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COLUNAS / DO LABORATRIO PARA A FBRICA (/COLUNA/P/ID/10/N/DO_LABORATORIO_PARA_A_FABRICA)

04 OUTUBRO 2013 0 1892

A cereja no bolo da microeletrnica


A sociedade do conhecimento governada pelo transistor. Mas o que est por trs da descoberta desse incrvel dispositivo eletrnico? o que nos
conta o fsico Carlos Alberto dos Santos em sua coluna deste ms.

Smbolo do transistor desenhado em calada na Universidade de Aveiro, em Portugal. A inveno desse dispositivo deu incio microeletrnica. (foto: Joo Pimentel Ferreira CC BY-SA
3.0)

Estamos na era do transistor. Esse dispositivo, cujos fundamentos foram descobertos nos anos 1940, a base tecnolgica que suporta a sociedade do
conhecimento. Desde que surgiu, sempre foi um dispositivo eletrnico popular. Seu nome foi usado como pea de propaganda de rdios e televisores e os
chips dos computadores so construdos com milhares desses dispositivos.

O transistor comeou a se insinuar antes da era do rdio e das vlvulas a vcuo. As razes pelas quais se manteve escondido por mais de um sculo so to
importantes para a histria da cincia e para estudos epistemolgicos quanto sua funcionalidade o para a microeletrnica.

Para no deixar nada que interessa em suspenso, adiantamos que o transistor construdo com semicondutores, e que esse tipo de material tem uma
propriedade essencial para o funcionamento do transistor e outra que bastante til tecnologicamente. A primeira que nos semicondutores possvel fazer
com que a corrente eltrica circule mais facilmente em um sentido (sentido de fcil conduo) do que no sentido contrrio. Na verdade, a corrente no sentido
contrrio to pequena, que se diz na prtica que ela s circula em um sentido.

Estamos na era do transistor. Os chips dos computadores so construdos com milhares desses dispositivos

Ento, se uma corrente alternada (que tem dois sentidos) entrar em uma extremidade de um semicondutor convenientemente preparado, na outra sair a
corrente de um dos sentidos, ou seja, sair uma corrente contnua pulsada. Diz-se que a corrente foi reticada. Portanto, o semicondutor pode ser um
reticador. A segunda propriedade que alguns semicondutores so muito sensveis luz, ou seja, so fotocondutores.

Essas propriedades podem ser controladas por meio de dopagem com pequenas quantidades de impurezas. Algumas delas o fsforo, por exemplo cedem
eltrons para o semicondutor, de modo que se tem um semicondutor tipo-N. Outras, a exemplo do boro, extraem eltrons do semicondutor, resultando em um
semicondutor tipo-P.

No transistor, a manifestao dessas propriedades ocorre em uma nssima camada que ca entre um metal e um semicondutor ou entre dois semicondutores
diferentemente dopados, um do tipo-P e outro do tipo-N. No primeiro caso, tem-se a juno metal-semicondutor; no segundo, a famosa juno P-N. Foi a
descoberta dessas interfaces que resultou na inveno do transistor. Era a cereja que faltava para o bolo da microeletrnica.

Histria

Tudo o que foi dito s cou bem conhecido na dcada de 1940. Mas o primeiro registro de fotocondutividade foi feito um sculo antes, quando o fsico francs
Alexandre E. Becquerel (1820-1891) observou que a juno metal-semicondutor formada por prata e cloreto de prata imersa em um eletrlito produzia corrente
eltrica quando iluminada. Como seu interesse cientco era outro, ele no deu prosseguimento a esse tipo de investigao.

Passaram-se 37 anos at que algum observasse o fenmeno em material slido. Isso foi feito pelos ingleses William Grylls Adams (1836-1915) e Richard Evans
Day em 1876. Eles observaram que, iluminando selnio conectado a uma bateria, era possvel inverter o sentido da corrente eltrica. Provavelmente essa
descoberta inspirou o norte-americano Charles Edgar Fritts a construir a primeira clula solar, em 1883. Ela consistia em uma na camada de selnio coberta
com uma nssima camada de ouro e tinha ecincia inferior a 1%. Atualmente as clulas solares apresentam ecincia superior a 20%.

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Em 1874, o fsico alemo Karl Ferdinand Braun (1850-1918) descobriu que o sulfeto de chumbo em contato com uma ponta metlica poderia reticar uma

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eltrica. Esse sulfeto, popularmente conhecido como galena, foi o primeiro detector de estado slido para ondas de rdio. Chamava-se bigode de gato,
uma referncia ponta metlica em contato com a superfcie do semicondutor, imagem que dizem ter inspirado o smbolo do diodo
(https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/2/29/Diode.svg/1000px-Diode.svg.png), o primeiro dispositivo semicondutor.

(/colunas/do-laboratorio-para-a-fabrica/imagens/acereja02.jpg)

Cristal de galena, nome popular do sulfeto de chumbo. Foi o primeiro


detector de estado slido para ondas de rdio. (foto: Rob Lavinsky CC-BY-
SA-3.0)

A partir das observaes dessas propriedades dos semicondutores, alguns dispositivos passaram a ser fabricados, como clulas solares e detectores de cristal
para sintonizao de rdio, mas ningum sabia exatamente o que era semicondutor, muito menos explicar as propriedades at ento observadas. Tudo era
feito empiricamente, e torcia-se para que o dispositivo funcionasse bem.

A histria tomou um rumo favorvel depois que o fsico austraco Erwin Schrdinger (1887-1961) formulou, em 1925, a equao fundamental da mecnica
quntica, a partir da qual a fsica do estado slido teve um desenvolvimento extraordinrio, desembocando na inveno do diodo, o produto tecnolgico que
abriu as portas para a microeletrnica.

Em 1931, o britnico Alan Herries Wilson (1906-1995) formulou a teoria de bandas para semicondutores, com a qual descreveu quase tudo de essencial que
hoje sabemos sobre esses materiais. Mas parece que o trabalho no orientou qualquer pesquisa experimental at que a juno P-N fosse descoberta por
acaso, no incio dos anos 40.

Serendipidade

Por volta de 1935, pesquisadores dos Laboratrios Bell, nos Estados Unidos, comearam a desenvolver detectores de ondas de radar usando vlvulas a vcuo,
mas no obtiveram bons resultados. Decidiram ento apelar para o velho bigode de gato, j mencionado, que estava fora de uso comercial. Os primeiros
resultados foram animadores, razo pela qual um dos engenheiros do grupo, o norte-americano Russell S. Ohl (1898-1987), cou encarregado de fazer um
estudo sistemtico para descobrir qual o melhor material para construir um detector de cristal de boa qualidade.

A evoluo dos fatos a partir da deciso de investir no silcio resultou na inveno do transistor

Ohl testou mais de uma centena de materiais e conrmou o que ele j previa: o silcio era o mais sensvel. Na verdade, ele cou impressionado com o fato de
obter os melhores resultados com elementos da coluna do carbono na tabela peridica, a coluna dos semicondutores. Ou seja, ainda no se tinha certeza de
que o fenmeno que fazia do bigode de gato um bom detector era devido aos semicondutores.

A evoluo dos fatos a partir da deciso de investir no silcio resultou na inveno do transistor. No foi uma trajetria simples. Houve diculdades para se
entender o que estava ocorrendo, alm de competio entre alternativas a seguir, incluindo a troca de silcio por germnio. No meio do caminho havia uma
juno, e sua descoberta um belo exemplo de serendipidade (http://pt.wikipedia.org/wiki/Serendipidade), to frequente na histria da cincia.

(/colunas/do-laboratorio-para-a-fabrica/imagens/acereja03.jpg)

Primeiro transistor produzido nos Laboratrios Bell (Estados Unidos), com um


cristal de germnio tipo-N, em 23 de dezembro de 1947. (foto: Unitronic CC-
BY-SA-3.0)

A primeira preocupao era acabar com o procedimento errtico no uso dos detectores de cristal, a galena e congneres. Colocava-se a ponta metlica em
certo ponto e obtinha-se reticao em um sentido. Em outro ponto prximo, o sentido era invertido; tudo dependia do lote de onde se extraa o silcio para
fazer o detector.

Logo Ohl imaginou que isso poderia acontecer devido a impurezas e pediu ajuda ao metalurgista Jack Hall Sca (1908-1980) para puricar o silcio. Depois de
diferentes tratamentos trmicos, Sca chegou a uma amostra que apresentava resultados inesperados, embora consistentes. Um lado da amostra reticava a
corrente em um sentido, enquanto o lado oposto reticava no sentido oposto.

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Entre esses dois lados havia uma zona claramente indicada pela existncia de trincas na amostra, com alta resistncia eltrica, mas que deixava passar corrente
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NAVEGUE ou seja, era uma regio fotocondutora. A parte que deixava passar corrente quando ligada ao terminal positivo da bateria foi denominada
quando iluminada,
silcio tipo-P, de positivo, e a outra parte silcio tipo-N. A barreira fotoativa foi denominada juno PN.

A impureza no lado P foi logo determinada. Tratava-se de boro. A do lado N demorou um pouco mais para ser identicada. Quando essa parte do material era
cortada com discos de diamante, sentia-se um odor de acetileno. O intrigante fenmeno foi explicado quando algum lembrou que aquele cheiro tpico era
causado por impurezas de fsforo. Bingo! Doparam silcio com fsforo e observaram o mesmo efeito de reticao do lado N da amostra de Ohl.

A partir de ento comearam a dopar silcio com diferentes impurezas tipo-P e tipo- N, algo que Alan Herries Wilson j tinha sugerido em 1931. O resultado de
tudo isso foi a inveno do transistor de juno PN e o incio da microeletrnica.

Carlos Alberto dos Santos


Professor-visitante snior da Universidade Federal da Integrao Latino-americana

Este texto foi atualizado para incluir a seguinte alterao:


A primeira imagem mostra o smbolo do transistor, e no do diodo, como armava a legenda anterior. (07/10/2013)

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