Estudo da caracterstica IC (VCE , IB ) de um

transstor npn
Joo Paulo Couto Costa
15 de Outubro de 2014
Resumo
Realizou-se, para um transstor npn, o estudo da sua curva caracterstica IC (VCE , IB ) (a corrente de coletor em funo da tenso entre o coletor
e o emissor e em funo da corrente de base, que foi fixada em diferentes
valores, por ajuste de resistncias na respetiva malha) e determinamos
uma das suas retas de carga (para VC = 8V ). A gama de correntes de
base utilizada foi IB [14; 37] A. Os resultados obtidos foram os esperados. Observou-se inicialmente uma zona de saturao seguida de uma
zona de funcionamento no modo ativo para todos os diferentes valores de
IB previamente fixados. Determinou-se tambm o ganho de corrente
entre o emissor e o coletor do transstor para cada valor de IB estudado.
Os valores foram 1 = 273, 2 = 279, 3 = 268 e 4 = 269 com preciso
de 98%, 97%, 96% e 96% respetivamente. Estes valores esto dentro da
gama indicada pelo fabricante. A reta de carga obtida com R2 = 0, 9994
permitiu-nos ainda calcular o valor da resistncia na malha coletora. O
valor obtido foi 332 com uma preciso de 98% que se encontra dentro
da tolerncia anunciada pelo fabricante da resistncia utilizada. Assim
verificaram-se os diferentes modos de funcionamento do transstor e a sua
utilidade como amplificador.

1
1.1

Introduo
Objetivo

Dada a grande importncia dos transstores nos dias que correm devido sua
grande utilizao nas mais variadas tecnologias, com a realizao desta experincia pretendeu-se estudar o comportamento de um destes dispositivos, em
particular a sua caracterstica IC (VCE , IB ).

1.2

Introduo terica

Um transstor bipolar (ou de juno) um dispositivo que permite controlar

a corrente que entra num dos terminais, atravs da corrente injetada noutro
terminal.
1

Figura 1: Configurao e smbolo dum transstor N-P-N. A setas no smbolo

indica o sentido convencional da corrente entre a base e o emissor
Um transstor bipolar consiste em duas junes no mesmo material semicondutor (normalmente silcio). Uma camada muito estreita de semicondutor
tipo p (ou n), designada por base (B), ensanduichada entre duas camadas
mais espessas de material semicondutor com nveis apropriados de dopagem relativamente base e de tipo oposto (isto , se a base do tipo p, estas duas
camadas so do tipo n e reciprocamente)[2]. A estas camadas, uma designamos
por coletor (C) e a outra por emissor (E). Para a realizao deste estudo foi
utilizado um transstor n-p-n, ou seja, um transstor de base tipo p (figura 1).
O transstor bipolar deste tipo pode ser interpretado como duas junes p-n que
interagem entre si por via da regio comum da base.

Em seguida encontra-se uma analise em maior detalhe de cada terminal:

Emissor - Camada com maior dopagem e uma regio rica em portadores
de carga. o ponto de partida para estes, pelo que, noutras palavras, o
emissor define o sentido da corrente (explicando a seta no seu terminal no
smbolo conforme visto na figura 1).
Base - Camada com dopagem intermdia. A base parece-se como uma
pelcula muito fina, comparando-a com as restantes camadas. Tem como
funo instaurar o funcionamento inicial do transstor.
Coletor - Camada de menor dopagem e maior superfcie do transstor.
No seu percurso do emissor para o coletor os eletres atravessam o material semicondutor da base, onde existem posies livres (lacunas) para estes se fixarem
(no caso do transstor npn, pois a base do tipo p) pelo que ocorre o fenmeno
de recombinao eletro-lacuna. Ao ocorrer este fenmeno o eletro passa a
estar numa posio no livre pois pertence agora a uma ligao covalente dos
tomos da malha cristalina de silcio. Estes eletres deixam ento de contribuir
para a corrente eltrica e a base fica carregada negativamente, gerando-se assim
2

Figura 2: Circuito exemplo para clculo das tenses no transstor

foras eletro-repulsivas chegada de novos eletres base, pelo que estes so
repelidos e do origem corrente de base Ib .
Dado a existncia de trs terminais no transstor, este pode ser operado em
trs configuraes diferentes sendo elas: coletor comum, base comum e emissor
comum[2] dependendo de qual dos terminais est ligado ao comum do circuito.
Para o transstor funcionar no modo ativo, necessrio que uma das junes esteja polarizada diretamente (base-emissor), e a outra (base-colector) polarizada inversamente. Nestas condies, considerando as correntes e tenses
indicadas na figura 2, teremos, a partir das leis de Kirchhoff:
IE = IC IB

(1)

VBE + VCB VCE = 0

(2)

Uma melhor analise sobre os modos de funcionamento do transstor pode ser

encontrada nas subseces 1.2.2 e 1.2.3.
Um modelo pormenorizado do transstor estabelece uma relao entre as
variveis das equaes 1 e 2 sendo que apenas quatro delas so independentes.
No entanto, para a maioria dos casos prticos, o estudo pode ser feito recorrendo
ao modelo simplificado do transstor assumindo as suas consideraes como
vlidas no caso em estudo.
1.2.1

Modelo Simplificado

Para o regime de funcionamento linear este modelo baseia-se em[1]:

A corrente de coletor Ic proporcional corrente de base quando o transstor se encontra afastado das zonas de corte (Ic = 0) e de saturao (Ic
apenas limitada pelos elementos externos);
A tenso entre a base e o emissor (VBE ) constante quando em conduo (esta juno comporta-se como um dodo que, nesta aproximao,
corresponde a um dodo ideal).
3

Figura 3: Circuito do modelo simplificado

Tendo em conta estas consideraes, analisando o circuito da figura 3,teremos:

IC = IB

(3)

VB IB RB VBE = 0

(4)

VC IC RC VCE = 0

(5)

IE = IB + IC

(6)

Destas equaes anteriores obtemos I B , I E , I C e V CE :

IB =

VB VBE
RB

IC =

VB VBE
RB

IE = (1 + )

VB VBE
RB

VCE = VC RC IC
1.2.2

(7)
(8)
(9)
(10)

Modos de funcionamento de um transstor bipolar

Na tabela 1 encontram-se os modos de funcionamento de um transstor bipolar

e as respetivas polarizaes de cada juno[2].

Modo de operao
Ativo
Saturao
Corte

Juno base-emissor
Polarizao direta
Polarizao direta
Polarizao inversa

Juno base-coletor
Polarizao inversa
Polarizao direta
Polarizao inversa

Tabela 1: Modos de funcionamento de um transstor bipolar

Figura 4: Transstor bipolar de silcio em corte (a) e modelo equivalente (b)

1.2.3

Transstor em corte e em saturao

Corte
Observando a tabela 1 o transstor estar em corte quando ambas as camadas
esto polarizadas inversamente, ou seja, a tenso entre a base e o emissor for
inferior tenso de conduo desta juno (tipicamente, 0, 6V VBE 0, 7V
para um transstor de silcio)[1]. Neste caso no existem fluxos de carga atravs
das junes e o transstor comporta-se como um circuito aberto entre a base, o
emissor e o coletor (figura 4) logo a corrente de coletor ser igualmente zero, e
VCE = VC (a queda de tenso em RC nula).

Saturao
No modo de saturao (ver polarizaes na tabela 1) praticamente inexistente
o controle da corrente do emissor por parte da corrente de base, isto devido ao
facto de a barreira de potencial relativa juno base-emissor ser aproximadamente nula e o transstor, neste modo, comporta-se como um curto-circuito
entre o coletor e o emissor (figura 5). Isto contrasta com a operao do modo
ativo, em que a altura dessa barreira de potencial e, por consequncia, o movimento de eletres do emissor para a base, controlado pelo potencial aplicado
base. Uma vez nesta, e fora os casos em que a recombinao acontece, os eletres deslocam-se por difuso para a juno base-coletor, que tem um potencial
apropriado para os atrair para o coletor.
5

Figura 5: Transstor bipolar (silcio) no modo de saturao (a) e modelo equivalente (b)

Modo ativo
No modo ativo (tabela 1) nem todos os eletres que chegam base vindos
do emissor atingem o coletor (devido ao fenmeno de recombinao eletrolacuna). Isto , quanto maior for o nmero de eletres difundidos do emissor
para a base, maior ser o nmero de recombinaes que ocorrero na base e
maior ser o nmero de eletres repelidos desta, isto , maior ser I B (conforme
visto em 1.2). vlido ento uma relao de proporcionalidade entre a corrente
de emissor, IE , e a corrente de base, I B :
IE = (1 + )I B
Pelas consideraes anteriormente referidas ao longo da Introduo terica,
vem que, sendo I B  IE , recorrendo lei dos nodos (equao 6), ento:
I C I B
Esta relao revela que existe uma dependncia linear entre a corrente da
base e a corrente de coletor quando o transstor opera no modo ativo. No entanto
a relao anterior uma relao aproximada, pelo que o valor de IC no se trata
exatamente de uma constante para um determinado valor de IB .
O ganho do transstor fica ento definido por:
IC
(11)
IB
O valor de varia conforme cada tipo de transstor, de suas condies de
operao (corrente, tenso e temperatura). Uma vez que IC no uma constante, o ganho ser calculado utilizando a mdia dos valores de IC quando o
C
transstor se encontra no modo ativo, ou seja, IIB
.
Na figura 6 pode-se observar um exemplo ilustrativo destas trs situaes.
=

Figura 6: Grfico ilustrativo dos modos de funcionamento do transstor

1.2.4

Reta de carga

Atravs do grfico IC (VCE , IB ) possvel determinar a reta de carga de um transstor, atravs da qual se encontra graficamente o seu ponto de funcionamento,
ou seja, as condies para que o transstor se encontre no regime de funcionamento ativo. Esta reta pode ser determinada fixando um valor de VC . Esta reta
VC
passar pelos pontos (VCE = 0; IC = R
) e pelo ponto (VCE = VC ; IC = 0) pelo
C
1
que ter um declive m = RC . Estes pontos podem ser obtidos pela equao
5 e o ltimo corresponde ao situao em que o transstor est em corte. Um
exemplo desta reta pode ser observado na figura 7. Neste caso foi usada uma
resistncia RC = 200 e fixou-se VC = 6V pelo que a reta passar pelos pontos (0; 30) e (6; 0). Escolhendo previamente VCE = 3V , por exemplo, podemos
estudar qual o valor da corrente de base IB para para o obter. Para isso basta
traar a reta vertical VCE = 3V e pela figura 7 observarmos que o valor de IB
necessrio ser 0, 10mA.

Mtodo Experimental

Para o estudo das curvas IC (VCE , IB ) e da reta de carga pretendida, comeou-se

por montar o circuito da figura 8.
O ampermetro foi utilizado para estudar o comportamento de IC e o voltmetro para monitorizar VCE .
Para traar as curvas foi utilizada uma fonte de tenso fixa a 15V para VB
e uma fonte de tenso varivel para VC . Fixou-se tambm um valor para RC e
RB foi variada no decorrer da experincia para determinar a curva caracterstica
para diferentes valores de IB .

Figura 7: Exemplo de reta de carga e aplicao

Figura 8: Circuito montado para realizar a experincia

Deve-se ter o cuidado de no ultrapassar os valores mximos de corrente
(IBmax = 100mA e ICmax = 100mA) para no danificar o transstor. No entanto,
para maior precauo, aconselhado escolher IB numa gama de [5; 100]A e
ICmax 50mA, ou seja, RB entre 143K e 2, 86M e RC 300. Estes
clculo-se encontram-se nos anexos deste relatrio .
Fixou-se uma resistncia RB e variou-se o valor de VC e registou-se os valores de IC e VCE correspondentes que permitiram traar a curva caracterstica
do transstor e estudar as respetivas zonas de saturao e de funcionamento
no modo ativo. Repetiu-se o processo para cada resistncia RB previamente
escolhida. Estudando a zona do modo ativo determinaram-se os ganhos do
transstor.
Por fim determinou-se uma reta de carga do transstor (para VC = 8V ) e
estudou-se o seu declive.

Figura 9: Resultados experimentais e reta de carga para VC = 8V

Material utilizado
Voltmetro - Multmetro Wavetek 15XL; Escala 20V;
Ampermetro - Multmetro Kaise MY64; Escala 20mA;
Transstor - Motorola BC546B;
Resistncias RB - {1M ; 820K; 560K; 390K} tolerncia de 5%;
Resistncia RC - 330 tolerncia 5%;

Resultados experimentais e analise

O grfico da figura 9 contm os resultados experimentais obtidos juntamente

com a reta de carga traada para VC = 8V . Na tabela 2 encontram-se os
parmetros de ajuste desta reta e os valores que a permitiram calcular.

IB (A)
14,3
17,4
25,5
36,7

Ganho
273
279
268
269

7
8
11
12

(%)
2
3
4
4

Tabela 3: Ganho para os diferentes valores de IB

VCE (V )
6,65
6,38
5,65
4,71

IC (mA)
3,98
4,94
7,01
9,89

m
m
R2

-3,01
0,05
0,9994

24,1
0,3
0,080

b
b
2

(b) Parmetros de ajuste da reta de

(a) Pontos experimentaiscarga para VC = 8V
IC (VCE ) para os diferentes
valores de IB e VC = 8V

Tabela 2: Determinao da reta de carga para VC = 8V

Com o valor do declive da reta de carga foi determinada o valor da resistncia

RC para comparao com o valor anunciado pelo cdigo de cores. O valor obtido
foi RC = (3326) que se encontra dentro da tolerncia anunciada com preciso
de 98%.
Na tabela 3 encontram-se os valor de obtidos. Estes resultados encontramse dentro dos valores anunciados pelo fabricante ( entre 240 e 400)[3].

Concluso e discusso dos resultados experimentais

Foram estudadas as curvas caractersticas IC (VCE , IB ) de um transstor bipolar npn. O estudo foi feito numa gama de correntes de base IB entre 14, 3A
e 36, 7A. Observou-se o comportamento esperado de um transstor deste gnero. Inicialmente observou-se uma zona de saturao, seguida de uma zona de
funcionamento no modo ativo.
Determinou-se tambm a reta de carga do transstor para VC = 8V , que
obedece equao IC = 3, 01VCE + 24, 1, com IC em mA e R2 = 0, 9994.
Os parmetros desta reta esto muito prximos dos parmetros tericos e os
pequenos desvios devem-se sobretudo ao facto do valor das resistncias no
serem resistncias calibradas e tambm devido ao facto de no lidarmos com
um transstor ideal. Atravs da anterior reta determinou-se o valor de RC . O
10

valor obtido foi RC = 332 com 98% de preciso. Este valor encontra-se dentro
da tolerncia anunciada pelo fabricante de resistncia. Esta reta tem nfase do
ponto de vista prtico pois permite-nos determinar o ponto de funcionamento
do transstor, ou seja, por exemplo, fixando um valor de VCE pretendido, a
reta permite-nos conhecer o valor da corrente de base IB necessrio para que o
transstor opere no modo ativo a essa tenso.
Por fim estudamos o ganho do transstor. Dados que os valores de IC no
so constantes mesmo no modo ativo de funcionamento dado o transstor no
se comportar segundo o modelo ideal, optmos por considerar o seu valor mdio
neste modo de funcionamento. Assim, os valores obtidos para foram 273,
279, 268 e 269 com preciso de 98%, 97%, 96% e 96% respetivamente para as
correntes de base IB = {14, 3; 17, 4; 25, 5; 36, 7} A. Estes valores encontram-se
dentro da gama de valores anunciada pelo fabricante do transstor no datasheet
do componente. Pode-se afirmar que o transstor um bom amplificador o que
torna este componente um alternativa bastante interessante aos componentes
de amplificao tradicionais como as vlvulas electrnicas.

Referncias
[1] Protocolos experimentais Laboratrios de Fsica II, DFA, FCUP 2014
[2] Apendices aos protocolos experimentais Laboratrios de Fsica II, DFA,
FCUP 2014
[3] Datasheet
do
transstor
Motorola
BC546B
http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/motorola/BC546B.pdf

11

Anexos
Clculo dos valores de IB , da gama de RB recomendada e de RC recomendado:
IB = VBR0,7
= 14,3
RB
B
IBmin = 5A; IBmac = 100A
RB = 14,3
IB RBmin = 143k;RBmaz = 2, 86M
ICmax = 50mA; VCmax = 15V
V
RC = ICCmax = 300
max

Calculo do ganho e de
=

IC
IB ;

C
I
IB

Atendendo a que os valores de IC usados para calcular IC so os valores

resgitados em que o transstor se encontra a funcionar no modo ativo de funcionamento.

12