P2 de Química de Materiais 2020

Nome__________________________________________No_________

1) Um filme de polianilina é depositado via eletrodeposição sobre um

substrato de cobre. Este tipo de filme pode ser usado como dispositivo para
medição de pH de uma solução, considerando que este polímero tem uma
enorme variação de resistência quando é protonado. Um filme deste
material totalmente protonado (máxima concentração de hidrogênio em
mol/l) tem resistência elétrica de 0,032 Ohm enquanto um outro em solução
alcalina tem resistência de 3,2 x 1014 Ohm. Esta extrema mudança de
resistência elétrica ou, em outras palavras, de condutividade elétrica, faz
deste material um excelente sensor de pH. Supondo um filme inicial de 1,0
micrometro de espessura, largura de 5 mm e distância entre contatos de
tensão de 1,0 mm, responda:
a) Faça um desenho da molécula de polianilina e explique porque a
condutividade elétrica muda muito com a concentração de
hidrogênio.
b) Suponha que a menor resistência acima seja relativa a uma solução
totalmente ácida e a maior com uma solução totalmente alcalina.
Com estes dados em mãos, como calibração, você mede o pH de um
refrigerante e encontra um valor de 2,5. Qual a resistência que você
irá ler num display deste dispositivo?
c) Suponha agora que a medida seja feita na água de uma piscina cujo
pH não pode ser maior e nem menor que sete. Qual valor esperado
da resistência lida?
d) Polianilina é um polímero que deve ser sintetizado por qual rota:
adição ou condensação? Justifique.
2) Crescimento de filmes finos são de extrema importância tanto para
fabricação de sistemas sofisticados na indústria eletrônica, quanto para
aplicações de proteção de superfície ou ainda, em estética. Neste sentido,
existem várias técnicas de crescimento e cada uma é mais adequada para a
produção deste ou daquele nicho de aplicação. Neste contexto de filmes
responda:
a) Um substrato de titanato de estrôncio é usado para o crescimento de
filmes finos de um isolante topológico de estequiometria VSe2 de
simetria hexagonal. Sabemos que os parâmetros de rede deste
isolante topológico são a = 3,3 Angstrom e c = desconhecido. O
parâmetro de rede da superfície do substrato é de aproximadamente
3,8 Angstrom. A1) este crescimento será epitaxial para grandes
espessuras? Justifique, A2) No difratograma deste filme são
observados apenas picos relativos à família de planos (00l). Neste
contexto a reflexão (002) aparece em 2θ = 59,9o. Qual o parâmetro
de rede c deste material? E onde aparecerão no difratograma os
planos (001) e (005)?
b) Imagine que você queira crescer um filme Cu de 1,0 μm de espessura
num substrato de 5 mm de largura e 10 mm de comprimento. Você
dissolve CuSO4 em uma solução de dimetilsulfóxido e aplica uma
corrente de 10 mA. Qual o tempo necessário de deposição para a
espessura pretendida? Dado: M = 63.55 g/mol e densidade de 8.96
g/cm3.
c) Porque, no item anterior, foi usado um solvente orgânico?
3) Materiais amorfos encontram uma série de aplicações na tecnológica
moderna. Além destes materiais podemos também mencionar os
quase-cristais que têm ganhado espaço em aplicações especiais. A)
explique porque é muito difícil gerar materiais vítreos metálicos, b) Faça
um gráfico esquemático do volume específico em função da temperatura
para um material que amorfiza com facilidade e outro para um material que
é muito difícil de ser amorfizado. Represente nestes gráficos todas as
transformações importantes e explique as diferenças, c) O que é e qual a
diferença de um quase cristal e um material amorfo? Justifique.

4) a) Faça um gráfico esquemático do potencial químico em função da

temperatura e explique o que significa super-resfriamento, b) Explique o
que é método de Czochraslki e quais as sua vantagens e desvantagens?, c)
Faça o balanço térmico e apresente um expressão matemática que
maximiza a velocidade de crescimento neste método, c) você quer crescer o
isolante topológico do problema 2 usando a rota CVT. Neste caso você usa
a zona fria em 800oC e a quente em 950oC. Depois de 10 dias é observado
que este cristal cresce na zona mais fria. Com esta observação você pode
concluir que a entalpia de formação é exotérmica ou endotérmica?
Justifique sua resposta.