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JOINVILLE - SC
ELETRÔNICA GERAL I
DIODOS E TRANSISTORES
Versão 1.0
Este material foi elaborado para ser usado como material de apoio, pois
1 Semicondutores................................................................................................5
1.1 Tipo n e tipo p............................................................................................6
2 Diodos............................................................................................................11
2.1 Diodo sem polarização............................................................................12
2.2 Diodo com polarização reversa...............................................................13
2.3 Diodo com polarização direta..................................................................15
2.4 Curva característica do diodo..................................................................16
2.5 Circuito equivalente do diodo...................................................................17
3 Circuitos com diodos......................................................................................19
3.1 Aplicação em corrente contínua..............................................................21
3.1.1 Exemplo 1.........................................................................................22
3.1.2 Exemplo 2.........................................................................................23
3.1.3 Exercícios propostos.........................................................................26
3.2 Aplicação em corrente alternada.............................................................27
3.2.1 Circuito de meia onda.......................................................................27
3.2.2 Circuito de onda completa – circuito em ponte.................................30
3.2.3 Circuito de onda completa – Transformador de TAP central.............31
3.2.4 Circuito de meia onda com filtro........................................................33
3.3 Grampeadores.........................................................................................35
3.3.1 Exemplo 1.........................................................................................37
3.3.2 Exercícios propostos.........................................................................38
3.4 Diodo Zener.............................................................................................41
3.4.1 Exemplo 1.........................................................................................45
3.4.2 Exemplo 2.........................................................................................46
3.4.3 Exercícios propostos.........................................................................47
4 Transistores Bipolares ...................................................................................49
4.1 Princípio de funcionamento.....................................................................50
4.2 Polarização DC do BJT............................................................................54
4.2.1 Região de operação Linear...............................................................55
4.2.2 Região de operação de corte............................................................55
4.2.3 Região de operação saturação.........................................................55
4.3 Exemplo de circuito com transistor..........................................................56
4.3.1 Exemplo 1.........................................................................................58
4.4 Análise por reta de carga.........................................................................59
4.5 Polarização por divisão de tensão...........................................................61
4.6 Transistor como chave.............................................................................63
4.7 Exemplos.................................................................................................64
4.7.1 Exemplo 1.........................................................................................64
4.8 Exercícios propostos................................................................................67
1 Semicondutores
Nenhuma polarização.
Polarização direta.
Polarização reversa.
Pela figura, nota-se que para o diodo há um valor da tensão gerado pela
região de depleção. Este valor é de aproximadamente 0,7 volts e para o
germânio é de 0,3 volts. Nota-se que para valores abaixo de 0,7 há uma
pequena passagem de corrente e quando este valor é ultrapassado há uma
passagem de níveis elevados de corrente elétrica.
É possível ver também que no lado esquerdo do gráfico, há a parcela da
corrente de saturação para quando ocorrer a polarização reversa. Esta parcela
é na ordem de nanoampér. Nota-se também que existe uma tensão VZ,
chamada de tensão zener. Esta situação é a máxima tensão possível que
poder ser colocada reversamente. Se for aplicada uma tensão maior que o
permitido, haverá uma condução reversa que poderá danificar tanto o diodo,
bem como o circuito associado.
Esta situação é possível porque está resistência é muito menor que todo
o circuito e pode ser desprezada. Desta forma o circuito fica com uma fonte em
série com o diodo ideal.
Para uma análise mais simples e rápida, pode-se aproximar para um
modelo ideal, conforme visto pela figura 2.13. Note-se que quando a tensão
aplicada for maior que zero, haverá condução de corrente elétrica.
Conforme visto nos itens 2.1 a 2.3, o diodo tem três situações de
operação. Pelo gráfico nota-se:
Quando for aplicada uma tensão menor que zero, o diodo se comporta
como um circuito aberto. Logo em circuito aberto a corrente que passa
pelo diodo será zero.
Quando for aplicada uma tensão igual a zero ou superior, o circuito se
comporta como um curto circuito, com isso o diodo começa a conduzir
corrente.
E = ID R equação 3.3
E VD
ID equação 3.4
R
3.1 Aplicação em corrente contínua
E = VD + VR equação 3.5
3.1.1 Exemplo 1
Para o circuito da Figura 3.6, determine VD, VR, ID e IR. Considere uma
fonte E de 8,0 volts.
Figura 3.6 – Circuito série.
Solução:
A tensão VD é igual da tensão do diodo, ou seja, VD = 0,7V
VR = E – VD equação 3.9
VR
ID IR equação 3.11
R
7,3
ID IR 3,32mA equação 3.12
2, 2k
3.1.2 Exemplo 2
Considere o mesmo circuito da Figura 3.7, mas com uma fonte E com
um valor de 0,5V. Determine VR, ID, IR e VD.
Analisando o circuito, nota-se que a barreira de tensão do diodo é de 0,7
volts e como a fonte é de 0,5V, não haverá condução de corrente.
Figura 3.7 – Gráfico do circuito com fonte menor que tensão do diodo.
ID = 0A
Resultando:
VD = 0,5V
3.1.3 Exercícios propostos
Pela Figura 3.13, pode-se notar que no sentido positivo da fonte (ciclo
positivo do sinal) o diodo neste caso considerado ideal, o diodo é substituído
como um curto circuito.
Agora analisando o ciclo negativo da fonte pela Figura 3.14, tem-se a
conclusão que o diodo é substituído por um circuito aberto.
Pela Figura 3.14, pode-se ver que a forma de onde aplicado pela fonte
sobre o resistor (carga) é um sinal de meia onda. Calculando o valor médio da
tensão sobre a carga tem-se a seguinte
1 2
Vo _ Medio V m sen( wt )dt 0dt
T 0
Resolvendo:
Figura 3.23 – Retificador de onda completa com tap central, sentido positivo.
2
1
V0 _ medio 2 V m sen( wt )dt equação 3.18
2 0
V
V L _ medio V p equação 3.20
2
Vp
IL equação 3.21
RL
I LT
V equação 3.22
C
q
q equação 3.23
C
q I LT equação 3.24
Para circuito com filtro com onda completa basta trocar a equação 3.25 e
o valor médio na carga é dado pela mesma equação 3.20.
q
q equação 3.25
2C
3.3 Grampeadores
VC V0 Vi
V0 V i VC
VC Vi 0
VC Vi 60V
V0 0V
b
Figura 3.30 – Circuito grampeador, forma de onda na carga.
3.3.1 Exemplo 1
Vi VC V RL
Vi VC 0
VC Vi 60
Vi = 60
V RL Vi VC 60 (60) 120v
Vi = -60
V RL 0v
Quando se aplica uma tensão sobre o zener e esta tensão é maior que a
tensão de zener ou diodo se comporta como se fosse uma fonte constante com
um valor Vzo. Pela Figura 3.34, pode-se visualizar este comportamento.
RL
V RL V
R RL
Com o calculo da tensão sobre o resistor, basta verificar o
funcionamento do zener no circuito. Na Figura 3.38, mostra quando a tensão
calculada é maior que o valor Vz.
V RL V Z
I R I Z I RL
V RL
I RL
RL
V I V RL
IR
R
PZ V Z I Z
IZ 0A PZ 0w
V
I R I RL
R RL
V RL 0,7v
I R I Z I RL
V RL
I RL
RL
V I V RL
IR
R
PZ V Z I Z
3.4.1 Exemplo 1
1,2k
V RL 16 8,73v
1k 1,2k
Neste caso a tensão de zener é 10v e o calculado foi 8,73. Esta tensão é
menor que VZ e o circuito se comporta conforme a Figura 3.42.
IZ 0A PZ 0w
16
I R I RL 7,22mA
1k 1, 2k
3.4.2 Exemplo 2
1,2k
V RL 16 11, 29v
200 1,2k
V RL 10v
I R I Z I RL
10
I RL 8,33mA
1,2k
16 10
IR 30mA
200
PZ 10 21,66m 216,66mW
Como foi visto nas Figura 4.1 e 4.2, os transistores podem ser de dois
tipos e cada tipo tem um funcionamento e uma simbologia adota. A Figura 4.3,
ilustra as simbologias usadas para este tipo de dispositivos.
Outra notação importante é que nas Figuras 4.1 e 4.2, estão dispostos a
representação na forma de diodos associados e desta forma se pode fazer um
estudo no comportamento sobre o fluxo de carga e como se comporta uma
corrente elétrica, quando da aplicação de um potencial entre os terminais de
um transistor.
A Figura 4.3, mostra além de uma simbologia, uma notação algébrica
dos terminais e esta notação é:
B Base
C Coletor
E Emissor
I E IC I B equação 4.1
I E IC equação 4.2
IC I B Equação 4.4
I E ( 1) I B Equação 4.5
Pela Figura 4.7, pode-se ver que há três regiões de operação para um
transistor. Estas regiões são:
Região Ativa
Região de Corte
Região de Saturação
Basta agora estudar o ponto de operação de um transistor e descobrir
onde está operando um transistor. Este tipo de estudo depende do tipo de
estrutura na qual foi colocado o transistor.
I C I B
tem-se que:
VCE VCC I C RC Equação 4.7
VCE V C V E e V BE V B Ve
VCE VC e V BE V B
4.3.1 Exemplo 1
Calcule IB, IC, V CE, VB, VC e VBC para os seguintes dados do circuito da
Figura 4.10:
RB = 240kΩ
RC = 2,2k
VCC = 12V
= 50
Solução:
VCC V BE 12 0,7
IB 47,08A
RB 240k
I C I B 50 47,08 2,35mA
V B V BE 0,7V
VC VCE 6,83V
Fazer Ic = 0A
Fazer VCE = 0V
Fazendo Ic = 0A
VCE = VCC
Fazendo VCE = 0A
Tirando a equação para este dado:
RC I C VCE VCC 0
VCC
IC
RC
Com base no que foi calculado, pode-se saber de uma maneira mais
rápida onde ficará polarizado o transistor. Pela Figura 4.12, que ilustra esta
situação se nota a reta de carga.
IC = 0A
VCE = VCC = 12v
VCE = 0v
I C I B 50 47,08 2,35mA
R2
VTH V CC
R1 R 2
R1 R 2
RTH
R1 R 2
Vi < VBE V0 = V IC = 0A
4.7.1 Exemplo 1
RB = 430kΩ
RC = 2k
RE = 1k
VCC = 20V
= 50
VCC V BE 12 0,7
IB 40,1A
R B R E 1 (430k 1k 51)
I C I B 50 40,1 2,01mA
VCE VCC I C RC 20 2,01m 2k 13,97V
Pela Figura 4.19, nota-se que o ponto de operação é linear, mas está
mais próximo da região de corte e se houver uma alteração do beta devido a
temperatura por exemplo, o circuito poderá sai da região de operação linear.
4.8 Exercícios propostos
1 – Determine VC, VB, VE, IB, IC, IE, VCE, VBC e o ponto de operação.
2 – Determine VC, VB, VE, IB, IC, IE, VCE, VBC e o ponto de operação pela reta de
carga.
3 – Determine V C, VB, VE, IB, IC, IE, VCE, VBC e pela reta de carga o ponto de
operação.