UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL

ESCOLA DE ENGENHARIA
ENG04061 CIRCUITOS ELETRNICOS INTEGRADOS

DIODOS EMISSORES DE LUZ (LEDs)

Alexandre Bergmann Ypiranga Benevides 152501

Cssio Bortolosso 150383
Matheus Berger Oliveira 136850

Porto Alegre, Julho de 2010.

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RESUMO

Os LEDs so dispositivos semicondutores que exploram os conceitos da fsica

do semicondutor e das bandas de energia para produzir energia luminosa a partir de
energia eltrica.

Ao ser percorrido por uma corrente eltrica, um LED emite ftons atravs da
passagem de eltrons da banda de conduo para a banda de valncia. Dessa forma
possvel a produo de energia luminosa com baixas perdas.

Suas aplicaes estendem-se desde sistemas de iluminao at modernos

displays para entretenimento. Dessa forma as pesquisas na rea continuam
evoluindo, buscando tanto evoluo na tecnologia atual quanto o desenvolvimento de
novas tecnologias, como os OLEDs.

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SUMRIO
1.

INTRODUO ..................................................................................................... 5

2.

FSICA DO ESTADO SLIDO ............................................................................. 6

2.1. Constituio dos materiais ............................................................................. 6
2.2. Os semicondutores ........................................................................................ 6
2.3. Tipos de materiais semicondutores ................................................................ 7
2.4. Dopagem tipo P e tipo N ................................................................................ 8
2.5. Formao de material tipo P .......................................................................... 9
2.6. Formao de material tipo N .......................................................................... 9
2.7. Influncia da temperatura nos semicondutores ............................................ 10

3.

DIODO ............................................................................................................... 11
3.1. Juno P-N .................................................................................................. 11
Lado P .......................................................................................................... 11
Regio de depleo ..................................................................................... 11
Lado N.......................................................................................................... 12

4.

LED .................................................................................................................... 13
4.1. Princpio de funcionamento .......................................................................... 13
4.2. Construo de um LED ................................................................................ 13
4.3. Parmetros fundamentais ............................................................................ 14
Tenso reversa mxima ............................................................................... 14
Tenso direta ............................................................................................... 15
Corrente mxima direta ................................................................................ 15
4.4. Caractersticas da luz emitida ...................................................................... 15
4.5. Vantagens dos LEDs.................................................................................... 16
4.6. Sensibilidade do olho humano ..................................................................... 17

5.

TEORIA DE BANDAS ........................................................................................ 18

5.1. Band-gap...................................................................................................... 19
5.2. Band-Gap direto e Band-gap indireto ........................................................... 19

6.

GERAO E RECOMBINAO ....................................................................... 21

6.1. Gerao ....................................................................................................... 21
6.2. Recombinao ............................................................................................. 21

7.

MATERIAIS UTILIZADOS .................................................................................. 23

8.

NOVAS TECNOLOGIAS .................................................................................... 25

8.1. OLED Organic Light-Emitting Diode .......................................................... 25
Vantagens no uso de OLEDs: ...................................................................... 27
Desvantagens no uso de OLEDs: ................................................................ 27

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9.
10.

CONCLUSO .................................................................................................... 28
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ................................................................ 29

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1. INTRODUO

Os diodos emissores de luz (LEDs) so dispositivos largamente empregados

na eletrnica atual. Suas aplicaes podem variar desde iluminao at displays para
aplicaes

diversas.

Dessa

maneira,

tornam-se

dispositivos

extremamente

importantes na eletrnica moderna.

Busca-se cada vez mais o aperfeioamento e a miniaturizao destes

dispositivos, de forma a permitir a produo de sistemas de iluminao que venham a
substituir ou a minimizar a utilizao de lmpadas, devido maior eficincia dos LEDs.
Alm disso, com as evolues tecnolgicas busca-se a criao de displays com
resoluo ainda maior, com menor espessura e com consumo de energia eltrica
menor.

Observa-se que a importncia do LED gigantesca, ainda mais considerando

que um dispositivo de funcionamento relativamente simples, e de custo
incrivelmente reduzido.

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2. FSICA DO ESTADO SLIDO

2.1. Constituio dos materiais

Os materiais so constitudos por tomos, os quais so constitudos por um

ncleo e uma regio conhecida como eletrosfera. No ncleo encontram-se os prtons
e os nutrons, enquanto que na eletrosfera encontram-se os eltrons, distribudos em
diversas camadas ou nveis energticos.

O nmero de eltrons varia de material para material. Desta forma materiais

diferentes possuem diferentes nmeros de eltrons na ltima camada energtics,
tambm conhecida como camada de valncia.

Para que um tomo esteja eletricamente estvel necessrio que seu primeiro
nvel energtico possua dois eltrons e o ltimo oito eltrons, da mesma forma que os
gases nobres se apresentam isoladamente. A estabilidade de tomos que no
possuem oito eltrons em sua ltima camada existe na natureza, sendo a ltima
camada completada muitas vezes atravs de doao e recepo de eltrons, ou
atravs do compartilhamento de eltrons entre dois tomos de dois materiais
(covalncia).

2.2. Os semicondutores

Os materiais semicondutores so materiais que possuem uma resistividade

situada entre a dos materiais condutores e a dos isolantes. Os principais materiais
semicondutores utilizados na eletrnica so o Germnio(Ge) e o Silcio (Si), sendo
este ltimo o mais utilizado. Recentemente h investimento em pesquisas com
materiais semicondutores fabricados a partir do carbono para aplicao em
dispositivos eletrnicos.

Nos materiais semicondutores a camada de valncia possui 4 eltrons. Como o

material tende a possuir oito eltrons na camada de valncia, e o elemento
semicondutor s possui quatro, este acomoda os seus tomos, simetricamente entre

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si, constituindo uma estrutura cristalina, atravs de ligaes covalentes.

Figura 1 Estrutura de um material semicondutor.

2.3. Tipos de materiais semicondutores

Semicondutor intrnseco aquele encontrado na natureza na sua forma mais

pura, ou seja, a concentrao de portadores de carga positiva igual concentrao
de portadores de carga negativa.

Semicondutores extrnsecos ou dopados so semicondutores intrnsecos nos

quais introduzimos impurezas para controlarmos as caractersticas eltricas do
semicondutor. No caso do silcio como material semicondutor essas impurezas so
elementos da coluna III (trivalentes) ou da coluna V (pentavalentes) da tabela
peridica.

Figura 2 Tabela peridia dos elementos com indicao dos elementos trivalentes e
pentavalentes.

2.4. Dopagem tipo P e tipo N

Devido tendncia de transformar-se em uma estrutura simtrica um material

semicondutor quase no possui eltrons livres. Dessa forma, para utilizarmos
efetivamente os materiais semicondutores so introduzidos elementos adicionais nas
estruturas

cristalinas, denominados impurezas,

atravs de processos de

implantao inica ou difuso.

Essas impurezas so elementos cujos tomos possuem trs ou cinco eltrons

na camada de valncia, e so introduzidas dentro do material semicondutor em
pequenas quantidades.

A tendncia de formar uma estrutura simtrica faz com que os tomos das
impurezas acomodem-se de tal maneira que produzam portadores de carga livres.
Esses portadores livres podem ser eltrons, no caso de adio de tomos com cinco
eltrons na ltima camada, ou lacunas (falta de eltrons), no caso da adio de
elementos com trs eltrons na ltima camada.

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2.5. Formao de material tipo P

Ao realizar a dopagem do material semicondutor (Silcio ou Germnio) atravs

da introduo de impurezas com trs eltrons na camada de valncia como o
Alumnio, o ndio, o Boro ou o Glio, temos a formao de ligao covalente entre o
material semicondutor e a impureza. Ao introduzirmos um elemento desse tipo faltar
um eltron em uma das ligaes atmicas, pois o elemento contribuiu com apenas
trs eltrons. Essa falta de eltrons (lacuna) pode recombinar-se c om um eltron que
esteja na banda de conduo do material.

Figura 3 Formao de lacunas em um semicondutor com dopagem tipo P.

2.6. Formao de material tipo N

Ao associarmos um elemento com cinco eltrons na ltima camada, como

Antimnio, Fsforo ou Arsnio, ao material semicondutor, os mesmos iro formar
ligaes covalentes, porm haver a liberao de um eltron livre para a banda de
conduo do material, o qual poder movimentar-se livremente pela estrutura.

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Figura 4 Formao de eltrons livres em semicondutores com dopagem tipo N.

2.7. Influncia da temperatura nos semicondutores

Nos condutores, um aumento na temperatura ocasiona um aumento da

resistncia oferecida a passagem da corrente eltrica. J nos semicondutores h o
efeito oposto, ou seja, um aumento da temperatura ocasiona uma reduo da
resistncia oferecida a passagem da corrente eltrica, pois a energia trmica acaba
liberando mais eltrons livres para a banda de conduo do material.

Figura 5 Comportamento da resistncia eltrica de um material em relao

temperatura.

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3. DIODO

3.1. Juno P-N

Um diodo formado por uma juno P-N, na qual existem portadores de
carga eltrica (negativos e positivos), ons fixos (de dopantes ou contaminantes) e
tomos constituintes do material (substrato) utilizado.

Durante a formao da juno P-N h a formao tambm de uma barreira de

potencial e de uma regio de depleo. No instante da formao da juno surgem
duas correntes: a corrente de difuso (gerada pela tendncia dos portadores de cada
material se distriburem) e a corrente de deriva (devido ao campo eltrico).
Inicialmente surge uma corrente de difuso maior que a corrente de deriva atravs da
juno. Esta corrente diminui com o tempo, at que se iguala corrente de deriva,
anulando-se. Durante este processo a barreira de potencial e a regio de depleo
vo se formando, at que seja atingido o equilbrio.

A regio de depleo basicamente uma regio na qual os portadores de

carga livres recombinaram-se entre si, existindo nela apenas ons carregados positiva
ou negativamente. Dessa forma, para um portador de carga atravessar a regio de
depleo ele deve ter uma grande energia, devido ausncia de portadores de carga
livres na regio. Essa energia a chamada barreira de potencial.

Lado P
No lado P da juno as lacunas so os portadores majoritrios, e os eltrons

portadores minoritrios. Ao longo da estrutura tipo P existem ons negativos, devido

aos dopantes aceitadores presentes na estrutura.

Regio de depleo
Entre os dois materiais encontra-se a regio de depleo. Uma regio neutra,

onde apenas se encontram ons positivos e negativos fixos na estrutura cristalina.

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Lado N
No lado N da juno existe uma quantidade maior de eltrons na banda de

conduo do que lacunas. Nesse caso os eltrons so chamados portadores

majoritrios, e as lacunas so portadores minoritrios. Alm disso existem ons
positivos gerados pela presena de dopantes doadores no material tipo N.

Figura 6 Formao da regio de depleo em uma juno P-N.

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4. LED

O LED (Diodo Emissor de Luz) um dispositivo semicondutor formado por uma

juno P-N que quando diretamente polarizada emite luz. A luz no monocromtica
(como em um laser), consistindo de uma banda espectral relativamente estreita, e
produzida pelas interaes energticas do eltron. O processo de emisso de luz pela
aplicao de uma fonte eltrica de energia chamado eletroluminescncia.

4.1. Princpio de funcionamento

A emisso de luz em um LED ocorre quando h a passagem de um eltron da

banda de conduo do material semicondutor para a banda de valncia. Quando
ocorre a transio de um eltron de uma banda de maior energia para outra de menor
energia h a emisso de energia, na forma de um fton, ou seja, luz.

O comprimento de onda da luz emitida, ou seja, sua cor, depende do band gap
do material. O band gap a diferena de energia entre as bandas de valncia e de
conduo do material. Quanto maior o band gap menor o comprimento de onda da luz
emitida.

4.2. Construo de um LED

Um LED um dispositivo relativamente simples de ser fabricado, devido ao seu

nmero reduzido de elementos constituintes. A figura 7 mostra a constituio de um
LED, mostrando os pinos terminais, o dispositivo semicondutor e as lentes que o
constituem.

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Figura 7 Construo de um LED

4.3. Parmetros fundamentais

Assim como os diodos comuns, os LED'S apresentam parmetros de

funcionamento

que

devem

ser

rigorosamente

respeitados,

sob

pena

do

no-funcionamento ou at da inutilizao do componente caso sejam ultrapassados.

Os principais limites dos LED'S so tenso reversa mxima, tenso direta de
operao e corrente mxima direta.

Tenso reversa mxima

A tenso reversa mxima a mxima tenso que o LED suporta quando

inversamente polarizado. Caso este limite seja ultrapassado sero causados grandes
danos ao dispositivo. Ao contrrio dos diodos comuns, que podem ser construdos
para resistir a tenses inversas muito altas (acima de 100V), a grande maioria dos
LED's no suporta grandes valores de tenso reversa, estando os limites normais
entre 4 e 6 volts.

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Tenso direta
a tenso que deve ser aplicada ao LED em polarizao direta, para ocorrer

produo de luz. Este parmetro normalmente tem valor baixo. A grande maioria dos
LED's apresenta uma tenso direta entre 1,5 e 2 V, dependendo de suas
caractersticas, principalmente sua cor.

Corrente mxima direta

, provavelmente, o mais importante dos parmetros, pois responsvel pela

luminosidade mxima que se pode obter do componente. Representa a maior
corrente que o LED pode suportar sem ser danificado quando diretamente polarizado.
A grande maioria dos LED's apresenta uma corrente mxima direta entre 40 e 50 mA.
Este parmetro no deve ser ultrapassado, pois uma corrente mais intensa do que o
valor mximo que o componente pode suportar acarretar inicialmente o seu
sobreaquecimento e em seguida danos irreparveis em sua estrutura. importante
saber tambm que a luminosidade do LED diretamente proporcional corrente que
o percorre, ou seja, quanto maior a corrente, mais intensa a luz emitida. O LED
comea a emitir luz com baixos valores de corrente, desde poucos miliampres.

4.4. Caractersticas da luz emitida

A luz emitida por um LED depende do material do qual ele constitudo, bem
como do respectivo band-gap associado a este material, que a diferena de energia
existente entre as bandas de valncia e de conduo do material. Podemos dizer,
ento, que as caractersticas intrnsecas do material constituinte determinam a cor da
radiao eletromagntica emitida.

No entanto, interessante ressaltar o fato de que o espectro apresenta

sensibilidade com relao a fatores extrnsecos no que se refere agitao trmica.
Um aumento de temperatura faz com que a radiao emitida tenha um espectro mais
poludo se comparado a temperaturas mais baixas. Podemos dizer, ento, que
medida que a temperatura cresce, a pureza espectral diminui. Isto pode ser
explicitado atravs da figura 8.

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Figura 8 Pureza espectral a diferentes temperaturas.

4.5. Vantagens dos LEDs

Por terem a capacidade de emitir luz, os LEDs podem substituir as lmpadas

convencionais e at mesmo as fluorescentes em termos de eficincia. Eles possuem
uma luminosidade relativamente alta se comparada sua baixssima emisso de
calor .

Entre outras vantagens podemos citar uma maior vida til, que pode chegar a
10000 vezes mais se comparada de uma lmpada incandescente convencional,
alm de contar com uma maior robustez.

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4.6. Sensibilidade do olho humano

Dependendo do tipo de material utilizado na construo temos uma resposta

diferente no que se refere viso humana. Considerando o espectro de luz visvel e
levando em considerao a sensibilidade do olho humano podemos dizer que a faixa
do espectro para a qual a percepo mais intensa aquela correspondente regio
prxima do verde e do amarelo. A figura 9 mostra a sensibilidade do olho na faixa de
comprimentos de onda da luz visvel.

Figura 9 Sensibilidade do olho humano luz visvel.

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5. TEORIA DE BANDAS

interessante ressaltarmos alguns aspectos relevantes da teoria de bandas

para um melhor entendimento do funcionamento dos LEDs.

Os eltrons orbitam ao redor do ncleo de um tomo em espaos com

quantidades de energia caractersticas denominadas nveis eletrnicos, camadas
eletrnicas ou camadas de eltrons. Uma camada eletrnica constituida por um
grupo de orbitais atmicos com o mesmo valor de nmero quntico principal n.

Em 1913, Niels Bohr (1885-1962), fundamentado na teoria quntica da

radiao formulada por Max Planck em 1900, props que os eltrons, em torno do
ncleo atmico, giram em rbitas estacionrias denominadas de "nveis de energia".
Nestes nveis energticos os eltrons no emitem e no absorvem energia. Se
receberem energia, na forma de luz ou calor, se afastam para nveis mais externos e,
ao retornarem, emitem esta mesma quantidade de energia. Segundo a teoria quntica
a energia envolvida na transio de um nvel para outra quantizada, ou seja, ocorre
em "pacotes" inteiros, no divisveis, denominados "quanta" ("quantum", no singular ).
Para os tomos conhecidos atualmente, os eltrons ocupam 7 nveis de
energia (camadas de eltrons), representados por letras maisculas K, L, M, N, O, P e
Q , e identificados atravs de "nmeros qunticos", denominados "principais" ou
"primrios", que so, respectivamente, 1, 2, 3, 4, 5, 6 e 7. A figura 10 exemplifica a
teoria de bandas demonstrando a banda de conduo e a banda de valncia para
materiais tipo P e tipo N, alm do band gap existente entre elas.

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Figura 10 Bandas de valncia e de conduo, e band-gap.

5.1. Band-gap

Nos materiais semicondutores, temperatura de zero Kelvin (zero absoluto)

todos os eltrons encontram-se na banda de valncia. Neste estado o semicondutor
tem caractersticas de um isolante, ou seja, no conduz eletricidade. medida que
sua temperatura aumenta os eltrons absorvem energia, passando para a banda de
conduo. Esta "quantidade" de energia necessria para que o eltron efetue essa
transio chamada de band gap, ou banda proibida. Observamos que o valor do
band-gap associado a um material cresce medida que a freqncia aumenta,
conforme mostra a figura 11.

Figura 11 Band-gap em funo da frequncia da luz emitida.

5.2. Band-Gap direto e Band-gap indireto

Um material semicondutor em band-gap direto ao ter um eltron transferido de

sua camada de conduo para a banda de valncia apresenta emisso apenas de luz

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como forma de liberar a energia antes absorvida na passagem do eltron no sentido
contrrio.

J nos materiais de band-gap indireto a energia absorvida liberada na forma

no apenas de luz, mas tambm de calor, ou seja, so emitidos fnons.

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6. GERAO E RECOMBINAO

Quando um material semicondutor intrnseco est a uma temperatura de 0K

todas as ligaes atmicas de sua estrutura cristalina esto completas. Assim todas
as ligaes covalentes na faixa de valncia esto completas, e no h portadores de
carga livres na banda de conduo do material.

6.1. Gerao

Ao aumentarmos a temperatura (acima de 0K) estamos fornecendo energia

trmica ao sistema. Essa energia trmica provoca a vibrao da estrutura cristalina do
material semicondutor. A esta vibrao trmica denominamos de agitao trmica.
Com a agitao trmica da rede cristalina algumas ligaes covalentes so
quebradas, produzindo um eltron livre na banda de conduo e uma lacuna livre na
banda de valncia. A este fenmeno chamamos de gerao de portadores ou gerao
de pares eltrons-lacunas.

6.2. Recombinao

Quando um eltron perde energia na foma de fnons dentro da rede cristalina

na banda de conduo ele tende a recombinar-se com uma lacuna que est na banda
de valncia, reconstituindo a ligao covalente. A este fenmeno denominamos de
recombinao de pares eltrons lacunas, ou recombinao de portadores.

A figura 12 mostra a relao existente entre a funo densidade de

probabilidade e a ocorrncia do fenmeno da recombinao para dois materiais
diferentes, um de band-gap direto (GaAs) e outro de band-gap indireto (Si).

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Figura 12 Recombinao em materiais com band-gap direto e indireto.

Observa-se que no material de band-gap direto o mnimo da banda de

conduo (curva superior) ocorre juntamente com o mximo da banda de valncia, o
que facilita a recombinao do par eltron-lacuna permitindo uma transio direta. J
no material de band-gap indireto isso no ocorre, dificultando a ocorrncia de
recombinao. Porm o fenmeno no fica impedido de acontecer, torna-se apenas
menos provvel e consumado s custas de liberao de calor. Para este ltimo
caso, diz-se ento que a recombinao ocorre em vetores k diferentes.

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7. MATERIAIS UTILIZADOS

A cada material utilizado est associado um relativo band-gap. Isto se deve ao

fato de que as estruturas cristalinas internas de cada um se arranjam de modo
diferente, o que lhes propicia diferentes caractersticas.

No contexto dos LEDs interessante analisarmos alguns materiais tpicos

utilizados na sua construo. A figura 13 relaciona diversos materiais com seu
respectivo band-gap, dado em eV.

Figura 13 Band-gap de vrios materiais.

Alm disso, o band-gap possui uma relao com a temperatura, conforme

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segue:

Onde:

Eg(0) a energia no zero absoluto;

T a temperatura;

e so constantes.

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8. NOVAS TECNOLOGIAS
8.1. OLED Organic Light-Emitting Diode
Tecnologia criada pela Kodak em 1980, os OLEDs prometem telas mais finas e
leves que as de plasma e mais baratas que as de LCD. Os diodos orgnicos so
compostos por molculas de carbono que emitem luz ao serem submetidos
passagem de corrente eltrica. A vantagem que, ao contrrio dos LEDs tradicionais,
essas molculas podem ser diretamente aplicadas sobre a superfcie da tela, usando
um mtodo de impresso.

Ao aplicar uma diferena de potencial eltrico nos terminas de um OLED, passa

a fluir uma corrente eltrica do ctodo para o nodo atravs das camadas orgnicas,
produzindo um fluxo de eltrons. Assim, o ctodo fornece eltrons camada emissiva
das molculas orgnicas, enquanto o nodo remove eltrons da camada condutiva
das molculas orgnicas. Isso equivalente a entregar lacunas de eltrons
camada condutiva. No limiar entre as camadas, emissiva e condutiva, os eltrons
encontram lacunas de eltrons e, quando um eltron encontra uma lacuna de eltron,
preenche a lacuna, fazendo com que esse eltron caia no nvel de energia do tomo
que perdeu um eltron. Quando isso ocorre, o eltron fornece energia na forma de
fton, fazendo com que o OLED emita luz. A cor da luz depende do tipo de molcula
orgnica na camada emissiva. Os fabricantes colocam vrios tipos de filmes
orgnicos no mesmo OLED para fazer displays coloridos e a intensidade ou brilho da
luz depende da intensidade da corrente eltrica aplicada. A figura 14 apresenta a
estrutura de um OLED. J a figura 15 demonstra o seu funcionamento.

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Figura 14 Estrutura de um OLED.

Figura 15 Funcionamento de um OLED.

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Vantagens no uso de OLEDs:

o Telas de OLEDs possuem luz prpria, ocupam pouco espao,
necessitam de pouca energia, e quando alimentadas por uma bateria,
podem operar por mais tempo com a mesma carga;
o Por emitir luz prpria, cada OLED quando no-polarizado torna-se
obscuro, obtendo-se assim o preto real, diferentemente do que ocorre
com as telas de LCD, as quais no conseguem obstruir completamente
a luz de fundo. Alm disso no h consumo de energia para a
modulao de luz de fundo;
o Consumo de energia 40% menor do que um LCD com as mesmas
dimenses;
o Telas de OLED possuem baixos tempos de resposta (menores que
0.01ms), podem ser visualizadas de diversos ngulos (um problema das
telas LCD);
o Telas de OLED suportam melhor variaes de temperatura, so
produzidas de maneira mais simplificada e usam menos matria prima
do que as telas de LCD.

Desvantagens no uso de OLEDs:

o Tempo de vida: enquanto filmes de OLED vermelhos e verdes tm
tempos de vida maiores (46000 a 230000 horas), orgnicos azuis
atualmente tm tempos de vida mais curtos (at 14000 horas);
o Fabricao: processos de fabricao so caros atualmente;
o gua pode facilmente danificar OLEDs.

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9.

CONCLUSO

Os diodos emissores de luz, tambm conhecidos como LEDs (Light-Emitting

Diodes) so dispositivos semicondutores que exploram a teoria de bandas
energticas para produzir energia luminosa a partir de energia eltrica.

Dispositivos cada vez mais largamente empregados, podem representar um

grande avano em um futuro prximo, pois podem permitir um grande aumento na
eficincia da iluminao em ambientes de pequeno porte. Alm disso, sua aplicao
na eletrnica de consumo cada vez maior.

As novas tecnologias buscam estender o uso dos LEDs para outras reas
ainda dominadas por outras tecnologias, alm de propiciar dispositivos mais portveis
e mais econmicos para a humanidade.

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10. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

http://www.mundofisico.joinville.udesc.br/index.php?idSecao=110&idSubSecao=&idT
exto=49
http://www.lsi.usp.br/~eletroni/milton/matpn.htm

http://eletronicos.hsw.uol.com.br/led2.htm

http://www.fsc.ufsc.br/~canzian/fsc5508/artigos/led-cefet.pdf

http://pt.wikipedia.org/wiki/N%C3%ADvel_eletr%C3%B4nico

Notas de Aula de ENG04063.

Notas de Aula de ENG04061.