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Jacobus W. Swart
CCS e FEEC - UNICAMP
1 Introduo:
A microeletrnica apresenta uma histria longa num perodo muito curto. Como fatos histricos mais
marcantes temos o descobrimento do efeito transistor em 1947 na Bell Labs e o desenvolvimento do
processo planar para a fabricao de CIs (circuitos integrados) em 1959 na Fairchild, resultando nos
primeiros CIs comerciais em 1962. Assim, a idade do CIs de apenas aproximadamente 40 anos
(2000). Podemos afirmar que nenhum outro tipo de produto assistiu a evolues a nveis similares ao do
CI. Uma lmpada de hoje ainda similar ao de 100 anos atrs. Um automvel de hoje razoavelmente
evoludo se comparado ao de 100 anos atrs, porm esta evoluo totalmente desprezvel ao da
evoluo do CI. Na verdade, os carros e as lmpadas mais modernos tem suas caractersticas mais
atraentes graas incorporao de microeletrnica. Alm desta rpida evoluo da tecnologia, a histria
da microeletrnica apresenta outros fatores incomparveis em outras reas:
Apresentou um crescimento de mercado de aproximadamente 16% anuais em mdia durante as
suas 4 dcadas de vida. Este alto crescimento, inigualvel em qualquer outra rea econmica, fez
com que a eletrnica se tronasse hoje o maior mercado mundial, de valor total anual de
aproximadamente 1 trilho de dlares (maior que o da automobilstica e de petrleo por exemplo).
Ela produziu uma nova revoluo na histria humana, alterando profundamente todas as atividades
humanas. A importncia da rea tamanha, que podemos chamar a nossa era como a idade do
silcio, dado ser o silcio o material bsico para a fabricao dos chips e outros dispositivos. Isto
em aluso prtica comum histrica de classificar as sociedades pela sua habilidade em manipular
e usar predominantemente um dado material (idade da pedra, do bronze, etc.)
A tecnologia de microfabricao foi desenvolvida inicialmente visando aplicaes de microeletrnica
(dispositivos discretos e circuitos integrados). Alm da imensa evoluo havida na tecnologia de
microfabricao, chegando-se mesmo tecnologia de nanofabricao, hoje ela extrapola sua rea de
aplicaes, incluindo a seguinte lista:
Dispositivos e circuitos integrados eletrnicos
Dispositivos e circuitos integrados optoeletrnicos
Estruturas e circuitos fotnicos
Dispositivos tipo microssensores e microatuadores
Estruturas e dispositivos de micromecnica
Estruturas para biologia.
Fabricao e montagem de placas de circuitos impressos
Neste trabalho apresentaremos inicialmente, item 2, uma reviso da evoluo da microeletrnica e
das tcnicas de microfabricao. Uma reviso da histria da microeletrnica no pas ser apresentada
em seqncia, no item 3. No item 4 ser apresentada uma introduo aos microssensores, que fazem
uso das mesmas tcnicas de microeletrnica.
2. Evoluo da Microeletrnica
1-5
No sculo 19, pouco se sabia a respeito de semicondutores e muito menos de dispositivos feito com
estes materiais. Houve, no entanto, alguns trabalhos empricos. o caso da inveno do retificador a
estado slido, apresentado por F. Braun, em 1874. Este retificador foi feito com cristal de PbS, soldado
com um fio metlico (diodo de ponta de contato). Este diodo apresentava caracterstica muito instvel e
foi abandonado temporariamente, at uma poca em que os diodos a vlvula no atendiam demanda
de uso de freqncias mais altas.
O incio do sculo 20 por sua vez foi fundamental para o desenvolvimento da microeletrnica, pois
houve um enorme progresso na teoria fsica, com o desenvolvimento da mecnica quntica, por Bohr,
de Broglie, Heisenberg, Schrdinger e outros, notadamente durante os anos 20. Em paralelo a este fato,
foi proposto um primeiro conceito de desenvolvimento de um transistor de efeito de campo em estado
slido. Em 1928, Lilienfeld, um homem muito frente do seu tempo, patenteou a idia de modular a
condutividade de um semicondutor por meio de um campo eltrico, chamado como dispositivo de efeito
de campo. Lilienfeld, no entanto, no teve sucesso na realizao prtica da sua proposta. Na dcada
seguinte, dos anos 30, houve um forte crescimento no desenvolvimento de teorias qunticas em slidos,
ou seja, a aplicao da mecnica quntica em slidos, com os conceitos de bandas de energias, banda
proibida, mecnica estatstica, portadores, etc, pelos trabalhos apresentados por Peieris, Wilson, Mott,
Franck e vrios outros (a maioria da Inglaterra). Estes conceitos tericos permitiram entender os
semicondutores e motivar a pesquisa por dispositivos semicondutores.
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No ano de 1936 a Bell Labs decide criar um grupo de pesquisa especfico para estudar e
desenvolver dispositivos semicondutores, com o objetivo de fabricar o transistor de efeito de campo. Um
outro grupo bastante ativo nesta rea e que contribuiu significativamente com o trabalho na Bell Labs era
o grupo da universidade de Purdue. Em 1940, R. Ohi identifica pela primeira vez semicondutores de Si
tipo p e tipo n. No mesmo ano, J. Scaff e H. Theuerer mostram que o nvel e o tipo de condutividade do
Si devido presena de traos de impurezas. Durante os anos seguintes da II Guerra mundial, as
pesquisas nesta rea so suspensas na Bell Labs, devido a outras prioridades.
Em meados dos anos 40, ao final da II Guerra mundial, o status da eletrnica era baseado nos
seguintes dispositivos bsicos:
Vlvulas terminicas, que apresentavam as seguintes caractersticas: muito frgeis, caras e alto
consumo de potncia.
Rels eltro-mecnicos, que por sua vez eram de comutao muito lenta.
Estas limitaes destes dispositivos motivaram o reincio da pesquisa e desenvolvimento de novos
dispositivos a estado slido. Assim, em 1946, a Bell Labs recria seu grupo de pesquisa em estado slido,
agora sob liderana de William Shockley, concentrando esforos na pesquisa dos semicondutores Ge e
Si e de transistores de efeito de campo. Nesta poca, um dos pesquisadores do grupo, Bardeen, sugere
uma explicao pelo insucesso na obteno do transistor FET baseado na alta densidade de estados de
superfcie dos semicondutores (dentro da banda proibida). Mas persistindo na pesquisa da inveno do
FET, Bardeen e Brattain descobrem por acaso o efeito de transistor bipolar, em final de 1947, mais
precisamente em 16 de dezembro. Este transistor e esquema eltrico so mostrados na Fig. 1. O
transistor era constitudo por uma base de Ge tipo n (contato de base pelas costas da amostra) e duas
junes de contato tipo p na superfcie, sendo um de emissor e outro o coletor, feitos um prximo ao
outro. Aps os cuidados necessrios para patentear o invento e convencer o exrcito americano, que
queria mant-lo como segredo, a Bell Labs o anuncia publicamente em junho de 1948. O descobrimento
do efeito transistor bipolar sem dvida atribudo aos pesquisadores Bardeen e Brattain, mas quem
desenvolveu a teoria e explicao sobre o funcionamento do transistor bipolar foi o chefe deles, W.
Shockley, em janeiro de 1948. A teoria de Shockley, de injeo de portadores minoritrios pela juno
emissor-base, foi comprovada por meio de um transistor vertical fabricado em fevereiro de 1948, por J.
Shive. Esta teoria torna-se amplamente acessvel com o lanamento do livro Electrons and Holes in
Semiconductors por W. Shockley em 1950. Mais tarde, em 1956, Shockley, Brattain e Bardeen so
condecorados com o prmio Nobel de fsica pelas contribuies referentes ao transistor bipolar. A
pesquisa pela obteno do transistor de efeito de campo foi mantida, apesar do descobrimento do
transistor bipolar, sendo que em 1952, I. Ross e G. Dacey demonstram o primeiro transistor tipo JFET.
Neste caso, a porta constituda por uma juno pn, que controla a passagem de corrente pelo canal.
Desta forma, contornou-se o problema de estados de superfcie, que ainda no tinha sido resolvido at
ento.
Um fato histrico que contribuiu muito com o desenvolvimento da microeletrnica foi o fato da Bell
Labs licenciar seu invento a outras empresas. Por um preo de US$ 25.000,00, empresas como Texas
Instruments e Sony (na poca com outro nome), compraram a licena para aprender e usar a tecnologia
de fabricao de transistores. A tecnologia foi transferida atravs de um workshop realizado na Bell Labs
em abril de 1952. Sony foi a primeira empresa a fabricar um radio totalmente transistorizado e
comercializ-lo em escala, criando assim o mercado de consumo para transistores.
Em 1955, Shockley deixa a Bell Labs e funda sua prpria empresa, Shockley Semiconductors, que
marca a origem do Vale do Silcio, no estado de Califrnia. A sua empresa em si no foi marcante,
porm ela comeou com pesquisadores e empreendedores de alto nvel, que depois criaram a Fairchild
(1957) e Intel (1968), entre muitos outros. Entre estes pesquisadores destacam-se Gordon Moore,
Robert Noyce e Andrew Grove.
Uma vez dominados alguns processos de fabricao de transistores, nasceu a idia de se fazer um
circuito integrado. Este conceito foi proposto e patenteado por J. Kilby, da Texas Instruments, no ano de
1958. Kilby demonstrou sua idia com um circuito fabricado sobre um nico bloco de Si, contendo um
transistor (em estrutura tipo mesa), um capacitor e um resistor. Estes dispositivos eram, no entanto,
interconectados por meio de fios soldados nos contatos dos mesmos. Uma fotografia deste circuito
integrado rudimentar mostrado na Fig. 2. Em paralelo, um grupo da Fairchild desenvolve um processo
superior para fabricar transistores (J. Hoerni) e chamado de processo planar. Este mesmo processo
adaptado logo em seguida, no mesmo ano, por R. Noyce do mesmo grupo, para a fabricao de circuitos
integrados. Este processo foi fundamental para o progresso da microeletrnica, j que seu princpio
bsico, acrescida de vrias inovaes e evolues, vem sendo usado at hoje na fabricao dos
modernos CIs. O incio da comercializao de CIs inicia-se a partir do ano de 1962, no parando mais
de crescer em termos de volume e de densidade de transistores por chip. A Fig. 3 mostra a fotografia do
primeiro CI fabricado pelo processo planar. Marcos precursores e fundamentais para a inveno do
processo planar foram: a) em 1952, C. Fuller da Bell Labs, publica seu estudo sobre difuso de dopantes
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doadoras e aceitadoras em Si; b) em 1955, Frosch e Derick usam camadas de SiO2 para delimitar as
reas de difuso; c) em 1955, Andrus e Bond desenvolvem materiais tipo fotorresiste para a litografia e
gravao de padres em filmes de SiO2.
O estudo e desenvolvimento de processos de oxidao de Si permitiram finalmente o
desenvolvimento do to sonhado transistor de efeito de campo com porta isolada, ou seja, o transistor
MOSFET ou simplesmente MOS. Em 1960, um grupo da Bell Labs, D. Kahng e M. Atalla, demonstram o
transistor MOS. A interface SiO2/Si uma interface de muito boa qualidade, com baixa densidade de
estados de superfcie. Mas apesar disto, os dispositivos MOS apresentavam uma estabilidade pobre,
causando um atraso de mais 10 anos para seu uso em grande escala. O motivo deste problema era a
falta de controle de contaminao de impurezas. Mais especificamente,
Fig. 1 a) Fotografia do primeiro transistor bipolar de contato descoberto em dezembro de 1947, por
pesquisadores da Bell Labs, b) esquema eltrico correspondente.
Fig. 3 Fotografia do primeiro circuito integrado fabricado por processo planar na Fairchild em 1961.
impurezas de Na, que so responsveis por cargas positivas dentro do isolante de porta e que causa um
desvio na tenso de limiar dos transistores (altera a densidade de portadores induzidos no canal). A
combinao de transistores MOS de canal n e de canal p num mesmo substrato, levou F. Wanlass a
propor a tecnologia CMOS em 1963. Outros marcos histricos que contriburam enormemente para o
avano das tecnologias MOS foram, a) o uso de filme de silcio policristalino dopado como material de
porta de transistores, a partir de 1966, e b) o uso da tcnica de implantao de ons para o ajuste da
tenso de limiar do transistores, pela dopagem da regio de canal com muita preciso.
Alm dos dispositivos descritos acima, muitos outros foram inventados, ao longo do meio sculo de
vida da era dos dispositivos semicondutores. K. K. Ng apresenta uma reviso ampla destes dispositivos
(A Survei of Semiconductor Devices, IEEE Trans. Electr. Dev., vol.43, no. 10, p.1760, Oct. 1996). Ele
classifica como sendo 67 dispositivos distintos, com mais aproximadamente 110 outros dispositivos
relacionados, com pequenas variaes em relao aos primeiros, como parcialmente ilustrado na Fig. 4.
Uma relao resumida destes dispositivos apresentada na tabela 1, com os mesmos organizados em
grupos, baseado em suas funes e/ou estruturas.
O estudo e entendimento destes diversos dispositivos requerem basicamente os seguintes
conhecimentos:
a) Conhecimento dos blocos construtivos de dispositivos. Existem apenas 5 blocos construtivos para os
dispositivos, como representados na Fig. 5:
Interface metal-semicondutor
Interface de dopagem de homojuno, ou seja, juno p-n
Heterojuno
Interface semicondutor-isolante
Interface isolante-metal
b) Conhecimento dos mecanismos de transporte. A seguir relacionamos estes mecanismos juntamente
com exemplos de dispositivos onde os mesmos se aplicam:
Deriva
resistores, transistores FET
Difuso
junes p-n, transistores bipolares
Emisso terminica / barreiras
Schottky, diodos PDB
Tunelamento
diodo tnel, contato hmico
Recombinao
LED, Laser, diodo p-i-n
Gerao
clula solar, fotodetetor
Avalanche
diodo IMPATT, diodo Zener, diodo APD.
Grupo
Diodos
Fig. 5 Diagrama de bandas de energia, mostrando as interfaces dos 5 blocos construtivos bsicos de
dispositivos.
Este nmero grande de tipos dispositivos justifica-se pelas necessidades especficas nas diversas
aplicaes. Dentro dos circuitos integrados, no entanto, os dispositivos e tecnologias predominantes so
as tecnologias MOSFET e BJT, como mostram os dados da Fig. 6. Estes dados so restritos ao perodo
de 1974 a 1986. Desde aquela poca, a mesma tendncia de reduo relativa da participao da
tecnologia BJT e do aumento do uso da tecnologia MOSFET, em particular a CMOS, continuou.
Atualmente, na virada do sculo 20 ao 21, mais de 85% do mercado de semicondutores corresponde
tecnologia CMOS.
A evoluo da microeletrnica no se restringe ao desenvolvimento de novos dispositivos,
apresentados acima, mas apresenta tambm outros aspectos to importantes quanto. Estes outros
aspectos incluem os seguintes:
Uma reduo contnua das dimenses mnimas, como indicado na Fig. 7. Esta evoluo
corresponde a uma reduo com fator 2 a cada 6 anos. Esta evoluo foi possvel graas a avanos
tecnolgicos nos processos de fabricao em geral e em especial, nos processos de fotolitografia.
Uma evoluo na rea mxima dos chips, como mostra a Fig. 8. Esta evoluo corresponde a um
aumento de fator 2 na rea do chip a cada 4 anos. A rea mxima dos chips est relacionada com a
densidade de defeitos por unidade de rea, que garanta um rendimento aceitvel de produo. A
evoluo na qualidade dos processos de fabricao resulta numa reduo gradual da densidade de
defeitos e como conseqncia permite este aumento gradual da rea dos chips.
Uma evoluo na eficincia de empacotamento, ou seja, do nmero de dispositivos por rea de
dimenso mnima da tecnologia. Esta evoluo est quantificada na Fig. 9 e est relacionada a
otimizao do layout empregado e do uso de novas estruturas fsicas dos dispositivos, isolao e
interconexes. No incio, havia muito espao de melhoria, resultando numa mdia de aumento de 21
6
vezes por dcada. Aps os anos 70, houve uma reduo na taxa de aumento da eficincia de
empacotamento para 2.1 vezes por dcada.
A combinao das 3 evolues citadas acima, de reduo nas dimenses mnimas, aumento da rea
dos chips e aumento na eficincia de empacotamento, levou a um aumento assombroso no nmero
de dispositivos por chip, como mostra a Fig. 10. Associado a cada faixa de nmero de dispositivos
por chip convencionou-se chamar o nvel de integrao pelas siglas: SSI (Small Scale Integration),
MSI (Medium Scale Integration), LSI (Large Scale Integration), VLSI (Very Large Scale Integration),
ULSI (Ultra-Large Scale Integration) e GSI (Giga Scale Integration). Atualmente, na virada do sculo,
estamos entrando na era do GSI. O crescimento contnuo do nmero de dispositivos por chip de
aproximadamente um fator 2 a cada 18 meses, ao longo das ltimas 3 a 4 dcadas. Este
crescimento conhecido como a lei de Moore.
Uma evoluo contnua na reduo do custo por transistor ou por bit de informao mostrada na
Fig. 11a. Esta reduo de custo tem levado a um enorme crescimento do uso de eletrnica, com um
crescimento mdio anual de 16% no mercado de semicondutores ao longo das ltimas dcadas.
Ressaltamos que nenhum outro setor econmico teve tal crescimento na histria da humanidade. A
Fig. 11b mostra o aumento contnuo do nmero de bits de DRAM produzidos.
Fig. 11 a) Evoluo na reduo do custo de bit de memria (DRAM) e b) evoluo da quantidade de bits
de memria (DRAM) produzidos por ano.
relativamente difcil imaginar o significado das dimenses mnimas e nmeros apresentados
acima. Para melhor compreend-los, considere as seguintes comparaes:
a) Na Fig. 12 mostramos uma fotografia de microscpio eletrnico de um fio de cabelo sobre uma
estrutura de memria DRAM de 4 Mbit, correspondente a uma tecnologia (j ultrapassada) de 1986,
com dimenses mnimas de aproximadamente 1 m.
b) Ao invs de fabricar estruturas de dispositivos, poderamos usar a mesma tecnologia para desenhar
um mapa. Logicamente ningum consegue fazer um negcio rentvel com tal produto, j que no
nada prtico usar tal mapa, seria necessrio o uso de microscpio, e atualmente, microscpio
eletrnico. Na Fig. 13 apresentamos uma seqncia de mapas que poderiam ser desenhados em
chips com as diversas fases tecnolgicas. Ou seja, atualmente (~2000) poderamos desenhar um
mapa da Amrica do Sul num chip, contendo todas a ruas, rios e estradas, em escala.
10
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Fig. 13 Ilustrao de mapas desenhados, contendo detalhes de todas as ruas, em reas de chips
nas diversas fases tecnolgicas.
Os nmeros e analogias apresentados mostram que a microeletrnica cresceu
desproporcionalmente em relao a outras reas tecnolgicas, representando uma rea fascinante de
engenharia. Mais e mais caminhamos para sistemas completos em um nico chip. Isto significa que o
projeto em eletrnica resumir-se- ao projeto do chip. Uma pergunta natural seria, quais so as foras
propulsoras para to rpido avano tecnolgico, ou ainda, para que complicar tanto? A fora propulsora
fundamental o capital, ou seja, o mercado. Mas o desenvolvimento no agrada apenas o dono do
capital, mas tambm os engenheiros e cientistas que trabalham nos desafios de conseguir sempre um
produto melhor ou uma nova inveno. Portanto, a evoluo tem procurado solues que resultem em
produtos melhores e mais baratos ou mais rentveis. No caso, a evoluo da microeletrnica como
apresentada inclui os seguintes aspectos:
Maior densidade de integrao. Considerando uma mesma funo, isto resulta em maior nmero de
chips por lmina e aumento do rendimento (supondo uma densidade fixa de defeitos). Portanto, isto
resulta em ganho econmico.
Maior velocidade de operao. Com dimenses menores tm-se menores capacitncias, o que
resulta em menores tempos de chaveamento das portas, melhorando, portanto, o desempenho do
CI. Os dados de tempos de atrasos por porta e por linha de interconexo esto mostrados na Fig.
14, simulados para interconexes de linhas de Al e linhas de Cu, envoltos por filmes dieltricos de
SiO2 e de material de baixa constante dieltrica, respectivamente.
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12
2012
50
256G
1580
450
9
24000
0.6
10000
28
370
0.66
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Fig. 16 Fotografia ampliada do dispositivo CCD desenvolvido no LME/EPUSP em 1981 (J. W. Swart).
Em 1974, o Prof. Carlos I. Z. Mammana deixa o LME da EPUSP e d incio montagem de um novo
laboratrio de microeletrnica, chamado LED (Laboratrio de Eletrnica e Dispositivos) na Faculdade de
Engenharia da Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP. Vale lembrar a grande contribuio dada
pelo Prof. Yukio montagem do LED. Este laboratrio teve como nfase inicial o desenvolvimento de
equipamentos de microeletrnica, incluindo: fornos trmicos, sistemas CVD, sistema de corroso por
plasma, implantador de ons, fotorepetidora, entre outros. Alm dos equipamentos, este laboratrio
tambm procurou desenvolver tecnologias nMOS e bipolares (lgica I2L). O LED tambm teve uma
atividade de desenvolvimento de tecnologia de fabricao de diodos para transferncia industrial, no
caso para empresa Ober, no perodo de final dos anos 80. Este laboratrio passou por algumas reestruturaes, sendo atualmente transformado no Centro de Componentes Semicondutores, diretamente
ligado reitoria da universidade, ou seja, administrativamente independente de unidade de ensino. Suas
atividades atuais concentram-se em pesquisas relacionadas a tecnologias CMOS e microssensores,
alm de oferecer cursos de laboratrio de microfabricao.
Em 1975, o Prof. Joo Antnio Zuffo criou um novo laboratrio na EPUSP, chamado LSI (Laboratrio
de Sistemas Integrados). Este laboratrio, com espectro de atuao mais amplo que apenas
microeletrnica, deu nfase inicialmente pesquisa em etapas de processos de microeletrnica, tendo
como um dos gestores, o incansvel e grande entusiasta, o Prof. Armando A. M. Lagan. O grupo
realizou pesquisa de alto nvel nas atividades de obteno e caracterizao de silicetos, processos de
plasma para deposio de filmes finos e de corroso, processos de limpeza e de oxidao de Si. Em
seguida, o grupo concentrou esforos no desenvolvimento de micro-sensores de Si.
Em 1981, o Prof. Joel Pereira de Souza deixou o LME da EPUSP e iniciou a construo de um
Laboratrio de Microeletrnica no Instituto de Fsica da Universidade Federal de Rio Grande do Sul. Este
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laboratrio adquiriu alguns e construiu outros equipamentos bsicos de microeletrnica. Este laboratrio
prima por suas atividades em pesquisa na tcnica e aplicaes de implantao de ons, tendo dado
grandes contribuies em publicaes, patentes e formao de recursos humanos neste tema.
Adicionalmente, o grupo recentemente resgatou conhecimentos anteriores e re-implantou a tecnologia
nMOS porta metlica carga tipo depleo no seu laboratrio, demonstrando a fabricao de um circuito
integrado tipo matriz de chaveamento de 4 entradas x 4 sadas.
Em meados dos anos 80, um novo laboratrio foi implantado no Instituto de Fsica da Universidade
Federal de Pernambuco, sob responsabilidade do Prof. Eronides da Silva. Este laboratrio tambm
possui os equipamentos bsicos para microeletrnica e tem sua nfase de pesquisa centrada em
pesquisa de dieltricos de porta MOS.
Os 5 grupos acima constituem os grupos universitrios com instalaes completas de
microeletrnica de Si. Alm destes, existem grupos que atuam em temas especficos associados a
processos de microeletrnica. Como exemplo temos o grupo de Engenharia Eltrica da UnB, Braslia,
Prof. Jos Camargo, e o grupo do Departamento de Fsica do ITA, Prof. Homero Maciel, com atividades
em processos de plasma.
Embora o Si seja o semicondutor mais usado comercialmente, ocupando da ordem de 98% do
mercado de semicondutores, semicondutores compostos tipo III-V so necessrios para nichos de
aplicaes. Pesquisas sobre estes semicondutores vem sendo feitas essencialmente em institutos de
fsica de diversas universidades, vrios dos quais equipados com modernas e caras mquinas de
crescimento epitaxial de camadas, tipo MBE, CBE ou OMVPE. Entre estes grupos citamos:
LPD do IFGW da UNICAMP, em Campinas.
IF da USP em So Paulo.
IFQ da USP em So Carlos
IF da PUC-RJ em Rio de Janeiro.
IF da UFMG em Belo Horizonte.
Entre estes 5 grupos, o LPD apresenta maior tradio no desenvolvimento de dispositivos
semicondutores, incluindo Lasers e transistores (MESFET, HEMT e HBT). Este grupo, inicialmente sob
liderana do Prof. J. E. Ripper, introduziu e desenvolveu tecnologia de fabricao de Laser
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semicondutor, j a partir do incio da dcada de 70 . Esta tecnologia foi posteriormente transferida para
o CPqD da Telebrs.
Alm dos grupos universitrios, temos um nmero menor de institutos de pesquisa, que no entanto
receberam investimentos mais volumosos para instalao de laboratrios avanados. Entre estes
citamos o CPqD, ITI, LNLS e INPE.
O CPqD foi criado em meados dos anos 70, com objetivos de P&D bem amplos em
telecomunicaes. Na rea de microeletrnica ele nunca se dedicou tecnologia de fabricao de CIs
de Si, concentrando-se nas seguintes reas:
Tecnologias de filmes espessos para CIs hbridos
Tecnologias de filmes finos para CIs hbridos
Tecnologia tipo SAW
Tecnologias de Lasers semicondutores.
Projeto de CIs de Si e de GaAs.
Estas atividades foram, no entanto, todas descontinuadas, sobretudo aps a privatizao do sistema
Telebrs, ao final dos anos 90. Esta descontinuidade de atividades de microeletrnica e optoeletrnica
no CPqD representa uma grande perda do investimento, sobretudo em pessoal, feito ao logo de duas
dcadas, dado que o pessoal foi todo redirecionado para outras atividades.
O ITI foi criado no incio dos anos 80, com o intuito de realizar atividades de P&D em tecnologias de
CIs de Si, entre outras atividades. Este objetivo inicial no foi completamente concretizado ao longo de
sua trajetria, tendo suas atividades de microeletrnica sido restritas a:
Linha piloto de encapsulamento de CIs
Linha de testes, confiabilidade e anlise de falhas.
Linha de fabricao de mscaras.
Linha de prototipagem rpida de interconexo para circuitos tipo gate array.
Projeto de CIs de Si.
Tecnologia tipo SAW
O LNLS foi criado em janeiro de 1987, sob coordenao do Prof. Cylon Gonalves da Silva, em
Campinas. Este laboratrio projetou e construiu um sistema de anel de eltrons para produzir feixes de
luz sncrotron, ou seja, radiao eletromagntica com freqncia variando desde infravermelho at raios
X moles. Esta fonte de luz vem sendo utilizada, essencialmente para a anlise de materiais, bem como
para a fabricao de microestruturas por litografia profunda de raio X, para microssensores e
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que havia um bom estgio de desenvolvimento tecnolgico na 2 metade dos anos 70. Inclusive,
podemos afirmar que na poca, este estgio era superior aos dos pases hoje chamados de Tigres
Asiticos. Durante as duas dcadas de 80 e 90, a rea passou por um estgio de estagnao,
constituindo um paradoxo para a retrica da poltica de reserva de mercado de informtica. Investiu-se
recursos volumosos numa fbrica de mscaras enquanto que as indstrias clientes no se instalaram,
como havia sido planejado. Hoje o pas apresenta um dficit comercial superior a vrios bilhes de
dlares anuais em componentes eletrnicos (relatrio setorial no. 1, 1999, do BNDES). Instalao de
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uma ou mais fbricas de CIs uma necessidade real para equilibrar a balana comercial e promover o
desenvolvimento econmico do pas.
Um requisito necessrio para a instalao de uma fbrica de CIs e para o desenvolvimento de
novos produtos inteligentes para as diversas aplicaes, a capacidade de projetar os CIs. A atividade
de projeto de CIs requer um investimento muito menor em instalaes, porm requer um grande nmero
de profissionais com experincia no tema. Vrios grupos no pas atuam nesta rea. A seguir
apresentamos uma lista (no completa) de grupos universitrios, institutos e empresas com atuao na
rea.
a) Universidades:
DCC/UFMG, Belo Horizonte, MG
UFRGS, Porto Alegre, RS
DEE/EFEI, Itajub, MG
UFSC, Florianpolis, SC
DEE/UnB, Braslia, DF
LAC/COPEL, Curitiba, PR
UFPB, Campina Grande, PB
b) Centros de P&D:
FEEC/UNICAMP, Campinas, SP
CTI, Campinas, SP
EPUSP, So Paulo, SP
c) Empresas:
EESC/USP, So Carlos, SP
Motorola, Campinas, SP
FEG/UNESP, Guaratinguet, SP
Idea, Campinas, SP
UFRJ, Rio de Janeiro, RJ
Comparado rea de tecnologias de fabricao, o pas teve um desenvolvimento mais intenso na
rea de projeto de CIs durante estas duas ltimas dcadas. Esta atividade foi estimulada pela
disponibilidade de programas internacionais de fabricao de prottipos tipo MPC (Multi Project Chip) ou
PMU (Projeto Multi Usurio). Durante os ltimos 15 anos o CTI organizou um programa similar brasileiro
e durante os 6 ltimos anos, a FAPESP financiou a fabricao de 80 chips no exterior, para grupos do
estado de So Paulo, para usarem diretamente os programas internacionais (CMP da Frana,
Europractice da UEE, Iberchip da Espanha, MOSIS do USA). O desenvolvimento geral da eletrnica
requer o uso de CIs de aplicao especfica em grande escala. Assim, necessitamos ampliar ainda
muito mais esta atividade e estimular as empresas a conhecer e adotar esta soluo.
Para o desenvolvimento de Microssistemas completos necessita-se tanto da disponibilidade das
tcnicas de microfabricao como da capacitao em projeto de CIs, j que os microssistemas so
compostos por chips contento o sensor ou atuador, co-integrados com o circuito de controle e/ou
processamento do sinal.
Nota: esta reviso da histria da microeletrnica no pas certamente no est completa, poder ter
alguns erros e dever ser revisada para novas edies. Ficaremos muito gratos em receber informaes
com dados histricas e/ou sugestes.
4. Introduo a Microssistemas
19-22, 26
Microssistemas, tambm chamado de IMEMS (Integrated MicroElectroMechanical Systems) referese ao universo de sistemas microeletrnicos com interface ao mundo no eletrnico. Ou seja, ela inclui
circuitos integrados com microssensores e microatuadores, possivelmente, no mesmo chip. Outros
nomes
comuns
so
MEMS
e
MOEMS
(MicroElectroMechanical
Systems
e
MicroOpticalElectroMechanical Systems, respectivamente). Estes dois nomes, no entanto, apresentam
uma limitao por no inclurem o efeito qumico presente em alguns dispositivos. Desta forma, o nome
microssistema teria um significado mais amplo, embora todos os nomes sejam usados como sinnimos
indistintamente. Os microssistemas apresentam uma importncia crescente em diversas aplicaes em
vrias reas, entre os quais temos: sade, transporte, indstria de manufatura automatizada,
monitoramento ambiental, agricultura, defesa e consumo. O desenvolvimento de microssistemas gera
novas aplicaes para CIs, resultando num crescimento adicional deste enorme mercado.
O sensor um dispositivo que converte um estmulo fsicoqumico num outro sinal, normalmente
eltrico. O atuador executa a funo inversa. O sensor e atuador tambm so chamados de
transdutores. O estmulo ou a energia fsico-qumica pode ser do tipo: calor, luz, som, presso,
magnetismo, movimento mecnico, potencial qumico, pH, entre outros. Sensores e atuadores no so
novos e inicialmente eram feitos por outras tcnicas que no eram de microfabricao. Com a
disponibilidade do processo planar para microfabricao, desenvolvido para microeletrnica, o passo
natural foi empregar os mesmos conceitos tecnolgicos para a fabricao de microssensores e
microatuadores. A grande motivao para este procedimento o baixo custo para produzi-los,
comparado s tcnicas anteriores. Numa mesma lmina de Si pode se produzir centenas ou mesmo
milhares de microssensores. A dimenso de microssensores pode variar de frao de m at da ordem
de mm, como ilustrado na Fig. 17.
17
18
S (xa ) =
dy
dx
x = xa
Velocidade de resposta: o tempo que demora para o sinal de sada alcanar 63% (1/e) do seu
valor final, em resposta a uma variao brusca na entrada (funo degrau).
Estabilidade: representa o tempo durante o qual o sensor mantm suas caractersticas de
funcionamento dentro do seu limite de tolerncia especificada.
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5. Concluses:
Mostramos que a histria da evoluo da microeletrnica e microssistemas muito longa, porm
ocorreu num tempo muito curto, menor que 50 anos. A rea e mercado de microeletrnica e
microssistemas cresceram enormemente, participando direta ou indiretamente em todas as atividades
humanas. Adicionalmente, graas a ela que todas as outras reas do conhecimento humano
conseguem avanar. A rea tambm extremamente multidisciplinar, envolvendo conhecimentos e
profissionais das seguintes reas: engenharia eletrnica, engenharia e cincia de materiais, fsica,
qumica, biologia, medicina e cincias da computao. Cincias humanas, tais como economia,
sociologia, histria e educao, tambm tm muito a ver com a rea, tendo em vista as enormes
conseqncias destas tecnologias sobre a economia, defesa, segurana, empregos, vida social,
educao, sade, etc. Estes fatos todos nos levam a dois importantes proposies:
inconcebvel que, um pas de tamanho continental como o Brasil, que pretende ser um pas
forte economicamente e socialmente, no participe ativamente da atividade produtiva e do
mercado da rea de microeletrnica e de microssistemas. urgente o pas estabelecer uma
Poltica tecnolgica sria e execut-la tambm.
A complexidade e multidisciplinaridade da rea tornam proibitivo a formao de ilhas.
primordial que haja uma forte colaborao entre os diversos grupos e setores e das diversas
reas no pas, bem como uma forte interao com instituies e empresas do exterior. Uma boa
Poltica pode dirigir e promover esta colaborao.
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