Livro Completo - Eletrônica Aplicada

MUNDI - UNIVERSO EDUCACIONAL Módulo I - Eletrônica Aplicada
ELETRÔNICA
APLICADA
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Capítulo 01
EVOLUÇÃO HISTÓRICA DA ELETRICIDADE E DA de curiosidade até 1.600 dC, quando William Gilbert,
ELETRÔNICA cientista inglês, estudou esse fenômeno de forma
científica. No trabalho "De Magnete”, teorizou os efeitos
Eletricidade e eletrônica constituem ciências correlatas, naturais das rochas que tinham propriedades de atração
podendo-se afirmar que a eletricidade é a mãe da de outros corpos, distinguindo-as dos efeitos similares
eletrônica. Apesar de apresentarem a mesma origem, produzidos por fricção. Aliás, deve-se a Gilbert o uso, pela
atualmente existe distinção entre as duas concepções. primeira vez, do termo “eletricidade” para o fenômeno de
Eletricidade pode ser definida como a ciência que estuda atração gerado pela fricção do âmbar e de outros objetos.
o fluxo ordenado de carga elétrica em um material Também, no século XVII, tornou-se famosa a experiência,
condutor e seus fenômenos físicos correlatos, como atribuída a Benjamin Franklin, de empinar uma pipa
eletromagnetismo, por exemplo. durante uma tempestade, com uma chave amarrada
à linha da pipa molhada. Segundo a narrativa, faíscas
Independente da definição formal em si, no mundo pularam da chave para a mão do cientista, quando um raio
moderno se torna muito fácil perceber o que é atingiu a pipa, demonstrando que o raio possui natureza
eletricidade, pois ela nos cerca a todo instante, permitindo elétrica.
que funcione a maioria dos objetos cotidianos. Só para
citar um exemplo: a leitura deste material de aula exige Muitas outras experiências ajudaram a construir a
uma máquina movida a eletricidade. Caso se leia à noite, definição de eletricidade e de suas relações com outros
a eletricidade permite que haja luz para a leitura. fenômenos. Seguem alguns destaques históricos que
merecem menção.
Na realidade, mesmo nos tempos mais remotos da
história, mesmo antes da existência do ser humano na Nos anos 1.800, a pilha foi inventada por Alessandro
terra, a eletricidade sempre existiu. Fenômenos naturais Volta, que conhecia um trabalho de Luigi Galvani, médico
relacionados à eletricidade, como o raio e os peixes com italiano. Galvani percebeu que a aplicação de eletricidade
propriedades de carga elétrica, por exemplo, existiram estática, com uma haste metálica, nos nervos de uma
desde muito antes do surgimento da humanidade. No rã dissecada causava a contração do músculo da rã. A
entanto, os fenômenos elétricos nem sempre foram partir disso, Volta concluiu que se tratava de corrente
utilizados de forma organizada e racional pelos humanos elétrica a qual circulava nos músculos em contato com
como se utiliza hoje. um metal. Com base nisso, criou a pilha, empilhando (daí
o nome “pilha”) alternadamente discos de zinco e de
Ao longo do tempo, o uso da eletricidade evoluiu, partindo cobre, separando-os com tecidos molhados com ácido.
de observações esporádicas de efeitos elétricos naturais Tal invenção da pilha constituiu um ponto revolucionário
há milhares de anos. Também houve época em que a na história da eletricidade, pois propiciou a criação do
eletricidade era encarada como “magia” ou “bruxaria”. primeiro dispositivo a fornecer eletricidade de forma
Depois foi teorizada e estudada até se transformar nessa controlada e estável.
ciência que se conhece hoje.
Outra contribuição relevante foi dada pelo físico
Ainda a palavra eletricidade vem do grego elektron, que dinamarquês Hans Christian Oersted, que, em 1820,
significa “âmbar’’, o qual constitui uma resina natural, observou que uma bússola mudava sua orientação
resultado da fossilização de árvores. Na Grécia antiga, magnética natural quando se aproximava de um fio
Tales de Mileto observou que o âmbar, esfregado em conduzindo corrente elétrica. Seus estudos levaram ao
pele de carneiro, era capaz de atrair fragmentos leves de desenvolvimento da teoria que prova que há uma estrita
palha, por exemplo. ligação entre eletricidade e magnetismo.
Mais tarde o francês Andre-Marie Ampere aplicaria

Com o tempo se percebeu que outros materiais, além do
esse conhecimento de Oersted para criar aparelhos
âmbar,tinham essa propriedade. Notou-se que, inclusive,
eletromagnéticos, como o eletroímã e o galvanômetro.
alguns elementos naturais podiam também atrair outros
Assim, a evolução desse conhecimento tornou-se
objetos, mesmo sem serem friccionados.
fundamental para a história da eletricidade, havendo
diversos exemplos que mostram essa importância, como
Assim os fenômenos elétricos constituíam apenas objeto
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atuais instrumentos de medição, os quais utilizam o do século XX, os inventos e o desenvolvimento da

princípio do galvanômetro, nas válvulas com solenoides, eletricidade já permitiam a geração, a transmissão e o
que usam o princípio do eletroímã, etc. uso da energia elétrica de forma comercial. Apesar de
muitos equipamentos elétricos, hoje usados, terem sido
Na mesma época, o físico inglês Michael Faraday descobriu inventados naquela época, o salto tecnológico viria com o
que um condutor elétrico, ao ser movimentado em um advento da eletrônica no século XX.
campo magnético, gerava eletricidade. Isso não somente
confirmava a ligação entre eletricidade e magnetismo, Antes da eletrônica, as fontes de eletricidade podiam
sugerida por Oersted, como comprovava que a corrente ser de corrente contínua, como a pilha, ou de corrente
elétrica circulava apenas quando havia movimento do alternada, como a gerada pelos geradores elétricos
condutor. Isso permitiu ao físico criar as bases da relação movidos a óleo, a carvão, a água, etc. As variações em
entre eletromagnetismo e movimento. termos de tensão, potência, frequência, etc., e mesmo a
conversão entre corrente contínua e corrente alternada
Mais tarde, o mesmo Faraday estabeleceu as relações eram possíveis, mas apenas por meio do uso de pesados
matemáticas entre a corrente elétrica e força equipamentos eletromagnéticos e mecânicos.
eletromotriz, o que se conhece hoje como a lei de indução
eletromagnética de Faraday. Então, as descobertas de Em 1904, John Fleming, cientista britânico, inventou
Faraday permitiram o desenvolvimento de máquinas um dispositivo capaz de converter corrente alternada
magnéticas, como o transformador e o motor elétrico, em corrente contínua, usando um efeito descoberto
largamente usados nos dias atuais. Além disso, o mesmo por Thomas Edison durante a criação da lâmpada. Esse
princípio se utiliza para construção de geradores rotativos, dispositivo, chamado de “diodo de Fleming”, consistia de
base da moderna geração de energia elétrica atual. Ainda uma lâmpada incandescente com um terminal adicional
Faraday contribuiu para pesquisas posteriores ao sugerir para um eletrodo. Quando a lâmpada acende com o
a hipótese de que a luz seria a propagação das ondas aquecimento do filamento, elétrons acabam sendo
magnéticas elétricas. espalhados no vácuo. Aplicando-se no eletrodo adicional
um determinado potencial (mais positivo que o filamento),
Mais tarde, em meados do mesmo século XIX, James os elétrons são direcionados e se cria uma corrente direta
Maxwell comprovou a hipótese de Faraday sobre a natureza entre o filamento e o eletrodo adicional. Tal corrente flui
eletromagnética da luz. Essas descobertas formam a base do filamento para o eletrodo, mas o contrário não ocorre,
do que se conhece hoje por irradiação eletromagnética, de forma que se estabelece um sentido único de fluxo de
que não só explica a propagação da luz mas também a corrente. Isso permitiu, num primeiro momento, que
propagação de ondas eletromagnéticas nas mais diversas esses diodos fossem utilizados para transformar corrente
frequências isso permitiu que, mais tarde, se criassem alternada em corrente contínua.
aparelhos de rádio, evoluindo-se atualmente para os mais
diversos equipamentos de transmissão conhecidos. Mais tarde, na tentativa de melhorar o diodo de Fleming,
o inventor Lee de Forest patenteou um dispositivo com
No final do século XIX, em 1880, o conhecimento acumulado, um eletrodo adicional, que ele chamou de “grade”. Tal
aliado ao espírito empreendedor de Thomas Edison, grade, que podia modular o sinal de corrente da válvula,
permitiu a invenção da primeira lâmpada incandescente transformou-se no primeiro amplificador eletrônico,
comercial. A criação de luz a partir do efeito Joule já era chamado por Forest de “Audion”. Os inventos de
conhecida de Edison, pois diversas tentativas de se criar Fleming e de de Forest abriram espaço para a criação de
luz a partir da eletricidade já haviam sido feitas desde o equipamentos que podiam manipular a energia elétrica
início do século XIX por diversos cientistas. Cabe a Edison de formas impensáveis anteriormente. Assim, abriram um
o título de inventor da lâmpada por ter criado a primeira leque de aplicações na indústria, permitindo invenção de
lâmpada que podia ser produzida e comercializada. equipamentos de áudio e de vídeo, de telecomunicações,
Também Edison é reconhecido pelo espírito inventivo, de automação, de computação, etc.
tendo patenteado mais de 2.000 inventos e criado uma
das maiores companhias da história da humanidade, que Ainda o próximo passo na evolução da eletrônica deu-
ainda existe até hoje, a General Electric. se por um trio de pesquisadores, formado por John
Bardeen, Walter Bratain e William Shockley. Em 1947,
Então, a partir da segunda metade do século XIX, a inventaram o transistor, fruto de pesquisas de materiais
eletricidade propiciou tamanha revolução nos hábitos semicondutores, o que lhes rendeu, em 1956, o prêmio
que a história reconhece ser ela a principal característica Nobel de Física. Tal invenção do transistor permitiu
da chamada Segunda RevoluçãoIndustrial. Até o início que operações de manipulação de energia elétrica,
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que somente podiam ser feitas por meio de válvulas, ao número de elétrons.
pudessem se realizar por componentes muito menores,
sem necessidade de aquecimento e com eficiência muito Na formação do átomo, prótons e nêutrons encontram-
maior. se sempre juntos e formam um miolo central chamado
NÚCLEO.
A tecnologia de produção de semicondutores permitiu
que diversos componentes eletrônicos pudessem ser Ao redor do núcleo, movimentam-se os elétrons,
criados. Atualmente os diodos dos mais diversos tipos descrevendo órbitas elípticas fechadas, distribuídas em
(incluindo o LED) e os transistores são fabricados em níveis, em camadas ou em bandas progressivamente
tamanhos e em formatos adequados à miniaturização de afastadas do núcleo. O conjunto dessas camadas é
circuitos. Além desses componentes, os semicondutores chamado de ELETROSFERA.
podem ser utilizados para fabricação de tiristores,
dispositivos de chaveamento controlado, de alta potência,
usados extensivamente na indústria de automação para,
por exemplo, controle de velocidade de motores, e
mesmo em equipamentos domésticos, como “dimmers”
e controladores de temperatura de chuveiros e de
velocidade de ventiladores.
Também a evolução da tecnologia de encapsulamento dos

semicondutores permitiu que se conseguissem embutir,
em espaços microscópicos, milhares de transistores
ligados de forma a executar tarefas que antes eram Dependendo do número de elétrons, os átomos
feitas por gigantescos equipamentos valvulados. Ainda apresentam determinado número de camadas
os circuitos integrados (CI) se usam extensivamente em eletrônicas. Entretanto, o número máximo de elétrons
circuitos analógicos e digitais. Sua evolução permitiu que a última camada (camada externa) pode possuir é
alcançar o estágio científico atual em que se encontra a oito. Tal camada, denominada CAMADA DE VALÊNCIA,
humanidade, sendo parte essencial dos controladores apresenta elétrons chamados de ELÉTRONS DE VALÊNCIA.
domésticos, comerciais e industriais, sem os quais hoje se Essa camada de valência determinará se o elemento é
torna impossível se executarem tarefas cotidianas. bom ou mau condutor.
Além disso, a compreensão da tecnologia eletrônica Para que um átomo possua configuração estável, a
demanda o conhecimento dos princípios básicos de camada de valência deve possuir oito elétrons. Quando
eletricidade e também o conhecimento dos princípios de possui menos de quatro elétrons, eles encontram-se
ciências dos materiais e de suas propriedades elétricas. fracamente ligados ao núcleo, sendo considerados LIVRES
Nas próximas aulas, serão apresentados conhecimentos e facilmente deslocados através de diferença de potencial
básicos necessários ao aprendizado de eletrônica. (d.d.p.). Tais elementos denominamse CONDUTORES.
Inversamente, nos ISOLANTES, os elétrons são em número

sempre maior que quatro, sendo fortemente ligados ao
FÍSICA DO SEMICONDUTOR núcleo.
Entre os condutores e os isolantes, encontra-se o grupo

dos SEMICONDUTORES, que apresentam exatamente
Segundo a Teoria Atômica de Rutherford e Bohr, o átomo
quatro elétrons na camada de valência.
constitui-se por três partículas: elétrons, prótons e
eletrons.
Exemplos de semicondutores são o Silício (Si) e o Germânio
(Ge), utilizados na fabricação de diodos, transistores e
Os prótons são eletricamente Positivos, isto é, possuem circuitos integrados.
CARGA ELÉTRICA POSITIVA. Já os elétrons apresentam
CARGA ELÉTRICA NEGATIVA. Por sua vez, os nêutrons são Também os semicondutores podem se comportar como
eletricamente NEUTROS, isto é, não têm carga elétrica. condutores ou como isolantes, dependendo de como os
átomos estiverem ligados a outros elementos químicos,
Num átomo neutro, o número de prótons é sempre igual através do processo chamado Dopagem
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CRISTAIS DO TIPO N E DO TIPO P controlar a condutividade do material.
Os Cristais do Tipo N, ou Negativo, são doadores de Tal semicondutor, tratado para ter excesso de elétrons
elétrons. Já os Cristais do Tipo P, ou Positivo, são receptores livres, chama-se Semicondutor Tipo N. Essa designação
de elétrons. “N” vem de Negativo, pois o elétron é negativo.
Cristais do Tipo N Cristais do Tipo P
Nesse caso, a dopagem faz-se por um Elemento Nesse caso, a dopagem faz-se por um Elemento Trivalente,
Pentavalente, isto é, um elemento que possui cinco isto é, um elemento que tem três elétrons na última
elétrons na última camada. Como exemplos de elementos camada. Como exemplos de elementos trivalentes, têm-
pentavalentes, têm-se o Fósforo (P), o Antimônio (Sb) e o se o Alumínio (AI), o Índio (ln), o Gálio (Ga) e o Boro (Bo).
Arsênio (As).
Pelo processo de dopagem, substitui-se um átomo de
Pelo processo de dopagem, substitui-se um átomo de Germânio, de sua estrutura cristalina, por um átomo
Germânio de sua estrutura cristalina, por um átomo de de Alumínio. Como o Alumínio apresenta três elétrons
Antimônio. Como o Antimônio possui cinco elétrons de de valência e o Germânio possui quatro, uma ligação
valência e o Germânio apresenta quatro, apenas quatro covalente ficará incompleta. Isso significa que se criou
elétrons de Antimônio tomarão parte nas ligações uma falta de elétrons, ou seja, foi criada uma lacuna, uma
covalentes. Assim, o quinto elétron (que sobrou) não carga positiva.
participará de nenhuma ligação, ficando, portanto,
fracamente ligado ao núcleo. Isso significa que se tem um
elétron livre.
Nesse caso, os elementos de dopagem (o Alumínio),

que criam lacunas móveis ao Germânio, denominam-se
receptores.
Aplicando-se uma d.d.p., o elétron se locomoverá Já o semicondutor, tratado para ter lacunas, chama-se
facilmente, visto que é móvel, isto é, passa de um átomo Semicondutor Tipo P. Essa designação “P” vem de Positivo,
para outro, não permanecendo preso ao seu átomo. pois a lacuna é positiva.
Nesse caso, os elementos de dopagem (o Antimônio), que Então, o material do Tipo P, analogamente ao do Tipo N,
fornecem elétrons móveis ao Germânio, denominam-se terá lacunas móveis, tantas quanto forem os átomos de
doadores. impurezas introduzidas. Sua condutividade também se
alterará de acordo com a dopagem.
Pode-se constatar que, se um átomo de impureza forneceu
um elétron livre, “n” átomos de impurezas fornecerão “n” Portadores Majoritários e Portadores Minoritários
elétrons livres. Assim, com o processo de dopagem, pode-
se controlar, de acordo com as necessidades, a quantidade Os elétrons e as lacunas são portadores de carga elétrica,
de elétrons livres de que se necessita e, em consequência, uma vez que, quando nos movimentos produzem a
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corrente elétrica, transportam consigo determinada carga

elétrica. Embora tais quantidades diminutas não causem
efeitos perceptíveis nas propriedades químicas ou
Quando se trata de semicondutor puro, chega-se à mecânicas do semicondutor, produzem enorme
conclusão de que o número de elétrons livres é sempre efeito nas concentrações de portadores móveis e,
igual ao número de lacunas. consequentemente, nas propriedades elétricas do
material. Em outras palavras, um semicondutor puro não
No caso do Semicondutor do Tipo N, o número de difere em nada de um semicondutor dopado, no que diz
elétrons livres é muito grande comparado ao número de respeito às propriedades químicas ou mecânicas. Apenas
lacunas, ou seja, predominam, como portadores de carga, a condutividade é alterada.
os elétrons. Daí se denominam os elétrons de Portadores
Majoritários e as lacunas, de Portadores Minoritários. Compensação
No caso do Semicondutor do Tipo P, ocorre o inverso. Uma vez que o tipo de condutividade se determina
O número de lacunas é muito grande se comparado ao apenas pela concentração de impurezas, uma amostra
número de elétrons livres. Portanto, num semicondutor de semicondutor pode ser convertida de um tipo de
do Tipo P, as lacunas são os Portadores Majoritários e os condutividade em outro pela introdução da impureza
elétrons, os Portadores Minoritários. apropriada. Por exemplo, um semicondutor Tipo P pode
ser convertido em um semicondutor Tipo N, pela adição
Tabela - Portadores com as devidas designações. de impurezas doadoras em quantidade suficiente para
trocar o sinal da concentração efetiva de impurezas. Se
o material continha originalmente uma concentração “x”
Tabela 1 Portadores com as devidas designações.
de impurezas aceitadoras, esse material é do Tipo P. Caso
Semicondurtor Portadores Portadores se acrescente concentração “2.x” de impurezas doadoras,
Majoritários Minoritários esse material passará a ser do Tipo N.
Tipo N Elétrons Lacunas Esse método de mudança do tipo de condutividade pela

adição de impurezas denomina-se compensação, que é
fundamental para a tecnologia dos semicondutores.
Tipo P Lacunas Elétrons
Junção PN
Supondo-se que seja realizado o processo de compensação

Difusão apenas na metade de uma amostra de semicondutor Tipo
P, tem-se, então, metade da amostra do Tipo N e outra
Num semicondutor, os portadores de carga podem metade, do Tipo P.
se locomover de diversas maneiras: por ação de raios
luminosos, por d.d.p. ou por difusão.
Na difusão, os portadores deslocam-se de pontos de

maior concentração para pontos de menor concentração
de cargas, até que aconteça um equilíbrio. Assim, portam-
se analogamente a um gás, que se encontra concentrado
num pequeno recipiente: ao ser libertado apresenta
tendência de sair e se “espalhar” pelo ambiente,
ocupando todo o espaço. Com isso, há um equilíbrio do
gás, que antes estava sob pressão.
Estabelecida a junção, inicia-se o processo de difusão de
Curiosidade elétrons de N para P e difusão de lacunas de P para N.
Um fato de muita importância é a pequeníssima Como são portadores de cargas de sinais e de sentidos
quantidade de impurezas necessárias para tornar opostos, os elétrons e as lacunas estabelecem, com o
extrínseco um semicondutor, segundo os oadrões processo de difusão, uma corrente elétrica de P para N,
clássicos, químicos ou metalúrgicos. chamada corrente de difusão.
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a) no material Tipo N ou Tipo P, há um equilíbrio geral transformando-se em íons. Íons são, portanto, átomos
de cargas pela distribuição uniforme de portadores ou conjuntos de átomos que não apresentam equilíbrio
majoritários dentro do material; elétrico. Ou seja, grosso modo, são átomos cujo número
de “negativos” é diferente do número de “positivos”.
b) os portadores majoritários ligam-se à estrutura do
material semicondutor. Apesar de serem considerados Assim, íon positivo é aquele formado pela perda de
livres, fazem parte da estrutura cristalina e não podem ser elétrons; íon negativo é aquele formado pelo ganho de
retirados da mesma; elétrons ou pela perda de lacunas.
c) o material por si não apresenta carga e não há fluxo de Como citado, os íons descobertos originam uma barreira
corrente entre dois tipos de material, se forem colocados de potencial,ou seja, uma d.d.p., representada na figura
simplesmente em contato um com o outro. Portanto, a anterior por uma bateria.
corrente de difusão só se estabelece na região da junção.
Essa carga, ou potencial, é muito pequena, de décimos de
Na junção e nas proximidades, os elétrons e as lacunas volt apenas, mas produz barreira ou obstáculo à passagem
encontram-se e se recombinam. Por causa dessa ação de dos portadores de corrente.
cancelamento ou de neutralização na junção, estabelece-
se então uma carga entre os dois tipos de material. Para passar de um lado da junção para o outro, o elétron
ou a lacuna deve receber uma energia igual a essa barreira
Uma vez que alguns dos portadores majoritários (elétrons de potencial. Para o Germânio, tal barreira é da ordem de
no Tipo N e lacunas no Tipo P) se cancelam uns aos outros, 0,3V e, para o Silício, de 0,7V.
o material adquire, na junção, uma carga positiva para o
material semicondutor N (porque alguns de seus elétrons A barreira em questão chama-se Região de Transição ou
foram neutralizados) e negativa no material semicondutor Camada de Carga Espacial - C.C.E. ou Zona de
P (porque algumas de suas lacunas foram neutralizadas). Depleção, pois nessa região não existem cargas móveis,
somente íons fixos à rede cristalina. Lembre-se de que o
Não se pode esquecer (item “b”) que os portadores termo “Depleção” significa vazio (repleto = cheio; depleto
majoritários estavam ligados na esrutura do cristal = vazio).
antes da formação da junção, e que havia distribuição
uniforme (item “a”) desses portadores nos materiais Destaque-se que a espessura dessa região é da ordem de
semicondutores. Assim sendo, por si só, o material tinha 0,5 mícron = O,5x10-6 metros.
uma carga global igual a zero.
Na região de transição ou nas proximidades, os portadores
Portanto, na medida em que vão se recombinando, os minoritários ficam sob a ação do campo elétrico da
portadores deixam a “descoberto” na região de transição barreira. Elétrons dirigem-se, então, para N e lacunas, para
íons positivos e negativos. P. Estabelece-se, aí, uma corrente de difusão, denominada
Torna-se importante lembrar a definição de íon. Em certas corrente de campo.
condições, os átomos podem perder ou receberelétrons,
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Portanto, uma junção PN constitui um sistema físico onde,

contínua e simultaneamente, se processa uma série de
fenômenos dinâmicos.
Na situação de equilíbrio, as correntes de difusão e de

campo igualam-se. Como são opostas, não pode haver
circulação de corrente na junção, a menos que se aplique
tensão externa.
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Capítulo 02
JUNÇÃO PN COM POLARIZAÇÃO INVERSA E POLARIZAÇÃO DIRETA
Polarização Inversa Polarização Direta
Considere-se uma Junção PN polarizada inversamente, Nesse caso, o polo positivo da bateria ligase ao lado
isto é, com o polo positivo da bateria ligado ao lado positivo P da junção e o pólo negativo, ao lado negativo
negativo N da junção. N da junção.
Inversamente ao que ocorre no caso anterior, as lacunas

de P repelem-se pelo polo positivo da bateria e os elétrons
de N, pelo pólo negativo da bateria, provocando a redução
da largura da zona de transição e, em decorrência, da
resistência interna da junção.
Nesse caso, as lacunas de P serão atraídas pelo pólo

negativo da bateria e os elétrons de N, pelo polo positivo
da bateria.
Em conseqüência, aumenta o número de íons positivos

em N e de negativos em P,o que ocasiona, por sua vez, os Assim sendo, as lacunas no material P circulam do borne
seguintes aumentos: positivo para o borne negativo da bateria; os elétrons
a) o da barreira de potencial e, em consequêncial o campo no material N circulam do borne negativo para o borne
elétrico; positivo da bateria.
b) o da largura da zona de transição e, em consequência, Assim sendo, as lacunas no material P circulam do borne
o aumento da resistência interna da junção. positivo para o borne negativo da bateria; os elétrons
no material N circulam do borne negativo para o borne
Devido a essas alterações, a corrente de difusão diminui positivo da bateria.
sensivelmente, enquanto a corrente de campo aumenta
um pouco (por se tratar de uma corrente de minoritários). Continuamente, à junção chegam lacunas, que circulam
em um sentido, e elétrons, cir culando em sentido
Ainda, a corrente total estabelecida, que circula pela contrário. Quando os elétrons encontram as lacunas na
junção, chama-se Corrente Inversa ou Corrente Reversa junção, neutralizam mutuamente suas cargas, ou melhor,
- IR. se recombinam. Isso permite a formação de mais lacunas
na extremidade positiva do material P e a entrada de mais
Tal corrente inversa, muito pequena, varia em função elétrons na extremidade negativa do material N.
da tensão inversa aplicada, até atingir um valor máximo
denominado Corrente de Saturação Inversa ou Corrente Dessa maneira, efetuam-se todas as condições necessárias
de Fuga. Esse valor corresponde à largura máxima da para uma contínua circulação de corrente o que realmente
zona de transição. ocorre. Em outras palavras, a corrente de difusão aumenta
e a corrente de campo diminui, resultando uma corrente
Também, a junção inversamente polarizada apresenta total bem maior que no caso anterior, denominada
resistência muito grande, da ordem de mega-ohms, e a Corrente Direta - ld.
corrente de saturação inversa normalmente é da ordem
de microamperes. Ainda, a junção diretamente polarizada apresenta
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resistência baixa, da ordem de algumas dezenas de ohms. resistividade é bem maior que a do Germânio e, em
consequência, seu rendimento será maior.
O Diodo de Junção
DIODOS SEMICONDUTORES
O Diodo de Junção corresponde ao dispositivo de dois
terminais, constituído pela Junção PN que se acabou de Curva Característica
estudar. Destaque-se que o termo diodo significa “dois
eletrodos”, sendo que “odou, em grego, é “caminho”. A curva característica do diodo de junção, que traduz
Portanto, diodo constitui o dispositivo que possibilita dois a relação I= f(V), varia em função da construção e da
caminhos para os elétrons. finalidade específica a que se destina o diodo. Apresenta
basicamente o aspecto mostrado a seguir:
Observe-se, na figura a seguir, no símbolo do diodo, que
a parte em forma de seta aponta no sentido convencional
da corrente elétrica.
Como nos transistores, que se verão logo a seguir, os

símbolos para componentes semicondutores apresentam
sempre as setas apontando para a região N.
Na região de condução, a corrente cresce de início,

lentamente. Vencida a barreira de potencial, cresce, a
seguir, rapidamente, atingindo valores elevados para
valores ainda pequenos de tensão. Assim, torna-se
necessário proteger o diodo com um resistor externo para
limitar a corrente, evitando que correntes muito altas
possam danificá-lo.
A partir de 0,3 V (diodo de Germânio) e 0,7 V (díodo

de Silício), a resistência do diodo passa a ser desprezível
em função da resistência externa do circuito, variando a
corrente linearmente com a tensão.
Sintetizando, o diodo de junção permite a passagem de Diodo Retificador

corrente elétrica em um único sentido, quando polarizado
diretamente, e bloqueia a corrente, quando polarizado Embora o diodo seja o mais simples dos dispositivos
reversamente. semicondutores, é o que tem maior gama de aplicações.
Como principal aplicação do díodo está a retificação. Na
Considerações sobre os diodos: retificação, utilizam-se as características da condução
direta e de bloqueio.
a) Quanto maior a dopagem, menor a zona de transição;
Um díodo ideal é um curto-circuito em condução direta e
b) O Silício é mais utilizado, porque pode trabalhar um circuito aberto, quando inversamente polarizado. Isto
com tensões e correntes mais altas e possui menor é, permite a passagem de corrente em um único sentido.
sensibilidade à temperatura; Assim, ele atua como condutor em um sentido e como
isolante no sentido oposto.
c) À temperatura ambiente, o Silício quase não tem
elétrons livres, se comparado ao Germânio; Então, quando um retificador se insere em um circuito de
corrente alternada, somente a metade dos semícíclos de
d) Um diodo de Silício tem uma corrente reversa muito tensão pode dar lugar a uma corrente e sempre naquele
menor do que um diodo de Germânio, pois sua sentido para o qual o retificador é um condutor.A outra
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metade não consegue produzir a corrente no sentido em de um díodo retificador ligado entre a fonte de tensão
que o retificador atua como isolante. alternada e a carga.
RL é a Resistência da Carga ligada à sua saída (L = Load =

Carga).
A tensão máxima no secundário do transformador é VMÁX
Nesse circuito, só existe corrente durante a metade de

cada ciclo. Na realidade, há uma corrente muito pequena,
Para se inverter a polaridade da tensão contínua, basta de portadores minoritários, durante os semiciclos
inverter o díodo. negativos, porém pode ser considerada nula.
--Valor Médio da Tensão na Carga: VLm = VMáx /p= 0,318.

VMáx
--Valor Máximo da Corrente na Carga: ILMáx = VMáx/RL
Em consequência, a corrente em um circuito retificador --Valor Médio da Corrente na Carga: ILm= IMáx/p=0,318.IMáx
simples é contínua pulsada e não contínua pulsante.
--Valor Eficaz da Tensão na Carga: VLef= VMáx/2
--Valor Eficaz -da Corrente na Carga: ILef=IMax/2verif.
Nesse tipo de retificação, a tensão média na carga é muito

baixa: 0,318.VMÁX. Portanto, precisa-se de alto valor
de tensão no secundário do transformador, para se ter
Especificações do Diodo boa tensão média aplicada à carga (perde-se V2 ciclo de
tensão).
a) Tensão de Ruptura (breakdown) - VBR ou BrV ou
BV - ou Tensão Reversa de Pico - PRV - ou Tensão nversa
Retificador de Onda Completa com Center Tap
de Pico - PIV - ou Tensão Reversa Máxima - VRM - ou (derivação central)
Tensão Reversa Máxima de Trabalho - VRWM.
Após essa tensão, o díodo conduz intensa mente e será Esse retificador parece com dois retificadores de meia
danificado pela excessiva potência dissipada (calor). onda, voltados um de costas para o outro, com um
retificador controlando o primeiro semiciclo e com o
b) Corrente Direta Máxima - IdMÁX outro, o semiciclo alternado.
e) Corrente Reversa Máxima - IRmáx
d) Potência Dissipada Máxima - PdMax
e) Temperatura Máxima da Junção - TjMÁX
CIRCUITOS RETIFICADORES
Por causa do secundário com derivação central, cada
circuito do diodo recebe apenas metade da tensão do
Retificador de Meia Onda secundário: VL = VS/2.
O circuito básico de retificação de meia onda consiste Durante o primeiro semiciclo, a tensão alternada do
11
transformador torna positivo o ânodo do diodo superior. Quando a corrente alternada apresenta polaridade
Então, o diodo conduz e, como resultado, a corrente passa positiva no extremo superior do transformador, a corrente
através da carga, produzindo um pulso de tensão entre os elétrica sai desse extremo do enrolamento, passa através
terminais. Quando o diodo superior conduz, o ânodo do de D3, através da carga RL, através de D1 e volta ao
diodo inferior está negativo e, assim, ele não conduz. extremo inferior do transformador.
Quando a polaridade da tensão alternada é invertida, a

corrente elétrica sai do extremo inferior do enrolamento,
Durante o segundo semiciclo, o ânodo do diodo superior atravessa os diodos D2, D4 e a carga RL.
fica negativo e, portanto, ele não pode conduzir. Enquanto
isso, o ânodo do diodo inferior fica positivo, de maneira Essa corrente elétrica que atravessa a carga tem sempre
que a corrente passa através dele e da carga. Como os o mesmo sentido em ambos os semiciclos da tensão
dois pulsos de corrente da carga têm o mesmo sentido, de entrada. Portanto, a tensão que aparece na carga é
aparece uma tensão contínua pulsada entre os terminais. contínua pulsada.
O retificador de onda completa transformou os dois

semiciclos de corrente alternada de entrada em uma
--Valor Médio da Tensão na Carga: VLm=2.VMáx/p=0,636.
saída de corrente contínua pulsada.
VMÁX
--Valor médio nda Tensão na Carga: VLm=2.VMÁX/p=0,636.
--Valor Máximo da Corrente na Carga: ILMÁX=VMÁX=/RL
--VMÁX
--Valor Médio da Corrente na Carga: ILm=2.ILMÁX/p=0636.
--Valor Máximo da Corrente na Carga: ILMÁX=VMÁX/RL
ILMÁX
--Valor Eficaz da Tensão na Carga: VLef=VMÁX/ √2=0,707.VMÁX
--Valor Eficaz da Corrente na Carga: VLef=VMáx/√2=0,707.
VMÁX
--Valor Eficaz da Corrente na Carga: ILef=IMÁX/ √2=0,707.IMÁX
--Valor Eficaz Corrente na Carga: ILef=IMáx/√2=0,707.IMÁX
Retificador de Onda Completa “em Ponte”
Comparação entre os três tipos de Retificadores
Funciona como o de onda completa, com a vantagem de
não necessitar da derivação central no transformador.
Meia Onda
-- VLm=VMáx/p=0,318.VMÁX
-- mas VMÁX=VSec.ef. √2
-- então, VLm=0,318. VSec.ef.√2

12
-- VLm=0,45. VSec.ef -- VLm = 0,90. VSec.ef
Onda Completa com Center Tap Como se pode verificar, o retificador “em Ponte” produz
tensão média na saída VLm igual a 90% da tensão eficaz
-- VLm=0,636.VSec.MÁX/2 = 0,636. VSec.ef √2/2 do secundário do transformador VSec. ef; os outros
retificadores produzem tensão na saída VLm de somente
-- vLm=0,45. VSec.ef 45%.
Onda Completa com Center “em Ponte” Levando tudo isso em conta, o retificador em ponte é o
melhor para a maioria das aplicações e o mais utilizado
-- VLm = 0,636.VSec.MÁX = 0,636. VSec.ef √2 na indústria.
-- VLm = 0,636.VSec.ef. √2
13
Capítulo 03
FILTRAGEM
Como explanado, os retificadores fornecem, nas saídas,

tensões contínuas pulsadas, nunca perfeitamente
contínuas.
Lembre-se de que, quando um capacitor se liga aos Logo que o resistor de carga se liga em paralelo, o capacitor
terminais de uma bateria, ele se carrega até ficar com a começa a se descarregar e a tensão cai. Contudo, a tensão
tensão da mesma, desde que haja tempo suficiente para não cai a zero, porque um novo pico de tensão aparece.
isso. Isso significa que, ao se ligar o capacitor descarregado Esse novo pico de tensão carrega, outra vez, o capacitor
a uma bateria, este é praticamente um curto-circuito e, ao que passa a se descarregar, por meio do resistor, até um
se carregar, se transforma num circuito aberto. novo pico.
Medidas de ondulação em circuitos retificadores
A introdução de uma carga em paralelo com o capacitor

faz com que a saída não seja mais contínua pura. Assim,
haverá uma ondulação denominada ripple.
Quando uma carga se liga à saída, a quantidade de

ondulação resultante depende do valor da carga, do valor
do capacitor e do tipo de retificador (meia onda ou onda
completa), conforme exemplos a seguir.
Se a resistência de carga RL de um retificador for substituída
por um capacitor, aparecerá corrente contínua entre os
terminais. Se o retificador não tiver tempo suficiente para
carregar totalmente o capacitor no primeiro semiciclo de
saída, o mesmo será carregado nos semiciclos posteriores.
Na figura a seguir, simboliza-se o retificador com o

transformador de entrada e o capacitor, de saída. Pode-se
verificar que o capacitor, ao se carregar,filtra a ondulação,
deixando uma corrente contínua pura.
Se esse circuito não tivesse que fornecer corrente a outros

circuitos, ter-se-ia, na saída, uma tensão contínua pura
(não pulsada). No entanto os diversos circuitos eletrônicos
ligados à saída consomem corrente (corrente de carga
L). Ainda, o efeito dessa corrente pode ser simulado,
ligando-se um resistor à saída do circuito.
14
Para minimizar esses inconvenientes, de ve-se acoplar, à

saída da fonte, um circuito regulador de tensão.
Destaque-se que o diodo Zener, também denominado

diodo de Ruptura, diodo de Avalanche ou diodo Regulador
de Tensão, constitui um diodo de Silício. Difere do diodo
retificador comum, pelo fato de que o comum não pode
ultrapassar a região de ruptura, sob pena de destruição
do mesmo, enquanto o Zener é projetado para trabalhar
nessa região.
Aparentemente o Zener é idêntico a um diodo de Silício

comum. Na região direta, ele também começa a conduzir
por volta de 0,7 V, possui pequena corrente reversa
devido à alta resistência inversa e, também, apresenta
determinada tensão de ruptura. Entretanto num diodo
comum, se a tensão de ruptura for ultrapassada, o
componente será danificado. No entanto, caso se utilize o
diodo Zener, a corrente aumentará repentinamente nesse
ponto, sendo limitada por uma resistência externa ligada
em série com o mesmo, não ocorrendo, pois, nenhum
problema com o dispositivo. Nesse ponto, tem-se a
chamada Tensão Zener - Vz.
Para grandes variações da corrente, a tensão Zener

permanecerá praticamente constante, conforme se pode
observar na Curva Característica do Diodo, a seguir. Essa
se trata da característica importante desse diodo, pois,
nessa faixa de variação de corrente, tem-se praticamente
a mesma tensão. Tal faixa deno mina-se faixa de
regulação.
DIODO ZENER
Mesmo após a filtragem, a tensão produzida numa

determinada carga pode sofrer variações pelos seguintes
motivos:
1. flutuações na tensão da rede pública;
2. variações na saída CC, devido aos diodos utilizados na A tensão deve ser a mais definida possível em função da
retificação serem sensíveis à temperatura; variação da sua corrente inversa. Portanto, fabricam-se
diodos Zener de Silício, pois as características de ruptura
3. variação na tensão de saída CC pela variação da carga; desse semicondutor são mais bem definidas do que as do
Germânio.
4. quanto menor a resistência de carga, maior a flutuação
(ripple) da tensão de saída CC. Destaque-se que o diodo Zener apresenta as regiões N e P
15
altamente dopadas, o que resulta na tensão de ruptura ser FONTE DE TENSÃO ESTABILIZADA
baixa, podendo operar com correntes inversas elevadas,
sem danificar o dispositivo. Lembre-se de que a tensão No circuito a seguir, tem-se um circuito retificador com
de ruptura ou a tensão Zener consiste na tensão máxima filtro acoplado a um regulador de tensão com diodo Zener.
reversa que pode ser aplicada em um diodo, antes que ele
possa conduzir. VL = Vz = constante

Essas correntes originam-se com o rompimento das V E = RS . I S + V L
ligações covalentes, devido ao esforço ocasionado pela
tensão inversa. (Veconsiste no valor médio na saída do retificador)
Variando-se o nível de dopagem dos diodos, os fabricantes IS = IZ + IL

podem construir diodos Zener com tensões de ruptura de
2 até mais de 200 V. Onde RS constitui um resistor colocado em série no
circuito, para limitar a sua corrente (resistor de proteção).
Essa ação reguladora do Zener constitui, com efeito, a de
um “resistor variável” que responde a qualquer mudança Se VE variar, VL não se altera (constante), mas IS variará.
de corrente, a fim de que a tensão seja constante.
Essa variação de IS será compensada por IZ dentro de uma
Na figura a seguir, apresentam-se os símbolos mais faixa compreendida entre IZmin e IZMáx. A mesma situação
utilizados de um diodo Zener. ocorrerá, caso a carga varie de valor (ou seja trocada);
então, as compensações se farão pela corrente IZ.
Em geral, IZmín= IZMáx/10 e IZMáx= PZMáx/VZnominal
Escolha do Diodo Zener
A potência do Zener escolhido deve ser, no mínimo, 20%

maior que a potência de saída do gerador.
PZ > 1,2.VL.ILMáx
Cálculo de RS (máximo e mínimo)
VE = RS.IS + VZ = RS(IZ + IL) + VZ

RS = (VE - VZ)/(IZ + IL)

Em qualquer símbolo, as linhas assemelham-se à letra Quando a tensão de entrada VE for máxima, IS terá um
“Z”, que representa “Zener”. valor elevado.
Especificações Nessas condições, se a saída estiver aberta (RL = ¥), IZ será
também elevada, pois IZ = IS.
»»Tensão Zener Vz: especificada para cada série de diodos
Zener; Portanto, quando IZ for máxima, IL será mínima (igual a
zero).
»»Potência Dissipada P : especificadas em função da
temperatura ambiente; tem um valor máximo permitido, Então:
a função da temperatura máxima de trabalho;
RSmin = (VEMáx - VZ)/IZMáx
»»Corrente Máxima: valor da corrente Zener que relaciona
a potência dissipada máxima com a tensão Zener. Quando a tensão de entrada VE for mínima, precisa-se
tomar cuidado para que IZ não seja menor que o valor
16
mínimo do diodo Zener.Para isso não ocorrer, RS não pode RSmín = (VEMáx - VZ)/IZMáx = (13,97 - 5,1)/0,196 = 45,26W
ser muito grande, não pode ultrapassar um valor máximo.
RSMáx = (VEmín -VZ)/(IZmín + ILMáx) = (11,43 - 5,1)/(0,0196 +
Quando IZ for mínima, IL será máxima, então se terá: 0,100) = 52,93W
RSMáx = (VEmin - VZ)/(IZmin+ ILMáx) RS = (RSMáx + RSmín)/² = (52,93 + 45,26)/2 = 49W

Tem-se que: PRS > (VEMáx - VZ)²/RS > (13,97 - 5,1)²/49 > 1,60W
RSmin < RS < RSMáx Valor comercial escolhido: RS = 47W/2W

RS = (RSMáx + RSmín)/2
ESTRUTURA INTERNA DOS TRANSISTORES
Se RSMáx calculado for menor que RSmín adote-se um Zener
de potência maior, recalculando-se IZMáx, IZmín, RSMáx, e RSmín.
Suponha-se que, através do processo de compensação,
Adotar-se-á um valor comercial, intermediário, mais duas amostras de semicondutor sejam transformadas
próximo: como mostra a figura a seguir.
PRS > (VEMáx - VZ)²/RS
»»Exemplo de uma Fonte de Tensão Estabilizada de 5V e

lOOmA, utilizando um transformador de 9V (valor eficaz)
com uma flutuação de 10%.
Então:
VL = 5V e ILMáx = 100mA
VE = 9.√2 = 12,7

VEMáx = 12,7 x 1,1 = 13,97V

VEmín = 12,7 x 0,9 = 11,43V
Escolha do Zener
Designar-se-ão a região central de Base e as outras duas
VZ = 5,1V de Emissor e de Coletor.

PZ > 1,2.VL.ILMáx = 1,2x5x100x10-3 Os dispositivos consistem, cada um, de três camadas de
semicondutor dopado nas configurações NPN (a) e PNP
PZ > 0,6W (b).
Zener escolhido: 1N4733A - VZ = 5,1V e PZ = 1W A Base deve ser muito fina (aproximadamente 10-3 cm)
e levemente dopada para permitir que a maioria dos
IZMáx = PZ / VZ = 196mA portadores injetados ou emitidos pelo Emissor, passe pelo
Coletor.
IZmín = IZMáx /10 = 19,6mA
O Emissor deve ser muito dopado para poder emitir (caso
PNP) ou injetar (caso NPN) elétrons na Base.
Cálculo de RS
17
O Coletor tem um nível de dopagem intermediário entre IC = corrente de coletor

o Emissor e a Base. Sua função consiste em coletar os
portadores que vêm da Base. O Coletor constitui a região IE = corrente de emissor
onde se dissipa maior quantidade de calor, apresentando,
portanto, maior dimensão. IB = corrente base
Com mais detalhes, dar-se-á o funcionamento do transistor IE = IC + IB

NPN. Entretanto, o raciocínio para o PNP é análogo.
No Emissor e no Coletor, que são do Tipo N, a corrente
A seguir, tem-se a estrutura interna de um transistor NPN. origina-se pela movimentação de elétrons. Na Base, que
é do Tipo P, a corrente gera-se pela movimentação de
lacunas
No transistor PNP, tem-se o mesmo processo, porém

com as polaridades invertidas. Assim sendo, tanto nos
transistores NPN como nos PNP, a corrente elétrica flui
devido à movimentação de dois portadores de carga:
elétrons e lacunas. Daí a designação dada a eles de
Transistores Bipolares, pois a corrente apresenta dois
portadores.
O fluxo de corrente num transistor NPN polarizado está Na figura a seguir, têm-se os símbolos dos transistores
ilustrado na figura adiante. com as indicações das correntes de polarização.
Polarizar um transistor consiste em impor condições de

tensão e de corrente, para que ele opere de acordo com
as necessidades. Em outras palavras, trata-se de uma
maneira de deixá-lo em condições de “trabalho”.
Assim sendo, tem-se que a junção Emissor-Base representa

um diodo diretamente polarizado, com características
de baixa impedância e de pequena queda de tensão. Já
a junção Coletor-Base representa um diodo polarizado
inversamente. Em consequência, a impedância entre
Coletor e Base será muito alta.
Se 95% dos portadores do Emissor penetram na base,
Com isso, espera-se grande corrente entre Emissor e passando para o Coletor, e apenas 5% se recombinam,
Base, além de corrente desprezível entre Coletor e Base, torna-se lógico que a corrente de Coletor será 95% do
o que não ocorre. Os elétrons do Emissor penetram na valor da corrente de Emissor e a corrente de Base, apenas
Base. Como a mesma é muito fina e pouco dopada, a 5%.
maioria desses elétrons (95%) entra no Coletor e vai para
o terminal positivo da bateria B. Uma pequena parte dos No símbolo do transistor, como no diodo, pode-se notar,
elétrons (5%) recombina-se com as lacunas da Base e flui também, que a parte em forma de seta aponta no sentido
da corrente, ou seja, aponta para uma região N.
para o terminal positivo da bateria A.
Note-se que o transistor foi criado em 1952, nos
Laboratórios Bell dos Estados Unidos, e substituiu a válvula,
com grandes vantagens. Através de processos sofisticados
de dopagem, na década de 60 foi possível colocar, numa
única pastilha se silício, milhares de transistores. A essa
pastilha deu-se o nome de Circuito Integrado.
18
Capítulo 04
PARÂMETROS E CONFIGURAÇÕES DOS TRANSISTORES BIPOLARES

O transistor constitui um dispositivo de controle de α = β/( β + 1) e β = α/(1 - α)
corrente. Torna-se possível variar a corrente do emissor
variando-se a corrente da base. Configurações dos transistores bipolares
Parâmetros do Transistor Bipolar Nos transistores, têm-se sempre um sinal de entrada e um

de saída. Como só existem três terminais e há necessidade
No capítulo sobre “EstruturaInterna dosTransistores”, já de dois para entrada e dois para saída, sempre existirá um
se explanou que: terminal comum aos sinais de entrada e de saída.
IC = corrente de coletor Configuraçâo Emissor Comum

IE = corrente de emissor Como se pode verificar, os terminais do Emissor e da
Base fazem parte da entrada do circuito e os terminais do
IB = corrente base Emissor e do Coletor, da saída.
IE = IC + IB O Emissor faz parte tanto da entrada quanto da saída
Então, podem-se definir alguns parâmetros:
O parâmetro α (alfa) constitui a razão entre a corrente de

coletor e a corrente de emissor:
α = IC/IE sendo sempre α < 1
O parâmetro β (beta) constitui a razão entre a corrente Em qualquer projeto com transistores, torna-se
de coletor e a corrente de base. Existem dois tipos do imprescindível a utilização das curvas características dos
parâmetro β: transistores empregados, que constam nos manuais dos
fabricantes. Tais curvas fornecem um ponto de partida
β estático = IC/IB = ganho em corrente contínua ou ganho para o desenvolvimento do projeto.
estático
Entre as curvas características, são de uso mais geral as
β dinâmico = ΔIC/ ΔIB = ganho dinâmico em corrente para de entrada, que relacionam corrente e tensão de entrada
sinais variáveis, ou seja, contribui a relação da variação de para um determinado valor de temperatura ambiente, e
IC com a variação de IB as de saída, que fornecem a corrente de saída em função
da tensão de saída, para cada valor da corrente de entrada
Obs: tomada como parâmetro.
a. o parâmetro β define-se apenas para montagem As figuras a seguir ilustram curvas características de
“emissor comum”, como se verá mais adiante; entrada e de saída típicas para a configuração do emissor
comum.
b. nos manuais de componentes, esses ganhos de corrente
encontram-se como:
β estático = hFE = ganho estático
β dinâmico = hfe = ganho dinâmico
Podem-se relacionar os parâmetros α e β, como segue:
19
Configuração coletor comum
Configuração base comum
20
As configurações anteriores são válidas tanto para

Transistores NPN como para PNP. Já as curvas características VCC = VRC + VCE
dadas são para Transistores NPN. Entretanto, para os
Transistores PNP, segue-se o mesmo raciocínio, porém as VCC = Rc.IB + VCE
correntes e as tensões possuem sentidos contrários.
»»Malha II:
VRB = VRC + VC

RB.IB = RC.IC + VCB
»»Malha Externa:
VCC = VRB + VBE

VCC = RB.IB + VBE
IB = (VCC - VBE).RB = constante (VCC, VBE e RB são constantes)
POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES BIPOLARES Como a corrente do coletor é dada por IC = b.IB,

IC = b.(VCC - VBE).RB
Como já exposto, o transistor constitui um dispositivo de
controle de corrente. Assim, torna-se possível variar a Portanto, IC varia com o valor de - Entretanto, devido
corrente do emissor, variando-se a corrente da base. à estrutura do semicondutor, β varia muito com a
Então, polarizar um transistor consiste em impor condições temperatura - pode variar até 9 vezes o seu valor -
de tensão e de corrente, para que ele opere de acordo acarretando o efeito conhecido como “disparo térmico”.
com nossas necessidades. Em outras palavras, torna-se
uma maneira de deixá-lo em condições de “trabalho”. Nessa situação, a cada aumento de temperatura, ocorrerá
uma elevação da corrente e, consequentemente, outro
aumento de temperatura.
Polarização com corrente de base constante
(polarização simples)
Então, esse tipo de polarização torna-se altamente
instável.
O resistor de base RB define a corrente IB e o resistor RC
define a corrente IC. Qualquer projeto que leve em conta um constante, estará
arruinado. O ideal é projetar circuitos que não dependam
do mesmo.
Esse tipo de polarização utiliza-se em circuitos digitais,

que trabalham nas regiões de corte e de saturação do
transístor, que se estudará mais adiante.
Polarização com corrente de emissor constante e

divisor de tensão na base (polarização universal)
Nesse circuito, para efeito de cálculo, aplica-se o Teorema

Análise do Circuito de Thévenin para obter um circuito mais simplificado,
com menos equações.
»»Malha I:
21
VTH = VCC .Rb2/(Rb1 + Rb2) lineares. É a mais completa, pois RE estabiliza o circuito e
o divisor de tensão fornece uma tensão direta positiva ao
RTH = Rb1.Rb2.(Rb1 + Rb2) = RB transistor, diminuindo o risco de saturação.
Rb1 e Rb2 formam um divisor de tensão para fornecer Transistor como Amplificador
polarização direta positiva.
No circuito do transistor polarizado, introduzindo-se na
No terminal do emissor, R, tem a função de estabilizar o entrada um sinal variável, temse, na saída, esse sinal
circuito contra a instabilidade térmica, em que c pode se amplificado. Entretanto, para isso, deve-se entender o
tornar excessiva, se a polarização direta aumentar. que é Ponto de Quiescente e Reta de Carga.
Perceba-se como isso ocorre: Ponto quiescente “Q” constitui, nas curvas características,
o ponto escolhido para o transistor trabalhar, em termos
VTH = VBE.RB.IB + RE.IE dos valores de correntes e de tensões, antes de nele ser
aplicado um sinal elétrico para ser amplificado. Essas
IE = (TTH - VBE - RB.IB)/RE correntes e tensões são determinadas por meio dos
resistores de polarização, isto é, por meio da polarização.
Como TTH, VBE, RB, IB e RE são constantes, então IC é
constante. Quando um transistor trabalha em corrente contínua, esse
ponto, definido por correntes e por tensões, é fixo. Daí o
Utilizando-se a análise de malhas, determinam-se os nome “quiescente’’, que significa “estar em repouso” - do
valores dos resístores. latim, quiescens.
Essa determinação é de caráter essencialmente

prático, constituindo-se numa “receita”, porém com
fundamentação teórica.
Especificam-se VCC e IC e o transístor que será utilizado,

por tanto são conhecidos βmín e βMáx.
RE = 0,1.VCC/IC (IC ≡IE)

RC = 4.RE

Rb2 = 0,1.βmín.RE
Conhecido o valor de Rb2, para calcular Rb1 se torna preciso

lembrar que os dois resistores estão em série. Enrtão:
Rb1 = VRb1/VRb2.Rb2, onde VRb2 = 0,6 + VRE e VRb1 = VCC - VRb2
Essa constitui a polarização mais utilizada em circuitos
22
na qual será fixado o ponto quiescente e onde também se

Para o transistor que possui essas curvas características, podem estudar os sinais de entrada e de saída.
verifica-se que trabalha com:
Então, essa reta de carga se traça em função da tensão
IBQ = 10mA, VBQ = 0,5v, ICQ = 10mA e VCEQ = 20V. de alimentação do transistor Vcc e das resistências
de polarização. Pode ser traçada tanto para a curva
característica de entrada como para a de saída.
Reta de Carga
Determinar-se-á a reta de carga para o circuito de
Constitui uma reta traçada sobre as curvas características, polarização estudado anteriormente.
Para a saída do circuito, tem-se:
VCC =RC.IC + VCE + RE.IE
Para β > 100, que é a maioria dos casos, tem-se IC = IE
Então, ter-se-á:
VCC = IC.(RC + RE) + VCE
Como VCC, RC e RE são constantes, IC = f (Vce), que constitui

a função de uma reta.
No ponto A, o transistor está com VBE < 0,7V, portanto
Para VCE = 0, IC = VCC/(RC + RE) não “funciona”, porque está cortado. É como se ele não
estivesse no circuito. Portanto, a tensão de saída será
Para IC = 0, VCE = VCC próxima a VCC.
O par de valores (VCC;0) define o ponto S1 da reta de carga. Entre os pontos B e C, o transistor atua na sua Região
Ativa.
Já o par de valores [0;VCC/(RC + RE)] define o ponto S2 da
reta de carga. Acima do ponto c, verifica-se que aumentos de tensão não
modificam a posição do ponto de operação. Isso ocorre,
porque a corrente IB atinge e ultrapassa o seu valor de
saturação. Assim, o transistor está Saturado.
Acima do ponto c, verifica-se que aumentos de tensão não

modificam a posição do ponto de operação.Isso ocorre,
porque a corrente IB atinge e ultrapassa o seu valor de
saturação. Assim, o transistor está Saturado.
Em quase todas as aplicações dos transistores, interessam

mais os valores de IC e VCE ou seja, a reta de carga traçada
nas suas curvas características de saída.
23
Amplificador
Definida a Reta de Carga e o Ponto Quiescente e se

introduzindo, no circuito de entrada, um sinal variável VE
tem-se uma variação de IB, e portanto, uma variação de IC
e VCE, sobre a reta de carga e em torno do ponto Q.
Com a aplicação do sinal de entrada VE o ponto Q

excursionará sobre a reta de carga, alternadamente, para
cima e para baixo, de acordo com a variação de VE.
Pode-se verificar, na figura a seguir, que a variação da

corrente de coletor é um reflexo amplificado da variação
da corrente na base.
Uma variação de microamperes na corrente da base

provoca variação de miliamperes na corrente do coletor.
O fato de o transistor possibilitar a amplificação de um
sinal faz com que ele seja considerado um dispositivo
ativo.
24
Capítulo 05
PORTAS LÓGICAS tabela a seguir, à qual se denominará tabela da verdade.
Operações booleanas [+(OU), ‾.(E) e (complemento)] Porta E - tabela da verdade

sobre variáveis booleanas (A, B, C . . .) são denominadas
funções booleanas. Tais funções podem ser A B X=A.B
desempenhadas por determinados circuitos que, em
eletrônica digital, denominam-se portas lógicas ou blocos 0 0 0
lógicos.
0 1 0
Nesta aula, estudar-se-ão as portas E, OU e NÃO, que
desempenham as funções lógicas básicas. Também se 1 0 0
estudarão outras portas lógicas muito utilizadas, que
resultam de duas ou mais funções lógicas básicas. Tais 1 1 1
portas são: NE, OU, OU EXCLUSIVO, NOU EXCLUSIVO e
portas com STROBE. possíveis das variáveis A e B, recebem a designação de
Níveis Lógicos.
Existem várias simbologias para a representação dessas
portas. Utilizar-se-á a simbologia americana ANSI Ou seja: para uma porta E, a saída terá nível lógico 1 se, e
(American National Standards Institute). somente se, todas as entradas tiverem nível lógico 1.
Porta E ou AND GATE Porta OU ou OR GATE
Realiza a função OU que corresponde à operação união (

Realiza a função E que corresponde à operação + ). Para duas variáveis A e B, a união será verdadeira (X =
intersecção ( . ). Para duas variáveis (ou duas entradas) A 1), quando
e B, a intersecção será verdadeira (X = 1), quando ambas
as variáveis forem verdadeiras (A = 1e B = 1). pelo menos uma das variáveis for verdadeira (A = 1 ou B
= 1 ou A = B = 1).
Seguem seu símbolo lógico e seu circuito equivalente de

chaves:
A lâmpada X só acenderá, se, e somente se, as duas

chaves estiverem fechadas.
A expressão X = A.B assume valores, de acordo com a
25
A lâmpada X acenderá, se pelo menos uma das chaves A lâmpada X permanecerá acesa, enquanto a chave A
estiver fechada, ou ambas, simultaneamente. estiver aberta.
Então, a tabela da verdade seguinte fornece os valores da

Porta OU - tabela da Verdade função X = A .
Porta NÃO - tabela da verdade

A B X=A+B
A X=A
0 0 0
0 1
0 1 1
1 0
1 0 1
Para uma porta NÃO, a saída terá nível lógico 1, se, e
1 1 1 somente se, a entrada tiver nível lógico 0.
Para uma porta OU, a saída terá nível lógico 1, se pelo

menos uma das entradas tiver nível lógico 1. COMBINAÇÃO DE PORTAS LÓGICAS - PORTAS NE E
NOU
Porta NÃO (inversor) ou INVERTER
Porta NE ou NANO GATE
Realiza a função NÃO que corresponde à operação
complemento ou inversão. Essa porta resulta da combinação de uma porta "E" com
uma porta "NÃO", realizando, assim, o complemento da
Seguem seu símbolo lógico e seu circuito equivalente de função E.
chaves:
Para as variáveis A e B, a saída X será verdadeira, se pelo
menos uma das entradas for falsa.
Seguem seus símbolos lógicos, bem com seu circuito

equivalente de chaves.
ou
O símbolo de inversão é representado por ( ° ),que pode

aparecer tanto na entrada quanto na saída.
26
A lâmpada X só acenderá, se pelo menos uma das chaves A tabela da verdade a seguir fornece os valores da função
estiver aberta. X=A+B
A tabela da verdade seguinte fornece os valores da função

Tabela - Porta NOU - tabela da verdade
X = AB.
A B X =A + B
Tabela - Porta NE - tabela da verdade
0 0 1
A B X = AB
0 1 0
0 0 1
1 0 0
0 1 1
1 1 0
1 0 1
1 1 0 Para uma porta NOU, a saída terá nível lógico 1, se, e

somente se, todas as entradas tiverem nível lógico 0.
Para uma porta NE, a saída terá nível lógico 1, se pelo
menos uma das entradas tiver nível lógico O.
COMBINAÇÃO DE PORTAS LÓGICAS - PORTAS OU
EXCLUSIVO E NOU EXCLUSIVO
Porta NOU ou NOR-GATE
Porta OU EXCLUSIVO ou EXCLUSIVE OR GATE
A porta "NOU",que constitui o resultado da combinação
de uma porta "OU" com uma porta "NÃO", realiza o A porta "OU Exclusivo" resulta da combinação de portas
complemento da função OU. E e OU.
Para duas variáveis A e B, a saída X será verdadeira, se, e A saída de uma porta OU Exclusivo será igual a 1, se, e
somente se, todas as entradas forem falsas. apenas se, existir um número ímpar de entradas iguais
a 1.
Seguem o símbolo da porta NOU e seu circuito equivalente
de chaves: Segue a representação algébrica dessa função:
X = AB + AB ou, X = A B
Para a expressão X = A B , lê-se A exclusivo B
Seguem seu símbolo lógico, bem como seu circuito

equivalente de chaves:
A lâmpada X só acenderá, se, e somente se, todas as

chaves estiverem abertas.
27
Porta NOU EXCLUSIVO - tabela da verdade

A lâmpada X acenderá, desde que uma das chaves esteja
fechada, porém, não ambas. A B X=A B
Segue a tabela da verdade correspondente à função OU 0 0 1

Exclusivo:
0 1 0
Porta OU EXCLUSIVO - tabela da verdade

1 0 0
A B X=A B
1 1 1
0 0 0
Observe, pela tabela anterior, que essa porta detecta
0 1 1 níveis lógicos iguais na entrada, sendo, por esse motivo,
chamada de porta COMPARADORA.
1 0 1
Assim, para uma porta NOU Exclusivo de duas entradas, a
saída terá nível lógico 1, se, e somente se, os níveis lógicos
1 1 0 das entradas forem iguais.
Para uma porta OU Exclusivo de duas entradas, a saída

terá nível lógico 1, se, e somente se, os níveis lógicos da
entrada forem diferentes.
Porta NOU EXCLUSIVO ou EXCLUSIVE NOR GATE
Essa porta resulta da combinação de uma porta "OU

Exclusivo" com uma porta "NÃO", realizando-se, assim, o
complemento da função OU Exclusivo.
Segue a representação algébrica da função "NOU

Exclusivo", juntamente com o seu símbolo lógico.
X = AB + AB ou, X = A B
Segue símbolo gráfico da porta NOU EXCLUSIVO:
28
Capítulo 06
PORTAS COM MÚLTIPLAS ENTRADAS E PORTAS CONTROLADAS

Algumas das portas lógicas vistas anteriormente podem A tabela seguinte mostra as tabelas da verdade para essas
apresentar duas ou mais entradas, sem que suas funções quatro funções, considerando-se cada bloco com três
básicas sejam alteradas. Essas portas são: E, OU, NE e entradas:
NOU.
Observando-se a tabela anterior, pode-se notar que 1 0 1 0

as funções não são alteradas, mesmo quando se
acrescentam uma ou mais entradas. 1 1 0 0
1 1 1 1
Para as funções OU Exclusivo e NOU Exclusivo, quando se
necessita de mais que duas entradas, deve-se cascatear
uma ou mais portas.
Veja-se, a seguir, um "OU Exclusivo" com três entradas:
A tabela da verdade dessa função é mostrada a seguir: Caso se tenha nível lógico O na entrada G (porta), a saída
terá nível lógico 1, independente das demais entradas.
Por outro lado, caso se tenha entrada G em nível lógico 1,
A B C X=A B C a saída da porta dependerá exclusivamente das variáveis
0 0 0 0 A e B.
0 0 1 1
Dessa forma, a entrada STROBE opera como uma entrada
0 1 0 1 de controle, permitindo ou não a liberação da porta.
0 1 1 0
1 0 0 1 Segue a tabela da verdade correspondente à porta NOU
com STROBE:
29
Então:
Entradas Strobe Saída X = A.B.C + A.B.C + A.B.C + A.B.C + A.B.C
A B G X = G (A + B) Simplificando-se algebricamente a expressão:
0 0 0 1 X = A.B.C + A.B.C + A.B.C + A.B.C + A.B.C=

= B.C.(A + A) + A.C(B + B) + A.B.C =
0 1 0 1 = B.C + A.C + A.B.C = B.C + C.(A + A.B) =
= B.C + C(A + B) = B.C + A.C + B.C =
1 1 0 1
= A.C + B(C + C) = A.C + B
1 1 0 1
Uma simplificação como essa pode levar a resultados
diferentes, que não levam a um circuito de configuração
0 0 1 1
mínima, dependendo da escolha dos termos a serem
0 1 1 0 agrupados.
1 0 1 0 Simplifica-se a expressão, para que a construção do

circuito seja o mais simples possível.
1 1 1 0
Teoremas e Postulados Booleanos
A Álgebra Booleana possui as mesmas propriedades da

Por vezes, o termo STROBE é referenciado como ENABLE, Álgebra Linear ordinária, se considerarmos:
que significa habilitação.
• a operação lógica básica A AND B como a multiplicação
A · B (ou AB )
MINIMIZAÇÃO DE FUNÇÕES BOOLEANAS
• a operação A OR B como a soma A + B
Como já explanado anteriormente, uma expressão lógica
pode ser representada através da tabela da verdade. Para Propriedades da Álgebra Booleana.
a construção dessa tabela, torna-se necessário obedecer
à sua lei de formação.
Então, vai-se obter a expressão lógica a partir da tabela

da verdade.
Considere-se o exemplo
da tabela a:
A função será verdadeira
quando:
A B C X Postulados da Álgebra Booleana
0 0 0 1 > ABC
0 0 1 1 > ABC
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 1 > ABC
1 0 1 1 > ABC
1 1 0 0
1 1 1 1 > ABC
30
Teoremas da Álgebra Booleana
Utilizando o T11 da Tabela 4 obtemos a seguinte

Expressão Booleana simplificada:
Que resulta no seguinte circuito lógico:
Exemplo 1: Interligação de portas básicas que implementa a Tabela

Verdade do Exemplo 1.
Determinar a expressão (equação) Booleana que MAPAS DE KARNAUGH
representa a Tabela Verdade abaixo. Simplifique e otimize
a expressão utilizando os resultados das Tabelas 2, 3 e 4. Constitui um método gráfico de simplificação, criado por
Desenhe a interligação de portas básicas que implementa Edward Veich e aperfeiçoado por Maurice Kamaugh.
esta Tabela Verdade.
O método, desenvolvido por Veich-Karnaugh, consiste no
Tabela verdade de uma função lógica hipotética mapeamento de uma função booleana numa matriz de p
de 3 variáveis. células, ou quadrados, adjacentes, onde p é proporcional
ao número de variáveis, ou p = 2".
A seguir se mostram os Mapas de Karnaugh para 2, 3, 4 e

5 variáveis.
Solução:
Mas a função lógica XOR com duas variáveis A e C tem a

seguinte Tabela Verdade/Expressão Booleana:
Logo,
31
Deve-se observar a sequência de combinações das Como se pode perceber, um quadrado pode pertencer a
variáveis: 00, 01, 11 e 10. Essa sequência torna-se mais de um subcubo.
fundamental para a simplificação, pois somente uma
variável muda de estado de uma combinação para outra. Na escolha dos subcubos, devem ser observados alguns
pontos importantes, pois dela depende a minimização
Para 5 ou mais variáveis, o método de Karnaugh torna-se correta da expressão booleana.
de difícil visualização. Para esses casos, outros métodos
utilizam-se, mas não serão tratados neste curso. Tais cuidados são:
Veja-se a representação de uma função booleana no »» optar sempre pelos maiores subcubos possíveis, ou
Mapa de Karnaugh. Seja a expressão obtida da tabela da seja, por aqueles que contenham.
verdade do exemplo visto no início do capítulo:
»» o maior número de quadrados adjacentes;
X = A.B.C + A.B.C + A.B.C + A.B.C + A.B.C
»» o número de quadrados que pertencem a um subcubo
Número de variáveis = 3 é sempre o resultado de uma potência de 2;
Portanto, p = 2n = 8 »» não se deve deixar isolado nenhum quadrado, desde

que ele possa ser agrupado com outro(s) quadrado(s).
Retoma-se o Mapa de Karnaugh:
Todos os termos da expressão são representados por 1 em

suas respectivas posições. As demais posições poderão
ser preenchidas com 0, ou então permanecem em branco
para facilitar a leitura do mapa. A configuração obtida na
matriz corresponde a todas as combinações que tornam a
função verdadeira (ou X = 1).
Verifiquem-se, para cada subcubo, as variáveis comuns
Para a minimização da função, os quadrados contendo nas colunas e nas linhas:
1 são considerados adjacentes, se tem lado comum. As
colunas da direita e da esquerda também são consideradas »» subcubo de 4 quadrados: variável comum nas colunas:
adjacentes, pois, de uma para outra, há alteração de B
apenas uma variável. Analogamente, para os mapas de variável comum nas linhas: não tem
4 variáveis, as linhas de baixo e de cima também são
adjacentes. variável comum nas colunas e variável comum nas
linhas: B
A reunião desses quadrados adjacentes de nomina-se
subcubo ou contorno. »» subcubo de 2 quadrados:
Volte-se ao exemplo: variável comum nas colunas: A

variável comum nas linhas: C

variável comum nas colunas e variável comum nas
linhas: A.C
Então, a expressão minimizada será:
X = B + A.C
32
Segue o circuito lógico da função minimizada: em um circuito lógico digital.
Segue a implementação de uma porta OU com três

entradas:
IMPLEMENTAÇÃO DE FUNÇÕES LÓGICAS
Circuitos Lógicos com Diodos e Transistores
As portas lógicas em blocos podem ser implementadas

(construídas) com quaisquer dispositivos que atuem
como chave, tais como: relés, diodos e transistores.
Como exemplo, implemente-se uma porta E, de duas

entradas, com diodos:
Usando o mesmo raciocínio, pode-se concluir que

qualquer entrada +VCC, implicará em uma saída igual a
+VCC, correspondendo, dessa forma, à tabela da verdade
da função OU.
Uma porta NÃO poderá ser obtida a partir de um

transistor em configuração emissor comum. Dependendo
da tensão aplicada à base, um transistor bipolar pode
VA e VB podem assumir somente dois valores, 0V e +VCC. operar no corte ou na saturação, funcionando como uma
Pode-se também verificar que qualquer das entradas chave aberta (corte) ou uma chave fechada (saturação).
em 0V permitirá a condução do diodo correspondente e
implicará em uma tensão igual a 0V na saída. Veja-se a Quando a tensão de entrada for +VCC (nível lógico 1), a
tabela de tensões a seguir: saída será aproximadamente 0,3V (nível lógico O).
Tensões Quando, na entrada, houver nível lógico 0, a saída terá

VA VB VS nível lógico 1.
0 0 0 Portanto, esse circuito funciona como um inversor.

0 +VCC 0
+VCC 0 0
+VCC +VCC +VCC
Caso se considere OV como nível lógico 0 e +VCC como

nível lógico 1, pode-se verificar que a tabela de tensões
corresponde exatamente à tabela da verdade da função
E. Dessa maneira, pode-se generalizar:
»» os níveis lógicos O e 1 referem-se a níveis de tensão

33
Aproveitando a característica de inversão entre entrada

e saída, o circuito comporta-se como uma porta NÃO.
Convenções de Níveis Lógicos
Até agora se associou o nível lógico 1 ao nível de tensão

mais alto (+Vcc) e o nível lógico 0 ao nível de tensão
mais baixo (0V). Tais convenções referem-se ao que se
denomina lógica positiva. Então:
Na lógica positiva, ou lógica dos níveis ativos altos, Uma maneira muito simples de se converter uma lógica
a passagem do nível lógico O para o nível lógico 1 em outra é a troca de todos os 0 por 1e de todos os 1 por
corresponde a uma excursão positiva: 0, na tabela da verdade:
Lógica
Nível Lógico
Se, entretanto, se associar o nível lógico 0 ao nível de
Lógica
tensão mais alto (+Vcc) e, consequentemente, o nível
lógico 1, ao nível de tensão mais baixo (0V), trabalha-se Baixo Alto
com a lógica negativa.
Positiva "0" "1"
Em lógica negativa, ou lógica dos níveis ativos baixos,
a passagem do nível lógico 0 para o nível lógico 1
corresponde a uma excursão negativa: Negativa "1" "0"
Lógica positiva e negativa

Lógica positiva Lógica negativa
A B X=A.B A B X=A+B
0 0 0 1 1 1
0 1 0 1 0 1
1 0 0 0 1 1
1 1 1 0 0 0
Pode-se observar que o fato de se converter uma lógica técnica tornou-se obsoleta. A tecnologia integrada traz
em outra resulta na complementação da função. consigo uma série de vantagens, tanto econômicas (menor
custo global) como operacionais (menor dissipação de
Normalmente, adota-se a lógica positiva, isto é, raciocina- potência e maior compactação).
se em 0 e 1 como 0V e +VCC respectivamente.
Observar-se-ão as técnicas utilizadas em circuitos

FAMÍLIA DE CIRCUITOS LÓGICOS integrados na implementação de funções lógicas. Essas
técnicas, que se denominam famílias lógicas, designam-
Na aula anterior, percebeu-se que se pode implementar se por:
uma função lógica por meio de componentes discretos.
Entretanto, com o advento dos circuitos integrados, essa »» RTL (Resistor-Transistor Logic), Lógica Resistor-
34
»» Transistor transistores na saída, sendo a mais sensível a ruídos. Foi a

primeira das famílias de Cls de ampla utilização.
»» DTL (Diode-Transistor Logic), Lógica Diodo-Transistor
Sua porta básica é a NOU, mostrada a seguir:
»» TTL (Transistor-Transistor Logic), Lógica Transistor-
Transistor
»» MOS (Metal Oxide Silicon), Lógica MOS
»» ECL (Emitter Coupled Logic), Lógica Emissor Acoplado
»» ILL ou I2L (Integrad Injection Logic), Lógica de injeção

integrada
À exceção da Lógica MOS, obtida a partir de transistores

unipolares FETs, as demais famílias constroem-se a partir
de transistores bipolares.
Níveis de Integração
A constante evolução da tecnologia integrada (cada vez

maior o número de portas em uma única pastilha ou Chip)
gerou a necessidade de se criar uma classificação com
relação às escalas de integração. Tal classificação, embora
não sendo exata, torna-se bastante aceita com os valores
a seguir:
»» SSI (Small Scale Integration),Integração em pequena

escala - quando o número de portas, em uma única Tabela da Verdade - Porta NOU
pastilha, não ultrapassa 12;
»» MSI (Médium Sca/e Integration),Integração em média A B X

escala - quando o número de portas não ultrapassa 100;
»» LSI (Large Sca/e Integration), Integração em larga escala 0 0 VCC

- quando o número de portas não ultrapassa 1.000;
»» VLSI (Very Large Scale Integration), ntegração em muito 0 VCC 0

alta escala - quando o número de portas não ultrapassa
100.000;
VCC 0 0
»» ULSI(Ultra Large Sca/e Integration), integração ultra
grande - quando o número de portas é maior do que
100.000. VCC VCC 0
Assim, por exemplo, encontram-se os circuitos da família
TTL disponíveis em SSI, MSI ou LSI, da mesma forma que
se encontram os circuitos da família MOS disponíveis em Família DTL
LSI, VLSI ou ULSI.
Essa família utiliza diodos nas entradas e transistores na
Família RTL saída, sendo menos afetada pelo ruído que a RTL.
Essa família utiliza somente resistores nas entradas e Sua porta básica é a NE, mostrada a seguir:
35
0 circuito mostrado dentro da linha pontilhada recebe o

O circuito mostrado dentro da linha pontilhada recebe o nome de configuraçäo toten-pole (em poste), termo de
nome de configuração toten-pole (em poste), termo de dificil adaptação na tradução, onde, em estado normal,
difícil adaptação na tradução, onde, em estado normal, um dos dois transistores conduz.
um dos dois transistores conduz.
Tabela Verdade - Porta NE
A B X
Tabela Verdade - Porta NE
0 0 ≅ VCC
A B X
0 VCC ≅ VCC
0 0 VCC
VCC 0 ≅ VCC
0 VCC VCC VCC VCC 0
VCC 0 ≅ VCC Existem diferentes versões para o circuito anterior, como,

por exemplo, as portas com coletor aberto, como mostra
a figura a seguir:
VCC VCC 0
Família TTL
Essa família utiliza transistores na entrada e na saída,

sendo a mais utilizada das famílias bipolares. Além de ser
mais rápida, apresenta melhor rejeição ao ruído que as
famílias anteriores.
Segue figura que mostra a porta NE,que é a básica dessa

família.
36
Usa-se essa versão, quando a corrente de saída é elevada. a mesma da TTL padrão, sendo apenas aumentados os
O valor do resistor R "pull-up" (puxar para cima) depende valores dos resistores. Assim, o aumento na resistência
do número de circuitos ou de cargas a serem alimentadas. resulta em redução na dissipação de potência.
O coletor de T4 liga-se a um dos pinos do CI, sendo R As séries usuais são 54LXX e 74LXX. A série "54" utiliza-
"pull-up" uma resistência externa. se para componentes de uso militar (suas especificações
técnicas são mais rígidas) e a série "74", para componentes
Quando se interligam as saídas de várias portas com de uso comercial.
coletor aberto, tem-se o que se denomina lógica por fios
(wired /ogic). Subfamília TTL de Alta Velocidade (HTTL = High TTL)
Segue o circuito que mostra a lógica E por fios: A configuração da porta de alta velocidade é basicamente
a mesma da TIL padrão. Nos circuitos dessa subfamília, os
valores dos resistores são menores e diodos grampeadores
se incluem nas entradas do transistor multiemissor.
Ainda, o circuito de saída consiste de um par de transistores

na configuração Darlington T3 e T4. Esse arranjo permite
velocidade um pouco maior do que a TIL padrão, por
causa da ação do transistor e da baixa impedância de
saída. Os circuitos desta subfamília têm a desvantagem
de consumirem maior potência.
Sua série usual é 74HXX e 54HXX.
Uma outra forma de se construir a lógica E por fios é O circuito a seguir apresenta a porta básica NE dessa
utilizar três níveis de portas E, com saída toten-pole0, subfamília:
como mostra o circuito a seguir:
FAMÍLIA DE CIRCUITOS LÓGICOS (II)
Sub família TTL de Baixa Potência (LP = Low Power)
Quando se desejava maior velocidade e menor consumo

de energia, a família TTL não apresentava desempenho
satisfatório. Então foram criadas subfamílias com Subfamília TTL com Diodos Schottky - Série 74SXX
características superiores. A partir daí, a família original
foi denominada "Standard". Também conhecida como Schottky TLL, utiliza transistores
na entrada e na saida, como a TLL padrão, de que se
Assim, a família TTL apresenta várias subfamílias, que diferencia por utilizar circuitos de corte com diodos
possuem aplicações típicas de acordo com as suas Schottky entre os transistores para evitar a saturação. É
características. mais rápida e consome menos potência que a TIL, mas é
também mais cara.
Os circuitos TTL de baixa potência (LP) apresentam a
melhor relação velocidade/potência entre todos os As figuras a seguir mostram dois circuitos que executam a
circuitos lógicos disponíveis. A porta NE dessa subfamília mesma lógica, sendo o segundo um Schottky TIL.
37
para eliminar os resistores de carga das outras famílias.

Em conseqüência, o consumo é menor e a montagem
requer uma área menor da pastilha (chip), compara da
com outras famílias bipolares. Seu preço é mais elevado.
A seguir, apresenta-se um circuito típico de uma porta

NOU, utilizando lógica TIL comum, e sua implementação,
usando lógica I2L, que é a porta básica dessa família.
Família ECL
Da mesma forma que a família TTL, essa família utiliza

transistores de entrada e de saída, mas os transistores são
conectados de forma diferente para evitar a saturação. O
resultado é uma velocidade de comutação maior, mas o
circuito é bem mais complexo e, portanto, mais caro.
Sua sensibilidade ao ruído é semelhante à das famílias

RTL e DTL.
A figura a seguir mostra a porta básica NOU da família

ECL:
Ao invés de T4 entrar em saturação, ele entra em

condução. Como VCE de corte se en contra próximo a VCE de
condução, o resultado consiste em uma alta velocidade
de comutação.
Família IIL ou I2L
Utiliza pares complementares de transistores bipolare

38
Capítulo 07
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO - FET
Antes de se abordar a família MOS, torna-se importante

estudar os Transistores de Efeito de Campo FET (Field
Effect Transistor).
Tal FET constituí um dispositivo semicondutor que se Nos lados da barra, são formadas, por difusão ou outro
baseia em princípios de funcionamento diferentes dos do processo, duas regiões mais fortemente dopadas do
Transístor Bipolar. Trata-se de um dispositivo UNIPOLAR, tipo P (ou N), de modo a estabelecer duas junções PN.
isto é, sua operação depende somente do fluxo de Essas regiões, chamadas Portas - G (Gate), interligam-se
portadores majoritários - elétrons ou lacunas. de modo que o FET apresente apenas três terminais
externos: D, G e S.
Esse transistor é chamado de efeito de campo, porque o
controle da corrente, que circula em sua malha de saída, Ainda, a região entre as portas chama-se Canal; ter-se-á
única corrente do FET, aliás, é exercido por um campo um FET de Canal N, se a barra for do tipo N, e um FET de
elétrico (ou pela tensão de entrada que o produz). Canal P, se for do tipo P.
No transistor convencional bipolar, a corrente de saída Princípios de Funcionamento

(por exemplo, IC) é controlada por outra corrente aplicada
à entrada (IB). Examine-se o funcionamento de um FET de Canal N,
estudando o comportamento da corrente de dreno ID,
Os FETs apresentam grandes vantagens em relação aos em função das tensões dreno-fonte VD5 e porta-fonte VGS,
transistores bipolares, dentre as quais: tomando uma como parâmetro e fazendo variar a outra.
1. possuem alta impedância de entrada, da ordem de Em operação normal, as junções PN são sempre
dezenas de mega-ohms; polarizadas inversamente, isto é, trabalha-se com valores
de VGs negativos e valores de V0s positivos no caso de um
2. apresentam maior imunidade ao ruído; FET de Canal N, conforme o circuito a seguir. Também se
trabalha com polaridades invertidas, quando o FET é
3. sua fabricação é relativamente simples e ocupam Canal P. Em qualquer caso, o importante é garantir que as
menos espaço quando integrados. junções PN não conduzam.
Comparativamente, suas principais desvantagens, são:
1. apresentar menor velocidade de resposta.
2. apresentar menor produto ganho x banda passante.
Existem basicamente dois tipos de FET:
»» Transistor de Efeito de Campo de Junção, JFET,ou

simplesmente FET;
»» Transistor de PortaIsolada, Metal-Óxido Semicondutor, Considere-se o FET Canal N, tomando VGS como parâmetro,
isto é, fixando VGS ≤ 0. Aplicando-se, a partir de zero, uma
MOSFET ou, simplesmente MOS.
pequena ten são positiva entre dreno e fonte VDS o FET
se comportará entre esses terminais como um simples
Constitui-se o FET por uma barra de semi-condutor tipo resistor semicondutor. Haverá a circulação de uma
N (ou tipo P) com um terminal em cada extremidade, corrente ID, que flui internamente pelo canal, do dreno
chamados de Fonte - S (Source) e de Dreno - D (Drain), para a fonte. A queda de tensão ao longo do comprimento
conforme figura a seguir. do canal fará com que a configuração do campo elétrico.
39
no FET seja tal que as regiões de transição das junções À medida que se aumenta Vw aumentam as regiões de
venham a apresentar largura variável, decrescendo do transição, que penetram no canal, diminuindo sua largura
dreno para a fonte, conforme mostra a "situação (a)" da e, portanto, aumentando sua resistência.
figura a seguir.
Do aumento simultâneo de VDS (que favorece a circulação abreviadamente Vpi.

de ID) e da resistência do canal (que constitui um obstáculo
à circulação de ID), resulta que ID crece, a princípio Após o pinçamento, as regiões de transi ção alteram-se
linearmente, depois cada vez mais lentamente, conforme de modo diferente. Conforme ilustram as "situações (d)
o gráfico a seguir: e (e)",à medida que VDS cresce, o comprimento L da
zona estrei ta do canal vai aumentando do dreno para a
fonte, mas sua largu ra "X" e a corrente ID permanecem
praticamente constantes. Nessas condições, a corrente
de dreno denomina-se corrente de saturação.
Em operação normal, a máxima corrente de saturação de

um FET,que se indica por IDS, é obtida com VGS= 0, isto é,
quando a porta está em curto com a fonte.
Evidentemente não se pode continuar aumentando VDS,

além de um certo valor VDSmáx, menor que a tensão de
ruptura VR na qual as junções se rompem e o FET deixa
de operar.
Observe-se, na "Característica de Saída" da figura

anterior, que quanto mais negativo o VGS considerado,
menor a tensão VDS necessária para se atingir a situação
Continuando-se a aumentar VDS, as regiões de transação
de pinçamento, representada pela curva tracejada "pi".
vão se aproximando até que, para um certo valor de VDS
= Vpi, a distância "X", entre suas bordas superiores, ou Assim,
seja, a largura do canal junto ao dreno, não mais diminui
sensivelmente com um posterior aumento de VD - Para VGS = 0V - Vpi = 12V
"situação (c)".
Para VGS = 0V - V = 10V
A tensão VDS, em que tal situação ocorre chama-se
tensão de pinçamento (Drain-Source Pinch-Off Voltage), Para VGS = -2V - V = 8V
40
Explica-se o fato, já que quanto mais negativo for VGS'

maiores serão as zonas de transição e, portanto, menores
as tensões Vos que devem ser aplicadas para o pinçamento
do canal.
Normalmente as portas do FET são interconectadas,

resultando em apenas uma porta G.
Seguem os símbolos dos FETs:
Suponha-se que, para uma aplicação qualquer, deseja-se

fixar o ponto de trabalho Q, segundo os valores: VDS
= 7V, VGS = -1,5V e ID = 4mA, dispondo de uma fonte de
alimentação de VCC = 12V.
POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES DE EFEITO DE
CAMPO - FET Na malha de saída, tem-se que:
Polarização de um FET Canal N VCC = VDS + ID .(RC + RS)
Os conceitos de ponto de trabalho Q, reta de carga e Donde, para os valores prefixados:

polarização de um FET são os mesmos já estudados para
os transistores bipolares. RC + RS = (VCC - VDS)/ID = (12 - 7) = 1250 Ω (I)
A título de fixar ideias, considere-se o seguinte exemplo Na malha de entrada, não circula corrente (IG = 0). Tem-se
de polarização. então que:
O esquema a seguir apresenta o circuito usual de VRS + VGS = RS.ID + VGS = 0

polarização de um FET Canal N e a curva característica de
saída do transistor. RS = -VGS/ID = -(1,5)/4.10-3 = 375 Ω que, levado na equação
41
(I) resulta em RC = 875 Ω. Então, VE = VGS + VRS = -0,5 + 2,6 = 2,1V.
Observe-se que a tensão de polarização negativa VGS é Na saída, tem-se VS = VCC - RC.ID = 12 -875.7.10-3 ≅ 5,9V.
fornecida através do resistor RS, que faz o potencial cair
de VS para VT. Para a excursão de sinal considerada (de "Q" a "X"
na reta de carga), obtém-se os seguintes ganhos de
Como VT < VS e VG = VT, pois não há circulação de corrente tensão:
na malha de entrada, tem-se que VG < VS, isto é, VG - VS =
VGS < 0. Ganho de Tensão do FET
O resistor RS também permite a realimentação negativa GV = ΔVDS/ΔVGS = (|3 - 7|)/[|2,1 - 0|) ≅ 1,24
que estabiliza o FET, de modo similar ao verificado com o
resistor de emissor do transistor bipolar. Inversamente, quando VE decresce, VGS torna-se
mais negativo, !D diminui e, portanto, VS cresce.
Como se sabe, a reta de carga fica determinada pelos
pontos P1 (VCC; 0) E P2 [0 ; VCC/(RC + RS)]. Em conclusão, ter-se-á, na saída, um sinal amplificado
e defasado de 180° em relação ao de entrada.
No caso, tem-se:
Ganho de Tensão do Circuito
VCC/(RC + RS) 12 / 1250 = 9,6mA.
Todas as considerações feitas para o FET Canal N
Portanto, ter-se-á: são válidas para o FET Canal P. Deve -se observar,
entretanto, que a fonte VCC deve ser invertida, de modo
P1 (12 ; 0) e P2 (0 ; 9,6) a manter as junções PN inversamente polarizadas,
conforme mostra o circuito da figura a seguir. O FET
Aplicando-se, agora, na entrada do circuito, um sinal Canal P deve operar com valores de V positivos
GS
senoidal, como mostra o cicuito da figura a seguir, tem-se: e valores de V negativos.
DS
Quando VE = 0, estar-se-á no ponto de trabalho e a saída

será VS = VCC - VRCQ = 12 - 875.4.10-3 = 8,5V.
À medida que VE cresce, VGS torna-se menos negativo

ID cresce e aumenta a queda de tensão em RC. Em
decorrência, VS diminui.
Suponha-se que, para o pico positivo de VE, ID atinja valor

máximo de 7mA (ponto "X" da reta de carga).
Tem-se:
VRS = 7.10-3.375 ≅ 2,6V
Da curva característica, tira-se VGS= -0,5V e VDS = 3V.

42
Capítulo 08
FAMÍLIA MOS (METAL-OXIDE-SEMICONDUTOR = METAL-ÓXIDOSEMICONDUTOR

Na sua estrutura básica, existe um eletrodo de metal sobre
um óxido isolador, apoiados num material semicondutor.
A família MOS compõe-se por subfamílias, a saber:
1. MOS com canal P,ou PMOS;
2. MOS com canal N, ou NMOS;

Tabela da Verdade - Porta Inversora
3. MOS complementar, ou CMOS.
A X
Subfamília MOS com Canal P - PMOS
0 ≈VDD
Utiliza transistor de efeito de campo com canal P
fortemente dopado. É a mais lenta das subfamílias MOS VDD 0
e requer duas fontes de alimentação, mas consome bem
menos potência que o equivalente bipolar.
A lógica dinâmica faz uma amostragem periódica do
sinal e usa a capacitância de entrada da porta como um
Subfamília MOS com Canal N - NMOS
elemento de armazenamento de carga. A vantagem desse
circuito é limitar a potência requerida, mantendo-se a
Utiliza transistor de efeito de campo com canal N
velocidade de chaveamento ainda em níveis razoáveis.
fortemente dopado. Embora essa subfamília seja mais
rápida, requer menor área que o equivalente PMOS. É de
fabricação mais complexa e, em consequência, mais cara
Ver-se-á, a seguir, o circuito inversor estático,

implementado com transistores NMOS, e o circuito
inversor dinâmico, implementado com transistores
PMOS.
Observe-se que o consumo de corrente é pequeno, porque

o seu fluxo somente ocorre entre os tempos t2 e t3, t7 e
t8, quando T1 e T3 estão conduzindo simultaneamente, e
um fluxo mínimo em t0, t5, quando C1 se carrega.
Subfamília CMOS
A subfamília MOS-Complementar utiliza transistores de

efeito de campo canal N e canal P fortemente dopados,
atuando um como fonte de corrente e outro como carga.
Constitui uma subfamília mais rápida que PMOS e NMOe
43
requer somente uma fonte de alimentação, sendo, porém, inversor básico.

mais complexa que as anteriores.
Também os circuitos CMOS são compatíveis com

os circuitos TTL, porque podem utilizar uma fonte
de alimentação de SV a 18V, possuindo potência
extremamente baixa, FAN-OUT elevado, alta imunidade a
ruído e velocidade próxima do TTL.
Fan-out (feixe de saída) constitui o número máximo de

entradas que podem ser conectadas à(s) saída(s) de um
circuito; é determinado pela corrente máxima que o
circuito pode fornecer na sua saída.
Segue figura que mostra uma porta inversora

implementada com CMOS:
RESUMO DAS CARACTERÍSTICAS GERAIS DAS

FAMÍLIAS LÓGICAS
É apresentado, a seguir, um resumo das vantagens e das

desvantagens das famílias lógicas estudadas, bem como
as precauções necessárias quando do uso da família MOS.
PMOS ou NMOS
Tabela da Verdade - Porta Inversora 1. Maior capacidade de funções lógicas por

Chip;
A X
2. baixo custo por função lógica;
0 ≈VDD
3. pequeno número de subsistemas para testar;
VDD 0
4. menor número de partes para montar e para
inspecionar;
Qualquer porta lógica pode ser construída pela
modificação do circuito inversor básico.
5. baixo consumo por função;
A figura a seguir mostra um bloco NE formado pela adição
6. possibilidade de escolha entre produtos standard ou
de um PMOS em paralelo e um NMOS em série com o
dedicados.
44
2. baixa velocidade.
Desvantagens
TTL
1. Baixa velocidade;
Vantagens
2. fontes de alimentação múltiplas para operar
corretamente e "interfacear" com outras fa mílias 1. Baixa dissipação;
lógicas;
2. alta velocidade;
3. confiabilidade não muito elevada.
3. alta capacidade de fan-out;
CMOS
4. compatibilidade com sistemas existentes;
Vantagens 5. baixo custo.
1. Consumo extremamente baixo, quando operando a Desvantagens

baixa velocidade;
1. Baixa tolerância a variações da fonte;
2. relativamente insensível a variações da fonte;
2. Suscetível a transientes na fonte de alimentação.
3. alta imunidade ao ruído;
ECL
4. compatível (através de buffers) com a maioria das
famílias lógicas. Vantagens
Desvantagens 1. Alta velocidade;
1. Baixa velocidade; 2. alta capacidade de fan-out;
2. Suscetível a danos por descarga de eletricidade estática. 3. baixa geração de ruído;
RTL 4. saída complementar.
Vantagem Desvantagens
1. Baixa dissipação de potência. 1. Dificuldade de "interfacear";
Desvantagens 2. alto custo;
1. Margem de ruído insuficiente; 3. exige um cuidadoso Jay-out do circuito.
2. baixa velocidade. I2L
DTL Vantagens
Vantagem 1. O produto velocidade-potência é baixo e constante;
1. Baixa dissipação de potência. 2. densidade de componentes por chip muito elevada.
Desvantagens Desvantagem
1. Margem de ruído baixa; 1. Alto custo.
45
Precauções necessárias quando do uso da família

MOS
Todas as subfamílias MOS são muito sensíveis à carga

eletrostática, tal como a que existe no próprio corpo
humano, à medida que se caminha sobre pisos, por
exemplo, atapetados. Dessa forma, devem-se ter os
seguintes cuidados com esses CIs:
»» devem ser armazenados e transportados com todos os

contatos curto-circuitados;
»» para trabalhar, os operadores devem estar aterrados e

terem seus instrumentos também aterrados; Entrada e Saída
»» evitar roupas sintéticas; Enable Entrada Saída
»» Não removê-los ou inseri-los com a fonte de alimentação 0 0 1

ligada;
0 1 0
»» não exceder a tensão máxima especificada pelo
fabricante.
1 0
Alta impedância
1 1
DISPOSITIVOS ESPECIAIS - TRl-STATE E SCHIMITT-
TRIGGER
A habilitação pode ser feita com nível ló gico O ou com
Além das portas já explanadas, há outros circuitos que nível lógico 1, dependendo do circuito empregado.
satisfazem algumas necessidades especiais.
Quando tri-states operam em paralelo, um, e somente
Tri-State um, dispositivo pode ser habilitado por vez. Se
nenhum dispositivo estiver habilitado, a saída apresenta
Constituem dispositivos que têm três estados possíveis: alta impedância e sua tensão pode estar na "região
proibida". Se mais que um dispositivo for habilitado
»» Nível lógico O simultaneamente, poderá haver uma corrente excessiva
e danificar o CI.
»» Nível lógico 1
Cite-se um exemplo de operação em paralelo: quando se
»» Circuito aberto, também chamado de alta impedância. deseja enviar níveis lógicos (dados) separadamente a um
circuito através de uma única via.
Possuem, além das entradas normais, uma entrada
habilitadora/desabilitadora (enable/disable). Quando Schimitt-Trigger
habilitada, opera normalmente como uma porta comum.
A porta Schmitt-Trigger constitui um tipo especial que
Quando desabilitada, opera como um circuito aberto. apresenta a seguinte característica: só dispara ou muda
de nível lógico O para 1, quando a tensão de entrada
for maior que um determinado nível chamado nível de
disparo (limiar de disparo). Também, só muda de nível
lógico 1 para O, quando a tensão de entrada for menor
que o nível de corte (limiar de corte).
Observe-se a seguir a figura seguinte, que mostra o se

46
funcionamento:
Os dispositivos Schmitt-Trigger utilizam-se largamente em

sistemas digitais, para transformar em onda quadrada as
variações oriundas de sistemas analógicos diversos não
compatíveis. Uma dessas aplicações consiste em, a partir
de uma amostra da tensão senoidal da rede elétrica, obter
o sinal de clock quadrado de 60Hz para, após dividido,
A diferença entre o nível de disparo e o nível de corte fornecer Hz aos contadores de segundos dos relógios
denomina-se Histerese, que habilita o Schmitt-Trigger a digitais.
fornecer a forma de onda quadrada.
Além de inversores, encontram-se disponíveis em circuitos
A figura seguinte mostra a representação simbólica para integrados da família TTL, em portas NE Schmitt-Trigger.
uma porta NE Schmitt-Trigger.
47

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MUNDI - UNIVERSO EDUCACIONAL Módulo I - Eletrônica Aplicada

Mais tarde o francês Andre-Marie Ampere aplicaria

atuais instrumentos de medição, os quais utilizam o do século XX, os inventos e o desenvolvimento da

Também a evolução da tecnologia de encapsulamento dos

Inversamente, nos ISOLANTES, os elétrons são em número

Entre os condutores e os isolantes, encontra-se o grupo

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Nesse caso, os elementos de dopagem (o Alumínio),

corrente elétrica, transportam consigo determinada carga

Tipo N Elétrons Lacunas Esse método de mudança do tipo de condutividade pela

Supondo-se que seja realizado o processo de compensação

Na difusão, os portadores deslocam-se de pontos de

Portanto, uma junção PN constitui um sistema físico onde,

Na situação de equilíbrio, as correntes de difusão e de

JUNÇÃO PN COM POLARIZAÇÃO INVERSA E POLARIZAÇÃO DIRETA

Polarização Inversa Polarização Direta

Inversamente ao que ocorre no caso anterior, as lacunas

Nesse caso, as lacunas de P serão atraídas pelo pólo

Em conseqüência, aumenta o número de íons positivos

Como nos transistores, que se verão logo a seguir, os

Na região de condução, a corrente cresce de início,

A partir de 0,3 V (diodo de Germânio) e 0,7 V (díodo

Sintetizando, o diodo de junção permite a passagem de Diodo Retificador

RL é a Resistência da Carga ligada à sua saída (L = Load =

A tensão máxima no secundário do transformador é VMÁX

Nesse circuito, só existe corrente durante a metade de

--Valor Médio da Tensão na Carga: VLm = VMáx /p= 0,318.

--Valor Máximo da Corrente na Carga: ILMáx = VMáx/RL

--Valor Eficaz -da Corrente na Carga: ILef=IMax/2verif.

Nesse tipo de retificação, a tensão média na carga é muito

Quando a polaridade da tensão alternada é invertida, a

O retificador de onda completa transformou os dois

-- então, VLm=0,318. VSec.ef.√2

-- VLm=0,45. VSec.ef -- VLm = 0,90. VSec.ef

Como explanado, os retificadores fornecem, nas saídas,

Medidas de ondulação em circuitos retificadores

A introdução de uma carga em paralelo com o capacitor

Quando uma carga se liga à saída, a quantidade de

Na figura a seguir, simboliza-se o retificador com o

Se esse circuito não tivesse que fornecer corrente a outros

Para minimizar esses inconvenientes, de­ ve-se acoplar, à

Destaque-se que o diodo Zener, também denominado

Aparentemente o Zener é idêntico a um diodo de Silício

Para grandes variações da corrente, a tensão Zener

Mesmo após a filtragem, a tensão produzida numa

1. flutuações na tensão da rede pública;

Variando-se o nível de dopagem dos diodos, os fabricantes IS = IZ + IL

Em geral, IZmín= IZMáx/10 e IZMáx= PZMáx/VZnominal

Escolha do Diodo Zener

A potência do Zener escolhido deve ser, no mínimo, 20%

Cálculo de RS (máximo e mínimo)

VE = RS.IS + VZ = RS(IZ + IL) + VZ

RSMáx = (VEmin - VZ)/(IZmin+ ILMáx) RS = (RSMáx + RSmín)/² = (52,93 + 45,26)/2 = 49W

RSmin < RS < RSMáx Valor comercial escolhido: RS = 47W/2W

PRS > (VEMáx - VZ)²/RS

»»Exemplo de uma Fonte de Tensão Estabilizada de 5V e

O Coletor tem um nível de dopagem intermediário entre IC = corrente de coletor

Com mais detalhes, dar-se-á o funcionamento do transistor IE = IC + IB

No transistor PNP, tem-se o mesmo processo, porém

Polarizar um transistor consiste em impor condições de

Assim sendo, tem-se que a junção Emissor-Base representa

PARÂMETROS E CONFIGURAÇÕES DOS TRANSISTORES BIPOLARES

Parâmetros do Transistor Bipolar Nos transistores, têm-se sempre um sinal de entrada e um

Para minimizar esses inconvenientes, de ve-se acoplar, à

Esse tipo de polarização utiliza-se em circuitos digitais,