Condutores, isolantes e semicondutores

banda de conduo

banda de valncia

Metal A razo de porque alguns materiais so condutores enquanto outros so isolantes est na ocupao e distribuio das bandas. No Na, por exemplo, a banda correspondente ao orbital 3s, que pode abrigar 2 e-, abriga apenas 1. Com isso, h nveis disponveis na banda para que os e- possam aumentar suas energias ao serem acelerados. Alm disso, a banda do orbital 3p est desocupada e coincide parcialmente com o 3s, permitido que os e- passem de uma para outra. O Mg, por sua vez, tem a banda 3s completa, mas a 3p tambm se superpe a ela, fazendo do Mg um condutor.
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Quando um campo eltrico suficientemente intenso para promover e- para a banda de conduo, ocorre a ruptura do dieltrico.

Isolante
Isolante Eg ~ 10 eV

Um slido considerado um isolante, quando sua banda de valncia est completa e h uma separao, superior a ~ 2 eV, at a primeira banda disponvel, a banda de conduo. Quase todos os cristais inicos so isolantes, pois ambos os ons tm suas camadas fechadas, como no caso do NaCl. A banda vazia mais prxima vem dos estados excitados dos ons Na+ e Cl-, que apresentam uma diferena de energia muito grande em relao cama da de valncia. A excitao trmica, ou mesmo os campos eltricos usualmente empregados, no so suficientes para conseguir promover um e- da banda de valncia para a de conduo.
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Semicondutor

banda de valncia fFD Semicondutor Eg ~ 1 eV

Quando a largura da banda proibida pequena (menor que 2 eV), o slido considerado um semicondutor. Consideremos o caso do C, que forma 4 ligaes covalentes com outros C para formar o diamante. Dos 8 estados que o orbital hbrido sp tem, apenas 4 formam estados ligantes. Os outros 4 correspondem a autofunes espaciais anti-simtricas, com energias mais altas. Esses estados vo dar origem s bandas de conduo. Dependendo da distncia interatmica, a separao entre as bandas de valncia e de conduo pode fazer do material um isolante (caso do diamante) ou um semicondutor (caso do Si e do Ge). Semicondutor intrnseco: semicondutor puro, sem impurezas que afetem a FNC0376 - Fsica Moderna 2 3 distribuio de e- ou buracos. Aula 24

e- de conduo

Conduo eltrica em semicondutores buracos

Conduo Proibida Valncia

eltrons

r E
Um campo eltrico aplicado a um semicondutor produz conduo eltrica devido ao movimento dos e- na banda de conduo, bem como dos buracos na banda de valncia. No caso dos buracos, o movimento tambm se deve aos e-, que, devido ao campo, ocupam sucessivamente a vacncia deixada pelo e- promovido banda de conduo, fazendo com que a vacncia se desloque no sentido oposto.

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Probabilidade de ocupao na banda de conduo: f FD ( E ) =

1 e ( E E F ) / kT + 1

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Distribuio da densidade eletrnica dos eda banda de conduo do Ge

Distribuio da densidade eletrnica dos e- da banda de valncia do Ge

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Dopagem de semicondutores
O processo de dopagem de semicondutores refere-se adio, ao cristal intrnseco, de pequena quantidade de impureza, com propriedades adequadas, de forma a afetar o comportamento eltrico do semicondutor da maneira desejada. Existem dopantes doadores e receptores, que produzem os semicondutores tipo n e tipo p, respectivamente.

Tipo n Si dopado com As (que tem valncia 5)

Eg ~ 1 eV Ed ~ 0,05 eV

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Tipo p Si dopado com Ga (que tem valncia 3)

Eg ~ 1 eV Ea ~ 0,07 eV

Fixo!
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