Transistores Bipolares de Juno Parte I

Transistores Bipolares de Juno (TBJs) Parte I

Captulo 4 de (SEDRA e SMITH, 1996).

SUMRIO
Introduo
4.1. Estrutura Fsica e Modos de Operao
4.2. Operao do Transistor npn no Modo Ativo
4.3. O Transistor pnp
4.4. Smbolos para Circuitos e Convenes
4.5. Representao Grfica das Caractersticas do Transistor
4.6. Anlise cc de Circuitos com Transistores

INTRODUO
Os dispositivos semicondutores de trs terminais so muito mais utilizados que
os de dois terminais (diodos) porque podem ser usados em vrias aplicaes,
desde a amplificao de sinais at o projeto de circuitos digitais de memria.
O princpio bsico de operao o uso de uma tenso entre dois terminais para
controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal.
A tenso de controle pode ser tambm usada para fazer com que a corrente no
terceiro terminal varie de zero at um valor significativo, comportando-se
como uma chave, elemento bsico de circuitos digitais.
H 2 tipos principais de dispositivos de 3 terminais: o transistor bipolar de
juno (TBJ) e o transistor de efeito de campo (FET).
O transistor bipolar, geralmente chamado apenas transistor consiste em duas
junes pn construdas de modo especial e conectadas em srie e em oposio.

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4.1. ESTRUTURA FSICA E MODOS DE OPERAO
O TBJ constitui-se de 3 regies semicondutoras: o emissor (E), a base (B) e o
coletor (C), cada um ligado a um terminal metlico para acesso externo.
No transistor npn a base do tipo p e as outras regies so do tipo n. No
transistor pnp, a base do tipo n e as outras regies so do tipo p.

[Figura 4.1 pgina 209]

[Figura 4.2 pgina 209]

O transistor consiste em duas junes pn, a juno emissor-base (JEB) e a
juno coletor-base (JCB).
Dependendo da condio de polarizao de cada juno, so obtidos diferentes
modos de operao para o transistor.
JEB JCB MODO
Reversa Reversa CORTE
Direta Reversa ATIVO
Direta Direta SATURAO

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4.2. OPERAO DO TRANSISTOR npn NO MODO ATIVO

[Figura 4.3 pgina 210]

O Fluxo de Corrente
As correntes de deriva devidas aos portadores minoritrios gerados
termicamente so pequenas e desprezadas na anlise.
A polarizao direta da juno emissor-base far com que uma corrente circule
pela juno composta de 2 componentes: eltrons injetados no emissor e
lacunas injetadas na base.
A componente de eltrons muito maior que a de lacunas, isto obtido
usando-se um emissor fortemente dopado e uma base levemente dopada e bem
estreita.
O fato da base ser muito estreita faz com que os eltrons injetados na base se
difundam (corrente de difuso) em direo ao coletor.
No caminho, alguns eltrons que esto se difundindo atravs da regio da base
se recombinam com as lacunas (portadores majoritrios na base), mas como ela
muito estreita e fracamente dopada, a porcentagem de eltrons perdidos por
recombinao muito pequena.

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A Corrente de Coletor
A maioria dos eltrons que se difundem alcanar a regio de depleo coletor-
base.
Pelo fato do coletor ser mais positivo que a base, esses eltrons sero
arremessados atravs da regio de depleo para o coletor, constituindo a
v BE

corrente de coletor i C = I S e VT

Observe que o valor de iC independe de vCB.

A corrente de saturao IS inversamente proporcional largura da base e
diretamente proporcional rea de JEB, dobrando a cada 5 C de aumento de
temperatura.

A Corrente de Base
A corrente de base pode ser representada por uma parcela de iC tal que
v BE
i I
i B = C = S e VT

A constante , denominada ganho de corrente de emissor comum, um dos
parmetros caractersticos de um transistor.
Para transistores modernos, fica na faixa de 100 a 200, podendo chegar a
1000 em dispositivos especiais.

A Corrente de Emissor
a soma da corrente de coletor com a corrente de base.
+1
iE = iC + iB = iC


Define-se i C = i E , onde = ou = .
+1 1

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Observe que se = 100 , ento 0,99 .
chamado de ganho de corrente em base comum.

Modelos Equivalentes

[Figura 4.5 pgina 216]

Circuitos equivalentes ao TBJ npn no modo ativo
o Fonte de corrente controlada pela tenso vBE.
o Fonte de corrente controlada pela corrente iE.
o Fonte de corrente controlada pela tenso vBE.
o Fonte de corrente controlada pela corrente iB.

A Constante n (fator de idealidade)

Na equao do diodo, a constante n possui valor entre 1 e 2.

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No TBJ, a constante n prxima de 1, exceto em correntes muito altas ou
muito baixas, em que possui um valor prximo a 2.
Considera-se nas anlises que n=1, salvo seja citado.

A Corrente Reversa de Coletor-Base (ICBO)

Corrente reversa associada a portadores minoritrios gerados termicamente.
ICBO circula do coletor para a base com o emissor em aberto (Open) e est na
faixa de nA.
Contm uma componente de fuga substancial e seu valor varia com vCB.
Depende muito da temperatura (dobra a cada 10 C de aumento de
temperatura).

A Estrutura de Transistores Reais

Seo transversal de um TBJ npn.

[Figura 4.6 pgina 217]

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4.3. O TRANSISTOR pnp
Fluxo de corrente de um transistor pnp polarizado para operar no modo ativo.

[Figura 4.7 pgina 218]

Dois modelos para grandes sinais para o transistor pnp operando no modo
ativo.

[Figura 4.8 pgina 219]

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4.4. SMBOLOS PARA CIRCUITOS E CONVENES
Simbologia para os transistores npn e pnp.
Polaridades das tenses e fluxos de corrente para os transistores polarizados no
modo ativo.

[Figura 4.10 pgina 221]

Transistor na regio ativa
v BE > 0 e v CB > 0 para o npn v EB > 0 e v BC > 0 para o pnp
v BE v BE
v BE
i I i I
i C = IS e VT i B = C = S e VT i E = C = S e VT

(para o transistor pnp trocar por vEB e vBC)
iC
iC = iE iB = i E = iC + i B

kT
= = VT = 25mV
1 +1 q

Exemplo 4.1, pgina 222.

Exerccios 4.8 e 4.9, pgina 223.

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4.5. REPRESENTAO GRFICA DAS CARACTERSTICAS DO
TRANSISTOR
A curva caracterstica iC x vBE uma exponencial e quase idntica
v BE

caracterstica i x v do diodo de juno, pois i C = IS e VT

.
Para vBE menor que aproximadamente 0,5V, a corrente iC desprezvel.
Em operao normal vBE situa-se na faixa de 0,6 a 0,8V.
Como os diodos de silcio, a tenso vBE diminui cerca de 2mV para cada 1 C
de aumento de temperatura.
A figura 4.14 mostra as curvas iC x vCB de um transistor npn para vrios valores
da corrente de emissor iE no modo ativo (vCB 0V).

[Figura 4.14 pgina 225]

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Dependncia de IC com a Tenso de Coletor (caracterstica iC x vCE)

[Figura 4.15 pgina 226]

Para valores baixos de vCE, a tenso de coletor menor que a tenso de base e a
juno coletor-base fica diretamente polarizada (modo de saturao).
Na regio ativa, as curvas caractersticas so retas com uma inclinao finita
que se encontram num ponto -VA na parte negativa do eixo vCE.
A tenso VA um parmetro chamado tenso Early e possui valores tpicos de
50 a 100V.
Para um dado valor de vBE, ao se aumentar vCE, aumenta-se a tenso de
polarizao reversa sobre a juno coletor-base e, portanto, aumenta-se a
largura da camada de depleo.
Isso diminui a largura efetiva da base, fazendo com que IS e iC aumentem
vBE
v CE
proporcionalmente, isto , i C = IS e VT
1 + .
VA

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A inclinao diferente de zero das retas na caracterstica iC x vCE na regio
ativa modelada por uma resistncia de sada rO finita e definida por
1
i C
rO .
v CE

VA
Para vBE constante, tem-se rO = .
IC
Esse efeito no normalmente usado em projetos e anlises de polarizao cc,
mas pode ter um efeito significativo sobre o ganho de amplificadores
transistorizados.

4.6. ANLISE cc DE CIRCUITOS COM TRANSISTORES

Utiliza-se o modelo simplificado de tenso vBE constante (= 0,7V),
independente do valor exato da corrente, de forma semelhante ao usado no
diodo de juno.
Exemplos 4.2, 4.3, 4.4, 4.5, 4.6, 4.7, 4.8.
Exerccios 4.13, 4.14, 4.15, 4.16, 4.17, 4.18, 4.19 e 4.20.

REFERNCIAS
SEDRA, Adel S. e SMITH, Kenneth S. Captulo 3 Diodos, em Microeletrnica. 4a.
Edio. Makron Books Ltda, So Paulo, 1998.
MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Volume 1. McGraw-Hill, So Paulo, 1986.

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