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Cap.

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Eletrnica Linear - Teoria e Prtica

Transistores Bipolares - Breve Histria


A Lmpada de Thomas Edson serviu para seu colega e tambm cientista J. A. Fleming, fazer pesquisas e descobrir um dispositivo que ficaria conhecido como Vlvula Terminica. Lee de Forest, inventor norte-americano, em 1906 acrescenta um terceiro eletrodo (grade) vlvula de Fleming. A utilidade dessas vlvulas como geradoras, amplificadoras e detectoras ganharam popularidade. Em 1910, transmitiu a voz do maior tenor de todos os tempos, Caruso. Mas s com a primeira Guerra Mundial sua inveno tornou-se amplamente utilizada e foi produzida em larga escala. Os sinais de transmisso de rdio so muito fracos e antes da vlvula triodo, as transmisses s poderiam ser ouvidas com fones de ouvido. Com a vlvula triodo, era possvel ouvir as transmisses com alto falantes e com bom volume, bastando aplicar uma pequena tenso ao eletrodo da vlvula chamado grade de controle. Mesmo com os aperfeioamentos das vlvulas, as mesmas padeciam de alguns inconvenientes: eram grandes, frgeis, gastavam muita energia devido ao uso de um filamento aquecido para emitir eltrons, alm de ocuparem muito espao. Devido a esses problemas, em 1948, a Bell Telephone anunciou a descoberta de um componente capaz de fazer as mesmas coisas que a vlvula era capaz de fazer, sem os problemas das vlvulas, alm disso, eram muito pequenos e consumiam pouca energia em relao a uma vlvula. Veja na Fig. 1, a comparao entre dois tipos de vlvulas e os transistores atuais. Fig. 1

Vlvula de Lee de Forest

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Funcionamento do transistor bipolar Na Fig. 2 exibida a estrutura e smbolo do transistor bipolar.

Fig. 2

Este tipo de transistor chamado bipolar, porque h a circulao de duas cargas de polaridades opostas, alm de possurem tambm duas junes, semelhantes a dois diodos ligados em oposio conforme podemos analisar na Fig. 3.

Fig. 3

O transistor bipolar tem trs terminais: BASE (B): geralmente usado como elemento de controle, COLETOR (C) e EMISSOR (E): eletrodos de sada, onde uma carga pode ser controlada pelo eletrodo de base. Pequenas tenses e correntes aplicadas base controlam correntes e tenses bem maiores entre coletor e emissor. Por isso o transistor um componente amplificador ou ativo. As vlvulas eram tpicas amplificadoras de tenso, porque o eletrodo de controle (grade) consumia o mnimo (quase zero) de corrente. O transistor bipolar um tpico amplificador de corrente, porque a base consome uma pequena corrente.

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Polarizando o transistor bipolar O transistor para funcionar corretamente precisa ser corretamente polarizado, ou seja, precisamos estabelecer tenses adequadas a cada eletrodo do transistor.

Fig. 4

Fig. 5

O diodo base emissor polarizado diretamente e o diodo base coletor polarizado reversamente. A Fig. 4 mostra o funcionamento do transistor NPN. Note os sentidos das correntes de base e coletor (sentido convencional). Para o PNP, o funcionamento o mesmo, bastando apenas inverter as polaridades conforme podemos ver na Fig. 5. Funcionamento do transistor amplificando correntes e tenses contnuas Estudaremos inicialmente o funcionamento do transistor amplificando correntes e tenses contnuas. Fig. 6 O transistor pode ter sua base polarizada de trs modos: CORTE REGIO LINEAR SATURAO Transistor cortado. A Fig. 6 analisa essa situao. Para verificar o estado de corte dever ser usado um multmetro com a chave seletora de funes chaveada para uma tenso maior do que a da fonte. Vbe (tenso entre base e emissor) < 0,6V. Vce (tenso entre coletor e emissor) = tenso da fonte ou prximo. Se voc lembrar-se das caractersticas de uma associao em srie de resistores, onde a maior tenso medida nos extremos do resistor de maior resistncia, a compreenso do fenmeno ficar mais clara. Nesse ltimo caso analisado, o transistor se comporta como um resistor aberto, toda tenso da fonte (B1) estar sobre o coletor do transistor.

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Transistor na regio ativa ou linear Fig. 7.

Fig.7

Com o cursor do potencimetro mais ou menos na metade do giro volte a medir a tenso de base que dever estar em aproximadamente 0,6V. Mea em seguida a tenso no coletor no se esquecendo de chavear o multmetro para uma escala de tenso DCV maior do que a fornecida pela fonte. Agora, a tenso no coletor apresenta um valor aproximadamente = metade da tenso da fonte (1/2 de B1). Conclumos que a resistncia entre coletor e emissor reduziu permitindo a passagem de maior corrente (lei de Ohm) em RC. Pequenas variaes na tenso e corrente de base provocam variaes maiores e proporcionais na tenso e corrente de coletor indicando o efeito da amplificao (aumento) provocado pelo transistor. Esse aumento ou amplificao conhecido tecnicamente pelo nome de GANHO do transistor e representado por hFE ou , nos manuais de transistores.

Se no lugar de RC tivssemos outra carga como uma lmpada ou um motor, poderamos controlar linearmente o brilho ou velocidade do motor. Um controle linear significa controlar de modo suave, ao contrrio das chaves mecnicas que alteram a velocidade do motor de forma abrupta, passando de uma menor velocidade para uma maior imediatamente. Transistor saturado Para uma tenso de base maior do que 0,6V (>0,6V) mediremos no coletor do transistor uma tenso 0 V. Isto indica uma resistncia entre coletor e emissor prxima de zero, como se ligssemos um fio entre coletor e emissor, deixando passar toda a corrente da carga (RC). Quando o transistor est polarizado na regio de saturao, a corrente entre coletor e emissor descontrolada, s limitada pela resistncia da carga, alm disso, no ser possvel controlar a corrente da carga, ou seja, pequenas variaes da tenso de base para mais no alteram o ganho (amplificao) do transistor e conseqentemente a carga funciona em sua mxima potncia, veja Fig. 8. S ser possvel voltar a controlar a carga quando reduzirmos a tenso de base em torno de 0,6V, voltando regio linear. O grfico simplificado, onde so demonstrados esses trs estados de polarizao ou caractersticas para o transistor bipolar visto na Fig. 9. IC = VCC / RC Fig.8 Fig. 9

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No grfico, quando a tenso de base atinge o ponto de saturao, Ic/ no varia e representada essa no variao por uma linha horizontal sem fim. Enquanto a regio linear fica mais ou menos no centro entre o corte e a saturao. Ic representa a corrente de coletor e (beta) representa o ganho ou hFE. O hFE representa quantas vezes um transistor amplifica. Se por exemplo, aplicarmos uma corrente de 1 mA na base e medirmos uma corrente de 100 mA no coletor, dizemos que esse transistor tem ganho 100 ou seu hFE 100. Essas trs modalidades de funcionamento so muito importantes para o desenvolvimento de circuitos eletrnicos. O transistor polarizado no corte ou saturao funciona como chave eletrnica, liga (saturado) ou desliga (corte). A chave eletrnica (liga desliga) muito usada na eletrnica digital. Em um circuito digital, os sinais eltricos so constitudos por sequencias de pulsos em forma de cdigo binrio, onde s so permitidos dois valores: 0 V ou a tenso mxima da fonte. A regio linear usada pela eletrnica linear ou analgica, porque alguns fenmenos fsicos luz som, temperatura, presso, entre outros, so fenmenos lineares e s podem ser captados por dispositivos especiais chamados sensores ou transdutores. Os aparelhos eletrnicos atualmente usam a eletrnica digital para processarem os sinais digitalmente devido maior rapidez e eficincia, porque s h dois nveis de tenses diferentes, enquanto um processamento analgico apresenta vrios nveis de tenses diferentes. Porm, se precisarmos ver ou ouvir esses sinais digitais, os mesmos tero que ser transformados para analgicos. Na Fig. 10 vemos duas formas de onda. A da esquerda representa um sinal digital com suas variaes abruptas, e a da direita temos a representao grfica de um sinal analgico com suas variaes suaves. Fig. 10

Identificao de terminais do transistor bipolar Para trabalharmos com transistores precisamos identificar seus terminais de base, coletor e emissor. Existem milhares de transistores de tipos diferentes e apresentando a posio dos terminais de forma diferente. Para no haver confuso preciso ter sempre um manual de transistores. A Fig. 11 exibe alguns tipos de transistores dos mais usados e as posies de seus terminais.

Fig. 11

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Transistor amplificador de pequenos sinais variveis ou alternados (AC). Para que o transistor funcione corretamente preciso estabelecer tenses contnuas fixas, isto , no variveis em intensidade e que no invertam a polaridade como acontece com as fontes de tenso alternada disponveis nas tomadas de nossas casas. Se usarmos a rede de energia alternada 110 ou 220 VAC precisaremos primeiramente retificar e filtrar a tenso, para transform-la em tenso contnua pura para posteriormente aplicarmos aos circuitos eletrnicos. Vimos como os transistores amplificam tenses e correntes contnuas. possvel tambm, amplificarmos sinais variveis, que contm algum tipo de informao, por exemplo, os obtidos a partir de microfones. Os microfones so chamados de transdutores porque transformam a energia sonora em tenses e correntes muito fracas de mesma freqncia. Se ligarmos um microfone direto a um altofalante, nada seria ouvido, O alto-falante um transdutor de potncia capaz de transformar energia eltrica varivel (AC) em ondas sonoras. O transistor amplifica (aumenta) esses sinais muito fracos de modo a se obter a potncia necessria para ser aplicada a um alto-falante. Um transistor amplificando um sinal varivel (AC) captado de um microfone, por exemplo, visto na Fig. 12.

Fig. 12

O sinal alternado fraco aplicado base se mistura com a polarizao contnua do transistor (+VCC) e sendo a tenso e corrente de polarizao fornecido pela fonte bem maior, o resultado um reforo do sinal extrado no coletor. H tambm uma inverso da fase (polaridade) do sinal, porque ao chegar um semiciclo positivo do sinal base do transistor, esse semiciclo faz o transistor conduzir mais e como conseqncia o transistor deixa passar mais corrente no coletor reduzindo a resistncia do mesmo. Com isso, a tenso no coletor reduz e o resultado a inverso de fase do sinal que entra positivo e sai negativo. Tambm h inverso quando o sinal entra negativo e sai positivo, porque agora, para um sinal negativo na base o transistor conduz menos aumentando a resistncia do coletor. Esse aumento faz a tenso do sinal amplificado e misturado tenso de polarizao aumentar.

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Configuraes com transistores Os transistores podem ser encontrados nos circuitos eletrnicos amplificando sinais de trs modos: EMISSOR COMUM, COLETOR COMUM, BASE COMUM. Esses modos de operao so chamados tecnicamente de configuraes com transistores. O esquema simplificado da configurao em emissor comum visto na Fig. 13. O sinal entra entre base e emissor e retirado entre coletor e emissor saindo pelo coletor. O emissor comum entrada e sada. Fig. 13

Caractersticas da configurao de emissor comum: a) Resistncia de entrada mdia, porque o sinal encontra a juno do diodo base emissor polarizada diretamente. b) Resistncia de sada alta devido ao sinal encontrar o diodo base coletor polarizado inversamente. A resistncia para a passagem de um sinal chamada de impedncia e constituda pela resistncia hmica, indutncia e capacitncias parasitas presentes nos circuitos eletrnicos. c) H inverso de fase, ou seja, o sinal de entrada sai no coletor amplificado e invertido d) O ganho de tenso, corrente e potncia so altos. A configurao de coletor comum ou seguidor de emissor se caracteriza pelo sinal ser aplicado entre base e coletor e retirado entre coletor e emissor saindo no emissor. O coletor comum entrada e a sada conforme mostra a Fig. 14. Fig. 14

As caractersticas da configurao de coletor comum so as seguintes: a) Impedncia de entrada alta devido ao sinal encontrar a juno do diodo base coletor polarizada inversamente. b) Impedncia de sada baixa porque o sinal encontra a juno base emissor polarizada diretamente. c) O ganho de tenso menor que 1 (no h ganho), porque a tenso do emissor acompanha a tenso da base menos 0,6V da juno base emissor. Por exemplo, se a tenso de base for 9 V, o emissor ter 9 V- 0,6 V= 8,4 V. Outro exemplo, se a tenso de base for 12 V- 0,6 V, a tenso de emissor ser 12 V- 0,6 V=11,4 V. Como o emissor acompanha a tenso de base menos a queda de tenso da juno base emissor, essa configurao de emissor comum tambm chamada de SEGUIDOR DE EMISSOR. d) Ganho de corrente alto. e) Mesmo no havendo ganho de tenso, temos ganho de potncia mdia, porque o ganho de corrente alto e o produto da tenso pela corrente (P=V x I) resulta numa potncia maior que 1. Por exemplo, se aplicarmos 1mW na base e retirarmos 100mW no emissor, tem um ganho de 100 vezes, e 100 bem maior que 1.

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Na configurao de base comum o sinal aplicado entre emissor e base e retirado entre coletor e base, saindo no coletor. A base comum entrada e sada. Veja a Fig. 15.

Fig 15

Caractersticas da configurao de base comum: a) Impedncia de entrada baixa porque a juno do diodo base emissor est polarizada diretamente. b) Impedncia de sada alta porque o sinal sai na juno do diodo base coletor que est polarizado reversamente. c) Ganho de corrente menor que 1 (no h ganho de corrente) devido a uma alta resistncia na sada. d) Ganho de tenso alto devido alta resistncia de sada. e) Ganho de potncia mdio. Famlias de transistores bipolares H uma grande quantidade de tipos diferentes de transistores. Por isso, dividiremos os transistores em grupos ou famlias. Transistores de uso geral pequena potncia Trabalham com pequenas potncias e baixas freqncias. Seus invlucros so na maioria de material plstico, podendo encontrar os de invlucro de metal. So transistores delicados e devido a isso preciso manuse-los com cuidado, principalmente com relao ao uso do ferro de solda que dever ser de baixa potncia e o tempo de soldagem no deve ultrapassar 5 segundos, caso contrrio, o calor poder danificar o transistor. A Fig. 16 mostra alguns exemplos desses transistores. Os transistores de uso geral e pequenas potncias so encontrados em circuitos que trabalham com sinais fracos na entrada, como pr-amplificadores de equipamentos de udio, vdeo, etc. Fig. 16

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Transistores de potncia Os transistores de potncia so fabricados para trabalharem com correntes elevadas chegando a 15 Ampres. As tenses entre coletor e emissor podem atingir 100 V. Alguns desses transistores de potncia so exibidos na Fig. 17.

Fig. 17

Especificaes tcnicas dos transistores bipolares Nos manuais de transistores encontramos especificaes ou caractersticas tcnicas que identificam os transistores. Para os transistores de uso geral temos: Ic abreviao da corrente de coletor. Para os transistores de uso geral temos o Ic (max) ou corrente de coletor mxima, entre 20 mA a 200 mA. Vceo (max) esta sigla representa a tenso mxima entre coletor e emissor quando a base est desligada. Para os transistores de uso geral o Vceo (max) pode variar entre 10 V e 80 V. fT a representao da freqncia de transio. Determina a freqncia mxima que o transistor pode amplificar. Quanto mais a freqncia do sinal se aproximar de fT, menor o ganho do transistor at no amplificar mais o sinal. Quanto maior a velocidade da freqncia do sinal a ser amplificado, menor a velocidade do transistor at parar de amplificar. O fT tambm chamado freqncia de corte. Os transistores de uso geral apresentam fT entre 1 a 200 MHz. Alguns tipos de transistores de uso geral mais populares so: BC 548, BC 558, BC 107, 2N2222, etc. hFE representa o ganho (quantas vezes o transistor amplifica) em corrente esttica (corrente contnua). Pt ou PD Potncia total (mxima) do transistor. Devido a grande quantidade de calor gerado por um transistor de potncia, esses transistores so fixados a dissipadores de calor de alumnio (veja Fig. 18), cujo tamanho depende da potncia do circuito onde o transistor vai trabalhar. Em alguns casos, preciso usar um isolante de mica ou plstico para isolar o transistor eletricamente para deixar o calor passar para o dissipador. Podemos usar tambm alm do isolante, uma pasta trmica para facilitar a transferncia do calor do corpo do transistor para o dissipador. Se usar o isolante, devemos passar a pasta trmica em ambos os lados do isolante, para haver a maior transferncia de calor possvel (veja detalhes na Fig. 19). Encontramos os transistores de potncia trabalhando em circuitos finais ou etapas de sada ligadas a transdutores de potncia como alto-falantes, motores de corrente contnua, regulagem da tenso de sada de fontes de alimentao, etc. Alguns tipos mais populares de transistores de potncia e mdia potncia so: TIP31, TIP32, BD135, BD136, 2N3055, BU205, etc.

Cap. 3 Fig. 18

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Eletrnica Linear - Teoria e Prtica Fig. 19

Transistores de RF (Rdio Freqncia) So transistores fabricados para trabalharem com sinais que apresentam variaes muito rpidas. So geralmente usados em transmisso e recepo de sinais de rdio. A ft desses transistores pode alcanar mais de 1500 MHz (mais de 1 GHz). Alguns tipos de transistores de RF (Fig. 21).

Fig. 21

Um transistor comum de uso geral, no consegue amplificar sinais que apresentam variaes muito rpidas, acima de uma determinada freqncia, porque so lentos. Essa lentido devida s capacitncias parasitas existentes entre as junes de todos os transistores. A Fig. 22 mostra como aparecem essas capacitncias parasitas capazes de apresentarem altas reatncias capacitivas (resistncia) para a passagem de sinais variando em alta velocidade. Fig. 23 Fig. 22

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Essas capacitncias parasitas precisam carregar e descarregar enquanto o transistor amplifica um sinal. No entanto, a velocidade de carga e descarga (reatncia capacitiva) pode no ser suficiente para acompanhar um sinal que varia muito rpido. Na Fig. 23 podemos ver um sinal de freqncia muito alta no amplificada pelo transistor. Para resolver o problema das capacitncias parasitas os transistores de RF so fabricados com regies muito pequenas entre as junes e outros artifcios para reduzir o problema ao mnimo. Circuitos com transistores bipolares Agora que j conhecemos as caractersticas bsicas dos transistores, podemos analisar alguns circuitos prticos. O transistor como chave Esta a forma mais simples de usar um transistor, porque funciona no corte ou na saturao ligado ou desligado e a regio linear no usada. O transistor funciona como uma chave eletrnica ligando ou desligando uma carga. A Fig. 24 exibe o funcionamento de uma chave eletrnica. Fig. 24

Quando a chave S1 est aberta (desligada), no h polarizao na base do transistor, a tenso de base = 0 V e conseqentemente, a resistncia entre coletor e emissor fica muito alta, no permitindo passagem de corrente pela carga, a carga permanece desligada. Dizemos que o transistor est cortado. Ao ligarmos S1, em srie com um resistor de baixo valor que polariza a base, a tenso de base passa dos 0,6V e o transistor vai imediatamente para a regio de saturao fazendo a carga ligar. A resistncia entre coletor e emissor vai a zero ou prximo de zero provocando uma tenso zero volt, devido passagem de toda corrente da carga a plena potncia. Nesse caso, o transistor est saturado. O transistor funcionando no corte e na saturao a base dos circuitos lgicos digitais. Nos circuitos lgicos encontramos as portas lgicas, contendo transistores operando exclusivamente como chaves eletrnicas (ligando e desligando). Cada porta lgica desempenha uma funo. Combinando vrias portas lgicas possvel desenvolver circuitos to complexos quanto, por exemplo, um micro processador contendo internamente milhes de transistores que formam milhes de portas lgicas combinadas para realizarem as inmeras tarefas. A representao de uma porta lgica e como funciona externamente pode ser vista na Fig. 25. Maiores detalhes sobre eletrnica digital devero ser pesquisados em livros dedicados a esse assunto. Nesta apostila sero estudados os princpios da Eletrnica Linear, onde o corte e a saturao no so usados e sim, as variaes de Ic proporcionais s variaes de Ib. Fig. 25

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Os circuitos que formam as portas lgicas so de baixa potncia. Trabalham com correntes fracas. Se quisermos controlar cargas potentes a partir de circuitos lgicos ligamos a sada do circuito lgico base de transistores de potncia. Como usar um transistor para aumentar a potncia do circuito lgico (Fig. 26). Como ativar a carga com transistor PNP (Fig. 27). Fig. 26 Fig. 27

Para ativar a carga com transistor PNP, basta inverter as polaridades. A Fig. 28 exibe como cortar e saturar um transistor PNP. Fig. 28 Fig. 29

Clculo do resistor de base para a saturao Analisemos a Fig. 29. Queremos por exemplo, ligar e desligar uma carga (um motor, por exemplo) ligada no coletor de um transistor. Partiremos das informaes que temos sobre a carga. Geralmente os dispositivos eltricos apresentam apenas a voltagem e a potncia. Sendo assim temos: a) V da carga = 6 V, b) P da carga = 0,6 W, c) I da carga = 100mA (I = P/V, caso I no seja indicado nas especificaes da carga). A corrente da carga a mesma do coletor porque esto em srie (Ic = IL), d) O Ganho (hFE) de transistor para baixa potncia varia entre 100 a 800. Para a saturao usa-se o hFEmin = 100. Para garantir a saturao, os projetistas costumam usar o que se convencionou chamar SATURAO FORTE. Na saturao forte devemos trabalhar com um ganho mnimo = 10. Para obtermos Ib temos: Ic/hFE. e) Rb polariza a base do transistor na saturao para evitar excesso de corrente, caso contrrio, uma corrente muito forte na base poder danificar o transistor.

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O transistor adotado dever ter uma margem de segurana pelo menos igual ao dobro das especificaes da carga.
O Manual de transistores um excelente auxiliar para as dvidas relativas aos mximos e mnimos de um transistor. A internet tambm uma excelente ferramenta de consulta.

Dando seqncia aos nossos clculos para determinao de R que polariza a base para a saturao: Ib (corrente de base) = Ic (corrente de coletor) / hFE (ganho do transistor) Temos: Ib = 0,1A / 10 = Ib = 0,01A. Finalmente aplicaremos a lei de Ohm para achar R da base (Rb): R = Vcc Vbe / Ib Vcc = tenso da fonte = 6 V 0,6 V da juno base emissor, Vcc = 5,4 V. R = 5,4 / 0, 01 = R = 540 . Este o valor mnimo do resistor de polarizao de base para obter a saturao forte. Se for notado aquecimento do transistor melhor substituir por um transistor de MDIA POTNCIA. Esta tcnica de polarizao simplificada usada quando queremos que o transistor sature (corrente mxima de coletor que permite ao transistor operar como chave eletrnica). No entanto, quando queremos amplificar sinais de pequena intensidade, os clculos se tornam complexos. Entretanto, podemos utilizar clculos simplificados, quando o circuito amplificador no exigir exatido. O resultado pode ser melhorado experimentalmente. Geralmente, um nico transistor insuficiente, havendo a necessidade de pelo menos dois transistores, um de pequena potncia e alto ganho e outro de potncia e baixo ganho. O primeiro transistor o pr-amplificador e o segundo ligado carga chamado de amplificador de sada. Amplificador linear de corrente contnua Na Fig. 30 temos um amplificador linear de corrente contnua, onde pequenas variaes da corrente de base provocam variaes vrias vezes maiores no coletor. Com isso possvel controlar cargas de potncia com correntes bem fracas na base. Podemos usar circuitos de controle de baixa potncia para controlar cargas de potncia. Neste circuito, Rb calculado para saturar os dois transistores e com isso obter a potncia mxima da carga. O resistor Rv que um potencimetro ter sua resistncia calculada para controlar o transistor na regio linear para obtermos o controle da velocidade do motor. Veja, no entanto que, a depender da posio do cursor (eixo de ajuste da resistncia) possvel obter os trs modos de operao do transistor: regio de corte, regio linear e saturao. O motor poder ser desligado (transistor no corte), ter sua velocidade aumentada e Fig. 30

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reduzida linearmente (proporcionalmente) e trabalhar com a potncia mxima quando o transistor estiver saturado. Supondo que a carga tem as seguintes caractersticas: Vdc = 12 V, IL = 1A Da etapa amplificadora de sada, para a etapa amplificadora de entrada (pr-amplificador) temos: 1 Passo: Determinar os dados conhecidos: Transistor Q2 de potncia que ser usado na etapa amplificadora de sada e ligada carga, geralmente apresenta: Vce 30 V; Ic 4 A. hFE mximo = 50 (veja tabela pg. 52, Fig. 34). Para obter a saturao forte, conforme visto anteriormente adotaremos o ganho 10. Para o pr-amplificador de pequena potncia as especificaes tpicas so: Vce 30 V Ic = 200mA O hFE do transistor de pequena potncia normalmente bem mais alto do que o hFE do transistor de potncia e varia de um valor mnimo a um mximo. Neste caso, usaremos o hFE mnimo = 10, para garantir a saturao forte. 2 Passo: Calcular os dados desconhecidos: IbQ2(saturao) = IcQ2 = IL / hFEQ2 = 0,2 A / 10 = 0,02A IbQ1(saturao) = IcQ1 = IbQ2 / hFEQ1 = 0,02 A / 10 = 0,002A = 2mA. Rb (saturao) = Vcc Vbe / IbQ1 = 12V 0,6V = 11,4 V / 0,002 A = 5700. Para calcular Rv linear faremos: IbQ1(linear) = IcQ1 = IbQ2 / hFEQ1mdio = 250 (ganho entre 200 a 250 so os valores que mais se aproximam do centro da regio linear, e assim, obter melhor controle do transistor. IbQ1 (linear) = Ic Q1 / hFEQ1 = 0,02 A / 250 = 0,00002 A ou 0,02mA. Rv (linear) = Vcc Vbe / IbQ1(linear) = 12 V 0,6 V / 0,00008 A = ou >> 142,5 K. O smbolo >> indica 10 vezes maior. POLARIZANDO O TRANSISTOR PARA AMPLIFICAR PEQUENOS SINAIS Para que um transistor possa amplificar pequenos sinais, vindos de fontes de sinal de baixa potncia (microfones, etc.). preciso polariz-lo na regio linear que fica mais ou menos no centro da curva de caractersticas do transistor. Veja no Grfico, Fig. 30b, a representao da curva de caractersticas do transistor. Fig. 31 Fig. 30b

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A Fig. 31 exibe uma polarizao de base mais simples, contudo a mais instvel para amplificar sinais variveis, devido s mudanas das caractersticas que podem ocorrer por causa das variaes de temperatura que afetam o ponto de polarizao. O resistor de base apresenta um valor alto em torno de 1MOhm ou mais, prximo ao corte. A Fig. 32 exibe um tipo de polarizao melhorado onde o resistor de base ligado entre o coletor e o resistor de polarizao do coletor. Essa polarizao chamada de polarizao automtica. A auto polarizao ou polarizao automtica, usa a tcnica da realimentao negativa que reduz a tenso de base automaticamente quando a corrente de coletor aumenta. O aumento da corrente de coletor pode tirar o transistor da regio linear provocando fortes distores ou deformaes do sinal original. Quando a corrente aumenta no coletor alm do estabelecido pela polarizao, a tenso no coletor cai e essa queda refletida para base atravs do resistor de base e em conseqncia, uma menor tenso de base faz a amplificao reduzir e fora o transistor a permanecer na regio linear.

Fig. 33 Fig. 32

A tenso de coletor deve ser a metade da tenso da fonte, para as variaes do sinal amplificado ficar em torno desse valor, caso contrrio, se o sinal atingir o valor da tenso da fonte, sairia da regio linear. Temos na Fig. 33, outra forma de polarizar o transistor na regio linear. Esta modalidade de polarizao usa dois resistores, um ligado entre a base e o positivo da fonte e o outro ligado entre a base e o emissor, conhecida como polarizao de base por divisor de tenso. Essa a melhor forma de polarizar o transistor na regio linear devido s caractersticas de maior estabilidade quando a corrente varia com a variao da temperatura.

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Veremos no final desta apostila como calcular de forma simplificada os resistores para polarizar o transistor na regio linear, para ele funcionar como amplificador de pequenos sinais na regio linear. A Fig. 34 apresenta as caractersticas de alguns transistores de uso geral e baixa potncia e tambm de alguns de potncia. Fig. 34

Classes de amplificao O transistor quando amplifica sinais pode ser polarizado de quatro modos diferentes chamados classes de amplificao: CLASSE A, CLASSE B, CLASSE AB, CLASSE C. A Fig. 35 exibe um amplificador em classe A.

Fig. 35

Fig. 36

O grfico esquerda mostra que na modalidade de amplificao em classe A, o transistor amplifica os dois semiciclos e com isso no h deformao do sinal, pois so amplificados sem cortes. Esta modalidade de amplificao no pode ser usada quando usamos amplificao em potncia, porque o transistor conduz o tempo todo mesmo sem sinal na entrada e o gasto de energia numa etapa amplificadora de potncia seria alto. A Fig. 36 mostra a classe B de amplificao. A classe B, o transistor corta metade de um dos semiciclos provocando forte distoro. Na classe C o transistor corta mais da metade de um semiciclo. Na classe B, os transistores trabalham de forma complementar, geralmente usando dois transistores, um PNP e um NPN, de modo a reduzir ao

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mximo as distores. Nessas modalidades de amplificao (classes B e C) os transistores trabalham em etapas de sada de alta potncia porque os transistores s conduzem na presena de sinal. Sendo assim, s h gasto de energia quando h sinal nas bases dos transistores. Na Fig. 37 podemos ver um circuito de sada de potncia em classe AB usando uma configurao chamada, Sada em Simetria Complementar. Cada transistor (Q2 e Q3) conduzem alternadamente. O NPN conduz com os semiciclos positivos e o PNP conduz com os semiciclos negativos do sinal. Essa configurao permite simplicidade, alta potncia, baixa distoro e baixo consumo da energia da fonte de alimentao quando no h sinal na entrada. Fig. 38 Fig. 37

Na Fig. 38, o grfico analisa as classes de amplificao em estudo. Veja que classe de amplificao AB h uma pequena parte de um dos semiciclos cortada. A classe de amplificao AB a mistura das caractersticas da classe A com a classe B. Na realidade, os transistores de sada ficam polarizados de modo a no ficarem no corte total, assemelhando-se a classe A. Na Fig. 39 possvel analisar um amplificador em Classe C. O transistor polarizado no corte de modo a amplificar parte de um semi ciclo. A classe C muito usada para amplificao de sinais de RF (rdio frequncia), devido ao alto rendimento em termos de baixo consumo de energia, porque o transistor s conduz com sinal na entrada. O nvel de distoro alto, mas, a transmisso do sinal de RF serve apenas para transportar a informao que ser separada da RF no receptor. Fig. 39

Cap. 3

- 54 Acoplamento

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O acoplamento um recurso tcnico usado para interligar vrios transistores de modo a aumentar a amplificao e conseqentemente a potncia final. Um Circuito eletrnico pode ser formado por vrias etapas amplificadoras e cada etapa pode conter um ou mais transistores. A Fig. 40 mostra um tipo muito usado de acoplamento chamado Darlington.

Fig. 40

Fig. 40b

Nesse tipo de acoplamento o ganho final igual ao produto dos ganhos dos dois transistores. Se por exemplo, num acoplamento darlington, um dos transistores tiver ganho 100 e o outro ganho 20, o resultado do ganho final 2000! Esse tipo de acoplamento chamado direto. Observe o smbolo para identificar esse transistor na Fig. 40b. Outros tipos de acoplamento entre etapas amplificadoras podem usar capacitores e resistores, e em alguns casos transformadores. A Fig. 41 analisa o acoplamento entre entrada e sada usando capacitores. A finalidade desses capacitores de acoplamento isolar a tenso contnua de polarizao entre uma etapa anterior e a posterior devido s diferenas de tenso entre cada etapa amplificadora, isolando as polarizaes contnuas da fonte. Somente os sinais variveis podem passar atravs dos capacitores. Na verdade os sinais no atravessam os capacitores e sim oscilam entre as placas do capacitor devido ao vai e vem da corrente de um sinal varivel (AC) com a constante troca de polaridade. Como a tenso contnua de polarizao no apresenta tal caracterstica bloqueada. Na Fig. 42 analisamos um acoplamento a transformador entre duas etapas amplificadoras de um receptor de rdio (RF). O efeito de isolao o mesmo.

Fig. 41

Fig. 42

Cap. 3

- 55 Realimentao

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A realimentao negativa uma tcnica utilizada para reduzir o excesso de amplificao capaz de causar distores do sinal amplificado. Para um amplificador de udio, o som soaria desagradvel. Se fosse um aparelho de vdeo, a imagem apareceria torta, ou com outras deformaes da imagem. A Fig. 43 podemos analisar um dos inmeros mtodos de realimentao negativa. Polarizao com Realimentao Negativa Fig. 43

O resistor R2 ao mesmo tempo em que polariza a base de Q1, reaplica (realimenta) a queda de tenso quando houver maior corrente nos emissores dos transistores de sada Q2 e Q3. Maior corrente nos emissores, menor tenso entre os mesmos (lembre-se da Lei de Ohm). A tenso sendo menor reduz automaticamente a tenso de base de Q1 e assim, reduz a amplificao de Q1 e o excesso de amplificao. A Fig. 44 exibe outro mtodo de realimentao negativa realizada por R4.

Fig. 44

O resistor R4 no emissor tem a funo de aumentar a tenso de emissor. Assim o emissor no fica ligado ao zero Volt ou terra (olha a lei de Ohm de novo e a associao de resistores). E pela diferena de potencial que aparece nos extremos do resistor, o lado desse resistor ligado ao emissor fica mais positivo e conseqentemente a base fica mais negativa reduzindo a amplificao caso se torne excessiva.

Cap. 3

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Amplificador de pequenos sinais (PR-AMPLIFICADOR) O pr-amplificador a etapa ou estgio responsvel pela primeira amplificao. nesse estgio que tudo comea. E se no for bem dimensionada as suas caractersticas, o resultado final ser prejudicado. Aps a primeira amplificao sero necessrias outras etapas amplificadoras de maior potncia, at chegarmos etapa final de maior potncia (etapa de sada) ligada carga (alto falante). No pr-amplificador podemos ligar vrias fontes de sinal como microfones, captadores de violo, etc. Na Fig. 45 podemos analisar um pr-amplificador polarizado na regio linear para amplificar sinais AC (udio ou vdeo).

Fig. 45

Escolhemos o transistor para uso geral BC548, cujas caractersticas descritas no manual de transistores so: Vce=30 V, Ic=200mA, Pt.=0.5W, hFE mximo 900. Observe que nessa fase, no precisaremos de potncias elevadas. Essa necessidade ficar para o final. Precisamos amplificar apenas a tenso do sinal porque o sinal aplicado na entrada de fontes de baixssimas potncias (microfones, tocadores, captadores, sensores, etc). Em seguida, precisamos determinar os resistores de polarizao que estabelecero tenses e correntes para o transistor trabalhar na regio linear de suas caractersticas, onde as variaes de tenso e corrente na base produzem variaes maiores e proporcionais entre coletor e emissor sem perdas de partes do sinal. A regio linear a regio entre a saturao e o corte. a parte central da reta de carga da curva de caractersticas dos transistores bipolares, o ponto ideal de polarizao sem sinal na entrada, tambm chamado ponto Q. Se houver erro neste ponto, o transistor trabalhar fora da regio linear, ocorrendo fortes distores (deformao) do sinal amplificado (cortes em partes do sinal). Se o sinal entrar na regio de saturao, no ser possvel variar (aumentar e diminuir), conforme a forma de onda original aplicada entrada do amplificador. Assim, se for um som, por exemplo, s ouviremos rudos.

Cap. 3

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CLCULO DOS RESISTORES DE POLARIZAO PARA AMPLIFICAR PEQUENOS SINAIS O transistor trabalha em classe A, permitindo a amplificao dos dois semiciclos do sinal varivel a ser amplificado. Em classe A, o transistor conduz o tempo todo, mesmo quando no h sinal na entrada. Esse fato acarretaria alto consumo de energia em etapas de maior potncia. Ser preciso tambm, um alto ganho de tenso para um sinal fraco. Na prtica, adotaremos uma corrente de repouso ou quiescente (ponto Q) sem sinal na entrada, de 0,5 mA no coletor, sob uma tenso de 1/2 da tenso da fonte. Com a metade da tenso no coletor, ajustaremos melhor o transistor no centro da reta de carga da REGIO LINEAR. Supondo uma fonte de 9 V, a tenso que alimentar o coletor do transistor ser de 4.5V. Com a metade da tenso, o sinal aumentar ou diminuir em torno desse valor, evitando excessos que tirariam o transistor da regio linear. A baixa corrente de coletor de 0,5 mA garante baixa corrente de base aumentando o ganho de tenso no coletor e baixo consumo, mesmo com o pr-amplificador funcionando em classe A. a)Tenso do coletor 4.5V, b)Corrente de repouso ou quiescente (sem sinal na entrada) 0.5mA. c)Ganho hFE= 200, ou ganho escolhido. O resistor de polarizao do coletor ser: R1=Vcc/2 /Ic R1=4.5 V / 0.5 mA (0,0005 A) R1=9000 Ohms ou 9k, o valor comercial mais prximo 10K. PR1 = (Vcc /2 x Ic) + MS (margem de segurana + 50%) Prximo passo escolher o tipo de polarizao de base: polarizao automtica ou polarizao por divisor de tenso. Escolheremos a polarizao por diviso de tenso porque na prtica a mais estvel, porque coloca o transistor na regio linear com mais facilidade. Isso se deve a alta sensibilidade das junes semicondutoras s variaes de temperatura. Quando a temperatura aumenta, faz a corrente entre coletor e emissor tambm aumentar. A polarizao por diviso de tenso no deixa o transistor imune a temperatura, porm, permite melhor estabilidade. Inicialmente, calcularemos o resistor R4 ligado ao emissor, (veja a Fig. 53). A finalidade de R4 aumentar a estabilidade. Se houver aumento de tenso neste resistor, devido ao aumento de corrente no emissor (reveja associao de resistores em srie), a tenso na base ser menor, por causa da reduo na diferena de potencial entre emissor e a base. O emissor ficar mais positivo produzindo realimentao negativa e reduzindo o aumento de corrente na base. Em conseqncia reduz tambm, um possvel aumento exagerado na amplificao. O aumento exagerado na amplificao poderia tirar o transistor do ponto quiescente pr-definido. O transistor sairia do centro da regio linear (ponto Q). Por conveno, adotaremos no mximo 10% de Vcc, aproximadamente 1 V para o emissor, e como a corrente quiescente no emissor a mesma do coletor, temos: R= V/I PARA O EMISSOR R4=Vcc/Ic R4=1 V/0.5mA (0.0005 A corrente quiescente) R4= 2000 Ohms ou 2K. O valor comercial mais prximo e um pouco acima 2k2.

Cap. 3

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Clculo dos resistores R2 e R3 (divisor de tenso) que polarizaro a base usando um princpio j comprovado na prtica, segundo o qual, para manter estvel o arranjo, a corrente de R2 em srie com R3 (I), ser = 10% de Ic = 0,05mA. OBS.: Vre (Queda de tenso no resistor de emissor) 1,7V. ELIMINAR PRIMEIRO OS PARNTESES. R2 = Vcc (Vbe + Vre) / Ib PR2 = [Vcc (Vbe + Vre) x I ] + MS R3= Vbe + Vre / I PR3 = [(Vbe + Vre) x I] + MS DESACOPLAMENTO Apesar de estabilizar a polarizao do circuito na regio linear, ocorre uma indesejvel interferncia do sinal amplificado, com a polarizao da fonte contnua relativo ao Vbe. Esta interferncia pode ser reduzida com a simples utilizao de um capacitor de grande valor no emissor do transistor. Este capacitor em paralelo com o emissor desvia para a terra essa interferncia, melhorando a amplificao. Essa interferncia acontece devido ao mtodo de polarizao que utiliza a queda de tenso contnua no resistor de emissor (Re) para produzir realimentao negativa, e quanto maior for a corrente neste resistor, maior ser a queda de tenso em Re fazendo o emissor ficar mais positivo em relao ao terminal de base. Com isso, a tenso contnua na base reduz e a amplificao diminui. Essa tcnica evita que o transistor saia do ponto Q (quiescente), porm, afeta tambm o sinal que tambm realimentado negativamente para reduzir a amplificao do sinal. Para reduzir esse problema calcularemos a capacitncia do capacitor de desacoplamento (desvio) que ser um circuito aberto para a tenso e corrente DC e um condutor para o sinal AC. C = 1,59 / Fmin x Re C dado em Farad que dever ser convertido para microfarad ou nano farad. 1,59 um valor constante igual a 10 x 1 / 2 (inverso de 2. Fmin a freqncia mnima de udio (geralmente 20 a 50 hz). Re o resistor de emissor. Como voc deve ter notado, o desacoplamento o inverso do acoplamento. Em alguns casos preciso ligar em paralelo com a base (entrada) um capacitor de 1 nF para desacoplar ou desviar sinais interferentes (indesejveis) misturados ao sinal que desejamos amplificar. Os capacitores de acoplamento C1 e C2 podem ser calculados pela frmula: C1 = 1 / 2 x Fmin x Zin Zin = a impedncia de entrada que = Vbe / Ib C2 = 1 / 2 x Fmin x Rc

Cap. 3

- 59 Osciladores

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Enquanto os amplificadores de pequenos sinais precisam de fontes de sinais externas para ser aplicadas nas suas entradas, os osciladores so amplificadores que geram seus prprios sinais utilizando a tcnica da realimentao positiva, alm da grande importncia para a maioria dos circuitos eletrnicos, tais como: transmissores, receptores, geradores de sinais de udio e rdiofreqncia, clocks de computadores, etc. Analisemos o esquema da Fig. 46, onde temos o mesmo amplificador, s que a realimentao no mais negativa e sim, positiva na base. O transistor pega parte do pulso inicial que produzido no coletor ao ligarmos a fonte de alimentao. O pulso reaplicado a entrada para tambm ser amplificado. O processo se repete, enquanto houver alimentao e produz um sinal usado para vrias finalidades.

Fig. 46

Um exemplo de oscilao criada em amplificadores comuns a produo de um forte apito quando aproximamos o microfone da caixa acstica. O som produzido pelo alto-falante entra pelo microfone reaplicando o sinal sonoro da sada para a entrada. Enquanto no circuito amplificador preciso injetar um sinal externo na entrada para que haja amplificao, no oscilador, a prpria alimentao da fonte usada para gerar sinais variveis a partir da realimentao ou reaplicao de pulsos de tenso contnua a entrada (base) de um transistor positivamente. Conforme j vimos, quando um transistor amplifica na configurao de emissor comum, o transistor inverte o sinal e devido a isso, o oscilador pode precisar de um elo de realimentao ou circuito de realimentao inversor de fase, de modo a manter a realimentao positiva. Quanto mais rapidamente ocorrerem as realimentaes, ou retorno dos pulsos de sinal da sada para a entrada, maior ser a freqncia das oscilaes. Podemos ter osciladores trabalhando desde uma frao de Hz, at vrios Gz! Os diversos tipos de osciladores se diferenciam quanto maneira de reaplicar o sinal a entrada, pela maneira de inverter a fase quando necessria, e pela freqncia dos sinais criados. Um tipo sofisticado de oscilador o sintetizador de msica encontrado nos teclados. Os tipos mais sofisticados usam vrios osciladores trabalhando em conjunto imitando sons de instrumentos musicais. S um msico profissional capaz de diferenciar entre o som real de um instrumento musical e som sintetizado ou imitado eletronicamente.

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- 60 Tipos de osciladores

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Fig. 46b

Existem diversos tipos de osciladores, dentre eles podemos citar: OSCILADOR HARTLEY, OSCILADOR COLPITTS, OSCILADOR A CRISTAL, OSCILADOR COM OPERACIONAIS etc. O oscilador Hartley mostrado na Fig. 46b. Este tipo de oscilador do tipo LC, onde uma bobina e um capacitor determinam a freqncia do sinal produzido. O resistor RB polariza a base do transistor Q1. O capacitor C1 "pega" parte do sinal na sada e faz esse sinal retornar para a entrada (base). O funcionamento do oscilador Hartley comea, quando ligamos a alimentao e o resistor Rb polariza a base prxima da saturao fazendo o transistor conduzir. Uma forte corrente circula entre o coletor e a tomada central da bobina L1, tambm ligada ao positivo da fonte. Essa forte corrente circulando por L1 induz na outra metade da mesma bobina, uma corrente que ser reaplicada base do transistor Q1 atravs do capacitor C1, com a polaridade invertida, de modo a levar o transistor ao corte. Quando o transistor chegar ao corte, a corrente de coletor reduz e conseqentemente na bobina L1 e tambm na outra metade de L1, com isso, a negativao da tenso na base de Q1 atravs de C1 reduz, e novamente a polarizao de Rb volta a ficar mais positiva repetindo todo o processo enquanto a fonte estiver ligada. O transistor fica nesse liga e desliga, ou seja, entre a saturao e o corte produzindo um sinal retirado pelo capacitor CV. A freqncia do oscilador Hartley determinada por L1 e CV. Este oscilador pode ser usado para produzir sinais entre alguns hertz (faixa de freqncias de udio), at algumas dezenas de megahertz atingindo a faixa de rdio freqncia (RF). O oscilador Colpitts visto e analisado com a ajuda da Fig. 47. Fig. 47 Fig. 48

O Oscilador Colpitts funciona de forma semelhante ao oscilador Hartley. A diferena esta na retirada do pulso positivo de realimentao numa derivao formada por capacitores. A bobina L1 e os capacitores C1 e C2 em srie e ao mesmo tempo em paralelo com L1 determinam a freqncia desse

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oscilador. Oscilador a cristal pode ser visto na Fig. 48. No esquema da Fig. 48 temos um oscilador usando um transistor FET que ser analisado em outra apostila sobre transistores de efeito de campo. No circuito de realimentao, controlando a freqncia desse oscilador, h um cristal (XTAL). O cristal (XTAL) controla as oscilaes. um componente feito a partir de cristal de quartzo, capaz de manter a freqncia de oscilao de um oscilador, dentro de valores fixos. O smbolo e aspecto real so vistos na Fig. 49. Fig. 50

Fig. 49

Os osciladores normalmente produzem a freqncia central ou fundamental e seus harmnicos. Os harmnicos so mltiplos da freqncia principal ou fundamental, ou seja, o dobro, o triplo, o qudruplo, etc, da fundamental. Se por exemplo, um oscilador de RF produzir uma freqncia de 1 MHz, sero produzidas freqncias mltiplas de 1 MHz: 2 MHz, 3 MHz, 4 MHz, etc. A Fig. 50 mostra um grfico representando a freqncia fundamental e suas harmnicas. A intensidade desses mltiplos vai reduzindo medida que a freqncia aumenta. Mas, a intensidade dos harmnicos mesmo diminudos, pode ser suficiente para interferir num receptor de rdio, que esteja sintonizando uma estao de freqncia prxima. Os osciladores usados em transmissores usam cristais para manterem sua freqncia dentro de uma faixa estreita, de modo a produzirem s a freqncia fundamental e reduzir ao mximo os harmnicos. Osciladores controlados a cristal podem ser encontrados na placa-me de computador, para controlar a velocidade do microprocessador e outros circuitos. Observao: Os osciladores operacionais sero vistos na apostila sobre circuitos integrados. Amplificadores SINTONIZADOS ou de RF Os amplificadores de rdio freqncia ou RF so amplificadores capazes de trabalhar com freqncias muito altas tanto na sintonia quanto na transmisso desse sinal. Os amplificadores de RF so chamados tambm de amplificadores sintonizados. Basicamente os amplificadores de RF no diferem muito dos amplificadores comuns para baixa freqncia (udio). Contudo, devido as altas freqncias envolvidas, os transistores nesses amplificadores apresentam caractersticas especiais, principalmente com relao fT ou freqncia de transio, que deve ser alta. Sendo assim, no podemos substituir um transistor projetado para RF por outro de uso geral com uma fT baixa. A Ft determina a velocidade com que as cargas eltricas se movimentam no transistor e limitada pelas capacitncias parasitas.

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Princpios de transmisso e recepo de sinais de rdio Quando uma corrente alternada circula por um condutor, em volta desse condutor so geradas ondas eletromagnticas, uma forma de energia que se propaga pelo ar e dependendo da freqncia (velocidade das oscilaes) pode atravessar a atmosfera da terra indo muito longe espao afora. A Fig. 51(a) demonstra em um esquema simplificado em blocos, o funcionamento de um transmissor.

Fig. 51(a)

Um transmissor de RF constitudo por um oscilador que gera a onda portadora, o sinal da onda portadora vai para a etapa moduladora onde misturada com o sinal do bloco fonte de programa. O sinal da fonte de programa pode ser o de um microfone ou outra fonte qualquer como um CD, um aparelho de Vdeo, etc. O resultado da mistura o sinal modulado (fonte de sinal + sinal da onda portadora) indo posteriormente para uma etapa final de alta potncia. O amplificador de RF final de alta potncia ligado a uma antena para irradiar o sinal modulado de RF pelo ar alcanando vrios kilmetros. A potncia do amplificador final ou de sada de um transmissor pode ir desde alguns miliwatts, caso dos transmissores de telefones celulares, at vrios kilowatts, caso dos retransmissores de telefonia celular e de estaes comerciais de Rdio e TV. Necessidade da onda portadora: O uso da onda portadora tem basicamente duas utilidades: a) Os sinais de baixa freqncia (som ou vdeo) possuem limitaes fsicas que dificultam a transmisso dos mesmos a longas distncias. Entretanto, os sinais de freqncia mais alta (rdio freqncia ou ondas de RF) so capazes de atravessar ou contornar obstculos. Assim, para transportar os sinais que correspondem a uma informao de freqncia mais baixa, em relao aos sinais de RF, ser preciso mistur-los com um sinal de freqncia bem maior, chamado PORTADORA de RF. Como o nome est dizendo, a portadora de maior freqncia carrega o sinal referente informao de menor freqncia. b) A outra utilidade da portadora diferenciar as inmeras estaes transmissoras pelo mundo afora, tanto comerciais quanto amadoras. A freqncia da portadora funciona como uma carteira de identidade (RG) das estaes de rdio. Cada emissora tem seu espao em freqncia para que uma no interfira na outra. Caso contrrio haveria grande confuso nas transmisses e evidentemente, os receptores s conseguiriam captar a emissora mais forte e com muito rudo, por causa das outras emissoras tentando transmitir na mesma freqncia. O sinal de informao chamado sinal MODULADOR e transmitido com a portadora. O nome sinal modulador porque o sinal de informao modula (modifica) a portadora. A modulao necessria para no se perder as caractersticas de amplitude (intensidade) e freqncia do sinal de

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informao, caso contrrio, a portadora seria transmitida sem carregar o que interessa que a informao. A mistura da portadora de RF com o sinal modulador BF (baixa freqncia), chama-se ONDA MODULADA. No receptor feito o processo inverso da modulao. Separa-se o sinal modulador (informao) contido no sinal portador (portadora de RF). A esta separao chamamos DEMODULAO. Existem vrias tcnicas de modulao. As mais populares so as modulaes em amplitude (AM) e em freqncia (FM). Na transmisso AM, o sinal modulador pode ser o som de um microfone. Esse som muda a amplitude da onda de alta freqncia. Enquanto a transmisso em FM modifica ou modula a portadora em freqncia. Esse ltimo tipo possui curto alcance, porm tima qualidade de transmisso porque como no muda a amplitude (intensidade), o sinal praticamente imune a transiente de rudo, que podem surgir nos momentos de reduo de amplitude do sinal AM e assim, deixar o rudo com maior intensidade. A Fig. 51(b) mostra um grfico contendo o espectro das diversas faixas de oscilaes das ondas eletromagnticas.

Fig. 51(b)

Na Fig. 51(c) podemos observar um circuito amplificador de RF de baixa potncia. Este amplificador um transmissor simples onde todos os blocos vistos na Fig. 51(d) so realizados por um nico transistor de RF, cujo cdigo BF 454 ou 2N2218. O transistor amplifica o sinal vindo de um microfone de eletreto que possui internamente um transistor para amplificar o sinal provocado pela voz. Posteriormente mistura (modula) o sinal de udio com o sinal da portadora criado pelo mesmo transistor, tambm funcionando como oscilador de alta freqncia e amplificador final ou de sada, ligado antena. Fig. 51(c) Antena Fig. 51(d)

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O mine transmissor de pequena potncia pode ser montado usando componentes de sucata e a bobina pode ser feita enrolando-se 4 voltas de um pedao de fio rgido comum num lpis. CV um capacitor varivel (trimmer) que em conjunto com a bobina L1 determina a faixa de freqncia de transmisso, na faixa de FM entre 88 a 108 MHz. As ligaes devem ser as mais curtas possveis, porque fios muito longos induzem indutncias e capacitncias parasitas e reduzem a eficincia do transmissor. A Fig. 51(d) exibe um diagrama em blocos de um receptor de rdio, que faz o processo inverso, pode captar os sinais dos transmissores dentro da faixa de recepo desse receptor. No diagrama em blocos da Fig. 51(d) temos um receptor chamado super heterdino. Esse receptor funciona da seguinte forma: O oscilador misturador tem a funo de captar pela antena qualquer sinal de portadora na faixa selecionada (AM, FM, OC, etc.). Um circuito chamado circuito de sintonia separa apenas uma estao entre vrias, em seguida, o sinal de um oscilador chamado oscilador local produz uma freqncia maior que a sintonizada. Na etapa misturadora, o sinal sintonizado e o sinal produzido pelo oscilador local so misturados, e o resultado da mistura produz um terceiro sinal sendo a diferena entre os dois primeiros. Esse terceiro sinal ter sempre a mesma freqncia, seja qual for a freqncia sintonizada, isso simplifica o processo de sintonia. Esse terceiro sinal chama-se Sinal de FI ou freqncia intermediria. A FI vai para as etapas amplificadoras de FI para aumentar o nvel de amplificao. Os amplificadores de FI possuem circuitos de acoplamento constitudos de pequenos transformadores e capacitores que s deixam passar o sinal de FI (circuito sintonizado). Posteriormente, o sinal de FI vai para uma etapa chamada detectora onde demodulado, a portadora separada do sinal modulador, no caso um sinal de som. A etapa demoduladora faz o processo inverso do modulador no transmissor. Aps a separao do sinal modulador em relao portadora de FI, o sinal de som puro (sem a portadora) vai para a primeira etapa de udio, um pr-amplificador para fazer a primeira amplificao, e em seguida, passar pela etapa driver para aumentar a amplificao da etapa pr-amplificadora. Finalmente, haver sinal de udio forte o suficiente para excitar a etapa de sada de udio, at a sada no altofalante.

Fig. 52

No amplificador comum para baixas freqncias udio (som), por exemplo, o acoplamento entre a entrada e sada feito atravs de capacitores. Na Fig. 52 temos um amplificador sintonizado (RF) com acoplamento entre entrada e sada feito por transformadores ajustados para operarem numa nica freqncia, so sintonizados. Os amplificadores de FI so amplificadores sintonizados, transformam com a ajuda de um circuito oscilador, qualquer valor de freqncia da onda portadora sintonizada na antena, em uma nica freqncia chamada de freqncia intermediria ou FI. Essa tcnica muito mais eficiente, pois, se tivssemos de sintonizar os amplificadores de RF para cada freqncia sintonizada seria muito demorado mudar de estao. A cada mudana teramos de reajustar os transformadores de acoplamento.

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Os receptores sem a sintonia fixa das etapas amplificadoras de FI fizeram parte dos primeiros rdios, quando havia meia dzia de estaes transmissoras. Hoje, com tantas emissoras, seria invivel mudar de estao, devido mo de obra para reajustar os amplificadores de RF a cada mudana. Amplificadores de potncia (AMPLIFICAO FINAL) Os amplificadores em classe A amplificam os sinais sem perder nenhuma parte dos dois semiciclos. No entanto, no podem trabalhar com altas potncias, por que o consumo de energia muito alto, devido a conduzirem corrente o tempo todo, mesmo sem sinal na entrada. Com a amplificao em classe B obtm um bom nvel de potncia com baixo consumo de energia, porque como j foi explicado anteriormente no tpico referente a classes de amplificao, na classe B, o transistor s conduz quando houver sinal na entrada, porm, a classe B distorce muito o sinal porque corta um dos semiciclos do sinal. A soluo encontrada unir as boas caractersticas da classe A (praticamente no introduz distoro) com a alta potncia da Classe B com baixo consumo. Usaremos o circuito da Fig. 53. Usamos dois transistores, um NPN e outro PNP. Os transistores usados devem ser do tipo par casado, um deve ter as mesmas caractersticas do outro, e polaridades opostas. Para que isso seja possvel, necessrio adquirir os transistores do mesmo fabricante.

Q2 Fig. 53 Fig. 54 Q3 Q1

Na Fig.53 podemos analisar um amplificador em simetria complementar, classe AB. Q1 amplifica em classe A, enquanto Q2 e Q3 amplificam alternadamente em classe B. A classe B, como j analisamos, trabalha com potncias altas, acima de 100 W em casos especiais, mas, apresenta um problema de distoro, chamado Distoro por Cross Over. Essa distoro pode ser resolvida usando tcnicas apropriadas de polarizao para reduzir ao mximo o problema. A Fig. 54 demonstra o grfico do sinal deformado. A Distoro exibida no grfico chamada de Cross Over ou Distoro de Cruzamento ou Transio. Quando o sinal passa pelo eixo horizontal, representado pelo grfico, no ponto de mnima tenso do sinal. Valores de tenso inferiores a 0,6V, na classe B, no so amplificados, ocorrendo deformao do sinal original como pode ser visto na Fig.54. Temos na sada (etapa de potncia), dois transistores de potncia ligados ao alto-falante, na configurao de coletor comum, interligados pelos emissores, polarizados em classe AB. Nesta classe de amplificao, o transistor s amplifica metade do sinal, sendo que o NPN amplifica os semiciclos positivos e o PNP os negativos. Os transistores ficam quase no limiar do corte, quase na conduo. Por isso, o nome dessa polarizao AB.

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Temos na Fig. 55, o circuito completo de um amplificador de sinais cuja entrada h um sensor de som (microfone). Alguns resistores so variveis para facilitar o ajuste fino e obtermos o melhor desempenho do amplificador. Manteremos a tenso nos emissores em metade da tenso da fonte, bastando escolher os resistores de polarizao corretos. Temos tambm um transistor adicional chamado driver, ligado diretamente base do transistor de sada PNP. O driver ou impulsor uma etapa de amplificao a mais para produzir um ganho adicional de tenso nas bases dos transistores de sada, aumentando a amplificao total. O driver trabalha em classe A.

Fig. 55

A realimentao negativa do driver feita interligando atravs de um resistor os emissores dos transistores de sada base do driver. Para obtermos um ajuste da realimentao, podemos ligar um trimpot em srie com o resistor que tem o valor de 100 k. Veja que para o trimpot ficar em srie preciso curtocircuitar um dos terminais extremos ao terminal central. Para o ajuste, o trimpot pode ter o dobro ou mais do valor do resistor ligado em srie. O capacitor ligado ao alto-falante tem por finalidade isolar a alimentao contnua, deixando passar s os sinais variveis. O capacitor se carrega nos semiciclos positivos e se descarrega nos semiciclos negativos. O diodo tem a finalidade de desviar excessos de corrente nas bases dos transistores de sada devido ao aumento de temperatura nas junes dos mesmos. Tambm aproveitada a queda de tenso na juno desse diodo para elevar a tenso de base do transistor NPN em 0,6V e reduzir em - 0,6 na base do PNP. Essa tcnica como j vimos, usada para deixar os transistores de sada bem prximos conduo e reduzir o efeito chamado distoro por cross-over. Podemos usar um trimpot (potencimetro em miniatura) para obtermos um ajuste preciso de Vce = Vcc / 2 na juno dos emissores dos transistores de sada, que ter o dobro da resistncia de base ligado no anodo do diodo. Esse ajuste fundamental para a correta simetria do sinal amplificado, caso contrrio, os semiciclos ficariam com tamanhos diferentes causando distoro. O resistor do coletor do drive em srie com o trimpot deve manter uma Vce = Vcc / 2. O seu clculo simples, basta usar a frmula: RbQ2 (R1) = Vcc /2 / IbQ2 + IcQ1.
Ic Q1 = 10% IC PR1 = [(Vcc/2) x (IbQ2+ IcQ1)] + MS

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Para obter o ajuste preciso de Vcc / 2 na juno dos emissores dos transistores de sada reduza a resistncia de RbQ2 pela metade, enquanto usa o dobro da resistncia de RbQ2 para a resistncia do trimpot de ajuste. Para determinar Ib de Q2 preciso determinar o ganho (hFE) de Q2 que se for de potncia no ultrapassa 50. Para determinar a corrente IC de Q2 usamos a frmula: IbQ2 = IcQ2 / hFEQ2. A corrente IC do driver pode ser a mesma da corrente Ib de Q2. Se a corrente IC de Q1 for maior do que 50mA, poder levar Q1 a aquecer, ser preciso usar um transistor de mdia potncia no lugar de Q1, como por exemplo, o BD135. Se a corrente IC de Q1 for inferior a 50mA, um transistor comum de baixa potncia como o BC548 ou equivalente ser suficiente. Para potncias maiores que 5W, dependendo das caractersticas dos transistores ser preciso adotar tcnicas mais complexas de polarizao, que leva em conta o aquecimento dos transistores e voc ter que pesquisar mtodos especiais de polarizao. A corrente Ib do driver se calcula do mesmo modo, visto anteriormente para Q2. O hFE do driver ficar em torno de 200. Os manuais de transistores e informaes obtidas na internet so timos auxiliares para desenvolvimento de projetos. O capacitor C4 de 100nF calculado por C = 1 / 2 x Fmin x Rmin. Este capacitor promove o acoplamento entre a etapa pr-amplificadora e a etapa driver, para no haver interferncia da polarizao CC da fonte de sinal com o sinal AC na entrada do amplificador driver. Rmin a resistncia de entrada do transistor = Rmin = Vbe / Ib. O capacitor C2 acopla a sada para que no haja interferncia da baixa resistncia da carga (alto-falante) na polarizao dos transistores de sada deixando passar s o sinal. Estes capacitores podem ser determinados usando a frmula: C = 1 / 2 x Fmin x Rmin = RL A potncia final desse amplificador de udio apresenta um rendimento de 0.5W. Parece pouco, mas no , basta voc saber que a maioria dos amplificadores de udio, encontrados em aparelhos de TV, rdios portteis, etc., tm uma potncia que no ultrapassa 1W. Esses aparelhos que o fabricante diz ter 3000W PMPO ou mais, no passam na maioria de 4 a 5W por canal ou menos! O mtodo de medio de potncia reconhecido internacionalmente a RMS ou potncia mdia quadrtica, cuja frmula mais simples para determin-la P = VAC2 / Zout. A frmula diz que a potncia de sada do amplificador = quadrado da VAC, medida a pleno volume, com um sinal de entrada de 1 kHz senoidal, com intensidade suficiente para excitar o amplificador com o mnimo de distoro e dividido pela impedncia de sada do amplificador. Se um amplificador domstico fosse capaz de fornecer uma potncia de 3kW, o aparelho aqueceria tanto que os gabinetes de plstico derreteriam. Voc j tentou pegar numa lmpada de 5W (cinco Watts) ligada? O aquecimento queimaria sua mo! Amplificadores com potncias to altas, s so encontrados em equipamentos profissionais carssimos e chegam a pesar alguns quilos. A Fig. 56 exibe um circuito mais simples e tambm como ligar o multmetro e outros instrumentos de testes para os ajustes finais do amplificador. XMM3
XFG1

R2
1Mohm

V1
12V

Q2
BJT_PNP_VIRTUA L XMM1

R4
1kohm XSC1

Fig. 56
R1
XMM2 8ohm A B G T

C1 R3
1kOhm Key = a
50%

Q1
BJT_NPN_VIRTUA L

1uF

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AJUSTES FINAIS: Para o correto funcionamento do amplificador preciso fazer os seguintes ajustes: Ligue a fonte. A Fig. 57 exibe um exemplo de uma boa fonte estabilizada por zener e transistor. O transistor amplifica o efeito de estabilizao do zener. O potencimetro faz o ajuste fino da tenso de sada. Fig. 57

Em seguida, mea a tenso contnua entre os emissores dos transistores de sada SEM SINAL NA ENTRADA. Ao mesmo tempo, ajuste o trimpot P3 (este resistor pode ter o dobro ou mais do valor de R5, que dever ser reduzido pela metade), para ler uma tenso num multmetro. O multmetro dever ser chaveado para a escala de tenses contnuas, em torno da metade da alimentao da fonte. Esse trimpot ajusta a corrente quiescente ou de repouso do transistor impulsor ou driver, para que a polarizao das bases dos transistores de sada mantenha os emissores na metade da tenso de polarizao. Se for preciso um ajuste mais preciso ligue em srie com R6, um trimpot com no mnimo o dobro da resistncia de R6 e R6 ser reduzido pela metade. Calculando a potncia real de um amplificador P = V / R Onde: P= potncia em Watts RMS (potncia real). V= tenso AC medida com o multmetro nos extremos da sada das caixas acsticas. Para medir essa tenso, precisaremos desligar as caixas, e substitu-las por um resistor (R) de 8 Ohms, ou conforme a impedncia de sada. O resistor dever ter em torno de 20W ou mais. Abra todo o volume e injete um sinal de preferncia de um injetor de sinais para maior preciso com uma freqncia fixa de 1 kHz. Se no dispuser de um injetor, use o sinal de uma msica bem barulhenta. A preciso da medida no ser to boa, mas, d para ter uma idia aproximada. Voc ver que seu aparelho de som de 3000W no passa de um amplificador de no mximo 5W por canal ou menos! Um amplificador de 100W um amplificador que pode ser considerado profissional, capaz de sonorizar com alto rendimento, grandes sales. Fontes de alimentao reguladas ou estabilizadas com transistores Sabemos que para uma fonte funcionar com o mnimo de ripple, a filtragem simples usando grandes capacitores eletrolticos insuficiente. As melhores fontes so as fontes de alimentao reguladas. A regulagem mais simples feita com diodos zeners e transistores de potncia trabalhando em conjunto. O zener faz a regulagem propriamente dita e o transistor amplifica a regulagem.

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A maioria dos zeners reguladores usados em equipamentos eletrnicos, so para baixa potncia, no podendo controlar correntes maiores que 10 mA. A maioria dos reguladores mais simples so os chamados reguladores srie, usando transistores de potncia bipolares. O nome regulador srie devido ao transistor ser ligado em srie com a carga numa configurao de coletor comum, ou seja, a corrente regulada e amplificada sai do emissor do transistor. Veja na Fig. 58 o circuito do regulador srie Fig. 58

Vi ou Ve representa a entrada da fonte no regulada, onde podemos aplicar a sada de uma fonte no regulada projetada anteriormente. Vo ou Vs representa a sada regulada. Exemplo prtico: Projetar um regulador srie, para uma fonte no regulada de 9 V, sendo a tenso da carga 3 V e potncia consumida pela carga de 300mW. Sabendo a potncia e a tenso da carga fica fcil saber a corrente da carga, IL = PL/VL = 100mA. Para o correto funcionamento do regulador transistorizado srie preciso uma diferena de tenso entre a tenso no regulada e a tenso regulada, de no mnimo 3 V a mais em relao tenso de sada Vo, para o transistor no saturar, saindo da regio linear, e assim, no poder variar a corrente regulada de acordo com as necessidades da carga. Esta variao controlada pelo zener que estabelece uma tenso de referncia. Na base do transistor regulador, o zener controla a amplificao de corrente do transistor, de modo a manter essa corrente constante na carga e assim estabilizar a tenso. Especificaes do projeto: Vi ou Ve = 9 V (tenso de entrada no regulada) Vo = 3 V (sada regulada) IL = 100mA

1 Passo: Escolha do zener: Vo = Vz Vbe Onde Vbe = tenso base emissor do transistor. Para um transistor de silcio 0,6 V a 0,7V. Vz = Vo + Vbe = Vz = 3 + 0,6 = 3,6 V. Escolhemos um zener com VZ = 3,6 V por 400 mW, pois a potncia no zener ser menor do que esse valor, porque a corrente de base ser de alguns microampres.

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2 Passo Clculo de R (resistncia de limitao da corrente do zener). Para facilitar os clculos adote para IL = 0 A, ou seja, sem carga. Assim no ser preciso calcular Ib, simplificando os clculos. Onde: Izmax = corrente mxima do diodo zener. Podemos escolher um zener de baixa potncia (400mW, por exemplo, valor comercial mais baixo), porque a potncia desenvolvida entre base e emissor muito menor do que este valor (Vbe x Ib < Pz). Izmin = corrente de polarizao do zener poder ser = 10% de Izmax. R > Vi Vz / Izmin + IL; IL = 0A, como vimos anteriormente. Para o exemplo temos: Vi ou Ve = 9 V Vz = 3,6 V IZmax = Pz / Vz = 0,4 / 3,6 = 111mA Zmin = 10% de 111mA = 0,0111A R = 9 V 3,6 V / 0,0111 A = 486 , usaremos o valor comercial mais prximo. A potncia do resistor do zener limitador de Izmin : Prz = [(Ve Vz ) x Izmin] + 50% = +50% a margem de segurana para prevenir que o componente (resistor) trabalhe no limite e queime. Se quisermos mais proteo devemos substituir Vi = Ve, por Vm (tenso de pico). Prz = [(9V 3,6V)] x 0,0111 x 1,5 = 89 mW. Ser escolhido o valor comercial mais prximo que 1/8W. 3 Passo determinar o transistor regulador. Para determinar o transistor devemos saber: Vce, Ic e Pt. Do circuito temos: Vce = Vi Vo Onde: Vce = tenso entre coletor e emissor Para o exemplo temos: Vce = 9 3 = 6 V O valor de VCE apenas 6 V porque o transistor como vimos est em srie com a carga, dividindo a tenso VI (9 V) com a carga. O Vce do transistor deve ser superior ao valor calculado, no mnimo o dobro. A potncia do transistor (Ptot) ser obviamente Vce x Ic, sendo Ic = a IrL (corrente da carga). Assim, as especificaes mnimas para o transistor regulador so: Vce = 6 V Ic > 100 mA = IL = 100 mA. (corrente da carga). Assim Ic = 200 mA. Pt = 6 x 0,2 = 1,2 W. Consultando um manual de transistores, um transistor BD 135 mais do que suficiente para as necessidades dos nossos clculos. No esquecer que o transistor dever ser fixado a um dissipador de

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calor. O uso de pasta trmica vendida em qualquer casa de componentes eletrnicos recomendvel para dissipar o calor e proteger o transistor. No circuito final (Fig. 59) ser acrescentado um capacitor em paralelo com o zener para aumentar a filtragem e estabilizao. O capacitor tem nestas condies, a sua capacitncia multiplicada pelo ganho do transistor que para o tipo escolhido, o ganho fica em torno de 10 a 50 vezes ou mais, dependendo do fabricante. As caractersticas exatas do transistor, s podem ser obtidas com o manual de transistores. Para sabermos o ganho final do transistor usamos a frmula: Fig.59 hFE = Ic / Ib hFE = 0,1 A 0,01 A = 10 Para um capacitor de 100 F, temos: 100 F x 10 hFE = 1000 F. O resultado uma melhora considervel da estabilizao de tenso. Detalhes de uma fonte melhor elaborada capaz de alimentar uma carga de 12 V por 2 A, com um transistor 2N3055, de alta potencia vista na Fig. 60. Observe tambm o acrscimo de um transistor de uso geral, baixa potncia e alto ganho, para reduzir a corrente no zener proporcionando maior estabilidade e maior ganho devido ao acoplamento Darlington. O potencimetro P1 permite que a tenso regulada seja ajustada desde 0 V passando por vrios valores intermedirios de tenso, at o valor mximo, que no exemplo equivale a 12 V. O potencimetro dever ser do tipo linear.

Fig. 60

Como temos dois transistores, o zener deve trabalhar com 1,2 V a mais, devido queda de tenso nas junes dos dois transistores. Para P1 podemos usar valores de resistncia entre 10 K a 47 K. O capacitor ligado entre o emissor (sada) e negativo da fonte serve para estabilizar a sada. Valores maiores que 220 F podem dificultar o ajuste de tenso sem carga. Uma alternativa para usar um capacitor maior no emissor, usar um resistor entre 470 a 1 k em paralelo com o capacitor, para a sada da fonte no ficar sem carga, e o ajuste de tenso ser mais preciso. A tenso de sada (Vs) = a tenso de entrada Ve = (Vbe x 2) +3, para haver uma folga, por causa das quedas de tenses que devemos considerar, desde a entrada (Ve), at a sada (Vs).

Cap. 3 Para Vs = 12 V + (0,6 x 2) = 13,2V

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Vz = Vs + 1,2V, porque cada transistor apresenta uma queda de tenso entre base e emissor de 0,6V. Se essa queda no for considerada, a tenso na sada ser reduzida em 1,2V. Izmax poder ser calculado como foi explicado anteriormente. Izmin = 10% de Izmax, como explicado anteriormente. Rz fica em srie com o zener, para limitar a corrente do zener calculado como anteriormente explicado. O potencimetro de ajuste ser determinado pela frmula: P1 = Vz / 10% IZmin. O capacitor ligado na base do 1 transistor poder ser calculado pela seguinte frmula: C= 1,59 / P1 x F C = capacitncia em Farad. 1,59 = constante P1 = Resistncia de P1 F = Freqncia residual que poder haver aps a filtragem da fonte (ripple) = 120 Hz. Esse capacitor melhora sensivelmente a filtragem da fonte, devido a sua capacitncia ser multiplicada pelo ganho dos transistores em acoplamento Darlington, se o ganho do primeiro transistor for 100 e do segundo 10 = 100 x 10 = 1000. Se o capacitor tiver uma capacitncia em torno de 10F, a capacitncia total ser 10 F x 1000 = 10.000 F. A tenso de trabalho do capacitor dever ser pelo menos o dobro de Ve. Para correntes acima de 5 Ampres devemos optar por uma fonte chaveada, porque o transformador ficar muito grande e caro. O projeto de uma fonte chaveda complexo. Voc dever pesquisar em livros especializados no assunto.

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