Cursofontes PDF

Universidade Federal de Santa Catarina
Departamento de Engenharia Eltrica

Instituto de Eletrnica de Potncia
Projeto de Fontes Chaveadas
Prof. Alexandre Ferrari de Souza, Dr.

Programa
1a Semana:
Introduo
Captulo I Retificador e Filtro de Entrada
Captulo II Fontes Chaveadas do Tipo Flyback
Captulo III Fontes Chaveadas do Tipo Forward
Captulo IV Fontes Chaveadas do Tipo Half-Bridge, Full Bridge e
Push-Pull
Captulo V Transistores de Potncia
Programa
2a Semana:
Captulo VI Circuitos de Comando para Transistores de Potncia

Captulo VII Circuitos de Comando para Fontes Chaveadas
Captulo VIII Resposta Transitria e Estabilidade
Captulo IX Interferncia Eletromagntica em Fontes Chaveadas
Captulo X Consideraes de Projeto
Introduo a Fontes Chaveadas
- Computadores e microcomputadores;
- Perifricos (impressoras, terminais, ...);
- Telecomunicaes;
Rede CA Fonte de CC
- Equipamentos mdicos e militares;
Alimentao
- Avies e satlites;
- Fontes de alimentao para circuitos de

comando de conversores.
Fonte de Alimentao: - Linear

- Chaveada
Fonte Linear: Transformador de baixa freqncia, ponte retificadora,

filtro capacitivo e regulador linear srie.
Elevada robustez e confiabilidade.
Baixo custo.
Simplicidade de projeto e operao.
Elevado peso e volume.
Baixo rendimento (reguladores lineares).
Limitao na regulao.
Gerao de componentes harmnicas na corrente de entrada,
resultando um baixo fator de potncia.
Atualmente limitam-se aplicaes de baixa potncia (simplicidade
e baixo custo).
Fontes Chaveadas : Utilizam interruptores de potncia na regio de saturao
(chave com estados aberto e fechado).
Incio do desenvolvimento: dcada de 60 em programas

espaciais.
Avano da microeletrnica e a necessidade de compactao dos
equipamentos aliado a baixo consumo difundiu o uso das fontes
chaveadas.
Substituiu as Fontes Lineares.
Caractersticas das Fontes Chaveadas:
- Maior rendimento; !
- Elevada densidade de potncia: menor volume e peso; !
- Grande capacidade de regulao; !
- Possibilidade de operar com fator de potncia unitrio; !
- Menos robusta e resposta transitria lenta; "
- Ondulao na tenso de sada; "
- Interferncia radioeltrica e eletromagntica; "
- Maior nmero de componentes; "
- Componentes mais sofisticados. "
Esforos dos pesquisadores para diminuir as desvantagens das Fontes Chaveadas:

- Nvel terico (topologias, comutao, controle, modulao, ...);
- Otimizao dos projetos;
- Fabricantes de componentes (circuitos integrados dedicados, semicondutores, ...).
Avano dos semicondutores:
- Dcada de 70: Transistor Bipolar com freqncias de at 20kHz;

- Dcada de 80: MOSFET (baixa potncia) e diodo ultra-rpido com freqncias de at
100kHz;
- Recentemente: Fontes com comutao suave podendo operar na faixa dos MHz,
rendimento prximo a 90%, e pouco rudo radioeltrico.
Configurao usual de uma Fonte Chaveada:
- Retificador
Rede AC Interruptor Transformador de - Retificadores
Filtro de
- Filtro IGBT/ MOSFET Isolamento
Rdio Freqncia - Filtros
- Protees
- Comando
Circuitos de
- Proteo
Controle
- Fonte Auxiliar
Desenvolvimento de uma Fonte Chaveada:
- Tcnicas p/ reduo da interferncia eletromagntica gerada;

- Mtodos p/ a correo do fator de potncia;
- Conversores CC-CC;
- Teoria de controle e modelagem de conversores estticos;
- Projeto de indutores e transformadores de alta freqncia;
- Semicondutores de potncia e circuitos integrados dedicados;
- Projeto trmico;
- Circuitos de comando e proteo;
- Simulao de conversores estticos.
Etapas de Projeto
1. Especificar: - Tenso de entrada e sada;
- Freqncia da rede;
- Tenses nominais, mxima e mnima da rede;
- Ondulao de 120Hz na sada;
- Ondulao da sada na freqncia de comutao;
- Hold-Up time;
- Temperatura ambiente;
- Protees exigidas;
- Rendimento;
- Regulao de carga;
- Regulao de linha;
- Resposta transitria;
- Tenso de isolamento;
- Nvel de interferncia radioeltrica e eletromagntica;
- Normas aplicveis (IEC 61000-3-2, CISPR 22, IEC950).
Etapas de Projeto
2. Definir: - Topologia do conversor;
- Freqncia de comutao;
- Interruptor principal (IGBT, MOSFET, etc.);
- Isolamento (transformador de comando de base/gatilho,
isolador tico ou sensor hall no lao de realimentao);
3. Clculo de Estgio de Entrada: - Retificador;

- Capacitor de filtragem;
- Limitao de corrente de pr-carga do
capacitor de filtragem.
4. Projeto do Conversor
5. Clculo do Transformador de Isolamento de Alta Freqncia
6. Clculo de Estgio de Sada

Etapas de Projeto
7. Circuito de comando de base ou gate
8. Projeto do circuito de compensao (estabilidade e resposta transitria)
9. Escolha do CI-PWM e clculo dos componentes externos
10. Projeto dos circuitos de proteo
11. Clculo da fonte auxiliar
12. Clculo do filtro de rdio freqncia

1. Retificadores no Controlados (baixo FP)
1.1 Monofsico
Vpk
vC
vC
i i2
VCmin
D1 D2 C1
vAC 220V
1
2 Conversor t1 t2 t
S 110V 0 tc 2
i Ip
D3 D4 C2
t
92.5%
83.2%
74.0%
64.7%
55.5% TDH = 148%
46.2% o
37.0% Desl. = 1,48
27.7%
FP = 0,553
18.5%
9.2%
0.0%
3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 51
1. Retificadores no Controlados (baixo FP)
1.2 Trifsico
V
C
D1 D2 D3
V1 +
V1
V2
C VC R
i1 t
V3
- _
D4 D5 D6
2. Retificadores Controlados (FP elevado)
2.1 Monofsicos: BOOST, BUCK, ...
retificador
Vs
CONVERSOR carga
controle
Captulo I Estgio Retificador com Filtro
de Entrada
Retificador Monofsico com Filtro Capacitivo
vC
i i2
D1 D2 C1
vAC 220V
1
2 Conversor
S 110V
D3 D4 C2
Operao em 220 V e 110 V (dobrador de tenso)
220 V
C=
C1 C 2
C1 + C 2
Win 1
2
= C Vpk VC min
2
2 2
( ) Win =
Pin
f
de Entrada
Vpk
vC
VC min = Vpk cos( 2f t c )
VCmin
( )
t1 t2 t
0 tc 2 arccos VC min Vpk
i Ip tc =
2f
t
tc = intervalo de conduo dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)
Carga transferida para C

C.V C(V pk VC min )
Q = I p tc = C V Ip = =
tc tc
de Entrada
Pin Pin
C ( Vpk VC min ) =
2 2 C=
f f ( Vpk 2 VC min 2 )
Seja
IC1ef - valor eficaz da componente alternada da corrente i
Imed - valor mdio da corrente i
Ief -valor eficaz da corrente i
2t c
I ef = I med + I C1ef
2 2 2
I C1ef = I ef I med
2 2
I med = I p
T
2
2 2t c
2tc 2tc
I ef = I p I C1ef = I p
2
Ip I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2
T T T
de Entrada
Estgio de entrada ligado ao conversor CC-CC operando em alta
freqncia
i2 Pin = I 2 pk VC min D
I 2pk
Onde: Ton
t
D=
Ton
Ts
T
Pin 2Pin
I 2 pk = Para Dmax=0,5 I 2 pk =
VC min D VC min
I 2 pk
P Pout
I 2 ef = = in Pin = Logo:
I Cef = I 2 ef + I C1ef
2 2
2 VC min
de Entrada
Grandezas Eltricas nos Diodos das Pontes Retificadoras
Pin
I Dmed =
2 VC min
tc
I Def = I p
T
VD max = V pk
de Entrada
Exemplo Numrico
VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V
f = 60Hz ; VCmin = 100V ; = 0,7 ; Pout = 70W
Pout 70
a) Pin = = = 100W
0,7
Pin 100
b) C= C= 203F
f ( Vpk VC min
2 2) 2 2
60 (135 100 )
Vpk = 2 VAC min = 2 99 = 140V
V pk = 135V C1 = C2 = 406F
V = Vpk VC min = 135 100 = 35V

de Entrada
c) tc =
(
arc cos VC min Vpk
=
)
arc cos (100 135)
= 1,954ms
2 f 2 60
C V 203 10 6 35
d) Ip = = 3
= 3,64A
tc 1,954 10
3
e) 2t c f = 2 1,954 10 60 = 0,2345
I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2 = 3,64 0,2345 0,23452 = 1,54 A

Pin 100
f) I 2ef = = 1A
VC min 100
g) I Cef = I 2 ef + I C1ef = 12 + 1,54 2 = 1,84 A

2 2
tc 1,954 10 3
h) I Def = I p = 3,64 = 1,25A
3
T 16,666 10
de Entrada
Pin 100
i) I Dmed = = = 0,5A
2 VC min 2 100
j) VD max = Vpk max = 2 VAC max = 2 135 191V
k) I Dp = I p = 3,64A
UFA !!
de Entrada
Simulao Numrica
vC
i iR
v AC ( t ) = 2 99 sen (377t )
D1 D2 iC
vAC
C R
R = 100
C = 203F
D3 D4
140V
Vpk 140V
vC Vpk
130V
VCmin 102V
120V tc = 2,1ms
110V Ipico 8,0A

VCmin
100V
t
Imed 1,0A
de Entrada
Corrente Capacitor + Carga Corrente de Carga
10A 1,4A
i iR
8A
1,3A
Q
6A
4A 1,2A
2A
1,1A
0A
tc
-2A 1,0A
t t
Corrente no Capacitor Corrente de Entrada

10A 10A
iC iv
AC
8A
5A
6A
4A 0A
2A
-5A
0A
-2A -10A
t t
de Entrada
VCmin, Vpk, tc, Q e Imed possuem praticamente os mesmos valores;
I pico 2 I p
Anlise Detalhada
VC () = Vpk sen
VC
dVC ()
VCmn
V i C () = C
S1 pk d
i C () = CVpk cos
V1
S3 S2
1 3 t
3 2
2 2 i C ( 2 ) = i R ( 2 )
iC
Vpk
i R ( 2 ) = sen 2
R
2 = tg 1 (RC )
Vpk
CVpk cos 2 = sen 2 tg 2 = RC
R
de Entrada
VC min = Vpk sen (1 )
Anlise Detalhada
VC
sen (1 ) =
VC min
VCmn
V Vpk
S1 pk
V1 VC min
1

S3 S2
1 = + sen
Vpk
3 2
1 3 t
2 2
iC
3
= 1 = 2
2 2
S1 = S 2 + S3 1 2 ++ =
VC ( )

S2 = d
i C () d i C ( 2 )
2
S1 = R
S3 =

2

VC () = Vpk (cos ) e RC 2
S1 = CVpk (1 cos ) Vpk cos
RC Vpk cos 1 2
S3 =
S2 = 1 e
RC

2R
R
de Entrada
Anlise Detalhada
VC
VCmn
V
S1 pk
V1
S3 S2 S1 = S 2 + S3
1 3 t
3 2
2 2
iC

80
72
64
56
48
RC 40
32
24
16
0
0.2 0.28 0.36 0.44 0.52 0.6 0.68 0.76 0.84 0.92 1
V
Cmin / Vp
k
de Entrada
Anlise Detalhada
VC
VCmn
V
S1 pk
V1
S3 S2 S1 = S 2 + S3
1 3 t
3 2
2 2
iC

4
3.6
3.2
2.8
R . I Cef
2.4
V pk 2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0 10 20 30 40 50 60 70
R C
de Entrada
Dobrador de Tenso (110 V)
i + i +
D1 D2 vC1 C1 + D1 D2 vC1 C1 +
vAC
_
- _ vAC + -
+ Conversor vC Conversor vC
+ +
vC2 - vC2 -
D3 D4 C2 D3 D4 C2
- -
VC 2min + VC 2pk
vAC
t
VC min = VC1min +
2
VC1min = VC 2min VC1pk = VC 2pk
vC
VCpk
2VC min VC1pk Pin

VCmin
VC1min = C1 = C2 =
f (VC1 pk VC1min )
VC1pk vC2 VC2 pk 2 2
3
VC1min VC2 min
vC1
t
0 2
de Entrada
Dobrador de Tenso (110 V)
VC1min = VC1pk cos( 2f t c ) tc =

(
arccos VC1min VC1pk )
2f
I p1 =
C1 V1 C1 ( VC1pk VC1min )
=
I med1 = I p1 t c f
tc tc
Ief1 = valor eficaz da corrente i

tc
1 2 tc
I ef 1 = I p1 t c f
= I p1 dt = I p1
2 2
I ef 1
T0 T
ICef1 = valor eficaz da corrente (alternada) em um capacitor
I C1ef = I ef 1 I med1
2 2
I C1ef = I p1 t c f ( t c f ) 2 I Cef = I Cief 1 + I 2ef
2 2
de Entrada
Dobrador de Tenso (110 V) - Projeto
VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V

f = 60Hz ; VCmin = 100V ; = 0,7 ; Pout = 70W
a) VC1pk min = 2 99 = 140V

2VC min VC1pk 2 200 135
VC1pk min = 135V VC1min = = = 88,33V
3 3
Pin 100 Pin 1,667

b) Win = = = 1,667J C1 = C 2 = = 160F
f 60 f (VC1pk VC1min )
2 2
135 88,33
2 2
C 80F
(
arccos VC1min VC1pk ) = arccos(88,33 135) = 2,275ms
c) t c =
2f 2 60
C1 ( VC1pk VC1min ) 160 10 6 (135 88,33)
d) I p1 = = = 3,28A
3
tc 2,275 10
de Entrada
Dobrador de Tenso (110 V) - Projeto
e) t c f = 2,275 10 3 60 = 0,1365
I C1ef = I p1 t c f ( t c f ) 2 = 3,28 0,1365 (0,1365) 2 = 1,126A

Pin 100
f) I 2ef = = = 0,5A
VC min 200
g) I Cef = I C1ef + I 2ef = 1,126 2 + 0,5 2 = 1,23A

2 2
h) VDp max = 2 2 VCA max = 2 2 135 382 V

de Entrada
Resultados Experimentais
Tenso e Corrente de Entrada Transitrio de Partida
100V/div e 500mA/div 100V/div e 10 A/div
100V/div e 5 A/div - com resistor de 22 em srie.

de Entrada
Proteo de In-rush
Vpk
S
Ip <
R1 R1
vAC - +
vC = 25ms
i iR 1 = R1 C = 10
101000
100010-6 = 10ms
iC
C Carga
= 3
31 = 3R1C
A = 5. 15.R1 .C
400V
vC
200V
0V
2
R = 2
100A
iC
50A
0A
0ms 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms

de Entrada
Circuito de disparo para um Triac
R1
vC
vAC - +
NT
C
T D
Captulo II - Fontes Chaveadas do Tipo
FLYBACK
Vce D1
+ -
is +
+ - -
BUCK-BOOST Vin S C RL
iL L Vout
- +
+
-
V D1
+ CE - TR
iP iD +
+
T
1 +
FLYBACK Vin C R Vout
-
- iC
NP NS -
Funes do Transformador: - isolamento entre a fonte e a carga

- acumulao de energia quando T est fechada
- adaptar a tenso necessria no secundrio
Captulo II - Fontes Chaveadas do Tipo
FLYBACK
Conversor CC-CC do Tipo Buck-Boost
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Bsicas para Conduo Descontnua:

V
L ( Vin )
a
1 Etapa
( Ip )
Vce D1
+ - iL
is +
+ - - To
Vin S iL C RL Vout
L ( Vout )
- + T1 T2
+ T
-
V
CE
( Vin+Vout )
a
2 Etapa ( Vin )
Vce D1
+ -
is -
+ - - is
Vin S iL C RL Vout
L
- +
+ i
D
+
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
V
Equacionamento L ( Vin )
( Ip )
iL
a) Corrente de Pico na entrada
To
di T1
VL = L D=
( Vout )
T1 T2
T
dt T V
CE
( Vin+Vout )
Vin Vin
Ip = DT Ip = D ( Vin )
L f .L
is
Vin
Ip max = Dmax Dmax = 0,45
f .L i
D
b) Tenso de Carga
Ip .T1
P1 = Vin .I1md = Vin .
2T
2
Vin2 .T12 Vout
P1 = = P2 =
2.L.T RL
RL .Vin2 .T12 RL .f
Vout = = Vin .T1.
2.L.T 2.L
Vin .D RL .f RL .f
Vout = . = Vin .D.
f 2.L 2.L
c) Indutor
Pout 1 2
Pin = PL = = .L.Ip .f
2
Pout 1 Vin2 .D2max
= .L.f . 2 2
2 f .L
1 Vin2 .D2max .
L= .
2 Pout .f
Conversor CC-CC do Tipo Flyback
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Bsicas para Conduo Descontnua:

V
P ( Vin )
a
1 Etapa
V D1
+ CE - T1
iP iT N
P
Vout .
+ - + V N
S
T N
S
S
Vin LP VS C R Vout Vin .
- L N
P
- +
To
( Vout )
V N
CE P
( Vin+Vout ) .
N
S
( Vin ) ( Vin )
a
2 Etapa T1 To
V D1
+ CE - T2
iP = i
T Ip
iD
+ - +
T
Vin VP iS VC R Vout
- L N
P
iS = i IP .
- D N
+ C S
LS
T1 To
Flyback com Mltiplas Sadas

D1 V
1
C1 R
N L1
S1
+ D2 V
Vin 2
-
N C2 R
P N L2
S2
D3 V
3
T
C3 R
N L3
S3
Caractersticas gerais: - baixo custo

- sadas mltiplas
- aceita grande variao da resistncia de carga
- isolamento entre a entrada e a sada
- boa regulao cruzada
- dispensa indutor de filtragem
- permite uso de diodos lentos na sada (cond. desc.)
- resposta rpida
- fcil de ser estabilizada
Equacionamento
VL
a) Corrente de Pico no Primrio
Vin
di
VL = L t
dt -Vo
T1=DT T2
V
Ip = in D T iL
L Ip
2 Pout
Ip =
Vin Dmax T
t
Equacionamento
b) Tenso na Carga Vin

Ip
T1

1 t Ip T1
I1md = Ip dt =
Ts T1 2 Ts t
0 T1
Ts
Vin T12
2
P1 = Vin I1md =
2 L Ts
RL
Vout = Vin D
Vout 2 2 L fs
P1 = Po =
RL
Equacionamento
c) Clculo da Indutncia
dw w 1 2 Pout 1 Vin2 Dmax 2

PL = = = L Ip fs = L=
dt t 2 2 Pout fs
d) Razo Cclica Crtica
Vout Vin
D crit =
1 + (Vout Vin )
para DCM D Dcrit

Equacionamento
e) Esforos nos Semicondutores
Dmax

Vce = VD = Vin + Vo = Vin +
1
1 Dmax
T 2

1 Ip Vin D3
Ief T =
t dt =
T T fL
1 3
0
Vin 2 D2
IDmd =
2 f L Vout
Equacionamento
f) Capacitor de Sada
Io
+ +
VC RL Vo iS VC RL Vo
- C - C
dVc I D
ic = C C = o max
dt fs Vc
2
Vc T I T
R SE < IC ef = Isef 2 Io = Is 2 o s o
Is 3 Ts 2 Ts
Equacionamento
g) Transformador
Aw
Ae
1,1 Pout 10 4 Kp - fator de utilizao do primrio (0,5)

Ae A w =
k p k w J B fs kw - fator de utilizao da rea do enrolamento (0,4 )
J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)
B - variao de fluxo eletromagntico (0,2-0,3T)
Equacionamento
g) Transformador
- entreferro (metros)
2 o W 10-7
o - 4
=
B 2 A e Ae - rea da seco transversal do ncleo (metros2)
W - energia (joule)
B Np - nmero de espiras do primrio

Np = - entreferro (centmetros)
0,4 Ip
B - variao de fluxo eletromagntico (Gauss=104T)
Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom ) Ns - nmero de espiras do secundrio
Vin Dnom VF - queda de tenso no diodo
Caracterstica de Sada em CCM e DCM
4
Conduo Descontnua
Vout RL D 3
=D =
Vin 2 L fs Io 0.7
Vout
____ 2
Vin 0.6
Conduo Contnua
1 0.4
Vout D
=
Vin 1 - D D=0.2
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1

Io
Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, .
2. Calcular a razo cclica crtica e definir a nominal.
Vout Vin
D crit =
para DCM Dnom Dcrit
1 + (Vout Vin )
tempo de conduo chave =Dnom Ts
3. Calcular a indutncia.
1 Vin 2 Dmax 2
L=
2 Pout fs
Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.
4. Calcular a corrente de pico mxima.
Vin
Ip = Dnom
fs L
5. Calcular a resistncia de carga.
Vout 2
Ro =
Pout
6. Calcular a capacitncia.
I D
C = o max
fs Vc
Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, .
2. Calcular o produto AeAw e definir o ncleo.
1,1 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J B fs
2 Pout
3. Calcular a corrente de pico no primrio. Ip =
Vin Dmax
P
4. Calcular a energia acumulada no transformador. W = out
fs
5. Calcular o entreferro.
2 o W
=
B 2 A e
6. Calcular o nmero de espiras do primrio e secundrio (s).
Np =
B
Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom )
0,4 Ip Vin Dnom
7. Calcular a indutncia magnetizante do primrio e secundrio.
1 Vin2 Dmax 2
L=
2 Pout fs
8. Calcular a(s) corrente(s) de pico no(s) secundrio(s).
Isn = Ip an
9. Calcular a(s) resistncia(s) de carga(s).
Vout n 2
R on =
Pout n
10. Calcular a(s) capacitncia(s).
Iout n Dnom
Con =
fs Vout n
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
L
V
iR
iT iL iC
+ +
T
E + + VR
in Vo iD VC
C -
BUCK - - - RL
V V D1 L
P S V V
1 out
ND
+ -
V
F
NP NS C RL
+ D2
V
in
FORWARD -
T
DD
NP - enrolamento primrio
NS - enrolamento secundrio
ND - enrolamento de desmagnetizao
Conversor CC-CC do Tipo Buck V

D
(E in )
a
1 Etapa
L T1 T2
T
iT iL iL iL
+
T iT iD iT
E + RL
in D C
- -
V (E in )
CE
a
2 Etapa
V L
CE -
+ (E in )
V
D
iL
+
T
E + RL
in D C
- -
V
C V
C
0 T1 T
Conversor CC-CC do Tipo Buck
a) Tenso Mdia na Carga
T1
VL md = 0 Vout = VDmd Vout = Vin = Vin D
T
b) Corrente no Indutor e Clculo da Indutncia
V (1 - D ) D
Vin
iL max D = 0,5 iL max =
iL = in 4 fs L
fs L
Vin
L=
4 fs iL max
c) Corrente de Pico
iL Vout Vin (1 - D ) D
Ip = Io + = +
2 RL 2 fs L
d) Tenso no Capacitor
iL iL
sen(2f .t ) cos (2 fs t )
1
iC VCA = iC .dt =
2 C 2 fs 2 C
VC iL iL
= C= VRSE = R SE iL
2 4 fs C 2 fs Vc
e) Esforos nos Semicondutores
VCE = Vin VD = Vin
V V (1 D )D
ITp = IDP = out + in
RL 2 fs L
Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contnua:
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, iL .
2. Calcular a razo cclica nominal.
Vout
Dnom =
Vin
3. Calcular a indutncia.
Vin
L=
4 fs iL max
Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contnua:
4. Definir o capacitor.
iL V
C= RSE =
2 fs Vc iL
Conversor CC-CC do Tipo Forward

a
1 Etapa
V V D1 L
P S 1 V
ND out
V
iL D
(IM )
NP NS C RL
+ D2
V
iM
in
- iT
T1 TD
T
DD
T2
T IM + i L
iT
iT
a
2 Etapa
D1 L
iL
N
NP NS RL V V in + V in. P
C CE N
+ D2
D
V
in ND
- iT (V in )
+ iM
T V
CE DD
-
a) Tenso Mdia na Carga
Ns T1 N
VLmd = 0 Vout = VDmd Vout = Vin = Vin s D
Np T Np
b) Corrente no Indutor e Clculo da Indutncia
iL =
(Vin a )(1 - D ) D iL max D = 0,5
V a
iLmax = in
fs L 4 fs L
Vin Np
L= a=
4 fs iLmax a Ns
c) Corrente de Pico no Secundrio e Primrio
iL 1 i
ISp = Io + IPp = Io + L
2 a 2
d) Clculo da Capacitncia
iL
C= VRSE = R SE iL
2 fs Vc

e) Transformador
Aw
Ae
2 Pout 10 4 Kp - fator de utilizao do primrio (0,5)

Ae A w =
k p k w J B fs kw - fator de utilizao da rea do enrolamento (0,4 )
J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)

e) Transformador
Vin Np - nmero de espiras do primrio

Np =
2 A e B fs Ae rea efetiva da perna central do ncleo (metros)
B - variao de fluxo eletromagntico (Tesla)
Nsn = Np 1,1
(Voutn + VF Dnom ) Ns - nmero de espiras do secundrio
Vin Dnom VF - queda de tenso no diodo
Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contnua:
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, iL, .
2. Definir a razo cclica nominal, lembrando que Dmx=0,5.
3. Calcular a(s) corrente(s) de carga, a(s) corrente(s) de pico no(s) secundrio(s) e

a(s) resistncia(s) de carga.
Po Ion Voutn
Ion = Isp = Ion + R on =
Voutn n 2 Ioutn
Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contnua:
4. Calcular a(s) capacitncia(s).
iL V
C= R SE =
2 fs Vc iL
5. Calcular o produto AeAw e definir o ncleo do transformador.
2 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J B fs
6. Calcular o nmero de espiras do primrio e secundrio(s).
Np =
Vin
Nsn = Np 1,1
(Vout n + VF Dnom )
2 A e B fs Vin Dnom
Np
7. Calcular as relaes de transformao. an =
Nsn
8. Calcular a(s) indutncia(s).
Vin
Ln =
4 fs iL max an
Conversores Half Bridge, Bridge e Push-Pull
+ TR1
D3 L
Vin/2 Va Vout
- D1
VS
i
L
C RL
iT
NS
Half Bridge (Meia Ponte)
R1 VP
NP
NS
+ D2 +
Vin/2 VCE2 D3 L
- TR2 V1
- D4
iL
N N RL
P S C
N
S
Push Pull Vin
D
TR TR 4
1 2
D1 D2
Vin
TR TR
1 3
D1 D3
D5 L
C C RL
Full Bridge (Ponte Completa)

D6
TR TR
2 4
D2 D4
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
VP
Conversor Half Bridge (Meia Ponte) Vin/2
TR
1
T1
TR
+ TR1 a 2
Vin/2
D1
1 Etapa D3 T
-
2T
+ iL
+
Va
-
+ N
- Vin . S
NP
Vin iT
iL
iL
D4
D3 L
iL
Vout
RL
C VC
a
2 Etapa
NP
i TR1
D3 L
D4
- iL
T1 VCE
-
C
RL
D= Vin
+
T Vin/2
-
+
+ + a
3 Etapa T = perodo da tenso de entrada do filtro de sada
Vin/2
D2
- TR2
D4 TS = 2T = perodo de funcionamento do conversor
Conversor Half Bridge (Meia Ponte)
Vin NS E T P P T 1 VCEmx = Vin

Vout = D Pin = i. TR 1 = out iTR = out . .
2 NP 2 T T1 Vin
Capacitor srie: impede a circulao de corrente contnua no trafo
N 4
I0 . S
N C
2
2 2 NP
i P
C
V
C
C
fs L
0
T T
T
S NS
S S
4 2
N I0
C P
NS 2 fS VC
Conversor Full Bridge (Ponte Completa)
Vin
TR TR
1 3
D1 D3
D5 L
C C RL
D6
TR TR
2 4
D2 D4
VCEmx = Vin
Conversor Push-Pull
D3 V1 L
iL
NP NS RL
C
N
S
Vin
D4
TR TR
1 2
D1 D2 TR
1
T1
T
TR
2
T3
V
1
VCEmx = 2 Vin
(2V in )
V
CE1 (V in )
Transformador
Vin Np
1.5 Pout 10 3 Np = an =
Ae A w = 2 A e B fs Nsn
k w k p J fs B
Nsn = Np 1,1
(Vout n + VF Dnom )
onde: kw=0.4 e kp=0.41 Vin Dnom
para as mesmas condies, o transformador menor que o do conversor Forward.
Filtro de Sada
Vin iL V
Ln = Cn = R SEn =
4 fs iL max an 2 fs Vc iL
Aspectos de Comutao
MOSFET
Tempos de comutao curtos,

Alta impedncia de entrada entre GS (potncia de comando baixa),
Fcil de ser associado em paralelo (coef. de temperatura positivo).
D
ID
Caractersticas em Conduo:
+
RDSon, G VDS
+ Di -
ID e IDM, VGS
VGS, -
S
VGS(th),
VDS(on)=RDSon x ID.
Caractersticas Estticas
MOSFET
A = Regio de resistncia constante

B = Regio de corrente constante
Caractersticas Estticas
MOSFET
Parmetros importantes
a) RDson O MOSFET saturado comporta-se como uma resistncia;
b) ID mxima corrente contnua que o componente pode conduzir;
c) IDM mxima corrente pulsada de dreno que o MOSFET pode conduzir;
d) VGS mxima tenso entre gate e source que pode ser aplicada (positiva ou
negativa);
e) 4,0 V);
VGS(th) a tenso de gate suficiente para iniciar a conduo (
f) VDC(on) = RDS(on).ID tenso dreno-source com o MOSFET conduzindo;
g) O MOSFET bloqueado caracterizado pela tenso de avalanche entre dreno e
source V(BR)DS
Aspectos de Comutao
MOSFET
Caractersticas Dinmicas:
Ciss=Cgd+Cgs (carregado e descarregado pelo circ. gatilho),

Coss=Cgd+Cds (capacitncia de sada),
Crss=Cgd (capacitncia de transferncia).
D
Cgd
G C ds
Cgs
S
Aspectos de Comutao VDD
I DRL
MOSFET
D
R
Comutao com Carga Indutiva: G
S
50
td(on) = 30 ns
tr(on) = 50 ns
td(off) = 10 ns
tf = 50 ns
Perdas em um MOSFET
P = Pcond + Pcom
t on
Pcond = .rds(on) .id(on) = rds(on) .id(on) .D = rds(on) .id( ef )
2 2 2
T
f
Pcom = .( t r + t f ).id(on ) .Vds (off )
2
t f t on t r t off
Perdas na Comutao
a) Conversor Flyback
Entrada em conduo
E
E D
+ -
Vout VL E VCE ( Ip )
- + iC
N
L! L! Vout ( P ) = E
NS
+
T VCE T
-
iC
Perdas na Comutao
Conversor Flyback - Bloqueio
Ll = 0
E E
1
= I.E .t f
+
ES1
I E I E
2
-
iC iC
+
VCE
+
VCE
t f = t rv + t fI
- -
(a) (0 < t < t 1 ) (b) ( t1 < t < t 2 )
iC = I VCE = E
P1 = ES1 .f
0 VCE < E I < iC 0
(I)
iC
(E) P1 = 0,5.I.E.t f .f
t1 t2
t rv tfI
tf
(c)
Perdas na Comutao
Conversor Flyback - Bloqueio
Ll 0
VL E
L!
+
VCE
-
Aspectos de Comutao
Snubber RCD
Comutao com carga indutiva e com Snubber.
E 1 t fI
v off (t ) =
CS 0 iCS ( t )dt
I I.t
iC (t ) =
S t fI
I.t
Voff = fI
2CS
L!
t I2 .t 2fI .f
iC ( t ) = I1 P1 =
Q5
IC t fI 24C
DS RS
I CS
1 2 1 Ll
CS
Ll .I = CS .VCEmx
2
VCEmx = .I
2 2 CS
Aspectos de Comutao
Snubber RCD
I t t onmin Vin
Flyback (Cond. Desc.): Cs = P fi Rs Rs
2 Voff 3 Cs ICsp
1
PR = CS .E 2 .f
2
tfi tempo de decrescimento da corrente (fabricante),

trv tempo de crescimento da tenso (fabricante),
Voff arbitrado,
tonmin tempo mnimo de conduo da chave.
Aspectos de Comutao
Snubber RCD
Forward (Cond. Contnua):
ES2
1
= I.E
1
P2 = I.E.t r .f P = 0,5.VinI.f .(t r + t f )
2 2
IP (t fi + t rv ) t onmin Vin
Cs = Rs Rs
V1n 3 Cs ICsp
1
P = .C.Vin2 .f
2
Perdas em um Diodo
Perdas de Conduo:
P = Pcond + Pcom Pcond = r.i2ef + VF .iFmd Pcond = VF .iF .t on .f

Perdas de Comutao:
1 Pcom = 0,5 VRM .iRM .t b .f

E com = VRM .iRM .t b
2
Perdas em um Diodo
Efeito da Recuperao Reversa do Diodo no Transistor
VCE
(E)
I RM
iT
t rI ta
W = 0,5.t a .IRM .E P = 0,5.t a .IRM .E.f
2.t rr t rr .IRM .E.f

ta = P=
3 3
Clculo Trmico
Tj TC TD Ta
RjC RCD RDa
Tj temperatura da juno (
(C)
TC temperatura do encapsulamento (
(C)
TD temperatura do dissipador (
(C)
Rjc resistncia trmica juno-cpsula (
(C/W)
RCD resistncia trmica de contato entre o componente e o dissipador (
(C/W) =
0,2 C/W.
RDa resistncia trmica dissipador ambiente
Ta temperatura ambiente ((C)
Tj Ta
Tj Ta = P.(R jc + Rcd + R da ) RDa = R jc RCD
P
Circuitos de Comando de MOSFETs
Princpio Bsico
S1 Rg
G
Ig
+
VC S2 C iss
-
V t f = t r = 2,2R g .Ciss
Ig = Ciss .
Ciss = 700 pF t
VC = 15 V
12
700 x10 .15 tf 40 x10 9
t = 40 ns Ig = = 0,26 A Rg = =

9 2,2.Ciss 2,2.700 x10 12
40 x10
R g 25
Circuitos de Comando no-isolado
+VC
+VC
R1
T1 D
T2
Rg
Rg Tp
D
G
T1 T3 R2
S
T2 R3
R2
D = 1N914 R2 = 4,8 k Rg = 50
T2 = MPS 2907 R3 = 10 k
Circuito de Comando Isolado
+VC
R1=100 D
D2
G
D1 S
V V
P S
TR
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
A questo do isolamento
T1
RETIFICADOR RETIFICADORES VSADA

Rede
E CONVERSOR E
FILTRO DE ENTRADA FILTRO DE SADA
T2
T3
FONTE CIRCUITOS
DE
AUXILIAR COMANDO
Massa de alta tenso (chaves) e massa de baixa tenso (sada, comando, fonte
auxiliar).
Isolamento: T1 (transformado principal), T2 (transformador p/ comando), T3
(transformador da fonte auxiliar).
A questo do isolamento
T1
RETIFICADOR RETIFICADOR VSADA

Rede
E CONVERSOR E
FILTRO DE ENTRADA FILTRO DE SADA
FONTE CIRCUITOS ISOLAMENTO CIRCUITO

DE DE
AUXILIAR TICO
COMANDO CONTROLE
Massa de alta tenso (chaves, comando, fonte auxiliar) e massa de baixa tenso
(sada, controle).
Isolamento: T1 (transformado principal) e isolador tico.
Fonte Auxiliar
Carga
+
-
Rede
Fonte Convencional com Isolamento

Fonte Auxiliar
Rede R1
C1
T1
Z
D1 D2 D3
Carga
+
C2 NS C3
-
Circuito de
Comando
Conversor Flyback com Fonte Auxiliar sem Isolamento

Circuitos Integrados PWM Dedicados
S1
VRef
+
Verro
-
A
VC
Comparador S2
-
VReal
+
VT Q
F/F
OSC. Q
Conversores CC-CC: UC3524

VT
Verro
VC
S1
S2
T1
T
TP L
R5 DRC C RL
+
V
in C1 R3 15
- R6
16
1 -
R1
R4 A1
2 +
9 - 12
R2 S1
COMP
4 + +
5 A2 11
-
FF
S2
RSh 13
10
14
7
6 OSC 3
8 UC3524
CT RT
Controlador de tenso
Z2
Vin Z1
1 -
9 Vout
A1
2
VRef +
.(V inVREF )
Z2
Vout =
Z1
Soft-Start (Partida Progressiva)
Quando se energiza a fonte chaveada a razo cclica deve progredir

lentamente, evitando a destruio do interruptor, saturao do
transformador e overshoot de sada.
Z2
Z1
Vout 1
- V9
A1 -
+ 9 COMP
VRef 2 +
+V
D2 R1 OSC.
D1
+
C
-
Circuitos para Limitao de Corrente
Curto-circuito
na carga: desativar a fonte e reativar aps o
desligamento e religamento do equipamento.
+10V +5V
TR1
9 UC3524
R4
T2 10
R5
R6
TP
Th R2 IE
C1 R3 R1 N
Utilizao de Isolador tico
V2
V9 = V2 R2 .I 2
+12V
I2 R2
Rg
R1
V1 1
I1 =
V1 16 15
V9
I1 9 13
4N26 R1
UC3524
1 2 4 5 8 6
14
7
I 2 = I 1
470 k
.(V1 1)
4V
R2
V9 = V2 R2 .I 1 = V2
R1
R2 R2
0,6 V
V9 = V2 .V1 + .
R1 R1
V9 R2
Se R2 = R1 G= G= = .
V1 R1
+VCC
D1
Vout
R1
NP C1 RL
R2
R4
R5 C3
R3
R6 -
A
+ VRef
C2 Z1
Proteo contra Sobretenso na Sada
Sobretenso: a fonte colocada em curto e o circuito de proteo contra sobre-

corrente acionado e desativa a fonte.
+
Z VZ C
+
- SCR A
R Vout
+ G
R C VGK A
-
-
Isolao da tenso de sada quando o comando do transistor no

isolado: Isolador tico (aps o controlador de tenso) ou sensor hall
de tenso.
Resposta Transitria e Estabilidade
Estrutura Simplificada de uma Fonte Chaveada
L VC Vout
S2
IL
C R1 R2
Vin .D = V1
Supe-se que L seja suficientemente grande para que no ocorra

variao significativa em IL, quando do fechamento de S2
VC Vout
S2
IL C R1 R2
IC
R1.R 2
R=
R1 + R 2
Antes do transitrio VC0 = R1.IL
Aps o transitrio VCf = R.IL

Transitrio [ (
VC = IL R1e t / RC + R 1 e t / RC )]
Corrente no Capacitor durante o transitrio
VC0 t / RC
iC = .e
R2
R1
iC = .IL .e t / RC
R2
Sem RSE
Com RSE
S2
C
I R1 R2
RSE
Vout = VC + VRSE
R1
VRSE = RSE.iC = RSE. .IL .e t / RC
R2
[
Vout = IL R + (R1 R ).e t / RC
] R1
RSE. .IL .e t / RC
R2
S2
I2 C
R1 R2
RSE
H(s) +VREF
1 A amplitude do desvio de tenso depende somente da RSE do capacitor.

2 A natureza da resposta (tipo de amortecimento e tempo de recuperao)
dependem somente do tipo de controlador empregado.
Equao Caracterstica e funo de transferncia
I(s) + (s) O(s)

G(s)
-
H(s)
O ( s ) = G ( s ). ( s )
O( s) G ( s)
= = F ( s)
I ( s ) 1 + G ( s ).H ( s )
Critrios de Estabilidade
I(s) + (s) O(s)

G(s)
-
H(s)
1 + G ( s ).H ( s ) = 0 Instabilidade
G ( s ).H ( s ) = 1
(G( ).H( ))dB = 20.log[G( ).H( ) ] = 0
= 180o
Margem de fase entre 45o e 90o

Margem de fase entre 45o e 90o

Para erro esttico pequeno - Ganhos elevados em baixa

freqncia
Plo na origem
Freqncia de cruzamento por zero o mais alta possvel
fs
fc
4
Representao fonte tipo Forward
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
NS
V2 md = VST .D = Vin .D
NP
T1 VC
( VS ) D= =
T VS
VC
N S VC
V2 md = Vin . .
N P VS
T1
V2 md Vin N S
T
= .
VC VS N P
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
Vout ( s) 1 Vout ( s ) 1
= 2 =
V2 md ( s) s LC + 1 V2 md ( s ) s 2
2 + 1
w0
Vout ( s) 1
= G ( w) dB = 20 log 1 + ( w / w0 ) 4
V2 md ( s) jw 2
+ 1
w0
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
Com RSE:
Vout ( s) (1 + s.C.RSE )
=
Vout ( s ) V2 md ( s ) Vout ( s )
. = V2 md ( s) (1 + s 2 / w02 )
V2 md ( s ) VC ( s ) VC ( s ) Vout ( s ) (1 + s / wZ )
=
V2 md ( s ) (1 + s 2 / w02 )
Vout ( s) Vin N S 1
= . . 2 2 Vout ( s ) Vin N S (1 + s / wZ )
VC ( s) VS N P ( s / w0 + 1) = . .
VC ( s ) VS N P (1 + s 2 / w02 )
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
dB
2 plos
-40 dB/dec
zero
-20 dB/dec
fp fz f
Representao fonte tipo Flyback Vout
P2 md = R2 .I 22md
V in
I1 I2md I2
I p .T1
P1md = Vin .I 1md = Vin .
C R2
2T
Vin2 .T12
P1md =
2 L.T
P2 md = P1md Vin2 .T12

2
R2 I md =
2 L.T
Vin2 T12 Vin2 T12 Vin

I 2
2 md = .T 2 = . 2 I 2 md = .D
2 L.R2 T 2 L.R2 . f T 2 L.R2 . f
Representao fonte tipo Flyback
Vout
dVout Vout IC IR
I 2 md =C +
dt R2 I2md
R2
C
Vin dVout Vout
.D = +
C 2 L.R2 . f dt R2 .C
VC Vin dVout Vout VC

D= A= + = A.
VS 2 L. f .R2 .C dt R2 C VS
Vout ( s)[s.R2 C + 1] =
Vout ( s) A A.R2 C
S .Vout ( s) + = .VC ( s) .VC ( s)
R2 C VS VS
Vout
Vout ( s)[s.R2 C + 1] =
A.R2 C IC IR
.VC ( s)
VS I2md
R2
C
Vout ( s) A.R2 C 1
= .
VC ( s ) VS (1 + s.R2 C )
Vin 1
G (s) =
Vin .R2 C
.
1 G( s) = .
2 L.R2 . f .C (1 + s.R2 C ) 2 L. f (1 + s.R2 C )
R2
Sistema de 1a ordem
Ganho depende da Resistncia de carga
Vin (1 + s.RSE.C )
Com RSE: G(s) = .
2 L. f (1 + s.R2 C )
R2
G (jw)dB
plo
-20 dB/dec
0 dB
zero
fp fz f
Circuitos de Compensao
Compensador de 1 plo
Rf dB
VC Z f +20 +90
Cf
= -20 dB/dec
V0 Zi
Ri 0 0
V0
-
A VC
Vref +
-20 -90
Rref
R f / C f .s
Z i = Ri Zf = -40
R f + 1 / C f .s
0,1fp fp 10fp 100fp
VC ( s ) Rf Rf 1 Ri . R f
= = . Rref =
V0 ( s ) C f .s ( R f + 1 / C f .s ) Ri Ri (1 + s.C f .R f ) Ri + R f
Circuitos de Compensao
(dB)
Compensador de 2 plos 80
Ci Rfz Cf
60
R ip Riz
V0 - 40
fp2
A VC
Vref +
20
R ref
fz1 = fz2
1
Z f = R fz + 0
s.C f
-20
1 f1 10 100 1k 10k f2 100k
Riz / s.C i Riz 1
Z i = Rip + = . + Rip
1 s.C i 1
Riz + ( Riz + )
s.C i s.C i
VC (s) (1 + Riz .Ci.s)(1 + Cf .R fz .s) C f .R fz = Ci .Riz
= fz1 = fz2
V0 (s) Rip .Riz

Cf .s.(Rip + Riz ).1 + Cis.
Riz + Rip
Mtodo prtico p/ clculo do compensador para conversor Forward
1o) Traar o diagrama G(s) em dB.

2o) Escolher a topologia do controlador. Recomenda-se o controlador de 2
plos estudado neste captulo.
3o) Definir a freqncia fc, na qual a curva da funo G(s).H(s) passa por 0
f
dB. Recomenda-se f c s sendo fs a freqncia de chaveamento .
4
4o) Determinar o ganho de H(s) para f = fc.
5o) Situar os dois zeros de H(s) na freqncia f0 do filtro.
6o) Situar o 1o plo de H(s) na origem (0 Hz). Assim fp1 = 0 Hz.
7o) Situar o 2o plo de H(s), destinado a compensar o zero da RSE, numa
freqncia igual a 5 vezes a freqncia de ressonncia do filtro.
8o) Calcular H1 e H2 empregando o procedimento descrito a seguir
9o) Calcular os valores dos resistores e capacitores do circuito de
compensao
Mtodo prtico p/ clculo do compensador para conversor Forward
dB
30
G(s)
20
H2
(H 2 )
-40 dB/dec
10
-20 dB/dec +20 dB/dec
-1
+1
0
A
-10
-1
-20
-30
f p1 0,1 fc f0 fc f p2 10 f 0
f p2 fc
H 2 = A + 20 log = 20 log A2 H 1 = A 20 log = 20 log A1
fc f0
Exemplo de Projeto Conversor Forward
Vout = 12 V Pout = 240 W fs = 40 kHz T = 25 s Vin = 60 V

I = 2 A a 20 A R1 = 6 a 0,6 C = 4000 F D = 0,2 a 0,4 L = 60 H
RSE = 25 m N S = 1,0 VS = 5,0 V
NP
a) Diagrama de G(s)
Vout Vin 60
= =G G= = 12 = 21,6dB
VC VS 5
1 1
f0 = = 325Hz fz = = 1590Hz
2. . L.C 2. .RSE.C
Ganho (dB)
(H2 )
20
0
0
fs
fc = = 10kHz
10
20
4
21,5 dB
Para f = 10 kHz, o ganho de G(s)

-40 dB/dec
de 21 dB
0
40
HdB_ ( f )
fz1 = fz2 = f0 = 325 Hz

21,5 dB
-10
60
fp1 = 0 Hz
-20 dB/dec
fp2 = 5.f0 = 1625 Hz
-20
80
H2 = 21,5 dB H2 = 20log A2
90
H2
log A 2 = = 1,075 A2 = 11,9
100 325 1k f p2 f c = 10k f (Hz)
3 4 5 6
1 10 100 1 10
1590 1 10 1 10 1 10
1 f
1 .10
6
f z1 = f z2 = f0
20
7 ,6
f p2 H1 = 21,5 13,8 = 7,68 dB = 20log A1 log A1 =
H 1 = H 2 20 log 20
f0
A1 = 2,4
Ganho (dB)
(H2 )
20
0
0
R fz
A2 = = 2,4
10
20
21,5 dB Rip
-40 dB/dec
1
0
40 f z1 = f z 2 = = 326 Hz
HdB_ ( f )
2. .C i .Riz
21,5 dB
-10
60
1
= 326 Hz
-20 dB/dec
2. .C f .R fz
-20
80
1
f p2 =
90
1 10
100
100
325 1k f p2
1 10
3 f c = 10k
1 10
4
1 10
5 f (Hz)
1 10
6 = 1600 Hz
Rip .R fz
1 1590
f
1 .10
6
f z1 = f z2 = f0
2. .Ci .
R +R
fz ip
Riz = 47 k Ci =
1 C i = 0,01F
2. .Riz . f z1
0
Ganho (dB)
20
0
(H2 )
R fz
= 11,9
Rip
10
20
21,5 dB
-40 dB/dec R fz = 2,4

Rip + Riz
0
40
HdB_ ( f )
21,5 dB
-10
60
-20 dB/dec Rip = 11,87 k

-20
80
90
100 325 1k f p2 f c = 10k f (Hz)
3 4 5 6
1
1 10 100 1 10
1590
f
1 10 1 10 1 10
1 .10
6 Ci.Riz = Cf .Rfz
f z1 = f z2 = f0
Cf =
C i .Riz C f = 3,33nF
R fz
Interferncia Radioeltrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
Interferncias por radiofreqncia podem ser transmitidas por radiao direta

ou por conduo atravs dos terminais de entrada.
Interferncias que a fonte produz nos terminais de entrada se propagam para
outros equipamentos, podendo provocar rudos e mau funcionamento.
MEDIO DA INTERFERNCIA CONDUZIDA.
L1
L1 = L2 = 500 H
C1 = C2 = 0,1 F
Rede Fonte R1 = R2 = 150
AC L2 Chaveada
C1 C2
Faixa de medio 150 kHz a 30 MHz

R1 R2
LISN Line Impedance Stabilization Network

Chaveadas
Causas da Interferncia
Comutao do transistor
Rede E
-
+
VC
Terra -
VC T/2
E 2
n .sen(n.f . . )
1 (E )
Vn = . 2 sen 2
2 n .f . .
2
2
1 ( -E/2 )
f =
T
Chaveadas
Se: dB
150 dB -20 dB/dec
f = 50 kHz
= 500 ns
E = 150 V -40 dB/dec
n = 1 a 1000
n=3
f3 = 150 kHz 0
V3 = 31,537 V 1 10 13 100 1000
V3 31,537 V
V3dB = 20 log = 20 log Amplitudes das tenses parasitas dependem:
1V 1V
V3dB = 150,57dB / V Da tenso E
Da freqncia de comutao da fonte
Dos tempos de comutao
Chaveadas
Propagao das tenses parasitas:
Isolante Espessura C calculado C medido R

(mm) (pF) (pF)
Mica 0,1 155 160 3,5
Plstico 0,2 93 96 4,2
Cermica 2,0 20 23 9,0
rea
C = 0 . R . 0 = 8,855 pF / m
Espessura
Chaveadas
Correntes parasitas simtricas tenses de modo comum
T
Chaveadas
Correntes parasitas assimtricas tenses de modo diferencial
T
Chaveadas
Exemplo
C = 150 pF
f3 = 150 kHz (freqncia de harmnica)
V3 = 31,537 V
1 1012 1012 10 3
XC = = XC = = = 7073
2. . fC 2. .150 x10 3.150 2. .10 .0,15.0,15 x10
3 6
2. .0,15 2
V 31,537 R 150
i3 = 3 = = 4,46mA V3 = .i3 = .4,46mA = 334,5mV
XC 7073 2 2
334,5mV
V3dB = 20 log 170,5dB
1V
Chaveadas
Medidas para reduo de rdio interferncia
a) Reduo da capacitncia de acoplamento entre o encapsulamento e o dissipador
b) Isolamento do dissipador em relao massa
Dissipador afastado de uma distncia x em relao massa

Cx = 80 pF para x = 1 mm
Cx = 4 pF para x = 2 cm
C = 150 pF Capacitncia entre dissipador e interruptor
Assim: Assim, para x = 2 cm

C.C x 150.4
CTC = CTC = 3,9 pF
C + Cx 150 + 4
Chaveadas
b) Isolamento do dissipador em relao massa
i3 = 2. .f .CTC .V3 i3 = 2. .150 x103.3,9 x10 12.31,537 = 115,92 A
150
V3 = .115,92 A = 8694 V V3dB = 78,78dB
2
c) Placa condutora entre o interruptor e o dissipador
C1 C2
Dissipador
Placa
Chaveadas
d) Emprego do filtro de rede
d.1) para correntes simtricas

L2
a
F
CX L3
b
N
Cx baixa impedncia para as correntes simtricas

Chaveadas
d.1) para correntes simtricas

L2
j 2 RX C j 2 R / C X
c
Z cd = =
2 R jX C
a
j
2R
R C X
CX
L3
2R
R
Z cd =
d
b 1 + j 2 R X C
Chaveadas
d.1) para correntes assimtricas
F
L1
C
R R Cy Cy
1
T
Chaveadas

L2
Cy
5mH 4,7nF
CX
0,1 F
5mH Cy
4,7nF
N
L3
Chaveadas
Influncia da capacitncia entre enrolamentos
Primrio Secundrio
CT
Grades condutoras
Chaveadas
Exemplo de clculo do filtro de rede
VCA = 220 V (tenso da rede).

f = 60 Hz (freqncia de rede).
P = 150 W (potncia de entrada da fonte).
E = 300 V (tenso mo estgio de corrente contnua, aps o retificador de
entrada).
fs = 50 kHz (freqncia de chaveamento).
= 500 ns (tempo de subida da tenso de coletor do transistor).
C = 50 pF (capacitncia entre o transistor e a carcaa).
VRdB= 54 dB/V (nvel da tenso mxima permitida nos resistores da rede
artificial, para 150 kHz).
Chaveadas
1) Primeiro passo
f3 =150 kHz V3 = 15,8 dB

2) Segundo passo verificao do nivel de interferncia de modo comum sem o
filtro de rede.
1 1 V3 15,8V
X C3 = = 21k iC3 = = = 0,752mA
W3 C 2. .150 x10 .50 x10
3 12
X C3 21k
Queda de tenso nos resistores da rede artificial.
R V3 56,4mV
VR 3 = iC3 = 75.0,752..mA = 56,4mV VR3dB = 20 log = 20 log
2 1V 1V
VR3dB = 20 log 4,75 = 95dB / V V3dB = 95 54 = 41 dB/V

Chaveadas
3) Terceiro passo escolha dos capacitores Cy, de modo comum
Cy = 5 nF
4) Quarto passo escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum

L 2 = 4,28 mH
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1F/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
1 1
X C3 = 21k X Cy = = 9
= 106
W3 .2.C y 2. .150 x10 .2.5 x10
3
Chaveadas
4) Quarto passo escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
L 2 = 4,28 mH
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1F/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
Para V0dB = 54 db/V, obtm-se
V V0 500V
54 = 20 log 0 V0 = 500 V i0 = = = 0,0067mA
1V R0 75
Como i0 << , a tenso V0b dada por
Vob = XCy .iC3 = 106.0,752 = 0,08V

Chaveadas
5) Quinto passo Escolha de Cx L 2 = 4,28 mH
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1F/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
P 150
i= = = 0,68 A ICx= 0,001.i = 0,0068A
V 220
iC X 0,0068
CX = = = 0,084F CX = 0,1 F
2. . f .V 2. .60.220
Chaveadas
6) Sexto passo Escolha de L2 e L3 L
2 = 4,28 mH
F
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1F/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
VL = 0,01% V = 220V VL = 2,2 V

VL 2,2
(L2 + L3).i = VL L2 + L3 = = = 8,58mH
0 .i 2. .60.0,68
L2 + L3
L2 = L3 = = 4,28mH
2
Chaveadas
7) Stimo passo Escolha do resistor de descarga
L 2 = 4,28 mH
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1F/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
t
RD = t=1s
2,21.C X
10 6
RD = 4,5M
2,21.0,1
Chaveadas
Ensaios de Interferncia conduzida numa fonte para telecomunicaes
ACTV DET: PEAK

MEAS DET: PEAK QP AVG
MKR 15.1 0 MHz
36. 0 7 dB V
LOG
REF 85. 0 dB V
10
dB/
PASS LIMIT
ATN
10dB
WA SB
SC FC
CORR
A
START 15 0 kHz STOP 3 0 . 0 0 MHz

#IF BW 9. 0 kHz AVG BW 3 0 kHz SWP 1.4 0 sec
Chaveadas
ACTV DET: PEAK

MEAS DET: PEAK QP AVG
MKR 15.1 0 MHz
29.98 dB V
LOG
REF 85. 0 dB V
10
dB/
PASS LIMIT
ATN
10dB
WA SB
SC FC
CORR
A
START 15 0 kHz STOP 3 0 . 0 0 MHz

#IF BW 9. 0 kHz AVG BW 3 0 kHz SWP 1.4 0 sec
Chaveadas

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Universidade Federal de Santa Catarina

Departamento de Engenharia Eltrica

Projeto de Fontes Chaveadas

Prof. Alexandre Ferrari de Souza, Dr.

Captulo VI Circuitos de Comando para Transistores de Potncia

- Perifricos (impressoras, terminais, ...);

- Fontes de alimentao para circuitos de

Fonte de Alimentao: - Linear

Fonte Linear: Transformador de baixa freqncia, ponte retificadora,

Elevada robustez e confiabilidade.

Simplicidade de projeto e operao.

Elevado peso e volume.

Baixo rendimento (reguladores lineares).

Gerao de componentes harmnicas na corrente de entrada,

resultando um baixo fator de potncia.

Atualmente limitam-se aplicaes de baixa potncia (simplicidade

Incio do desenvolvimento: dcada de 60 em programas

Caractersticas das Fontes Chaveadas:

Esforos dos pesquisadores para diminuir as desvantagens das Fontes Chaveadas:

Avano dos semicondutores:

- Dcada de 70: Transistor Bipolar com freqncias de at 20kHz;

Configurao usual de uma Fonte Chaveada:

Desenvolvimento de uma Fonte Chaveada:

- Tcnicas p/ reduo da interferncia eletromagntica gerada;

3. Clculo de Estgio de Entrada: - Retificador;

5. Clculo do Transformador de Isolamento de Alta Freqncia

6. Clculo de Estgio de Sada

7. Circuito de comando de base ou gate

8. Projeto do circuito de compensao (estabilidade e resposta transitria)

9. Escolha do CI-PWM e clculo dos componentes externos

10. Projeto dos circuitos de proteo

11. Clculo da fonte auxiliar

12. Clculo do filtro de rdio freqncia

2.1 Monofsicos: BOOST, BUCK, ...

Operao em 220 V e 110 V (dobrador de tenso)

tc = intervalo de conduo dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)

Carga transferida para C

VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V

f = 60Hz ; VCmin = 100V ; = 0,7 ; Pout = 70W

Vpk = 2 VAC min = 2 99 = 140V

V = Vpk VC min = 135 100 = 35V

I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2 = 3,64 0,2345 0,23452 = 1,54 A

g) I Cef = I 2 ef + I C1ef = 12 + 1,54 2 = 1,84 A

j) VD max = Vpk max = 2 VAC max = 2 135 191V

110V Ipico 8,0A

Corrente no Capacitor Corrente de Entrada

2VC min VC1pk Pin

VC1min = VC1pk cos( 2f t c ) tc =

Ief1 = valor eficaz da corrente i

ICef1 = valor eficaz da corrente (alternada) em um capacitor

VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V

a) VC1pk min = 2 99 = 140V

Pin 100 Pin 1,667

I C1ef = I p1 t c f ( t c f ) 2 = 3,28 0,1365 (0,1365) 2 = 1,126A

g) I Cef = I C1ef + I 2ef = 1,126 2 + 0,5 2 = 1,23A

h) VDp max = 2 2 VCA max = 2 2 135 382 V

100V/div e 500mA/div 100V/div e 10 A/div

100V/div e 5 A/div - com resistor de 22 em srie.

0ms 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms

Funes do Transformador: - isolamento entre a fonte e a carga

Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Bsicas para Conduo Descontnua:

Conversor CC-CC do Tipo Flyback

Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Bsicas para Conduo Descontnua: