Apostila-Solidificação e Imperfeições Cristalinas

Estrutura e Propriedades dos Materiais
Solidificao e Imperfeies Cristalinas
4 SOLIDIFICAO E IMPERFEIES CRISTALINAS

4.1
Introduo
At esta fase do estudo tem-se admitido que os materiais apresentassem uma
estrutura perfeita. Todavia, esse tipo de slido idealizado, pois na realidade os materiais
no so perfeitos, e contm vrios tipos de imperfeies que afetam muitas de suas
propriedades fsicas e mecnicas, as quais, por sua vez, influem em diversas propriedades
de engenharia importantes.
Vale ressaltar que essa influncia no sempre prejudicial; frequentemente, as
caractersticas especficas dos materiais so deliberadamente moldadas pela introduo de
quantidades controladas de defeitos especficos, com o objetivo de melhorar o desempenho
dos materiais no uso a que se destinam.
Durante a solidificao, um material metlico sofre o rearranjo de seus tomos que
determina a sua estrutura cristalina. Dependendo do modo com que o lquido transforma-se
em slido, podem ocorrer defeitos no empilhamento e na organizao dos tomos,
resultando em imperfeies estruturais.
Com exceo de alguns poucos produtos conformados por sinterizao (metalurgia
do p), todos os produtos metlicos passam necessariamente pelo processo de solidificao
em algum estgio de sua fabricao. Dessa forma, o conhecimento do processo de
solidificao de materiais metlicos importante, pois permite entender como alguns
defeitos surgem no material.
4.2
Solidificao de metais
Em geral, a solidificao de um metal ou liga metlica pode ser dividida nas
seguintes etapas: nucleao, que a formao de ncleos estveis no lquido; e

crescimento dos ncleos, que origina cristais e formam uma estrutura de gros. Essas
etapas do processo podem ser visualizadas na Figura 4.1.
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Prof. Jorge Tefilo de Barros Lopes
Figura 4.1 Ilustrao esquemtica mostrando as vrias etapas da solidificao de metais

(Adaptada de SMITH, 1998): formao de ncleos (a); crescimento dos ncleos (b); e
unio dos cristais para formar os gros e correspondentes contornos de gros (c).
Os principais mecanismos responsveis pela nucleao de partculas slidas em um
metal lquido so: nucleao homognea e nucleao heterognea.
a) Nucleao homognea
A nucleao homognea o caso mais simples de nucleao, pois em um metal
lquido ela ocorre quando o prprio metal fornece os tomos para formar os ncleos. No
caso de um metal puro, quando o metal lquido suficientemente resfriado abaixo da sua
temperatura de solidificao (super-resfriamento, T = Tf - T), formam-se numerosos
ncleos homogneos por meio do movimento lento de tomos que vo se ligando uns aos
outros.
Geralmente, a nucleao homognea exige um grau de super-resfriamento
considervel, da ordem de algumas centenas de graus Celsius (Tabela 4.1).
Tabela 4.1 Valores de parmetros relativos solidificao de alguns metais.
Metal
Bi
Ga
Pb
Al
Ag
Cu
Ni
Fe
Pt
Temperatura de solidificao
Tf
C
Calor de
solidificao
Hf (J/cm3)
271
30
327
660
962
1083
1453
1535
1772
344
303
600
933
1235
1356
1726
1808
2045
-543
-488
-280
-1066
-1097
-1826
-2660
-2098
-2160
Energia de
superfcie
sl (J/cm3)
Super-resfriamento
mximo observado
T (C)
54 x 10-7
56 x 10-7
33,2 x 10-7
93 x 10-7
126 x 10-7
177 x 10-7
255 x 10-7
204 x 10-7
240
90
76
80
130
227
236
319
295
332
Fonte: SMITH, 1998; ASKELAND & PHUL, 2008.
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Um ncleo, para ser estvel de modo a poder crescer at formar um cristal, tem que
atingir um tamanho crtico. Se o tamanho inferior ao crtico, o grupo de tomos
denominado embrio e dissolve-se no metal lquido devido agitao dos tomos.
Na nucleao homognea, que ocorre durante a solidificao de um metal puro, h
dois tipos de variao de energia a considerar: a energia livre de volume, liberada pela
transformao lquido-slido; e a energia de superfcie, necessria para formar as novas
superfcies das partculas solidificadas.
Quando um metal puro lquido super-resfriado, a energia motriz para a sua
transformao lquido-slido a diferena entre a energia livre de volume (Gv) do lquido
e a do slido. Se Gv for a variao de energia livre entre o lquido e o slido por unidade
de volume de metal, ento a variao de energia livre de um ncleo esfrico de raio r
4/3r3Gv, j que o volume de uma esfera 4/3r3. A Figura 4.2 representa
esquematicamente a variao da energia livre de volume em funo do raio do embrio ou
ncleo, a qual negativa uma vez que a energia liberada pela transformao lquidoslido.
Figura 4.2 Variao de energia livre em funo do raio do embrio ou ncleo (adaptada
de SMITH, 1998).
Por outro lado, existe uma energia que se ope formao dos embries e ncleos,
que a energia requerida para formar uma superfcie destas partculas. A energia
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necessria para criar a superfcie de partculas esfricas, Gs, igual energia livre
especfica da superfcie da partcula, , multiplicada pela rea da superfcie da esfera,
4r2. A Figura 4.2 tambm representa este tipo de energia, bem como a energia total
associada formao de um embrio ou ncleo.
Portanto, a variao total de energia livre para a formao de um embrio ou ncleo
esfrico de raio r durante a solidificao de um metal puro :
4
3
GT = r 3 Gv + 4 r 2
onde GT = variao total de energia livre, r = raio do embrio ou ncleo, Gv = energia
livre de volume, e = energia livre especfica de superfcie.
A partir da derivao dessa equao, pode-se obter uma relao entre o tamanho
crtico do ncleo, a energia livre de superfcie e a energia livre de volume. A derivada da
energia total, GT em relao a r zero quando r = r*, j que a curva da energia livre total
em funo do raio do embrio ou ncleo tem um mximo, assim:
d (GT ) d 4
= r 3 Gv + 4 r 2
dr
dr 3
12
= r 2 Gv + 8 r = 0
3
ou
r =
2
Gv
Quanto maior for o grau de super-resfriamento T, maior a variao de energia

livre de volume Gv; entretanto, a variao de energia livre devido energia de superfcie
Gs no depende muito da temperatura. Nestas condies, o tamanho crtico do ncleo
determinado principalmente por Gv. Prximo da temperatura de solidificao, o tamanho
crtico do ncleo dever ser infinito, uma vez que T se aproxima de zero; contrariamente,
medida que o grau de super-resfriamento aumenta, o tamanho crtico diminui.
O tamanho crtico do ncleo est relacionado com o grau de super-resfriamento pela
equao:
r =
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2T f
H s T
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onde r* = raio crtico do ncleo, Hs = calor latente de solidificao e T = grau de superresfriamento do metal.
b) Nucleao heterognea
A nucleao heterognea no lquido ocorre sobre as paredes do recipiente, impurezas
insolveis ou outro material presente na estrutura que diminua a energia livre crtica
necessria para formar um ncleo estvel. Como nas operaes de vazamento industriais
os graus de super-resfriamento elevados no acontecem (geralmente variam entre 0,1 e
10C), a nucleao ser heterognea.
Para que a nucleao heterognea ocorra, o agente nucleante, tambm denominado
substrato, ter de ser molhado pelo metal lquido, e este dever igualmente solidificar
facilmente sobre aquele. A Figura 4.3 mostra um substrato que molhado pelo lquido a
solidificar e que, portanto, origina um pequeno ngulo de contato entre ele e o metal
slido.
Figura 4.3 Nucleao heterognea de um slido sobre um substrato (SMITH, 1998).

A nucleao heterognea ocorre sobre o substrato, pois a energia de superfcie para
formar um ncleo estvel mais baixa se o ncleo se formar sobre aquele material do que
no prprio lquido puro (nucleao homognea). Como a energia de superfcie mais baixa
no caso da nucleao heterognea, a variao total de energia livre, necessria formao
de um ncleo estvel, menor e o tamanho crtico do ncleo tambm menor; por
conseguinte, para formar um ncleo estvel por nucleao heterognea, necessita-se de um
grau de super-resfriamento mais reduzido.
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c) Crescimento de cristais e formao da estrutura do gro

Aps a formao dos ncleos estveis, estes iro crescer e formar cristais, conforme
mostrado na Figura 4.1. Em cada cristal, os tomos esto posicionados da mesma maneira,
mas a orientao entre eles varia de um para outro. Quando a solidificao do metal se
completa, os cristais, com diferentes orientaes, juntam-se uns aos outros e originam
fronteiras nas quais as variaes de orientao tm distncias de alguns tomos. Os cristais
no metal solidificado so designados por gros, e as superfcies entre eles por contornos de
gro. Quando o metal solidificado contm muitos cristais, diz-se que policristalino.
Se durante a solidificao o nmero de ncleos for relativamente pequeno, a
estrutura resultante ser grosseira ou de gro grosso; se muitos ncleos estiverem
disponveis, ser produzida uma estrutura refinada de gro fino, que a estrutura mais
desejvel em termos de resistncia mecnica e de uniformidade dos produtos metlicos
acabados.
Os metais lquidos so vazados em moldes para obteno de peas ou lingotes. O
lingote passa posteriormente por processos de deformao plstica (conformao plstica)
visando a produo de chapas, barras, perfis etc.
Os gros que aparecem na estrutura da pea ou do lingote podem ter diferentes
tamanhos dependendo das taxas de extrao de calor e gradientes trmicos em cada
momento da solidificao.
Em geral, existem trs regies de gros, que se classificam como: zona coquilhada,
zona colunar e zona equiaxial.
Zona coquilhada: Regio de pequenos gros com orientao cristalina aleatria, situada
na parede do molde. Prximo parede existe maior taxa de extrao de calor e, portanto,
elevado
grau
de super-resfriamento,
que
favorece a
formao
destes
gros.
Os gros da zona coquilhada tendem a crescer na direo oposta a da extrao de calor,

porm algumas direes cristalinas apresentam maior velocidade de crescimento que
outras.
Zona colunar: Regio de gros alongados, orientados na direo de extrao de calor. Os
gros da zona coquilhada que possuem as direes cristalinas de maiores velocidades de
crescimento alinhadas com a direo de extrao de calor, apresentam acelerao de
crescimento. Esta acelerao gera gros alongados que compem a zona colunar, situada
na posio intermediria entre a parede e o centro do molde.
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Zona Equiaxial: Regio de pequenos gros formados no centro do molde como resultado
da nucleao de cristais ou da migrao de fragmentos de gros colunares (arrastados para
o centro por correntes de conveco no lquido). Nesta regio, os gros tendem a ser
pequenos, equiaxiais e de orientao cristalina aleatria
Figura 4.4 Desenho esquemtico da estrutura de gro de um metal solidificado em um

molde frio (lingoteira) (CIMM, 2007)
4.3
Solues slidas metlicas

Na maioria das aplicaes de engenharia, a necessidade de propriedades especficas
faz com que o uso de materiais metlicos nem sempre esteja restrito aos metais puros.
Apenas alguns metais usados comercialmente em aplicaes de engenharia so puros,
como por exemplo:
O cobre de alta pureza (99,99%) usado em condutores eltricos, devido sua elevada
condutividade eltrica;
O zinco utilizado na galvanizao de aos;
O alumnio usado em utenslios domsticos, contendo apenas teores mnimos de outros
elementos.
Na maioria dos casos, outros elementos (metais ou no metais) so intencionalmente
adicionados a um metal, com o objetivo de melhorar as suas propriedades, formando as
ligas metlicas; portanto, uma liga metlica, ou simplesmente uma liga, a mistura de dois
elementos, sendo pelo menos um metlico para garantir o carter metlico no material.
Como exemplos de liga tm-se:
O lato, que uma liga de cobre contendo zinco;
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O bronze, que uma liga de cobre contendo estanho;

O ao-carbono, que uma liga de ferro contendo carbono.
O tipo mais simples de liga metlica aquela que forma uma soluo slida;
portanto, soluo slida um slido que consiste de dois ou mais elementos atomicamente
dispersos em uma estrutura monofsica.
Em geral, existem dois tipos de solues slidas: soluo slida substitucional e
soluo slida intersticial.
a) Solues slidas substitucionais
Nas solues slidas substitucionais formadas por dois elementos, os tomos do
soluto podem substituir os tomos do solvente na rede cristalina. Neste caso, a estrutura do
solvente no alterada, sendo comum ocorrer distoro da rede cristalina, j que os tomos
do soluto no exibem o mesmo dimetro atmico dos tomos do solvente, podendo ser
maiores ou menores, conforme mostrado na Figura 4.5.
Figura 4.5 tomos de solutos substituindo tomos da rede cristalina (ASKELAND &
PHUL, 2008).
Solubilidade
A frao de tomos de um elemento que pode ser dissolvida na estrutura de outro
definida como solubilidade, a qual varia de um valor muito pequeno at 100%, e dada em
porcentagem em peso (% em peso) ou em porcentagem atmica (% de tomos).
Para que haja uma substituio em propores elevadas (solubilidade extensa) em
uma soluo slida substitucional, as seguintes condies, denominadas condies de
Hume-Rothery, devem ser satisfeitas:
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1- Os raios atmicos dos dois elementos no devem diferir em mais de 15%;

2- A estrutura cristalina dos dois elementos deve ser a mesma;
3- No deve existir diferena significativa entre as eletronegatividades dos dois elementos,
para que no haja a formao de compostos;
4- Os dois elementos devem ter a mesma valncia.
O Quadro 4.1 mostra a relao entre a solubilidade e as condies listadas, para
algumas ligas cujo solvente o cobre (Cu); este elemento apresenta as seguintes
caractersticas: estrutura CFC, raio atmico igual a 1,278 , eletronegatividade de 1,9 e
valncia +1.
Quadro 4.1 Solubilidade de alguns elementos no cobre, em funo das condies
listadas.
Soluto
Estrutura
Ni
Al
Ag
Pb
CFC
CFC
CFC
CFC
Relao
de raios
0,98
1,12
1,14
1,37
Eletronegatividade
Valncia
1,9
1,5
1,9
1,9
+2
+1
+1
+2
Solubilidade
% em peso % atmica
100
100
9
19
8
6
0
0
Fontes: VAN VLAC, 1977 e ASKELAND & PHUL, 2008

b) Solues slidas intersticiais
Nesse tipo de soluo, um tomo pequeno pode se localizar nos interstcios da rede
dos tomos maiores (o soluto intersticial o que fica posicionado nos interstcios do
solvente), conforme mostrado na Figura 4.6.
Figura 4.6 tomos de soluto localizados nos interstcios da rede do solvente

(ASKELAND & PHUL, 2008)
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As solues slidas intersticiais so formadas quando um tomo do soluto muito

menor que o tomo do solvente. O ferro (Fe), por exemplo, em temperaturas abaixo de 912
C ocorre com uma estrutura CCC; acima de 912 C existe uma faixa de temperatura na
qual esse elemento tem uma estrutura CFC; neste reticulado, o interstcio no centro da
clula unitria relativamente grande (a 1000 C o ferro apresenta o maior vo, de
dimetro igual a 1,0 ), e o carbono, sendo extremamente pequeno (dimetro = 1,5 ),
pode se alojar nesse vazio e produzir uma soluo slida de ferro e carbono; quando o
ferro, em temperaturas mais baixas, passa a ser CCC, os interstcios dos seus tomos
tornam-se menores e, consequentemente, a solubilidade do carbono no ferro CCC
relativamente pequena.
Alm do carbono (dimetro = 1,5 ), o maior interstcio do ferro tambm pode
abrigar facilmente o hidrognio (dimetro = 0,90 ) e o boro (dimetro = 0,92). No caso
do carbono, a solubilidade desse elemento no ferro apresenta um mximo de 2,08 % em
peso, e ocorre a 1148 C.
4.4
Imperfeies cristalinas
As imperfeies estruturais afetam diretamente vrias caractersticas dos materiais,
como os parmetros envolvidos na deformao plstica, na condutividade eltrica de

semicondutores, na corroso metlica e em processos de difuso atmica.
Com exceo de alguns poucos produtos conformados por sinterizao (metalurgia
do p), todos os produtos metlicos passam necessariamente pelo processo de solidificao
em algum estgio de sua fabricao. Durante a solidificao, um material metlico sofre o
rearranjo de seus tomos que determina a sua estrutura cristalina. Dependendo do modo
com que o lquido transforma-se em slido, podem ocorrer defeitos no empilhamento e na
organizao dos tomos, resultando em imperfeies estruturais.
Existem trs tipos bsicos de imperfeies: defeitos pontuais, defeitos de linha
(discordncias) e defeitos de superfcie;
4.4.1 Defeitos pontuais
So interrupes localizadas em pontos da estrutura cristalina, atmica ou inica, e
esto associados com uma ou duas posies atmicas.
Embora sejam chamadas defeitos de pontos, as interrupes afetam uma regio que
envolve vrios tomos ou ons.
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77
Essas imperfeies podem ser introduzidas pelo movimento de tomos ou ons,

quando eles ganham energia por aquecimento, durante o processamento dos materiais, pela
introduo de impurezas ou por dopagem.
Os defeitos pontuais mais importantes so: as lacunas (tambm chamadas de vazios
ou vacncias), os autointersticiais, os defeitos intersticiais e os defeitos substitucionais.
a) Lacunas
o tipo de defeito mais simples e caracterizado pela ausncia de um tomo ou on
em um stio normal da estrutura cristalina (Figura 4.7).
Figura 4.7 Representao de uma lacuna (adaptada de ASKELAND, 2008).

As lacunas podem ser produzidas durante o processo de solidificao, como
resultado de perturbaes locais no crescimento do cristal. Tambm ocorrem no arranjo de
um cristal j existente, devido mobilidade de seus tomos no material cristalino, ou
ainda, em funo da deformao plstica, do resfriamento rpido e do bombardeamento da
rede cristalina por partculas atmicas.
As lacunas so de grande importncia na determinao da taxa de difuso (processo
no qual os tomos ou ons podem se mover na estrutura de um material slido,
especialmente em metais puros).
Todos os slidos cristalinos contm lacunas (CALLISTER, 2012). Na temperatura
ambiente ( 298 K), a concentrao de lacunas pequena, mas aumenta exponencialmente
com a elevao da temperatura, conforme mostra a equao de Arrhenius abaixo:
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Qv
nv = n exp
,
RT
onde nv representa o nmero de lacunas por cm3;
n o nmero de stios atmicos por
cm ; Qv a energia necessria para produzir um mol de vacncias, em cal/mol ou J/mol; R

a constante dos gases (1,987 cal/mol-K ou 8,31 j/mol-K); e T a temperatura em Kelvin.
Esta equao fornece a concentrao de lacunas em equilbrio para uma dada
temperatura. Tambm possvel reter a concentrao de lacunas produzida alta
temperatura, pelo rpido resfriamento do material; portanto, em muitas situaes, a
concentrao de lacunas observada temperatura ambiente no a concentrao de
equilbrio prevista pela equao anterior.
Para a maioria dos metais, a frao de lacunas nv/n a uma temperatura imediatamente
inferior temperatura de fuso da ordem de 10-4, ou seja, uma para cada 10000 tomos.
Em cristais inicos, os defeitos pontuais exibem carter mais complexo devido
necessidade de manter a neutralidade eltrica do sistema. O caso de um defeito estrutural
em que dois ons de cargas opostas perdidos dentro da estrutura entram em contato,
criando uma lacuna, caracteriza o defeito de Schottky. Quando um on positivo move-se
para uma posio intersticial do cristal inico, cria-se uma lacuna ction, conhecida
como defeito de Frenkel. Esses defeitos esto ilustrados na Figura 4.8.
A Defeito de Schottky
B Defeito de Frenkel
Figura 4.8 Representao bidimensional de um cristal inico mostrando os defeitos de

Schottky (A) e de Frenkel (B).
A presena desses defeitos em cristais inicos aumenta a condutividade eltrica dos
mesmos.
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b) Autointersticiais
Um autointersticial, ou simplesmente intersticial, criado quando um tomo
idntico aos da rede cristalina localiza-se em uma posio intersticial.
Nos metais, este tipo de defeito, representado na Figura 4.9, introduz distores
relativamente grandes na rede cristalina circunvizinha, pois o tomo substancialmente
maior do que a posio intersticial na qual ele est situado. Em vista disso, geralmente
esses defeitos no ocorrem naturalmente, mas podem ser introduzidos por radiao
(SMITH, 1998).
Esses defeitos so mais comumente encontrados em estruturas cristalinas que tm um
baixo fator de empacotamento atmico.
Figura 4.9 Representao bidimensional de um auto-intersticial

(adaptada de SMITH, 1998).
c) Defeitos intersticiais
Um defeito intersticial introduzido no material quando um tomo estranho rede
ocupa um de seus interstcios, conforme ilustrado na Figura 4.10.
tomos ou ons intersticiais, embora muito menores que os tomos ou ons
localizados nos pontos da rede, so ainda maiores que os stios intersticiais que eles
ocupam; consequentemente, a regio do cristal ao redor do defeito comprimida e
distorcida.
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80
Figura 4.10 Defeito intersticial (ASKELAND & PHUL, 2008).

tomos intersticiais, tais como o hidrognio, esto presentes no material
frequentemente como impureza, enquanto que os tomos de carbono so intencionalmente
adicionados ao ferro para produzir o ao. Em pequenas concentraes, os tomos de
carbono ocupam stios intersticiais na estrutura cristalina do ferro, introduzindo tenses na
regio localizada em torno dos mesmos.
d) Defeitos Substitucionais
Um defeito substitucional introduzido quando um tomo ou on da rede cristalina
substitudo por um tipo diferente de tomo ou on.
Os tomos ou ons substitucionais podem ser maiores que os tomos ou ons normais
da estrutura cristalina (Figura 4.11-a), fazendo com que os espaamentos interatmicos ao
seu redor fiquem reduzidos, ou podem ser menores (Figura 4.11-b), o que proporciona o
aumento dos espaamentos interatmicos nas vizinhanas. Em ambos os casos, os defeitos
substitucionais perturbam a regio vizinha aos mesmos.
(a)
(b)
Figura 4.11 tomo substitucional: maior que o tomo da rede (a);

menor que o tomo da rede (b).
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81
4.4.2 Defeitos lineares (discordncias)

Os cristais podem apresentar defeitos lineares e contnuos em sua estrutura, dando
origem s imperfeies de linha, os quais so tambm chamados de discordncias. Uma
discordncia, portanto, um defeito linear ou unidimensional em torno do qual alguns
tomos esto desalinhados (CALLISTER, 2012).
Esses defeitos causam a distoro da rede cristalina em torno de uma linha, gerando
campos de tenso nessa regio.
Embora as discordncias estejam presentes em todos os materiais, inclusive os
cermicos e os polimricos, eles so particularmente teis para explicar a deformao e o
aumento da resistncia em materiais metlicos.
Essas imperfeies podem ser produzidas durante a solidificao, na deformao
plstica de slidos cristalinos, como resultado da concentrao de lacunas, ou ainda por
desajustamentos atmicos em solues slidas.
As discordncias so responsveis pelo comportamento mecnico dos materiais
quando submetidos ao cisalhamento, e justificam o fato que os metais so cerca de dez
vezes mais deformveis do que deveriam.
4.4.2.1 Tipos de discordncias
Os dois principais tipos de discordncias so identificados como: discordncia em
cunha e discordncia em hlice. A combinao destes dois tipos origina as discordncias
mistas, que tm componentes de cunha e de hlice.
a) Discordncia em cunha
Uma discordncia em cunha ocorre pela interrupo de um plano atmico. Este tipo
de discordncia pode ser descrita como a aresta de um plano atmico extra inserido na
estrutura cristalina, como mostrado na Figura 4.12, o que faz com que tambm seja
denominada discordncia em aresta.
Um semiplano atmico imediatamente acima da linha da discordncia caracteriza
uma discordncia em cunha positiva, e representada pelo smbolo ; um semiplano
atmico abaixo da linha da discordncia caracteriza uma discordncia em cunha negativa,
e denotada pelo smbolo .
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82
Plano
Extra
Linha da
discordncia
Figura 4.12 Posies atmicas em torno de uma discordncia em cunha positiva (Prof.
Sidnei, DCMM, PUCRJ).
A magnitude e a direo da distoro da rede cristalina que est associada com uma
discordncia so expressas em termos de um vetor denominado vetor de Burgers, o qual
r
representado pelo smbolo b . A identificao desse vetor pode ser feita com o auxlio da
Figura 4.13, onde se observa que: se a discordncia em cunha for contornada no sentido
horrio, iniciando no ponto x e percorrendo igual nmero de espaamentos atmicos em
cada direo, o contorno ser finalizado no ponto y, distante um espaamento atmico do
ponto de partida; o vetor necessrio para completar o contorno denominado vetor de
Burgers. A mesma figura mostra que nas discordncias em cunha o vetor de Burgers
perpendicular linha da discordncia.
r x
b
Figura 4.13 Vetor de Burgers para a discordncia em cunha.
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83
Quando uma discordncia em cunha introduzida no cristal, os tomos acima da

linha da discordncia ficam bastante comprimidos, enquanto os tomos abaixo da linha de
discordncia ficam muito tracionados; portanto, zonas de compresso e de trao
acompanham uma discordncia em cunha, de modo que h um aumento de energia ao
longo da mesma, conforme mostra a Figura 4.14, obtida por fotoelasticidade.
Figura 4.14 Componentes de trao e compresso envolvendo uma

discordncia em cunha.
b) Discordncia em hlice
Uma discordncia em hlice, tambm chamada de discordncia em espiral ou
discordncia em parafuso, ocorre quando o empilhamento atmico em torno da linha da
discordncia feito na forma de uma mola helicoidal, conforme mostra a Figura 4.15.
(a)
(b)
Figura 4.15 Uma discordncia em hlice: no interior do cristal (a); vista por cima (b)
(adaptada de CALLISTER, 2012)
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84
Nas discordncias em hlice o vetor de Burgers paralelo linha de discordncia.

Tenses de cisalhamento esto associadas aos tomos adjacentes; assim sendo, esse
tipo de discordncia tambm provoca um aumento de energia, visualizado na Figura 4.16.
Figura 4.16 Tenses de cisalhamento associadas a uma discordncia em hlice.

c) Discordncia Mista
A discordncia mista tem os componentes em cunha e em hlice, com uma regio de
transio entre eles; o vetor de Burgers, no entanto, permanece o mesmo em todas as
regies da discordncia (Figura 4.17).
(a)
(b)
Figura 4.17 Representao esquemtica de uma discordncia mista (a). Vista superior,
onde os crculos abertos representam posies atmicas acima do plano de deslizamento, e
os pretos representam tomos abaixo do plano de deslizamento (b) (adaptada de
CALLISTER, 2012).
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85
4.4.2.2 Alguns conceitos relativos s discordncias:
Deslizamento: o processo pelo qual uma discordncia se move, causando a

deformao do material metlico;
Direo de deslizamento: a direo na qual a discordncia se move, e

representada pela direo do vetor de Burgers;
Plano de deslizamento: o plano no qual a discordncia se movimenta, e

definido pelo vetor de Burgers e pela linha da discordncia;
Sistema de deslizamento: a combinao da direo de deslizamento e o plano de

deslizamento;
As discordncias esto intimamente associadas cristalizao. As discordncias em
cunha so originadas quando h uma pequena diferena na orientao de partes adjacentes

do cristal em crescimento, de forma que um plano atmico extra introduzido ou
eliminado. Uma discordncia em hlice permite um fcil crescimento do cristal, uma vez
que os tomos e clulas unitrias adicionais podem se adicionados ao passo da hlice.
As discordncias esto associadas tambm com a deformao; uma tenso de
cisalhamento origina tanto uma discordncia em cunha como uma em hlice; ambas levam
ao mesmo deslocamento final e esto relacionadas atravs da discordncia mista (Figura
4.18).
(a)
(b)
(c)
Figura 4.18 Representao esquemtica de discordncias: em cunha (a), em hlice (b)

e mista (c) (VAN VLACK, 1977)
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86
4.4.2.3 Discordncias e deformao mecnica

Uma das maneiras de representar o que acontece quando um material se deforma
imaginar o deslizamento de um plano atmico em relao a outro plano adjacente (Figura
4.19).
Se for tomado como base que o deslizamento ocorre pelo rompimento simultneo
das ligaes atmicas, possvel fazer uma estimativa terica da tenso cisalhante crtica
necessria para deformar o material, que o valor mximo da tenso de cisalhamento
acima do qual o cristal comea a cisalhar.
Plano de
deslizamento
(a)
(b)
Figura 4.19 Representao bidimensional de um cristal: no cisalhado (a);

cisalhado (b).
Entretanto, os valores tericos para essa tenso so muito maiores do que os valores
obtidos experimentalmente. Essa discrepncia s foi entendida quando se descobriu a
presena das discordncias.
As discordncias reduzem a tenso necessria para cisalhamento, ao introduzir um
processo sequencial, e no simultneo, para o rompimento das ligaes atmicas no plano
de deslizamento. Portanto, quando uma fora cisalhante com a direo do vetor de Burgers
aplicada ao cristal, uma discordncia gerada pela quebra das ligaes entre os tomos
no plano, conforme ilustrado na Figura 4.20; o plano cortado deslocado para estabelecer
ligaes com o prximo plano parcial originado da mesma forma que o anterior; esse
deslocamento causa o movimento da discordncia de um espaamento atmico; se o
UFPA ITEC FEM
87
processo continua, a discordncia move-se atravs do cristal at que um degrau seja

produzido no exterior do cristal, caracterizando assim, a sua deformao.
Como pode ser constatada na figura, a linha da discordncia a fronteira entre as
regies cisalhada e no cisalhada do cristal.
tenso cisalhante
tenso cisalhante
tenso cisalhante
tenso cisalhante
Figura 4.20 Processo sequencial do cisalhamento.

4.4.2.4 Energia e discordncia
A energia associada a uma discordncia depende do seu vetor de Burgers (varia com
o quadrado do vetor de Burgers). Uma discordncia com alto vetor de Burgers tende a se
dissociar em duas ou mais discordncias de menores vetores de Burgers; como os novos
vetores so menores que o vetor da rede, forma-se um defeito chamado de falha de
empilhamento (stacking fault), ilustrado na Figura 4.21.
Neste caso, a reao

de dissociao :
b1 b2 + b3
b1
b2
b3
Figura 4.21 Falha de empilhamento.

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88
A reao de dissociao energeticamente favorvel se: b12 > b22 + b32

4.4.2.5 Movimento de discordncias
Uma discordncia em cunha s pode se mover no plano de deslizamento definido
pela linha da discordncia e seu vetor de Burgers; todavia, sob certas condies, uma
discordncia em cunha pode sair do seu plano de deslizamento para um plano paralelo a
este situado acima ou abaixo. Este processo, esquematizado na Figura 4.22(a), chamado
de escalagem (climb) da discordncia, e ocorre a altas temperaturas, pois envolve
difuso e migrao de lacunas.
Plano de
Fileira de
vacncias deslizamento
Novo plano de
deslizamento
(a)
Discordncia em hlice
Plano de deslizamento cruzado

Plano de deslizamento primrio
(b)
Figura 4.22- (a) Movimento de escalagem de uma discordncia em cunha; (b)
Deslizamento cruzado de uma discordncia em hlice.
O fenmeno do deslizamento cruzado (cross-slip), esquematizado na Figura
4.22(b), restrito s discordncias em hlice, pois a linha da discordncia e o seu vetor de
Burgers, sendo paralelos, no definem um plano especfico de deslizamento como na
discordncia em cunha; portanto, quando uma discordncia em hlice, movendo-se em um
plano de deslizamento, encontra um obstculo que a bloqueia, pode mudar para outro
plano de deslizamento, apropriadamente orientado, e continuar o seu movimento.
UFPA ITEC FEM
89
Em muitos metais HC nenhum deslizamento cruzado observado, pois os planos de

deslizamento so paralelos (no se interceptam); entretanto, adicionais sistemas de
deslizamento tornam-se ativos quando esses metais so aquecidos ou formam ligas com
outros, melhorando a sua ductilidade. Em metais CFC e CCC, o deslizamento cruzado
possvel, devido ao nmero de sistemas de deslizamento que se interceptam.
4.4.2.6 Interseo de discordncias
Uma vez que mesmo os cristais recozidos possuem muitas discordncias,
frequentemente uma discordncia, movimentando-se no seu plano de deslizamento,
intercepta outra discordncia em planos de deslizamento que se cruzam. O efeito da
interseo em cada uma das discordncias depende dos tipos de discordncias envolvidas e
do ngulo entre os seus vetores de Burgers. A seguir sero estudados alguns casos mais
importantes sobre interseo de discordncias:
Caso 1 - Interseo de duas discordncias em cunha com vetores de Burgers formando
um ngulo reto entre si (Figura 4.23):
Y
b1
b1
X
PAD
A
P
b2
b2
PXY
X
(a)
(b)
Figura 4.23 Discordncias em cunha com os vetores de Burgers perpendiculares:

antes da interseo (a) e aps a interseo (b) (DIETER, 1982).
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90
Uma discordncia em cunha XY com vetor de Burgers b1, movimentando-se no plano

PXY, corta a discordncia AD com vetor de Burgers b2, a qual se encontra no plano
PAD;
Neste caso, ser produzido um degrau PP na discordncia AD, que paralelo a b1,
mas possui vetor de Burgers b2, pois parte da linha de discordncia APPD;
O comprimento do degrau igual a b1 e possui uma orientao em cunha, podendo,
desta forma, deslizar com o resto da discordncia;
Um degrau se forma quando o vetor de Burgers de uma das discordncias normal
linha da outra que a corta (b1 normal a AD e lhe causa um degrau, enquanto b2
paralelo a XY, onde no se forma degrau).
Caso 2 - Interseo de duas discordncias em cunha com vetores de Burgers paralelos
(Figura 4.24):
b1
1
Q
1
P Q
2
P
2
b2
(a)
(b)
Figura 4.24 Discordncias em cunha com vetores de Burgers paralelos: antes da

interseo (a) e aps a interseo (b) (DIETER, 1982).
Neste caso, ambas as discordncias formam degrau, sendo b1 o comprimento do
degrau PP e b2 o comprimento do degrau QQ;
Deve ser observado que os dois degraus possuem orientao em hlice e se
encontram nos planos de deslizamento originais das discordncias, em vez de planos
de deslizamento vizinhos como no caso anterior;
Os degraus deste tipo, que se encontram no plano de deslizamento e no normal a
eles, so chamados normalmente de dobras, e so instveis porque durante o
deslizamento podem se alinhar com o resto da discordncia.
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91
Caso 3 - Interseo de uma discordncia em hlice com uma em cunha (Figura 4.25):
1
2
b2
b2
b1
b1
(a)
(b)
Figura 4.25 Discordncias em cunha e em hlice se interceptando: antes da interseo (a)

e aps a interseo (b) (DIETER, 1982).
Esta interseo produz degraus de orientao em cunha em ambas as discordncias;
Caso 4 - Interseo de duas discordncias em hlice (Figura 4.26):
b1
b2
b2
b1
2
2
(a)
(b)
Figura 4.26 Discordncias em hlice se interceptando: antes da interseo (a)

e aps a interseo (b) (DIETER, 1982).
Tambm produz degraus de orientao em cunha em ambas as discordncias;
Do ponto de vista da deformao plstica, este o tipo mais importante de
interseo.
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92
Os degraus produzidos no caso da interseo entre duas discordncias em cunha, de

qualquer orientao de b, podem deslizar livremente, pois se encontram nos planos de
deslizamento das discordncias originais.
A nica diferena entre o movimento de uma discordncia em cunha com degrau e
uma comum est no fato de que a primeira desliza sobre uma superfcie escalonada,
enquanto que a segunda o faz ao longo de um nico plano de deslizamento.
Desta forma, as discordncias em cunha pura no tm o seu movimento afetado pela
presena de degraus nas suas linhas. Todavia, todos os tipos de degraus formados em uma
discordncia em hlice apresentam orientaes em cunha; e uma vez que a discordncia
em cunha s pode movimentar-se livremente em um plano contendo sua linha e o vetor de
Burgers, a nica maneira do degrau se movimentar por deslizamento (movimento
conservativo) ao longo do eixo da discordncia em hlice (o degrau tem o seu
movimento restrito ao plano AABB , Figura 4.27).
O
N
A
b
Figura 4.27 Movimento de degrau sobre discordncia em hlice (DIETER, 1982)

A nica maneira possvel da discordncia em hlice deslizar para uma nova posio
MNNO levando junto o seu degrau atravs de um movimento no conservativo deste
degrau, tal como a escalagem; como a escalagem um processo termicamente ativado, o
movimento de discordncias em hlice que apresentam degraus na linha dependente da
temperatura; portanto, nas temperaturas em que a escalagem no ocorrer, o movimento das
discordncias em hlice ser travado pelos degraus.
4.4.2.7 Multiplicao de discordncias
Os cristais metlicos recozidos podem ser deformados plasticamente mais de 10
vezes que o valor calculado teoricamente; portanto, durante a deformao plstica, alm
UFPA ITEC FEM
93
das discordncias abandonarem o cristal, elas se multiplicam. Isto pode ser confirmado
medindo-se a densidade de discordncias aps a deformao, cujo valor vrias ordens de
grandeza maior que a densidade inicial no cristal recozido.
Essas consideraes mostram a necessidade da ocorrncia de multiplicao de
discordncias durante a deformao plstica, caso contrrio no seria possvel justificar a
alta plasticidade dos metais.
O mecanismo mais conhecido e aceito que justifique a multiplicao de
discordncias foi proposto por Frank e Read, em 1950, e chamado normalmente de fonte
de Frank-Read, descrita a seguir com o auxlio da Figura 4.28.
Figura 4.28 Representao esquemtica da operao de uma fonte

de Frank-Head (DIETER, 1982).
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94
Considere uma linha de discordncia AB situada em um plano de deslizamento (o plano

da figura o plano de deslizamento); a linha de discordncia imobilizada nos
obstculos A e B (fase 1);
Se uma tenso cisalhante atua no plano de deslizamento, a linha de discordncia se
abaula e produz deslizamento; para uma dada tenso a linha de discordncia apresentar
um certo raio de curvatura (fase 2);
O valor mximo da tenso cisalhante acontecer quando o abaulamento da discordncia
se tornar um semicrculo (fase 3);
Alm desse ponto o raio do semicrculo crescer e o anel de discordncia continuar a
se expandir com uma tenso decrescente (fases 4 a 6);
Quando o anel atingir o formato da fase 7, os segmentos se encontraro;
Esses segmentos, ento, anularo um ao outro, formando um anel grande e
restabelecendo a discordncia original (Fase 8).
4.4.2.8 Consideraes sobre o deslizamento
Durante o deslizamento, a discordncia se move de uma posio da rede para outra
com vizinhana idntica a anterior. A tenso necessria para mover a discordncia de uma
posio de equilbrio para outra dada pela equao de Peiers-Nabarro:
= c exp( kd b )
onde = tenso de cisalhamento necessria para mover a discordncia; d = distncia
interplanar entre planos de deslizamento entre planos de deslizamento adjacentes; b =
mdulo do vetor de Burgers; c, k = constantes do material.
Da equao de Peiers-Nabarro, verifica-se que:
A tenso necessria para causar a movimentao de uma discordncia aumenta
exponencialmente com o comprimento do vetor de Burgers; portanto, a direo de
deslizamento deve ter uma pequena distncia de repetio ou alta densidade linear (as
direes compactas em metais e ligas satisfazem este critrio e so as direes de
deslizamento usuais).
A tenso necessria para causar a movimentao de uma discordncia decresce
exponencialmente com o espaamento interplanar dos planos de deslizamento; portanto,
UFPA ITEC FEM
95
o deslizamento ocorre mais facilmente entre planos de tomos que tm salincias

menores (picos e vales menores na superfcie) e entre planos que esto mais afastados
(ou tm espaamento interplanar relativamente maior). Planos com uma densidade
planar mais alta satisfazem esta condio; portanto, os planos preferenciais de
deslizamento so os tipicamente compactos ou aqueles com compacidade mais alta
possvel.
As diferenas no comportamento de metais que apresentam diferentes estruturas
cristalinas podem ser compreendidas pelo exame da fora necessria para iniciar o
processo de deslizamento.
Suponha que uma fora unidirecional F seja aplicada em um cilindro de metal
monocristalino (Figura 4.29). O ngulo entre a direo de deslizamento e o eixo da fora
aplicada definido por , e ngulo entre a normal ao plano de deslizamento e a fora
aplicada definido por :
F
Ao
Normal ao plano
de deslizamento
Plano de
deslizamento
Fr = F cos
Direo de
deslizamento
r =
Fr
A
Tenso de
cisalhamento
Ao
(a)
r
F
Fn
Fr = F cos
(b)
Figura 4.29 Tenso de cisalhamento resolvida produzida em um sistema de deslizamento

(a); esquema de foras atuantes (b) (adaptada de ASKELAND & PHUL, 2003)
Para que a discordncia possa se movimentar em seu sistema de deslizamento, uma
fora de cisalhamento na direo de cisalhamento deve ser produzida pela fora aplicada
no cilindro. A fora de cisalhamento resolvida Fr dada por:
Fr = F cos
UFPA ITEC FEM
96
Se dividirmos a equao acima pela rea do plano de deslizamento, A = Ao / cos ,

obteremos a equao conhecida por lei de Schmid,
r = cos cos
onde
r =
Fr
= tenso de cisalhamento resolvida, na direo de cisalhamento;
A
F
= tenso unidirecional aplicada ao cilindro.
Ao
A tenso de cisalhamento resolvida crtica (crss) a tenso necessria para romper as

ligaes metlicas para que ocorra o deslizamento; portanto, o deslizamento ocorre,
causando a deformao plstica no metal, quando a tenso aplicada () produz uma tenso
de cisalhamento resolvida (r) igual tenso de cisalhamento resolvida crtica (r = crss).
4.4.2.9 Empilhamento de discordncias (pile-up)
Frequentemente as discordncias se empilham sobre o plano de deslizamento ao
encontrarem barreiras tais como contornos de gro, segundas-fases ou discordncias
bloqueadas. Alm da tenso cisalhante aplicada, atua tambm sobre a discordncia lder a
fora resultante de sua interao com as outras discordncias do empilhamento. Isto
acarreta uma alta concentrao de tenses sobre a discordncia lder do empilhamento.
Quando o empilhamento formado por muitas discordncias, a tenso sobre a
discordncia lder pode atingir valores prximos ao da tenso cisalhante terica do cristal.
Este valor de tenso tanto pode iniciar o escoamento no outro lado da barreira, como
tambm, dependendo das circunstncias, pode nuclear uma trinca na barreira.
Como resultado do empilhamento de discordncias, existe uma tenso de recuo que
se ope ao movimento de novas discordncias o longo do plano de deslizamento segundo a
direo de deslizamento.
Em um empilhamento, as discordncias tendem a ficar muito prximas umas das
outras na ponta do arranjo, e mais largamente espaadas medida que se caminha na
direo da fonte geradora (Figura 4.30).
UFPA ITEC FEM
97
Obstculo
Fonte
Figura 4.30 Empilhamento de discordncias (adaptada de DIETER, 1982).

O nmero de discordncias que podem ocupar uma distncia L entre a fonte e o
obstculo, ao longo do plano de deslizamento,
n=
k s L
Gb
onde s a tenso cisalhante resolvida mdia no plano de deslizamento, G o mdulo de

rigidez do material, e k um fator prximo da unidade. Para uma discordncia em cunha, k
= 1- , enquanto que para uma discordncia em hlice, k = 1. Quando a fonte se situa no
centro de um gro de dimetro D, o nmero de discordncias no empilhamento dado por
n=
k s D
4Gb
Uma vez que a tenso de recuo que atua sobre a fonte decorrente de discordncias
empilhadas em ambos os lados da fonte, aplica-se o fator 4 em vez do fator 2 esperado.
Para muitos propsitos, pode-se considerar um arranjo de n discordncias empilhadas
como sendo uma discordncia gigante com vetor de Burgers nb. A tenso devido s
discordncias, para grandes distncias do empilhamento, pode ser considerada como
originada por uma discordncia de mdulo nb localizada no centro de gravidade a trs
quartos da distncia da fonte at a ponta do empilhamento. O deslizamento total produzido
por um empilhamento pode ser considerado aquele devido a uma nica discordncia nb
movimentando-se de uma distncia 3L/4. Na ponta do empilhamento atua uma fora muito
alta sobre as discordncias, que igual a nbs, onde s a tenso cisalhante resolvida mdia
sobre o plano de deslizamento.
UFPA ITEC FEM
98
O nmero de discordncias que podem ser bloqueadas por um obstculo depender

do tipo de barreira, da relao de orientao entre o plano de deslizamento e as
caractersticas estruturais da barreira, do material e da temperatura. O colapso da barreira
pode ocorrer atravs de deslizamento em um novo plano, escalagem de discordncias
contornando a barreira, ou pela gerao de tenses suficientemente grandes capazes de
produzir uma trinca.
4.4.2.10 Outras consideraes sobre discordncias
A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de
deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos. Com o aumento da
temperatura h um aumento na velocidade de deslocamento das discordncias,
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e formao de discordncias nicas.
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno das discordncias,
formando uma atmosfera de impurezas.
A densidade das discordncias depende da orientao cristalogrfica, pois o
cisalhamento se d mais facilmente nos planos de maior densidade atmica.
As discordncias geram lacunas, como tambm influem nos processos de difuso, e a
sua formao contribui para a deformao plstica dos materiais.
4.5 Defeitos superficiais
Os cristais tambm apresentam defeitos em duas dimenses que se estendem ao
longo de sua estrutura, formando superfcies que so denominadas de imperfeies de
superfcie ou fronteiras. Os principais tipos de defeitos cristalinos nessa categoria so:
superfcies livres, contornos de gro, falhas de empilhamento e maclas.
a) Superfcies livres
As dimenses exteriores do material representam superfcies onde o cristal termina
rapidamente, ou seja, a superfcie externa o trmino da estrutura cristalina (Figura 4.31).
Entretanto, os tomos da superfcie no so completamente comparveis aos do interior do
cristal, pois possuem vizinhos de apenas um lado; portanto, tm energia mais alta que os
tomos internos e esto ligados a estes mais fragilmente (tomos fora da posio de
equilbrio).
UFPA ITEC FEM
99
A Tabela 4.2 lista os valores da energia de superfcie de alguns metais. A energia

superficial expressa em erg/cm2 ou J/m2.
Superfcie
externa
Figura 4.31 tomos da superfcie do cristal.
Tabela 4.2 Energia de superfcie de alguns metais.

Energia de superfcie
Material
(mJ/m2)
1100
Alumnio
1400
Ouro
1750
Cobre
2100
Ferro (CCC)
Ferro (CFC)
2200
2100
Platina
Tungstnio
2800
Magnsio
1200
Alumina (Al2O3)
2500 a 3000
Fonte: Padilha (2000)
b) Contornos de gro
Durante a solidificao do material, vrios ncleos slidos surgem no interior do
lquido. Em uma fase seguinte, denominada de crescimento, esses ncleos crescem e se
juntam, formando nestas juntas uma regio conhecida como contorno de gro. Como os
diversos gros formados no apresentam a mesma orientao cristalogrfica, o encontro
dos mesmos cria superfcies de contato dentro do cristal, formadas por tomos
desordenados (Figura 4.32).
UFPA ITEC FEM
100
Lquido
Ncleo
b
Contorno
de gro
Gro
Figura 4.32 Formao de contornos de gros.

A estrutura de muitos materiais cermicos e metlicos consiste de muitos gros
(Figura 4.33).
Contorno
de gro
Gro
Figura 4.33 Estrutura mostrando os gros e seus contornos.
UFPA ITEC FEM
101
Um gro uma poro do material onde todos os tomos esto arranjados segundo
um nico modelo e uma nica orientao, caracterizada pela clula unitria; entretanto, a
orientao do arranjo de tomos, ou a estrutura cristalina, diferente para cada gro.
Um contorno de gro a superfcie que separa os gros individuais, e uma zona de
transio restringida onde os tomos no esto apropriadamente espaados, ou seja, uma
zona entre gros, a qual no est alinhada com nenhum dos gros; isto causa, nessas zonas,
o surgimento de regies de compresso em algumas reas, e de regies de trao em
outras. Portanto, os tomos ao longo do contorno tm uma energia mais elevada que
aqueles do interior do gro, conforme pode ser observado na Tabela 4.3.
Tabela 4.3 Energia de contorno de alguns metais.
Energia de contorno
Material
(mJ/m2)
Alumnio
600
Ouro
400
Cobre
530
Ferro (CCC)
800
Ferro (CFC)
790
Platina
780
Tungstnio
1070
Alumina (Al2O3)
1900
A forma do gro controlada pela presena dos gros circunvizinhos; o tamanho de
gro controlado pela composio e pela taxa de cristalizao ou solidificao.
importante o conhecimento do tamanho de gro de um material policristalino, visto
que o nmero de gros tem papel significativo em muitas propriedades dos materiais,
especialmente na resistncia mecnica; logo, um mtodo de controlar as propriedades de
um material controlando o tamanho dos gros que o formam.
Pela reduo do tamanho de gro, o nmero de gros crescer e, consequentemente,
haver um aumento da quantidade de reas de contornos de gro:
Em baixas temperaturas, at a metade da temperatura de fuso, os contornos de gros
aumentam a resistncia do material por meio da limitao do movimento de

discordncias, ou seja, o movimento de uma discordncia fica restringido, pois logo
encontrar um contorno de gro que a travar.
Em temperaturas acima de cerca da metade do ponto de fuso, a deformao pode
ocorrer por deslizamento ao longo dos contornos de gro. Isto se torna mais
UFPA ITEC FEM
102
proeminente com o aumento da temperatura e com a diminuio da taxa de deformao,

assim como em fluncia (o mecanismo de deformao plstica nestas temperaturas o
de fratura intergranular); este mecanismo um dos responsveis pela diminuio da
resistncia mecnica do material em temperaturas elevadas.
A equao de Hall-Petch relaciona o tamanho de gros com o limite de escoamento
do material (ASKELAND & PHUL, 2008):
y = o + KD 1 2
onde y o limite de escoamento; D o dimetro mdio dos gros; e o e K so constantes
do material.
Tamanho de gro
A padronizao do tamanho de gro pode ser feita por meio do nmero de tamanho
de gro da ASTM, que determinado pela equao:
N = 2 n 1
onde n o nmero inteiro definido como o nmero do tamanho de gro da ASTM; N o
nmero de gros por polegada quadrada, em um material polido, atacado quimicamente e
observado com o aumento de 100X.
Um nmero do tamanho de gro elevado indica muitos gros ou um tamanho de gro
pequeno, que correlacionado com alto limite de escoamento para metais. A Tabela 4.4
apresenta a padronizao do tamanho de gro cristalino segundo a ASTM, cuja ilustrao
encontra-se na Figura 4.34.
UFPA ITEC FEM
103
Tabela 4.4 Padronizao do tamanho de gro segundo a ASTM.

Quantidade mdia de gros
Nmero do tamanho de gro
(N)
(n)
por mm2 x 1 por pol2 x 100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
16
32
64
128
256
512
1024
2048
4096
8200
1
2
4
8
16
32
64
128
256
512
Dimetro de gro
mdio (D)
mm
0,75
0,50
0,35
0,25
0,18
0,125
0,062
0,044
0,032
0,022
Figura 4.34 Ilustrao esquemtica do tamanho de gro segundo a ASTM.

A microscopia tica uma tcnica usada para revelar detalhes microestruturais que
necessitam de amplificaes menores que 2000 vezes, como os contornos de gro. A
Figura 4.35 mostra uma micrografia de um ao inoxidvel austentico.
UFPA ITEC FEM
104
Figura 4.35 Micrografia de um ao austentico.

Nos contornos de gro h um empacotamento atmico menos eficiente e uma energia
mais elevada, como tambm ocorre o favorecimento da nucleao de novas fases
(segregao), o favorecimento a difuso e a ancoragem do movimento das discordncias.
Contornos de pequeno ngulo
Uma subestrutura definida pode existir dentro dos gros envolvidos por contornos de
gro de alta energia. Os contornos dessa subestrutura so denominados de contornos de
pequeno ngulo, porque a diferena de orientao entre esses contornos (desorientao)
pequena (da ordem de apenas uns poucos minutos de arco ou, no mximo, uns poucos
graus).
Um contorno de pequeno ngulo formado pelo alinhamento de discordncias;
portanto, um arranjo de discordncias que produz uma desorientao entre cristais
adjacentes, conforme mostra a Figura 4.36.
UFPA ITEC FEM
105
Figura 4.36 Desenho esquemtico da formao de um contorno de pequeno ngulo

(DIETER, 1982).
Como a energia superficial dos contornos de pequeno ngulo menor que a do
contorno de gro regular, eles no so eficazes como um bloqueador de discordncias e,
tambm, so menos atacados quimicamente do que os contornos de gros.
A situao mais simples o caso do contorno de empilhamento de discordncias em
aresta, denominado contorno inclinado (tilt boundary), mostrado na Figura 4.36, onde se
verifica:
A pequena diferena entre os gros indicada pelo ngulo ;
Os dois cristais se juntam formando um contorno de pequeno ngulo;
Ao longo do contorno os tomos ajustam suas posies por uma deformao localizada
para produzir uma suave transio de um gro para outro; entretanto, uma deformao
elstica no pode acomodar todo o desarranjo, de maneira que alguns planos de tomos
devem terminar no contorno.
Onde um plano de tomos termina existe uma discordncia em cunha; portanto,
contornos de pequeno ngulo podem ser considerados como um arranjo de

discordncias em cunha.
A relao entre e o espaamento das discordncias dada por
UFPA ITEC FEM
106
= 2 tan 1
b
b
2D D
onde b o tamanho do vetor de Burgers da discordncia.

Um contorno de pequeno ngulo formado por discordncias em hlice denominado
de contorno torcido (twist boundary).
Contornos de pequeno ngulo podem ser formados de vrias maneiras: durante o
crescimento do cristal, durante deformao em fluncia a alta temperatura, ou como
resultado de uma transformao de fase.
Um dos mtodos mais comuns para produzir uma rede de subestruturas pela
introduo de pequenos graus de deformao (de cerca de 1 a 10% de pr-deformao)
seguida de um tratamento de recozimento para rearranjar as discordncias em contornos de
sub-gro. A quantidade de deformao e a temperatura devem ser baixas o bastante para
evitar a formao de novos gros por recristalizao. Esse processo chamado de
recristalizao localizada ou poligonizao.
O termo poligonizao foi usado originalmente para descrever a situao que ocorre
quando um cristal dobrado com um raio de curvatura relativamente pequeno e depois
recozido. O dobramento produz um excessivo nmero de discordncias de mesmo sinal.
Estas discordncias ficam distribudas nos planos de dobramento, como mostra a Figura
4.37-a. Quando o cristal aquecido elas se agrupam em configurao de mais baixa
energia, como as de um contorno de pequeno ngulo, onde envolvido o processo de
escalagem. A estrutura resultante uma rede de aspecto poligonal de contornos de pequeno
ngulo, mostrada na Figura 4.37-b.
Figura 4.37 Movimento de discordncias para produzir poligonizao

(DIETER, 1982).
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107
c) Falha de empilhamento
So defeitos superficiais que ocorrem em metais CFC e HC e representam um erro
na sequncia regular de empilhamento de planos compactos.
Nos
metais
CFC
sequncia
de
empilhamento
regular
produzida
...ABCABCABC..., e nos metais HC a sequncia regular ...ABABAB...; entretanto, estas

sequncias podem ser localmente alteradas por deformao plstica e aglomerado de
defeitos puntiformes criados por irradiao do material por partculas pesadas de alta
energia ou tmpera, dando origem aos defeitos de empilhamento, mostrados a seguir:
CFC:
...ABCABABC...
Defeito de empilhamento: Na poro indicada da
sequncia, um plano A aparece onde um plano C
deveria estar normalmente localizado.
HC:
...ABABBAB...
Defeito de empilhamento: Na poro indicada da
seqncia, um plano B aparece onde um plano A deveria
estar normalmente localizado.
A energia associada falha de empilhamento fornecida na Tabela 4.5, para alguns

materiais.
Tabela 4.5 Energia de falha de empilhamento para alguns materiais.
Energia de falha de
Material
Estrutura
empilhamento
(mJ/m2)
Tungstnio
CCC
1860
Molibdnio
CCC
1450
Tntalo
CCC
942
Nibio
CCC
537
Nquel
CFC
220
Alumnio
CFC
163
Cobre
CFC
62
Ouro
CFC
50
Prata
CFC
22
Ao AISI 304L
CFC
19
Lato (30%Zn)
CFC
12
Zinco
HC
140
Magnsio
HC
125
Cdmio
HC
175
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108
d) Maclas
Ocorrem quando parte da rede cristalina deformada, de modo a formar uma
imagem especular da parte no deformada (Figura 4.38).
Macla
Planos de espelho
(contornos de macla)
Figura 4.38 Plano de macla.
O plano cristalogrfico de simetria entre as regies deformada e no deformada
chamado de plano de maclao ou contorno de macla.
As maclas podem ser produzidas em certos materiais metlicos, a partir de tenses
mecnicas ou trmicas oriundas de processos de deformao ou tratamento trmico, pela
produo de uma fora de cisalhamento atuando ao longo do contorno de macla, causando
a mudana de posio dos tomos.
Esses defeitos ocorrem durante a deformao ou tratamento trmico de certos
materiais metlicos.
Os contornos de macla interferem com o processo de deslizamento e,
consequentemente, aumentam a resistncia do material.
Tambm ocorrem em alguns materiais cermicos (zircnia monoclnica e silicato de
clcio).
Em funo da alta energia associada, os contornos de gro so mais eficazes no
bloqueio de discordncias do que falhas de empilhamento ou contornos de maclas,
conforme comparao feita na Tabela 4.6.
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109
Tabela 4.6 Quadro comparativo das energias associadas aos defeitos superficiais
Imperfeio superficial
Falha de empilhamento
Contorno de macla
Contorno de gro
Energia de superfcie (J/m2)

Alumnio Cobre Platina
Ferro
200
75
95
120
45
195
190
625
645
1000
780
A Figura 4.39 refere-se a uma micrografia obtida por microscopia tica de um ao

inoxidvel duplex envelhecido, onde vrias maclas podem ser observadas.
Macla
Figura 4.39 Micrografia onde vrias maclas so visveis (LOPES, 2006).

4.6
Defeitos volumtricos ou de massa

Os materiais slidos apresentam outros tipos de defeitos que so muito maiores do
que aqueles que foram estudados at aqui, tais como poros, trincas, incluses e outras
fases.
Estes defeitos so normalmente introduzidos durantes as etapas de processamento do
material e/ou na fabricao do componente. As figuras subseqentes ilustram alguns
defeitos volumtricos.
a) Incluses
So impurezas estranhas ao material, tais como xidos e sulfetos, dentre outros. A
Figura 4.40 mostra incluses como observadas no microscpio.
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110
Figura 4.40 Micrografia apresentando incluses.

b) Precipitados
So aglomerados de partculas cuja composio difere da matriz (Figura 4.41).
Precipitados
Fase austenita
Precipitados
Fase ferrita
Figura 4.41 Micrografias tica e eletrnica de varredura de uma amostra de ao

inoxidvel duplex envelhecido (LOPES, 2006)
c) Fases
Forma-se devido presena de impurezas ou elementos de liga, e ocorrem quando o
limite de solubilidade ultrapassado (Figura 4.41).
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111
d) Porosidade
Origina-se devido presena ou formao de gases. Por exemplo, a superfcie de
material puro durante o seu processamento por metalurgia do p (Figura 4.42).
Figura 4.42 Micrografia mostrando regies de porosidade.

4.7
Referncias bibliogrficas
CALLISTER JR., W.D. Cincia e engenharia de materiais: uma introduo. 8.ed. Rio de
Janeiro: LTC, 2012.
ASKELAND, Donald R.; PHUL, Pradeep Prabhakar. Cincia e engenharia dos materiais.
1.ed. So Paulo: Cengage Learning, 2008.
DIETER, G.E. Metalurgia mecnica. 2a Ed. Rio de Janeiro: Ed. Guanabara Dois, 1981.
CARAM JR., Rubens. Estrutura e propriedades dos materiais. Apostilha de aula.
Campinas: Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP), 2000.
FREIRE, J.M. Materiais de construo mecnica: Fundamentos de tecnologia mecnica.
Rio de Janeiro: Livros Tcnicos e Cientficos Editora S.A., 1983.
LOPES, Jorge Tefilo de Barros. Influncia da presena de fases frgeis e da temperatura
nas propriedades de propagao de trinca por fadiga do ao inoxidvel duplex UNS
S31803. Campinas: Faculdade de Engenharia Mecnica, Universidade Estadual de
Campinas, 2006. 155p. Tese (Doutorado).
PADILHA, Angelo F. Materiais de engenharia: microestrutura e propriedades. Curitiba:
Hemus, 2000.
SMITH, William F. Princpios de cincia e engenharia de materiais. 3.d. New York:
McGraw-Hill, 1998.
VAN VLACK, L.H. Princpios de cincia dos materiais. 3.d. So Paulo: Edgard Blcher,
1977.
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112

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seguintes etapas: nucleao, que a formao de ncleos estveis no lquido; e

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Figura 4.1 Ilustrao esquemtica mostrando as vrias etapas da solidificao de metais

Fonte: SMITH, 1998; ASKELAND & PHUL, 2008.

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Quanto maior for o grau de super-resfriamento T, maior a variao de energia

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Figura 4.3 Nucleao heterognea de um slido sobre um substrato (SMITH, 1998).

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c) Crescimento de cristais e formao da estrutura do gro

Os gros da zona coquilhada tendem a crescer na direo oposta a da extrao de calor,

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Figura 4.4 Desenho esquemtico da estrutura de gro de um metal solidificado em um

Solues slidas metlicas

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O bronze, que uma liga de cobre contendo estanho;

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1- Os raios atmicos dos dois elementos no devem diferir em mais de 15%;

Fontes: VAN VLAC, 1977 e ASKELAND & PHUL, 2008

Figura 4.6 tomos de soluto localizados nos interstcios da rede do solvente

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As solues slidas intersticiais so formadas quando um tomo do soluto muito

como os parmetros envolvidos na deformao plstica, na condutividade eltrica de

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Essas imperfeies podem ser introduzidas pelo movimento de tomos ou ons,

Figura 4.7 Representao de uma lacuna (adaptada de ASKELAND, 2008).

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