Caracterização Elétrica de um Transistor de Efeito de Campo de Junção (JFET)

Objetivos:
Extrair e analisar curvas de corrente (ID) versus tensão (VDS) num transistor de junção (JFET).

Introdução
O transistor de efeito de campo (FET – field effect transistor) é um dispositivo de três
terminais. O nome efeito de campo deriva-se do fato de que a corrente no dispositivo é controlada
pelo ajuste da tensão aplicada externamente.
Existem três tipos principais de FET: o transistor de efeito de campo de junção (JFET), o
FET com o semicondutor de óxido metálico (MOSFET – metal-oxide-semiconductor FET) e o FET
de alta mobilidade eletrônica (HEMT – high-electron-mobility transistor). Analisaremos aqui o
comportamento das curvas de corrente versus tensão num dispositivo JFET.
A figura 1(a) mostra um diagrama da estrutura de um JFET e identifica os três terminais
com os quais fazemos as conexões elétricas externas. Conforme mostrado na figura, uma barra de
material tipo n tem regiões de material tipo p incrustado em cada lado. As duas regiões p são
interligadas e o fio condutor que sai delas é chamado terminal da porta (Gate – G). Um dos
terminais do extremo da barra tipo n é chamado de dreno (D) e o outro terminal do extremo é
chamado de fonte (source – S). A região de material n situada entre as regiões p é chamada de
canal. O transistor mostrado na figura é então chamado de JFET canal n. Conforme veremos, a
tensão aplicada à porta controla o fluxo de corrente do dreno para fonte.

dreno (D) regiões de depleção D

n
canal
G p ID p
porta (G) p n p VDS

VGS S
fonte (S)
(a) (b)

Figura 1: (a) A estrutura de um JFET e (b) uma tensão de polarização reversa de VGS
cria ao longo do canal n uma região de depleção. Se VGS =0 a região depleção surge
devido ao aumento de VDS.

Quando uma tensão externa (VDS) for aplicada entre o dreno e a fonte, de tal modo que o
dreno seja positivo em relação à fonte, uma corrente será estabelecida pelo fluxo de elétrons através
do material n da fonte para o dreno. Portanto a corrente convencional fluirá do dreno para a fonte e
será limitada pela resistência do material n. Em uma operação normal do JFET uma tensão é
aplicada entre a porta e a fonte de tal modo que as junções pn de cada lado do canal n ficam
polarizadas reversamente. Portanto a porta fica negativa em relação à fonte, conforme ilustrado na
figura 1(b). Observe-se na figura 1(b) que a tensão reversa (VGS) cria um par de regiões de depleção,
estreitando o canal n e, portanto aumentando a sua resistência. Assim, se VGS cresce, a regiões de
depleção também crescem e, portanto a corrente ID deverá diminuir para uma tensão nos terminais
dreno-fonte (VDS) fixa (veja figura 2). Se a tensão reversa (VGS) é mantida fixa, à medida que VDS
eleva-se ligeiramente acima de 0 Volts observa-se que a corrente ID aumenta na proporção direta,
conforme mostrado na figura 2. Isto é esperado em acordo com a lei de Ohm. No entanto, à medida
que VDS continua aumentando, as regiões de depleção sentem o efeito reverso da tensão VDS
(potencial positivo no terminal dreno crescendo gradativamente) e passam a aumentar além

1
daquelas já criadas pela tensão VGS. Quando as duas regiões de depleção se tocarem no meio do
canal, devido ao aumento de VDS, a corrente no canal (ID) não mais crescerá, alcançando um certo
valor chamado corrente de saturação (veja figura 2).

ID
VGS = 0 V

VGS = -1 V

VGS = -2 V

VDS

Figura 2: Curvas características da corrente ID versus tensão VDS de um JFET de

canal n. Observa-se que, à medida que a tensão VGS, aplicada nos terminais porta-fonte,
vai aumentando negativamente, ID tende a valores de saturação cada vez menores.

Montagem Experimental

Veja a figura 1(b).

Experimento

Faça medidas da corrente ID no JFET em função da voltagem aplicada VDS.

Bibliografia

L.L. Chang, L. Esaki e R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 24 (1974) 593.

2
 VGS = VGS = VGS = VGS =
VDS (V) I (mA) VDS (V) I (mA) VDS (V) I (mA) VDS (V) I (mA)

3
 VGS = VGS = VGS = VGS =
VDS (V) I (mA) VDS (V) I (mA) VDS (V) I (mA) VDS (V) I (mA)