo em que fornece a tenso mdia desejada na sada. A tenso de sada do retificador apresenta-se com 3 nveis. A corrente de entrada do retificador uma seqncia de pulsos de amplitude Id na freqncia de chaveamento. A forma senoidal obtida aps uma adequada filtragem. Transies de uma tenso mais alta para uma menor ocorrem naturalmente de maneira suave, uma vez que o GTO que entra em conduo se encontra reversamente polarizado, sendo necessrio que antes de sua efetiva entrada em conduo o respectivo capacitor se descarregue. Consideremos o intervalo indicado na figura 9.7., no qual a tenso ui1 positiva e a maior em mdulo.
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i1
0V
i2
i3
Figura 9.7. Tenses de entrada do retificador A figura 9.8. mostra a forma da tenso de sada, ud, durante este intervalo. O ciclo de trabalho, nesta simulao, foi feito constante por facilidade. Note-se a existncia de corrente pelas 3 fases em cada perodo de chaveamento. O pico negativo presente na tenso de sada tem amplitude pouco superior mxima tenso entre fases, bem como a sobre-tenso positiva. A figura 9.9. mostra os sinais de comando para os interruptores e um detalhe da tenso de sada durante um perodo de chaveamento.
Resonant commutation
u i1-u i2 u i1 -u i3
0
T i1
i2 0
i3 0
Figura 9.8. Tenso de sada e correntes de entrada durante o intervalo . Consideremos a situao mostrada nas figuras 9.8. e 9.9. em que conduzem inicialmente S1 e S5. A tenso na sada a mxima tenso de linha de entrada (ui1-ui2). Quando S5 for desligado, S6 deve entrar em conduo. Como ui2 est mais negativa que ui3, o GTO relativo a S6 est com seu terminal de anodo mais negativo do que o terminal de catodo, ou seja, est reversamente polarizado. A presena de um sinal de gate no o leva conduo. O que ocorre com o desligamento de S5 que o capacitor C6 se descarrega (enquanto C5 se carrega) com a passagem da corrente de sada at que, ao zerar sua tenso, permite a efetiva entrada em conduo de S6. O mesmo comportamento ocorre quando S6 desligado e S4 deve conduzir, realizando o intervalo de livre-circulao. Ou seja, transies de uma tenso maior para uma menor produzem naturalmente comutaes suaves. O problema est na transio inversa, ou seja, na passagem para uma tenso mais alta. Esta passagem se faz com o auxlio do circuito auxiliar, como descrito a seguir.
DSCE FEEC UNICAMP 2006
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S6 S4
S1 S5
S1 S6
S1 S4
Figura 9.9. Sinais de comando dos interruptores e tenso de sada durante perodo de chaveamento. Consideremos as formas de onda mostradas na figura 9.10. e que se referem ao final do intervalo de livre-circulao mostrado na figura 9.9. Consideremos, por facilidade, que a corrente de sada, Id, seja constante; que a tenso de sada seja positiva e que o capacitor ressonante, Cr, esteja pr-carregado com uma tenso negativa uC(0). S1 e S4 esto conduzindo para t<T0. O processo de desligamento se inicia com a comutao de S1 em T0. Neste momento, as tenses sobre S5 e S6 so negativas, iguais tenso de linha. A fim de inibir o aumento desnecessrio destas tenses, S4 mantido em conduo at que se inicie o intervalo ressonante.
u dp +v* 0 u (0) C -v* ud ui
Id 0
iL u
0 -u i
u (S1)
u (S5)
T0
T1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
Figura 9.10. Formas de onda durante a comutao ressonante. A comutao segue os seguintes intervalos:
Intervalo T0-T1 (Figura 9.11.a): A corrente de carga Id comea a fluir atravs dos capacitores de snubber C1, C2 e C3, produzindo uma reduo linear na tenso ud e nas tenses sobre as respectivas chaves.
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Intervalo T1-T2 (Figura 9.11.b.) O diodo D1 comea a conduzir quando a tenso ud se iguala tenso presente no capacitor ressonante, uC(0). Note (fig. 9.10) que uC negativa. Como Cr muito maior do que os capacitores de snubber, a taxa de crescimento da tenso de sada diminui. Uma tenso de limiar, v*, com valor adequado ajustada com o objetivo de permitir, com a ocorrncia da ressonncia, a contra-polarizao dos GTOs que devem entrar em conduo no incio do prximo ciclo. Quando a tenso de sada atinge esta tenso, em T2, S4 aberta e Sr entra em conduo, iniciando, de fato, a ressonncia. Como a diferena entre a tenso inicial em Cr e a tenso de limiar pequena, o intervalo (T2-T1) suficientemente curto, mesmo para baixas correntes de carga.
C1 S1 S2 C2 S3 D2 Sr + S4 C4 S5 C5 S6 C6 uC Id
Id
C3
D1
(a) (b) Figura 9.11. Configurao do circuito nos intervalos (T0-T1) e (T1-T2)
Intervalo T2 a T4 (Figura 9.12.a.) Enquanto a corrente por Lr no atinge a corrente Id, a tenso no capacitor continua a diminuir. O pico negativo acontece em T3. A tenso comea a crescer. Em T4 ambos interruptores que devem entrar em conduo (S1 e S5) encontram-se reversamente polarizados e podem receber o sinal de acionamento.
Id IL
Id IL
(a) (b) Figura 9.12. Configurao do circuito nos intervalos (T2-T4) e (T4-T5)
Intervalo T4 a T5 (Figura 9.12.b.) Durante este intervalo, com ambos interruptores reversamente polarizados, envia-se o sinal de acionamento. Assim que os respectivos capacitores descarregarem, os GTOs entram em conduo. No exemplo, S1 o far em T5 e S5 em T6.
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Intervalo T5-T6 (Figura 9.13.a.) Quando iL se torna negativa, a oscilao ressonante continua devido presena do diodo D2. Em T6 a tenso uC se torna menor do que a tenso entre fases de modo que D1 deixa de conduzir. O comportamento da ressonncia se altera ligeiramente uma vez que os capacitores de snubber deixam de participar dela. Em T5 a chave S1 entra efetivamente em conduo, enquanto S5 s o far em T6. Intervalo T6-T7 (Figura 9.13.b.) A corrente da carga flui por S1 e S5. A ressonncia continua at que iL se anule. Neste instante a tenso uC negativa, recuperando a tenso inicial. Completa-se assim o ciclo.
Id
Id
(a) (b) Figura 9.13. Configurao do circuito nos intervalos (T5-T6) e (T6-T7)
9.3.1 Dimensionamento dos componentes Para que, na ressonncia, ocorra a polarizao reversa dos interruptores a tenso de limiar deve obedecer a:
v* U
(9.8)
onde U o valor de pico da tenso entre fases da entrada. Os elementos do circuito ressonante so calculados a partir dos seguintes parmetros : Mxima corrente de carga, IdMax Mnima corrente de carga que permita comutao suave, Idmin Mxima sobre-tenso na sada, udMax Mnimo intervalo de polarizao reversa das chaves que devem entrar em conduo, td = T5-T4 (9.9)
Esta ltima condio determinada em funo do atraso previsto para o acionamento dos GTOs devido ao processamento do sinal de comando. O valor do pico de tenso na sada dado por:
(9.10)
(9.11)
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Capacitncia equivalente: Ce = C r + 32 Cs
(9.12)
Os capacitores de snubber so calculados considerando o mximo dv/dt dos GTOs. Freqncia de ressonncia: 1 o = Lr .Ce Sobre-tenso com mnima corrente de sada: u dp ( I d min ) m = U
Sobre-tenso com mxima corrente de sada: u dp ( I d max ) M = U O valor de Zo calculado considerando v*=U:
Zo = U I d max M2 1
(9.13)
(9.14)
(9.15)
(9.16)
Pode-se ento calcular m e determinar uma freqncia de ressonncia que satisfaa eq. (9.9).
1 2 arcsin m o = t d
(9.17)
Conhecidos Zo e o determinam-se os elementos do circuito ressonante. As figuras 9.14 e 9.15 mostram resultados experimentais deste circuito, confirmando as anlises anteriores.
ud
u s1
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iL uC
Figura 9.15 Corrente no indutor Lr (10 A/div), tenso no capacitor Cr (100V/div) Horiz.: 4s/div
9.3.2 Funcionamento do circuito como inversor A figura 9.16. mostra as alteraes necessrias para o uso do circuito proposto em um inversor de corrente. A figura 9.17. mostra as formas de onda da tenso de entrada do inversor, ud, bem como os sinais de acionamento dos interruptores que atuam num dado intervalo, no qual a tenso negativa, significando um fluxo de potncia do motor para a fonte. Note-se que agora as transies que naturalmente so no-dissipativas so aquelas de uma tenso menor para uma maior, com o circuito auxiliar atuando na transio da tenso mxima para a mnima.
Lf id S1 iL Lr Cr + v
C
S2
S3 carga e1 i1 e2 i2 e3 i3 S6
ud
D2
Sr
S4 D1
S5
Figura 9.16. Inversor de corrente com circuito auxiliar para comutao ZVS
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T S5 S1
S3 S2
ud
0
S1 S5
S3 S5
S2 S5
u' d
u" d
Figura 9.17. Formas de onda dos sinais de comando e da tenso de entrada do inversor, numa situao de fluxo de potncia da carga para o retificador.
9.4 Referncias Bibliogrficas
Y. Murai and T. A. Lipo: "High-Frequency Series Resonant DC Link Power Conversion". Proc. of IEEE-IAS Annual Meet., 1988, pp. 772-779. G. Moschopoulos and G. Joos: "A Novel Soft-Switched PWM Rectifier/Inverter". Proc. of PESC '94, Taiwan, June 1994, pp. 978-984. Current Source
J. A. Pomilio, L. Rossetto, P. Tenti and P. Tomasin: "Performance Improvement of SoftSwitched PWM Rectifier with Inductive Load". IEEE Trans. on Power Electronics, January 1997. D. Ciscato, L. Malesani, L. Rossetto, P. Tenti, G.L. Basile, M. Pasti and F. Voelker: "PWM Rectifier with Low DC Voltage Ripple for Magnet Supply". IEEE Trans. On Industry Applications, vol. 28, no. 2, March/April 1992, pp. 414-420 S. Buso, L. Rossetto, P. Tenti, P. Tomasin and J. A. Pomilio: "Soft-Switched Current-Fed PWM Inverter with Space Vector Modulation". Proc. of IEEE-IAS Annual Meeting, 1994.
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Em algumas aplicaes, alimentadas em corrente alternada (CA), nas quais deseja-se alterar o valor da tenso (e da corrente) eficaz da carga, usual o emprego dos chamados Variadores de Tenso, tambm designados como Gradadores (Barbi), Contatores Estticos (Labrique e Santana), Controladores (Rashid; Sen). Como aplicaes tpicas pode-se citar, dentre outras: aquecimento (controle de temperatura); reguladores de tenso; controle de intensidade luminosa em lmpadas incandescentes; acionamento de motores CA; partida suave de motores de induo; compensao de reativos em sistemas de potncia (RCT, CCT). Os dispositivos semicondutores de potncia empregados em tais conversores so, tipicamente, tiristores, uma vez que se pode contar com a ocorrncia de comutao natural. Em aplicaes de baixa potncia pode-se fazer uso de TRIACs, enquanto para potncia mais elevada utilizam-se 2 SCRs em antiparalelo, como mostra a figura 10.1.
Vi.sin(wt) carga
Vi.sin(wt) carga
Figura 10.1 - Variador de tenso CA (monofsico) com TRIAC e com SCR. Dois tipos de controle so normalmente empregados: o controle liga-desliga e o controle de fase. 10.1.1 Controle Liga-Desliga Este tipo de controle usado em situaes em que a constante de tempo da carga muito grande em relao ao perodo da rede CA, como em sistemas de aquecimento. O controle consiste simplesmente em ligar e desligar a alimentao da carga (em geral uma resistncia). O intervalo de conduo e tambm o de bloqueio do interruptor tipicamente de muitos ciclos da rede.
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Quando a carga do tipo resistiva, tanto o incio da conduo quanto seu final podem ocorrer em situaes em que tenso e corrente so nulas (incio e final de cada semiciclo da rede) tem-se, ento, o chamado controle por ciclos inteiros. Sua vantagem o de praticamente eliminar problemas de Interferncia Eletromagntica (IEM) devido a baixos valores de di/dt e dv/dt produzidos por este tipo de modulao. Escolhe-se uma base de tempo contendo muitos ciclos da tenso de alimentao. Dentro do perodo escolhido, a durao do fornecimento de potncia carga varia desde um nmero mximo inteiro de semiciclos at zero. A preciso do ajuste depende, assim, da base de tempo utilizada. Por exemplo, numa base de 1 segundo existem 120 semiciclos. O ajuste da tenso aplicada carga pode ter uma resoluo mnima de 1/120. Um mtodo de se conseguir o controle usar um gerador de sinal triangular, de freqncia fixa que comparado com um sinal CC de controle. O sinal dente de serra estabelece a base de tempo do sistema. O sinal de controle CC vem do circuito de controle da temperatura. A potncia entregue carga varia proporcionalmente a este sinal. A figura 10.2 ilustra este funcionamento. Durante n ciclos a carga permanece conectada alimentao, enquanto fica m desconectada.
T n m Vrampa Vc
Figura 10.2 - Operao de controle por ciclos inteiros. A tenso eficaz aplicada carga (considerando o perodo T) dada por:
Voef = n 2 2 Vi [sin (t )] d(t ) 2 ( n + m ) 0
2
(10.1)
Vi 2
n = Vef n+m
(10.2)
onde Vi o valor de pico da tenso de entrada (senoidal); Vef o respectivo valor eficaz e a relao entre o nmero de ciclos de alimentao da carga dividido pelo nmero total de ciclos controlveis, podendo ser interpretada como a razo cclica do controlador. Em termos do impacto deste tipo de controle sobre a qualidade da energia eltrica, embora no se tenha problema de IEM, tem-se a produo de variao de tenso no alimentador em virtude da carga estar ou no conectada. Isto pode, potencialmente, violar normas que versam sobre este assunto (IEC 61000-3-3).
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J. A. Pomilio
10.1.2 Controle de fase No chamado Controle de Fase, em um dado semiciclo da rede, o interruptor (tiristor) acionado em um determinado instante, fazendo com que a carga esteja conectada entrada por um intervalo de tempo menor ou igual a um semiciclo. Os valores de tenso, corrente e potncia na carga dependero, no apenas de ngulo de disparo, mas tambm do tipo de carga alimentada, conforme se ver na seqncia. 10.2 Circuitos monofsicos
10.2.1 Carga Resistiva Para um variador de tenso CA, cujo circuito e formas de onda esto mostrados na figura 10.3 para uma carga resistiva, o desligamento do SCR se dar no momento em que a corrente cai abaixo da corrente de manuteno do componente. Obviamente as formas de onda da tenso e da corrente na carga so as mesmas.
S1 i(t) Ro vi(t) S2 vo
ngulo de disparo
Corrente na carga
Figura 10.3 - Circuito e forma de onda de variador de tenso CA monofsico alimentando carga resistiva. O valor eficaz da tenso aplicada carga resistiva :
Vo ef = 1 1 sin( 2 ) 2 ( Vi sin()) d = Vi 2 2 + 4
(10.3)
onde: vi(t)=Vi . sin () e = t o ngulo de disparo do SCR, em radianos, medido a partir do cruzamento da tenso com o zero.
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A figura 10.4 mostra a variao da tenso eficaz de sada como funo do ngulo de disparo, supondo conduo simtrica de ambas chaves. O fator de potncia dado pela relao entre a potncia ativa e a potncia aparente. Como a carga resistiva, a potncia ativa aquela dissipada em R, dependendo, assim, do valor eficaz da tenso de sada. Como a corrente da fonte a mesma da carga, o fator de potncia simplesmente a relao entre a tenso eficaz de sada e a tenso eficaz de entrada, ou seja, apresenta exatamente o mesmo comportamento mostrado na figura 10.4.
Tenso de sada (ou Fator de Potncia)
1
0.5
[rad] 2 Figura 10.4 - Tenso de sada (sobre uma carga resistiva), normalizada em relao ao valor eficaz da tenso de entrada.
0 1
(10.4)
A variao das componentes harmnica da tenso na carga est mostrada na figura 10.5 e sendo dada por: Vh ( 2 k 1) = cos[ 2 ( k 1) ] cos( 2 ) cos( 2 k ) Vi k2 k + 1 + 2 2 2 2 k ( k 1) 2 k ( k 1) 2 k ( k 1) 2k ( k 1) 2 (10.5)
0.8
0.6
0.4
Harmnica 3
0.2
Harmnica 5 Harmnica 7
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Figura 10.5 - Amplitude dos harmnicos de tenso (normalizado em relao amplitude da tenso de entrada), para carga resistiva.
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Na figura 10.6 tem-se, para um ngulo de disparo de 90o, o espectro da tenso (e da corrente) na carga. Note que, normalizando em relao ao valor da tenso de entrada, os valores coincidem com os previstos na figura 10.5.
Figura 10.6 Espectro da tenso sobre a carga (=90o). 10.2.2 Carga indutiva A figura 10.7 mostra topologia e formas de onda tpicas em um variador de tenso, para alimentao monofsica, tendo como carga uma indutncia pura. Esta configurao tpica de um Reator Controlado por Tiristor (RCT). A operao, neste caso, s possvel para ngulos de disparo entre 90o e 180o. Observe que o aumento do ngulo de disparo implica numa reduo do valor eficaz da corrente. Este efeito pode ser interpretado como um aumento da indutncia vista pela rede, considerando apenas a componente fundamental da corrente, a qual est sempre 90 atrasada da tenso. Ou seja, consegue-se uma indutncia (reatncia) varivel com o ngulo de disparo. Se o disparo ocorrer para um ngulo inferior a 90o, a corrente pelo indutor S1 no ter se anulado quando ocorrer o pulso para S2, de modo que S2 no poder entrar em conduo. Aps alguns instantes a corrente ir a zero, desligando S1, o qual, ao receber o novo pulso de disparo, entrar novamente em conduo. Desta forma, ao invs de se ter uma corrente CA sobre a indutncia, ela ser uma corrente unidirecional. A figura 10.8 ilustra este comportamento. Uma alternativa para garantir uma corrente bidirecional , ao invs de enviar apenas um pulso de disparo, manter o sinal de comando at o final de cada semi-ciclo. Isto faz com que o variador de tenso se comporte como um curto, mantendo uma corrente CA, mas sem controle. A corrente obedece seguinte expresso:
i(t) =
(10.6)
Vo ef = Vi
sin( 2 ) + 2
(10.7)
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S1 i(t) L vi(t) S2 v
o
Figura 10.7 - Circuito e formas de onda de variador de tenso CA com carga indutiva.
Figura 10.8 Formas de onda para ngulo de disparo menor que 90o (pulso estreito). A figura 10.9 mostra a variao do valor desta tenso (normalizado em relao tenso de entrada), como funo do ngulo de disparo. As amplitudes das componentes fundamental e harmnicas (mpares) so mostradas na figura 10.10 e valem, respectivamente:
Vh1 = 2 Vi sin( 2 ) + 2 (10.8)
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Vh ( 2 k 1) =
(10.9)
0.5
Figura 10.9 Tenso de sada (valor eficaz), normalizada, para carga indutiva.
Componentes harmnicas normalizadas
1
/2
[rad]
1a
0.5
a 5 a
7 /2
0
a
2
2.5
1
0.5
3
0
5
2 2.5 3
Figura 10.10 Amplitude (normalizada) das harmnicas da tenso e da corrente sobre uma carga indutiva.
/2
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10.2.3 Carga RL Quando a carga alimentada possui caracterstica resistivo-indutiva existe tambm uma limitao em termos do mnimo ngulo de conduo, o qual depende da impedncia da carga, Z. A figura 10.11 mostra circuito e formas de onda tpicas. Considerando uma situao de conduo descontnua (na qual a corrente por cada um dos tiristores vai a zero dentro de um semiciclo), temos que em t1 o tiristor S1, que est diretamente polarizado, acionado. A corrente cresce e, mesmo com a inverso da polaridade da tenso de entrada, o SCR continua conduzindo, at que sua corrente caia abaixo do valor de manuteno (em t2). O outro tiristor, S2, recebe o pulso de comando em t3, iniciando o semiciclo negativo da corrente, a qual se extinguir em t4.
Z = R 2 + (L)
2
(10.10) (10.11)
S1 i(t) L vi(t)
200V vi(t) -200V 40A i(t) -40A 200V vL(t) -200V t1 t2 t3 t4
L = tg 1 R
S2
Figura 10.11 - Variador de tenso ca monofsico e carga RL. O intervalo controlvel do circuito para ngulos de disparo na faixa . Para ngulo menores que obtm-se corrente unidirecional (caso o pulso de disparo seja de curta durao), ou conduo constante (caso o pulso de gate seja largo). Supondo que a corrente inicial pelo indutor seja nula, a expresso para a corrente no semiciclo positivo : t Vi io ( t ) = sin(t ) sin( ) e tg ( ) (10.12) Z Z o valor obtido da eq. (10.10) para a freqncia da rede. A corrente se anula para um ngulo de extino, , obtido pela soluo numrica de:
sin( ) = sin(
) e tg ( )
(10.13)
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(10.14)
10.3
A figura 10.12 mostra diferentes possibilidades de conexes de variadores de tenso e cargas trifsicas.
Carga Carga
(a) Carga
(b)
Carga
(d) (c)
Figura 10.12 - Topologias de variadores de tenso trifsicos: (a) Com carga em Y; (b) Com controlador em Y; (c) Com variador e carga em ; (d) Com variador em .
10.3.1 Carga resistiva Nos casos em que a conexo em Y, se o neutro (N) estiver conectado, cada fase comporta-se como no caso monofsico apresentado anteriormente. Em situaes em que o neutro no estiver ligado, podem ocorrer 2 casos: a) Conduzem todas as 3 fases A corrente em cada fase dada pela relao entre a tenso de cada fase e a respectiva resistncia da carga. b) Conduzem apenas 2 fases A corrente presente nas fases em conduo dada pela relao entre a tenso de linha e a associao em srie das cargas das respectivas fases. Para um ngulo de disparo entre 0 e 60o, medidos, em cada fase, em relao ao incio do semiciclo da tenso fase-neutro, tem-se a situao indicada na figura 10.13 (para um ngulo de disparo de 42o), ou seja, conduo simultnea de 2 ou 3 tiristores. Para um ngulo entre 60 e 90, apenas 2 tiristores conduzem, cada um deles por um intervalo contnuo de 120. Para ngulos entre 90 e 150, conduzem 2 tiristores, mas existe um intervalo em que a corrente se anula, como mostra a figura 10.14 para um ngulo de 108o.
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Na situao mostrada na figura 10.14, como os tiristores deixam de conduzir antes que se d o disparo da outra fase, o pulso de disparo de uma fase deve ser tambm enviado ao tiristor da outra fase que deve conduzir, para que exista um caminho para a corrente. Para ngulos de disparo maiores que 150 no existe conduo simultnea de 2 tiristores, de modo que no existe corrente por nenhuma das fases.
20A
-20A 20A
-20A 20A
-20A 20A
-20A 20A
-20A 0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
Figura 10.14 - Formas de onda de corrente em controlador trifsico em Y (disparo a 108o) . Para tenses de linha com amplitude Vi, as tenses eficazes em cada fase da carga, para cada intervalo so: Para 0 60o : 1 sin( 2 ) Vo ef = 3 Vi + 8 6 4
Para 60o 90o : Vo ef 1 3 sin( 2 ) 3 cos( 2 ) = 3 Vi + + 16 16 12
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1/ 2
1/ 2
(10.15)
(10.16)
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(10.17)
A conexo do variador de tenso em possvel quando se tem acesso aos terminais das cargas. Uma vantagem que as correntes de fase so menores do que as correntes de linha, o que reduz as exigncias relativas capacidade de corrente dos tiristores. Para carga resistiva, a faixa de controle se estende de 0 a 180 graus. A tenso eficaz de fase tem a mesma expresso do circuito monofsico, afinal, o controle feito sobre cada fase individualmente. O ngulo de disparo medido em relao s tenses de linha. Vo ef Vi = 2 sin( 2 ) 1 + 2
1/ 2
(10.18)
A figura 10.15 mostra formas de onda tpicas de uma corrente de fase e uma corrente de linha resultante. A corrente de fase possui, tipicamente, todos os harmnicos mpares. No entanto, como a carga est em , as harmnicas mltiplas mpares da terceira harmnica no aparecem na corrente de linha. Desta forma, a corrente de linha ser menor do que aquela obtida da relao convencional de um circuito trifsico, ou seja, Ia < 3 Iab . A mesma figura mostra o espectro das correntes, evidenciando a no existncia das harmnicas citadas.
40A
-40A 60A
-60A 5ms
40A
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
0A 50A
0A 0Hz
0.5KHz
1.0KHz
1.5KHz
2.0KHz
2.5KHz
3.0KHz
Figura 10.15 - Formas de onda de corrente de fase (superior) e corrente de linha (inferior) para conexo em . Espectro das correntes de fase (superior) e de linha.
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10.3.2 Carga indutiva (em Y sem neutro) De modo anlogo ao que ocorre no caso monofsico, existem comportamentos diferentes dependendo do ngulo de disparo dos tiristores. Para ngulos menores que 90 graus, os SCRs conduzem continuamente, no havendo controle sobre a carga. Para ngulos entre 90 e 120 graus existem instantes em que 2 fases conduzem e outros em que as 3 fases tm corrente. Pode-se determinar o ngulo no qual uma das fases deixa de conduzir, levando o circuito ao estado em que apenas 2 fases operam. A figura 10.16 mostra a corrente em uma fase, para um ngulo de disparo de 108o.
Corrente de fase
Figura 10.16 - Corrente de fase para carga indutiva e disparo entre 90 e 120 graus. Quando o ngulo de disparo est na faixa entre 120 e 150 graus existem apenas intervalos em que conduzem 2 fases. A corrente se apresenta em pulsos simtricos que se iniciam no ngulo e se anula no instante , simtrico em relao ao ngulo de 150o. A figura 10.17 mostra as formas de onda da tenso e da corrente de fase. O segundo pulso observado se deve ao fato de que a operao correta do circuito exige um pulso longo de gate (com durao de 120 graus), possibilitando um caminho de retorno para a corrente de uma das outras fases. Para ngulos de disparo maiores que 150o no ocorre conduo.
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
Figura 10.17 - Tenso e corrente de fase, carga indutiva, para disparo entre 120 e 150o Na conexo em , com carga indutiva, repete-se o comportamento descrito anteriormente de que cada fase opera como no caso monofsico. A corrente de linha tambm no apresenta os mltiplos mpares da terceira harmnica.
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10.3.3 Carga RL De maneira anloga ao que foi descrito para o caso monofsico, a anlise de cargas RL faz uso de mtodos numricos, devido impossibilidade de obteno de solues analticas. A figura 10.18 mostra formas de onda tpicas, nas quais, para um dado ngulo de disparo tem-se conduo de 2 ou de 3 fases, com o ngulo de anulamento da corrente sendo funo do ngulo de disparo e do fator de potncia da carga.
10A
-10A 10A
-10A 10A
-10A 5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
Capacitor Chaveado a Tiristor (CCT) e Reator Controlado a Tiristor (RCT) Consideremos o circuito mostrado na figura 10.19, no qual tem-se uma linha de transmisso, na qual so inseridos, na metade de seu comprimento, um CCT e um RCT. A conexo do capacitor se d com os tiristores funcionando como chaves estticas, que permanecem continuamente em conduo. J para a conexo do indutor, faz-se um controle do ngulo de disparo. Como carga indicam-se resistncias, as quais alteram o carregamento da rede.
L1 (20mH) R1(.1 ) V1 40 C=100uF L=100mH 40 Vm L2 (20mH) R2(.1 ) VL
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0V
0s
50ms
100ms
150ms
200ms
V1
Vm
VL
-10A
50ms
100ms
150ms
200ms
V1
Vm
VL
Figura 10.21 Formas de onda de tenso e de corrente com atuao do CCT e manobra de carga.
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10.4.3 CCT atuando, sada de carga e atuao do RCT Neste caso, aps a desconexo de 50% da carga, o RCT entra em funcionamento de modo a corrigir a elevao na tenso de sada. A figura 10.22 mostra tal funcionamento, com a carga sendo desconectada em 100ms e o RCT passando a atuar em 170ms. Note-se que a ao do RCT permite, ao consumir parte da potncia reativa inserida no sistema pelo CCT, recuperar o valor desejado para a tenso na carga. A corrente distorcida produzida pelo RCT, ao circular pelo circuito, provoca distores tambm nas tenses, como mostra a figura 10.23. A incluso de um filtro de harmnicas (principalmente a 3a), permite uma substancial reduo na distoro que se observa na tenso, como se v na figura 10.24.
10A I(L1)
I(L2)
I(RCT))
-10A 200V
-200V 20ms
50ms
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
V1
Vm
VL
Figura 10.22 Formas de onda com CCT (fixo), desligamento de 50% da carga e atuao do RCT.
4.0A I(L2) I(L1) I(RCT)
-4.0A 200V
-200V 250ms
260ms
270ms
280ms
290ms
300ms
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10A
i(RCT)
I(L1)
I(L2)
I(filtro)
SEL>> -10A 200V
Cicloconversores so associaes de retificadores controlados (como os vistos no captulo dos conversores CA-CC), de maneira que cada um dos retificadores produza, sobre a carga, tenses com valores mdios opostos, como ilustra a figura 10.25, para o caso de entradas trifsicas e sada monofsica. Aplicao tpica deste tipo de circuito no acionamento de grandes motores CA (induo ou sncrono), na faixa de centenas ou milhares de kVA, em baixas velocidades, como ocorre em monhos, por exemplo, para fabricao de cimento. Dada a alta potncia requerida, no possvel utilizar transistores. Uma vez que a aplicao exige freqncias baixas sobre a carga, torna-se possvel utilizar tiristores com comutao natural. Outra aplicao na alimentao ferroviria em 16 e 2/3 Hz, existente em alguns trechos de ferrovias europias. Cicloconversores, com entrada em 50Hz, tem substitudo os conversores rotativos anteriormente usados. Ainda no setor ferrovirio, h locomotivas diesel-eltricas, cujos geradores (acionados por motores diesel) fornecem uma tenso em 400Hz. Um cicloconversor reduz esta freqncia para fazer o acionamento de motores de induo utilizados na trao, com freqncias at 50/60Hz. O transformador que acopla os barramentos CC serve para, nas comutaes entre os semiciclos limitar a corrente que eventualmente circularia entre os retificadores, por causa do atraso na comutao dos tiristores em funo de se estar alimentando uma carga com caracterstica indutiva. Dependendo da estratgia de comando dos conversores, ou do tipo de carga alimentada, este transformador pode no ser necessrio, desde que se garanta que no ocorrer conduo simultnea dos conversores.
+ Vr
+ Io Vo
Vr
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A figura 10.26 mostra forma de onda sobre a carga (resistiva) em um cicloconversor com entrada e sada monofsicas. Observe que o ngulo de disparo vai se alterando de modo que a tenso mdia na carga acompanhe uma variao senoidal. Neste caso tem-se uma entrada em 50Hz e uma sada em 5 Hz. A figura 10.27 mostra o espectro da tenso, podendo-se verificar a presena da componente de 5 Hz e harmnicas significativas nos mltiplos de 100Hz (freqncia da rede retificada). No caso de uma carga RL (como um motor), a prpria indutncia da carga atua como um elemento de filtragem, o que levar a uma reduo na ondulao da corrente. Por outro lado, como se utilizam SCRs, os mesmos s desligam quando a corrente por eles se anula, de modo que a tenso instantnea sobre a carga pode apresentar valores negativos, como se observa na figura 10.28. A componente fundamental da corrente apresenta-se atrasada em relao tenso, de modo que o fator de potncia menor do que um. Esta defasagem faz com que existam intervalos de tempo, dentro de cada semiciclo da tenso na carga, em que existe fluxo de energia da rede para a carga (quando tenso e corrente tm mesmas polaridades) e intervalos em que a energia flui da carga para a rede (quando tenso e corrente tm polaridades opostas).
Figura 10.26 Formas de onda sobre a carga (resistiva) em cicloconversor com entrada e sada monofsicas.
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Figura 10.28 Formas de onda com carga indutiva. No caso de cargas trifsicas, pode-se fazer uso de trs conversores como o mostrado na figura 10.25. A forma de onda da tenso de linha, supondo uma carga com caracterstica indutiva, apresenta-se como mostra a figura 10.29. Dado o fato da entrada ser trifsica, a ondulao da tenso entre fases apresenta-se com uma freqncia 6 vezes maior que a da rede CA, de modo que se espera uma ondulao na corrente significativamente menor do que aquela mostrada na figura 10.28. Pode-se ainda utilizar um arranjo como o mostrado na figura 10.30, no qual utilizam-se apenas 18 SCRs, no entanto, a pulsao da tenso na carga ocorre numa freqncia de apenas 3 vezes maior que a freqncia da rede.
Figura 10.29 Forma de onda de sada (1 fase) em cicloconversor com entrada trifsica.
Rede CA
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Conversor em Matriz
Desde que esta topologia foi proposta em 1980 por Venturini, tem recebido muita ateno devido sua simplicidade conceitual. No entanto, sua efetiva aplicao tem sido muito restrita devido implementao prtica, especialmente em termos das comutaes no-ideais dos interruptores. Como aspectos positivos tem-se: A ausncia de elementos acumuladores de energia, pois no h indutores nem capacitores no conversor, apenas interruptores. Maior eficincia, quando comparado com um sistema composto por retificador e inversor, no qual haveria 4 interruptores no caminho da corrente, contra 2 neste conversor. Facilidade de operao em 4 quadrantes, com possibilidade de obter-se qualquer forma de onda de tenso e de corrente na sada, e qualquer forma de corrente na entrada. A grande limitao deste conversor, como citado, reside em problemas de comutaes dos interruptores. Observe-se na figura 10.31, onde est ilustrado um conversor com entrada e sada trifsicas, que a conduo de 2 interruptores de um mesmo ramo coloca em curto-circuito a entrada. Devido ao fato de no se conhecer a priori a forma de onda das correntes, principalmente da carga, e necessidade de se garantir um caminho para tais correntes (se esta tiver um comportamento indutivo) a lgica de comando pode se tornar complexa e dependente da observao de todas as tenses e correntes presentes na entrada e na sada.
Sra Ssa Sta G Srb Ssb b Stb D1 a S1 S2 D2
r s t
Figura 10.31 Conversor em matriz, com entrada e sada trifsicas. Os interruptores so bidirecionais em tenso e em corrente, o que significa que devem ser capazes de conduzir e de bloquear em ambos sentidos. Uma vez que no existem tais componentes, eles devem ser realizados a partir da associao de outros como, por exemplo, dois MOSFETs, ou dois transistores e dois diodos, como tambm mostra a figura 10.31. Em ambos arranjos ilustrados, o sinal de comando pode ser nico, entrando em conduo o transistor que estiver diretamente polarizado. O problema da comutao pode ser ilustrado pelo exemplo da figura 10.32, onde se tem um conversor com entrada e sada monofsicas. Suponhamos que no momento analisado tanto a tenso de entrada quanto a de sada estejam com as polaridades indicadas e que a corrente da carga seja positiva. Ao ser ligada, a chave Sa conduzir uma corrente positiva. No momento do desligamento, deve ser ligada a chave Sb de modo a dar continuidade corrente (pois a carga tem caracterstica indutiva). Como as chaves no so ideais, os tempos de comutao podem fazer
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com que duas situaes igualmente crticas surjam: se Sa abrir antes que Sb entre em conduo, surgir um pico de tenso, devido no existncia de um caminho para a corrente da carga. Por outro lado, se Sb conduzir antes que Sa tenha bloqueado, tem-se um curto-circuito aplicado na fonte, levando a um surto de corrente. Ambas situaes so potencialmente destrutivas para os componentes. O esforo atual dos pesquisadores que atuam nesta rea o de implementar tcnicas de comutao que garantam a operao segura deste conversor. Sa i i a o
R + vi Sb i L b vo +
Figura 10.32 Conversor em matriz, com entrada e sada monofsicas. Diferentemente do que ocorre nos cicloconversores, em que s possvel sintetizar formas de onda na sada com freqncia abaixo da freqncia da entrada, neste caso, como so utilizados interruptores totalmente controlveis (transistores ou GTOs), pode-se operar tanto abaixo quanto acima da freqncia da entrada. Topologias alternativas, com sada monofsica, ou com entrada e sada monofsicas tambm so possveis.
10.7 Referncias Bibliogrficas
Francis Labrique e Joo Jos Esteves Santana: Electrnica de Potncia. Edio Fundao Calouste Gulbekian Lisboa, 1991 P. C. Sem: Principles of Electric Machines and Power Electronics. John Wiley & Sons, 2nd Ed., 1997 Muhammad H. Rashid: Power Electronics: Circuits, Devices, and Applications. Prentice Hall, Inc., 2nd Ed., 1993 Ivo Barbi: Eletrnica de Potncia, Edio do Autor Florianpolis, 1997 S. M. Deckmann e J. A. Pomilio: Condicionamento de Energia Eltrica e Dispositivos FACTS. Apostila, FEEC, UNICAMP, 1998. M. Venturini: A new sine wave in, sine wave out, conversion technique eliminates reactive elements. Proc. of Powercon 7, 1980. J-H Youm e B-H Kwon: Switching technique for current controlled AC-to-AC converters. IEEE Trans. on Industrial Electronics, vol. 46, no. 2, April 1999.
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A circulao de corrente eltrica por qualquer elemento provoca uma dissipao de potncia igual ao produto do quadrado da corrente pela resistncia do circuito. Tal potncia dissipada converte-se em calor (Efeito Joule). As relaes entre potncia e energia so indicadas abaixo: 1 W = 0,239 cal/s 1 W.s = 1 J 1 cal = 4,187 J O objetivo estabelecer critrios para o dimensionamento de sistemas de dissipao do calor produzido por componentes eletrnicos, especialmente semicondutores de potncia (diodos, transistores, tiristores, etc.), buscando a proteo de tais componentes, tendo como meta fundamental a elevada confiabilidade dos equipamentos nos quais os dispositivos so empregados. Deve-se tambm buscar volumes, massas e custos to reduzidos quanto possveis. 11.2 Clculo da potncia dissipada
O clculo das potncias deve ser feito, via de regra, pelo produto dos sinais de tenso e corrente sobre o componente em questo. Consideremos para fins de exemplo as formas de onda indicadas na figura 11.1. Os valores da potncia mdia em cada sub-intervalo so calculados na seqncia.
Potncia p=v.i
v V1 I1
i t0 t1 t2 t3 T
Vo t4 t5
Io
Figura 11.1 Exemplo de sinais de tenso, corrente e potncia para clculo de potncia mdia dissipada.
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a)
Intervalo (t1-t0)
i( t ) = Io v ( t ) = V1
1 P1 = Io V1 dt T t0
t1
(11.1) (11.2)
(11.3)
P1 =
b)
Io V1 (t1 t 0) T
Intervalo (t2-t1)
(11.4)
i( t ) = Io +
(11.5)
(11.6)
(11.7)
Sendo Vo << V1 e deslocando o incio da integrao para t = t2 t v ( t ) = V1 1 td onde td = (t3 - t2) (11.10)
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P3 =
1 I1 ( Vo V1) ( t 32 t 2 2 ) I1 V1 ( t 3 t 2) I1 ( Vo V1) t 2 + T 2 ( t 3 t 2)
(11.11)
i( t ) = I1 + ( Io I1)
( t t 4) ( t 5 t 4) ( t t 4) ( t 5 t 4)
(11.14)
v ( t ) = Vo + ( V1 Vo)
(11.15)
P5 =
1 ( t5 2 t 4 2 ) I1 Vo tj [I1 V1 + Io Vo 2 Vo I1] t 4 + T 2 tj
( Io I1) ( V1 Vo) ( t53 t 4 3 ) t 4 ( t 5 2 t 4 2 ) + t 4 2 ( t 5 t 4) 2 3 tj onde tj= t5 - t4 Simplificadamente: t i( t ) = I1 1 tj t v ( t ) = V1 tj Usando as equaes (11.18) e (11.17) tem-se: P5 = V1 I1 tj 6T
(11.16)
(11.17) (11.18)
(11.19)
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A potncia mdia dissipada ser: P = P1 + P2 + P3 + P4 + P5 Os picos de potncia no exemplo dado so: Pp1 = V1 I1 , em t = t2 Pp2 =
( t 4 + t 5) V1 I1 , em t = 2 2 2
(11.20)
(11.21) (11.22)
claro que as linearizaes das curvas de corrente e tenso por si s constituem uma simplificao e, portanto, implicam em erros. O uso de bom senso, atuando de maneira moderadamente conservativa fundamental para um clculo seguro. Alguns osciloscpios digitais possuem a funo produto e at mesmo a sua integral, facilitando o clculo (o valor integrado deve ser dividido pelo perodo de chaveamento). Este o mtodo mais indicado especialmente em regime chaveado. Para sinais contnuos, a potncia , obviamente, o produto dos valores de tenso e corrente. Na ausncia dos equipamentos e/ou recursos citados, deve-se obter os sinais de tenso e corrente e aproxim-los, em partes, por funes de fcil integrao.
11.2.1 Diodos Usualmente a tenso de conduo dos diodos de potncia da ordem de 1 V, valor este que aumenta quanto maior for a tenso do componente, devendo-se verificar o valor dos manuais. O efeito da resistncia de conduo pode ser, em geral, desconsiderado. A dissipao no estado bloqueado pode ser desprezada em funo de seu pequeno valor em comparao com as perdas em conduo. A figura 11.2 indica uma situao de aplicao tpica de diodos, qual seja, uma ponte retificadora trifsica, operando, assim, em baixa freqncia de comutao. O fator dominante aquele relativo s perdas em conduo. Para um clculo analtico aproximado da potncia mdia, pode-se considerar a tenso de conduo constante (Vd) e utilizar-se o valor mdio da corrente. Como a freqncia de comutao baixa, as perdas relativas a este termo podem ser desprezadas. A corrente mdia pode ser estimada, conhecida a potncia consumida pela carga, lembrando-se que por cada diodo circula 1/3 da corrente total. Assim, para uma entrada de 200V (valor eficaz), tem-se uma tenso retificada de cerca de 300V. Supondo uma carga de 150 , a corrente mdia pelo diodo ser de 0,66A. Para uma queda de tenso de 2 V, tem-se uma potncia mdia de 1,32W. J para a determinao da potncia de pico, como se deve conhecer o valor de pico da corrente, uma estimativa analtica mais difcil, uma vez que a forma da corrente depende da impedncia da linha trifsica e ainda de eventuais indutncias parasitas das conexes, que podem alterar o valor do pico da corrente. Alguns catlogos de diodos fornecem grficos indicando a potncia ou energia dissipada pelo componente em funo da forma de onda da corrente.
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20W
potncia Carga
tenso
Figura 11.2. Tenso, potncia e corrente em um diodo de uma ponte retificadora trifsica com filtro capacitivo. A figura 11.3 mostra as formas de onda tpicas de um diodo. As perdas devido recombinao reversa so, em geral, desprezadas, uma vez que durante o tempo de decaimento da corrente a tenso baixa. Somente quando atingido o pico negativo da corrente reversa que a tenso comea a crescer. Neste caso a potncia dissipada dada por:
Pr = Q rrn Vr f
(11.25)
Qrrn Vr f
: carga de recombinao reversa relativa ao intervalo t5 : tenso reversa : freqncia de repetio Para a entrada em conduo, como o intervalo t1 muito rpido, no se leva em considerao a potncia a dissipada.
t3 t1 dif/dt iD i=Vr/R dir/dt Qrr trr
Vfp vD -Vr t2
Von
t4 t5 Vrp
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pode ser feito analogamente ao que foi indicado para os diodos, pois esta uma situao de pior caso (ngulo de conduo de 180o). A queda de tenso em conduo em torno de 1,4 V, devendo-se verificar nos manuais o valor correto.
11.2.3 Transistores a) Em regime contnuo Se o transistor (bipolar ou MOSFET) estiver operando em sua regio ativa, a potncia por ele dissipada simplesmente o produto da corrente pela tenso. Caso os valores no sejam constantes, a potncia mdia dissipada pode ser calculada pelo produto da corrente e tenso com valores RMS.
b) Em regime chaveado Formas de ondas tpicas de tenso e corrente pelo componente esto indicadas na figura 11.4. Os valores mdio e de pico podem ser calculados (estimados) de acordo com o que foi indicado anteriormente, para formas de onda genricas. Note que, em relao s formas de onda da figura 11.1, tem-se um agravante que a corrente de recombinao reversa do diodo, que se soma corrente do transistor, aumentando significativamente o pico de potncia dissipada na entrada em conduo do transistor.
200V 100A
0W
20.0us
30.0us
40.0us
50.0us
60.0us
66.5us
Figura 11.4. Formas de onda tpicas de potncia em um transistor utilizado em fonte chaveada com carga indutiva. No caso de transistores bipolares, a tenso de saturao est em torno de 0,4V (verificar valor no manual) mas para conexo Darlington este valor cresce para cerca de 1,2V, uma vez que o transistor no entra na regio de saturao. A corrente no estado bloqueado pode, em geral, ser negligenciada para o clculo da potncia. Um clculo preliminar da potncia dissipada no componente deve ser feito antes da montagem do circuito a partir dos dados de manual. Com o funcionamento do equipamento deve-se verificar as formas de onda reais e reconsiderar o dimensionamento do sistema de dissipao. Os manuais de transistores bipolares de potncia, em geral, indicam os tempos caractersticos de chaveamento para cargas resistivas e indutivas, devendo-se empregar os tempos mximos estipulados para o dimensionamento preliminar. Uma vez que o desempenho do componente fortemente influenciado pelo circuito de acionamento da base, pela carga e por componentes parasitas, um dimensionamento mais rigoroso s ser possvel aps o funcionamento do equipamento. Como regra geral, deve-se buscar o chaveamento mais rpido possvel embora isto possa trazer problemas de interferncias e surgimento de picos de tenso e/ou corrente devido aos
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elevados di/dt e dv/dt e aos componentes indutivos e capacitivos (parasitas ou no) do circuito. Medidas para reduo destes tempos ou tcnicas de chaveamento sem perdas podem ser encontradas fartamente na bibliografia. Os transistores MOSFET produzem menores perdas de chaveamento pois seus tempos de subida e queda da corrente de dreno so menores que os obtidos para a corrente de coletor dos transistores bipolares, sendo indicados para aplicaes em freqncias elevadas. No entanto possuem maiores perdas de conduo que os transistores bipolares equivalentes. Suas perdas em conduo podem ser preliminarmente aproximadas pelo produto da resistncia entre dreno e fonte (RDS) pelo quadrado da corrente, ponderando-se pelo ciclo de trabalho. No entanto, como RDS se altera (cresce) com a elevao da temperatura necessrio, em projetos mais acurados, considerar tal efeito. Para IGBTs, como para os bipolares, faz-se o clculo utilizando a tenso Vce e a corrente de coletor.
11.3 Comportamento em regime permanente: potncia mdia Nos dispositivos semicondutores de potncia o calor decorrente do efeito Joule produzido na pastilha semicondutora, fluindo da para ambientes mais frios, como o encapsulamento do dispositivo e o ambiente. Este fluxo de calor depende de fatores como o gradiente de temperatura e as caractersticas trmicas dos meios e materiais envolvidos. Define-se a grandeza resistncia trmica como uma medida da dificuldade do fluxo de calor entre 2 meios:
Rt =
T 1 = (h A ) P
(11.26)
T: diferena de temperatura entre regies de transferncia de calor P: potncia mdia dissipada h: coeficiente de transferncia de calor A: rea envolvida na transferncia de calor Em geral se faz uma analogia com um circuito eltrico, mostrado na figura 11.5, sendo a potncia mdia representada por uma fonte de corrente. As temperaturas nos ambientes indicados (juno, cpsula, ambiente) so anlogas s tenses nos respectivos ns, enquanto as resistncias trmicas so as prprias resistncias do modelo.
R Tj tjc R Tc R tcd P Td tca Ta
R tda
Figura 11.5. Equivalente eltrico para circuito trmico em regime permanente (incluindo dissipador). Via de regra a temperatura ambiente (Ta) considerada constante e o objetivo do dimensionamento garantir que a temperatura da juno semicondutora (Tj) no ultrapasse um dado valor mximo. As resistncias trmicas entre juno e cpsula (Rtjc) e entre cpsula e ambiente (Rtca) so dados do componente, existindo nos manuais. Eventualmente se omite o valor da resistncia entre cpsula e ambiente caso seu valor seja elevado e seguramente seja utilizado algum dissipador de baixa resistncia trmica.
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(11.27)
(11.28) (11.29)
(Rtca Rtda )
As principais caractersticas de um dissipador esto relacionadas s suas dimenses e, especialmente sua superfcie de contato com o ambiente, responsvel pela troca de calor e, portanto, pelo valor de sua resistncia trmica. Em geral estes dispositivos so construdos em alumnio dados sua boa condutividade trmica (condio indispensvel), baixo custo e peso. O volume do dissipador se associa s caractersticas dinmicas dos fenmenos trmicos, como se ver adiante. A figura 11.7 mostra perfis tpicos de dissipadores. A utilizao de grande nmero de aletas para aumentar a rea de troca de calor. A resistncia trmica para uma placa plana quadrada pode ser aproximadamente dada por:
Rtda = 3,3 4 W C f + 650 Cf A
o o
(11.30)
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W: espessura do dissipador [mm] A: rea do dissipador [cm2] Cf: fator de correo devido posio e tipo de superfcie Tabela 11.1 Valores de condutncia trmica para diferentes materiais: Material (W/oC.cm) Alumnio 2,08 Cobre 3,85 Lato 1,1 Ao 0,46 Mica 0,006 xido de berlio 2,10 O fator Cf varia com a posio do dissipador, sendo prefervel uma montagem vertical horizontal por criar um efeito chamin. Dissipadores pretos so melhores irradiadores de calor que aqueles com superfcie brilhante. Tabela 11.2 Valores para Cf: corpo brilhante corpo negro Montagem vertical 0,85 0,43 Montagem horizontal 1,00 0,50 O valor efetivo da resistncia trmica do dissipador pode ser significativamente reduzido por circulao forada de ar, como indicado na figura 11.6. 1 R
0.8
0.6
0.4
0.2
10
11
12
13
14
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Na montagem do componente semicondutor sobre o dissipador existe uma resistncia trmica entre o encapsulamento e o corpo do dissipador, a qual determinada, principalmente, pelo ar contido entre os corpos, devido s rugosidades e no alinhamento das superfcies. Este fato pode ser minimizado pelo uso de pastas de silicone ou outro tipo de material que seja bom condutor trmico e isolante eltrico. Caso seja necessrio isolar eletricamente o corpo do componente do dissipador utiliza-se, em geral, isoladores de mica ou de teflon, que apresentam uma resistncia trmica adicional entre cpsula e dissipador. Tabela 11.3 Valores tpicos de resistncia trmica entre cpsula e dissipador
Tipo de cpsula Tipo de isolador Rtcd (oC/W) s/ pasta 0,3 1,25 a 1,45 1,2 a 1,5 0,4 a 0,5 1,5 a 2,0 1,2 a 1,4 1,5 a 2,0 4,0 a 6,0
TO - 3
TO - 66
TO - 220AB
c/ pasta 0,1 0,7 a 0,8 0,5 a 0,7 0,15 a 0,2 0,6 a 0,8 0,6 a 0,8 0,3 a 0,5 2,0 a 2,5
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Zt/Rt =0.5
=0.1
0.1
=0.05
0.01 1 10
0.001
0.01
0.1
pulso nico
tp
t A1=A2
(11.31)
tp T
(11.32)
Uma vez determinada a temperatura relativa potncia mdia pode-se calcular a temperatura de pico que se tem na juno utilizando estes dados:
Tj p = Tc + Pp Z tjc ( tp, )
(11.33)
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Exemplo 2: Rtjc = 2o C/W Rtca = 5o C/W Rtcd = 2o C/W Rtda = 3o C/W Ztjc = 0,05o C/W Tjmax = 150o C Ta = 40o C P = 20W Pp = 1000W
Rtca (Rtcd + Rtda ) Tj = Ta + P Rtjc + Rtca + Rtcd + Rtda Tj = 130 oC (o componente est protegido em relao potncia mdia) Tc = 90 oC Tj = Tc + Pp . Ztjc = 140 oC
(11.34)
(11.35)
O componente tambm est protegido nos transitrios. Caso a temperatura calculada da juno ultrapassasse o valor mximo seria necessrio recalcular o dissipador para que a temperatura da cpsula fosse baixa o suficiente para permitir a elevao na juno decorrente do pulso de potncia.
11.5 Clculo de dissipadores
Neste item indicam-se alguns critrios a serem adotados no dimensionamento de dissipadores. Os valores de potncia sero dados como ponto de partida mas nas situaes reais devero ter sido calculados a partir de dados de manual ou de observao das formas de onda sobre o componente. A temperatura de trabalho da juno deve ser 20% a 30% menor que seu valor mximo, para permitir a proteo do componente sem superdimensionar o dissipador. Para ambientes nos quais no se faa um controle rgido da temperatura deve-se usar uma temperatura ambiente de 40oC (exceto se for possvel a ocorrncia de temperaturas ainda mais elevadas). Caso o dissipador fique dentro de algum bastidor ou caixa na qual a temperatura possa se elevar acima dos 40oC deve-se considerar sempre a mxima temperatura do ar com o qual o dissipador troca calor. conveniente, falta de maiores informaes utilizar o valor de 40oC e verificar aps a entrada em operao do prottipo a verdadeira temperatura ambiente. Deve-se verificar a necessidade do uso de isoladores (mica, teflon ou mylar) e no desconsiderar suas resistncias trmicas. O emprego de pastas trmicas sempre recomendado e se deve considerar tambm sua resistncia trmica.
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Exemplo 3: Rtjc = 1oC/W Rtca = 35oC/W Rtcd = 0,7oC/W (isolador e pasta) Ztjc = 0,01oC/W P = 20W Pp = 5 kW Tjmax = 150oC Ta = 40oC
a) Clculo em regime permanente Tj = 0,8 . Tjmax = 120oC Tj = Ta + P . (Rtjc + Rteq) Rteq = 3oC/W Rteq = Rtca (Rtcd + Rtda ) ) Rtca + Rtcd + Rtda
Rtdamax = 2,58oC/W O dissipador trmico selecionado deve possuir uma resistncia trmica inferior calculada. Por exemplo: Rtda = 2oC/W Assim o novo Rteq ser 2,5oC/W. b) Clculo em regime transitrio Tc = Ta + Rteq . P = 90oC Tjp = Tc + Ztjc . Pp = 140 oC >120o C Como, no transitrio ultrapassa-se o valor de Tj estabelecido preciso redimensionar o dissipador, a partir de um valor admissvel para Tc. Tcmax = Tj - Ztjc . Pp Tcmax = 70oC Tcmax = Ta + Rteq . P Rteq = 1,5oC/W Rtda = 0,86oC/W (11.36)
Assim, para proteo do dispositivo contra a potncia mdia dissipada e os pulsos de potncia nos transitrios, deve-se usar um dissipador com resistncia trmica de 0,8oC/W. Outra possibilidade usar um dissipador com resistncia trmica maior mas fazendo uso de ventilao forada.
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Componentes idnticos so freqentemente montados prximos em placas, quando um nico dispositivo no pode dissipar toda a potncia projetada, por exemplo, um conjunto de transistores em paralelo em um regulador srie para alta corrente. Cada dispositivo dissipa praticamente uma mesma frao da potncia total. A mxima temperatura ocorrer no centro da placa, com uma distribuio parablica de temperatura, com o mnimo nas bordas. A diferena de temperatura entre as bordas e qualquer ponto da placa dada por: T= q ( L2 X 2 ) 2 KA (11.37)
L: distncia entre a borda e o centro da placa [cm] K: condutividade trmica do material da placa [cal/s.cm.C] A: seo transversal da placa [cm] X: distncia, a partir do centro, onde se quer saber a temperatura [cm] q: potncia distribuda entre o centro da placa e o ponto X [cal/s]
11.7 Refrigerao forada
Sistemas eletrnicos de alta potncia freqentemente utilizam refrigerao com circulao forada de lquidos. Em geral os componentes so montados em placas metlicas de cobre ou alumnio, atravs da qual circula o lquido refrigerante, normalmente por condutores ocos soldados placa. gua provavelmente o melhor lquido para resfriamento em termos de densidade, viscosidade, condutividade trmica e calor especfico. Para operao de longa durao deve-se prever uso de gua destilada e deionizada. Se a temperatura esperada puder cair abaixo do ponto de solidificao ou acima do de ebulio deve-se adicionar outro lquido gua, como o ethylene glycol o que tambm previne a corroso do cobre ou alumnio usado nos dutos. O clculo do sistema de refrigerao relativamente elaborado, utilizando frmulas aproximadas e indicadas nas referncias e que no sero tratadas aqui.
11.8 Referncias bibliogrficas
B.W.Williams: Power Electronics, Devices, Drives and Applications, MacMillan Education, 1987 Ivo Barbi: Progress in the Development of High-Frequency nondissipative Commutation power Converter Technologies, Power Electronics Seminar, Dec, 15-16, 1988, Florianpolis, Brazil P.L. Hower Power Semiconductors Devices: An Overview, Proc. IEEE, vol. 76, no 4, April 1988 R.D.King er alli: Comparison of Power Darlinton, IGBT and MCT Switch Losses in ASD PWM Inverters, PCIM, August 1990 D.S.Steinberg: Cooling Techniques for Electronic Equipment, John Wiley & Sons, Inc., 1980.
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