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Campo Montenegro
São José dos Campos, SP, Brasil.
2016
Verso da Folha de Rosto
Dados Internacionais de Catalogação-na-publicação (CIP)
Divisão de Informação e Documentação
Nogueira, Suzy Fátima Lemos
Estudo de um detector semicondutor de radiação ionizante de interesse aeroespacial, baseado em um
fotodiodo PIN / Suzy Fátima Lemos Nogueira.
São José dos Campos, 2016.
111f.
REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICA
NOGUEIRA, Suzy F. L. Estudo de um detector semicondutor de radiação ionizante de
interesse aeroespacial, baseado em um fotodiodo PIN. 2016.111f. Dissertação de Mestrado
em Física e Matemática Aplicadas – Instituto Tecnológico de Aeronáutica, São José dos
Campos.
CESSÃO DE DIREITOS
ITA
iv
Dedicatória
Agradecimentos
Agradeço a Deus em primeiro lugar, por colocar em minha vida pessoas maravilhosas
que me mostraram que não há limites para os sonhos quando optamos em torná-los realidade,
agradeço também pelo dom da vida, pela determinação e saúde, que me fortaleceu e me
ajudou a superar as adversidades da vida.
À minha família que sempre me apoiou incondicionalmente em minhas decisões em
seguir pelo caminho do estudo, que me incentivou e que me impediram de desistir dos meus
sonhos quando tudo parecia sem solução. As minhas irmãs Sarah, Cynthia, Sabrina e
Samantha e ao meu irmão Nelson, que por muitas vezes cuidaram dos meus filhos para que eu
pudesse me dedicar a este trabalho, a minha mãe Cecília e ao meu pai (em memória) por me
blindarem da dura realidade da sociedade em que crescemos e, principalmente meu esposo
Clelio Henrique que, por mais uma vez, soube me compreender e me apoiar durante o tempo
de total dedicação a execução deste trabalho.
Ao meu orientador, Prof. Dr. Claudio Antônio Federico por acreditar no meu potencial,
me orientar e apoiar durante o trabalho de mestrado.
Ao meu estimado orientador de Iniciação Cientifica Prof. Dr. Luiz Henrique Claro, que
foi meu ponto de referência e meu grande incentivador nesta minha jornada na vida
acadêmica. Ao tecnologista José Antonio dos Santos, que durante todo o meu tempo de
permanência no IEAv, sempre me apoiou e me auxiliou nas questões de desenvolvimento
principalmente da parte da área de eletrônica.
Ao Pesquisador Dr. Odair Lélis Gonçalez, pelo apoio financeiro e todo conhecimento
científico.
Ao meu professor Dr. Jonas Rubini Junior, por estar sempre em prontidão para me
auxiliar sem nenhuma hesitação tanto para questões voltadas ao desenvolvimento do meu
estudo, quanto para questões pessoais.
Ao Tecnologista Dr. Marcelo Sampaio, pela total disposição em me ajudar a
compreender o sistema de amplificação e aquisição do sinal gerado pelo fotodiodo.
Ao Pesquisador Fernando G. Blanco, pela disposição em me auxiliar na confecção de
um circuito de pré-amplificação do sinal de saída do fotodiodo para testes.
Ao Prof. Dr.Roberto d’Amore, pela sua dedicação e apoio no estudo do ruído e sua
relação com o sinal coletado.
vi
Aos tecnólogos do LAER, que foram de extrema importância na execução dos testes
experimentais.
Ao Instituto Tecnológico de Aeronáutica pela oportunidade de crescimento.
Ao Instituto de Estudos Avançados pela oportunidade da experiência no setor científico
e por suas instalações durante a realização do trabalho.
A CAPES, ao projeto TERRA (IEAv) e ao CNPq pelo suporte financeiro.
Aos meus amigos Ary Garcia, Adriane Prado, Cássia Felix, Hanna Santana, por estarem
sempre ao meu lado, dividindo e me apoiando nas decisões mais complexas durante a
realização deste trabalho. Por fim, a todos os familiares e amigos que direta ou indiretamente
me apoiaram e acreditaram nesta conquista.
vii
“Não reduza o tamanho dos seus sonhos para caber sua realidade,
expanda sua realidade para comportar seus grandes sonhos.”
- Augusto Cury
viii
Resumo
Abstract
Lista de Figuras
Figura 4-7– Resposta dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com uma tensão
de 12V para Taxa de Doses ...................................................................................................... 91
Figura 4-8– Resposta do fotodiodo BPW34 a diversas fontes radioativas, quando alimentado
com uma tensão de 3V, 5V e 12V. ........................................................................................... 92
Figura 4-9– Resposta do fotodiodo BPW34, quando alimentado com uma tensão de 12V a
taxas de doses que variam de 8,42.10-4 a 11,54 Gy/h. .............................................................. 93
Figura 4-10– Resposta da carga acumulada do fotodiodo BPW34. ......................................... 94
Figura 4-11– Resposta da carga acumulada do fotodiodo BPW34. ......................................... 95
Figura 4-12– Resposta da carga acumulada do fotodiodo BPW34. . ....................................... 95
Figura 4-13– Resposta do fotodiodo BPW34 em função do ângulo de incidência da partícula.
.................................................................................................................................................. 96
Figura 4-14– Comportamento da tensão em cada bateria de medições. .................................. 97
Figura 4-15– Curva IxV do fotodiodo BPW34 em cada bateria de medições. ........................ 98
Figura 4-16– Análise do Coeficiente de Variação (CV) do sistema em função da tensão. ...... 98
Figura 4-17– Curva I x V do fotodiodo BPW34 sob radiação ionizante. ................................ 99
xiii
Lista de Tabelas
Tabela 2-1 – Eventos observados durante uma explosão solar que ocorreu em outubro de 2003
.................................................................................................................................................. 40
Tabela 2-2 - Propriedades dos materiais semicondutores. ....................................................... 48
Tabela 2-3 - Profundidade de penetração do fóton no Si em função do Comprimento de onda.
.................................................................................................................................................. 54
Tabela 3-1 “Screening” dos fotodiodos PIN do tipo COTS ..................................................... 66
Tabela 3-2 - Range de valores suportados para medidas de corrente ....................................... 71
Tabela 3-3 - Principais características das fontes utilizadas nos experimentos. ...................... 73
Tabela 4-1 - Valores calculados na análise numérica ao ruído pertinente do sistema ........... 102
xiv
Sumário
1 Introdução ......................................................................................................................... 18
1.1 Motivação e estado da arte......................................................................................... 20
1.2 Objetivos .................................................................................................................... 21
1.3 Estrutura do texto da dissertação ............................................................................... 22
2 Fundamentos ..................................................................................................................... 23
2.1 Radiação ..................................................................................................................... 23
2.2 Ambiente de Radiação ............................................................................................... 23
2.3 Radiação Cósmica (RC) ............................................................................................. 24
2.4 Radiação Ionizante ..................................................................................................... 25
2.4.1 Unidades e definições ......................................................................................... 25
2.4.2 Interação da radiação com a matéria .................................................................. 31
2.4.3 Efeitos da Radiação Ionizante nos componentes eletrônicos ............................. 36
2.5 Detector de radiação .................................................................................................. 40
2.5.1 Propriedades de um detector............................................................................... 41
2.5.2 Modos de operação do detector .......................................................................... 42
2.5.3 Efeitos físicos e químicos usados na detecção da radiação ................................ 44
2.6 Materiais Semicondutores.......................................................................................... 45
2.6.1 Estruturas de Bandas .......................................................................................... 46
2.6.2 Condução em Termos de Bandas Eletrônicas .................................................... 47
2.6.3 Detectores Semicondutores ................................................................................ 48
2.6.4 Detectores Semicondutores de Silício (Si). ........................................................ 54
2.6.5 Fotodiodos .......................................................................................................... 57
2.7 Fotodiodo PIN ............................................................................................................ 59
2.7.1 Geometria PIN .................................................................................................... 60
2.7.2 Fotodiodo PIN e Circuitos equivalentes. ............................................................ 61
2.7.3 Fotodiodo PIN como detectores de radiação ...................................................... 63
3 Materiais e Métodos ......................................................................................................... 65
3.1 Estudo do fotodiodo PIN (Fd PIN) ............................................................................ 65
3.1.1 Os fotodiodos PIN BPW34 (VISHAY) e SFH206 (SIEMENS) ........................ 66
3.2 Modo de operação do Fotodiodo ............................................................................... 68
3.2.1 Testes realizados com o fotodiodo PIN, como detector no Modo Corrente ....... 69
xvii
1 Introdução
1.2 Objetivos
O objetivo geral da dissertação é estudar o uso do fotodiodo PIN do tipo COTS como
detector de radiação ionizante para radiação ionizante, caracterizando-o como sensor de
radiação e estabelecendo suas áreas de aplicabilidade e de interesse aeroespacial.
Para a consecução deste objetivo geral deverão ser atingidos ao longo do trabalho de
pesquisa os seguintes objetivos específicos:
1. Estudo e compreensão do comportamento dos materiais semicondutores
quando submetidos a diferentes fontes de radiação ionizante;
2. Seleção e especificação dos fotodiodos PIN a serem utilizados, por meio de
uma triagem ("screening") de modelos comercialmente disponíveis.
3. Caracterização dos parâmetros do fotodiodo PIN selecionado.
4. Estudo e projeto de um front-end eletrônico dedicado;
22
Paralelamente também será estudada a eletrônica necessária (como por exemplo, o uso
de um pré-amplificador sensível à carga) para o desenvolvimento de um detector em modo
pulso, baseado no semicondutor de Si-PIN.
2 Fundamentos
2.1 Radiação
A radiação pode ser definida como a energia que se propaga de um ponto a outro do
espaço, no vácuo ou em um meio material por meio de um campo constante ou um conjunto
de partículas subatômicas (OKUNO e YOSHIMURA, 2010). Segundo a sua natureza, a
radiação pode ser classificada como: mecânica, eletromagnética ou nuclear. Dependendo do
tipo de interação da radiação com a matéria, podem ocorrer dois tipos de efeitos na matéria:
excitação ou ionização.
Quando partículas ou ondas eletromagnéticas são lançadas contra um átomo em
equilíbrio, elas podem colidir com algum elétron ou com o seu núcleo. Devido à disposição
geométrica, ao número, à carga e ao movimento, a probabilidade de colisão com os elétrons é
muitas vezes superior à probabilidade de colisão com o núcleo. No choque, a radiação
transfere parcial ou totalmente a sua energia que, e provocará uma ionização ou uma reação
nuclear, no átomo ou no núcleo, respectivamente, denominada de radiação ionizante. Quando
a energia absorvida for inferior à energia de ligação, ocorrerá um deslocamento da partícula
alvo, para estados disponíveis nas estruturas eletrônica ou nuclear, gerando os denominados
estados excitados eletrônicos ou nucleares, também denominada como radiação não ionizante.
(TAUHATA, et al 2013).
Não há como prever quando um átomo instável irá realizar transformação para se
estabilizar, esse é um processo aleatório. Porém, para um grupo de átomos instáveis, da
mesma espécie e contidos numa amostra, o número de transformação por segundo é
proporcional ao número de átomos que estão se transformando naquele instante, ou seja, a
probabilidade de decaimento por átomo por segundo é constante e essa probabilidade é
denominada de Constante de Decaimento (λ) e é característico de cada material (THAUATA,
2013).
A = λN = A0 e−λt (2-1)
ln2 0,693
T1⁄ = = (2-2)
2 λ λ
E = hf (2-3)
1240. 10−6
λ= (2-4)
E
Γ. A. t
Ẋ = (2-5)
d2
̅̅̅̅̅
d∈
D= (2-6)
dm
Onde ̅̅̅̅̅
d ∈ é a energia media em joule, depositada pela radiação no ponto de interesse,
num meio de massa dm, em kg.
A unidade utilizada atualmente é o gray (Gy), onde 1 Gy = 1Jkg-1. A unidade mais
antiga de dose absorvida é o rad (radiation absorved dose) onde 1 Gy = 100rad.
𝑑𝐸
𝑆= (2-7)
𝑑𝑥
𝜇
𝐷𝑐𝑎𝑣 ( 𝑒𝑛⁄𝜌)
𝑐𝑎𝑣
= (2-9)
𝐷𝑚𝑒𝑖𝑜 (𝜇𝑒𝑛⁄𝜌)
𝑚𝑒𝑖𝑜
𝜇
𝐷𝑐𝑎𝑣 ( 𝑒𝑛⁄𝜌)
𝑐𝑎𝑣 𝑐𝑎𝑣
= 𝑑𝑆𝑚𝑒𝑖𝑜 + (1 − 𝑑) 𝜇 (2-10)
𝐷𝑚𝑒𝑖𝑜 ( 𝑒𝑛⁄𝜌)
𝑚𝑒𝑖𝑜
31
cav
S meio
Onde é a razão do poder de freamento da cavidade e do meio circundante,
(en/) são os coeficientes de massa de absorção de energia da cavidade e do meio, e o
parâmetro “d” é dado pela Eq.(2-11), (FEDERICO, 2002):
1 − 𝑒𝑥𝑝(−𝐵 𝑥 )
𝑑= (2-11)
𝐵𝑥
2.4.2.1 Alcance
Quando uma partícula atravessa um átomo, ela pode interagir tanto com os elétrons
carregados negativamente quanto com o próprio núcleo deste átomo carregado positivamente.
Devido à força eletromagnética, a partícula, em função de sua carga, tenta atrair ou repelir os
elétrons ou núcleos próximos de sua trajetória, perdendo parte de sua energia. Essas
partículas, à medida que penetram na matéria, sofrem diversas colisões e interações com
perda de energia até que, a uma dada espessura do material, toda energia é dissipada e a
partícula, portanto, para de se deslocar, assim, denomina-se alcance a distância média
percorrida por uma partícula carregada, em uma dada direção, distância essa que depende de
alguns fatores, como: (ALVERNAZ, 2010):
ENERGIA: quanto maior a energia inicial da partícula, maior será o seu alcance.
MASSA: Partículas mais leves têm alcance maior que partículas mais pesadas de
mesma energia e carga;
33
CARGA: Uma partícula menos carregada possui alcance maior que uma partícula com
mais carga;
DENSIDADE DO MEIO: o alcance da partícula está diretamente relacionado com a
densidade do material, onde quanto maior for essa densidade, menor será o poder de
penetração da partícula.
Figura 2-2– Interação dos fótons no corpo humano (Adaptado de SPRAWLS, 1995).
Figura 2-3– Representação de duas formas básicas da interação da radiação entre fótons e
elétrons (Adaptado de SPRAWLS, 1995).
Figura 2-4– Coeficiente Absorção Linear em função da Energia raio gama para o Si e Ge
(Adaptado de ORTEC, 2016).
O TID é caracterizado pelo efeito da dose total acumulada no dispositivo. Isto ocorre
quando a partícula ionizante atinge os componentes eletrônicos com energia suficiente para
liberar os elétrons do material formando pares de elétrons - lacunas. Estes pares de elétrons-
lacunas se acumulam no componente e modificam seu funcionamento (MACHADO, 2013;
PRADO, 2012).
A dose é usada para quantificar os efeitos da liberação de carga por ionização, é
definida como a energia depositada pela unidade de massa do material (que deve ser
especificado), e pode ser medida em termos de J/kg. Em dispositivos CMOS o acúmulo de
dose leva a mudança da tensão de limiar (“threshold voltage”) devido às lacunas que ficam
aprisionadas no volume do óxido ou na interface do metal-óxido do dispositivo (DYER, 2001;
ARRUDA, 2006).
37
Quando uma partícula de alta energia incide sob um componente eletrônico, ela pode
deslocar o núcleo de um ou mais átomos da rede cristalina do material levando a inoperância
do componente (MACHADO, 2013). As partículas que produzem danos por deslocamentos
incluem prótons, elétrons com energias acima de 150 MeV e nêutrons. (ARRUDA, 2006). O
DD também é causado pelo efeito cumulativo da radiação ionizante, mas o que o difere do
TID é o fato dos átomos serem deslocados para fora da sua estrutura, e quando um número
suficiente de átomos é deslocado ocorre à falha do dispositivo. As partículas pesadas como
nêutrons e prótons são mais eficazes na ocorrência deste efeito do que as partículas mais leves
como elétrons e raio gama. (PRADO, 2012).
Os SEEs são causados pela deposição de energia por uma única partícula que interage
com o dispositivo e se caracteriza por qualquer mudança, que pode ser medida ou observada,
no estado ou desempenho de um dispositivo microeletrônico, componente, sistema digital ou
analógico (PRADO, 2012).
Um SEE ocorrerá se a carga depositada for maior do que a carga crítica (Q C) associada
à estrutura do dispositivo (parâmetro característico do material) . O uso do parâmetro de LET
(Linear Energy Transfer) permite cálculos da energia depositada em um volume de
dimensões conhecidas (EDEP).
Conforme DUZELLIER (2005), o LET, ao contrário do que ocorre com os íons
energéticos, dos prótons é muito baixo para induzir diretamente um SEE em dispositivos, e
interagem através de interações nucleares elásticas ou inelásticas em sua trajetória e
transferência de sua energia para o átomo de recuo. À medida que a massa do recuo é maior
do que a do próton incidente, então seu LET é associado, portanto, para os prótons, o SEE é
um mecanismo indireto e a deposição de carga resultante é devido a partículas secundárias,
(Figura 2-6). Apenas partículas com LET suficiente para atravessar o trajeto do Volume
Sensível (SV do inglês “Sensitive Volume”) para depositar mais carga do que a carga critica
poderá causar um SEE. As dimensões do SV podem ser experimentalmente estimadas através
da medição da seção de choque dependente do LET no dispositivo.
38
Figura 2-6–Mecanismo de deposição de Dose nos casos de prótons e íons pesados (Adaptado
de DUZELLIER, 2005).
Os efeitos de SEE mais importantes para aplicações aeroespaciais são o “Single Event
Upset” (SEU), o “Multiple Bit Upset” (MBU) e o “Single Event Functional Interrupt”
(SEFI), entretanto deve-se ressaltar que existem outros tipos de efeitos, tais como os “Single
Effect Transients”, “Single Event Latch-ups” entre outros (INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL COMMISSION, 2006; PRADO, 2015).
Os efeitos da radiação nos dispositivos eletrônicos podem ser classificados conforme
proposto por MACHADO (2013), (Figura 2-7).
39
DUZELLIER (2005) em seu estudo fornece uma lista de eventos observados em naves
espaciais que foram induzidos pela grande explosão solar que ocorreu em outubro de 2003 e
que estão descritos na Tabela 2-1 a seguir.
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Tabela 2-1 – Eventos observados durante uma explosão solar que ocorreu em outubro de 2003
Data Satélite Descrição do Evento
24 de outubro GOES-9,10 Alta taxa de erros de bit
25/28-29 de outubro RHESSI Reset espontâneo do CPU
Vários “auto-shutdowns”de
26 de out.-5 de nov. SMART-1
propulsão elétrica
Reset no “star tracker” e
Sonda “Microwave acionamento autônomo do
28 de outubro
Anisotropy” “backup tracker”. O “star
tracker” foi recuperado.
Erro de memória, corrigido
29 de outubro Mars Odyssey com uma reinicialização
fria em 31 de outubro.
Apesar da estabilização
28-30 de outubro FedSat triaxial, o satélite começa a
oscilar. (upset).
Algumas das 4 naves
espaciais têm resets no
28-30 de outubro Cluster
processador. Dano
recuperado.
Fonte: DUZELLIER (2005)
𝐸
𝐼𝑜 ≅ 𝑟𝑄 = 𝑟 𝑞 (2-14)
𝑊
43
Onde σi (t) é uma variável dependente do tempo aleatório que ocorre como uma
consequência da natureza aleatória do evento de radiação, interagindo dentro do detector.
Por conseguinte, o desvio padrão do número de eventos que ocorrem a uma taxa r em um
tempo de medição eficaz T é simplesmente, Eq. (2-15):
Se cada impulso contribui com a mesma carga, o desvio padrão fracionado no sinal
medido devido a flutuações aleatórias no tempo de chegada dos pulsos é dado pela Eq.(2-16)
̅̅̅̅̅̅
𝜎 𝐼(𝑡) 𝜎𝑛 1
= = (2-16)
𝐼𝑜 𝑛 √𝑟𝑇
Onde ̅̅̅̅̅̅
𝜎𝐼(𝑡) é a média de tempo do desvio padrão na corrente medida, T é o tempo de
resposta do picoamperímetro e Io é a corrente de saída média no medidor. Este resultado é útil
para estimar a incerteza associada com um determinado modo de medição de corrente.
Modo pulso: Ao rever várias aplicações de detectores de radiação, nota-se que a
operação do modo de pulso é usada com muitos detectores quando as taxas de eventos são
44
muito elevadas. Os detectores que são aplicados à dosimetria de radiação também estão
normalmente operando no modo de corrente. O modo pulso é útil no aumento da resposta
relativa de eventos de amplitude larga e encontra uma ampla aplicação na instrumentação
de reatores nucleares. A maioria das aplicações, no entanto, é mais bem servida pela
preservação de informações sobre a amplitude e o calendário de eventos individuais que
só o modo de pulso pode proporcionar. A natureza do sinal de pulso produzido a partir de
um único evento depende das características de entrada do circuito para que o detector
esteja ligado (normalmente um pré-amplificador). O circuito equivalente geralmente é ser
representado conforme demonstra a Figura 2-10:
Figura 2-11– Principais efeitos físicos e químicos utilizados na detecção da radiação ionizante
(Adaptado de DAROS, 2016).
À medida que átomos isolados são reunidos para formar sólido, ocorrem várias
interações entre átomos vizinhos. As forças de atração e repulsão entre os átomos procuram
encontrar um equilíbrio no espaçamento interatômico apropriado na formação do cristal,
neste processo, ocorrem mudanças importantes nas configurações do nível de energia do
elétron, e essas mudanças resultam nas variadas propriedades elétricas dos sólidos
(STREETMAN e BANERJEE, 2009).
Nos materiais sólidos são possíveis quatro estruturas diferentes de bandas eletrônicas a
uma temperatura de 0 kelvin (0K). Na primeira estrutura, Figura 2-13 (a) a camada mais
externa é apenas parcialmente preenchida. A energia correspondente ao mais alto estado de
47
energia ocupado a 0K é chamada de Energia de Fermi (Ef). Este tipo de estrutura é típico de
alguns metais, em particular daqueles que tem um único elétron de valência em s.
(STREETMAN e BANERJEE, 2009). Para o segundo tipo de estrutura, Figura 2-13(b),
também encontrada nos metais, há uma sobreposição de uma banda vazia para uma banda
ocupada. Por fim, as duas estruturas finais são semelhantes, uma banda de valência (BV) é
completamente preenchida e é separada de uma banda, de condução, (BC) vazia. Um espaço
(banda proibida ou banda gap, Bg) separa as duas bandas. A única diferença entre as estruturas
está na largura da Bg, que é maior em materiais isolantes, Figura 2-13(c), do que nos
semicondutores, Figura 2-13(d):
a excitação para a banda de condução, um elétron é cercado por grande número de estados de
energia desocupados. Assim, os poucos elétrons na banda de condução estão livres para se
deslocarem através dos muitos estados vazios disponíveis (STREETMAN e BANERJEE,
2009)
excelentes propriedades de transporte de carga, que permitem o uso de grandes cristais sem
perdas excessivas de transportadores de carga a partir da captura e recombinação (KNOLL,
1989).
Uma boa resolução de energia requer um Eg relativamente pequeno, reduzindo assim a
energia média de ionização necessária para excitar um par de elétrons-lacuna, Figura 2-15,
resultando em um aumento na geração de par elétron-lacuna por unidade de energia
depositada, diminuindo assim, as flutuações estatísticas. Além disso, a coleta eficiente da
carga a partir do dispositivo requer grandes valores de mobilidade das cargas (μ) e o tempo de
vida dos transportadores de carga (τ).
Figura 2-15– Energia média necessária para gerar um par de elétrons-lacunas (ε) versus
Energia de gap para alguns tipos de materiais semicondutores. (Adaptado de KNOLL, 1989).
bem esses requisitos, o que justifica sua popularidade na utilização destes materiais como
detectores de radiação (KNOLL, 1989).
Um dos mais importantes interesses para uso dos semicondutores na dosimetria é a sua
sensibilidade extremamente elevada em relação ao volume de ionização, em comparação, por
exemplo, com uma câmara de ionização. Apesar da sua resposta para os fótons de baixa
energia, os detectores semicondutores de silício apresentam características que os tornam
muito atraente para medir qualquer dose ou taxa de dose, em relação às câmaras de gás-
ionizante (BARTHE, 2001; HODGSON, 2010).
Quando uma partícula atravessa um díodo, ela cria uma trilha de pares elétrons-
lacunas, que geram uma corrente elétrica. Diferente de um átomo ionizado em um gás, que
pode facilmente recombinar-se com um elétron livre, a recombinação dos pares elétrons-
lacunas entre as bandas é muito improvável em um cristal de silício. Isto porque os portadores
de carga têm que transitar através de uma banda com níveis de energia proibidos. Assim, o
tempo de vida dos portadores de carga dependerá das imperfeições e impurezas do cristal. A
Figura 2-16 ilustra esses processos (SANTOS, 2002).
A junção de uma região n com uma região p irá provocar inicialmente movimentos das
cargas negativas para a região p. O resultado é a criação de uma região com carga líquida
negativa na região p e uma região com carga líquida positiva na região n, evitando novos
movimentos e criando um equilíbrio dinâmico na região, embora com desequilíbrio de carga.
Essa região onde existe o desequilíbrio de carga é denominada de região de depleção e se
estende por ambos os lados da junção, e é responsável pela aceitação do movimento de cargas
em um só sentido, Figura 2-18:
52
Para um fluxo de radiação constate, pode ser admitido que a corrente gerada também seja
constante, portanto a taxa de dose absorvida (𝐷̇) no Si será proporcional a esta corrente (i). A
constante de proporcionalidade é definida como sensibilidade em corrente (Si) do fotodiodo e
pode ser expressa pela Eq.(2-17) (FERREIRA, 2013):
𝑖
𝑆𝑖 = (2-17)
𝐷̇
𝐸𝑜
𝑁𝑜 = (2-18)
𝜀𝑝
𝜂 = (1 − 𝑅). (1 − 𝑒 𝑎𝐿 ) (2-19)
Entre e os semicondutores, a junção PIN, pode chegar até 80% de eficiência quântica.
A inclusão da parte intrínseca tem duas vantagens: a primeira é que o material nesta parte
possui quase que exclusivamente, átomos de baixa energia uma vez que não possuem
impurezas para produzirem portadores negativos ou positivos, portanto, nesta região a
absorção é praticamente total e a segunda vantagem é que a região intrínseca pode ser
dimensionada para ter uma área relativamente grande de modo a aumentar a área sensível do
fotodetector (FERIS, 2016).
A corrente de fuga é citada nas folhas de dados (“datasheets”) dos fotodiodos como
corrente reversa IR e sua intensidade, além de depender do tipo do detector, depende, também
da temperatura, da geometria da região de depleção e da tensão de polarização reversa.
(KNOLL, 1989; SILVA, 2000).
Outro ponto importante para que haja uma rápida coleta dos portadores de carga,
evitando-se grandes perdas por recombinação, é que seja aplicada ao detector uma tensão de
polarização reversa, (SILVA, 2000). O efeito é bem similar a um capacitor de placas
paralelas, ou seja, à medida que esta tensão vai aumentando, mais cargas vão se formando na
junção.
A Figura 2-21 mostra a densidade de cargas, a intensidade do campo elétrico e a
variação do potencial em função da distância, em uma junção - PN, na qual a densidade de
impurezas aceitadoras é muito maior do que a concentração de doadoras.
Figura 2-21– (a) junção PN reversamente polarizada. (b) Densidade de cargas. (c) Intensidade
do campo elétrico. (d) Variação do potencial em função da distância x (SILVA, 2000, p 13).
𝐴
𝐶 = 𝜀( ) (2-20)
𝑑
2𝜀𝑉𝑅 𝛼
𝑑≅( ) (2-21)
𝑒𝑁
1⁄
𝑒𝜀𝑁 2
𝐶 ≅ 𝐴( ) (2-22)
2𝑉𝑅
2.6.5 Fotodiodos
Os fotodiodos são sensores semicondutores de luz que geram uma corrente ou tensão
quando a junção P-N é iluminada pela incidência de fótons ou partículas ionizantes. O termo
fotodiodo e muito vasto e em sua definição inclui até mesmo como elementos de baterias
solares, mas geralmente refere-se a sensores usados para detectar a intensidade de luz. E os
mesmos podem ser classificados por função e por modo de construção, sendo que os tipos
básicos são, (SIMÕES, 2008):
• Fotodiodo PIN;
• Fotodiodo tipo Schottky;
58
Onde IL: corrente gerada pela luz incidente (proporcional à quantidade de luz), ID:
corrente no diodo ideal, Cj: capacitância da junção, Rsh: resistência de desvio (Shunt) da
junção PN, I’: corrente na resistência de desvio, VD: Voltagem sobre o fotodiodo, Rs:
Resistência em série do fotodiodo: representa a resistência de carga das junções P e N, IO:
corrente de saída e VO: voltagem de saída.
Pelo circuito equivalente anterior, a corrente de saída IO será dada pela Eq. (2-23):
𝑒𝑉𝐷
𝐼𝑜 = −𝐼𝐷 − 𝐼 ′ = 𝐼𝐿 − 𝐼𝑆 (𝑒𝑥𝑝 − 1) − 𝐼 ′ (2-23)
𝑘𝑇
59
𝑘𝑇 𝐼𝐿 − 𝐼 ′
𝑉𝑜𝑐= (𝑙𝑛 − 1) + 1 (2-24)
𝑒 𝐼𝑆
𝑒(𝐼𝑆𝑐 . 𝑅𝑆 ) 𝐼𝑆𝑐 . 𝑅𝑆
𝐼𝑆𝑐 = 𝐼𝐿 − 𝐼𝑆 (𝑒𝑥𝑝 − 1) − (2-25)
𝑘𝑇 𝑅𝑠ℎ
da radiação. O volume ativo requerido para uma detecção eficiente da radiação depende do
material usado como substrato, da energia da radiação, do tipo de radiação que será detectada
e da aplicação específica (LI, 1991).
Os detectores de Ge sempre operaram com temperaturas baixas para reduzir a corrente
de fuga gerada termicamente. Em aplicações de baixo ruído como espectrometria de raios-X,
detectores de Si-PIN também têm sido refrigerados pela mesma razão (HUBER et al., 1995).
A corrente de fuga no detector aumenta exponencialmente com a temperatura, mas o sistema
de refrigeração pode reduzir de forma considerável a corrente de fuga, (CARVALHO, 2008;
REDUS et al., 2001).
O valor mínimo do potencial de ionização (Eg) em um cristal de silício intrínseco é de
1,12eV, mas a energia média necessária para gerar um par elétron-lacuna a temperatura
ambiente, no Si, é de aproximadamente 3,6eV, esta diferença é devido à contribuição da
energia cinética absorvida pelo elétron emitido e da energia transferida à rede cristalina para
emissão de fônons. A Eq. (2-26) representa a distribuição da energia absorvida pelo átomo
(FERREIRA, 2009):
Uma representação básica pode ser vista na Figura 2-25 sobre o trajeto dos elétrons
pelo fotodiodo PIN, quando polarizado reversamente.
Figura 2-25 – Trajeto dos elétrons pelo fotodiodo PIN, quando polarizado reversamente
(FERIS, 2013).
63
Os elétrons iniciam o trajeto, pela parte P do diodo, deslocando-se até a junção PI. Os
fótons incidem nos átomos da parte I transferindo elétrons para a banda de condução e criando
buracos na banda de valência. Estes buracos recebem elétrons que chegam da parte P. Estes
novos portadores negativos absorvem a energia dos fótons e se transferem, também, para a
banda de condução e assim sucessivamente. Desta maneira ocorre o estabelecimento de uma
corrente elétrica que só pode ocorrer devida à incidência de fótons na região compreendida
entre as junções PI e IN do diodo PIN.
O circuito equivalente da polarização reversa consiste no fotodiodo de capacitância
PIN (CT), um resistor shunt (Rp), e a indutância parasitária (LS), como indicado na Figura
2-24(c). A equação de definição para CT é definida pela Eq.(2-27):
𝜀𝐴
𝐶𝑡 = (2-27)
𝑊
Os fotodiodos Si-PIN têm sido utilizados como detectores de radiação nuclear, durante
muitos anos. Eles são mais eficientes detectores semicondutores PN e oferecem boa
sensibilidade a várias fontes de radiação de radiação, não necessitam operar em baixas
temperaturas, sendo eficazes em toda na faixa de temperatura que compreende de -55oC à
+150°C. O fotodiodo PIN detecta a radiação por meio da geração de uma foto corrente
transitória durante o tempo em que o impulso de radiação é absorvido pela região- I
(DOHERTY, JR e JOOS, 1998).
As reações predominantes de fótons de alta energia com o Si são colisões inelásticas
com elétrons e colisões elásticas com átomos livres da rede. No primeiro caso, os elétrons
absorvem energia suficiente (1,1eV) para transitarem da banda de valência para a banda de
condução, gerando um par de transportadores (transitória) que vai sobreviver durante um
64
𝑁𝑝 𝐸𝑝
𝐼𝑥 = (2-29)
𝐴
3 Materiais e Métodos
A metodologia adotada para este trabalho foi dividida em duas fases: a primeira
consiste no estudo do comportamento do fotodiodo PIN quando irradiado (estudo do Fd como
detector modo corrente) e a segunda fase foi o estudo e compreensão da eletrônica necessária
para o desenvolvimento do detector semicondutor de radiação ionizante (estudo do Fd como
detector modo pulso).
Entre os vários tipos de fotodiodos PIN COTS disponíveis, foram escolhidos dois
modelos para serem utilizados como fonte de estudos iniciais para o trabalho: o BPW34 da
VISHAY e o SHF206 da SIEMENS, a escolha ocorreu principalmente pelo baixo valor de
custo e fato desses componentes não estarem na lista de componentes com aquisição restrita
pelos fabricantes.
Neste formato, nenhuma tensão externa é aplicada no detector, de que forma que os
portadores de cargas gerados pela incidência da radiação ionizante são coletados pela ação do
campo elétrico formado pela região de depleção. (CARVALHO,2008)
Quando se pretende medir a atividade de uma fonte radioativa ou se pretende medir
eventos individuais é utilizado o modo Fotocondutividade ou também chamado de modo de
Pulso (CARVALHO,2008; SANTOS,2002). Neste formato é aplicada uma tensão reversa
externamente ao detector, resultando em um aumento na intensidade de campo elétrico e
aumentando a região de depleção do semicondutor (Figura 3-3), (SILVA, 2000).
69
3.2.1 Testes realizados com o fotodiodo PIN, como detector no Modo Corrente
Para fazer o armazenamento dos dados obtidos durante o experimento foi escolhido à
utilização de um VI disponibilizado pela própria NI, que faz a comunicação diretamente com
o eletrômetro da Keithley através do modulo de GPIB.
O VI (Instrumento Virtual) consiste na combinação de hardware, placas de aquisição
de dados ou instrumentos tradicionais, para aquisição de dados e software para testes que
analisa e apresenta os dados adquiridos. Normalmente são utilizados com
microcomputadores. (SILVA, 1993)
Inicio
Fornece a
alimentação de 3V
e faz 5 leituras de
corrente do Fd.
Fornece a
alimentação de 5V
e faz 5 leituras de
corrente do Fd.
Fornece a
alimentação de
12V e faz 5 leituras
de corrente do Fd.
FIM
60
FEDERICO,
LRI Co 4,73x1010 06/08/2007
2008; PEREIRA
et al, 2008)
241
Am 364,9
137
LAER Cs 396,6 28/06/1984
(IAEA, 1984)
60
Co 340,4
152
Eu 396,4
O Fd BPW34 foi testado a uma distância de 3,05m; 1,55m; 1,00m; 0,75m; 0,65m e
0,55m do Irradiador, aferidas com o auxílio de um medidor a laser de distância (BOSCH,
modelo GLM 150 profissional, com uma precisão de medida de ±1 𝑚𝑚), vide Figura 3-9.
Em todas as medidas o fotodiodo estava em condição de escuro e polarizado reversamente em
temperatura ambiente, controlada por um termômetro digital (LUFFT, modelo OPUS 10, com
uma incerteza de ±0,36%).
75
Para o teste referente à dependência angular do fotodiodo, foi utilizado o PIN BPW34
e como procedimento experimental foi adotado uma distância inicial de 1,55m da fonte
durante um tempo de 10 minutos para cada ângulo, com uma taxa dose de 1,65 Gy/h. A
60
variação angular foi de 0º, 40º, 70º e 90º referente à fonte de Co e pode ser visto na Figura
3-10:
76
também foi utilizada uma camada de acrílico de 5 mm de espessura entre a fonte e o Fd,
241
exceto para a fonte de Am, que devido à baixa energia dos gamas emitidos, não foi
necessário à utilização do acrílico.
As medidas iniciais do levantamento da curva IxV foram do “Background” e as
medidas posteriores foram realizadas quando os fotodiodos foram expostos a uma fonte
isotópica durante um tempo de 180s, totalizando o levantamento de 14 curvas de IxV.
Também foram realizados os testes com tensão fixa descrito no fluxograma da Figura 3-6.
Este procedimento foi adotado para cada fonte isotópica e, todas as medidas foram realizadas
em condição de escuro e temperatura ambiente controlada.
Para tal, foi utilizada a seguinte sequência de cálculos, baseado na Teoria da cavidade
de Bragg-Gray descrita no item 2.4.1.8:
1 – Cálculo da taxa de exposição no ar, conforme Eq.(2-5);
2 – Conversão da taxa de exposição para taxa de dose no ar, utilizando-se o fator de
conversão de 0,876 rad/R (TAUHATA, 2013);
3 – Conversão da taxa de dose no ar para taxa de dose no PMMA conforme Eq. (2-9);
4 – Correção da taxa de dose em função da atenuação no PMMA, excedente ao
alcance dos elétrons secundários de maior energia;
5 – Conversão da taxa de dose no ar para taxa de dose no silício em rad/s, conforme
Eq (3-1).
78
𝑆𝑆𝑖
𝐷̇𝑆𝑖 = 𝐷̇𝑃𝑀𝑀𝐴 ( ) (3-1)
𝑆𝑃𝑀𝑀𝐴
O sistema de detecção adotado para o detector no modo pulso (Figura 3-12) para
estudo segue o padrão da Instrumentação Nuclear e é definida pela norma NIM (Nuclear
Instrumentation Modules), (U.S. NIM COMMITTEE, 1990). Basicamente, um sistema de
detecção é composto por: sensores (conjunto detector), amplificadores operacionais,
conversores analógicos digitais (ADC) e pelo conjunto computador - software, para análise e
manipulação dos dados adquiridos, MCA - Multichannel Analyser, (RIBAS, 2011). Na Figura
3-12 temos um diagrama em bloco de um sistema de detecção de radiação operando no modo
pulso.
Vários tipos de amplificadores são utilizados na norma NIM. Eles podem ser
agrupados como: amplificadores lentos (circuitos de medição de energia), amplificadores
rápidos (circuitos geradores de marca de tempo) e os amplificadores espectroscópicos.
O analisador multicanal (MCA) é composto por um conversor analógico-digital,
memória de armazenagem, tela para visualização, dispositivos para controle de partida,
parada, tempo de aquisição e conversor analógico-digital. A função do analisador multicanal é
construir um histograma do número de eventos que ocorrem para cada nível de energia n,
correspondendo, portanto ao espectro de energias ou tempo.
Nas condições de trabalho real, o fotodiodo PIN gera uma corrente cujo valor flutua
em torno de sua média. Essas flutuações aleatórias são consequências dos ruídos. Algumas
fontes de ruídos estão ligadas diretamente a detecção da partícula incidente (BAHAA e
SALEH, 1991):
Ruído da chegada da partícula;
Ruído fotoeletrônico;
Ruído de ganho;
Ruído do circuito receptor.
Essas 4 fontes de ruídos são esquematizadas na Figura 3-14. O sinal que entra no
detector contém um ruído intrínseco do fóton. Nesse processo, a média do sinal diminui por
um fator η. O ruído também diminui, mas por um fator menor que o do sinal; portanto a razão
sinal/ruído dos fotoelétrons é menor que os fótons incidentes. Se o fotodetector tiver um
mecanismo de ganho, ele amplifica tanto o sinal quanto o ruído, e introduz seu próprio ruído
de ganho.
81
Figura 3-14– Sinal e várias fontes de ruído para (a) um fotodetector sem ganho por exemplo,
um fotodiodo PIN e (b) um fotodetector com ganho (como por exemplo, um APD). (BAHAA
e SALEH, 1991, p.674).
Assim como em outros sensores de luz, o menor limite para a detecção de luz em
fotodiodos e determinado pelas características de ruído do dispositivo. Para uma análise nos
diodos PIN, consideraremos apenas os quatro mecanismos de ruído mais relevantes: o ruído
de fundo (Background); o ruído de escuro; o ruído Shot e o ruído térmico. O ruído do
fotodiodo é, então, a soma desses ruídos e da foto-corrente, Eq (3-2). (BAAH e SALEH,
1991)
4kTB
ij = √ [A] (3-3)
R sh
Corrente do ruído
NEP [W⁄Hz1/2 ] = (3-6)
Responsividade
VsinalRMS
SNR = 20log ( ) (3-7)
VruídoRMS
Quanto maior for esta razão, melhor será a identificação do sinal puro do ruído
existente no circuito (SIMÕES, 2008).
83
Para que seja possível identificar as principais fontes de ruídos do detector, num
primeiro momento será estudado o conjunto Detector (fotodiodo PIN BPW34, VISHAY) +
Pré-amplificador (OPA627, Texas Instruments) e o esquema elétrico deste sistema pode ser
visto na Figura 3-15:
2
𝐸𝑛𝑠 = √𝐸𝑛𝑠𝑡 2 + 𝐸𝑛𝑠𝑐 + 𝐸𝑛𝑠𝑅 2 + 𝐸𝑛𝑠𝐷 2 (3-8)
4 Resultados e Discussões
Curva I x V
0,12
0,1
0,08
0,06
0,04
0,02
Corrente (A)
2,9E-16
-0,02
-0,04
-0,06
-0,08
-0,1
-0,12
Tensão (V)
Nesta seção serão apresentados os resultados obtidos pelos fotodiodos operando no modo
corrente descrito no item 3.2.1.
88
Figura 4-2– Resposta em corrente dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com
uma tensão de 3V para diferentes distâncias em relação ao centro da fonte.
89
Figura 4-3– Resposta em corrente dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com
uma tensão de 5V para diferentes distâncias em relação ao centro da fonte.
Figura 4-4– Resposta em corrente dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados
com uma tensão de 12V para diferentes distâncias em relação ao centro da fonte.
A análise das figuras apresentadas demonstra a queda da corrente média gerada com o
aumento da distância da fonte nos fotodiodos, sendo que o BPW34 obteve uma melhor
sensibilidade em corrente que o Fd SHF206, além disto, pode-se fazer uma comparação entre
as tensões de alimentação, onde quanto maior a alimentação, maior será a resposta em
corrente no Fd.
90
Com os valores obtidos em cada posição dos fotodiodos foi possível fazer uma análise
de linearidade da resposta em corrente em função da Taxa de Dose no intervalo de 0,55 Gy/h
a 11,54 Gy/h, representados nas Figura 4-5,Figura 4-6 e Figura 4-7 submetidos a uma tensão
de 3V, 5V e 12V respectivamente.
Figura 4-5– Resposta dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com uma tensão
de 3V para diferentes taxas de dose.
Figura 4-6– Resposta dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com uma tensão
de 5V para diferentes taxas de dose.
Figura 4-7– Resposta dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com uma tensão
de 12V para diferentes taxas de dose.
92
Figura 4-8– Resposta do fotodiodo BPW34 a diversas fontes radioativas, quando alimentado
com uma tensão de 3V, 5V e 12V.
Figura 4-9– Resposta do fotodiodo BPW34, quando alimentado com uma tensão de 12V a
taxas de doses que variam de 8,42.10-4 a 11,54 Gy/h.
Na Figura 4-9 observa-se uma clara discrepância entre os dados obtidos com a fonte
60
de Co do LRI e os dados obtidos com as fontes radioisotópicas de baixa intensidade. Esta
discrepância deve-se ao fato de que as taxas de dose obtidas com as fontes radioisotópicas são
baixas e produzem sinais da mesma ordem de grandeza do ruído de fundo do sistema,
tornando difícil uma discriminação adequada do sinal.
94
A análise do gráfico demonstra que a melhor resposta do fotodiodo foi para uma
tensão de alimentação de 12V e, que sua resposta é dependente do ângulo de incidência da
partícula, onde de 0° a 70° não há uma grande diferença na corrente gerada, porém tendo uma
queda significativa a partir de 90°.
O valor médio da corrente de cada bateria em função da tensão pode ser visto na Figura 4-15
a seguir
98
1
𝑓𝑐 = = 6,373𝑘𝐻𝑧 (4-1)
2𝜋𝑅𝑅 𝐶𝑅
1
𝑓𝑧 = 𝑅 𝑅
= 2,65𝑘𝐻𝑧 (4-2)
2𝜋 (𝑅 𝑠ℎ+𝑅𝑅 ) (𝐶𝑑 + 𝐶𝑅 )
𝑠ℎ 𝑅
𝑓𝑢 𝐶𝑅
𝑓𝑖 = = 6,67𝑀𝐻𝑧 (4-3)
𝐶𝑅 + 𝐶𝑑
𝐶𝑑
𝐸𝑛𝑠𝑡 = (1 + ) . 𝑒𝑛𝑡𝑎 √(1,57𝑓𝑖 ) − 𝑓𝑐 = 62,1𝜇𝑉 𝑟𝑚𝑠 (4-4)
𝐶𝑅
O valor rms da tensão total de ruído na saída do amplificador foi dado pela Eq.(3-8) e
é de : 𝐸𝑛𝑠 = 62,82𝜇𝑉 𝑟𝑠𝑚
A corrente mínima detectável no sistema será Eq.(4-8):
𝐸𝑛𝑠
𝐼𝑚í𝑛 = = 125,6𝑝𝐴 (4-8)
𝑅𝑅
Através dos resultados obtidos na análise numérica do ruído do conjunto detector, foi
observado que o valor da corrente mínima detectável do sistema é insuficiente para a detecção
de baixas doses com o fotodiodo PIN e o pré-amplificador utilizado. Foram construídos e
testados mais três sistemas objetivando melhorar esse limiar de detecção com os pré-
amplificadores OPA4241 e OPA129U, ambos da Burr-Brown, e um circuito de amplificação
desenvolvido a partir do FET 2N4416A, cujos resultados também não foram satisfatórios e
não se obteve um limiar melhor de resposta do nível de detecção.
Com um aprofundamento de pesquisa bibliográfica especificamente no que tange à
forma de uso do fotodiodo como detector de radiação no modo pulso (AGOSTEO e at., 2005;
CAMARGO,2005; KIM e at., 2008; KLEIN e at., 1993), foi observado que, para essa
aplicação, os fotodiodos que possuem uma área sensível acima de 100mm2 (como por
exemplo o S3590 da HAMAMATSU, com um custo na ordem de R$750,00), são os que
103
permitem obter uma melhor resposta para o limiar de detecção, associado a um pré-
amplificador com um nível de ruído de entrada mais baixo (como por exemplo o A250 da
AMPTEK, com o custo na ordem de U$525).
Das análises efetuadas, observa-se que a metodologia de avaliação numérica da
relação sinal ruído é um indicativo importante das características do sistema utilizado e cujos
valores calculados são compatíveis com o observado experimentalmente. Para o presente
sistema de detecção, as dimensões do FD utilizado, juntamente com a relação sinal-ruído do
sistema comprovam que o sistema atual não possui capacidade de detectar baixas doses ou
taxas de dose, entretanto foram delineadas as demandas e necessidades para futuro
desenvolvimento desta linha de trabalho.
104
5 Considerações finais
na análise de ruído pode-se concluir que a modelagem das fontes de ruído mostrou-se
satisfatória para o sistema adotado sendo que o valor de corrente mínima detectável calculada
é compatível com o observado experimentalmente e situa-se em um patamar muito elevado de
ruído, impossibilitando a análise de sinais oriundos de baixas doses e taxas de dose no sistema
de detecção utilizado
A análise de ruído evidenciou as principais fontes de ruído e a contribuição de cada
fonte externa e interna de ruído, evidenciando se como uma ferramenta importante para
futuras adaptações no sistema a ser adotado para se desenvolver um sistema detector
semicondutor completo baseado em um fotodiodo PIN. Foram desenhados e testados três
outros sistemas de detecção utilizando o mesmo Fd PIN, entretanto observou-se que um
sistema com relação sinal ruído adequado implicaria na utilização de componentes de elevado
custo aos qual o presente estudo não teve acesso.
Ainda com relação ao SNR, observou-se que a área de detecção do fotodiodo é um
fator fundamental principalmente em objetivos relacionados à utilização de Fd como
elementos espectrométricos. Os Fd mais adequados são aqueles com área útil em torno de 100
mm2 ou superior, cujo custo também se situa em patamares bem elevados. Observou-se, pela
literatura consultada, que a utilização de Fd com elementos cintiladores para a conversão de
radiação em luz visível é uma das alternativas factíveis para minimizar o problema de sinal,
desde que se pretenda utilizar o detector como dosímetro.
106
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